JP5157676B2 - 磁気センサー - Google Patents
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Description
以下、第1実施形態に係るスピン蓄積型磁気センサーの一例を説明する。
基体1としては、例えば、基板単独、又は、基板1a上に絶縁膜や金属膜などの下地膜1bを形成したもの(図2参照)を用いることができる。基板として、例えば、ガラス基板、SiO2基板、MgO基板、GaAs基板、AlTiC基板、SiC基板、Al2O3基板等が挙げられる。また、絶縁膜として、アルミナ等が挙げられる。
非磁性導電層2は、スピン注入によりスピンが蓄積される層である。非磁性導電層2は、基体1上において、X方向を短軸方向とし、Y方向を長軸方向とした矩形形状に設けられている。非磁性導電層2の電気抵抗率は、磁化固定層3及び磁化自由層4の電気抵抗率よりも低い。
磁化固定層3は、所定のスピンを有する電子を非磁性導電層2へ注入するための層である。磁化固定層3は、非磁性導電層2上において、Y方向を短軸方向とし、X方向を長軸方向として延在するように設けられており、非磁性導電層2と重なる部分と、重ならない部分とを有している。磁化固定層3の長軸方向(X方向)は、非磁性導電層2の長軸方向(Y方向)に概略直交する方向に延在している。また、図1に示すように、磁化固定層3の平面形状は、長さ方向の両端が尖った形状とされている。
磁化自由層4は、外部磁界を検出し、磁気記録媒体などの磁化方向の変化を鋭敏に検出するための層である。例えば、磁化自由層4を磁気記録媒体に近接して設置することにより、媒体から磁気情報を好適に読み取ることが可能である。
非磁性低抵抗層10aは磁化固定層3上に設けられ、非磁性低抵抗層10bは磁化自由層4上に設けられている。
磁化固定層3へ検出用電流を流すべく、図1に示すように、非磁性低抵抗層10aにおける非磁性導電層2と重ならない部分(図1では右側端部)に電極E1が接続されており、非磁性導電層2における磁化固定層3と重ならず、且つ磁化固定層3に近い下側端部に電極E2が接続されている。
<磁気センサーの作製方法>
先ず、基板及び下地膜からなる基体上にCu膜を成膜した。続いて、この膜をフォトリソグラフィー法によりパターンニングして、図3に示すような矩形形状を有する非磁性導電層2を形成した。非磁性導電層2の長軸方向(Y方向)の長さL2は20μm、短軸方向(X方向)の長さW2は0.5μm、膜厚T2は0.1μmであった。
実施例1で作製した磁気センサーに対して外部磁界を印加し、これに応じて出力される出力電圧を測定した。外部磁界は、500Oeの範囲とした。また、磁化固定層3から非磁性導電層2へスピンを注入するために、電極E1及びE2に接続された電流源70からの検出用電流を磁化固定層3から非磁性導電層2へ流した。また、磁化自由層4の磁化変化による電圧出力を、電極E3、E4間に接続された電圧測定器80、及び、電極E4、E5間に接続された電圧測定器90により測定した。
比較例1で作製した磁気センサーが、実施例1で作製した磁気センサーと異なる点は、非磁性低抵抗層10a,10bがいずれも形成されていない点である。従って、電極E1が磁化固定層3の非磁性導電層2と重ならない部分に接続され、電極E3が磁化自由層4の非磁性導電層2と重ならない一方の端部に接続され、電極E5が磁化自由層4の非磁性導電層2と重ならない他方の端部に接続されている。その他の構成は実施例1と同様であるので、説明を省略する。
次に、比較例1で作製した磁気センサーを用いて、外部磁界による出力電圧を測定した。その結果、電圧測定器80すなわち電極E3及び電極E4間で観測された出力電圧を1とすると、電圧測定器90すなわち電極E5及び電極E4間で観測された出力電圧は0.27であった。
Claims (10)
- 基体と、
前記基体上に設けられた非磁性導電層と、
前記非磁性導電層の第一の部分及び前記基体上に亘って設けられた磁化固定層と、
前記非磁性導電層の前記第一の部分とは異なる第二の部分及び前記基体上に亘って設けられた磁化自由層と、
前記磁化固定層及び前記磁化自由層のうちの少なくとも一方の層における前記非磁性導電層と重なる部分上に設けられ、且つ前記一方の層の電気抵抗率よりも低い電気抵抗率を有する非磁性低抵抗層と、を備える磁気センサー。 - 前記非磁性低抵抗層は、前記一方の層における、前記非磁性導電層と重なる部分から
前記基体上の部分まで亘って設けられている請求項1に記載の磁気センサー。 - 前記非磁性導電層の電気抵抗率は、前記一方の層の電気抵抗率よりも低い請求項1〜2に記載の磁気センサー。
- 前記磁化固定層及び前記磁化自由層は、形状異方性によって保磁力差が付けられている請求項1〜3のいずれか1項に記載の磁気センサー。
- 前記磁化固定層の上に設けられた反強磁性層を更に備え、
前記反強磁性層は前記磁化固定層の磁化の向きを固定する請求項1〜4のいずれか1項に記載の磁気センサー。 - 前記磁化固定層の保磁力は、前記磁化自由層の保磁力よりも大きい請求項1〜5のいずれか1項に記載の磁気センサー。
- 前記非磁性低抵抗層を、前記磁化固定層及び前記磁化自由層の両方の層の上にそれぞれ備える請求項1〜6のいずれか記載の磁気センサー。
- 前記磁化固定層の材料は、B、V、Cr、Mn、Fe、Co、及びNiからなる群から選択される1以上の元素を含む合金又は酸化物である請求項1〜7のいずれか1項に記載の磁気センサー。
- 前記磁化自由層の材料は、B、V、Cr、Mn、Fe、Co、及びNiからなる群から選択される1以上の元素を含む合金又は酸化物である請求項1〜8のいずれか1項に記載の磁気センサー。
- 前記非磁性低抵抗層の材料は、Mg、Al、Cu、Zn、Ag、Au、及びPtからなる群から選択される金属、又は前記群の元素を1以上含む合金である請求項1〜9のいずれか1項に記載の磁気センサー。
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