JP2618380B2 - 磁気抵抗効果型磁気ヘツド及びその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘツド及びその製造方法Info
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- JP2618380B2 JP2618380B2 JP61262674A JP26267486A JP2618380B2 JP 2618380 B2 JP2618380 B2 JP 2618380B2 JP 61262674 A JP61262674 A JP 61262674A JP 26267486 A JP26267486 A JP 26267486A JP 2618380 B2 JP2618380 B2 JP 2618380B2
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- insulating
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は磁気記録媒体に記録された磁化情報を、一軸
磁気異方性を有する強磁性体薄膜からなる磁気抵抗効果
素子（以下MR素子と略す）を介して読み取る磁気抵抗効
果型磁気ヘッド（以下MRヘッドと略す）の製造方法に関
するものである。
磁気異方性を有する強磁性体薄膜からなる磁気抵抗効果
素子（以下MR素子と略す）を介して読み取る磁気抵抗効
果型磁気ヘッド（以下MRヘッドと略す）の製造方法に関
するものである。
［従来の技術］ この種のいわゆる薄膜MRヘッドは巻線型の磁気ヘッド
と比較して多くの利点があることが知られている。即ち
薄膜MRヘッドは磁気テープ等の磁気記録媒体に書き込ま
れた信号磁界を受けることによってMR素子内部の磁区方
向、即ち磁化方向が変化すると内部抵抗がそれに応じて
変る。この内部抵抗の変化を外部出力として取り出すも
のである。従って磁束応答型のヘッドであり磁気記録媒
体の移送速度に依存せずに信号磁界を再生できるもので
ある。この薄膜MRヘッドは半導体の微細加工技術により
高集積化、多素子化が容易であるので、高密度記録が行
なわれる固定ヘッド式PCM録音機の再生用磁気ヘッドと
して有望視されている。
と比較して多くの利点があることが知られている。即ち
薄膜MRヘッドは磁気テープ等の磁気記録媒体に書き込ま
れた信号磁界を受けることによってMR素子内部の磁区方
向、即ち磁化方向が変化すると内部抵抗がそれに応じて
変る。この内部抵抗の変化を外部出力として取り出すも
のである。従って磁束応答型のヘッドであり磁気記録媒
体の移送速度に依存せずに信号磁界を再生できるもので
ある。この薄膜MRヘッドは半導体の微細加工技術により
高集積化、多素子化が容易であるので、高密度記録が行
なわれる固定ヘッド式PCM録音機の再生用磁気ヘッドと
して有望視されている。
さて、元来MR素子は外部磁界に対して二乗曲線をもつ
感応特性を示すことから、MR素子を再生ヘッドとして構
成する場合には素子形状をストライプ状（磁区の配向を
安定化する為）にすると共に線型応答特性を得る為に所
定のバイアス磁界を印加する構成を備えることが必要で
ある。更にMR素子に高分解機能を持たせるために、スト
ライプ状のMR素子の上側に絶縁層を介して軟磁性材料
（パーマロイ、センダスト等）からなる層を、MR素子に
信号磁界を印加するヨークの磁気導入層として設けるこ
とが必要である。
感応特性を示すことから、MR素子を再生ヘッドとして構
成する場合には素子形状をストライプ状（磁区の配向を
安定化する為）にすると共に線型応答特性を得る為に所
定のバイアス磁界を印加する構成を備えることが必要で
ある。更にMR素子に高分解機能を持たせるために、スト
ライプ状のMR素子の上側に絶縁層を介して軟磁性材料
（パーマロイ、センダスト等）からなる層を、MR素子に
信号磁界を印加するヨークの磁気導入層として設けるこ
とが必要である。
以上の点から従来の薄膜MRヘッドの構造として第２図
および第３図に示すような、いわゆるヨークタイプの構
造が採用されている。なお第２図はMRヘッド要部の斜視
図、第３図は第２図のＡ−Ａ′線による断面図であり、
第２図においては構造を判り易く示すため後述する絶縁
層７〜９および絶縁性保護層10の図示を省いている。
および第３図に示すような、いわゆるヨークタイプの構
造が採用されている。なお第２図はMRヘッド要部の斜視
図、第３図は第２図のＡ−Ａ′線による断面図であり、
第２図においては構造を判り易く示すため後述する絶縁
層７〜９および絶縁性保護層10の図示を省いている。
第２図に示すようにMRヘッドは、ヘッド全体を支持す
る磁性基板６上に、MR素子１とこれから信号を取り出す
