JPS5956579A - 複合メタルマスク - Google Patents
複合メタルマスクInfo
- Publication number
- JPS5956579A JPS5956579A JP16713182A JP16713182A JPS5956579A JP S5956579 A JPS5956579 A JP S5956579A JP 16713182 A JP16713182 A JP 16713182A JP 16713182 A JP16713182 A JP 16713182A JP S5956579 A JPS5956579 A JP S5956579A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- metal mask
- pattern
- substrate
- metallic plate
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C21/00—Accessories or implements for use in connection with applying liquids or other fluent materials to surfaces, not provided for in groups B05C1/00 - B05C19/00
- B05C21/005—Masking devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（８）発明の技術分野
本発明は真空蒸着やスパッタリングにより基板」二に薄
Ｂ９ＪＨ４を形成する際に使用するメタルマスクに係り
、ｎ”ｆし／Ａよ該メタルマスクを磁力により基板に密
着固定さ−Ｌる場合に起こり易い該メタルマスクの磁力
による変形が少なくなるような構造を有する複合メタル
マスクに関する。
Ｂ９ＪＨ４を形成する際に使用するメタルマスクに係り
、ｎ”ｆし／Ａよ該メタルマスクを磁力により基板に密
着固定さ−Ｌる場合に起こり易い該メタルマスクの磁力
による変形が少なくなるような構造を有する複合メタル
マスクに関する。
（ｂｌ 技術の１部ｍ
ＥＬ表示装置の電極等の人形の薄膜パターンの形成には
真空蒸着噂）スパッタリングにるＷＩ賑が広く採用され
ている。この際にはメタルマスクがよく用いられており
、その人きさも益々人形化しζ 。
真空蒸着噂）スパッタリングにるＷＩ賑が広く採用され
ている。この際にはメタルマスクがよく用いられており
、その人きさも益々人形化しζ 。
きている。
ｔｃ＋ ｖｔ来技術と問題点
真空蒸着やスパッタリングにより、所定の薄膜パターン
を基板」−に形成するには、前記メタルマスクを当該の
基板上に固定する必要があるが、その方法としては、該
基板の背面に永久磁石、あるいは電磁石をおいてその磁
力により前記メタルマスクを固定することが通常行われ
ている。従って該メタルマスクはクローム鉄等の強磁性
体より形成されている。この磁石固定法は極めて便利な
方法で広く賞用されているが、形成すべき薄膜パターン
が細くかつ長い場合には問題が発生してくる。
を基板」−に形成するには、前記メタルマスクを当該の
基板上に固定する必要があるが、その方法としては、該
基板の背面に永久磁石、あるいは電磁石をおいてその磁
力により前記メタルマスクを固定することが通常行われ
ている。従って該メタルマスクはクローム鉄等の強磁性
体より形成されている。この磁石固定法は極めて便利な
方法で広く賞用されているが、形成すべき薄膜パターン
が細くかつ長い場合には問題が発生してくる。
例えば第１図の平面図に概念的に示すように。
Ｅｌ、表示パネルの平行電極を形成するためのメタルマ
スクの一例を上げると、該メタルマスクには０ 、２ｍ
ｍのクローム鉄板に幅０．１ｍ＋ｎ 、 ＪＦ＝、さ２
００ｍｍのｌ＆がピッチ０．８１Ｉ１ｍで連続して多数
形成されζいる。
スクの一例を上げると、該メタルマスクには０ 、２ｍ
ｍのクローム鉄板に幅０．１ｍ＋ｎ 、 ＪＦ＝、さ２
００ｍｍのｌ＆がピッチ０．８１Ｉ１ｍで連続して多数
形成されζいる。
該メタルマスクを基板」二に載せて磁力を印加して固定
