JPH0210508A - 磁気記録用の磁極を製造する方法 - Google Patents
磁気記録用の磁極を製造する方法Info
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- G11B5/3183—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps the films being mainly disposed in parallel planes intersecting the gap plane, e.g. "horizontal head structure"
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、スライド素子の側部に取り付けられる磁気ヘ
ッドに係る。
ッドに係る。
従来の技術
スライド素子の後部に配置された典型的な薄膜ヘッドに
おいては、磁極片が媒体の移動方向に対して垂直な向き
に配置される（第１図）。図示されたように、磁極チッ
プ１２には良好に画成された磁気ドメイン１０が形成さ
れる。これらの「良好」なドメインは、それらの壁境界
の位置を変更せずにドメインの分極状態を回転すること
により磁束を導通することができる。第２図に示すよう
に、磁極チップ１２の巾Ｗが狭いトラック巾を受は入れ
るように減少されたときには、形成されるドメイン１４
は、壁の動きによってしか磁束を導通できないという点
で「不良」である。即ち、ドメインが分極状態を変える
ために、境界壁１６は第３図に示すように動く。
おいては、磁極片が媒体の移動方向に対して垂直な向き
に配置される（第１図）。図示されたように、磁極チッ
プ１２には良好に画成された磁気ドメイン１０が形成さ
れる。これらの「良好」なドメインは、それらの壁境界
の位置を変更せずにドメインの分極状態を回転すること
により磁束を導通することができる。第２図に示すよう
に、磁極チップ１２の巾Ｗが狭いトラック巾を受は入れ
るように減少されたときには、形成されるドメイン１４
は、壁の動きによってしか磁束を導通できないという点
で「不良」である。即ち、ドメインが分極状態を変える
ために、境界壁１６は第３図に示すように動く。
壁の動きによって磁束を導通することに関連した問題は
、境界の動きが材料の不完全さによって影響されること
である。境界が変形するにつれて、−時的にくっついた
状態となり、境界がその不完全さによる影響から「スナ
ップ」式に解放されるのは、変形が充分に大きくなった
後のみである。境界位置のこの急激な変化がベークハウ
ゼン（Ｂａｒｋｈａｕｓａｎ）ノイズの発生機構である
。
、境界の動きが材料の不完全さによって影響されること
である。境界が変形するにつれて、−時的にくっついた
状態となり、境界がその不完全さによる影響から「スナ
ップ」式に解放されるのは、変形が充分に大きくなった
後のみである。境界位置のこの急激な変化がベークハウ
ゼン（Ｂａｒｋｈａｕｓａｎ）ノイズの発生機構である
。
壁の動きにより磁束の導通を生じさせるに充分なほど磁
極の巾が減少するのを回避するために、通常の場合のよ
うにスライド素子の後部にヘッドを取り付けるのではな
くて、スライド素子の縁にヘッドを取り付けることが示
唆されている。磁極をスライド素子の側部へ動かすこと
により、トラックの巾は、磁極の厚み（Ｔ）によって決
定されるのであって磁極の巾（Ｗ）によって決定される
のではない。磁極の巾には限度がないので、導通のため
に壁を動かす必要のない「良好」なドメインを形成する
に充分な大きさで作ることができる。
極の巾が減少するのを回避するために、通常の場合のよ
うにスライド素子の後部にヘッドを取り付けるのではな
くて、スライド素子の縁にヘッドを取り付けることが示
唆されている。磁極をスライド素子の側部へ動かすこと
により、トラックの巾は、磁極の厚み（Ｔ）によって決
定されるのであって磁極の巾（Ｗ）によって決定される
のではない。磁極の巾には限度がないので、導通のため
に壁を動かす必要のない「良好」なドメインを形成する
に充分な大きさで作ることができる。
第４図は、スライド素子２２の側部に取り付けられた磁
極２０を示している。トランスジューサを側部に取り付
けることは文献に述べられているが、このような磁極を
形成するために用いられる技術では、磁極のギャップが
３μ以上に限定される。
極２０を示している。トランスジューサを側部に取り付
けることは文献に述べられているが、このような磁極を
形成するために用いられる技術では、磁極のギャップが
３μ以上に限定される。
これについては、１９８７年４月に東京で開催されたＩ
ＩＥＥＥ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｍａｇｎｅｔ
ｉｃｓＪにおけるＴ、マルヤマ氏等のｒ高トラック密度
記録のためのヨーク型ＭＲヘッド（Ａ Ｙｏｋｅ Ｔｙ
ｐｅ ＭＲＨｅａｄ ＦｏｒＨｉｇｈ Ｔｒａｃｋ Ｄ
ｅｎｓｉｔｙ Ｒｅｃｏｒｄｉｉｉｇ）」と題する論文
、及び１９７５年のに、カナイ氏等のｒＩＥＥＥ Ｔｒ
ａｎｓ。
ＩＥＥＥ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｍａｇｎｅｔ
ｉｃｓＪにおけるＴ、マルヤマ氏等のｒ高トラック密度
記録のためのヨーク型ＭＲヘッド（Ａ Ｙｏｋｅ Ｔｙ
ｐｅ ＭＲＨｅａｄ ＦｏｒＨｉｇｈ Ｔｒａｃｋ Ｄ
ｅｎｓｉｔｙ Ｒｅｃｏｒｄｉｉｉｇ）」と題する論文
、及び１９７５年のに、カナイ氏等のｒＩＥＥＥ Ｔｒ
ａｎｓ。
ｏｎ Ｍａｇｎ、、ＭＡＧ−ＩＩＪ第５号、第１２１２
頁の論文を参照されたい。磁極ギャップが３μ以上に限
定される理由は、イオンミリングによってスロットを形
成しそしてスロット内に酸化アルミニウムを付着するこ
とによってギャップが形成されているからである。現在
使用されているような０．５μ程度のギャップを形成す
るのにこの技術が有用であることは考えられない。更に
、これまでに報告されている技術では、３極ヘッドを形
成することができない。
頁の論文を参照されたい。磁極ギャップが３μ以上に限
定される理由は、イオンミリングによってスロットを形
成しそしてスロット内に酸化アルミニウムを付着するこ
とによってギャップが形成されているからである。現在
使用されているような０．５μ程度のギャップを形成す
るのにこの技術が有用であることは考えられない。更に
、これまでに報告されている技術では、３極ヘッドを形
成することができない。
発明の構成
本発明は、スライド素子に取り付けられた磁極の側部に
３極トランスジユーサを含む狭い磁極ギャップを形成す
る方法に関する。本発明の１つの特徴によれば、Ａｌ２
Ｏ３のような非磁性材料のベース層がスライド素子の基
体上に付着される。
３極トランスジユーサを含む狭い磁極ギャップを形成す
る方法に関する。本発明の１つの特徴によれば、Ａｌ２
Ｏ３のような非磁性材料のベース層がスライド素子の基
体上に付着される。
次いで、ＮｉＦｅのような磁性材料の種層がこのベース
層の上に付着される。その後、ＮｉＦｅのような磁性材
