JPH0765326A - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 より小さいリードギャップを有する磁気抵抗
効果型薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果素子読み出し電極
の製造方法を提供する。 【構成】 磁気抵抗効果素子部１５の読み出し電極１６
をリフトオフ法で形成する際に、磁気抵抗効果素子部１
５の上に第１のリフトオフ層２３を形成する工程と、そ
の上に第２のリフトオフ層であるリフトオフパターン２
４を形成する工程と、第１のリフトオフ２３層をエッチ
ングして第２のリフトオフ層２４の底面部にのみ第１の
リフトオフ層２３を残す工程と、磁気抵抗効果素子部１
５および第２のリフトオフ層２４の上に読み出し電極と
なる読み出し層を形成する工程と、第２のリフトオフ層
２４をその上部の読み出し層とともに除去する工程と、
磁気抵抗効果素子部１５の上に残った第１のリフトオフ
層２３をエッチングして平坦化するかまたは除去する工
程とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録再生装置等に
用いられる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】磁気ディスク装置の高性能化に伴い、そ
れに用いる薄膜磁気ヘッドにも種々の高性能化が要求さ
れている。その一環として、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ッドの利用がある。磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは、
出力が周速に依存しないため、小径ディスク装置の容量
増加に多大な効果を与えるが、実用上はまだ多くの技術
的課題を有している。その一つとして、高周波特性を向
上するための再生部の狭ギャップ化に関して、いまだ有
効な手段が開発されていない。

【０００３】以下、従来のこの種の薄膜磁気ヘッドにつ
いて図面を参照しながら説明する。図４は薄膜磁気ヘッ
ドのスライダーを媒体対向面側から見た斜視図である。
スライダー１０１は、装置に搭載する時は、浮上レール
１０２に対して裏面側に平行にジンバルを接着して磁気
ヘッドアセンブリ状態として用いる。この浮上レール１
０２は、用途に応じて種々の形態をとり、機械加工やイ
オンビームエッチング等により２〜３本のレールを形成
する。図４には機械加工で形成した３本レールの形状を
示している。このスライダー１０１における薄膜磁気ヘ
ッド素子は、セラミック基板上に薄膜形成技術を用いて
図面の手前側に形成されており、１０３が上部絶縁層、
１０４が上部磁性層、１０５が後にワイヤーをボンディ
ングするためのパッド部である。ここでパッド部１０５
が４ヶ所あるのは、記録部および再生部に少なくとも２
ヶ所ずつの端子が必要だからである。

【０００４】次に、薄膜磁気ヘッドが媒体と対向する図
４のＡ部における薄膜磁気ヘッド素子部の具体的な製造
方法について図５を参照して説明する。まずセラミック
基板１１１上にスパッタ法によりアルミナ等の絶縁物１
１２を形成して被覆し、その上に電気めっき法あるいは
スパッタ法によりパーマロイ、センダストあるいは鉄系
の合金材料による下部シールド層１１３を形成し、その
上にスパッタ法によりアルミナ等の絶縁材料からなる下
部リードギャップ層１１４を形成し、さらにその上に磁
気抵抗効果素子部１１５を順次積層する。この磁気抵抗
効果素子部１１５は、図中では単層で示しているが、磁
気抵抗効果素子を駆動する際のバイアス方式によっては
２〜４層構成となり、例えばシャントバイアスではパー
マロイ（ＭＲ層）とチタン、ＳＡＬ（Ｓoft Ａdjacent
Ｌayer）バイアスではパーマロイ（ＭＲ層）とタンタル
等のスペーサおよび鉄とニッケルにロジウム等の第３元
素を添加したＳＡＬ層の３層、さらにＭＲ膜に交換バイ
アスを付与する場合はＭＲ膜に直接接触する形で鉄とマ
ンガンの合金である反強磁性膜を積層して用いる。次に
磁気抵抗効果素子部１１５のトラック幅の規定および磁
気抵抗効果素子部１１５から信号を読み出すために金等
の抵抗材料を用いて真空蒸着法あるいはスパッタ法、お
よびリフトオフ法等により磁気抵抗効果素子読み出し電
極となる読み出し層１１６を形成する。この読み出し層
１１６は、上記の反強磁性膜を含む多層構成となる場合
もある。次に読み出し層１１６の上に、アルミナ等の絶
縁材料により形成した上部リードギャップ層１１７、電
気めっき法あるいはスパッタ法によりパーマロイや鉄系
合金材料を用いて形成した上部シールド層１１８を順次
積層して再生ヘッド部の作成が終了する。次に記録ヘッ
ド部の作成は、まず上部シールド層１１８の上に記録部
の下部磁性層１１９を電気めっき法等により形成する。
ここで上部シールド層１１８と下部磁性層１１９の磁気
的結合を防止するため、この２層の間にアルミナ等の絶
縁材料からなる分離層を入れる場合もある。次に記録部
のギャップ層１２０を積層した後、図面には示していな
いがノボラック系あるいはポリイミド系等の樹脂からな
る下部絶縁層、電気めっき法により形成した下部コイル
層、下部絶縁層と同様に上部絶縁層を順次積層し、電気
めっき法等により上部磁性層１２１を積層し、最終的に
アルミナ等の保護層１２２で保護した形として薄膜磁気
ヘッドの作成が終了する。

