JP2010020826A - 磁気センサー - Google Patents
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Abstract
【解決手段】磁気センサー100aにおいて、非磁性導電層5と、非磁性導電層5の第一の部分上に設けられた磁化自由層6と、非磁性導電層5の第一の部分とは異なる第二の部分上に設けられた磁化固定層7と、非磁性導電層5及び磁化自由層6を間に挟んで対向する上部第一磁気シールド層11及び下部第一磁気シールド層1と、非磁性導電層5及び磁化固定層7を間に挟んで対向する上部第二磁気シールド層12及び下部第二磁気シールド層2と、下部第二磁気シールド層2と非磁性導電層5との間に設けられた第一電気絶縁層21と、下部第二磁気シールド層2と非磁性導電層5とを電気的に接続する第一電極層4と、を備え、非磁性導電層5を間に介して、磁化固定層7と第一電極層4とが互いに対向していることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
以下、第1実施形態に係る磁気センサーの一例として、薄膜磁気記録再生ヘッド100Aを説明する。
以下、第2実施形態に係る、磁気センサーの一例としての薄膜磁気記録再生ヘッド100Bを説明する。
Claims (14)
- 非磁性導電層と、
前記非磁性導電層の第一の部分上に設けられた磁化自由層と、
前記非磁性導電層の前記第一の部分とは異なる第二の部分上に設けられた磁化固定層と、
前記非磁性導電層及び前記磁化自由層を間に挟んで対向する上部第一磁気シールド層及び下部第一磁気シールド層と、
前記非磁性導電層及び前記磁化固定層を間に挟んで対向する上部第二磁気シールド層及び下部第二磁気シールド層と、
前記下部第二磁気シールド層と前記非磁性導電層との間に設けられた第一電気絶縁層と、
前記下部第二磁気シールド層と前記非磁性導電層とを電気的に接続する第一電極層と、を備え、
前記非磁性導電層を間に介して、前記磁化固定層と前記第一電極層とが互いに対向している磁気センサー。 - 前記第一電極層は、前記磁化固定層のうちの前記磁化自由層側の部分と対向している請求項1に記載の磁気センサー。
- 前記非磁性導電層及び前記第一電極層は同一の材料から形成されており、
前記非磁性導電層の厚みと前記第一電極層の厚みとの和が、前記磁化固定層から前記磁化自由層までの距離よりも大きい請求項1又は2に記載の磁気センサー。 - 前記下部第一磁気シールド層は前記下部第二磁気シールド層よりも前記非磁性導電層に近く配置されている請求項1〜3のいずれか1項に記載の磁気センサー。
- 前記下部第一磁気シールド層と前記下部第二磁気シールド層とは接触しており、
前記下部第一磁気シールド層と前記非磁性導電層との間に第二電気絶縁層を更に備える請求項1〜4のいずれか1項に記載の磁気センサー。 - 前記下部第一磁気シールド層と前記下部第二磁気シールド層とは互いに独立して設けられている請求項1〜4のいずれか1項に記載の磁気センサー。
- 前記磁化自由層にバイアス磁界を印加する永久磁石を更に備える請求項1〜6のいずれか1項に記載の磁気センサー。
- 前記磁化固定層の磁化方向は、
前記磁化固定層上に設けられた反強磁性層、及び前記磁化固定層の形状異方性のうち少なくとも一つによって固定されている請求項1〜7のいずれか1項に記載の磁気センサー。 - 前記磁化固定層の保磁力は、前記磁化自由層の保磁力よりも大きい請求項1〜8のいずれか1項に記載の磁気センサー。
- 前記磁化自由層は、前記非磁性導電層の磁束が進入する側に配置され、
前記磁化固定層は、前記非磁性導電層の磁束が進入する側の反対側に配置されている請求項1〜9のいずれか1項に記載の磁気センサー。 - 前記磁化自由層の材料は、B、V、Cr、Mn、Co、Fe及びNiからなる群から選択される金属、前記群の元素を1以上含む合金、又は、前記群から選択される1以上の元素及びB、C、及びNからなる群から選択される1以上の元素を含む合金である請求項1〜10のいずれか1項に記載の磁気センサー。
- 前記磁化固定層の材料は、B、V、Cr、Mn、Co、Fe及びNiからなる群から選択される金属、前記群の元素を1以上含む合金、又は、前記群から選択される1以上の元素及びB、C、及びNからなる群から選択される1以上の元素を含む合金である請求項1〜11のいずれか1項に記載の磁気センサー。
- 前記非磁性導電層の材料は、B、C、Mg、Al、Ag、及びCuからなる群から選択される一つ以上の元素を含む材料である請求項1〜12のいずれか1項に記載の磁気センサー。
- 前記非磁性導電層の材料は、Si又はZnOを含む半導体化合物である請求項1〜12のいずれか1項に記載の磁気センサー。
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