料のシートがこの種層の上に所定の厚みまでメッキされ
る。ホトレジスト層が付着されて、第１の磁極を形成す
るようにパターン化される。次いで、イオンビームミリ
ングを用いて、残りの保護されていないＮｉＦｅフィル
ムと、所定量のベース層とがエツチング除去されて、側
壁ができるだけ垂直に残される。残りのホトレジスト層
が除去されて第１の磁極が露出される。次いで、高い入
射角度（垂直から約７０’）でイオンビーム付着を用い
ることにより、非磁性ギャップ層（ＡＩ２Ｏ３）が付着
される。ベース層が所定量（所望のギャップ層厚みに基
づく）までエツチングされているので、ここで、この予
めエツチングされた領域にギャップ付着層が満たされ、
第１磁極とベース層をはゾ平らな状態にする。上記した
プロセスの１つの変形は、マスクを介したメッキによっ
て第１磁極を形成することである。その後に、ギャップ
層が付着される。従来の技術により絶縁及びコイル層が
第１磁極に付着された後に、マスクを介してのメッキを
用いて第２磁極が付着される。この第２磁極に残ってい
る余計な材料は、垂直から約７０’の高い入射角度のイ
オンビームエツチングを用いることによりエツチング除
去される。
層の上に付着される。その後、ＮｉＦｅのような磁性材
料のシートがこの種層の上に所定の厚みまでメッキされ
る。ホトレジスト層が付着されて、第１の磁極を形成す
るようにパターン化される。次いで、イオンビームミリ
ングを用いて、残りの保護されていないＮｉＦｅフィル
ムと、所定量のベース層とがエツチング除去されて、側
壁ができるだけ垂直に残される。残りのホトレジスト層
が除去されて第１の磁極が露出される。次いで、高い入
射角度（垂直から約７０’）でイオンビーム付着を用い
ることにより、非磁性ギャップ層（ＡＩ２Ｏ３）が付着
される。ベース層が所定量（所望のギャップ層厚みに基
づく）までエツチングされているので、ここで、この予
めエツチングされた領域にギャップ付着層が満たされ、
第１磁極とベース層をはゾ平らな状態にする。上記した
プロセスの１つの変形は、マスクを介したメッキによっ
て第１磁極を形成することである。その後に、ギャップ
層が付着される。従来の技術により絶縁及びコイル層が
第１磁極に付着された後に、マスクを介してのメッキを
用いて第２磁極が付着される。この第２磁極に残ってい
る余計な材料は、垂直から約７０’の高い入射角度のイ
オンビームエツチングを用いることによりエツチング除
去される。
本発明の別の特徴においては、ＴａＡｕのような非磁性
の種層が基体として働く。この基体にホトレジストマス
クが付着され、急角度の付着を用いて、ホトレジストの
一時的なブロックの垂直側壁に内部ギャップ材料が付着
される。次いで、水平面が直角の入射角度でイオンミリ
ングされ、手前の付着段階中に付着された不所望な材料
が除去される。その後、ホトレジストブロックが化学的
に剥離され、所望形状の磁極を画成するように新たなホ
トレジストパターンが形成される。ギャップのセラミッ
ク成分は、この時点でメッキマスクの一部分である壁を
形成する。次いで、この合成マスクを通して磁極がメッ
キされる。
の種層が基体として働く。この基体にホトレジストマス
クが付着され、急角度の付着を用いて、ホトレジストの
一時的なブロックの垂直側壁に内部ギャップ材料が付着
される。次いで、水平面が直角の入射角度でイオンミリ
ングされ、手前の付着段階中に付着された不所望な材料
が除去される。その後、ホトレジストブロックが化学的
に剥離され、所望形状の磁極を画成するように新たなホ
トレジストパターンが形成される。ギャップのセラミッ
ク成分は、この時点でメッキマスクの一部分である壁を
形成する。次いで、この合成マスクを通して磁極がメッ
キされる。
本発明の更に別の特徴は、上記したものと同様のプロセ
スにより３極ヘッドを形成することにある。ＴａＡｕの
ような非磁性の種層基体にホトレジストマスクが付着さ
れる。急角度の付着を用いて、ホトレジストの一時的な
ブロックの垂直側壁に内部ギャップ材料が付着される。
スにより３極ヘッドを形成することにある。ＴａＡｕの
ような非磁性の種層基体にホトレジストマスクが付着さ
れる。急角度の付着を用いて、ホトレジストの一時的な
ブロックの垂直側壁に内部ギャップ材料が付着される。
ＮｉＦｅのような磁性材料（中間磁極）が急角度の付着
によって付着され、そして急角度の付着をもう一度用い
て、ＮｉＦｅの垂直側壁に内部ギャップ材料の第２層が
付着される。水平面は、直角の入射角度でイオンミリン
グされ、手前の付着段階中に付着された不所望な材料（
セラミック及び磁性材料）が除去される。酸化アルミニ
ウムが同じ急角度で再び付着され、その構造体がもう一
度イオンミリングされる。この後者の段階により薄いＮ
ｉＦｅ磁極が種層から電気的に分離される。ホトレジス
トブロックが化学的に剥離され、所望形状の磁極を画成
するように新たなホトレジストパターンが形成される。
によって付着され、そして急角度の付着をもう一度用い
て、ＮｉＦｅの垂直側壁に内部ギャップ材料の第２層が
付着される。水平面は、直角の入射角度でイオンミリン
グされ、手前の付着段階中に付着された不所望な材料（
セラミック及び磁性材料）が除去される。酸化アルミニ
ウムが同じ急角度で再び付着され、その構造体がもう一
度イオンミリングされる。この後者の段階により薄いＮ
ｉＦｅ磁極が種層から電気的に分離される。ホトレジス
トブロックが化学的に剥離され、所望形状の磁極を画成
するように新たなホトレジストパターンが形成される。
ギャップのセラミック及び磁性成分は、メッキマスクの
一部分である壁を形成する。
一部分である壁を形成する。
ＮｉＦｅのような磁性材料が再び適当な形状でメッキさ
れて、３極ヘッドが形成される。上記した３極プロセス
の変形としては、中央磁極の半分が付着された後に急角
度付着により非常に薄いセラミック層を付着することに
より中央磁極が積層される。その後、この磁極の残りの
半分が形成され、前記したようにプロセスが行なわれる
。
れて、３極ヘッドが形成される。上記した３極プロセス
の変形としては、中央磁極の半分が付着された後に急角
度付着により非常に薄いセラミック層を付着することに
より中央磁極が積層される。その後、この磁極の残りの
半分が形成され、前記したようにプロセスが行なわれる
。
実施例
第５図を参照すれば、本発明の１つの特徴による磁気記
録用の磁極は、Ａ１オＯ１をスパッタリングしたベース
層３０をスライド素子の基体３２上に付着するところか
ら始める。このベース層３０の上にＮｉ Ｆｅの種層３
４が付着される。次いで、ＮｉＦｅのような磁性材料の
シート３６が種層３４の上に所定の厚みまでメッキされ
る。その後、ホトレジスト層３８が層３６上に付着され
、層３６から形成されるべき第１磁極を画成するように
パターン化される。ここで、イオンビームミリングを使
用し、残りの保護されないＮｉ Ｆｅフィルム３６及び
所定量のＡＩ、○おをベース層３゜からエツチング除去
し、側壁をできるだけ垂直に近い状態で残すようにする
。次いで、ホトレジスト層３８を除去し、第１磁極ＰＩ
