JPH0651905B2 - マスク蒸着方法 - Google Patents

マスク蒸着方法

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JPH0651905B2
JPH0651905B2 JP22550285A JP22550285A JPH0651905B2 JP H0651905 B2 JPH0651905 B2 JP H0651905B2 JP 22550285 A JP22550285 A JP 22550285A JP 22550285 A JP22550285 A JP 22550285A JP H0651905 B2 JPH0651905 B2 JP H0651905B2
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mask
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deposition method
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貴雄 前田
一雄 金廣
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、磁石の磁力によって金属マスクを基板上に
保持し、蒸着させるマスク蒸着方法に関するものであ
る。
[従来の技術] ICは、近年、益々小形・高集積化の傾向を示してお
り、要求されるパターンのピッチも急速に小さくなって
きている。
微細なパターンを形成する方法として、フォトリソグラ
フィ法、スクリーン印刷法およびマスク蒸着法の3つに
大別される。
フォトリソグラフィ法は、比較的高精度であるが、工程
数が多いため、製造コストが高くなる。また、レジスト
を塗布するため、表面が汚染され、信頼性の低下をきた
すおそれがある。
スクリーン印刷法は、その製造方法上、微細なパターン
の形成には適しておらず、最小250μmが限度であ
る。さらに、ペースト状にする必要があるため、用いる
物質が限定される。
マスク蒸着法は、必要な精度のマスクが得られれば、微
細なパターンを精度良く形成することができ、高精度、
低価格および信頼性の面から最も優れており、実用に供
されているものである。
このようなマスク蒸着法において、微細なパターンを精
度良く形成するためには、上述のように精度の高いマス
クが必要とされる。たとえば、現在要求されている、ピ
ッチ250μm以下で、線幅100μm以下の微細なパ
ターンを蒸着によるコーティングで得るためには、マス
クの厚みを100μm以下にする必要がある。さらに、
蒸着によるコーティングの際の熱応力やコーティング物
質のもたらす膜応力、および作業時の操作性を考慮する
と、マスクの厚みとしては、50〜100μmが適当で
ある。したがって、この厚みでピッチ250μm以下の
微細なパターン用のマスクを作成する必要がある。
マスクの作成法としては、金属プレス法、エッチング法
およびめっき析出法が代表的なものとして挙げられる。
金属プレス法は、打抜きの際にマスクに歪が生じるた
め、上述の微細なパターン用マスクの作成には不適であ
る。また、金型が非常に高価であるため、コスト面から
も好ましくない。
エッチング法は、厚み100μm以下で、厚み方向と面
方向の精度がほぼ1対1となるため、上述の微細なパタ
ーン用マスクの作成には、精度が悪すぎ不適である。
めっき析出法は、一般に精度が良く、上述の微細なパタ
ーン用マスクを作成することが可能である。したがっ
て、上述の微細なパターン用マスクは、専らめっき析出
法によってのみ作製することができる。
マスクを基板上に保持する方法としては、大きく分けて
2種類ある。1つは、ねじ・クリップなどで固定する方
法であり、もう1つは、磁力で保持する方法である。前
者の方法によって、厚み100μm以下のマスクを保持
する場合には、ねじ・クリップなどがマスクを強く押え
付けるため、蒸着コーティングの際に受ける熱応力また
は膜応力によって、基板に対しマスクが反るようにな
る。したがって、厚みが100μm以下のマスクを保持
するには、前者の方法は不適である。これに対して、後
者の磁力で保持する方法は、マスクを磁性体としておく
ことにより、マスク全面を保持し良好な密着が得られ
る。したがって、厚み100μm以下のマスクを保持す
るには、磁石による磁力で保持する方法が用いられてい
る。
第6図は、金属マスクの保持に磁石を用いるマスク蒸着
方法を説明するための図である。第6図において、磁石
3は基板2を介してマスク1の反対側に配置されてい
る。該磁石3の磁力によって、マスク1は基板2上に密
着して保持されている。ここで、マスク1は、磁石の磁
力により吸引され得る磁性を有する材質から構成されて
いる。
[発明が解決しようとする問題点] 250μmを超えるピッチのパターンを形成させる場合
には、第6図に示すようなマスクを磁力で保持する方法
で、精度の良いパターンを形成させることができる。
しかしながら、250μm以下のピッチのパターンの場
合には、このような方法を用いても精度の良いパターン
を形成させることができなかった。これは、マスクが磁
石によって磁化されることによるものと考えられる。こ
の理由について、さらに説明するため、第4図および第