ための信号電極2,2と、MR素子１にバイアス磁界を印加
するバイアス用電極３と、信号磁界を印加するヨークの
磁気導入層4,5とを設けて構成されている。そしてこれ
らの各部材はそれぞれ薄膜ないし層状に形成され、第３
図に示すように磁性基板６上に非磁性の絶縁層７〜９を
介して積層して設けられており、さらにその上に全体を
保護する絶縁性保護層10が設けられている。なお磁気導
入層５の基端部は絶縁層７に形成されたバックスルーホ
ール13を介して磁性基板６に接している。
る磁性基板６上に、MR素子１とこれから信号を取り出す
ための信号電極2,2と、MR素子１にバイアス磁界を印加
するバイアス用電極３と、信号磁界を印加するヨークの
磁気導入層4,5とを設けて構成されている。そしてこれ
らの各部材はそれぞれ薄膜ないし層状に形成され、第３
図に示すように磁性基板６上に非磁性の絶縁層７〜９を
介して積層して設けられており、さらにその上に全体を
保護する絶縁性保護層10が設けられている。なお磁気導
入層５の基端部は絶縁層７に形成されたバックスルーホ
ール13を介して磁性基板６に接している。
このような構造で、再生時には磁気記録媒体の信号磁
界がフロントギャップ12を介して磁気導入層4,MR素子1,
磁気導入層5,および磁性基板６からなる磁路を通りMR素
子１に印加される。そして信号磁界の強弱に応じてMR素
子１の内部抵抗が変化し、この変化が再生出力として取
り出される。
界がフロントギャップ12を介して磁気導入層4,MR素子1,
磁気導入層5,および磁性基板６からなる磁路を通りMR素
子１に印加される。そして信号磁界の強弱に応じてMR素
子１の内部抵抗が変化し、この変化が再生出力として取
り出される。
次にこのようなMRヘッドの従来の製造方法を説明する
と、まずNi−ZnまたはMn−Znフェライトなどから形成し
た磁性基板６上にSiO2などから絶縁層７をスパッタによ
り形成する。
と、まずNi−ZnまたはMn−Znフェライトなどから形成し
た磁性基板６上にSiO2などから絶縁層７をスパッタによ
り形成する。
次に絶縁層７上にバイアス用電極３としてAl,Cuなど
からなる導電膜をスパッタにより形成し、化学エッチン
グあるいはイオンエッチングにより図示のパターンに加
工する。
からなる導電膜をスパッタにより形成し、化学エッチン
グあるいはイオンエッチングにより図示のパターンに加
工する。
続いてバイアス用電極３上にSiO2などからなる絶縁層
８をスパッタにより形成する。
８をスパッタにより形成する。
次に絶縁層８上にMR素子１として一軸磁気異方性を有
するNi−FeあるいはNi−Co合金などからなる強磁性合金
薄膜を真空蒸着により数100Åの膜厚で形成し、化学エ
ッチングあるいはイオンエッチングにより図示のパター
ンに加工する。
するNi−FeあるいはNi−Co合金などからなる強磁性合金
薄膜を真空蒸着により数100Åの膜厚で形成し、化学エ
ッチングあるいはイオンエッチングにより図示のパター
ンに加工する。
次は信号電極2,2としてAl,Cuなどからなる薄膜をスパ
ッタにより形成し、MR素子１の両端部に接する図示のパ
ターンにイオンエッチングで加工する。
ッタにより形成し、MR素子１の両端部に接する図示のパ
ターンにイオンエッチングで加工する。
さらにMR素子１上にSiO2などからなる絶縁層９をスパ
ッタにより形成した後、絶縁層７〜９をイオンエッチン
グしてフロントギャップ12部分とバックスルーホール13
を加工、形成する。
ッタにより形成した後、絶縁層７〜９をイオンエッチン
グしてフロントギャップ12部分とバックスルーホール13
を加工、形成する。
続いてパーマロイやセンダストなどの軟磁性材からな
る磁気導入層4,5をスパッタにより形成し、イオンエッ
チングにより図示のパターン形状に加工する。
る磁気導入層4,5をスパッタにより形成し、イオンエッ
チングにより図示のパターン形状に加工する。
最後に全体の上にSiO2などからなる絶縁性保護層10を
スパッタなどにより形成してMRヘッドが完成する。
スパッタなどにより形成してMRヘッドが完成する。
［発明が解決しようとする問題点］ ところがこのようなMRヘッドでは、MR素子１上に絶縁
層９をスパッタで形成する時に絶縁層９に微小なピンホ
ールができる場合がある。
層９をスパッタで形成する時に絶縁層９に微小なピンホ
ールができる場合がある。
この場合この上に形成される磁気導入層4,5が上記ピ
ンホールを介してMR素子１と電気的に短絡してしまい、
ヘッドが不良品となってしまうという問題があった。
ンホールを介してMR素子１と電気的に短絡してしまい、
ヘッドが不良品となってしまうという問題があった。
これに対して絶縁層９の厚さを例えば１μｍ以上と厚
くすればピンホールは解消されるが、そうするとMR素子