すると、第１図のｉｔフ面図に概念的に示すように、前
記の多数の溝１の間の該メタルマスクの内部へは幅が細
く長さの長い梁を形成するので機械的に弱く、相隣る前
記内部Ａが磁化して磁石となり相互に反発または吸引し
あって２点線に示すように変形する。当然この状態で形
成されノこ薄膜パターンは幅が不均一で甚だしい時は断
線したりする。
すると、第１図のｉｔフ面図に概念的に示すように、前
記の多数の溝１の間の該メタルマスクの内部へは幅が細
く長さの長い梁を形成するので機械的に弱く、相隣る前
記内部Ａが磁化して磁石となり相互に反発または吸引し
あって２点線に示すように変形する。当然この状態で形
成されノこ薄膜パターンは幅が不均一で甚だしい時は断
線したりする。
この問題は殊に表示パネルの製作に際して搭はしばしば
遭遇する問題であって、何等かの解決方法が望まれてい
た。
遭遇する問題であって、何等かの解決方法が望まれてい
た。
ｆｄｌ 発明の目的
本発明は前述の点に鑑みなされたもので、前記のメタル
マスクの寸法をそのまま維持してしかも磁石固定法のた
めに変形しない改良されノこ構造のメタルマスクを提供
しようとするものである。
マスクの寸法をそのまま維持してしかも磁石固定法のた
めに変形しない改良されノこ構造のメタルマスクを提供
しようとするものである。
ｔｅｌ 発明の構成
上記の発明の「１的は、非磁性体、あるいは弱磁性体の
金属板に所定のパターンの孔部を形成した実パターンメ
タルマスクと１強磁性体の金属板に前記実パターンメタ
ルマスクのパターンの孔部より一定」法だり大きいパタ
ーンの孔部を形成した補強メタルマスクとより構成され
たことを特徴とする複合メタルマスクを使用することに
より容易に達成される。
金属板に所定のパターンの孔部を形成した実パターンメ
タルマスクと１強磁性体の金属板に前記実パターンメタ
ルマスクのパターンの孔部より一定」法だり大きいパタ
ーンの孔部を形成した補強メタルマスクとより構成され
たことを特徴とする複合メタルマスクを使用することに
より容易に達成される。
（ｆ）発明の実施例
以下本発明の一実施例につき図面を参ｊｌ！！ｌ、て説
明する。第２図は本発明に基づく改良されたメタルマス
クの構成の一実施例を示す概念的な平面図。
明する。第２図は本発明に基づく改良されたメタルマス
クの構成の一実施例を示す概念的な平面図。
第３図は前記の一実施例の要部（第２図のＸ−Ｘ線に沿
う部分）の拡大部分断面図であって前記のｆｃ）頃に例
示した場合と同一の例について述べよう。
う部分）の拡大部分断面図であって前記のｆｃ）頃に例
示した場合と同一の例について述べよう。
本複合メタルマスクは実パターンメタルマスク２とと？
ｄｉ強メダメタルマスク３り構成される。
ｄｉ強メダメタルマスク３り構成される。
実パターンメタルマスク２は弱磁性体である厚さ０ 、
２ｍｍのステンレス板より形成されており他の司法は前
記の（ＣＩ Ｉ、Ｍき例と同一である。ここにパターン
の溝４の溝幅は０．１ｍｍあり前述した１７Ｌ来の側聞
−である。
２ｍｍのステンレス板より形成されており他の司法は前
記の（ＣＩ Ｉ、Ｍき例と同一である。ここにパターン
の溝４の溝幅は０．１ｍｍあり前述した１７Ｌ来の側聞
−である。
一般にメタルマスクのバタ・−ンし１化学エツチング法
により形成されるが、この際の最小溝幅は該メタルマス
クの金属板の厚さの１／２ごあるから。
により形成されるが、この際の最小溝幅は該メタルマス
クの金属板の厚さの１／２ごあるから。
前記溝幅が大きい程前記メタルマスクの厚さを人きくす
ることが出来る。
ることが出来る。
？ｌｌｉ強メタルマスク３は強磁性体の金属板より形成
されているが、そのパターンの孔部は実パターンメタル
マスク２より０ 、２ｍｍ宛人きく形成してあり、その
溝５の溝幅は０．３ｍｍ、溝長さは２（ｌｏ、２＋ｎｍ
であるが、ピッチは勿論変わらず（１，ｌ１ｍ＋ｎであ
る。溝幅が大きくなるので補強メタルマスク３の板（Ｖ
を大きく取ることが出来９本実施例の場合には板厚０．
４ｍｍとしであるので、磁石固定力も増加するとともに
、先に述べた溝５と溝５との間の内部Ｂはその厚さが厚
いだ−り強度が増して磁力による変形に列する抵抗が強
くなる。
されているが、そのパターンの孔部は実パターンメタル
