JP2016186476A - 磁気センサ及び磁気式エンコーダ - Google Patents
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Abstract
Description
W1>W2 ・・・(1)
W1/L1≧W2/L2 ・・・(2)
W1=W2 ・・・(3)
W1/L1>W2/L2 ・・・(4)
図1に示すように、第1の実施形態に係る磁気センサ1は、基板2と、基板2上に設けられた1個の第1磁気センサ部3及び2個の第2磁気センサ部4とを備える。第1磁気センサ部3は、スケール部20のアブソリュート信号トラック21に記録されたアブソリュート磁気信号を検出するための磁気センサである。第2磁気センサ部4は、スケール部20のインクリメンタル信号トラック22に記録されたインクリメンタル磁気信号を検出するための磁気センサである。
W1>W2 ・・・(1)
W1/L1≧W2/L2 ・・・(2)
図3に示すように、第1MR素子31及び第2MR素子41は、下地層311,411、反強磁性層312,412、磁化固定層313,413、非磁性中間層314,414、磁化方向変化層315,415及びキャップ層316,416がこの順に積層されてなる積層体である。下地層311,411の下層(基板2側)及びキャップ層316,416の上層に、それぞれ、Cu膜等により構成される下部電極層及び上部電極層(ともに図示せず)が設けられ、第1MR素子31及び第2MR素子41の積層方向に沿ってセンス電流が流れる。
第1MR素子31において、磁化方向変化層315と磁化固定層313(第2磁化固定層313C)とは、それらの磁化315M,313Mが互いに実質的に直交している(図4参照)。この状態が、第1MR素子31としてのイニシャル状態(初期状態)である。第2MR素子41においても同様に、磁化方向変化層415と磁化固定層413(第2磁化固定層413C)とは、それらの磁化415M,413Mが互いに実質的に直交している(図5参照)。
第2の実施形態に係る磁気センサについて説明する。
第2の実施形態に係る磁気センサ1は、第1MR素子31の幅W1及びそれに直交する方向(X方向)の長さL1、並びに第2MR素子41の幅W2及びそれに直交する方向(X方向)の長さL2が、下記式(3)及び(4)に示す関係を有する。
W1=W2 ・・・(3)
W1/L1>W2/L2 ・・・(4)
図3及び表1に示す層構成を有する第1MR素子31及びバイアス磁界発生部32としての永久磁石をSi基板2上に形成した。第1MR素子31の磁化方向変化層315の幅W1を2.0μm、長さL1を2.0μmとした(試料1,アスペクト比(W1/L1)=1)。磁化方向変化層315の幅W1及び長さL1を、表2に示すように変更した第1MR素子31を同様にして作製した(試料2〜7)。
IL=MP2/MP1
W1>W2 ・・・(1)
W1/L1≧W2/L2 ・・・(2)
W1=W2 ・・・(3)
W1/L1>W2/L2 ・・・(4)
2…基板
3…第1磁気センサ
31…第1MR素子
315,415…磁化方向変化層
32,42…バイアス磁界発生部
4…第2磁気センサ
41…第2MR素子
10…磁気式エンコーダ
20…スケール部
Claims (12)
- 外部磁界を検出可能な第1磁気抵抗効果素子及び第2磁気抵抗効果素子を少なくとも備える磁気センサであって、
前記第1磁気抵抗効果素子及び前記第2磁気抵抗効果素子は、それぞれ、前記外部磁界に応じて磁化の方向が変化する磁化方向変化層を少なくとも含み、
前記第1磁気抵抗効果素子の前記磁化方向変化層の初期磁化方向における前記磁化方向変化層の幅W1と、前記第2磁気抵抗効果素子の前記磁化方向変化層の初期磁化方向における前記磁化方向変化層の幅W2とが、下記式(1)に示す関係を有し、