【０００５】次に、上記薄膜磁気ヘッド素子部における
磁気抵抗効果素子読み出し層１１６のリフトオフ法によ
る具体的に形成工程について、図６を参照して説明す
る。説明を簡単にするため、磁気抵抗効果素子部１１５
の形成が終了した時点から説明する。まず工程（ａ）に
おいて磁気抵抗効果素子部１１５上にフォトレジストを
用いてリフトオフパターン１２３を形成する。リフトオ
フパターンとは、エッチングマスクとして形成するパタ
ーンに対してちょうど白黒が反転したパターンであり、
後で膜を残したい部分のみフォトレジストがないパター
ンを形成する。このパターンで重要なことは、上に形成
する膜がリフトオフパターン１２３のパターンエッジで
つながらないように、パターン形状を逆テーパとするこ
とである。フォトレジストとして環化ゴム系のネガ型レ
ジストやノボラック系のイメージリバーサルレジスト、
あるいは通常のノボラック系のポジ型フォトレジストを
アミン系の溶媒で処理して反転パターン化したもの、さ
らには通常のノボラック系のレジストをそのままポジタ
イプとして使う方法として表層をモノクロルベンゼン等
の溶剤で処理する等種々の方法をとることができる。ま
た電気めっき膜を用いてオーバーハング形状を作り、そ
れをリフトオフパターンに利用することもできる。上記
のようにリフトオフパターン１２３を形成した後、工程
（ｂ）において、磁気抵抗効果素子部１１５に交換バイ
アスを付与するための反強磁性層および磁気抵抗効果素
子読み出し層となる膜１１６を真空蒸着法、あるいはス
パッタ法により基板全面に付着形成する。ここで磁気抵
抗効果素子読み出し層１１６には金および密着力強化層
としてチタン、クロム等が金を挟み込む形で上下に形成
される。次に工程（ｃ）において、磁気抵抗効果素子読
み出し層１１６を所定の形に残すためフォトレジスト等
からなるリフトオフパターン１２３を化学、物理的に除
去する（リフトオフパターンにレジストを用いる場合は
そのレジストを溶解する溶剤もしくはレジスト剥離液を
用いて除去する。）。この際リフトオフパターン１２３
上に付着した磁気抵抗効果素子読み出し層１１６が、リ
フトオフパターン１２３が除去される際に同時に除去さ
れる。しかしながら、スパッタ法は条件によっては粒子
の平均自由行程が短くなり、逆テーパ下へ回り込む粒子
が増加し、リフトオフしにくくなるうえ、図中に示すよ
うにパターン端に膜残り１１６ａを生じる恐れがある。
そして最後に、工程（ｄ）において、アルミナ等の上部
リードギャップ層１１７およびパーマロイ等の上部シー
ルド層１１８を順次積層するが、磁気抵抗効果素子読み
出し層１１６のパターン端部の膜残り１１６ａの箇所で
上部シールド層１１８と磁気抵抗効果素子読み出し層１
１６とが異常に接近するため、その間の絶縁性に問題を
生じる恐れがある。また、磁気抵抗効果素子読み出し層
１１６と磁気抵抗効果素子部１１５との間の磁気抵抗効
果素子読み出し層１１６の厚み分の段差は、その上層の
各層にその影響を及ぼすため、図６に示すように記録ヘ
ッド部のギャップ層１２０の平坦性が悪くなるという問
題を生じていた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このように、上記した
従来の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドでは、磁気抵抗効
果素子部１１５と上部シールド層１１８間の距離がヘッ
ド性能上分解能を決定する重要な寸法であり、可能なか
ぎり狭くする必要があるという設計上の要請があるもの
の、その製造上の問題から磁気抵抗効果素子読み出し層
１１６の端部に膜残り１１６ａを生じることがあるた
め、磁気抵抗効果素子部１１５と上部シールド層１１８
との間の絶縁性に問題を生じる恐れがあった。絶縁性が
劣化すると、磁気抵抗効果素子部１１５に流すべき電流
が上部シールド層１１８に洩れるため、その結果、読み
出し層１１６が磁気抵抗効果素子部１１５の外部磁場に
る抵抗変化を正確に伝達することができず、結局磁気ヘ
ッドの読み出し特性における品質を劣化させることにな
るので、これを解決する必要があった。

