JP3623366B2 - 巨大磁気抵抗効果素子を備えた磁界センサおよびその製造方法と製造装置 - Google Patents
巨大磁気抵抗効果素子を備えた磁界センサおよびその製造方法と製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3623366B2 JP3623366B2 JP20406698A JP20406698A JP3623366B2 JP 3623366 B2 JP3623366 B2 JP 3623366B2 JP 20406698 A JP20406698 A JP 20406698A JP 20406698 A JP20406698 A JP 20406698A JP 3623366 B2 JP3623366 B2 JP 3623366B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- giant magnetoresistive
- conductor
- magnetic field
- layer
- magnetoresistive effect
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims description 197
- 230000000694 effects Effects 0.000 title claims description 116
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 30
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 118
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 80
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229910003289 NiMn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910019041 PtMn Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015136 FeMn Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002885 antiferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000005307 ferromagnetism Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
- G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、外部磁界の変化に応じて大きな抵抗変化を示す巨大磁気抵抗効果素子を備えた磁界センサとその製造方法並びに製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、巨大磁気抵抗効果素子を用いた磁界センサとして、特開平８−２２６９６０号公報に開示の如く、４つの巨大磁気抵抗効果素子をブリッジ接続してなる構成のものが知られている。
この公報に開示された磁界センサＡは、図１２に示すように、離間して配置された巨大磁気抵抗効果素子１、２、３、４を備え、巨大磁気抵抗効果素子１、２を導線５で接続し、巨大磁気抵抗効果素子１、３を導線６で接続し、巨大磁気抵抗効果素子３、４を導線７で接続し、巨大磁気抵抗効果素子２、４を導線８で接続し、導線６に入力端子１０を導線８に入力端子１１を各々接続して設け、導線５に出力端子１２を導線７に出力端子１３を接続して構成されている。
【０００３】
また、巨大磁気抵抗効果素子１、２、３、４は、それぞれ非磁性層１５の上下に強磁性層１６、１７を設けたサンドイッチ構造とされ、一方の強磁性層（ピン止め磁性層）１６上に反強磁性層などの交換バイアス層１８が設けられ、この交換バイアス層１８による交換結合を生じさせて強磁性層１６の磁化の向きを一方向にピン止めして構成されている。また、他方の強磁性層（フリー磁性層）１７の磁化の向きは外部磁界の向きに応じて回転自在、例えば、強磁性層１７を含む水平面に沿って回転自在にされている。
【０００４】
更に、図１２に示す構造の磁界センサＡにあっては、巨大磁気抵抗効果素子１のピン止め磁性層１６の磁化の向きが図１３の矢印２０に示すように手前側向きとされ、巨大磁気抵抗効果素子２のピン止め磁性層１６の磁化の向きが矢印２１に示すように奥向きとされ、巨大磁気抵抗効果素子３のピン止め磁性層１６の磁化の向きが矢印２３に示すように奥向きとされ、巨大磁気抵抗効果素子４のピン止め磁性層１６の磁化の向きが手前側向きとされている。また、巨大磁気抵抗効果素子１、２、３、４のフリー磁性層１７の磁化の向きは外部磁界が作用しない状態においてそれぞれ図１２の矢印２４に示すように右向きとされている。
【０００５】
図１２に示す磁界センサＡにおいて外部磁界Ｈが作用すると、外部磁界Ｈに合わせて、例えば第１、第４の巨大磁気抵抗効果素子１、４においてフリー磁性層１７の磁化の向き２４が図１３に示すように所定の角度ｄだけ回転するので、ピン止め磁性層１６の磁化の向き２０との角度関係が変わる結果、抵抗変化が生じる。また、第１と第４の巨大磁気抵抗効果素子１、４のピン止め磁性層１６の磁化の向きと、第２、第３の巨大磁気抵抗効果素子２、３のピン止め磁性層１６の磁化の向きが１８０゜反対であるため、抵抗変化状態の位相の異なる出力を得ることができる。
【０００６】
図１２に示すブリッジ接続型の磁界センサＡにあって、これらの磁化の向きを各矢印に示すように規定しているのは、外部磁界Ｈに感応してフリー磁性層１７の磁化の向きが変化した場合に、巨大磁気抵抗効果素子１、２、３、４から差動出力を得る必要があるので、図１２の上下左右に位置する巨大磁気抵抗効果素子１、２、３、４において隣り合う隣接するものどうしで１８０゜方向が異なる反平行向きに磁化の向きをピン止めする必要があるためである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、図１２に示す構造を実現するためには、基板上に巨大磁気抵抗効果素子１、２、３、４を隣接させて形成し、隣接する巨大磁気抵抗効果素子のピン止め磁性層１６の磁化の向きをそれぞれ１８０゜異なる方向に固定しなくてはならない。
また、この種のピン止め磁性層１６の磁化の向きを制御するために交換バイアス層１８の格子磁化を調整するには、強磁性が消失するブロッキング温度と呼ばれる温度以上に加熱した状態で交換バイアス層１８に所定の向きの磁界を印加しておき、この磁界を印加したままで冷却する熱処理を行わなくてはならない。