１と磁気導入層4,5との間の磁気抵抗が増大し、MRヘッ
ドの再生効率が低下するという問題があった。
くすればピンホールは解消されるが、そうするとMR素子
１と磁気導入層4,5との間の磁気抵抗が増大し、MRヘッ
ドの再生効率が低下するという問題があった。
［問題点を解決するための手段］ このような問題点を解決するため、本発明のMRヘッド
の製造方法においては、 所定領域の第１の絶縁層上であって、この第１の絶縁
層の領域よりも小さい領域に薄膜からなるMR素子を積層
する工程と、 前記第１の絶縁層上において前記MR素子を全幅にわた
って覆うごとく第２の絶縁層を積層する工程と、 この第２の絶縁層に形成されるピンホールを塞ぐため
に、この第２の絶縁層上に無機絶縁材料の溶液を塗布し
た後に、これを焼成して第３の絶縁層を形成する工程
と、 前記MR素子に信号磁界を印加する磁気導入層を、前記
第３の絶縁層上に積層して形成する工程と、 を有する方法を採用した。
の製造方法においては、 所定領域の第１の絶縁層上であって、この第１の絶縁
層の領域よりも小さい領域に薄膜からなるMR素子を積層
する工程と、 前記第１の絶縁層上において前記MR素子を全幅にわた
って覆うごとく第２の絶縁層を積層する工程と、 この第２の絶縁層に形成されるピンホールを塞ぐため
に、この第２の絶縁層上に無機絶縁材料の溶液を塗布し
た後に、これを焼成して第３の絶縁層を形成する工程
と、 前記MR素子に信号磁界を印加する磁気導入層を、前記
第３の絶縁層上に積層して形成する工程と、 を有する方法を採用した。
［作用］ 上記の製造方法によれば、上記第２の絶縁層のピンホ
ールを確実に塞ぐ第３の絶縁層を形成できる。これによ
りMR素子、磁気導入層間の第２と第３の絶縁層全体とし
てピンホールを無くすことができ、MR素子、磁気導入層
間の絶縁性を良好にすることができる。また、このよう
にして絶縁性を良好にできるためMR素子、磁気導入層間
の絶縁層全体をより薄くでき、ヘッドの再生効率を向上
できる。
ールを確実に塞ぐ第３の絶縁層を形成できる。これによ
りMR素子、磁気導入層間の第２と第３の絶縁層全体とし
てピンホールを無くすことができ、MR素子、磁気導入層
間の絶縁性を良好にすることができる。また、このよう
にして絶縁性を良好にできるためMR素子、磁気導入層間
の絶縁層全体をより薄くでき、ヘッドの再生効率を向上
できる。
［実施例］ 以下、本発明の実施例の詳細を説明する。
第１図は本発明の実施例によるヨークタイプのMRヘッ
ドの構造を説明する断面図である。同図において従来例
の第２図、第３図と同一もしくは相当する部分には同一
符号が付してあり、同一部分の説明は省略する。
ドの構造を説明する断面図である。同図において従来例
の第２図、第３図と同一もしくは相当する部分には同一
符号が付してあり、同一部分の説明は省略する。
第１図に示すように本実施例のMRヘッドの構造は従来
例とほぼ同様であるが、従来例と異なる点としてMR素子
１と磁気導入層4,5間に２層の絶縁層9,11を積層して設
けている。
例とほぼ同様であるが、従来例と異なる点としてMR素子
１と磁気導入層4,5間に２層の絶縁層9,11を積層して設
けている。
そしてこの内で第１の絶縁層９は第３図の従来例の絶
縁層９と同様の材料と方法で形成するが、その厚さは従
来例より薄くするものとし、第２の絶縁層11は第１の絶
縁層９にできるピンホールを埋めて塞ぐものとする。
縁層９と同様の材料と方法で形成するが、その厚さは従
来例より薄くするものとし、第２の絶縁層11は第１の絶
縁層９にできるピンホールを埋めて塞ぐものとする。
次に本実施例ヘッドの製造方法を説明する。
まず磁性基板６上に絶縁層7,バイアス用電極3,絶縁層
8,MR素子１および信号電極2,2をそれぞれ従来と同様の
材料と方法で順次形成する。
8,MR素子１および信号電極2,2をそれぞれ従来と同様の
材料と方法で順次形成する。
しかる後にMR素子１に絶縁層９をSiO2やSiOなどから
スパッタや真空蒸着などの方法により1000〜2000Åの厚
さで形成する。
スパッタや真空蒸着などの方法により1000〜2000Åの厚
さで形成する。
次に絶縁層９上に絶縁層11を形成するために、まず絶
縁層９上に非磁性の無機絶縁材料を溶剤に溶かした溶液
をスピンコートなどの方法により数1000Åの厚さで塗布
する。この溶液としては例えばシリコン系のもので塗布
型SiO2などが用いられる。塗布された溶液は絶縁層９上
に拡がるとともに絶縁層９にできているピンホールに充
填される。
縁層９上に非磁性の無機絶縁材料を溶剤に溶かした溶液
をスピンコートなどの方法により数1000Åの厚さで塗布
する。この溶液としては例えばシリコン系のもので塗布
