JPH05143939A - 複合型薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 - Google Patents
複合型薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法Info
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- JPH05143939A JPH05143939A JP33133791A JP33133791A JPH05143939A JP H05143939 A JPH05143939 A JP H05143939A JP 33133791 A JP33133791 A JP 33133791A JP 33133791 A JP33133791 A JP 33133791A JP H05143939 A JPH05143939 A JP H05143939A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 記録幅を厳密に制御することができるととも
に記録にじみを少なくし、磁気抵抗効果素子や電極の損
傷を防止する。 【構成】 下シールド１の上には下再生ギャップ２を介
して磁気抵抗効果素子３と磁気抵抗効果素子３に接続さ
れる電極４とが形成され、磁気抵抗効果素子３および電
極４の上には上再生ギャップ５を介して上シールドを兼
ねる下ヨーク６が形成されている。下ヨーク６の形状は
上半部が上ヨーク９と等しい幅の矩形で、下半部が下シ
ールド１の幅と略同一幅の台形状となっており、磁気抵
抗効果素子３および電極４は下ヨーク６によって完全に
覆われている。下ヨーク６の上には記録ギャップ７を介
して上ヨーク９が形成されている。
に記録にじみを少なくし、磁気抵抗効果素子や電極の損
傷を防止する。 【構成】 下シールド１の上には下再生ギャップ２を介
して磁気抵抗効果素子３と磁気抵抗効果素子３に接続さ
れる電極４とが形成され、磁気抵抗効果素子３および電
極４の上には上再生ギャップ５を介して上シールドを兼
ねる下ヨーク６が形成されている。下ヨーク６の形状は
上半部が上ヨーク９と等しい幅の矩形で、下半部が下シ
ールド１の幅と略同一幅の台形状となっており、磁気抵
抗効果素子３および電極４は下ヨーク６によって完全に
覆われている。下ヨーク６の上には記録ギャップ７を介
して上ヨーク９が形成されている。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は複合型薄膜磁気ヘッドに関し、特
に磁気抵抗効果ヘッドと巻線型ヘッドとを組合せた複合
型薄膜磁気ヘッドに関する。
に磁気抵抗効果ヘッドと巻線型ヘッドとを組合せた複合
型薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来技術】従来、この種の複合型薄膜磁気ヘッドにお
いては、図５に示すように、下シールド１と、下再生ギ
ャップ２と、磁気抵抗効果素子３と、上再生ギャップ５
と、上シールドを兼ねる下ヨーク１０と、記録ギャップ
７と、上ヨーク１１とが順次積層されている。
いては、図５に示すように、下シールド１と、下再生ギ
ャップ２と、磁気抵抗効果素子３と、上再生ギャップ５
と、上シールドを兼ねる下ヨーク１０と、記録ギャップ
７と、上ヨーク１１とが順次積層されている。
【０００３】下ヨーク１０および上ヨーク１１は記録ギ
ャップ７の磁気記録媒体（図示せず）側の面に対して反
対側の端面で接続され、その接続点を中心にコイル８が
平面状に巻かれている。このコイル８に電流が流される
と下ヨーク１０および上ヨーク１１が磁化され、記録ギ
ャップ７から漏洩する磁界で磁気記録媒体に対する記録
動作が行われる。
ャップ７の磁気記録媒体（図示せず）側の面に対して反
対側の端面で接続され、その接続点を中心にコイル８が
平面状に巻かれている。このコイル８に電流が流される
と下ヨーク１０および上ヨーク１１が磁化され、記録ギ
ャップ７から漏洩する磁界で磁気記録媒体に対する記録
動作が行われる。
【０００４】一方、磁気記録媒体からのデータの再生時
