JPH0589435A - 磁気抵抗効果型磁気ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘツドInfo
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- JPH0589435A JPH0589435A JP3249137A JP24913791A JPH0589435A JP H0589435 A JPH0589435 A JP H0589435A JP 3249137 A JP3249137 A JP 3249137A JP 24913791 A JP24913791 A JP 24913791A JP H0589435 A JPH0589435 A JP H0589435A
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- magneto
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/399—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures with intrinsic biasing, e.g. provided by equipotential strips
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- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
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- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
- Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
- Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
- Y10T29/49034—Treating to affect magnetic properties
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】特別な部材を付加することなく、ＭＲ素子に単
磁区化するためのバイアス磁界を与えることができる磁
気抵抗効果型磁気ヘッドを提供すること。 【構成】磁気抵抗効果素子３と、この磁気抵抗効果素子
３の両端部に接続された導電性リード４とを有する磁気
抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果素子３の
両端部５を導電性リード４の構成材料などの不純物元素
を混入させて硬磁性体化し、この硬磁性体化された両端
部５を少なくとも磁気抵抗効果素子３の長手方向に平行
な磁化成分を持つように磁化した磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッド。
磁区化するためのバイアス磁界を与えることができる磁
気抵抗効果型磁気ヘッドを提供すること。 【構成】磁気抵抗効果素子３と、この磁気抵抗効果素子
３の両端部に接続された導電性リード４とを有する磁気
抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果素子３の
両端部５を導電性リード４の構成材料などの不純物元素
を混入させて硬磁性体化し、この硬磁性体化された両端
部５を少なくとも磁気抵抗効果素子３の長手方向に平行
な磁化成分を持つように磁化した磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッド。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、磁気記録再生装置の
再生ヘッドとして使用される磁気抵抗効果型磁気ヘッド
に関する。
再生ヘッドとして使用される磁気抵抗効果型磁気ヘッド
に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録媒体に記録された信号を再生す
るための磁気ヘッドとして、磁気抵抗効果型磁気ヘッド
が注目され出している。磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、
磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子という）と呼ばれ
る、ある種の強磁性体の電気抵抗が外部磁界の大きさに
応じて変化する現象を利用して、磁気記録媒体からの信
号磁界をＭＲ素子の平均磁化方向の変化に伴う電気抵抗
の変化として検出して再生を行うヘッドである。ＭＲ素
