JP2006202999A - 薄膜素子の製造方法及びウエハ - Google Patents

Abstract

【課題】ＭＲ素子が微小化された場合でも、測定用端子部について、測定針を当てるのに十分な平面積を確保し、ＭＲ素子の性能検査を容易、かつ、確実に実行しえる製造方法及びこの製造方法に供されるウエハを提供すること。
【解決手段】ウエハ上に多数のＭＲ素子Ｑ１〜ＱＮを整列して形成する。第１の測定端子部３２は、第１の電極膜３１に電気的に接続されており、第２の測定端子部３４は、第２の電極膜３３に電気的に接続されている。第１及び第２の測定端子部３２、３４のそれぞれは、隣接するＭＲ素子の間に設定された切断領域ΔＸ内に設けられている。そして、ウエハ１上において、第１及び第２の測定端子部３２、３４に測定針ＰＶ１，ＰＶ２を当ててＭＲ膜３０の特性を測定し、その後、切断領域ΔＸにおいてウエハ１を切断する。
【選択図】 図７

Description

本発明は、薄膜素子の製造方法及びこの製造方法と密接に関連のあるウエハに関する。

磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子と称する）は、磁気記憶素子、磁気センサまたは薄膜磁気ヘッドなどに用いられる。上述した用途のうち、ＭＲ素子の主要な用途である薄膜磁気ヘッドの多くは、書込み素子と読取素子とを併せ持つ複合型となる。複合型の薄膜磁気ヘッドの製造工程は、読取素子形成工程と書込み素子形成工程に大別される。通常、読取素子部分が最初に集積され、その上部に書き込み素子が積層される。

読取素子形成工程は、ナノ領域の膜厚形成工程を含んでおり、その工程の中で生じることのある品質不良を、工数の多い書込み素子形成工程に入る前、すなわち、読取素子形成工程終了時に品質検査を行うのが望ましい。そこで、従来より、読取素子形成工程を終了した後、書込み素子形成工程前の段階で読取素子の品質の検査を行ってきた。

ところがこの段階では、外部信号線を接合する面積の大きなバンプは形成できていないため、ＭＲ素子に電気的に導通する面積の大きな測定用リード導体膜を形成しておき、このリード導体膜に測定針をあてて、ＭＲ素子の品質、特性を測定してきた。測定用リード導体膜は、一般に、この種のＭＲ素子の製造プロセスにおいて多用される磁性膜、例えばＮｉＦｅ膜によって構成される。

従来の具体例として、例えば特許文献１は、複合型薄膜磁気ヘッドを作製する際に、下層シールドとの同一形成面上に、ＭＲ素子と電気的に接続される一対の素子用リード導体膜と、薄膜コイルと電気的に接続される一対のコイル用リード導体膜とを形成し、素子用リード導体膜及びコイル用リード導体膜を用いて抵抗値の測定を行いながら、ＭＲヘッド及びインダクティブヘッドの各構成要素を積層形成していく製造方法を開示している。

しかしながら、高密度記録化などに伴う薄膜磁気ヘッドの微小化が進むにつれて、当該リード導体膜の平面積も小さくり、測定針を当てることさえ困難になりつつある。

しかも、製造プロセス上のメリットを利用すべく、リード導体膜を、例えばＮｉＦｅ膜などの磁性膜によって構成した場合には、素子の微小化が進むにつれ、磁性体でなるリード導体膜と、ＭＲ素子との磁気的結合が強まり、ＭＲ素子の性能に悪影響を及ぼしてしまう。この問題を回避するためには、リード導体膜の平面積を小さくせざるを得ないが、そうすると、上述した測定上の問題点が生じてしまう。

上述した問題は、薄膜磁気ヘッドに限らず、他の薄膜デバイス、例えば、ＭＲＡＭなどの磁気記憶素子や、磁気センサなどにおいても、生じる。
特開２００２−１８３９１４号公報

本発明の課題は、ＭＲ素子が微小化された場合でも、測定用端子部分について、測定針を当てるのに十分な平面積を確保し、ＭＲ素子の性能検査を容易、かつ、確実に実行しえる製造方法及びこの製造方法に供されるウエハを提供することである。

本発明のもう一つの課題は、ＭＲ素子が微小化された場合でも、測定用端子部分のＭＲ素子に対する磁気的影響を軽減しえる製造方法、及び、この製造方法に供されるウエハを提供することである。