には磁気記録媒体から発生する磁界を磁気抵抗効果素子
３の抵抗値の変化として検出し、センス電流を供給する
ことによって再生出力電圧を得る。下ヨーク１０および
下シールド１は磁気抵抗効果素子３が検知する磁界の検
出幅を下再生ギャップ２から上再生ギャップ５の間に制
限し、磁気抵抗効果素子３の分解能を増加させる。
には磁気記録媒体から発生する磁界を磁気抵抗効果素子
３の抵抗値の変化として検出し、センス電流を供給する
ことによって再生出力電圧を得る。下ヨーク１０および
下シールド１は磁気抵抗効果素子３が検知する磁界の検
出幅を下再生ギャップ２から上再生ギャップ５の間に制
限し、磁気抵抗効果素子３の分解能を増加させる。
【０００５】このような従来の複合型薄膜ヘッドでは、
下ヨーク１０の磁気記録媒体対向面の幅を上ヨーク１１
の磁気記録媒体対向面の幅に一致させて形成することが
非常に困難であるので、記録幅ａを厳密に制御すること
ができないという欠点がある。すなわち、上ヨーク１１
を下ヨーク１０に重ねて形成する際に位置合せ誤差が避
けられないため、上ヨーク１１の幅を下ヨーク１０の幅
よりも狭くせざるを得ないので、上ヨーク１１の幅と下
ヨーク１０の幅との差の領域に記録にじみが生じ、記録
幅ａの両端がぼやけてしまう。
下ヨーク１０の磁気記録媒体対向面の幅を上ヨーク１１
の磁気記録媒体対向面の幅に一致させて形成することが
非常に困難であるので、記録幅ａを厳密に制御すること
ができないという欠点がある。すなわち、上ヨーク１１
を下ヨーク１０に重ねて形成する際に位置合せ誤差が避
けられないため、上ヨーク１１の幅を下ヨーク１０の幅
よりも狭くせざるを得ないので、上ヨーク１１の幅と下
ヨーク１０の幅との差の領域に記録にじみが生じ、記録
幅ａの両端がぼやけてしまう。
【０００６】一方、磁気記録媒体対向面において上ヨー
ク１１の幅と下ヨーク１０の幅とを夫々所定の記録幅ａ
よりも予め広く形成しておき、上ヨーク１１を形成した
後に所定の記録幅ａを有するマスク材料を用いて上ヨー
ク１１と下ヨーク１０とを一括してイオンエッチングす
ることによって、上ヨーク１１の幅と下ヨーク１０の幅
とを一致させるヘッド作製方法もある。この方法におい
ては上ヨーク１１と下ヨーク１０とを連続してエッチン
グするため、エッチングの終点制御が困難であり、エッ
チングの際にしばしば磁気抵抗効果素子３や電極４を損
傷させてしまうという欠点がある。
ク１１の幅と下ヨーク１０の幅とを夫々所定の記録幅ａ
よりも予め広く形成しておき、上ヨーク１１を形成した
後に所定の記録幅ａを有するマスク材料を用いて上ヨー
ク１１と下ヨーク１０とを一括してイオンエッチングす
ることによって、上ヨーク１１の幅と下ヨーク１０の幅
とを一致させるヘッド作製方法もある。この方法におい
ては上ヨーク１１と下ヨーク１０とを連続してエッチン
グするため、エッチングの終点制御が困難であり、エッ
チングの際にしばしば磁気抵抗効果素子３や電極４を損
傷させてしまうという欠点がある。
【０００７】
【発明の目的】本発明は上記のような従来のものの欠点
を除去すべくなされたもので、記録幅を厳密に制御する
ことができるとともに記録にじみを少なくすることがで
き、磁気抵抗効果素子や電極の損傷を防止することがで
きる複合型薄膜磁気ヘッドの提供を目的とする。
を除去すべくなされたもので、記録幅を厳密に制御する
ことができるとともに記録にじみを少なくすることがで
き、磁気抵抗効果素子や電極の損傷を防止することがで
きる複合型薄膜磁気ヘッドの提供を目的とする。
【０００８】
【発明の構成】本発明による複合型薄膜磁気ヘッドは、
下シールドと下再生ギャップと磁気抵抗効果素子と上再
生ギャップと上シールドとが順次積層された磁気抵抗効
果ヘッドと、前記上シールドを兼ねる下ヨークと上ヨー
クとの間に記録ギャップとコイルとが積層された巻線型
ヘッドとからなる複合型薄膜磁気ヘッドであって、前記
下ヨークの磁気記録媒体対向面を前記上ヨーク側の辺が
前記上ヨークと等しい幅の四辺形の上半部と、前記下シ
ールド側の辺が前記下シールドと略同一幅の四辺形の下
半部とから構成するようにしたことを特徴とする。
