JP6413428B2 - 磁気センサ、磁気ヘッド及び生体磁気センサ - Google Patents
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Description
ャンネル層と磁化固定層の界面の抵抗よりも低いことを特徴とする磁気センサである。
(第1実施形態)
以下に、第1実施形態に係る磁気センサ100aの製造方法の一例について説明する。まず、熱酸化珪素膜が設けられた基板上に、下部磁気シールド層1、第一絶縁層3をこの順にスパッタ法によって連続成膜する。次に、第一絶縁層3の一部をミリングによって削り取り、この削った部分に第一電極4を成膜する。
ように、電流源70から検出用電流Iを、下部磁気シールド層1、第一電極4、チャンネル層5、磁化固定層7、反強磁性層8、第二電極9、上部第二磁気シールド層12、の順に流す。
実施例2は、図4に示すような磁気センサの構成とし、磁化自由層6と磁化固定層7を形成する順番を逆にした以外は、実施例1と同様にして作成した。
た、出力波形に対する信号の振動幅で定義されるノイズは0.8μVであった。さらに、磁化自由層6とチャンネル層5の界面の抵抗は8Ωであり、磁化固定層7とチャンネル層5の界面の抵抗は80Ωであった。
比較例1では実施例1及び実施例2と同様の素子を作成した。但し、磁化固定層7は磁化自由層6と同じプロセスで作成した。チャンネル層5の厚さは、d1=0.005μm、d2=0.005μmとした。まず、熱酸化珪素膜が設けられた基板上に、下部磁気シールド層1、第一絶縁層3をこの順にスパッタ法によって連続成膜する。次に、第一絶縁層3の一部をミリングによって削り取り、この削った部分に第一電極4を成膜する。
また、出力波形に対する信号の振動幅で定義されるノイズは4 μVであった。さらに、磁化自由層6とチャンネル層5の界面の抵抗は75Ωであり、磁化固定層7とチャンネル層5の界面の抵抗は75Ωであった。
以下、第2実施形態に係る磁気センサについて説明する。第2実施形態は第1実施形態と同様であるが、第1実施形態を形成した後、磁気ヘッドにおける書き込み部を作製した。なお、第1実施形態の磁気センサ100aは磁気ヘッドにおける読込み部分として機能する。
図6に示すように磁気センサを複数設置した生体磁気センサとして適用することが可能である。作成方法は第1実施形態と同様であるが、図6のような形状とし、第1実施形態の素子を横に並べ、素子の間に磁気シールド16が設置された構造である。また、図6に示したように素子間絶縁層20を設置し、互いの素子のスピン流が他の素子に流れないような構造とした。
Claims (3)
- チャンネル層と、
前記チャンネル層の第一の部分上に設けられた磁化自由層と、
前記チャンネル層の第二の部分上に設けられた磁化固定層と、を備え、
前記磁化自由層の前記チャンネル層側の面と、前記磁化固定層の前記チャンネル層側の面と、が平行であり、
前記第一の部分のチャンネル層の厚さは、前記第二の部分のチャンネル層の厚さより薄く、
前記チャンネル層と前記磁化自由層の界面の抵抗が、前記チャンネル層と前記磁化固定層の界面の抵抗よりも低いことを特徴とする磁気センサ。 - 請求項1に記載の磁気センサからなる読取ヘッド部と、書き込み用の記録ヘッド部と、を備える、磁気ヘッド。
- 請求項1に記載の磁気センサを複数設置した生体磁気センサ。
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