を残すようにする。第７図を参照すれば、矢印４２で示
すように高い入射角度（垂直から約７０°）のイオンビ
ーム付着を用いてＡｌ２Ｏ３のギャップ層４０が付着さ
れる。ベース層３０は所定量まで（所望のギャップ層厚
みに基づいて）エツチングされているので、ギャップ層
４０の付着により、予めエツチングされた段が充填され
て、ベース層３０とはゾ平らな状態になる（Ｐｌ）。残
りのオフセット（ずれ）は、ベース層３０と磁極ＰＩと
の接合部に付着されたＡｌ２Ｏ３の半径距離ｒＲ」に等
しい。
録用の磁極は、Ａ１オＯ１をスパッタリングしたベース
層３０をスライド素子の基体３２上に付着するところか
ら始める。このベース層３０の上にＮｉ Ｆｅの種層３
４が付着される。次いで、ＮｉＦｅのような磁性材料の
シート３６が種層３４の上に所定の厚みまでメッキされ
る。その後、ホトレジスト層３８が層３６上に付着され
、層３６から形成されるべき第１磁極を画成するように
パターン化される。ここで、イオンビームミリングを使
用し、残りの保護されないＮｉ Ｆｅフィルム３６及び
所定量のＡＩ、○おをベース層３゜からエツチング除去
し、側壁をできるだけ垂直に近い状態で残すようにする
。次いで、ホトレジスト層３８を除去し、第１磁極ＰＩ
を残すようにする。第７図を参照すれば、矢印４２で示
すように高い入射角度（垂直から約７０°）のイオンビ
ーム付着を用いてＡｌ２Ｏ３のギャップ層４０が付着さ
れる。ベース層３０は所定量まで（所望のギャップ層厚
みに基づいて）エツチングされているので、ギャップ層
４０の付着により、予めエツチングされた段が充填され
て、ベース層３０とはゾ平らな状態になる（Ｐｌ）。残
りのオフセット（ずれ）は、ベース層３０と磁極ＰＩと
の接合部に付着されたＡｌ２Ｏ３の半径距離ｒＲ」に等
しい。
第１磁極Ｐ１を形成する別の技術が第８図に示されてい
る。この手順においては、磁極Ｐ１を形成するＮ ｉ
Ｆ ｅ層３６が、種層３４に対してマスクを介したメッ
キを行なうことによって付着される。その後、ギャップ
層４０がＰｌ上に付着される。この場合、平面オフセッ
トはギャップ層４０の厚みに等しく、面取り部の半径は
許容される。
る。この手順においては、磁極Ｐ１を形成するＮ ｉ
Ｆ ｅ層３６が、種層３４に対してマスクを介したメッ
キを行なうことによって付着される。その後、ギャップ
層４０がＰｌ上に付着される。この場合、平面オフセッ
トはギャップ層４０の厚みに等しく、面取り部の半径は
許容される。
この平面オフセットが不所望な場合には、マスクを介し
たメッキによって第９図に示すように厚い層３６を付着
することができる。ホトレジスト部分３８がマスクをな
す。第９図の構造体は、ホトレジストを除去した後に、
イオンビームエツチングされて、第１０図に示すような
正しいベース層３０及び磁極Ｐｌが形成される。
たメッキによって第９図に示すように厚い層３６を付着
することができる。ホトレジスト部分３８がマスクをな
す。第９図の構造体は、ホトレジストを除去した後に、
イオンビームエツチングされて、第１０図に示すような
正しいベース層３０及び磁極Ｐｌが形成される。
磁極Ｐ１が前記のいずれかの手順で形成された後に、従
来知られている技術を用いて絶縁及びコイル層（図示せ
ず）が付着される。第１１図を参照すれば、マスクを介
してのメッキを用いることにより第２の磁極Ｐ２が付着
される。この磁極Ｐ２のチップは、磁極Ｐ１のチップの
縁に慎重に整列され、両方の磁極チップが同じ水平面上
に現われるようになる。磁極Ｐ２の磁極チップはギャッ
プ層４０に密接に接触しなければならないので、磁極Ｐ
２は磁極Ｐ１の縁に完全に整列されるか又は第１１図に
示すように若干その上に重畳するようにしなければなら
ない。磁極Ｐ２がメッキされた後に、ホトレジストが除
去され、そして第１１図に矢印４４で示すように垂直か
ら約７０’という高い入射角度のイオンビームエツチン
グを用いて磁極Ｐ２から余計な材料をエツチング除去す
ることができる。
来知られている技術を用いて絶縁及びコイル層（図示せ
ず）が付着される。第１１図を参照すれば、マスクを介
してのメッキを用いることにより第２の磁極Ｐ２が付着
される。この磁極Ｐ２のチップは、磁極Ｐ１のチップの
縁に慎重に整列され、両方の磁極チップが同じ水平面上
に現われるようになる。磁極Ｐ２の磁極チップはギャッ
プ層４０に密接に接触しなければならないので、磁極Ｐ
２は磁極Ｐ１の縁に完全に整列されるか又は第１１図に
示すように若干その上に重畳するようにしなければなら
ない。磁極Ｐ２がメッキされた後に、ホトレジストが除
去され、そして第１１図に矢印４４で示すように垂直か
ら約７０’という高い入射角度のイオンビームエツチン
グを用いて磁極Ｐ２から余計な材料をエツチング除去す
ることができる。
ここで、磁極Ｐ１及びＰ２のチップは、同じ水平面上に
現われるから、磁気性能を高めるようにイオンビームエ
ツチングによって磁極チップを蝕刻するような付加的な
プロセスを実行することができる。このような蝕刻が第
１２図に示されている。
現われるから、磁気性能を高めるようにイオンビームエ
ツチングによって磁極チップを蝕刻するような付加的な
プロセスを実行することができる。このような蝕刻が第
１２図に示されている。
磁気性能についての上記利点に加えて、上記のプロセス
は多数の付加的な効果を有している。
は多数の付加的な効果を有している。
従来の記録ヘッドにおいては、処理に用いられるマイク
ロリソグラフィーの範囲によってトラック巾の限界が決
められる。本発明の側部取付式のトランスジューサヘッ
ドにおいては、付着の厚みと、磁極Ｐ１を磁極Ｐ２と整
列できる能力とによってトラックの巾が決定され、その
両方を密接に制御することができる。又、磁極ギャップ
厚みについての前記の問題は、ギャップ層の厚みが付着
の厚みによって制御されるのであってマイクロリソグラ
フィーによって制御されるのではないので、解消される
。磁極Ｐ２を画成するための段階を繰り返すことにより
、３極ヘッドに用いるための付加的な磁極チップを組み
込むことができる。
ロリソグラフィーの範囲によってトラック巾の限界が決
められる。本発明の側部取付式のトランスジューサヘッ
ドにおいては、付着の厚みと、磁極Ｐ１を磁極Ｐ２と整
列できる能力とによってトラックの巾が決定され、その
両方を密接に制御することができる。又、磁極ギャップ
厚みについての前記の問題は、ギャップ層の厚みが付着
の厚みによって制御されるのであってマイクロリソグラ
フィーによって制御されるのではないので、解消される
。磁極Ｐ２を画成するための段階を繰り返すことにより
、３極ヘッドに用いるための付加的な磁極チップを組み
込むことができる。
第１３図ないし第１５図を参照して別のプロセスを説明
する。このプロセスにおいては、ＴａＡｕのような非磁
性の種層が基体５０として働く。
する。このプロセスにおいては、ＴａＡｕのような非磁
性の種層が基体５０として働く。
実質的に垂直の壁を有するホトレジストマスク５２が基
体５０に付着される。急角度の付着を用いてＡｌ２Ｏ３