下シールドと下再生ギャップと磁気抵抗効果素子と上再
生ギャップと上シールドとが順次積層された磁気抵抗効
果ヘッドと、前記上シールドを兼ねる下ヨークと上ヨー
クとの間に記録ギャップとコイルとが積層された巻線型
ヘッドとからなる複合型薄膜磁気ヘッドであって、前記
下ヨークの磁気記録媒体対向面を前記上ヨーク側の辺が
前記上ヨークと等しい幅の四辺形の上半部と、前記下シ
ールド側の辺が前記下シールドと略同一幅の四辺形の下
半部とから構成するようにしたことを特徴とする。
【０００９】本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの製造
方法は、下シールドと下再生ギャップと磁気抵抗効果素
子と上再生ギャップと上シールドを兼ねる下ヨークと記
録ギャップとコイルと上ヨークとを順次積層して複合型
薄膜磁気ヘッドを形成する複合型薄膜磁気ヘッドの製造
方法であって、前記下ヨークの前記下シールド側の辺を
前記磁気抵抗効果素子に接続される電極の幅よりも大き
な幅で形成しかつ前記下ヨークの前記上ヨーク側の辺を
前記記録ギャップの記録幅よりも大きな幅で形成する処
理と、前記上ヨークの前記下ヨーク側の辺を前記記録幅
よりも大きな幅で形成する処理と、前記上ヨークの形成
後に前記下ヨークの前記上ヨーク側の上半部および前記
上ヨークを前記記録幅と同一幅のマスクを用いてイオン
エッチング加工する処理とを含むこと特徴とする。
方法は、下シールドと下再生ギャップと磁気抵抗効果素
子と上再生ギャップと上シールドを兼ねる下ヨークと記
録ギャップとコイルと上ヨークとを順次積層して複合型
薄膜磁気ヘッドを形成する複合型薄膜磁気ヘッドの製造
方法であって、前記下ヨークの前記下シールド側の辺を
前記磁気抵抗効果素子に接続される電極の幅よりも大き
な幅で形成しかつ前記下ヨークの前記上ヨーク側の辺を
前記記録ギャップの記録幅よりも大きな幅で形成する処
理と、前記上ヨークの前記下ヨーク側の辺を前記記録幅
よりも大きな幅で形成する処理と、前記上ヨークの形成
後に前記下ヨークの前記上ヨーク側の上半部および前記
上ヨークを前記記録幅と同一幅のマスクを用いてイオン
エッチング加工する処理とを含むこと特徴とする。
【００１０】
【実施例】次に、本発明の一実施例について図面を参照
して説明する。
して説明する。
【００１１】図１は本発明の一実施例の斜視図であり、
図２は図１の正面図である。これらの図において、下シ
ールド１の上には下再生ギャップ２を介して磁気抵抗効
果素子３と磁気抵抗効果素子３に接続される電極４とが
形成されている。これら磁気抵抗効果素子３および電極
４の上には上再生ギャップ５を介して上シールドを兼ね
る下ヨーク６が形成されている。ここで、磁気抵抗効果
素子３および電極４の磁気記録媒体対向面近傍において
は少くとも下シールド１上にのみあり、かつ下ヨーク６
によって完全に覆われている。
図２は図１の正面図である。これらの図において、下シ
ールド１の上には下再生ギャップ２を介して磁気抵抗効
果素子３と磁気抵抗効果素子３に接続される電極４とが
形成されている。これら磁気抵抗効果素子３および電極
４の上には上再生ギャップ５を介して上シールドを兼ね
る下ヨーク６が形成されている。ここで、磁気抵抗効果
素子３および電極４の磁気記録媒体対向面近傍において
は少くとも下シールド１上にのみあり、かつ下ヨーク６
によって完全に覆われている。
【００１２】下ヨーク６の上には記録ギャップ７を介し
て上ヨーク９が形成され、下ヨーク６および上ヨーク９
は記録ギャップ７の磁気記録媒体（図示せず）側の面に
対して反対側の端面で接続され、その接続点を中心にコ
イル８が平面状に巻かれている。
て上ヨーク９が形成され、下ヨーク６および上ヨーク９
は記録ギャップ７の磁気記録媒体（図示せず）側の面に
対して反対側の端面で接続され、その接続点を中心にコ
イル８が平面状に巻かれている。
【００１３】また、下ヨーク６の形状は上半部６ａが上
ヨーク９と等しい幅の矩形で、下半部６ｂが下シールド
１の幅と略同一幅の台形状となっている。上ヨーク９お
よび下ヨーク６の上半部６ａの幅は下シールド１および
下ヨーク６の下半部６ｂの幅よりも狭くなっている。す