【０００７】本発明は、上記従来の課題を解決するもの
で、記録再生特性に優れ、高品質な磁気抵抗効果型薄膜
磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とするもの
である。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、磁気抵抗効果素子部の読み出し電極をリ
フトオフ法で形成する際に、形成された磁気抵抗効果素
子部の上に第１のリフトオフ層を形成する工程と、その
上に第２のリフトオフ層であるリフトオフパターンを形
成する工程と、第１のリフトオフ層をエッチングして第
２のリフトオフ層の底面部にのみ第１のリフトオフ層を
残す工程と、磁気抵抗効果素子部および第２のリフトオ
フ層の上に読み出し電極となる読み出し層を形成する工
程と、第２のリフトオフ層をその上部の読み出し層とと
もに除去する工程と、磁気抵抗効果素子部の上に残った
第１のリフトオフ層をエッチングして平坦化するか除去
する工程とを備えたものである。第１および第２のリフ
ト層とその上の読み出し層とを一度に除去するようにし
てもよい。

【０００９】

【作用】本発明は、上記方法により、磁気抵抗効果素子
読み出し層の膜残りがなくなるため、磁気抵抗効果素子
部と上部シールド層との距離を小さくしても磁気抵抗効
果素子読み出し層と上部シールド層との絶縁を保つこと
が可能となり、磁気抵抗効果素子読み出し層が磁気抵抗
効果素子部の外部磁場による抵抗変化を正確に伝達する
ことが可能となる。特に、第１のリフトオフ層を絶縁材
料とし、リフトオフ後にその絶縁材料を素子上に残すこ
とにより、磁気抵抗効果素子部とその読み出し層との間
を平坦化することができるので、記録ヘッド部のギャッ
プ層の平坦性を良くすることが可能となる。

【００１０】

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら説明する。磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの完成
状態は、図４に示した従来例と同様であるためその説明
を省略する。図１は本発明の一実施例における媒体対向
面側からみた磁気抵抗効果型ヘッド素子部の拡大断面図
であり、この図をもとにその製造方法について説明す
る。