上述した課題を解決するため、本発明に係る薄膜素子の製造方法では、まず、ウエハ上に、多数のＭＲ素子を整列して形成する。前記ＭＲ素子のそれぞれは、ＭＲ膜と、第１の電極膜と、第２の電極膜と、第１の測定端子部と、第２の測定端子部とを有しており、前記第１の電極膜及び前記第２の電極膜は、前記ＭＲ膜に隣接して備えられている。前記第１の測定端子部は、前記第１の電極膜に電気的に接続されており、前記第２の測定端子部は、前記第２の電極膜に電気的に接続されている。

上述した構成は一般的なものであるが、本発明では、特徴点として、前記第１及び第２の測定端子部のそれぞれは、隣接する前記ＭＲ素子の間に設定された切断領域内に設けられている。そこで、前記ウエハ上において、前記第１及び第２の測定端子部に測定針を当てて前記ＭＲ膜の特性を測定する。そして、その後、前記切断領域において、前記ウエハを切断する。

上述したように、本発明では、前記第１及び第２の測定端子部のそれぞれは、隣接する前記ＭＲ素子の間に設定された切断領域内に設けられている。この切断領域は、文字通り、切断のために供されるものであって、薄膜磁気ヘッドの微小化に影響されることなく、その面積を確保できる。したがって、記第１及び第２の測定端子部のそれぞれについても、測定針を当てるのに十分な面積を確保し、ＭＲ素子の性能検査を容易、かつ、確実に実行しえることになる。

しかも、第１及び第２の測定端子部のそれぞれは、隣接するＭＲ素子の間に設定された切断領域内に設けられているから、製造プロセスの利点を生かして、例えば、シールド膜を形成するプロセスにおいて、同時に第１及び第２の測定端子部を形成したため、第１及び第２の測定端子部が磁性材料で構成された場合でも、第１及び第２の測定端子部とＭＲ膜との間の磁気的結合を低減し、薄膜磁気ヘッドが微小化された場合でも、測定用端子部分のＭＲ素子に対する影響を軽減しえる。

ＧＭＲ素子としては、センス電流を、膜面に垂直に流すＣＰＰ構造のものと、膜面に平行に流すＣＩＰ構造ものが知られているが、何れについても、本発明は適用可能である。ＣＰＰ構造の具体例としては、トンネル磁気抵抗効果膜（ＴＭＲ膜）を用いたものや、ＣＰＰ−ＧＭＲ膜を用いたものが知られており、ＣＩＰ構造としては、巨大磁気抵抗効果膜（ＧＭＲ膜）を用いたものが知られている。

ＣＰＰ構造への適用においては、第１の測定端子部は、下部シールド膜として用いられる第１の電極膜に電気的に接続され、第２の測定端子部は、上部シールド膜として用いられる第２の電極膜を延長して形成される。

ＣＩＰ構造の適用においては、第１の測定端子部は、ＭＲ膜の一方の側端面に形成された第１の電極膜を延長して形成され、第２の測定端子部は、ＭＲ膜の他方の側端面に形成された第２の電極膜を延長して形成される。

本発明に係るＭＲ素子は、磁気記憶素子、磁気センサまたは薄膜磁気ヘッドなどに用いられる。その代表例として、薄膜磁気ヘッドへ適用された場合、薄膜素子は、前記ＭＲ膜でなる読取素子と、書込み素子とを含むことになる。この場合は、前記ＭＲ膜の特性を測定した後、前記ウエハを切断する前、更に、前記ＭＲ素子のそれぞれの上に、前記書込み素子を形成する。そして、その後、前記切断領域において、前記ウエハを切断する。

本発明に係る製造方法の実施に適用されるウエハは、多数のＭＲ素子を整列して形成した構成となる。前記ＭＲ素子のそれぞれは、ＭＲ膜と、第１の電極膜と、第２の電極膜と、前記第１の電極膜に導通する第１の測定端子部と、前記第２の電極膜に導通する第２の測定端子部とを有する。前記第１の電極膜及び前記第２の電極膜は、前記ＭＲ膜に隣接して備えられており、前記第１及び第２の測定端子部のそれぞれは、隣接する前記ＭＲ素子の間に設定された切断領域内に設けられている。