なわち、下ヨーク６の上半部６ａは下ヨークとして動作
し、下ヨーク６の下半部６ｂは上シールドとして作用す
る。そのため、記録幅ａは互いに等しい幅を有する上ヨ
ーク９と下ヨーク６の上半部６ａとによって厳密に制御
される。
ヨーク９と等しい幅の矩形で、下半部６ｂが下シールド
１の幅と略同一幅の台形状となっている。上ヨーク９お
よび下ヨーク６の上半部６ａの幅は下シールド１および
下ヨーク６の下半部６ｂの幅よりも狭くなっている。す
なわち、下ヨーク６の上半部６ａは下ヨークとして動作
し、下ヨーク６の下半部６ｂは上シールドとして作用す
る。そのため、記録幅ａは互いに等しい幅を有する上ヨ
ーク９と下ヨーク６の上半部６ａとによって厳密に制御
される。
【００１４】また、磁気抵抗効果素子３および電極４は
下ヨーク６の下半部６ｂによって完全に覆われているた
め、下ヨーク６および上ヨーク９の形成時に断線を引起
こすような損傷を受けることはない。
下ヨーク６の下半部６ｂによって完全に覆われているた
め、下ヨーク６および上ヨーク９の形成時に断線を引起
こすような損傷を受けることはない。
【００１５】さらに、下シールド１および下ヨーク６に
おいては少なくともコイル８が巻かれる部分の断面形状
が台形となっているため、それらの間に形成される磁気
抵抗効果素子３の電極４やコイル８が下シールド１およ
び下ヨーク６における段差を乗越える際に断線などが生
じ難くなっている。但し、下シールド１および下ヨーク
６の段差解消を行う平坦処理が行われる場合には、必ず
しもそれらの断面形状が台形である必要はない。
おいては少なくともコイル８が巻かれる部分の断面形状
が台形となっているため、それらの間に形成される磁気
抵抗効果素子３の電極４やコイル８が下シールド１およ
び下ヨーク６における段差を乗越える際に断線などが生
じ難くなっている。但し、下シールド１および下ヨーク
６の段差解消を行う平坦処理が行われる場合には、必ず
しもそれらの断面形状が台形である必要はない。
【００１６】下ヨーク６の上半部６ａおよび下半部６ｂ
各々の厚さは上ヨーク９から下半部６ｂへの磁束の漏洩
とシールド効果とによって最適化される。上ヨーク９か
ら下半部６ｂへの磁束の漏洩の影響を避けるために、上
半部６ａの厚さは記録ギャップ７の幅の５倍以上である
ことが望ましい。また、シールド効果を十分に得るため
に、下半部６ｂの厚さは１μｍ以上であることが望まし
い。
各々の厚さは上ヨーク９から下半部６ｂへの磁束の漏洩
とシールド効果とによって最適化される。上ヨーク９か
ら下半部６ｂへの磁束の漏洩の影響を避けるために、上
半部６ａの厚さは記録ギャップ７の幅の５倍以上である
ことが望ましい。また、シールド効果を十分に得るため
に、下半部６ｂの厚さは１μｍ以上であることが望まし
い。
【００１７】図３および図４は本発明の一実施例による
複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す図である。これ
ら図３および図４を用いて本発明の一実施例による複合
型薄膜磁気ヘッドの製造方法について以下説明する。
複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す図である。これ
ら図３および図４を用いて本発明の一実施例による複合
型薄膜磁気ヘッドの製造方法について以下説明する。
【００１８】まず、図示せぬ基板上にＮｉＦｅ合金から
なる下シールド１をメッキやスパッタなどの方法によっ
て成膜し、イオンエッチング技術を用いて加工する［図
３（ａ）参照］。このとき、マスクとなるフォトレジス
トを130 度程度でベークし、入射角１０°程度でエッチ
ングすることによって下シールド１の磁気記録媒体対向
面に直交する端面をテーパ化することができる。
なる下シールド１をメッキやスパッタなどの方法によっ
て成膜し、イオンエッチング技術を用いて加工する［図
３（ａ）参照］。このとき、マスクとなるフォトレジス
トを130 度程度でベークし、入射角１０°程度でエッチ
ングすることによって下シールド１の磁気記録媒体対向
面に直交する端面をテーパ化することができる。
【００１９】次に、Ａｌ2 Ｏ3 からなる下再生ギャップ