のような内部ギャップ材料がホトレジスト５２の垂直側
壁に付着され、層５４が形成される。ＡＩ２Ｏ３は、矢
印５６で示す方向に沿って側部から付着される。次いで
、水平の表面が直角入射のイオンミリングを受け、不所
望な材料が除去される。好ましいイオンミリング材料は
、優先的にＡｌ、０５を除去するＣＦ４である。次いで
、ホトレジストブロック５２が化学的に剥離され、第１
４図に示すＡＩ、Ｏお部分５４が残される。磁極の形状
を定めるための新しいホトレジストパターンが作成され
、ギャップのセラミック及び磁性成分は、プロセスのこ
の段階においてメッキマスクの一部分となる壁を形成す
る。次いで、この合成マスクを通して磁極５８及び６０
（第１５ａ図）がメッキされる。完成した磁極の側面図
が第１５ｂ図に示されている。
体５０に付着される。急角度の付着を用いてＡｌ２Ｏ３
のような内部ギャップ材料がホトレジスト５２の垂直側
壁に付着され、層５４が形成される。ＡＩ２Ｏ３は、矢
印５６で示す方向に沿って側部から付着される。次いで
、水平の表面が直角入射のイオンミリングを受け、不所
望な材料が除去される。好ましいイオンミリング材料は
、優先的にＡｌ、０５を除去するＣＦ４である。次いで
、ホトレジストブロック５２が化学的に剥離され、第１
４図に示すＡＩ、Ｏお部分５４が残される。磁極の形状
を定めるための新しいホトレジストパターンが作成され
、ギャップのセラミック及び磁性成分は、プロセスのこ
の段階においてメッキマスクの一部分となる壁を形成す
る。次いで、この合成マスクを通して磁極５８及び６０
（第１５ａ図）がメッキされる。完成した磁極の側面図
が第１５ｂ図に示されている。
第１６図ないし第１９図を参照して３極ヘッドの製造方
法について説明する。ＴａＡｕのような非磁性の種層７
ｏは基体として働く。この基体７０にホトレジストマス
ク７２が付着される。急角度の付着を用いて、ＡＩ、○
、のような内部ギャップ材料がホトレジストのブロック
７２の垂直側壁に付着され、層７４が形成される。矢印
７６の方向にＡＩ、○、が付着される。ＮｉＦｅのよう
な磁性材料が付着されて、層７８が形成される。ＮｉＦ
ｅ層７８層重８層体の形成に必要とされるプロセス段階
を含ませることによって、実際に積層構造にできること
に注意するのが重要である。ここで、急角度の付着をも
う一度用いて、ＮｉＦｅ層７８層重８側壁に内部ギャッ
プ材料が付着され、層８０が形成される。次いで、水平
面が直角入射のイオンミリングを受け、その手前の付着
段階中に付着した不所望な材料（セラミック及び磁性材
料）が除去される。イオンミリング段階の後の磁極が第
１７図に示されている。再び、アルミナが付着され、そ
の構造体が再びイオンミリングされて、第１８図に構造
体が形成される。ホトレジストブロック７２が化学的に
剥離され、形成されるべき磁極の形状を定める新たなホ
トレジストパターンが作成される。ギャップのセラミッ
ク及び磁性成分は、プロセスのこの時点でメッキマスク
の一部分となる壁を形成する。再び、Ｎｉ Ｆｅが適当
な形状でメッキされて、層８２．８４及び８６が形成さ
れる。完成した磁極の側面図が第１９ｂ図に示されてい
る。層８６は、中央の磁極を補強して高いヘッド効率を
得るために含まれている。
法について説明する。ＴａＡｕのような非磁性の種層７
ｏは基体として働く。この基体７０にホトレジストマス
ク７２が付着される。急角度の付着を用いて、ＡＩ、○
、のような内部ギャップ材料がホトレジストのブロック
７２の垂直側壁に付着され、層７４が形成される。矢印
７６の方向にＡＩ、○、が付着される。ＮｉＦｅのよう
な磁性材料が付着されて、層７８が形成される。ＮｉＦ
ｅ層７８層重８層体の形成に必要とされるプロセス段階
を含ませることによって、実際に積層構造にできること
に注意するのが重要である。ここで、急角度の付着をも
う一度用いて、ＮｉＦｅ層７８層重８側壁に内部ギャッ
プ材料が付着され、層８０が形成される。次いで、水平
面が直角入射のイオンミリングを受け、その手前の付着
段階中に付着した不所望な材料（セラミック及び磁性材
料）が除去される。イオンミリング段階の後の磁極が第
１７図に示されている。再び、アルミナが付着され、そ
の構造体が再びイオンミリングされて、第１８図に構造
体が形成される。ホトレジストブロック７２が化学的に
剥離され、形成されるべき磁極の形状を定める新たなホ
トレジストパターンが作成される。ギャップのセラミッ
ク及び磁性成分は、プロセスのこの時点でメッキマスク
の一部分となる壁を形成する。再び、Ｎｉ Ｆｅが適当
な形状でメッキされて、層８２．８４及び８６が形成さ
れる。完成した磁極の側面図が第１９ｂ図に示されてい
る。層８６は、中央の磁極を補強して高いヘッド効率を
得るために含まれている。
この設計では、はとんどの場合にソレノイドコイルを使
用することになる。この場合、コイルの半分は上記シー
ケンスの前に付着しそして他の半分はその後に付着しな
ければならない。
用することになる。この場合、コイルの半分は上記シー
ケンスの前に付着しそして他の半分はその後に付着しな
ければならない。
上記した技術の効果は、磁極がメッキされるためにその
厚みを非常に正確に制御できることであり、これに対し
て、公知の実施例では、磁極の巾がマスキング動作によ
って決定され、従って、これを制御することはほとんど
できない。
厚みを非常に正確に制御できることであり、これに対し
て、公知の実施例では、磁極の巾がマスキング動作によ
って決定され、従って、これを制御することはほとんど
できない。
本発明によって形成された構造体は、磁極の巾が減少さ
れたときにトラック巾の減少に応じて生じる不良ドメイ
ン構造を回避するものである。
れたときにトラック巾の減少に応じて生じる不良ドメイ
ン構造を回避するものである。
又、ここに開示する技術は、磁極の縁を定める最に生じ
るエラーの量を減少する。このようなエラーは、磁極の
縁から材料を除去するプロセスの不確定性によって生じ
るものである。
るエラーの量を減少する。このようなエラーは、磁極の
縁から材料を除去するプロセスの不確定性によって生じ
るものである。
本発明の変更及び修正が当業者に明らかであろうから、
このような修正や変更は全て特許請求の範囲内に包含さ
れるものとする。
このような修正や変更は全て特許請求の範囲内に包含さ
れるものとする。
第１図は、磁気記録の磁極を示す概略図、第２図は、第
１図の磁極より狭い磁極を示す概略図、 第３図は、壁の動きによる磁束の導通を示す磁極の概略
図、 第４図は、スライド素子の側部に取り付けられた磁極の
斜視図、 第５図、第６図及び第７図は、ここに開示するプロセス
の１つを示す断面図、 第８図は、ここに開示するプロセスの別のものを示す断
面図、 第９図及び第１０図は、更に別のプロセスを示す断面図
、 第１１図は、２極ヘッドの断面図、 第１２図は、補強された磁極チップを有する２極ヘッド
の断面図、 第１３図、第１４図及び第１５図は、前のプロセスを示
す断面図、そして 第１６図、第１７図、第１８図及び第１９図は、３極ヘ