ところが、図１２に示す構造においては、巨大磁気抵抗効果素子１、２、３、４毎に交換バイアス層１８の磁化の向きを１８０゜変えなくてはならないので、基板上に隣接状態で形成されている巨大磁気抵抗効果素子毎に磁界の向きを制御しなくてはならないことになり、単に外部から電磁石等の磁場発生装置で磁界を印加する方法では、１方向磁界しか印加ができないので、図１２に示す構造を製造することが困難な問題があった。
【０００８】
このため、特開平８−２２６９６０号公報に開示の技術によれば、基板上に隣接状態で形成される巨大磁気抵抗効果素子１、２、３、４に沿ってそれぞれ導体層を積層し、これらの導体層の各々に異なる向きの電流を流して各導体層から個別に向きの異なる磁界を発生させながら前述の熱処理を行うことによって図１２に示す構造を実現できると記載されている。ところが、交換バイアス層１８の格子磁化を制御するために導体膜に大きな電流を印加して大きな磁界を発生させたくとも、基板上に巨大磁気抵抗効果素子とともに積層した薄膜状の導体膜に大きな電流を流すことは難しく、導体膜から発生できる磁界では強い磁界を印加して効率良く処理することができない問題がある。更に、基板上に隣接状態で設けられている巨大磁気抵抗効果素子１、２、３、４に複数の導体膜から別々の向きの磁界が作用することになるので、個々の巨大磁気抵抗効果素子の交換バイアス層１８に個別に強い磁界を作用させることは極めて困難な問題があった。
【０００９】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、特異な構造を採用することによって隣接する１組のピン止め磁性層の磁化の向きを揃えてもブリッジ接続を実現できる巨大磁気抵抗効果素子を備えたブリッジ接続型の磁界センサを実現する技術を提供することを目的とするものである。
また、本発明は、４つの巨大磁気抵抗効果素子の交換バイアス層の磁化を個々にブリッジ接続型として好ましい方向に確実に制御できるとともに、その制御が容易にできる磁界センサとその製造方法と製造装置の提供を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は前記課題を解決するために、交換バイアス層と、この交換バイアス層により磁化の方向が一方向に固定されたピン止め磁性層と、非磁性層と、外部磁界によって磁化の方向が回転自在にされたフリー磁性層とを少なくとも具備する巨大磁気抵抗効果素子が複数備えられ、第１の巨大磁気抵抗効果素子と第２の巨大磁気抵抗効果素子が、各々第１の直線に沿い、かつ、各々のピン止め磁性層の磁化の向きを一定方向に向けて設けられるとともに、第３の巨大磁気抵抗効果素子と第４の巨大磁気抵抗効果素子が、各々前記第１の直線と平行な第２の直線に沿い、かつ、各々のピン止め磁性層の磁化の向きを前記第１、第２の巨大磁気抵抗効果素子のピン止め磁性層の磁化の向きと１８０゜反対向きにして設けられてなることを特徴とする。
【００１１】
本発明は前記課題を解決するために、第１と第２と第３と第４の巨大磁気抵抗効果素子がそれぞれほぼ平行に隣接す第１番目と第２番目と第３番目と第４番目の直線に沿って設けられ、前記第１と第２の巨大磁気抵抗効果素子の各々のピン止め磁性層の磁化の向きが一定方向に向けられるとともに、前記第３と第４の巨大磁気抵抗効果素子の各々のピン止め磁性層の磁化の向きが前記第１と第２の巨大磁気抵抗効果素子のピン止め磁性層の磁化の向きと１８０゜反対向きの方向に向けられてなることを特徴とする。
【００１２】
更に、本発明は、前記第１の巨大磁気抵抗効果素子の一側と前記第４の巨大磁気抵抗効果素子の一側とが接続され、前記第２の巨大磁気抵抗効果素子の一側と前記第３の巨大磁気抵抗効果素子の一側とが接続されるとともに、前記第１の巨大磁気抵抗効果素子の他側と前記第３の巨大磁気抵抗効果素子の他側とが接続され、前記第２の巨大磁気抵抗効果素子の他側と前記第４の巨大磁気抵抗効果素子の他側とが接続される一方、前記各巨大磁気抵抗効果素子の一側どうしの接続部分と他側どうしの接続部分の一方に入力側の端子部が、他方に出力側の端子部が各々接続されてなることを特徴とする構成でも良い。
【００１３】
本発明の製造方法は、先のいずれかに記載の構造の磁界センサを製造するに際し、第１と第２の巨大磁気抵抗効果素子に沿って第１の導体を配し、第３と第４の巨大磁気抵抗効果素子に沿って第２の導体を配するととともに、第１と第２の導体に１８０゜異なる方向の電流を流して各導体から磁界を発生させ、各導体からの発生磁界により各巨大磁気抵抗効果素子のピン止め磁性層の磁化を行うことを特徴とする。
先の製造方法において、第１と第２の導体を直列接続して同一電源に接続して電流を印加することが好ましい。
【００１４】
本発明の製造装置は、先のいずれかに記載の構造の磁界センサを製造する装置であり、前記第１と第２の巨大磁気抵抗効果素子に沿って配置される第１の導体と、前記第３と第４の巨大磁気抵抗効果素子に沿って配置される第２の導体と、前記第１の導体と前記第２の導体に１８０゜異なる方向に電流を流す電源とを具備してなる。
前記構造の装置において、前記第１と第２の導体が直列接続されて同一電源に接続されてなることが好ましい。更に前記構造の装置において、前記第１の導体と第２の導体がループ状に直列接続されてなることが好ましい。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の磁界センサの第１実施形態について図面を参照して説明する。図１は本発明の第１実施形態の磁界センサＳ１の基本回路図、図２は基本概念を示す概略構成図、図３は同磁界センサを実際の基板上に形成してなる構造の一例を示す平面図である。
第１実施形態の磁界センサＳ１は、図１において左上側に配置された第１の巨大磁気抵抗効果素子３１と、同図の左下側に配置された第２の巨大磁気抵抗効果素子３２と、同図の右上側に配置された第３の巨大磁気抵抗効果素子３３と、同図の右下側に配置された第４の巨大磁気抵抗効果素子３４とを具備して構成されている。また、これらの巨大磁気抵抗効果素子３１、３２、３３、３４はいずれも後述する如く薄膜の積層体からなり、線状の細長い形状とされ、第１と第２の巨大磁気抵抗効果素子３１、３２は図１に示す第１の直線Ｌ１に沿って配置されるとともに、第３と第４の巨大磁気抵抗効果素子３３、３４は、前記第１の直線Ｌ１に離間して平行に設けられた第２の直線Ｌ２に沿って配置されている。
【００１６】
更に、前記第１と第３の巨大磁気抵抗効果素子３１、３３が左右に対向する位置に、前記第２と第４の巨大磁気抵抗効果素子３２、３４が左右に対向する位置にそれぞれ配置されている。