２をスパッタ法によって成膜した後に、ＮｉＦｅ、Ｔｉ
およびＣｏＺｒＭｏの積層構造からなる磁気抵抗効果素
子３をスパッタ法や蒸着法などによって成膜し、フォト
リソグラフィ技術やイオンエッチング技術を用いて図示
した形状に加工する。この後に、磁気抵抗効果素子３の
両端にＡｕからなる電極膜を蒸着法などによって成膜
し、電極４を形成する［図３（ｂ）参照］。
２をスパッタ法によって成膜した後に、ＮｉＦｅ、Ｔｉ
およびＣｏＺｒＭｏの積層構造からなる磁気抵抗効果素
子３をスパッタ法や蒸着法などによって成膜し、フォト
リソグラフィ技術やイオンエッチング技術を用いて図示
した形状に加工する。この後に、磁気抵抗効果素子３の
両端にＡｕからなる電極膜を蒸着法などによって成膜
し、電極４を形成する［図３（ｂ）参照］。
【００２０】これら磁気抵抗効果素子３および電極４の
上にＡｌ2 Ｏ3 からなる上再生ギャップ５をスパッタ法
によって成膜した後に、ＮｉＦｅ合金からなる下ヨーク
６をメッキやスパッタなどの方法によって成膜し、イオ
ンエッチング技術を用いて加工する［図３（ｃ）参
照］。このとき、上記の下シールド１の場合と同様の処
理を施すことによって、下ヨーク６の磁気記録媒体対向
面に直交する端面をテーパ化することができる。また、
下ヨーク６の磁気記録媒体対向面の下辺の幅を下シール
ド１の幅と略同一幅として下ヨーク６で磁気抵抗効果素
子３および電極４を完全に覆うようにする。
上にＡｌ2 Ｏ3 からなる上再生ギャップ５をスパッタ法
によって成膜した後に、ＮｉＦｅ合金からなる下ヨーク
６をメッキやスパッタなどの方法によって成膜し、イオ
ンエッチング技術を用いて加工する［図３（ｃ）参
照］。このとき、上記の下シールド１の場合と同様の処
理を施すことによって、下ヨーク６の磁気記録媒体対向
面に直交する端面をテーパ化することができる。また、
下ヨーク６の磁気記録媒体対向面の下辺の幅を下シール
ド１の幅と略同一幅として下ヨーク６で磁気抵抗効果素
子３および電極４を完全に覆うようにする。
【００２１】この下ヨーク６の上にＡｌ2 Ｏ3 からなる
記録ギャップ７をスパッタ法によって成膜した後に、上
下に絶縁層（図示せず）を介してコイル８を成膜加工す
る［図３（ｄ）参照］。コイル８は予め下地膜上にフォ
トレジストパターンを形成した基板上に電気メッキ法に
よって成膜される。
記録ギャップ７をスパッタ法によって成膜した後に、上
下に絶縁層（図示せず）を介してコイル８を成膜加工す
る［図３（ｄ）参照］。コイル８は予め下地膜上にフォ
トレジストパターンを形成した基板上に電気メッキ法に
よって成膜される。
【００２２】コイル８の上にＮｉＦｅ合金からなる上ヨ
ーク９をメッキやスパッタなどの方法によって成膜した
後に、フォトリソグラフィ技術やイオンエッチング技術
を用いて図示した形状に加工する。このとき、上ヨーク
９の磁気記録媒体対向面の幅は記録幅ａより広く設定さ
れる［図４（ａ）参照］。
ーク９をメッキやスパッタなどの方法によって成膜した
後に、フォトリソグラフィ技術やイオンエッチング技術
を用いて図示した形状に加工する。このとき、上ヨーク
９の磁気記録媒体対向面の幅は記録幅ａより広く設定さ
れる［図４（ａ）参照］。
【００２３】ここで、下シールド１と下ヨーク６と上ヨ
ーク９とに対する加工法としてフォトリソグラフィ技術
やイオンエッチング技術を用いる例を示したが、予め下
地膜上にフォトレジストパターンを形成した基板面に電
気メッキ法によって形成することも可能である。この場
合、端面形状をテーパ化することができないので、電極
４あるいはコイル８の断線防止のために何らかの平坦化
処理が必要となる。
ーク９とに対する加工法としてフォトリソグラフィ技術
やイオンエッチング技術を用いる例を示したが、予め下
地膜上にフォトレジストパターンを形成した基板面に電
気メッキ法によって形成することも可能である。この場
合、端面形状をテーパ化することができないので、電極
４あるいはコイル８の断線防止のために何らかの平坦化
処理が必要となる。
【００２４】上ヨーク９を形成した後に、所定の記録幅
ａを有するフォトレジストマスクを用いて、上ヨーク９