子の電気抵抗の変化は、ＭＲ素子にセンス電流を流した
ときの電圧降下または電流変化として検出される。
るための磁気ヘッドとして、磁気抵抗効果型磁気ヘッド
が注目され出している。磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、
磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子という）と呼ばれ
る、ある種の強磁性体の電気抵抗が外部磁界の大きさに
応じて変化する現象を利用して、磁気記録媒体からの信
号磁界をＭＲ素子の平均磁化方向の変化に伴う電気抵抗
の変化として検出して再生を行うヘッドである。ＭＲ素
子の電気抵抗の変化は、ＭＲ素子にセンス電流を流した
ときの電圧降下または電流変化として検出される。
【０００３】このような磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、
媒体との相対速度に依存せずに大きな再生出力が得られ
るため、小型・大容量の磁気ディスク装置などの磁気記
憶装置用の再生ヘッドに適している。
媒体との相対速度に依存せずに大きな再生出力が得られ
るため、小型・大容量の磁気ディスク装置などの磁気記
憶装置用の再生ヘッドに適している。
【０００４】しかしながら、磁気抵抗効果型磁気ヘッド
はＭＲ素子内の磁壁移動に伴うバルクハウゼンノイズを
有するという特有の問題を持っている。このノイズを抑
圧するためには、１）磁壁を固定するか、あるいは２）
磁壁そのものを除去する、即ちＭＲ素子を単磁区構造と
すればよい。通常は、後者の方法がとられる。ＭＲ素子
を単磁区にすることについては、例えばC.H.Bajoreck e
t al.AIP ConferencePreceedings No.10,Part1,“Magne
tism and Magnetic Materials”に開示されている。
はＭＲ素子内の磁壁移動に伴うバルクハウゼンノイズを
有するという特有の問題を持っている。このノイズを抑
圧するためには、１）磁壁を固定するか、あるいは２）
磁壁そのものを除去する、即ちＭＲ素子を単磁区構造と
すればよい。通常は、後者の方法がとられる。ＭＲ素子
を単磁区にすることについては、例えばC.H.Bajoreck e
t al.AIP ConferencePreceedings No.10,Part1,“Magne
tism and Magnetic Materials”に開示されている。
【０００５】ＭＲ素子を安定した単磁区構造とするため
には、形状効果からくるＭＲ素子の長手方向の反磁界
（〜Ｍs ・ｔ／ｗ）よりも大きなバイアス磁界を長手方
向に印加することが有効である。ここに、ｔはＭＲ素子
の厚さ、ｗは幅、Ｍs は飽和磁化である。この手法を実
現したものとして、図４に示すように基板１１上に絶縁
層１２を介して形成されたＭＲ素子１３の端部上に、通
電用の導体リード１４との間に位置して硬磁性体膜１５
を配置し、この硬磁性体膜１５をＭＲ素子１３の長手方
向に磁化することにより、ＭＲ素子１３に長手方向のバ
イアス磁界を印加するようにした磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドが提案されている（例えば椎葉他、電子通信学会技
法、ＭＲ８６−３７）。
には、形状効果からくるＭＲ素子の長手方向の反磁界
（〜Ｍs ・ｔ／ｗ）よりも大きなバイアス磁界を長手方
向に印加することが有効である。ここに、ｔはＭＲ素子
の厚さ、ｗは幅、Ｍs は飽和磁化である。この手法を実
現したものとして、図４に示すように基板１１上に絶縁
層１２を介して形成されたＭＲ素子１３の端部上に、通
電用の導体リード１４との間に位置して硬磁性体膜１５
を配置し、この硬磁性体膜１５をＭＲ素子１３の長手方
向に磁化することにより、ＭＲ素子１３に長手方向のバ
イアス磁界を印加するようにした磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドが提案されている（例えば椎葉他、電子通信学会技
法、ＭＲ８６−３７）。
【０００６】また、図５に示すようにＭＲ素子１３の端
部上に反強磁性体膜１６を配置し、磁性体膜間の交換相
互作用により、ＭＲ素子４５の反強磁性体膜１６直下の
領域のみにバイアス磁界を印加するようにした磁気抵抗
効果型磁気ヘッドも提案されている（米国特許第４，６
６３，６８５号明細書）。
部上に反強磁性体膜１６を配置し、磁性体膜間の交換相
互作用により、ＭＲ素子４５の反強磁性体膜１６直下の
領域のみにバイアス磁界を印加するようにした磁気抵抗
効果型磁気ヘッドも提案されている（米国特許第４，６
６３，６８５号明細書）。
【０００７】しかしながら、図４および図５に示した磁
気抵抗効果型磁気ヘッドは、いずれも硬磁性体膜１５や