型SiO2などが用いられる。塗布された溶液は絶縁層９上
に拡がるとともに絶縁層９にできているピンホールに充
填される。
次に焼成することにより上記溶液の層を硬化させて上
記の絶縁層11が形成される。この場合上記ピンホール中
の溶液が硬化してピンホールが確実に塞がれる。
記の絶縁層11が形成される。この場合上記ピンホール中
の溶液が硬化してピンホールが確実に塞がれる。
なおこの際の焼成温度は400℃以下で、例えば300℃〜
400℃の範囲内の温度とする。これは400℃以上の温度で
焼成した場合にはMR素子１の一軸磁気異方性が劣化しヘ
ッドの特性に悪影響を与えるからである。
400℃の範囲内の温度とする。これは400℃以上の温度で
焼成した場合にはMR素子１の一軸磁気異方性が劣化しヘ
ッドの特性に悪影響を与えるからである。
またこの焼成は真空中で行なうことが望ましい。これ
は大気中で焼成した場合にはMR素子１の表面が酸化して
その特性が劣化するおそれがあるからである。
は大気中で焼成した場合にはMR素子１の表面が酸化して
その特性が劣化するおそれがあるからである。
しかる後に従来例の場合と同様にしてフロントギャッ
プ12部分とバックスルーホール13を加工、形成し、磁気
導入層4,5および絶縁性保護層10を形成して本実施例のM
Rヘッドが完成する。
プ12部分とバックスルーホール13を加工、形成し、磁気
導入層4,5および絶縁性保護層10を形成して本実施例のM
Rヘッドが完成する。
このような本実施例によれば絶縁層９にできるピンホ
ールが絶縁層11により確実に塞がれ、絶縁層9,11全体と
してピンホールを無くし、MR素子１と磁気導入層4,5の
間の絶縁性を良好にすることができる。従ってMRヘッド
の製造上の歩留まりを向上でき、製造コストの低減が図
れる。
ールが絶縁層11により確実に塞がれ、絶縁層9,11全体と
してピンホールを無くし、MR素子１と磁気導入層4,5の
間の絶縁性を良好にすることができる。従ってMRヘッド
の製造上の歩留まりを向上でき、製造コストの低減が図
れる。
また上記のようにして絶縁性を良好にできることから
絶縁層9,11全体の厚さを従来例の絶縁層９より薄くで
き、MR素子１と磁気導入層4,5の間の磁気抵抗を小さく
してMRヘッドの再生効率を向上できる。
絶縁層9,11全体の厚さを従来例の絶縁層９より薄くで
き、MR素子１と磁気導入層4,5の間の磁気抵抗を小さく
してMRヘッドの再生効率を向上できる。
［発明の効果］ 以上の説明から明らかなように、本発明によれば、MR
ヘッドの製造方法において、所定領域の第１の絶縁層上
であって、この第１の絶縁層の領域よりも小さい領域に
薄膜からなるMR素子を積層する工程と、前記第１の絶縁
層上において前記MR素子を全幅にわたって覆うごとく第
２の絶縁層を積層する工程と、この第２の絶縁層に形成
されるピンホールを塞ぐために、この第２の絶縁層上に
無機絶縁材料の溶液を塗布した後に、これを焼成して第
３の絶縁層を形成する工程と、前記MR素子に信号磁界を
印加する磁気導入層を、前記第３の絶縁層上に積層して
形成する工程と、を有する方法を採用したので、第２の
絶縁層に形成されるピンホールを第３の絶縁層で確実に
塞ぎ、MR素子，磁気導入層間の絶縁性を良好にでき、MR
ヘッドの製造上の歩留まりを向上して製造コストの低減
が図れる。またMR素子，磁気導入層間の絶縁層全体の厚
さを薄くでき、MRヘッドの再生効率の向上が図れるとい
う優れた効果が得られる。
ヘッドの製造方法において、所定領域の第１の絶縁層上
であって、この第１の絶縁層の領域よりも小さい領域に
薄膜からなるMR素子を積層する工程と、前記第１の絶縁
層上において前記MR素子を全幅にわたって覆うごとく第
２の絶縁層を積層する工程と、この第２の絶縁層に形成
されるピンホールを塞ぐために、この第２の絶縁層上に
無機絶縁材料の溶液を塗布した後に、これを焼成して第
３の絶縁層を形成する工程と、前記MR素子に信号磁界を
印加する磁気導入層を、前記第３の絶縁層上に積層して
形成する工程と、を有する方法を採用したので、第２の
絶縁層に形成されるピンホールを第３の絶縁層で確実に
塞ぎ、MR素子，磁気導入層間の絶縁性を良好にでき、MR
ヘッドの製造上の歩留まりを向上して製造コストの低減
が図れる。またMR素子，磁気導入層間の絶縁層全体の厚
さを薄くでき、MRヘッドの再生効率の向上が図れるとい
う優れた効果が得られる。
第１図は本発明の実施例によるMRヘッドの構造を示す要
部の断面図、第２図は従来のMRヘッドの構造を示す要部
の斜視図、第３図は第２図のＡ−Ａ′線による断面図で
ある。 １……MR素子、２……信号電極 ３……バイアス用電極、4,5……磁気導入層 ６……磁性基板 ７〜９……絶縁層 10……絶縁性保護層 11……非磁性無機絶縁層 12……フロントギャップ 13……バックスルーホール