このウエハが、本発明に係る製造方法の実施に直接に適用できるものであることは明らかである。また、上述したウエハにおいて、前記ＭＲ膜として、ＣＰＰ構造、又は、ＣＩＰ構造の何れもを用い得ることは既に述べたとおりである。

本発明の他の目的、構成及び利点については、添付図面を参照し、更に詳しく説明する。添付図面は単なる例示に過ぎない。

図１は本発明に係るウエハの一部を示す平面図、図２は図１に示したウエハからＭＲ素子の一つを代表的に取り出し、拡大して示す平面図、図３は図２の３−３線に沿った拡大断面図、図４は図２の４−４線に沿った断面図、図５は図２の５−５線に沿った断面図、図６は図１に示したウエハからＭＲ素子の一つを代表的に取り出し、拡大して示す斜視図図である。

本発明に係る製造方法では、まず、ウエハ１上に、多数のＭＲ素子Ｑ１〜ＱＮを整列して形成する。ＭＲ素子Ｑ１〜ＱＮのそれぞれは、ＭＲ膜３０と、第１の電極膜３１と、第２の電極膜３３と、第１の測定端子部３２と、第２の測定端子部３４とを有している。参照符号３１１、３３１は、リード導体膜、参照符号３１２、３３２は端子部である。

ＭＲ素子Ｑ１〜ＱＮとしては、ＣＰＰ構造及びＣＩＰ構造の何れでもよい。実施例は、ＣＰＰ構造を示している。

第１の測定端子部３２は、下部シールド膜として用いられる第１の電極膜３１に電気的に接続されている。本発明において重要なことは、第１の測定端子部３２は、隣接するＭＲ素子Ｑ１〜ＱＮの間に設定された切断領域ΔＸの内に設けられていることである。切断領域ΔＸは、プロセスにおいて用いられるマスクパターンで定まるもので、ウエハ１上の特定位置において、定まった幅を有する。

具体的には、第１の測定端子部３２は、切断領域ΔＸの内において、第１の電極膜３１と同じ平面位置に形成された第１の導体膜３２１の上に、第２の導体膜３２２を成膜した構成となっている。第１の導体膜３２１及び第２の導体膜３２２は、接続導体膜３２３によって、第１の電極膜３１に電気的に接続されている。第１の測定端子部３２の一部である第１の導体膜３２１は、第１の電極膜３１と同一の平面に形成されており、第１の電極膜３１と同一の成膜プロセスにおいて同時に形成できる。第１の電極膜３１はシールド膜として兼用されるものであり、一般には、ＮｉＦｅなどの磁性材料によって構成される。したがって、第１の導体膜３２１も、ＮｉＦｅなどによって構成されることになる。

第２の導体膜３２２は、第２の電極膜３３と同一の成膜プロセスにおいて同時に形成できる。第２の電極膜３３は、上部シールド膜として兼用されるものであり、一般には、ＮｉＦｅなどの磁性材料によって構成される。したがって、第２の導体膜３２２も、ＮｉＦｅなどによって構成されることになる。

第２の測定端子部３４は、上部シールド膜として用いられる第２の電極膜３３を延長して形成される。本発明の重要なポイントとして、第２の測定端子部３４も、隣接するＭＲ素子Ｑ１〜Ｑｎの間に設定された切断領域ΔＸ内に設けられる。具体的には、第２の電極膜３３を形成する際に、第２の測定端子部３４が、切断領域ΔＸの内部に存在するように、その面積を拡大する。

図３を参照すると、ＭＲ素子Ｑ１〜ＱＮは、ＣＰＰ構造を有する。図示のＭＲ膜３０は、フリー層３０２を含み、フリー層３０２に隣接する非磁性層３０３を有し、非磁性層３０３に、磁化方向が固定されたピンド層３０４が隣接している。ピンド層３０４には反強磁性層３０５が隣接ている。ピンド層３０４は、反強磁性層３０５との交換結合により、磁化方向が固定される。

フリー層３０２、非磁性層３０３、ピンド層３０４及び反強磁性層３０５の膜構造及び組成材料等については、既に知られている技術を、任意に適用できる。一例をあげると、フリー層３０２及びピンド層３０４は、例えば、ＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ等で構成され、反強磁性層３０５はＦｅＭｎ、ＭｎＩｒ、ＮｉＭｎ、ＣｒＭｎＰｔ、ＰｔＭｎなどによって構成される。非磁性層３０３は、ＳＶ膜の場合はＣｕ等を主成分とする導電性材料層で構成され、ＴＭＲ膜の場合は、Ａｌ₂Ｏ₃層などの絶縁性材料層で構成される。