反強磁性体膜１６といったバイアス磁界付与のための部
材を別個に必要とするため、製造工程が複雑になるばか
りでなく、これらの部材の配置のためのスペースが必要
となり、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの利点であるマルチ
チャネル化に不利である。
気抵抗効果型磁気ヘッドは、いずれも硬磁性体膜１５や
反強磁性体膜１６といったバイアス磁界付与のための部
材を別個に必要とするため、製造工程が複雑になるばか
りでなく、これらの部材の配置のためのスペースが必要
となり、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの利点であるマルチ
チャネル化に不利である。
【０００８】また、図５の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
場合、ＭＲ素子１３の端部が隣接トラック上に位置し、
不要な隣接トラックの情報をも検出してしまうためにク
ロストークノイズが発生する、反強磁性体膜１６が腐食
しやすいなど、実用化に際して多くの問題がある。
場合、ＭＲ素子１３の端部が隣接トラック上に位置し、
不要な隣接トラックの情報をも検出してしまうためにク
ロストークノイズが発生する、反強磁性体膜１６が腐食
しやすいなど、実用化に際して多くの問題がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、ＭＲ
素子を単磁区化するために、ＭＲ素子の端部上に硬磁性
体膜や反強磁性体膜を配置してＭＲ素子に長手方向のバ
イアス磁界を印加する従来の手法では、バイアス磁界印
加のための部材が新たに必要であるため、製造工程が増
えてコストが上昇すると共に、これらの部材の占有スペ
ースによりマルチチャネル化に適さないという問題があ
った。
素子を単磁区化するために、ＭＲ素子の端部上に硬磁性
体膜や反強磁性体膜を配置してＭＲ素子に長手方向のバ
イアス磁界を印加する従来の手法では、バイアス磁界印
加のための部材が新たに必要であるため、製造工程が増
えてコストが上昇すると共に、これらの部材の占有スペ
ースによりマルチチャネル化に適さないという問題があ
った。
【００１０】従って、本発明は特別に部材を付加するこ
となく、ＭＲ素子に単磁区化するためのバイアス磁界を
与えることができる磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供す
ることを目的とする。
となく、ＭＲ素子に単磁区化するためのバイアス磁界を
与えることができる磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供す
ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題を解
決するため、磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素
子の両端部に接続された導電性リードとを有する磁気抵
抗効果型磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果素子の両端
部を不純物元素の混入により硬磁性体化し、かつ少なく
とも磁気抵抗効果素子の長手方向に平行な磁化成分を持
つように所定方向に磁化したことを特徴とする。
決するため、磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素
子の両端部に接続された導電性リードとを有する磁気抵
抗効果型磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果素子の両端
部を不純物元素の混入により硬磁性体化し、かつ少なく
とも磁気抵抗効果素子の長手方向に平行な磁化成分を持
つように所定方向に磁化したことを特徴とする。
【００１２】好ましい実施態様としては、磁気抵抗効果
素子の両端部は導電性リードの構成材料の混入により硬
磁性体化される。また、磁気抵抗効果素子がパーマロイ
により形成される場合、不純物元素としてＣｕまたはＴ
ｉが添加されることにより、両端部が硬磁性体化され
る。
素子の両端部は導電性リードの構成材料の混入により硬
磁性体化される。また、磁気抵抗効果素子がパーマロイ
により形成される場合、不純物元素としてＣｕまたはＴ
ｉが添加されることにより、両端部が硬磁性体化され
る。
【００１３】磁気抵抗効果素子の硬磁性体化された両端
部の磁化方向は、磁気抵抗効果素子の長手方向と平行で
もよいが、磁気抵抗効果素子の長手方向に対して斜め方
向でもよい。
部の磁化方向は、磁気抵抗効果素子の長手方向と平行で
もよいが、磁気抵抗効果素子の長手方向に対して斜め方
向でもよい。
【００１４】