【００１１】まずセラミック基板１１上にスパッタ法に
よりアルミナ等の絶縁物１２を形成して被覆し、その上
に電気めっき法あるいはスパッタ法によりパーマロイ、
センダストあるいは鉄系の合金材料による下部シールド
層１３を形成し、次にスパッタ法によりアルミナ等の絶
縁材料からなる下部リードギャップ層１４を形成し、さ
らにその上に磁気抵抗効果素子部１５を順次積層する。
この磁気抵抗効果素子部１５は、図中では単層で示して
いるが、磁気抵抗効果素子を駆動する際のバイアス方式
によっては２〜４層構成となり、例えばシャントバイア
スではパーマロイ（ＭＲ層）とチタン、ＳＡＬ（Ｓoft
Ａdjacent Ｌayer）バイアスではパーマロイ（ＭＲ層）
とタンタル等のスペーサおよび鉄とニッケルにロジウム
等の第３元素を添加したＳＡＬ層の３層、さらにＭＲ膜
に交換バイアスを付与する場合はＭＲ膜に直接接触する
形で鉄とマンガンの合金である反強磁性膜を積層して用
いる。次に、後述する方法で第１のリフトオフ層２３を
形成した後、磁気抵抗効果素子部１５のトラック幅の規
定および磁気抵抗効果素子部１５から信号を読み出すた
めに金等の抵抗材料を用いて真空蒸着法あるいはスパッ
タ法、および本発明によるリフトオフ法等により磁気抵
抗効果素子読み出し電極となる読み出し層１６を形成す
る。この読み出し層１６は、上記の反強磁性膜を含む多
層構成となる場合もある。次に読み出し層１６の上に、
アルミナ等の絶縁材料により形成した上部リードギャッ
プ層１７、電気めっき法あるいはスパッタ法によりパー
マロイや鉄系合金材料を用いて形成した上部シールド層
１８を順次積層して再生ヘッド部の作成が終了する。次
に記録ヘッド部の作成は、まず上部シールド層１８上に
記録部の下部磁性層１９を電気めっき法等により形成す
る。ここで上部シールド層１８と下部磁性層１９の磁気
的結合を防止するため、この２層の間にアルミナ等の絶
縁材料からなる分離層を入れる場合もある。次に記録部
のギャップ層２０を積層した後、図面には示していない
がノボラック系あるいはポリイミド系等の樹脂からなる
下部絶縁層、電気めっき法により形成した下部コイル
層、下部絶縁層と同様に上部絶縁層を順次積層し、電気
めっき法等により上部磁性層２１を積層し、最終的にア
ルミナ等の保護層２２で保護した形として薄膜磁気ヘッ
ドの作成が終了する。