ッドを形成するプロセスを示す断面図である。 ３０・・ ３４・・ ３６・・ ３８・・ ４０・・ ベース層 種層 磁性材料のシー ホトレジスト層 ギャップ層 ト ・基体 ＦＩＧ、 ４ 磁極デッグ領斌 ＦＩＧ、 ７ 磁極チップ領域 唇 ＦＩＧ、 ８ 磁極チップ領域 圏 磁極チップ領域 ＦＩＧ、１１ ＦＩＧ、 １２ 磁極チップを強化するための９エル処履ａ Ａｕ 基体 Ｔａ Ａｕ基体 Ｔ龜Ａｕ基体 ＦＩＧ。１９ｂ 手 続 補 正 書（方式） １、事件の表示 平成１手持許願第５５９８５号 ２、発明の名称 磁気記録用の磁極を製造する方法 ３、補正をする者 事件との関係
１図の磁極より狭い磁極を示す概略図、 第３図は、壁の動きによる磁束の導通を示す磁極の概略
図、 第４図は、スライド素子の側部に取り付けられた磁極の
斜視図、 第５図、第６図及び第７図は、ここに開示するプロセス
の１つを示す断面図、 第８図は、ここに開示するプロセスの別のものを示す断
面図、 第９図及び第１０図は、更に別のプロセスを示す断面図
、 第１１図は、２極ヘッドの断面図、 第１２図は、補強された磁極チップを有する２極ヘッド
の断面図、 第１３図、第１４図及び第１５図は、前のプロセスを示
す断面図、そして 第１６図、第１７図、第１８図及び第１９図は、３極ヘ
ッドを形成するプロセスを示す断面図である。 ３０・・ ３４・・ ３６・・ ３８・・ ４０・・ ベース層 種層 磁性材料のシー ホトレジスト層 ギャップ層 ト ・基体 ＦＩＧ、 ４ 磁極デッグ領斌 ＦＩＧ、 ７ 磁極チップ領域 唇 ＦＩＧ、 ８ 磁極チップ領域 圏 磁極チップ領域 ＦＩＧ、１１ ＦＩＧ、 １２ 磁極チップを強化するための９エル処履ａ Ａｕ 基体 Ｔａ Ａｕ基体 Ｔ龜Ａｕ基体 ＦＩＧ。１９ｂ 手 続 補 正 書（方式） １、事件の表示 平成１手持許願第５５９８５号 ２、発明の名称 磁気記録用の磁極を製造する方法 ３、補正をする者 事件との関係
Claims (19)
- （１）磁極を製造する方法において、 ｉ）基体上に磁極を形成し、 ｉｉ）上記磁極及び基体上に一方の側から非磁性材料を
付着し、 ｉｉｉ）上記非磁性層の上に、種層の付着後に、ホトレ
ジストを予め選択されたパターンで付着し、 ｉｖ）上記非磁性層上にホトレジストマスクを介して磁
性材料をメッキし、 ｖ）上記ホトレジストを除去し、そして ｖｉ）反対側からのイオンミリングにより上記非磁性材
料付着層から余計な磁性材料を除去するという段階を具
備することを特徴とする方法。 - （２）上記磁性材料はＮｉＦｅである請求項１に記載の
方法。 - （３）上記非磁性材料はＡｌ＿２Ｏ＿３である請求項１
に記載の方法。 - （４）請求項１の方法によって製造した磁極。
- （５）磁極を製造する方法において、 ｉ）非磁性の種層が上にのせられた基体に、実質的に垂
直の側壁を有するホトレジストマスクを付着し、 ｉｉ）上記ホトレジストマスクの垂直の側壁に非磁性材
料を急角度付着し、 ｉｉｉ）水平面を直角の入射角度でイオンミリングし、 ｉｖ）ホトレジストマスクを化学的に剥離しそして磁極
の形状を定めるように新しいホトレジストパターンを付
着し、そして ｖ）マスクを通して磁性材料をメッキして磁極を形成す
るという段階を具備することを特徴とする方法。 - （６）上記磁性材料はＮｉＦｅである請求項５に記載の
方法。 - （７）上記非磁性材料はＡｌ＿２Ｏ＿３である請求項５
に記載の方法。 - （８）上記基体はＴａＡｕである請求項５に記載の方法
。 - （９）上記イオンミリング材料はＣＦ＿４である請求項
５に記載の方法。 - （１０）３極ヘッドを製造する方法において、 ｉ）非磁性の種層基体にホトレジストマスクを付着し、 ｉｉ）急角度付着により上記ホトレジストの垂直側壁に
非磁性の内部ギャップ材料を付着し、 ｉｉｉ）急角度付着により磁性材料を付着し、 ｉｖ）上記磁性材料の垂直側部に非磁性材料を急角度付
着し、 ｖ）水平面を直角入射でイオンミリングし、 ｖｉ）非磁性層を急角度で付着した後に直角入射でイオ
ンミリングし、 ｖｉｉ）ホトレジストを化学的に剥離しそして磁極の形
状を定める新たなホトレジストパターンを形成し、そし
て ｖｉｉｉ）マスクを介してのメッキにより所望の形状を
有する磁性材料を付着するという段階を具備することを
特徴とする方法。 - （１１）上記磁性材料はＮｉＦｅである請求項１０に記
載の方法。 - （１２）上記非磁性材料はＡｌ＿２Ｏ＿３である請求項
１０に記載の方法。 - （１３）上記基体はＴａＡｕである請求項１０に記載の
方法。 - （１４）イオンミリング材料はＣＦ＿４である請求項１
０に記載の方法。 - （１５）請求項１０に記載の方法によって製造された磁
極。 - （１６）請求項５に記載の方法によって製造された磁極
。 - （１７）中央磁極が積層される請求項１０の方法により
製造された３極ヘッド。 - （１８）上記磁極は、 ｉ）スライド素子の基体上にＡｌ＿２Ｏ＿３のベース層
をスパッタリングし、 ｉｉ）上記ベース層の上に磁性材料の種層を付着し、 ｉｉｉ）上記種層の上に磁性材料のシートを所定の厚み
までメッキし、 ｉｖ）上記磁性材料のシートにホトレジスト層を付着し
そして第１の磁極を画成するようにホトレジストをパタ
ーン化し、 ｖ）保護されていない磁性材料及びベース層の所定量の
Ａｌ＿２Ｏ＿３をイオンビームミリングによってエッチ
ングし、そして ｖｉ）上記ホトレジストを除去するという段階によって
形成される請求項１に記載の方法。 - （１９）上記磁極は、スライド素子の基体上にＡｌ＿２
Ｏ＿３のベース層をスパッタリングし、このベース層の
上に磁性材料の種層を付着し、そしてこの種層の上にマ
シクを介して磁性材料をメッキすることにより形成され
る請求項１に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US166511 | 1988-03-09 | ||
| US07/166,511 US4912584A (en) | 1988-03-09 | 1988-03-09 | Method for fabricating magnetic recording poles |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0210508A true JPH0210508A (ja) | 1990-01-16 |
Family
ID=22603623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1055985A Pending JPH0210508A (ja) | 1988-03-09 | 1989-03-08 | 磁気記録用の磁極を製造する方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4912584A (ja) |
| EP (1) | EP0332320B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0210508A (ja) |