なお、この実施形態においては第１、第２の巨大磁気抵抗効果素子３１、３２が同一直線上に、第３、第４の巨大磁気抵抗効果素子３３、３４が同一直線上にそれぞれ配置されているが、これらは平行関係を保ったままで横方向に多少位置ずれしていても良く、個々に多少傾斜していても良い。
【００１７】
図２は本実施形態の巨大磁気抵抗効果素子３１、３２、３３、３４の基本的積層構造と、それら各層の磁化の向きを明らかにするためのもので、巨大磁気抵抗効果素子３１、３２、３３、３４はいずれも同等の構造とされ、基本的には図２に示すように強磁性層（フリー磁性層）ａと非磁性層ｂと強磁性層（ピン止め磁性層）ｃと交換バイアス層（反強磁性体層）ｄを積層して構成されている。
図２に示す基本的な積層構造において、交換バイアス層ｄに隣接しているピン止め磁性層ｃは、交換バイアス層ｄによって磁化の向きがピン止めされている。具体的には、第１の巨大磁気抵抗効果素子３１において交換バイアス層ｄとピン止め層ｃの磁化の向きが矢印ｅに示すように右向きに、第２の巨大磁気抵抗効果素子３２において交換バイアス層ｄとピン止め層ｃの磁化の向きが矢印ｆに示すように右向きに設定されている。
【００１８】
前記第３の巨大磁気抵抗効果素子３３において交換バイアス層ｄとピン止め層ｃの磁化の向きが矢印ｇに示すように左向きに、第４の巨大磁気抵抗効果素子３４において交換バイアス層ｄとピン止め層ｃの磁化の向きが矢印ｈに示すように左向きに設定されている。従って、第１と第２の巨大磁気抵抗効果素子３１、３２のピン止め磁性層ｃの磁化の向きは互いに平行であり、第３と第４の巨大磁気抵抗効果素子３３、３４のピン止め磁性層ｃの磁化の向きは互いに平行にされているとともに、第１と第２の巨大磁気抵抗効果素子３１、３２のピン止め磁性層ｃの磁化の向きと、第３と第４の巨大磁気抵抗効果素子３３、３４のピン止め磁性層ｃの磁化の向きは、互いに１８０゜反対方向に向けられている。
【００１９】
前記の第１と第２と第３と第４の巨大磁気抵抗効果素子３１、３２、３３、３４のフリー磁性層ａの磁化の向きは、外部磁界が作用しない状態においては不特定の方向に向いている。
【００２０】
次に、前記第１の巨大磁気抵抗効果素子３１の一側３１と第４の巨大磁気抵抗効果素子３４の一側３４ａとが導体４２で接続され、この導体４２が接続部とされ、導体４２からなる接続部に端子部４３が接続されるとともに、第２の巨大磁気抵抗効果素子３２の一側３２ａと第３の巨大磁気抵抗効果素子３３の一側３３ａとが導体４５で接続され、この導体４５が接続部とされ、この導体４５に端子部４６が接続されている。更に、第１の巨大磁気抵抗効果素子３１の他側３１ｂと第３の巨大磁気抵抗効果素子３３の他側３３ｂとが導体４０で接続され、この導体４０が接続部とされ、この導体４０に端子部４１が接続されるとともに、第２の巨大磁気抵抗効果素子３２の他側３２ｂと第４の巨大磁気抵抗効果素子３４の他側３４ｂが導体４７で接続され、この導体４７が接続部とされ、この導体４７に端子部４８が接続されている。
【００２１】
従って、第１の巨大磁気抵抗効果素子３１と第４の巨大磁気抵抗効果素子３４とが直列接続されて第１の接続対Ｐ１が構成され、第２の巨大磁気抵抗効果素子３２と第３の巨大磁気抵抗効果素子３３とが直列接続されて第２の接続対Ｐ２が構成されている。
【００２２】
図３は図１と図２に示す基本構造の巨大磁気抵抗効果素子３１、３２、３３、３４と同等の構造の巨大磁気抵抗効果素子３１、３２Ａ、３３Ａ、３４Ａと、導体４０、４２、４５、４７と端子部４１、４３、４６、４８を実際に基板Ｋの上に積層してなる一例の磁界センサＳ１１を示す。
この例の磁界センサＳ１１において、前記基板ＫはＳｉ基板等の非磁性の絶縁性の材料からなり、基板上面に平坦化あるいは絶縁性向上等の目的でＡｌ２Ｏ３等からなる下地膜を被覆したものなどが好適に用いられる。
【００２３】
この基板Ｋ上に基本的に図２に示す積層構造を有し、図１に示すように直線Ｌ１とＬ２に沿うように配置された線状の巨大磁気抵抗効果素子３１Ａ、３２Ａ、３３Ａ、３Ａ４が形成され、それらを接続するＣｒ、Ｃｕ等の導電性金属材料からなる導体４０、４２、４５、４７が形成され、基板Ｋのコーナ部分側に位置するように端子部４１、４３、４６、４８が形成されている。この形態の巨大磁気抵抗効果素子３１の詳細断面構造を図４に代表的に示すが、この形態の巨大磁気抵抗効果素子３１は、基板Ｋ上に下から順に交換バイアス層（反強磁性体層）ｄとピン止め磁性層ｃと副強磁性体層ｍと非磁性層ｂと副強磁性体層ｎとフリー磁性層ａを積層して断面等脚台形状に形成され、これら積層体の側面側に各層に接するように先の導体のいずれかが接続されている。なお、図４に示す断面構造において各積層体の端部と導体との接合部分にフリー磁性層ａを単磁区化するためのバイアス層を適宜設けて構成しても良い。
【００２４】
この図４の構造において副強磁性層ｍとｎは磁気抵抗効果をより効率良く発揮させるために設けられるＣｏやＣｏ合金等の強磁性体からなる層であるが、これらは省略しても差し支えない層である。また、交換バイアス層ｄとピン止め磁性層ｃと副強磁性体層ｍと非磁性層ｂと副強磁性体層ｎとフリー磁性層ａの積層順序はこの例の逆の順序でも差し支えない。
【００２５】
なお、より具体的な巨大磁気抵抗効果素子の積層構造として、α−Ｆｅ２Ｏ３層（交換バイアス層）／ＮｉＦｅ層（ピン止め磁性層）／Ｃｏ層（副強磁性体層）／Ｃｕ層（非磁性層）／Ｃｏ層（副強磁性体層）／ＮｉＦｅ層（フリー磁性層）を例示することができる。また、必要に応じてα−Ｆｅ２Ｏ３層の下に電流シャント層としてＡｌ２Ｏ３層を設けても良い。更に、以上の構造の外に、α−Ｆｅ２Ｏ３層／Ｃｏ層／Ｃｕ層／Ｃｏ層／ＮｉＦｅ層／Ｃｏ層／Ｃｕ層／Ｃｏ層／α−Ｆｅ２Ｏ３層の積層構造の巨大磁気抵抗効果素子を例示することもできる。更に、交換バイアス層は、それに隣接するピン止め磁性層の磁化の向きをピン止めできるものであれば、公知のもののいずれを用いても良いので、α−Ｆｅ２Ｏ３層の外に、ＦｅＭｎ層、ＮｉＭｎ層、ＮｉＯ層、ＩｒＭｎ層、ＣｒＰｔＭｎ、ＰｄＰｔＭｎ、ＭｎＲｈＲｕ、ＰｔＭｎ等を用いても良い。
【００２６】
図１と図２に示す磁界センサＳ１に対して外部磁界Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３、Ｈ４が作用すると、これらの磁界Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３、Ｈ４に合わせて巨大磁気抵抗効果素子３１、３２、３３、３４の各フリー磁性層ａの磁化の向きが回転する結果、その回転角度に応じて電気抵抗変化を生じる。
この電気抵抗変化を測定するには、端子部４１と端子部４８を入力部と見て所定の電流を流し、端子部４３、４６を出力部と見て抵抗測定を行うことで実現できる。
【００２７】