第１の電極膜３１の一面上には、下地金属膜３０６が薄く形成されており、ＭＲ膜３０はその上に形成されている。上部磁気シールド膜として兼用される第２の電極膜３３は、上部金属膜３０１を介して、フリー層３０２に隣接している。

ＭＲ膜３０の幅方向の両側部には、磁区制御膜３５１、３５２が備えられている。磁区制御膜３５１、３５２は、フリー層３０２の磁区を制御する。磁区制御膜３５１、３５２は、絶縁膜３７１、３７２によって、ＭＲ素子Ｑ１〜ＱＮから電気的にへだてられている。絶縁膜３７１、３７２は、酸化絶縁物で構成され、ＭＲ膜３０に接触している。具体的には、絶縁膜３７１、３７２は、Ａｌ₂Ｏ₃、または、ＳｉＯ₂等の酸化絶縁材料からなる。

上述したＭＲ素子Ｑ１〜ＱＮは、ＭＲ膜３０と、第１の電極膜３１及び第２の電極膜３３とを含んでおり、第１の電極膜３１及び第２の電極膜３３のそれぞれは、ＭＲ膜３０の両面に隣接している。したがって、ＭＲ膜３０の膜面に対して垂直方向にセンス電流を流すＭＲ素子Ｑ１〜ＱＮを得ることができる。

ＭＲ膜３０は、少なくとも１つのフリー層３０２を含んでおり、フリー層３０２に発生することのあるバルクハウゼンノイズを抑制しなければならない。図示実施例のＭＲ素子Ｑ１〜ＱＮは、磁区制御膜３５１、３５２を含んでおり、磁区制御膜３５１、３５２は、ＭＲ膜３０の幅方向の両側部に配置され、フリー層３０２の磁区を制御する。

絶縁膜３７１、３７２は、磁区制御膜３５１、３５２と、第１の電極膜３１及び第２の電極膜３３との間に層状に介在し、ＭＲ素子Ｑ１〜ＱＮとの間では、両者間を完全に遮断するように形成されている。この構造によれば、第１の電極膜３１及び第２の電極膜３３及びＭＲ膜３０から磁区制御膜３５１、３５２へのセンス電流の漏洩を、絶縁膜３７１、３７２によって、確実に防止することができる。第１の電極膜３１及び第２の電極膜３３は、下部及び上部の磁気シールド膜としても兼用されているから、ＭＲ膜３０に対する磁気的外乱を回避し得る。

第１の電極膜３１及び第２の電極膜３３は、ＭＲ膜３０に対する対の給電体を構成するから、第１の電極膜３１及び第２の電極膜３３により、ＭＲ膜３０にセンス電流を供給し、ＭＲ膜３０の外部磁界に応答する抵抗値変化から、外部磁界を、センス電流の変化として検出することができる。

上述した構成において、本発明では、第１及び第２の測定端子部３２、３４のそれぞれは、隣接するＭＲ素子Ｑ１〜ＱＮの間に設定された切断領域ΔＸ内に設けられている。そこで、図７、図８に図示するように、ウエハ１上において、第１及び第２の測定端子部３２、３４に測定針ＰＶ１、ＰＶ２を当てて、測定装置４によってＭＲ膜３０の特性を測定する。そして、その後、図９に図示するように、前記切断領域ΔＸにおいて、ウエハ１を切断する。

切断領域ΔＸは、文字通り、切断のために供される（図９参照）ものであって、薄膜磁気ヘッドの微小化に影響されることなく、その面積を確保できる。したがって、切断領域ΔＸ内に設けられている第１及び第２の測定端子部３２、３４のそれぞれについても、測定針ＰＶ１、ＰＶ２を当てるのに十分な面積を確保し、ＭＲ膜３０の性能検査を容易、かつ、確実に実行しえることになる。