部の断面図、第２図は従来のMRヘッドの構造を示す要部
の斜視図、第３図は第２図のＡ−Ａ′線による断面図で
ある。 １……MR素子、２……信号電極 ３……バイアス用電極、4,5……磁気導入層 ６……磁性基板 ７〜９……絶縁層 10……絶縁性保護層 11……非磁性無機絶縁層 12……フロントギャップ 13……バックスルーホール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 後藤 博一 秩父市大字下影森1248番地 キヤノン電 子株式会社内 (72)発明者 林 久範 秩父市大字下影森1248番地 キヤノン電 子株式会社内 (72)発明者 大里 毅 秩父市大字下影森1248番地 キヤノン電 子株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−195889（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−248214（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】所定領域の第１の絶縁層上であって、この
第１の絶縁層の領域よりも小さい領域に薄膜からなる磁
気抵抗効果素子を積層する工程と、 前記第１の絶縁層上において前記磁気抵抗効果素子を全
幅にわたって覆うごとく第２の絶縁層を積層する工程
と、 この第２の絶縁層に形成されるピンホールを塞ぐため
に、この第２の絶縁層上に無機絶縁材料の溶液を塗布し
た後に、これを焼成して第３の絶縁層を形成する工程
と、 前記磁気抵抗効果素子に信号磁界を印加する磁気導入層
を、前記第３の絶縁層上に積層して形成する工程と、 を有することを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61262674A JP2618380B2 (ja) | 1986-11-06 | 1986-11-06 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61262674A JP2618380B2 (ja) | 1986-11-06 | 1986-11-06 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63117308A JPS63117308A (ja) | 1988-05-21 |
| JP2618380B2 true JP2618380B2 (ja) | 1997-06-11 |
Family
ID=17379022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61262674A Expired - Lifetime JP2618380B2 (ja) | 1986-11-06 | 1986-11-06 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2618380B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2561565Y2 (ja) * | 1991-05-01 | 1998-01-28 | ワイケイケイ株式会社 | コードストッパー |
| JPH0534907U (ja) * | 1991-10-17 | 1993-05-14 | 吉田工業株式会社 | コードストツパー |
| WO2014171292A1 (ja) | 2013-04-18 | 2014-10-23 | ソニー株式会社 | コネクタ装置及び無線伝送システム |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59195889A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-07 | Nec Corp | ヨ−ク付強磁性磁気抵抗効果素子の製造方法 |
| JPS61248214A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-05 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘツド |
-
1986
- 1986-11-06 JP JP61262674A patent/JP2618380B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63117308A (ja) | 1988-05-21 |
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