図５は、例えば巨大磁気抵抗効果素子３１において、ピン止め磁性層ｃの磁化の向きをｅとして一方向（右向き）に固定した場合に、フリー磁性層ａの磁化の回転に応じた抵抗変化特性を示すもので、抵抗変化は、ピン止め磁性層ｃの磁化の向きｅとフリー磁性層ａの磁化の向きｋが同方向の際に最小値を示し、反平行の場合に最大値を示し、その間の変化は図５に示すサインカーブを示す。
【００２８】
従って、抵抗変化の中間点を原点とみなすと、抵抗変化の極性（増加する方向を＋、減少する方向を−とする。）はピン止め磁性層ｄの磁化の向きが同じにされた巨大磁気抵抗効果素子３１、３２どうしでは同極性であり、巨大磁気抵抗効果素子３３、３４どうしでは同極性であるが、巨大磁気抵抗効果素子３１と巨大磁気抵抗効果素子３３では逆極性に、巨大磁気抵抗効果素子３２と巨大磁気抵抗効果素子３４では逆極性になるので、図１と図２に示す接続構造で巨大磁気抵抗効果素子のホイートストーンブリッジが構成されたことなり磁界センサとして有効に作動する。また、この形態の構造においては、巨大磁気抵抗効果素子３１、３２、３３、３４によってホイートストーンブリッジを構成しているので、出力の増大（抵抗変化率の増大）、磁界環境変化による磁気的ノイズ成分の打消効果（地磁気の方向や磁気的ノイズ成分等による巨大磁気抵抗効果素子毎の雑音成分の除去）を得ることができる。
【００２９】
図６は本発明に係る磁界センサの第２実施形態を示すもので、この形態の磁界センサＳ２において先の第１実施形態の構造と同じ構造には同一符号を付してそれらの説明を省略する。
この形態の磁界センサＳ２においても先の形態の磁界センサＳ１と同様に巨大磁気抵抗効果素子３１、３２、３３、３４が設けられており、それらのピン止め磁性層の磁化の向きも同等とされているが、導体による接続構造が一部のみ異なっている。
【００３０】
第１の巨大磁気抵抗効果素子３１の一端３１ａは導体５１によって第３の巨大磁気抵抗効果素子３３の他端３３ｂに接続され、巨大磁気抵抗効果素子３１の他端３１ｂは導体５０によって第４の巨大磁気抵抗効果素子３４の一端３４ａに接続されるとともに、第２の巨大磁気抵抗効果素子３２の一端３２ａは先の形態と同様に導体４５によって第３の巨大磁気抵抗効果素子３３の一端３３ａに接続され、第２の巨大磁気抵抗効果素子３２の他端３２ｂは先の形態と同様に導体４７によって第４の巨大磁気抵抗効果素子３４の他端３４ｂに接続されている。そして、導体５０が接続部とされてこの導体５０に端子部５２が接続され、導体５１が接続部とされてこの導体５１に端子部５３が接続されている。
【００３１】
この形態の構造においても第１の巨大磁気抵抗効果素子３１と第４の巨大磁気抵抗効果素子３４とが直列接続されて第１の接続対Ｐ１が構成され、第２の巨大磁気抵抗効果素子３２と第３の巨大磁気抵抗効果素子３３とが接続されて第２の接続対Ｐ２が構成されている。
【００３２】
図６に示す構造においても巨大磁気抵抗効果素子３１、３２、３３、３４によってブリッジ回路が構成されているので、先の第１実施形態の構造と同様に磁界センサとして使用することができる。
【００３３】
図７は本発明に係る磁界センサの第３実施形態を示すもので、この形態の磁界センサＳ３において先の図３に示す構造と同じ構造には同一符号を付してそれらの説明を省略する。
この形態の磁界センサＳ３においても先の形態の磁界センサＳ１１と同様に巨大磁気抵抗効果素子３１、３２Ａ、３３Ａ、３４Ａが設けられており、それらのピン止め磁性層の磁化の向きも同等とされているが、導体による接続構造が一部のみ異なっている。
【００３４】
第１の巨大磁気抵抗効果素子３１の他端３１ｂは図３の構造の場合と同様に導体４０によって第３の巨大磁気抵抗効果素子３３Ａの他端３３ｂに接続され、巨大磁気抵抗効果素子３１Ａの一端３１ａは図３の構造と同様に導体４２によって第４の巨大磁気抵抗効果素子３４Ａの一端３４ａに接続されている。また、第２の巨大磁気抵抗効果素子３２Ａの一端３２ａは導体６０によって第４の巨大磁気抵抗効果素子３４Ａの他端３４ｂに接続され、第２の巨大磁気抵抗効果素子３２の他端３２ｂは導体６１によって第３の巨大磁気抵抗効果素子３３Ａの一端３３ａに接続されている。また、導体６０の一部を基板Ｋのコーナ部分に延長して入力用の端子部６２が形成されるとともに、導体６１の途中部分において基板Ｋのコーナ部分に位置する箇所に出力用の端子部６３が形成されている。
【００３５】
図７に示す構造においても巨大磁気抵抗効果素子３１Ａ、３２Ａ、３３Ａ、３４Ａによってブリッジが構成されているので、先の第１実施形態の構造と同様に磁界センサとして使用することができる。
【００３６】
次に、図７に示す磁界センサＳ３の巨大磁気抵抗効果素子３１Ａ、３２Ａ、３３Ａ、３４Ａの各々のピン止め磁性層ｃの磁化のピン止め方法について、磁界センサＳ３の製造方法とともに以下に説明する。
図７に示す構造の磁界センサＳ３を製造するには、Ｓｉ基板等の基板上に必要な膜を積層し、必要に応じて膜の積層工程に合わせて適宜フォトリソ工程を行い、パターニングを施して製造することができる。
【００３７】
まず、基板上に目的とする巨大磁気抵抗効果素子の積層構造に合わせて必要な薄膜を積層する。巨大磁気抵抗効果素子が５層構造の場合は５層の薄膜を積層し６層構造の場合は６層の薄膜を積層し７層構造の場合は７層の薄膜を積層する。次にこれら積層膜の上にレジストを塗布してフォトリソ工程を施し、必要部分のみを線状の巨大磁気抵抗効果素子として残す。
次に これら巨大磁気抵抗効果素子の上にレジストを形成してから電極膜を形成し、続いて電極膜をフォトリソ工程で所望の形状に加工して図７に示すように導体を形成し、続いて後述するように磁界印加処理を行うならば図７に示す磁界センサＳ３を製造することができる。
【００３８】
磁界を印加する処理を行う場合、一例として図８に示す製造装置Ｚを用いる。この例の製造装置Ｚは、磁界センサＳ３の基板Ｋを嵌め込み設置可能な幅の凹部７０を備えた基台７１と、この凹部７０の底面部に設置されたループ型の導体７２と、導体７２に接続された電源７３を主体として構成されている。前記導体７２は、直線状の第１の導体７５と、この第１の導体７５に平行な直線状の第２の導体７６と、これら第１の導体７５と第２の導体７６を連結する接続導体７７とからループ状に構成されている。
【００３９】
そして、基板Ｋを凹部７０に嵌め込み挿入した場合に図９に示すように第１の導体７５の上方に巨大磁気抵抗効果素子３１Ａ、３２Ａが位置し、第２の導体７６の上方に巨大磁気抵抗効果素子３３Ａ、３４Ａが位置するように形成されている。また、電源７３は第１の導体７５側から第２の導体７６側に流れる直流電流を印加できるものである。
【００４０】