| DE (1) | DE68924919T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7228619B2 (en) * | 2004-10-29 | 2007-06-12 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method of manufacturing a magnetic head with common seed layer for coil and pedestal |
Families Citing this family (44)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5159511A (en) * | 1987-04-01 | 1992-10-27 | Digital Equipment Corporation | Biasing conductor for MR head |
| US5111352A (en) * | 1987-07-29 | 1992-05-05 | Digital Equipment Corporation | Three-pole magnetic head with reduced flux leakage |
| US5108837A (en) * | 1987-12-04 | 1992-04-28 | Digital Equipment Corporation | Laminated poles for recording heads |
| US5075956A (en) * | 1988-03-16 | 1991-12-31 | Digital Equipment Corporation | Method of making recording heads with side shields |
| US5068959A (en) * | 1988-07-11 | 1991-12-03 | Digital Equipment Corporation | Method of manufacturing a thin film head |
| US5089334A (en) * | 1988-08-03 | 1992-02-18 | Digital Equipment Corporation | Flux spreading thin film magnetic devices |
| CA1334447C (en) * | 1988-08-03 | 1995-02-14 | Digital Equipment Corporation | Perpendicular anisotropy in thin film devices |
| US5085935A (en) * | 1988-08-03 | 1992-02-04 | Digital Equipment Corporation | Flux spreading thin film magnetic devices |
| US5184267A (en) * | 1989-06-02 | 1993-02-02 | Digital Equipment Corporation | Transducer with improved inductive coupling |
| US5428893A (en) * | 1989-06-02 | 1995-07-04 | Quantum Corporation | Method of making a transducer with improved inductive coupling |
| US5311386A (en) * | 1989-06-02 | 1994-05-10 | Digital Equipment Corporation | Transducer with improved inductive coupling |
| US5195005A (en) * | 1989-06-02 | 1993-03-16 | Digital Equipment Corporation | Tranducer with improved inductive coupling |
| FR2652669B1 (fr) * | 1989-09-29 | 1992-11-20 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une tete d'enregistrement magnetique et tete obtenue par ce procede. |
| US4992901A (en) * | 1990-02-15 | 1991-02-12 | Seagate Technology, Inc. | Self aligned magnetic poles using sacrificial mask |
| US5208715A (en) * | 1990-08-31 | 1993-05-04 | Seagate Technology, Inc. | Shield geometry for stabilizing magnetic domain structure in a magnetoresistive head |
| JPH07105009B2 (ja) * | 1991-05-31 | 1995-11-13 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 薄膜ヘッドの非線形性を測定するための方法及び装置 |
| US5331496A (en) * | 1992-02-14 | 1994-07-19 | Digital Equipment Corporation | Thin-film magnetic transducer with a multitude of magnetic flux interactions |
| US5666250A (en) * | 1993-11-23 | 1997-09-09 | Seagate Technology, Inc. | Thin film magnetic heads with thin nickel underlayers |
| DE69318042T2 (de) * | 1993-11-23 | 1998-08-06 | Seagate Technology | Dünnfilmmagnetköpfe mit dünnen nickelunterlagen |
| WO1995014991A1 (en) * | 1993-11-23 | 1995-06-01 | Seagate Technology, Inc. | Thin film magnetic heads with thin nickel underlayers |
| US5393376A (en) * | 1993-12-30 | 1995-02-28 | International Business Machines Corporation | Method of making pole tip structure for thin film magnetic heads |