【作用】磁気抵抗効果素子の硬磁性体化された両端部
は、磁気抵抗効果素子の長手方向に平行な磁化成分を持
つように磁化されているため、磁気抵抗効果素子の両端
部を除く部分（感磁部）に対して、少なくとも長手方向
にバイアス磁界を印加するように作用する。この長手方
向のバイアス磁界により、磁気抵抗効果素子の感磁部は
単磁区となって、バルクハウゼンノイズの発生が防止さ
れる。
は、磁気抵抗効果素子の長手方向に平行な磁化成分を持
つように磁化されているため、磁気抵抗効果素子の両端
部を除く部分（感磁部）に対して、少なくとも長手方向
にバイアス磁界を印加するように作用する。この長手方
向のバイアス磁界により、磁気抵抗効果素子の感磁部は
単磁区となって、バルクハウゼンノイズの発生が防止さ
れる。
【００１５】そして、本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドでは、磁気抵抗効果素子の両端部で上記のバイアス磁
界を発生させるため、特別な部材を新たな付加すること
なしに磁気抵抗効果素子を単磁区化することができる。
ドでは、磁気抵抗効果素子の両端部で上記のバイアス磁
界を発生させるため、特別な部材を新たな付加すること
なしに磁気抵抗効果素子を単磁区化することができる。
【００１６】さらに、磁気抵抗効果素子の硬磁性体化さ
れた両端部を磁気抵抗効果素子の長手方向に対して斜め
方向に磁化すれば、磁気抵抗効果素子を流れるセンス電
流による磁気抵抗効果素子に斜め方向の自己バイアス磁
界と組み合わせて磁気抵抗効果素子の動作点を磁気抵抗
効果磁電変換特性の直線性の良い領域に設定することが
できる。すなわち、磁気抵抗効果素子の硬磁性体化され
た両端部を単磁区化と動作点バイアスのためのバイアス
磁界発生源として共用できる。
れた両端部を磁気抵抗効果素子の長手方向に対して斜め
方向に磁化すれば、磁気抵抗効果素子を流れるセンス電
流による磁気抵抗効果素子に斜め方向の自己バイアス磁
界と組み合わせて磁気抵抗効果素子の動作点を磁気抵抗
効果磁電変換特性の直線性の良い領域に設定することが
できる。すなわち、磁気抵抗効果素子の硬磁性体化され
た両端部を単磁区化と動作点バイアスのためのバイアス
磁界発生源として共用できる。
【００１７】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。図１は、本発明の一実施例に係る磁気抵抗効果型
磁気ヘッドの要部の斜視図である。ヘッド基板１は例え
ばＡｌ2 Ｏ3 またはＴｉＣなどからなり、この基板１上
にＳｉＯ2 膜などの絶縁層２を介して帯状の磁気抵抗素
子（以下、ＭＲ素子という）３が形成され、さらにＭＲ
素子３の長手方向両端に一端が接するように、通電用の
導体リード４が設けられている。ＭＲ素子３は例えばパ
ーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）膜であり、また導体リード
４はＣｕまたはＴｉなどの金属材料膜により形成され
る。
する。図１は、本発明の一実施例に係る磁気抵抗効果型
磁気ヘッドの要部の斜視図である。ヘッド基板１は例え
ばＡｌ2 Ｏ3 またはＴｉＣなどからなり、この基板１上
にＳｉＯ2 膜などの絶縁層２を介して帯状の磁気抵抗素
子（以下、ＭＲ素子という）３が形成され、さらにＭＲ
素子３の長手方向両端に一端が接するように、通電用の
導体リード４が設けられている。ＭＲ素子３は例えばパ
ーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）膜であり、また導体リード
４はＣｕまたはＴｉなどの金属材料膜により形成され
る。
【００１８】ＭＲ素子３の両端部５、すなわち導体リー
ド４の直下の部分は不純物元素、例えば導体リード４の
構成材料であるＣｕまたはＴｉが混入されることによ
り、硬磁性体化されている。そして、この硬磁性体化さ
れた両端部５はＭＲ素子３の矢印ＡまたはＢで示す長手
方向に磁化されている。この磁化によってＭＲ素子３に
長手方向のバイアス磁界が印加されることにより、ＭＲ
素子３は単磁区化されている。従って、この磁気抵抗効
果型磁気ヘッドでは、ＭＲ素子が単磁区構造でないこと
に起因する磁壁移動に伴うバルクハウゼンノイズは生じ
ない。
ド４の直下の部分は不純物元素、例えば導体リード４の
構成材料であるＣｕまたはＴｉが混入されることによ
り、硬磁性体化されている。そして、この硬磁性体化さ
れた両端部５はＭＲ素子３の矢印ＡまたはＢで示す長手
方向に磁化されている。この磁化によってＭＲ素子３に
長手方向のバイアス磁界が印加されることにより、ＭＲ
素子３は単磁区化されている。従って、この磁気抵抗効
果型磁気ヘッドでは、ＭＲ素子が単磁区構造でないこと
に起因する磁壁移動に伴うバルクハウゼンノイズは生じ
ない。