と下ヨーク６とを一括してイオンエッチング技術によっ
て図示した形状に加工する。すなわち、上ヨーク９の磁
気記録媒体対向面の幅が記録幅ａに加工されるととも
に、下ヨーク６に上半部６ａと下半部６ｂとが形成され
る［図４（ｂ）参照］。
ａを有するフォトレジストマスクを用いて、上ヨーク９
と下ヨーク６とを一括してイオンエッチング技術によっ
て図示した形状に加工する。すなわち、上ヨーク９の磁
気記録媒体対向面の幅が記録幅ａに加工されるととも
に、下ヨーク６に上半部６ａと下半部６ｂとが形成され
る［図４（ｂ）参照］。
【００２５】この工程において、上ヨーク９および下ヨ
ーク６のエッチングされる領域は、図１に示すように、
磁気記録媒体対向面近傍のみであり、かつエッチングは
下ヨーク６の途中まで行われた所で停止される。
ーク６のエッチングされる領域は、図１に示すように、
磁気記録媒体対向面近傍のみであり、かつエッチングは
下ヨーク６の途中まで行われた所で停止される。
【００２６】各層の膜厚は下シールド１が１〜２μｍ、
下再生ギャップ２が0.1 〜0.5 μｍ、上再生ギャップ２
が0.1 〜0.5 μｍ、下ヨーク６の下半部６ｂが１〜２μ
ｍ、下ヨーク６の上半部６ａが３〜４μｍ、記録ギャッ
プ７が0.2 〜0.7 μｍ、上ヨーク９が３〜５μｍに設定
される。
下再生ギャップ２が0.1 〜0.5 μｍ、上再生ギャップ２
が0.1 〜0.5 μｍ、下ヨーク６の下半部６ｂが１〜２μ
ｍ、下ヨーク６の上半部６ａが３〜４μｍ、記録ギャッ
プ７が0.2 〜0.7 μｍ、上ヨーク９が３〜５μｍに設定
される。
【００２７】このように、下ヨーク６の磁気記録媒体対
向面を上ヨーク９側の辺が上ヨーク９と等しい幅の上半
部６ａと、下シールド１側の辺が下シールド１と略同一
幅の下半部６ｂとから構成することによって、記録幅ａ
を下ヨーク６の上半部６ａと上ヨーク９とによって厳密
に制御することができる。これによって、記録幅ａの両
端における記録にじみを少なくすることができる。
向面を上ヨーク９側の辺が上ヨーク９と等しい幅の上半
部６ａと、下シールド１側の辺が下シールド１と略同一
幅の下半部６ｂとから構成することによって、記録幅ａ
を下ヨーク６の上半部６ａと上ヨーク９とによって厳密
に制御することができる。これによって、記録幅ａの両
端における記録にじみを少なくすることができる。
【００２８】また、下ヨーク６の下半部６ｂの下シール
ド１側の辺の幅を磁気抵抗効果素子３に接続される電極
４の幅よりも大きくすることによって、磁気抵抗効果素
子３および電極４を完全に覆うことができるので、上ヨ
ーク９の加工時の断線となるような損傷を防止すること
ができる。
ド１側の辺の幅を磁気抵抗効果素子３に接続される電極
４の幅よりも大きくすることによって、磁気抵抗効果素
子３および電極４を完全に覆うことができるので、上ヨ
ーク９の加工時の断線となるような損傷を防止すること
ができる。
【００２９】さらに、下シールド１および下ヨーク６に
おいて少なくともコイル８が巻かれる部分の断面形状を
台形状とすることによって、磁気抵抗効果素子３に接続
される電極４やコイル８の断線を生じ難くすることがで
きる。
おいて少なくともコイル８が巻かれる部分の断面形状を
台形状とすることによって、磁気抵抗効果素子３に接続
される電極４やコイル８の断線を生じ難くすることがで
きる。
【００３０】さらにまた、複合型薄膜磁気ヘッドの製造
方法において、下ヨーク６の下シールド１側の辺を磁気
抵抗効果素子３に接続される電極４の幅よりも大きな幅
で形成しかつ下ヨーク６の上ヨーク９側の辺を記録ギャ
ップ７の幅よりも大きな幅で形成する処理と、上ヨーク
９の下ヨーク６側の辺を記録ギャップ７の幅よりも大き
な幅で形成する処理と、上ヨーク９の形成後に下ヨーク
６の上半部６ａおよび上ヨーク９を記録ギャップ７の幅
と同一幅のマスクを用いてイオンエッチング加工する処
理とを含むようにすることによって、記録幅ａを厳密に
制御することができるとともに記録にじみを少なくする
ことができ、磁気抵抗効果素子３や電極４の損傷を防止
することができる。
方法において、下ヨーク６の下シールド１側の辺を磁気