図８と図９に示すように基板Ｋを凹部７０に嵌め込み挿入した後、電源から直流電流を流すと、導体７５を流れる電流により図９に示す導体７５を中心とする時計回りの磁界が生じるとともに、導体７６を流れる電流により導体７６を中心とする反時計回りの磁界が生じるので、第１と第２の巨大磁気抵抗効果素子３１Ａ、３２Ａの交換バイアス層ｄを図８の矢印ｅ、ｆに示す方向に、第３と第４の巨大磁気抵抗効果素子３３Ａと３４Ａの交換バイアス層ｄを図８の矢印ｇ、ｈに示す方向にそれぞれ着磁することができ、各交換バイアス層ｄの交換結合力によってそれらに隣接するピン止め磁性層ｃの磁化の向きを各々の方向（ｅ方向、ｆ方向、ｇ方向、ｈ方向）にピン止めすることができる。着磁した後で導体７７に流れる電流を停止すると、交換バイアス層ｄの着磁状態はそのまま保持されるので、各ピン止め磁性層ｃの磁化の向きもピン止めされたまま維持される。
以上の工程を経ることにより、各ピン止め磁性層の磁化の向きを図８に示すように制御した磁気センサＳ３を得ることができる。
【００４１】
前記第１の導体７５と第２の導体７６に電流を流して磁界を発生させる場合、両導体に流れる電流が時間的に１００μｓｅｃでもずれて作用すると、第１、第２の巨大磁気抵抗効果素子３１、３２の交換バイアス層ｄの着磁状態と、第３、第４の巨大磁気抵抗効果素子３３、３４の交換バイアス層ｄの着磁状態が同一になされないおそれがあるので、第１の導体７５と第２の導体７６を同一電源に接続して磁界印加の時間ずれを無くした状態で磁界発生させることが重要である。ただし、磁界印加の時間ずれを無くすることができように２つの電源の同期をとって着磁できるならば、複数の電源に接続して別々の電源から第１の導体７５と第２の導体７６に電流を流しても差し支えない。
【００４２】
なお、交換バイアス層ｄをα−Ｆｅ２Ｏ３層、ＮｉＯ層、ＩｒＭｎ層、ＣｒＰｔＭｎから構成した場合はこのような磁界印加手段で瞬時に着磁できるが、交換バイアス層ｄの構成材料としてＮｉＭｎ層、ＰｄＰｔＭｎ層、ＭｎＲｈＲｕ層、ＰｔＭｎ層を選択した場合はブロッキング温度以上の温度に加熱後、先に述べたごとく着磁する必要があるので着磁作業が繁雑になるが、着磁可能であるので利用することができる。
【００４３】
図１０は本発明に係る磁界センサの第４実施形態を示すもので、この形態の磁界センサＳ４は、基本的な構造については図７に示す磁界センサＳ３と同等であるが、異なっているのは、第１の巨大磁気抵抗効果素子３１Ｂが第１番目の直線Ｔ１に沿って、第２の巨大磁気抵抗効果素子３２Ｂが第２番目の直線Ｔ２に沿ってそれぞれ設けられている点と、第３の巨大磁気抵抗効果素子３３Ｂが第３番目の直線Ｔ３に沿って、第４の巨大磁気抵抗効果素子３４Ｂが第４番目の直線Ｔ４に沿ってそれぞれ設けられている点である。第１番目、第２番目、第３番目、第４番目の直線Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４はいずれも平行であり、直線Ｔ１とＴ２が隣接配置され、直線Ｔ３とＴ４が隣接配置されている。
【００４４】
その他の構造は先に図６に記載の磁界センサＳ３と同等であり、この実施形態の磁界センサＳ４においても先の実施形態の磁界センサＳ３と同等の効果を得ることができる。
また、磁界センサＳ４を製造する際に用いる製造装置として図８に示すものをそのまま用いることはできないので、第１の導体７５を第１の巨大磁気抵抗効果素子３１Ｂの位置と第２の巨大磁気抵抗効果素子３２Ｂの位置に合うように折り曲げ変形させ、第２の導体７６を第３の巨大磁気抵抗効果素子３３Ｂの位置と第４の巨大磁気抵抗効果素子３４Ｂの位置に合うように折り曲げ変形させて用いれば良い。
【００４５】
具体的には、第１の導体７５において電源７３に近い側の直線部分と電源７３から離れた側の直線部分の間（第１の巨大磁気抵抗効果素子３１Ｂと第２の巨大磁気抵抗効果素子３２Ｂとの間の部分の下方）に折曲部を形成し、第１の巨大磁気抵抗効果素子３２Ｂと第２の巨大磁気抵抗効果素子３３Ｂのいずれにも位置合わせできるように構成すると良い。また、第２の導体７６に対しても第１の導体７５の場合と同様に、第３の巨大磁気抵抗効果素子３３Ｂと第４の巨大磁気抵抗効果素子３４Ｂとの間の部分の下方に折曲部を設けて第２の導体７６１本で第３、第４の巨大磁気抵抗効果素子３３Ｂ、３４Ｂに位置合わせできるように構成すると良い。
【００４６】
以上説明した各実施形態のように、４つの巨大磁気抵抗効果素子によってブリッジ回路を構成することを想定すると、第１と第２の巨大磁気抵抗効果素子を同一直線上に配置し、第３と第４の巨大磁気抵抗効果素子を同一直線上に配置することが望ましいが、図１０に示す実施形態のように多少位置ずれした状態で巨大磁気抵抗効果素子を配置しても差し支えない。また、巨大磁気抵抗効果素子をいずれも完全平行に配置する必要はなく、ブリッジ回路を構成する場合に位相の異なる抵抗を検出することに支障にならない程度傾斜させて配置しても良いのは勿論である。
【００４７】
【実施例】
縦３．６ｍｍ×横３．６ｍｍのサイズのＳｉ基板上に、幅０．０５ｍｍ、長さ１．７５ｍｍの４つの線状の巨大磁気抵抗効果素子を図７に示す位置に相互に平行位置に形成して基本構造の磁界センサを形成した。
各巨大磁気抵抗効果素子の積層構造は、Ａｌ２Ｏ３層（１０００Å厚）／α−Ｆｅ２Ｏ３層（１０００Å厚）／ＮｉＦｅ層（３０Å厚）／Ｃｏ層（１０Å厚）／Ｃｕ層（２２Å厚）／Ｃｏ層（１０Å厚）／ＮｉＦｅ層（７７Å厚）／Ｔａ（３０Å厚）の８層からなる積層構造とした。各巨大磁気抵抗効果素子の端部どうしを接続する導体はＣｒ膜から形成し、図７に示す導体接続形状とした。
【００４８】
次に、図８と図９に示す装置に基板をセットし、銅線からなる太さ０．８〜０．９ｍｍの第１の導体と第２の導体に１００μｓｅｃの時間、３５００Ａの電流を流して交換バイアス層の着磁を行ない、磁界センサを得た。
【００４９】
外部磁界として、磁界センサＳ３の表面側に１１ｍｍのギャップを介して図１１に示す円柱状の磁石８０を配置し、磁界センサＳ３は固定し、円柱状の磁石８０をその周回りに回転させてサインカーブ状の対称性の磁界をこの磁界センサに印加したところ、図１１に示す出力カーブを得ることができ、磁界センサとして作動することを確認することができた。
【００５０】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の磁界センサは、同一直線上に並ぶ第１と第２の巨大磁気抵抗効果素子のピン止め磁性層の磁化の向きを同じ方向に揃え、同一直線上に並ぶ第３と第４の巨大磁気抵抗効果素子のピン止め磁性層の磁化の向きを１８０゜異なる同じ方向に揃え、第１と第２と第３と第４の巨大磁気抵抗効果素子を接続することで巨大磁気抵抗効果素子によるブリッジ回路を構成できる。
そして、第１と第２の巨大磁気抵抗効果素子の交換バイアス層の着磁を同一方向にまとめて同一磁界で着磁することができ、第３と第４の巨大磁気抵抗効果素子の交換バイアス層の着磁を同一方向にまとめて同一磁界で着磁して製造できるので、４つ別々な方向に着磁する必要のあった従来構造よりも格段に着磁作業を容易にすることができる効果がある。従って生産性の良好な磁界センサを提供できる。