5図を示す。第4図は、基板上のマスクの形状を示す図
であり、磁石の磁力により保持されていない状態を示し
ている。第4図において、基板2上にはマスク1が配置
し、ハッチングで示す蒸着領域以外の領域を被覆してい
る。
第5図は、第4図のマスクを磁石の磁力によって保持し
た状態を示す図である。第5図においては、マスク1の
細線が基板2の面方向に曲がった状態となっている。し
たがって、マスク1の細線が互いに接している領域Cで
は、断線した状態となっている。また、領域A,B,
D,Eでは、マスク1の細線の曲がりにより、その幅が
広くなり、均一でなくなっている。さらに、第5図に示
すような状態以外にも、マスク1の細線が基板2の垂直
方向に隆起してしまうという状態が生じる場合もある。
このようなマスクの細線の曲がりにより、形成されるパ
ターンの精度は著しく悪くなる。マスクの細線が、磁石
の磁力保持により、曲がる原因としては、マスクの磁化
が考えられる。すなわち、磁石の金属マスク側の端面
が、面内すべて同一の磁極であるため、隣り合うマスク
の細線は、同一方向に分極するよう磁化される。各細線
が同一方向に分極されるため、各細線の間には斥力が生
じ反発し合う。この場合に、各細線の幅および厚みが等
しく強度が同等であると、隣り合う細線の間での斥力は
互いに釣合う。しかしながら、細かいピッチのマスクに
なると、各細線の幅および厚みを完全に等しくすること
は難しく、各細線の強度が異なって、各細線間に働く斥
力は釣合わず、曲がりを生じることとなる。
したがって、高精度が保証されるマスク蒸着方法におい
ても、250μm以下のピッチのパターンを精度良く形
成させることはできなかった。
それゆえに、この発明の目的は、かかる微細なパターン
を形成可能にすることにあり、金属マスクの細線に曲が
りを生じることなく、磁力によって金属マスクを保持す
るマスク蒸着方法を提供することにある。
[問題点を解決するための手段] この発明では、基板を介して配置される磁石の磁力によ
って、金属マスクを基板上に保持し、該金属マスクの被
覆領域以外の領域を蒸着させるマスク蒸着方法におい
て、該磁石が、該金属マスク側の端面に、N極とS極の
境界が存在するように配置されている。
[作用] この発明では、金属マスク側の端面にN極およびS極を
有する磁石を用いて、金属マスクを基板上に保持してい
る。したがって、金属マスクの隣り合う細線には、斥力
と引力とが共に働くため、斥力および引力が相殺され
て、細線間に働く力のバランスがとれる。
[実施例] 第1図、第2図および第3図は、この発明に用いられる
磁石の端面における磁極分布の例を示す図である。第1
図に示す磁石においては、端面にN極およびS極をそれ
ぞれ1つずつ有し、境界線が1本ある。第2図に示す磁
石においては、異なる極を隣接させて、端面にN極およ
びS極を、それぞれ2つずつ有している。第3図に示す
磁石においては、中央に1つのN極を有し、該N極のま
わりに、異なる極を隣接させてS極およびN極を有して
いる。また、他の例としては、第3図におけるN極とS
極のそれぞれの位置を入替えたものであってもよい。
この発明に用いられる磁石の端面における磁極の分布
は、第1図、第2図および第3図に示したものに限定さ
れず、N極およびS極を少なくとも1つずつ端面に有し
ていればよい。このように磁極を分布させた状態の磁石
は、1つの磁石内で磁化方向を相当する部分ごとに逆転
させるか、あるいは、一方向に磁化された磁石を数個組
合わせて得ることができる。
磁石の磁力は、特に限定されないが、保持力4000エ
ルステッド以上で、かつ、キューリー点が450℃以上
であることが好ましい。このような磁力を有する磁石の
材質としては、希土類コバルトがある。しかしながら、
他の材質であっても、同等の効果が発揮され得ることは
言うまでもない。また、磁石としては、永久磁石のみな
らず、電磁石をも用いることができる。
この発明に用いられるマスクとしては、磁石の磁力によ
り吸引される性質を有する材質であることが必要で、特
に、鉄またはニッケルを主成分とした強磁性体が好まし
い。また、マスクの作製法としては、微細なピッチのマ
スクが精度よく得られるため、めっき析出法によるもの
が好ましい。
この発明の蒸着方法により蒸着され得る基板としては、
磁性体である必要はなく、特に限定されることはない。
したがって、アルミナ,窒化アルミニウムなどのセラミ
ックス、Fe−Ni合金,Cu合金などの金属、有機材
料、アルミナをコーティングした金属などの複合材料等
も基板として用いることができる。
以下、この発明の実施例についてさらに詳しく説明す
る。
この発明の方法を用いて、アルミナ基板上にアルミニウ
ムの薄膜を蒸着させ、パターンを形成させた。マスク
は、幅50μmの細線をピッチ135μmで50本並列
に並べたパターン形状のものを用いた。マスクの材質
は、硬質ニッケルを用い、めっき析出法により作成した
ものを用いた。
蒸着コーティングは、イオンプレーティング法で、初期
真空度3×10-5torr、基板温度200℃、RF出力1
00W、バイアス電圧0.5kV、成膜速度200Å/
sの条件下で行なった。
磁石として、保持力6500エルステッドの希土類コバ
ルト磁石を、第2図のような磁極分布となるように組合