【００１２】次に上記実施例における磁気抵抗効果素子
読み出し層１６の具体的な形成工程について、図２を参
照しながら説明する。説明を簡単にするため、磁気抵抗
効果素子部１５の形成が終了した時点から説明する。ま
ず工程（ａ）において、磁気抵抗効果素子部１５上にア
ルミナ等の酸化絶縁物を材料とした第１のリフトオフ層
２３を真空蒸着法により積層する。このときの膜厚は、
少なくとも後に形成する磁気抵抗効果素子読み出し層１
６の膜厚よりも厚くする。次に工程（ｂ）において、上
記第１のリフトオフ層２３上にフォトレジストを用いて
第２のリフトオフ層であるリフトオフパターン２４を形
成する。リフトオフパターンとは、エッチングマスクと
して形成するパターンに対してちょうど白黒が反転した
パターンであり、後で膜を残したい部分のみフォトレジ
ストがないパターンを形成する。この後、１５０°Ｃか
ら１７０°Ｃ程度の温度で基板１１をホットプレート、
あるいは熱対流式オーブン等でベークする。なお、この
際に磁気抵抗効果素子部１５の一軸異方性を乱さないた
めに磁気抵抗効果素子部１５の異方性磁界方向の磁場中
においてベークすることもある。これにより図中鎖線で
示すごとくフォトレジストの断面は丸みをおびた形状と
なるが、少なくともＬ１で示される寸法は磁気抵抗効果
素子部１５のトラック幅の設計値よりも広くする。この
後、次の工程（ｃ）において、アルミナ等の第１のリフ
トオフ層２３をアルカリ水溶液等によりウェットエッチ
ングする。このとき図中Ｌ２で示される第１のリフトオ
フ層２３の最終的な幅は、目標とする磁気抵抗効果素子
部１５のトラック幅の設計値と等しくなるようにする。
前述したとおり、リフトオフパターン２４の幅Ｌ１は、
ウェットエッチング後の第１のリフトオフ層２３の幅Ｌ
２よりも広くなるので、第１のリフトオフ層２３の端部
２３ａはオーバーエッチングのため極端なオーバーハン
グ形状となる。なお、本実施例では、第１のリフトオフ
層２３としてアルミナを用いたが、１５０°Ｃから１７
０°Ｃ程度の温度でベークしたレジスト、および磁気抵
抗効果素子部１５とのエッチングの選択性のあるエッチ
ング方法を用いれば、ＳｉＯ２、チタン、銅などを用い
ることも可能である。次に工程（ｄ）において、磁気抵
抗効果素子部１５の上に、交換バイアスを付与するため
の反強磁性層および磁気抵抗効果素子読み出し層１６を
真空蒸着法あるいはスパッタ法により全面的に付着形成
する。ここで磁気抵抗効果素子読み出し層１６には、金
および密着力強化層としてチタン、クロム等が金を挟み
込む形で上下に形成される。このとき、従来方法ではリ
フトオフパターンの断面形状を逆テーパー状態に保つ必
要性から反強磁性層および磁気抵抗効果素子読み出し層
１６の成膜時の基板加熱は不適切であったが、本実施例
による方法では、既にリフトオフパターン２４は、１５
０°Ｃから１７０°Ｃ程度の温度でベーク済みであるの
で、成膜時の基板加熱が可能となる付随的効果もある。
前述したとおり、磁気抵抗効果素子読み出し層１６の膜
厚は、第１のリフトオフ層２３の膜厚よりも薄くなる
が、このとき、仮に磁気抵抗効果素子部１５に交換バイ
アスを付与するための反強磁性層および磁気抵抗効果素
子読み出し層１６をスパッタ法により成膜した場合で
も、リフトオフパターン２４と第１のリフトオフ層２３
の端部の極端なオーバーハング形状のため、スパッタ粒
子がリフトオフパターン２４レジストの底面部に付着す
る確率が低くなり、結果的に膜が途切れた状態となる。
このため次の工程（ｅ）において、リフトオフパターン
２４をレジストを溶解する溶剤もしくはレジスト剥離液
を用いて除去する際に、従来のようなリフトオフが困難
となる問題はなく、また第１のリフトオフ層２３の側面
に付着する膜も小さくなり、突起状の膜残りも存在しな
くなる。そこで次の工程（ｆ）において、第１のリフト
オフ層２３を磁気抵抗効果素子読み出し層１６とほぼ同
じ薄膜となるまで、アルカリ水溶液あるいは磁気抵抗効
果素子部１５と選択性のあるエッチング方法によりエッ
チングする。この結果、磁気抵抗効果素子読み出し層１
６と第１のリフトオフ層２３との間は完全に平坦化さ
れ、磁気抵抗効果素子読み出し層１６の形成が終了す
る。その後、図１に示すように、読み出し層１６の上
に、上部リードギャップ、上部シールド層１８、下部磁
性層１９、ギャップ層２０、および上部磁性層２１をそ
れぞれ順次形成することにより、これらの層を滑らかに
平坦に形成することができる。

【００１３】別の方法として、磁気抵抗効果素子読み出
し層１６を形成した後、第１リフトオフ層２３をアルカ
リ水溶液等によるウェットエッチングにより完全に除去
することにより、図３に示すように、その上の上部リー
ドギャップ１７、上部シールド層１８を形成した場合、
磁気抵抗効果素子読み出し層１６の膜残りが小さいた
め、磁気抵抗効果素子部１５を上部シールド層１８との
距離を狭くしてその間の絶縁を問題なく保つことが可能
となる。またこの場合は、図３の工程（ｄ）において、
第１のリフトオフ層２３を磁気抵抗効果素子部１５およ
び読み出し層１６と選択性のあるエッチング方法でエッ
チングし、その上層のリフトオフパターン２４および読
み出し層１６の不用部分を同時に除去する方法もとれ
る。

【００１４】なお、上記実施例では２層構成としたが、
エッチングレートが速い順番に基板側から積層して等方
的なエッチングによりリフトオフパターン形成すれば同
様の効果が得られる。