【００５１】
また、本発明の構造は第１と第２と第３と第４の巨大磁気抵抗効果素子をそれぞれ平行な異なる直線上に配置する構造においても実現することができる。
【００５２】
次に、前記の第１と第２と第３と第４の巨大磁気抵抗効果素子をブリッジ接続することで、巨大磁気抵抗効果素子を用いたホイートストーンブリッジを容易に構成することができるので、出力の増大化、環境ノイズ磁界が作用した場合のノイズ磁界の打消が容易にでき、正確な磁界検出ができる磁界センサを提供することができる。
【００５３】
本発明において、同一直線上に並ぶ第１と第２の巨大磁気抵抗効果素子のピン止め磁性層の磁化の向きを同じ方向に揃え、同一直線上に並ぶ第３と第４の巨大磁気抵抗効果素子のピン止め磁性層の磁化の向きを１８０゜異なる同じ方向に揃える構造を採用すると、第１と第２の巨大磁気抵抗効果素子に沿って配置した第１の導体と、第３と第４の巨大磁気抵抗効果素子に沿って配置した第２の導体に電流を流して発生させた磁界により、４つの巨大磁気抵抗効果素子のピン止め磁性層の磁化の向きを所望の方向に揃えることが容易にできるので、製造が極めて容易な特徴を有する。
【００５４】
本発明の製造装置では、前記構造の磁界センサを製造するために、第１の導体と第２の導体を備え、これらを電源に接続した装置を用いることで、第１の導体を第１と第２の巨大磁気抵抗効果素子に沿って配置し、第２の導体を第３と第４の巨大磁気抵抗効果素子に沿って配置し、これらの導体に電流を流して磁界印加することで、ピン止め磁性層の磁化の向きを所望の方向に容易にピン止めすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る磁界センサの第１実施形態の回路図。
【図２】同第１実施形態の磁界センサに備えられた巨大磁気抵抗効果素子の積層構造を示すための概略構成図。
【図３】第１の実施形態を基板上に実際に作成した磁界センサの一例を示す平面図。
【図４】図３に示す磁界センサに適用された巨大磁気抵抗効果素子の具体的積層構造と導体の接続部分を示す断面図。
【図５】本発明で用いた巨大磁気抵抗効果素子において、ピン止め磁性層の磁化の向きに対してフリー磁性層の磁化の向きが変化した場合に生じる抵抗変化状態を示す説明図。
【図６】本発明に係る磁界センサの第２実施形態の回路図。
【図７】本発明に係る磁界センサの第３実施形態の平面図。
【図８】図７に示す磁界センサを製造装置により着磁している状態を示す図。
【図９】同状態の側面図。
【図１０】本発明に係る磁界センサの第４実施形態の平面図。
【図１１】実施例の磁界センサで得られた出力測定結果を示す図。
【図１２】従来の磁界センサの一例を示す概略構成図。
【図１３】図１２に示す磁界センサに備えられている巨大磁気抵抗効果素子のピン止め磁性層の磁化の向きとフリー磁性層の磁化の向きの関係を示す図。
【符号の説明】
ａ・・・強磁性層（フリー磁性層）、ｂ・・・非磁性層、ｃ・・・強磁性層（ピン止め磁性層）、ｄ・・・交換バイアス層（反強磁性体層）、ｅ、ｆ、ｇ、ｈ・・・磁化の向き、Ｌ１・・・第１の直線、Ｌ２・・・第２の直線、Ｓ１、Ｓ１１、Ｓ２、Ｓ３・・・磁界センサ、Ｔ１・・・第１番目の直線、Ｔ２・・・第２番目の直線、Ｔ３・・・第３番目の直線、Ｔ４・・・第４番目の直線、３１、３１Ａ、３１Ｂ・・・第１の巨大磁気抵抗効果素子、３１ａ・・・一端、３１ｂ・・・他端、３２、３２Ａ、３２Ｂ・・・第２の巨大磁気抵抗効果素子、３２ａ・・・一端、３２ｂ・・・他端、３３、３３Ａ、３３Ｂ・・・第３の巨大磁気抵抗効果素子、３３ａ・・・一端、３３ｂ・・・他端、３４、３４Ａ、３４Ｂ・・・第４の巨大磁気抵抗効果素子、３４ａ・・・一端、３４ｂ・・・他端、４０、４２、４５、４７、５０、５１・・・導体（接続部）、４１、４３、４６、４８、６１、６２・・・端子部、７３・・・電源、７５・・・第１の導体、７６・・・第２の導体、Ｚ・・・製造装置。
【発明の属する技術分野】
本発明は、外部磁界の変化に応じて大きな抵抗変化を示す巨大磁気抵抗効果素子を備えた磁界センサとその製造方法並びに製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、巨大磁気抵抗効果素子を用いた磁界センサとして、特開平８−２２６９６０号公報に開示の如く、４つの巨大磁気抵抗効果素子をブリッジ接続してなる構成のものが知られている。
この公報に開示された磁界センサＡは、図１２に示すように、離間して配置された巨大磁気抵抗効果素子１、２、３、４を備え、巨大磁気抵抗効果素子１、２を導線５で接続し、巨大磁気抵抗効果素子１、３を導線６で接続し、巨大磁気抵抗効果素子３、４を導線７で接続し、巨大磁気抵抗効果素子２、４を導線８で接続し、導線６に入力端子１０を導線８に入力端子１１を各々接続して設け、導線５に出力端子１２を導線７に出力端子１３を接続して構成されている。
【０００３】
また、巨大磁気抵抗効果素子１、２、３、４は、それぞれ非磁性層１５の上下に強磁性層１６、１７を設けたサンドイッチ構造とされ、一方の強磁性層（ピン止め磁性層）１６上に反強磁性層などの交換バイアス層１８が設けられ、この交換バイアス層１８による交換結合を生じさせて強磁性層１６の磁化の向きを一方向にピン止めして構成されている。また、他方の強磁性層（フリー磁性層）１７の磁化の向きは外部磁界の向きに応じて回転自在、例えば、強磁性層１７を含む水平面に沿って回転自在にされている。
【０００４】
更に、図１２に示す構造の磁界センサＡにあっては、巨大磁気抵抗効果素子１のピン止め磁性層１６の磁化の向きが図１３の矢印２０に示すように手前側向きとされ、巨大磁気抵抗効果素子２のピン止め磁性層１６の磁化の向きが矢印２１に示すように奥向きとされ、巨大磁気抵抗効果素子３のピン止め磁性層１６の磁化の向きが矢印２３に示すように奥向きとされ、巨大磁気抵抗効果素子４のピン止め磁性層１６の磁化の向きが手前側向きとされている。また、巨大磁気抵抗効果素子１、２、３、４のフリー磁性層１７の磁化の向きは外部磁界が作用しない状態においてそれぞれ図１２の矢印２４に示すように右向きとされている。
【０００５】
図１２に示す磁界センサＡにおいて外部磁界Ｈが作用すると、外部磁界Ｈに合わせて、例えば第１、第４の巨大磁気抵抗効果素子１、４においてフリー磁性層１７の磁化の向き２４が図１３に示すように所定の角度ｄだけ回転するので、ピン止め磁性層１６の磁化の向き２０との角度関係が変わる結果、抵抗変化が生じる。また、第１と第４の巨大磁気抵抗効果素子１、４のピン止め磁性層１６の磁化の向きと、第２、第３の巨大磁気抵抗効果素子２、３のピン止め磁性層１６の磁化の向きが１８０゜反対であるため、抵抗変化状態の位相の異なる出力を得ることができる。