前記外部磁界に対する前記第1磁気抵抗効果素子の感度が、前記外部磁界に対する前記第2磁気抵抗効果素子の感度よりも高い
磁気センサ。
W1>W2 ・・・(1) - 前記第1磁気抵抗効果素子の前記磁化方向変化層の前記幅W1に直交する方向の長さL1に対する前記幅W1の比W1/L1と、前記第2磁気抵抗効果素子の前記磁化方向変化層の前記幅W2に直交する方向の長さL2に対する前記幅W2の比W2/L2とが、ともに1.2以下である
請求項1に記載の磁気センサ。 - 前記第1磁気抵抗効果素子の前記磁化方向変化層の前記幅W1に直交する方向の長さL1対する前記幅W1の比W1/L1と、前記第2磁気抵抗効果素子の前記磁化方向変化層の前記幅W2に直交する方向の長さL2に対する前記幅W2の比W2/L2とが、下記式(2)に示す関係を有する
請求項1又は2に記載の磁気センサ。
W1/L1≧W2/L2 ・・・(2) - 前記第1磁気抵抗効果素子の前記磁化方向変化層の前記幅W1と前記第2磁気抵抗効果素子の前記磁化方向変化層の前記幅W2との比が、1:0.2〜0.9である
請求項1〜3のいずれかに記載の磁気センサ。 - 外部磁界を検出可能な第1磁気抵抗効果素子及び第2磁気抵抗効果素子を少なくとも備える磁気センサであって、
前記第1磁気抵抗効果素子及び前記第2磁気抵抗効果素子は、それぞれ、前記外部磁界に応じて磁化の方向が変化する磁化方向変化層を少なくとも含み、
前記第1磁気抵抗効果素子の前記磁化方向変化層の初期磁化方向における前記磁化方向変化層の幅W1及び当該幅W1に直交する方向の長さL1、並びに前記第2磁気抵抗効果素子の前記磁化方向変化層の初期磁化方向における前記磁化方向変化層の幅W2及び当該幅W2に直交する方向の長さL2が、下記式(3)及び(4)に示す関係を有する
磁気センサ。
W1=W2 ・・・(3)
W1/L1>W2/L2 ・・・(4) - 前記第1磁気抵抗効果素子の前記磁化方向変化層の初期磁化方向における前記磁化方向変化層の幅W1に直交する方向の長さL1に対する前記幅W1の比は、0.8以上である
請求項1〜5のいずれかに記載の磁気センサ。 - 前記第1磁気抵抗効果素子及び前記第2磁気抵抗効果素子を積層方向上方から見たとき、前記第1磁気抵抗効果素子の前記磁化方向変化層の形状と前記第2磁気抵抗効果素子の前記磁化方向変化層の形状とが、同種形状である
請求項1〜6のいずれかに記載の磁気センサ。 - 前記第1磁気抵抗効果素子及び前記第2磁気抵抗効果素子は、TMR素子、GMR素子又はAMR素子である
請求項1〜7のいずれかに記載の磁気センサ。 - 前記第1磁気抵抗効果素子及び前記第2磁気抵抗効果素子は、磁化固定層、非磁性中間層及び前記磁化方向変化層がこの順で積層されてなる
請求項1〜8のいずれかに記載の磁気センサ。 - 前記非磁性中間層が、MgOX(X=0.1〜0.9)である
請求項9に記載の磁気センサ。 - 請求項1〜10のいずれかに記載の磁気センサと、
アブソリュート磁気信号を記録したアブソリュート信号トラック及びインクリメンタル磁気信号を記録したインクリメンタル信号トラックを有し、前記磁気センサに対して相対的に移動可能なスケール部と
を備え、
前記第1磁気抵抗効果素子と前記アブソリュート信号トラックとが互いに対向し、かつ前記第2磁気抵抗効果素子と前記インクリメンタル信号トラックとが互いに対向するように、前記磁気センサと前記スケール部とが対向して設けられている
磁気式エンコーダ。 - 前記第1磁気抵抗効果素子及び前記第2磁気抵抗効果素子のそれぞれにおける前記磁化方向変化層の初期磁化方向は、前記スケール部が相対的に移動する方向に直交する方向である
請求項11に記載の磁気式エンコーダ。
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