【００１９】このような磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、
薄膜プロセスにより容易に製造することができる。以
下、その製造方法の一例を説明する。通常の磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッドと同様に、まず基板１上にスパッタ
装置やイオンエッチング装置等を用いて絶縁層２および
磁気抵抗効果素子３を順次形成した後、ＳｉＯ2 膜等の
絶縁層を形成し、その絶縁層の磁気抵抗効果素子３の両
端部５上（導体リード４の接続部）を開口する。
薄膜プロセスにより容易に製造することができる。以
下、その製造方法の一例を説明する。通常の磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッドと同様に、まず基板１上にスパッタ
装置やイオンエッチング装置等を用いて絶縁層２および
磁気抵抗効果素子３を順次形成した後、ＳｉＯ2 膜等の
絶縁層を形成し、その絶縁層の磁気抵抗効果素子３の両
端部５上（導体リード４の接続部）を開口する。
【００２０】次に、導体リード４となるＣｕまたはＴｉ
膜をバイアススパッタ法で形成し、ＣｕまたはＴｉを磁
気抵抗効果素子３の両端部に混入させる。他の方法とし
て、あるいはＣｕまたはＴｉをイオン注入や熱拡散によ
って磁気抵抗効果素子３の両端部５に混入させてもよ
い。こうしてＣｕまたはＴｉが混入された磁気抵抗効果
素子（Ｆｅ−Ｎｉ合金）３の両端部５は、Ｆｅ−Ｎｉ−
ＣｕまたはＦｅ−Ｎｉ−Ｔｉ合金となる。このような合
金は、例えば、(1) Marsh,Alloys of Iron andNickel,M
cgraw-hill,New York,1938、(2) E.P.WOHLFARTH 編集、
FERROMAGNETICMATERIALS VOL.3,p117に記載されてよう
に、抗磁力が数百エルステッドの硬磁性体となる。
膜をバイアススパッタ法で形成し、ＣｕまたはＴｉを磁
気抵抗効果素子３の両端部に混入させる。他の方法とし
て、あるいはＣｕまたはＴｉをイオン注入や熱拡散によ
って磁気抵抗効果素子３の両端部５に混入させてもよ
い。こうしてＣｕまたはＴｉが混入された磁気抵抗効果
素子（Ｆｅ−Ｎｉ合金）３の両端部５は、Ｆｅ−Ｎｉ−
ＣｕまたはＦｅ−Ｎｉ−Ｔｉ合金となる。このような合
金は、例えば、(1) Marsh,Alloys of Iron andNickel,M
cgraw-hill,New York,1938、(2) E.P.WOHLFARTH 編集、
FERROMAGNETICMATERIALS VOL.3,p117に記載されてよう
に、抗磁力が数百エルステッドの硬磁性体となる。
【００２１】次に、ＣｕまたはＴｉ膜を所定形状にエッ
チングして導体リード４を形成し、さらに図１には示さ
れていない保護層を形成した後、該硬磁性体の抗磁力よ
り大きな直流磁界を印加することにより、硬磁性体を矢
印ＡまたはＢの向きに磁化する。最後に保護層を全面に
形成して、磁気ヘッドが完成する。
チングして導体リード４を形成し、さらに図１には示さ
れていない保護層を形成した後、該硬磁性体の抗磁力よ
り大きな直流磁界を印加することにより、硬磁性体を矢
印ＡまたはＢの向きに磁化する。最後に保護層を全面に
形成して、磁気ヘッドが完成する。
【００２２】次に、本発明の他の実施例を図３により説
明する。この実施例の磁気抵抗効果型磁気ヘッドは構造
は図１と同様であるが、ＭＲ素子３の硬磁性体化された
両端部５がＭＲ素子３の長手方向ｘに対して斜めの矢印
ＣまたはＤの方向に磁化されている点が異なる。
明する。この実施例の磁気抵抗効果型磁気ヘッドは構造
は図１と同様であるが、ＭＲ素子３の硬磁性体化された
両端部５がＭＲ素子３の長手方向ｘに対して斜めの矢印
ＣまたはＤの方向に磁化されている点が異なる。
【００２３】ここで、ＭＲ素子３が矢印Ｃ方向に磁化さ
れている場合は矢印Ａ方向にセンス電流を流し、また矢
印Ｄ方向に磁化されている場合は矢印Ｂ方向にセンス電
流を流すと、センス電流によってＭＲ素子３が発生する
自己バイアス磁界は、長手方向ｘに対して直交する方向
ｙの成分を持つ。この自己バイアス磁界のｙ方向成分に
より、図３に示すＭＲ素子の磁気抵抗効果磁電変換特性
において、ＭＲ素子３の動作点は印加磁界Ｈext に対し
てＨext ＝０の点からずれる。このような自己バイアス
と、斜めに磁化されたＭＲ素子３の両端の磁化によるバ
イアスを組み合わせることにより、ＭＲ素子３は直線性
の良い領域Ｌ、すなわち印加磁界Ｈextに対して抵抗率
ρが直線的に変化する領域で、磁気記録媒体からの信号
磁界を検出できる。従って、磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の検出感度が向上し、大きな再生出力が得られるように