【０００６】
図１２に示すブリッジ接続型の磁界センサＡにあって、これらの磁化の向きを各矢印に示すように規定しているのは、外部磁界Ｈに感応してフリー磁性層１７の磁化の向きが変化した場合に、巨大磁気抵抗効果素子１、２、３、４から差動出力を得る必要があるので、図１２の上下左右に位置する巨大磁気抵抗効果素子１、２、３、４において隣り合う隣接するものどうしで１８０゜方向が異なる反平行向きに磁化の向きをピン止めする必要があるためである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、図１２に示す構造を実現するためには、基板上に巨大磁気抵抗効果素子１、２、３、４を隣接させて形成し、隣接する巨大磁気抵抗効果素子のピン止め磁性層１６の磁化の向きをそれぞれ１８０゜異なる方向に固定しなくてはならない。
また、この種のピン止め磁性層１６の磁化の向きを制御するために交換バイアス層１８の格子磁化を調整するには、強磁性が消失するブロッキング温度と呼ばれる温度以上に加熱した状態で交換バイアス層１８に所定の向きの磁界を印加しておき、この磁界を印加したままで冷却する熱処理を行わなくてはならない。
ところが、図１２に示す構造においては、巨大磁気抵抗効果素子１、２、３、４毎に交換バイアス層１８の磁化の向きを１８０゜変えなくてはならないので、基板上に隣接状態で形成されている巨大磁気抵抗効果素子毎に磁界の向きを制御しなくてはならないことになり、単に外部から電磁石等の磁場発生装置で磁界を印加する方法では、１方向磁界しか印加ができないので、図１２に示す構造を製造することが困難な問題があった。
【０００８】
このため、特開平８−２２６９６０号公報に開示の技術によれば、基板上に隣接状態で形成される巨大磁気抵抗効果素子１、２、３、４に沿ってそれぞれ導体層を積層し、これらの導体層の各々に異なる向きの電流を流して各導体層から個別に向きの異なる磁界を発生させながら前述の熱処理を行うことによって図１２に示す構造を実現できると記載されている。ところが、交換バイアス層１８の格子磁化を制御するために導体膜に大きな電流を印加して大きな磁界を発生させたくとも、基板上に巨大磁気抵抗効果素子とともに積層した薄膜状の導体膜に大きな電流を流すことは難しく、導体膜から発生できる磁界では強い磁界を印加して効率良く処理することができない問題がある。更に、基板上に隣接状態で設けられている巨大磁気抵抗効果素子１、２、３、４に複数の導体膜から別々の向きの磁界が作用することになるので、個々の巨大磁気抵抗効果素子の交換バイアス層１８に個別に強い磁界を作用させることは極めて困難な問題があった。
【０００９】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、特異な構造を採用することによって隣接する１組のピン止め磁性層の磁化の向きを揃えてもブリッジ接続を実現できる巨大磁気抵抗効果素子を備えたブリッジ接続型の磁界センサを実現する技術を提供することを目的とするものである。
また、本発明は、４つの巨大磁気抵抗効果素子の交換バイアス層の磁化を個々にブリッジ接続型として好ましい方向に確実に制御できるとともに、その制御が容易にできる磁界センサとその製造方法と製造装置の提供を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は前記課題を解決するために、交換バイアス層と、この交換バイアス層により磁化の方向が一方向に固定されたピン止め磁性層と、非磁性層と、外部磁界によって磁化の方向が回転自在にされたフリー磁性層とを少なくとも具備する巨大磁気抵抗効果素子が複数備えられ、第１の巨大磁気抵抗効果素子と第２の巨大磁気抵抗効果素子が、各々第１の直線に沿い、かつ、各々のピン止め磁性層の磁化の向きを一定方向に向けて設けられるとともに、第３の巨大磁気抵抗効果素子と第４の巨大磁気抵抗効果素子が、各々前記第１の直線と平行な第２の直線に沿い、かつ、各々のピン止め磁性層の磁化の向きを前記第１、第２の巨大磁気抵抗効果素子のピン止め磁性層の磁化の向きと１８０゜反対向きにして設けられてなることを特徴とする。
【００１１】
本発明は前記課題を解決するために、第１と第２と第３と第４の巨大磁気抵抗効果素子がそれぞれほぼ平行に隣接す第１番目と第２番目と第３番目と第４番目の直線に沿って設けられ、前記第１と第２の巨大磁気抵抗効果素子の各々のピン止め磁性層の磁化の向きが一定方向に向けられるとともに、前記第３と第４の巨大磁気抵抗効果素子の各々のピン止め磁性層の磁化の向きが前記第１と第２の巨大磁気抵抗効果素子のピン止め磁性層の磁化の向きと１８０゜反対向きの方向に向けられてなることを特徴とする。
【００１２】
更に、本発明は、前記第１の巨大磁気抵抗効果素子の一側と前記第４の巨大磁気抵抗効果素子の一側とが接続され、前記第２の巨大磁気抵抗効果素子の一側と前記第３の巨大磁気抵抗効果素子の一側とが接続されるとともに、前記第１の巨大磁気抵抗効果素子の他側と前記第３の巨大磁気抵抗効果素子の他側とが接続され、前記第２の巨大磁気抵抗効果素子の他側と前記第４の巨大磁気抵抗効果素子の他側とが接続される一方、前記各巨大磁気抵抗効果素子の一側どうしの接続部分と他側どうしの接続部分の一方に入力側の端子部が、他方に出力側の端子部が各々接続されてなることを特徴とする構成でも良い。
【００１３】
本発明の製造方法は、先のいずれかに記載の構造の磁界センサを製造するに際し、第１と第２の巨大磁気抵抗効果素子に沿って第１の導体を配し、第３と第４の巨大磁気抵抗効果素子に沿って第２の導体を配するととともに、第１と第２の導体に１８０゜異なる方向の電流を流して各導体から磁界を発生させ、各導体からの発生磁界により各巨大磁気抵抗効果素子のピン止め磁性層の磁化を行うことを特徴とする。
先の製造方法において、第１と第２の導体を直列接続して同一電源に接続して電流を印加することが好ましい。
【００１４】
本発明の製造装置は、先のいずれかに記載の構造の磁界センサを製造する装置であり、前記第１と第２の巨大磁気抵抗効果素子に沿って配置される第１の導体と、前記第３と第４の巨大磁気抵抗効果素子に沿って配置される第２の導体と、前記第１の導体と前記第２の導体に１８０゜異なる方向に電流を流す電源とを具備してなる。
前記構造の装置において、前記第１と第２の導体が直列接続されて同一電源に接続されてなることが好ましい。更に前記構造の装置において、前記第１の導体と第２の導体がループ状に直列接続されてなることが好ましい。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の磁界センサの第１実施形態について図面を参照して説明する。図１は本発明の第１実施形態の磁界センサＳ１の基本回路図、図２は基本概念を示す概略構成図、図３は同磁界センサを実際の基板上に形成してなる構造の一例を示す平面図である。