| CN1067788C (zh) * | 1994-03-07 | 2001-06-27 | 国际商业机器公司 | 制造磁传感器的方法和制造磁盘存储系统的方法 |
| US5748417A (en) * | 1994-08-26 | 1998-05-05 | Aiwa Research And Development, Inc. | Thin film magnetic head including layered magnetic side poles |
| US6091581A (en) * | 1994-08-26 | 2000-07-18 | Aiwa Co., Ltd. | Thin film magnetic head including a separately deposited diamond-like carbon gap structure and magnetic control wells |
| JPH08171712A (ja) * | 1994-08-26 | 1996-07-02 | Aiwa Co Ltd | 側面露出型薄膜磁気ヘッド並びにその製造方法 |
| US5490028A (en) * | 1994-08-26 | 1996-02-06 | Aiwa Research And Development, Inc. | Thin film magnetic head including an integral layered shield structure |
| US5909346A (en) * | 1994-08-26 | 1999-06-01 | Aiwa Research & Development, Inc. | Thin magnetic film including multiple geometry gap structures on a common substrate |
| US5673474A (en) * | 1994-08-26 | 1997-10-07 | Aiwa Research And Development, Inc. | Method of fabricating a thin film magnetic head including layered magnetic side poles |
| US5801909A (en) * | 1994-08-26 | 1998-09-01 | Aiwa Research And Development, Inc. | Thin film magnetic head including durable wear layer and non-magnetic gap structures |
| US5563754A (en) * | 1994-08-26 | 1996-10-08 | Aiwa Research And Development, Inc. | Thin film magnetic head including a durable wear layer and gap structure |
| US5544774A (en) * | 1994-08-26 | 1996-08-13 | Aiwa Research And Development, Inc. | Method of eliminating pole recession in a thin film magnetic head |
| US5754377A (en) * | 1994-08-26 | 1998-05-19 | Aiwa Research And Development, Inc. | Thin film magnetic head including an elevated gap structure |
| US5621594A (en) * | 1995-02-17 | 1997-04-15 | Aiwa Research And Development, Inc. | Electroplated thin film conductor coil assembly |
| KR960042532A (ko) * | 1995-05-29 | 1996-12-21 | 이형도 | 박막 자기 헤드의 제조 방법 |
| US6069015A (en) * | 1996-05-20 | 2000-05-30 | Aiwa Research And Development, Inc. | Method of fabricating thin film magnetic head including durable wear layer and non-magnetic gap structure |
| US6222702B1 (en) | 1997-08-15 | 2001-04-24 | Seagate Technology, Inc. | Magnetic read element shield having dimensions that minimize domain wall movement |
| US6073338A (en) * | 1997-08-19 | 2000-06-13 | Read-Rite Corporation | Thin film read head with coplanar pole tips |
| US6031695A (en) | 1997-09-05 | 2000-02-29 | International Business Machines Corporation | Combined read head and write head with non-magnetic electrically conductive layer on upper pole tip thereof |
| US6043960A (en) * | 1997-12-22 | 2000-03-28 | International Business Machines Corporation | Inverted merged MR head with track width defining first pole tip component constructed on a side wall |
| US6169646B1 (en) | 1998-11-18 | 2001-01-02 | Seagate Technology, Inc. | Magnetoresistive shield incorporating seedlayer for anisotropy enhancement |
| US6097578A (en) * | 1998-12-02 | 2000-08-01 | Seagate Technology, Inc. | Bottom shield design for magnetic read heads |
| US6222707B1 (en) | 1998-12-28 | 2001-04-24 | Read-Rite Corporation | Bottom or dual spin valve having a seed layer that results in an improved antiferromagnetic layer |