マスク２より０ 、２ｍｍ宛人きく形成してあり、その
溝５の溝幅は０．３ｍｍ、溝長さは２（ｌｏ、２＋ｎｍ
であるが、ピッチは勿論変わらず（１，ｌ１ｍ＋ｎであ
る。溝幅が大きくなるので補強メタルマスク３の板（Ｖ
を大きく取ることが出来９本実施例の場合には板厚０．
４ｍｍとしであるので、磁石固定力も増加するとともに
、先に述べた溝５と溝５との間の内部Ｂはその厚さが厚
いだ−り強度が増して磁力による変形に列する抵抗が強
くなる。
第３図の部分的断面図に両メタルマスクの組立後の相λ
・１位置を概念的に示す。実パターンメタルマスク２に
対し輔・１つ１メタルマスク３を所定の位置に正しく位
１１を合わ・ヒして重ね、第２図にＸ印で示した位置で
点溶接により」１記の両メタルマスクを一体的に結合す
る。
・１位置を概念的に示す。実パターンメタルマスク２に
対し輔・１つ１メタルマスク３を所定の位置に正しく位
１１を合わ・ヒして重ね、第２図にＸ印で示した位置で
点溶接により」１記の両メタルマスクを一体的に結合す
る。
前記のように、前記補強メタルマスク３のパターンの溝
５の幅は前記実パターンメタルマスク２の溝４の幅より
０．２ｍｍ大きいので、実パターンメタルマスク２はメ
タルマスク全面にわたりＯ，Ｉｍｍの段差をなして？ｉ
ｌｉ強メタルマスク３のパターンの溝５の内側に張り出
ている。この状況は第３図のｌＵｉ面図にも示され°ζ
いる。従って実パターンメタルマスク２のみかごのパタ
ーン形成工程のメタルマスクとしての役割を果たす。し
かも前述のように実パターンメタルマスク２の祠料はス
テンレス板で弱磁性体であるので、パターン形成工程に
おいて該実パターンメタルマスク２を磁石の磁力により
ハ板６」−に固定した際に、磁界より受レノる吸着力は
小さく、ｉｊｔっで殆ど変形しない。これに反し補強メ
タルマスク３のｊｔＡ料は強磁性体であるので、 ｖＩ
ｆＩ界により強い吸着力を受り、 、ｌ、ｆｉｌ及６に
実パターンメタルマスク２とともに固定されるが、前）
本のように？ｉｌｉ 弱！メタル゛ンスク３の１及厚は
０．４ｍｍと厚いので変形しゲＷく、従来の問題点を回
避することが出来る・ 要するに実パターンメタルマスク２はパターン形成の機
能を、 ？ｌ！ｉ強メタルマスク３は（Ｗ力によりメタ
ルマスクを当該基板６へ固定する機能をう）ＩＩｔさせ
た構成を取っていることが本発明の特徴である。
５の幅は前記実パターンメタルマスク２の溝４の幅より
０．２ｍｍ大きいので、実パターンメタルマスク２はメ
タルマスク全面にわたりＯ，Ｉｍｍの段差をなして？ｉ
ｌｉ強メタルマスク３のパターンの溝５の内側に張り出
ている。この状況は第３図のｌＵｉ面図にも示され°ζ
いる。従って実パターンメタルマスク２のみかごのパタ
ーン形成工程のメタルマスクとしての役割を果たす。し
かも前述のように実パターンメタルマスク２の祠料はス
テンレス板で弱磁性体であるので、パターン形成工程に
おいて該実パターンメタルマスク２を磁石の磁力により
ハ板６」−に固定した際に、磁界より受レノる吸着力は
小さく、ｉｊｔっで殆ど変形しない。これに反し補強メ
タルマスク３のｊｔＡ料は強磁性体であるので、 ｖＩ
ｆＩ界により強い吸着力を受り、 、ｌ、ｆｉｌ及６に
実パターンメタルマスク２とともに固定されるが、前）
本のように？ｉｌｉ 弱！メタル゛ンスク３の１及厚は
０．４ｍｍと厚いので変形しゲＷく、従来の問題点を回
避することが出来る・ 要するに実パターンメタルマスク２はパターン形成の機
能を、 ？ｌ！ｉ強メタルマスク３は（Ｗ力によりメタ
ルマスクを当該基板６へ固定する機能をう）ＩＩｔさせ
た構成を取っていることが本発明の特徴である。
なお上述の一実施例においては実パターンメタルマスク
２と補強メタルマスク３とを点溶接で−・体的に結合し
たとしているが、これは取扱上の便利の為であって、必
ずしも必要な条件ではない。
２と補強メタルマスク３とを点溶接で−・体的に結合し
たとしているが、これは取扱上の便利の為であって、必
ずしも必要な条件ではない。
極めて繊細なパターンを扱う場合には却って実パターン
メタルマスク２と補ｉｊｌメタルマスク３とを結合しな
いで、予想される？ｌ ４１ｊ！メタルマスク３の極く