抵抗効果素子３に接続される電極４の幅よりも大きな幅
で形成しかつ下ヨーク６の上ヨーク９側の辺を記録ギャ
ップ７の幅よりも大きな幅で形成する処理と、上ヨーク
９の下ヨーク６側の辺を記録ギャップ７の幅よりも大き
な幅で形成する処理と、上ヨーク９の形成後に下ヨーク
６の上半部６ａおよび上ヨーク９を記録ギャップ７の幅
と同一幅のマスクを用いてイオンエッチング加工する処
理とを含むようにすることによって、記録幅ａを厳密に
制御することができるとともに記録にじみを少なくする
ことができ、磁気抵抗効果素子３や電極４の損傷を防止
することができる。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように本発明の複合型薄膜
磁気ヘッドによれば、下ヨークの磁気記録媒体対向面を
上ヨーク側の辺が上ヨークと等しい幅の四辺形の上半部
と、下シールド側の辺が下シールドと略同一幅の四辺形
の下半部とから構成することによって、記録幅を厳密に
制御することができるとともに記録にじみを少なくする
ことができるという効果がある。
磁気ヘッドによれば、下ヨークの磁気記録媒体対向面を
上ヨーク側の辺が上ヨークと等しい幅の四辺形の上半部
と、下シールド側の辺が下シールドと略同一幅の四辺形
の下半部とから構成することによって、記録幅を厳密に
制御することができるとともに記録にじみを少なくする
ことができるという効果がある。
【００３２】また、本発明の他の複合型薄膜磁気ヘッド
によれば、下ヨークの下シールド側の辺の幅を磁気抵抗
効果素子に接続される電極の幅よりも大きくすることに
よって、磁気抵抗効果素子や電極の損傷を防止すること
ができるという効果がある。
によれば、下ヨークの下シールド側の辺の幅を磁気抵抗
効果素子に接続される電極の幅よりも大きくすることに
よって、磁気抵抗効果素子や電極の損傷を防止すること
ができるという効果がある。
【００３３】さらに、本発明の別の複合型薄膜磁気ヘッ
ドによれば、下ヨークにおいて少なくともコイルが巻か
れる部分の断面形状を下シールド側の辺の幅が上ヨーク
側の辺の幅よりも大きな台形状とすることによって、磁
気抵抗効果素子に接続される電極やコイルの断線を生じ
難くすることができるという効果がある。
ドによれば、下ヨークにおいて少なくともコイルが巻か
れる部分の断面形状を下シールド側の辺の幅が上ヨーク
側の辺の幅よりも大きな台形状とすることによって、磁
気抵抗効果素子に接続される電極やコイルの断線を生じ
難くすることができるという効果がある。
【００３４】さらにまた、本発明の複合型薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法によれば、下ヨークの下シールド側の辺を
磁気抵抗効果素子に接続される電極の幅よりも大きな幅
で形成しかつ下ヨークの上ヨーク側の辺を記録ギャップ
の記録幅よりも大きな幅で形成する処理と、上ヨークの
下ヨーク側の辺を記録幅よりも大きな幅で形成する処理
と、上ヨークの形成後に下ヨークの上ヨーク側の上半部
および上ヨークを記録幅と同一幅のマスクを用いてイオ
ンエッチング加工する処理とを含むようにすることによ
って、記録幅を厳密に制御することができるとともに記
録にじみを少なくすることができ、磁気抵抗効果素子や
電極の損傷を防止することができるという効果がある。
ドの製造方法によれば、下ヨークの下シールド側の辺を
磁気抵抗効果素子に接続される電極の幅よりも大きな幅
で形成しかつ下ヨークの上ヨーク側の辺を記録ギャップ
の記録幅よりも大きな幅で形成する処理と、上ヨークの
下ヨーク側の辺を記録幅よりも大きな幅で形成する処理
と、上ヨークの形成後に下ヨークの上ヨーク側の上半部
および上ヨークを記録幅と同一幅のマスクを用いてイオ
ンエッチング加工する処理とを含むようにすることによ
って、記録幅を厳密に制御することができるとともに記
録にじみを少なくすることができ、磁気抵抗効果素子や
電極の損傷を防止することができるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例の斜視図である。
【図２】図１の正面図である。