なる。
れている場合は矢印Ａ方向にセンス電流を流し、また矢
印Ｄ方向に磁化されている場合は矢印Ｂ方向にセンス電
流を流すと、センス電流によってＭＲ素子３が発生する
自己バイアス磁界は、長手方向ｘに対して直交する方向
ｙの成分を持つ。この自己バイアス磁界のｙ方向成分に
より、図３に示すＭＲ素子の磁気抵抗効果磁電変換特性
において、ＭＲ素子３の動作点は印加磁界Ｈext に対し
てＨext ＝０の点からずれる。このような自己バイアス
と、斜めに磁化されたＭＲ素子３の両端の磁化によるバ
イアスを組み合わせることにより、ＭＲ素子３は直線性
の良い領域Ｌ、すなわち印加磁界Ｈextに対して抵抗率
ρが直線的に変化する領域で、磁気記録媒体からの信号
磁界を検出できる。従って、磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の検出感度が向上し、大きな再生出力が得られるように
なる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によればＭ
Ｒ素子の両端部を導体リードの構成材料などの不純物元
素を混入させて硬磁性体化した上で、磁気抵抗効果素子
の長手方向に平行な磁化成分を持つように磁化すること
により、ＭＲ素子を単磁区化して、バルクハウゼンノイ
ズの発生を防止できる。この場合、単磁区化のために硬
磁性体や反強磁性体からなる部材を特別に設ける必要が
ないので、製造工程が簡単になるとともに、スペース的
に有利となり、ヘッドのマルチチャネル化にも容易に対
応することができる。
Ｒ素子の両端部を導体リードの構成材料などの不純物元
素を混入させて硬磁性体化した上で、磁気抵抗効果素子
の長手方向に平行な磁化成分を持つように磁化すること
により、ＭＲ素子を単磁区化して、バルクハウゼンノイ
ズの発生を防止できる。この場合、単磁区化のために硬
磁性体や反強磁性体からなる部材を特別に設ける必要が
ないので、製造工程が簡単になるとともに、スペース的
に有利となり、ヘッドのマルチチャネル化にも容易に対
応することができる。
【００２５】さらに、ＭＲ素子の硬磁性体化した両端部
の磁化方向をＭＲ素子の長手方向に対して傾けること
で、ＭＲ素子の動作点バイアスを与えることも可能とな
り、ヘッドの応答の直線性が向上し、大きな再生出力が
得られるという利点もある。
の磁化方向をＭＲ素子の長手方向に対して傾けること
で、ＭＲ素子の動作点バイアスを与えることも可能とな
り、ヘッドの応答の直線性が向上し、大きな再生出力が
得られるという利点もある。
【図１】本発明の一実施例に係る磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの要部の斜視図
ッドの要部の斜視図
【図２】本発明の他の実施例に係る磁気抵抗効果型磁気
ヘッドの要部の斜視図
ヘッドの要部の斜視図
【図３】同実施例の効果を説明するためのＭＲ素子の磁
電変換特性を示す図
電変換特性を示す図
【図４】従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの要部の斜視
図
図
【図５】従来の他の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの要部の
斜視図。
斜視図。
１…ヘッド基板 ２…絶縁層 ３…ＭＲ素子 ４…導体リー
ド ５…硬磁性化された両端部
ド ５…硬磁性化された両端部
Claims (1)
- 【請求項１】磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素
子の両端部に接続された導電性リードとを有する磁気抵
抗効果型磁気ヘッドにおいて、 前記磁気抵抗効果素子の両端部が不純物元素の混入によ
り硬磁性体化され、かつ少なくとも磁気抵抗効果素子の
長手方向に平行な磁化成分を有するように所定方向に磁
化されていることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
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| JP3249137A JPH0589435A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
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Family
ID=17188479
Family Applications (1)
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Also Published As
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