| US6804878B1 (en) | 1999-12-21 | 2004-10-19 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method of improving the reliability of magnetic head sensors by ion milling smoothing |
| US7100266B2 (en) * | 2001-05-16 | 2006-09-05 | Seagate Technology Llc | Method of forming a beveled writing pole of a perpendicular writing element |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5542370A (en) * | 1978-09-19 | 1980-03-25 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of core of magnetic head |
| JPS5593520A (en) * | 1979-01-09 | 1980-07-16 | Mitsubishi Electric Corp | Production of core of magnetic head |
| JPS60111313A (ja) * | 1983-11-21 | 1985-06-17 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| JPS60160012A (ja) * | 1984-01-31 | 1985-08-21 | Canon Inc | 磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS60179917A (ja) * | 1984-02-03 | 1985-09-13 | コミツサリア ア レネルジイ アトミツク | 磁気記録再生ヘツドおよびその製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5930227A (ja) * | 1982-08-10 | 1984-02-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘツドの製造方法 |
| US4424271A (en) * | 1982-09-15 | 1984-01-03 | Magnetic Peripherals Inc. | Deposition process |
| JPS5996527A (ja) * | 1982-11-22 | 1984-06-04 | Olympus Optical Co Ltd | 磁気ヘツドの製造方法 |
| US4652954A (en) * | 1985-10-24 | 1987-03-24 | International Business Machines | Method for making a thin film magnetic head |
| FR2605783B1 (fr) * | 1986-10-28 | 1992-05-15 | Thomson Csf | T ete magnetique d'enregistrement/lecture en couches minces et son procede de realisation |
-
1988
- 1988-03-09 US US07/166,511 patent/US4912584A/en not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-02-23 EP EP89301755A patent/EP0332320B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-02-23 DE DE68924919T patent/DE68924919T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-03-08 JP JP1055985A patent/JPH0210508A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5542370A (en) * | 1978-09-19 | 1980-03-25 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of core of magnetic head |
| JPS5593520A (en) * | 1979-01-09 | 1980-07-16 | Mitsubishi Electric Corp | Production of core of magnetic head |
| JPS60111313A (ja) * | 1983-11-21 | 1985-06-17 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| JPS60160012A (ja) * | 1984-01-31 | 1985-08-21 | Canon Inc | 磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS60179917A (ja) * | 1984-02-03 | 1985-09-13 | コミツサリア ア レネルジイ アトミツク | 磁気記録再生ヘツドおよびその製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7228619B2 (en) * | 2004-10-29 | 2007-06-12 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method of manufacturing a magnetic head with common seed layer for coil and pedestal |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0332320A2 (en) | 1989-09-13 |
| DE68924919T2 (de) | 1996-04-25 |
| US4912584A (en) | 1990-03-27 |
| DE68924919D1 (de) | 1996-01-11 |
| EP0332320B1 (en) | 1995-11-29 |
| EP0332320A3 (en) | 1993-10-06 |
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