僅かの変形の影響を避りる場合もあり冑る。
メタルマスク２と補ｉｊｌメタルマスク３とを結合しな
いで、予想される？ｌ ４１ｊ！メタルマスク３の極く
僅かの変形の影響を避りる場合もあり冑る。
以上は１乙１５表示パネルの平行電極を形成するだめの
メタルマスクの一例に・−２いて述べたが、容易に頬ｉ
ｔされる、１、・うに、前記と異なるパターンの薄膜を
形成する場合でも１メタルマスクの構造がｔ、桟イ■１
で磁力固定法を適用すると変形してパターンの精度が（
ｒ７Ｃ１ｋｉ出来ない場合にも直ちに本特許を適用する
ことが出来る。
メタルマスクの一例に・−２いて述べたが、容易に頬ｉ
ｔされる、１、・うに、前記と異なるパターンの薄膜を
形成する場合でも１メタルマスクの構造がｔ、桟イ■１
で磁力固定法を適用すると変形してパターンの精度が（
ｒ７Ｃ１ｋｉ出来ない場合にも直ちに本特許を適用する
ことが出来る。
ｆｇ＋ 発明の効果
以上の説明から明らかなよ・）に１本発明によ−る複合
メタルマスクを使用すれば、従来のよ・）にメタルマス
クを研イＩ固定法により基板上に固定する際に発生ずる
該メタルマスクの変形に基づく形成されたパターンの１
／１度不良の問題を解消出来、該パターンの晶シ？１を
向」−出来るとい・）効果がある。
メタルマスクを使用すれば、従来のよ・）にメタルマス
クを研イＩ固定法により基板上に固定する際に発生ずる
該メタルマスクの変形に基づく形成されたパターンの１
／１度不良の問題を解消出来、該パターンの晶シ？１を
向」−出来るとい・）効果がある。
第１図はｉｊｔ来のメタルマスクを用いて、括板−にに
磁石固定法で該メタルマスクを固定した場合の状況を示
した概念的な平ｉ「１１図、第２図、は本発明に基づく
改良された複合メタルマスクの構成の一実施例を示す概
念的な平面し１．第３図は前記θルー実施例の要部の拡
大した部分断面図である。 ■は従来のメタルマスク、２は実パターンメタルマスク
、３は補強メタルマスク、４．５はメタルマスクのパタ
ーンの溝孔、 ｒ； ｃ、＋４％坂をそれぞれ示す。
磁石固定法で該メタルマスクを固定した場合の状況を示
した概念的な平ｉ「１１図、第２図、は本発明に基づく
改良された複合メタルマスクの構成の一実施例を示す概
念的な平面し１．第３図は前記θルー実施例の要部の拡
大した部分断面図である。 ■は従来のメタルマスク、２は実パターンメタルマスク
、３は補強メタルマスク、４．５はメタルマスクのパタ
ーンの溝孔、 ｒ； ｃ、＋４％坂をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 真空蒸着やスパッタリングにより基板」−に薄膜層を形
成する際に使用するメタルマスクであって。 非ＶＩｔ性体、あるいは弱ｆ４ｉ性体の金属板に所定の
パターンの孔部を形成した実パターンメタルマスクと１
強磁性体の金属板に前記実パターンメタルマスクのパタ
ーンのｒ［８部より一定寸法だり大きいパターンの孔部
を形成した補強メタルマスクとより構成されたことを特
徴とする複合メタルマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16713182A JPS5956579A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | 複合メタルマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16713182A JPS5956579A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | 複合メタルマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5956579A true JPS5956579A (ja) | 1984-04-02 |
Family