わせた磁石を用い、この発明の方法により蒸着させた場
合には、良好な高精度のパターンが形成された。
これに対して、保持力1800エルステッドのフェライ
ト磁石を1つ用いた従来の方法によるものでは、形成さ
れたパターン中に滲みおよび断線が認められた。
[発明の効果] この発明では、基板を介して配置される磁石の磁力によ
って、金属マスクを基板上に保持し、該金属マスクの被
覆領域以外の領域を蒸着させるマスク蒸着方法におい
て、該金属マスク側の端面に、N極およびS極を有する
磁石を用いて、該金属マスクを基板上に保持している。
したがって、金属マスクの隣り合う細線には、斥力と引
力とが共に働くため、細線間に働く力のバランスがと
れ、従来のように細線に曲がりが生じることはない。ゆ
えに、250μm以下のピッチのパターンであっても、
精度良く形成させることができる。
また、実施例のように保持力が4000エルステッド以
上で、キューリー点が450℃以上である磁石と強磁性
体マスクを用いることにより、蒸着の際の熱によるマス
クの変形が防止される。
さらに、実施例のようにめっき析出法で作製したマスク
を用いることにより、安価に精度の高いパターンを形成
させることができる。
この発明のマスク蒸着方向は、多くの分野に利用され得
るものであるが、特に微細なパターンを形成させること
の必要なICの分野において有用なものである。
また、この発明のマスク蒸着方法は、真空蒸着法、イオ
ンプレーティング法もしくはスパッタ法などのPVDま
たはCVDなどの蒸着コーティング方法に広く利用され
るものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明の一実施例に用いられる磁石の端面
の磁極分布を示す説明図である。第2図は、この発明の
他の実施例に用いられる磁石の端面の磁極分布を示す説
明図である。第3図は、この発明のさらに他の実施例に
用いられる磁石の端面の磁極分布を示す説明図である。
第4図は、基板上のマスクを示す図である。第5図は、
基板上のマスクが磁石の磁力によって保持されている状
態を示す図である。第6図は、金属マスクの保持に磁石
を用いるマスク蒸着方法を説明するための図である。 図において、1はマスク、2は基板、3は磁石を示す。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】金属マスク、基板、磁石をこの順に重ね、
    磁石の磁力によって、金属マスクと基板を密着させた状
    態で、該金属マスクの被覆領域以外の領域を蒸着させる
    マスク蒸着方法において、前記磁石が、前記基板との接
    触面に、少なくとも1つのN極とS極の境界を有するよ
    うに配置されることを特徴とする、マスク蒸着方法。
  2. 【請求項2】前記金属マスクが250μmピッチ以下の
    パターン部を含むことを特徴とする、特許請求の範囲第
    1項記載のマスク蒸着方法。
  3. 【請求項3】前記磁石の保持力が4000エルステッド
    以上であることを特徴とする、特許請求の範囲第1また
    は2項記載のマスク蒸着方法。
  4. 【請求項4】前記金属マスクとして、鉄またはニッケル
    を主成分とし、めっき析出法により得られたマスクを用
    いることを特徴とする、特許請求の範囲第1、2または
    3項記載のマスク蒸着方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009069743A1 (ja) 2007-11-30 2009-06-04 Canon Anelva Corporation 基板処理装置、及び基板処理方法
WO2016125648A1 (ja) * 2015-02-03 2016-08-11 シャープ株式会社 蒸着装置および蒸着方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002350888A (ja) * 2001-05-30 2002-12-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶パネルの製造方法
JP4865165B2 (ja) * 2001-08-29 2012-02-01 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
KR102411538B1 (ko) * 2017-09-04 2022-06-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009069743A1 (ja) 2007-11-30 2009-06-04 Canon Anelva Corporation 基板処理装置、及び基板処理方法
WO2016125648A1 (ja) * 2015-02-03 2016-08-11 シャープ株式会社 蒸着装置および蒸着方法
US9975133B2 (en) 2015-02-03 2018-05-22 Sharp Kabushiki Kaisha Vapor deposition device and vapor deposition method

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