しかも、第１及び第２の測定端子部３２、３４のそれぞれは、隣接するＭＲ素子Ｑ１〜ＱＮの間に設定された切断領域ΔＸ内に設けられているから、製造プロセスの利点を生かして、例えば、シールド膜を形成するプロセスにおいて、同時に第１及び第２の測定端子部３２、３４を形成し得るため、第１及び第２の測定端子部３２、３４が磁性材料で構成された場合でも、第１及び第２の測定端子部３２、３４とＭＲ膜３０との間の磁気的結合を低減させ、ＭＲ素子Ｑ１〜ＱＮが微小化された場合でも、測定用端子部分３２、３４のＭＲ膜３０に対する影響を軽減しえる。

図１０はＣＩＰ構造を有するウエハの一部拡大図、図１１は図１０の１１−１１線に沿った拡大断面図である。

ＭＲ素子Ｑ１〜ＱＮがＣＩＰ構造を有する場合、ＭＲ膜３０の両側端面に、磁気制御膜３５１、３５２を隣接させるとともに、磁区制御膜３５１、３５２の上に、第１の電極膜３６１及び第２の電極膜３６２を隣接させる。

第１の測定端子部３２は、第１の電極膜３６１を、切断領域ΔＸの内部に延長させて形成され、また、第２の測定端子部３４は第２の電極膜３６２を切断領域ΔＸの内部に延長させて形成されている。

ＭＲ素子Ｑ１〜ＱＮの特性測定に当たっては、図１２に図示するように、測定針ＰＶ１、ＰＶ２を第１の測定端子部３２及び第２の測定端子部３４に接触させ、測定装置４によって測定する。この後、図９に示したような切断工程に付される。この実施例の場合も、ＣＰＰ構造の場合と同様の作用効果を奏する。

図１３は、本発明に係る製造方法を、薄膜磁気ヘッドの製造方法に適用した場合のウエハの一部を示す平面図、図１４は薄膜磁気ヘッド要素（薄膜素子）の一部を示す断面図、図１５は図１４の１５−１５線に沿った断面図である。

薄膜磁気ヘッドへの適用においては、薄膜素子は、ＭＲ膜３０でなる読取素子と、書込み素子とを含むことになる。この場合は、ＭＲ膜３０の特性を測定した後、ウエハ１を切断する前、更に、ＭＲ素子Ｑ１〜ＱＮのそれぞれの上に、書込み素子２を形成する。

書込み素子２は、例えば、誘導型磁気変換素子あり、保護膜２７によって覆われている。保護膜２７は、例えば、アルミナなどによって構成されている。

図示の書込み素子２は、下部磁性膜２１と、上部磁性膜２２と、記録ギャップ膜２４と、コイル膜２３とを含む。下部磁性膜２１は、その大部分を構成するヨーク部２１０の先端に、下部磁極部分２１１を有する。上部磁性膜２２は、ヨーク部２１１の先端部に上部磁極２２２が設けられている。下部磁極部分２１１及び上部磁極部分２２２は、幅が極めて狭く絞り込まれており、それによって、書込み磁界を集中させる構造になっている。下部磁性膜２１及び上部磁性膜２２は、それぞれのヨーク部２１０、２２１が、後方側において、結合部２５により、磁気的に連結されている。

記録ギャップ膜２４は、下部磁極部分２１１と、上部磁極２２２との間に設けられている。コイル膜２３は、下部磁性膜２１を構成するヨーク部２１０、及び、上部磁性膜２２のヨーク部２２１の間に生じるインナーギャップ内の絶縁膜２６内に、絶縁された状態で配設されている。書込み素子２としては、上記の形態に限定されず、これまで提案され、又はこれから提案されることのある素子を広く適用できる
上述のようにして書込み素子を形成した後、図１６に図示するように、切断領域ΔＸにおいて、ウエハ１を切断する。

以上、好ましい実施例を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及び教示に基づいて、当業者であれば、種々の変形態様を採り得ることは自明である。

本発明に係るウエハの一部を示す平面図である。 図１に示したウエハからＭＲ素子の一つを代表的に取り出し、拡大して示す平面図である。 図２の３−３線に沿った拡大断面図である。 図２の４−４線に沿った断面図である。 図２の５−５線に沿った断面図である。 ＭＲ素子及び測定端子部分の構造を分かりやすくした斜視図である。 ＭＲ素子の特性測定工程を示す図である。 ＭＲ素子の特性測定工程を、分かりやすくした斜視図である。 ウエハの切断工程を示す図である。 他のＭＲ素子を示す図で、ウエハ上の一部を拡大して示す図である。 図１０の１１−１１線上における断面図である。 図１０、図１１に示したＭＲ素子の特性測定工程を示す図である。。 本発明に係る製造方法を、薄膜磁気ヘッドの製造方法に適用した場合のウエハの一部を示す平面図である。 薄膜磁気ヘッド要素（薄膜素子）の一部を示す断面図である。 図１４の１５−１５線に沿った断面図である。 ウエハの切断工程を示す図である。