ID=15844001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16713182A Pending JPS5956579A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | 複合メタルマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5956579A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63106662U (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-09 | ||
| JPS63106663U (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-09 | ||
| JPS6445160U (ja) * | 1987-09-05 | 1989-03-17 | ||
| JPH10319870A (ja) * | 1997-05-15 | 1998-12-04 | Nec Corp | シャドウマスク及びこれを用いたカラー薄膜ｅｌ表示装置の製造方法 |
| JP2000129419A (ja) * | 1998-10-22 | 2000-05-09 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | 蒸着マスク |
| JP2006053336A (ja) * | 2004-08-11 | 2006-02-23 | Bridgestone Corp | 画像表示用パネルの製造方法 |
| JP2006199998A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Seiko Epson Corp | 成膜装置、成膜方法 |
| JP2009249706A (ja) * | 2008-04-09 | 2009-10-29 | Sumco Corp | 蒸着用マスク、ならびにそれを用いる蒸着パターン作製方法、半導体ウェーハ評価用試料の作製方法、半導体ウェーハの評価方法および半導体ウェーハの製造方法 |
| CN112725728A (zh) * | 2020-12-17 | 2021-04-30 | 合肥维信诺科技有限公司 | 一种掩膜版 |
-
1982
- 1982-09-24 JP JP16713182A patent/JPS5956579A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63106662U (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-09 | ||
| JPS63106663U (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-09 | ||
| JPH046940Y2 (ja) * | 1986-12-27 | 1992-02-25 | ||
| JPS6445160U (ja) * | 1987-09-05 | 1989-03-17 | ||
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| JP4614711B2 (ja) * | 2004-08-11 | 2011-01-19 | 株式会社ブリヂストン | 画像表示用パネルの製造方法 |
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| US7976633B2 (en) | 2005-01-20 | 2011-07-12 | Seiko Epson Corporation | Device and method of forming film |
| JP2009249706A (ja) * | 2008-04-09 | 2009-10-29 | Sumco Corp | 蒸着用マスク、ならびにそれを用いる蒸着パターン作製方法、半導体ウェーハ評価用試料の作製方法、半導体ウェーハの評価方法および半導体ウェーハの製造方法 |
| CN112725728A (zh) * | 2020-12-17 | 2021-04-30 | 合肥维信诺科技有限公司 | 一种掩膜版 |
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