【００１５】

【発明の効果】以上のように、本発明は、磁気抵抗効果
素子読み出し層をリフトオフにより形成する際に、リフ
トオフ層を２層以上の層構成とし、基板側に位置する第
１のリフトオフ層の上に第２のリフトオフ層であるリフ
トオフパターンを形成することにより、第１のリフト層
を安定したオーバーハング形状とし、リフトオフ後のパ
ターンエッジの膜残り防止できるため、磁気抵抗効果素
子部と上部シールド層との距離を小さくしても磁気抵抗
効果素子読み出し層と上部シールド層との絶縁を保つこ
とが可能となり、磁気抵抗効果素子読み出し層が磁気抵
抗効果素子部の外部磁場による抵抗変化を正確に伝達す
ることが可能となる。また、第１のリフトオフ層を絶縁
材料とし、リフトオフ後にその絶縁材料を素子上に残す
ことにより、磁気抵抗効果素子部とその読み出し層との
間を平坦化することができるので、記録ヘッド部のギャ
ップ層の平坦性を良くすることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例により製造された磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッドを媒体対向面側から見た磁気抵抗効
果型ヘッド素子の部分拡大平面図。

【図２】本発明の一実施例における製造工程を示す拡大
模式図。

【図３】本発明の他の実施例により製造された磁気抵抗
効果型薄膜磁気ヘッドを媒体対向面側から見た磁気抵抗
効果型ヘッド素子の部分拡大平面図。

【図４】磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドのスライダー部
分の斜視図。

【図５】従来の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの媒体対
向面側から見た部分拡大平面図。

【図６】従来の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造工
程を示す拡大模式図。

【符号の説明】

１１ 基板 １２ 絶縁層 １３ 下部シールド層 １４ 下部リードギャップ層 １５ 磁気抵抗効果素子部 １６ 磁気抵抗効果素子読み出し層（読み出し電極） １７ 上部リードギャップ １８ 上部シールド層 １９ 下部磁性層 ２０ ギャップ層 ２１ 上部磁性層 ２２ 保護層 ２３ 第１のリフトオフ層 ２４ リフトオフパターン（第２のリフトオフ層）

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁気抵抗効果素子部の読み出し電極をリ
   フトオフ法で形成する際に、形成された磁気抵抗効果素
   子部の上に第１のリフトオフ層を形成する工程と、その
   上に第２のリフトオフ層であるリフトオフパターンを形
   成する工程と、前記第１のリフトオフ層をエッチングし
   て前記第２のリフトオフ層の底面部にのみ第１のリフト
   オフ層を残す工程と、前記磁気抵抗効果素子部および第
   ２のリフトオフ層の上に読み出し電極となる読み出し層
   を形成する工程と、前記第２のリフトオフ層をその上部
   の読み出し層とともに除去する工程と、前記磁気抵抗効
   果素子部の上に残った第１のリフトオフ層をエッチング
   して磁気抵抗効果素子部の厚さとほぼ同じ厚さに平坦化
   する工程とを備えた磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製
   造方法。
2. 【請求項２】 磁気抵抗効果素子部の読み出し電極をリ
   フトオフ法で形成する際に、形成された磁気抵抗効果素
   子部の上に第１のリフトオフ層を形成する工程と、その
   上に第２のリフトオフ層であるリフトオフパターンを形
   成する工程と、前記第１のリフトオフ層をエッチングし
   て前記第２のリフトオフ層の底面部にのみ第１のリフト
   オフ層を残す工程と、前記磁気抵抗効果素子部および第
   ２のリフトオフ層の上に読み出し電極となる読み出し層
   を形成する工程と、前記第２のリフトオフ層をその上部
   の読み出し層とともに除去する工程と、前記磁気抵抗効
   果素子部の上に残った第１のリフトオフ層をエッチング
   して除去する工程とを備えた磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
   ッドの製造方法。
3. 【請求項３】 磁気抵抗効果素子部の読み出し電極をリ
   フトオフ法で形成する際に、形成された磁気抵抗効果素
   子部の上に第１のリフトオフ層を形成する工程と、その
   上に第２のリフトオフ層であるリフトオフパターンを形
   成する工程と、前記第１のリフトオフ層をエッチングし
   て前記第２のリフトオフ層の底面部にのみ第１のリフト
   オフ層を残す工程と、前記磁気抵抗効果素子部および第
   ２のリフトオフ層の上に読み出し電極となる読み出し層
   を形成する工程と、前記第１および第２のリフトオフ層
   とその上の読み出し層とを除去する工程とを備えた磁気
   抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法。