符号の説明

１ ウエハ
３０ ＭＲ素子
３１ 第１の電極膜
３３ 第２の電極膜
３２ 第１の測定端子部
３４ 第２の測定端子部

Claims (7)

1. 磁気抵抗効果素子を含む薄膜素子の製造方法であって、
   ウエハ上に、多数の磁気抵抗効果素子を整列して形成し、
   前記磁気抵抗効果素子のそれぞれは、磁気抵抗効果膜と、第１の電極膜と、第２の電極膜と、第１の測定端子部と、第２の測定端子部とを有しており、
   前記第１の電極膜及び前記第２の電極膜は、前記磁気抵抗効果膜に隣接して備えられており、
   前記第１の測定端子部は、前記第１の電極膜に電気的に接続されており、
   前記第２の測定端子部は、前記第２の電極膜に電気的に接続されており、
   前記第１及び第２の測定端子部のそれぞれは、隣接する前記磁気抵抗効果素子の間に設定された切断領域内に設けられており、
   前記ウエハ上において、前記第１及び第２の測定端子部に測定針を当てて前記磁気抵抗効果膜の特性を測定し、
   その後、前記切断領域において、前記ウエハを切断する、
   工程を含む薄膜素子の製造方法。
2. 請求項１に記載された製造方法であって、前記磁気抵抗効果膜は、膜面に垂直に電流を流す膜構造を持ち、
   前記第１の電極膜は、下部電極膜を構成し、
   前記第２の電極膜は、上部電極膜を構成し、
   前記第１の測定端子部は、前記第１の電極膜に電気的に接続されており、
   前記第２の測定端子部は、前記上部電極膜を延長して形成されたものである、
   製造方法。
3. 請求項１に記載された製造方法であって、前記磁気抵抗効果膜は、膜面に平行に電流を流す膜構造を持ち、
   前記第１及び第２の電極膜は、前記磁気抵抗効果膜の相対する両側端面に
   隣接して備えられており、
   前記第１の測定端子部は、前記第１の電極膜を延長したものであり、
   前記第２の測定端子部は、前記第２の電極膜を延長したものである、
   製造方法。
4. 請求項１乃至３の何れかに記載された製造方法であって、
   前記薄膜素子は、前記磁気抵抗効果膜でなる読取素子と、書込み素子とを含んでおり、
   前記磁気抵抗効果膜の特性を測定した後、前記ウエハを切断する前、更に、前記磁気抵抗効果素子のそれぞれの上に、前記書込み素子を形成し、
   その後、前記切断領域において、前記ウエハを切断する、
   工程を含む製造方法。
5. 多数の薄膜素子を整列して形成したウエハであって、
   前記磁気抵抗効果素子のそれぞれは、磁気抵抗効果膜と、第１の電極膜と、第２の電極膜と、前記第１の電極膜に導通する第１の測定端子部と、前記第２の電極膜に導通する第２の測定端子部とを有しており、
   前記第１の電極膜及び前記第２の電極膜は、前記磁気抵抗効果膜に隣接して備えられており、
   前記第１及び第２の測定端子部のそれぞれは、隣接する前記磁気抵抗効果素子の間に設定された切断領域内に設けられている、
   ウエハ。
6. 請求項５に記載されたウエハであって、前記磁気抵抗効果膜は、膜面に垂直に電流を流す膜構造を持ち、
   前記第１の電極膜は、下部電極膜を構成し、
   前記第２の電極膜は、上部電極膜を構成し、
   前記第１の測定端子部は、前記第１の電極膜に電気的に接続されており、
   前記第２の測定端子部は、前記上部電極膜を延長して形成されたものである、
   ウエハ。
7. 請求項５乃至６の何れかに記載されたウエハであって、
   前記薄膜素子は、前記磁気抵抗効果膜でなる読取素子と、書込み素子とを含んでおり、
   前記書き込み素子は、前記磁気抵抗効果素子のそれぞれの上に形成されている、
   ウエハ。

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