【図３】本発明の一実施例による複合型薄膜磁気ヘッド
の製造方法を示す図である。
の製造方法を示す図である。
【図４】本発明の一実施例による複合型薄膜磁気ヘッド
の製造方法を示す図である。
の製造方法を示す図である。
【図５】従来例の斜視図である。
１ 下シールド ２ 下再生ギャップ ３ 磁気抵抗効果素子 ４ 電極 ５ 上再生ギャップ ６ 下ヨーク ６ａ 上半部 ６ｂ 下半部 ７ 記録ギャップ ８ コイル ９ 上ヨーク
Claims (4)
- 【請求項１】 下シールドと下再生ギャップと磁気抵抗
効果素子と上再生ギャップと上シールドとが順次積層さ
れた磁気抵抗効果ヘッドと、前記上シールドを兼ねる下
ヨークと上ヨークとの間に記録ギャップとコイルとが積
層された巻線型ヘッドとからなる複合型薄膜磁気ヘッド
であって、前記下ヨークの磁気記録媒体対向面を前記上
ヨーク側の辺が前記上ヨークと等しい幅の四辺形の上半
部と、前記下シールド側の辺が前記下シールドと略同一
幅の四辺形の下半部とから構成するようにしたことを特
徴とする複合型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記下ヨークの前記下シールド側の辺の
幅を前記磁気抵抗効果素子に接続される電極の幅よりも
大となるようにしたことを特徴とする請求項１記載の複
合型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記下ヨークにおいて少なくとも前記コ
イルが巻かれる部分の断面形状を前記下シールド側の辺
の幅が前記上ヨーク側の辺の幅よりも大きな台形状とし
たことを特徴とする請求項１または請求項２記載の複合
型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 下シールドと下再生ギャップと磁気抵抗
効果素子と上再生ギャップと上シールドを兼ねる下ヨー
クと記録ギャップとコイルと上ヨークとを順次積層して
複合型薄膜磁気ヘッドを形成する複合型薄膜磁気ヘッド
の製造方法であって、前記下ヨークの前記下シールド側
の辺を前記磁気抵抗効果素子に接続される電極の幅より
も大きな幅で形成しかつ前記下ヨークの前記上ヨーク側
の辺を前記記録ギャップの記録幅よりも大きな幅で形成
する処理と、前記上ヨークの前記下ヨーク側の辺を前記
記録幅よりも大きな幅で形成する処理と、前記上ヨーク
の形成後に前記下ヨークの前記上ヨーク側の上半部およ
び前記上ヨークを前記記録幅と同一幅のマスクを用いて
イオンエッチング加工する処理とを含むこと特徴とする
複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3331337A JP2830559B2 (ja) | 1991-11-20 | 1991-11-20 | 複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3331337A JP2830559B2 (ja) | 1991-11-20 | 1991-11-20 | 複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05143939A true JPH05143939A (ja) | 1993-06-11 |
| JP2830559B2 JP2830559B2 (ja) | 1998-12-02 |
Family
ID=18242556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3331337A Expired - Lifetime JP2830559B2 (ja) | 1991-11-20 | 1991-11-20 | 複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2830559B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2830559B2 (ja) | 1998-12-02 |
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