第１実施形態の磁界センサＳ１は、図１において左上側に配置された第１の巨大磁気抵抗効果素子３１と、同図の左下側に配置された第２の巨大磁気抵抗効果素子３２と、同図の右上側に配置された第３の巨大磁気抵抗効果素子３３と、同図の右下側に配置された第４の巨大磁気抵抗効果素子３４とを具備して構成されている。また、これらの巨大磁気抵抗効果素子３１、３２、３３、３４はいずれも後述する如く薄膜の積層体からなり、線状の細長い形状とされ、第１と第２の巨大磁気抵抗効果素子３１、３２は図１に示す第１の直線Ｌ１に沿って配置されるとともに、第３と第４の巨大磁気抵抗効果素子３３、３４は、前記第１の直線Ｌ１に離間して平行に設けられた第２の直線Ｌ２に沿って配置されている。
【００１６】
更に、前記第１と第３の巨大磁気抵抗効果素子３１、３３が左右に対向する位置に、前記第２と第４の巨大磁気抵抗効果素子３２、３４が左右に対向する位置にそれぞれ配置されている。
なお、この実施形態においては第１、第２の巨大磁気抵抗効果素子３１、３２が同一直線上に、第３、第４の巨大磁気抵抗効果素子３３、３４が同一直線上にそれぞれ配置されているが、これらは平行関係を保ったままで横方向に多少位置ずれしていても良く、個々に多少傾斜していても良い。
【００１７】
図２は本実施形態の巨大磁気抵抗効果素子３１、３２、３３、３４の基本的積層構造と、それら各層の磁化の向きを明らかにするためのもので、巨大磁気抵抗効果素子３１、３２、３３、３４はいずれも同等の構造とされ、基本的には図２に示すように強磁性層（フリー磁性層）ａと非磁性層ｂと強磁性層（ピン止め磁性層）ｃと交換バイアス層（反強磁性体層）ｄを積層して構成されている。
図２に示す基本的な積層構造において、交換バイアス層ｄに隣接しているピン止め磁性層ｃは、交換バイアス層ｄによって磁化の向きがピン止めされている。具体的には、第１の巨大磁気抵抗効果素子３１において交換バイアス層ｄとピン止め層ｃの磁化の向きが矢印ｅに示すように右向きに、第２の巨大磁気抵抗効果素子３２において交換バイアス層ｄとピン止め層ｃの磁化の向きが矢印ｆに示すように右向きに設定されている。
【００１８】
前記第３の巨大磁気抵抗効果素子３３において交換バイアス層ｄとピン止め層ｃの磁化の向きが矢印ｇに示すように左向きに、第４の巨大磁気抵抗効果素子３４において交換バイアス層ｄとピン止め層ｃの磁化の向きが矢印ｈに示すように左向きに設定されている。従って、第１と第２の巨大磁気抵抗効果素子３１、３２のピン止め磁性層ｃの磁化の向きは互いに平行であり、第３と第４の巨大磁気抵抗効果素子３３、３４のピン止め磁性層ｃの磁化の向きは互いに平行にされているとともに、第１と第２の巨大磁気抵抗効果素子３１、３２のピン止め磁性層ｃの磁化の向きと、第３と第４の巨大磁気抵抗効果素子３３、３４のピン止め磁性層ｃの磁化の向きは、互いに１８０゜反対方向に向けられている。
【００１９】
前記の第１と第２と第３と第４の巨大磁気抵抗効果素子３１、３２、３３、３４のフリー磁性層ａの磁化の向きは、外部磁界が作用しない状態においては不特定の方向に向いている。
【００２０】
次に、前記第１の巨大磁気抵抗効果素子３１の一側３１と第４の巨大磁気抵抗効果素子３４の一側３４ａとが導体４２で接続され、この導体４２が接続部とされ、導体４２からなる接続部に端子部４３が接続されるとともに、第２の巨大磁気抵抗効果素子３２の一側３２ａと第３の巨大磁気抵抗効果素子３３の一側３３ａとが導体４５で接続され、この導体４５が接続部とされ、この導体４５に端子部４６が接続されている。更に、第１の巨大磁気抵抗効果素子３１の他側３１ｂと第３の巨大磁気抵抗効果素子３３の他側３３ｂとが導体４０で接続され、この導体４０が接続部とされ、この導体４０に端子部４１が接続されるとともに、第２の巨大磁気抵抗効果素子３２の他側３２ｂと第４の巨大磁気抵抗効果素子３４の他側３４ｂが導体４７で接続され、この導体４７が接続部とされ、この導体４７に端子部４８が接続されている。
【００２１】
従って、第１の巨大磁気抵抗効果素子３１と第４の巨大磁気抵抗効果素子３４とが直列接続されて第１の接続対Ｐ１が構成され、第２の巨大磁気抵抗効果素子３２と第３の巨大磁気抵抗効果素子３３とが直列接続されて第２の接続対Ｐ２が構成されている。
【００２２】
図３は図１と図２に示す基本構造の巨大磁気抵抗効果素子３１、３２、３３、３４と同等の構造の巨大磁気抵抗効果素子３１、３２Ａ、３３Ａ、３４Ａと、導体４０、４２、４５、４７と端子部４１、４３、４６、４８を実際に基板Ｋの上に積層してなる一例の磁界センサＳ１１を示す。
この例の磁界センサＳ１１において、前記基板ＫはＳｉ基板等の非磁性の絶縁性の材料からなり、基板上面に平坦化あるいは絶縁性向上等の目的でＡｌ２Ｏ３等からなる下地膜を被覆したものなどが好適に用いられる。
【００２３】
この基板Ｋ上に基本的に図２に示す積層構造を有し、図１に示すように直線Ｌ１とＬ２に沿うように配置された線状の巨大磁気抵抗効果素子３１Ａ、３２Ａ、３３Ａ、３Ａ４が形成され、それらを接続するＣｒ、Ｃｕ等の導電性金属材料からなる導体４０、４２、４５、４７が形成され、基板Ｋのコーナ部分側に位置するように端子部４１、４３、４６、４８が形成されている。この形態の巨大磁気抵抗効果素子３１の詳細断面構造を図４に代表的に示すが、この形態の巨大磁気抵抗効果素子３１は、基板Ｋ上に下から順に交換バイアス層（反強磁性体層）ｄとピン止め磁性層ｃと副強磁性体層ｍと非磁性層ｂと副強磁性体層ｎとフリー磁性層ａを積層して断面等脚台形状に形成され、これら積層体の側面側に各層に接するように先の導体のいずれかが接続されている。なお、図４に示す断面構造において各積層体の端部と導体との接合部分にフリー磁性層ａを単磁区化するためのバイアス層を適宜設けて構成しても良い。
【００２４】
この図４の構造において副強磁性層ｍとｎは磁気抵抗効果をより効率良く発揮させるために設けられるＣｏやＣｏ合金等の強磁性体からなる層であるが、これらは省略しても差し支えない層である。また、交換バイアス層ｄとピン止め磁性層ｃと副強磁性体層ｍと非磁性層ｂと副強磁性体層ｎとフリー磁性層ａの積層順序はこの例の逆の順序でも差し支えない。
【００２５】
なお、より具体的な巨大磁気抵抗効果素子の積層構造として、α−Ｆｅ２Ｏ３層（交換バイアス層）／ＮｉＦｅ層（ピン止め磁性層）／Ｃｏ層（副強磁性体層）／Ｃｕ層（非磁性層）／Ｃｏ層（副強磁性体層）／ＮｉＦｅ層（フリー磁性層）を例示することができる。また、必要に応じてα−Ｆｅ２Ｏ３層の下に電流シャント層としてＡｌ２Ｏ３層を設けても良い。更に、以上の構造の外に、α−Ｆｅ２Ｏ３層／Ｃｏ層／Ｃｕ層／Ｃｏ層／ＮｉＦｅ層／Ｃｏ層／Ｃｕ層／Ｃｏ層／α−Ｆｅ２Ｏ３層の積層構造の巨大磁気抵抗効果素子を例示することもできる。更に、交換バイアス層は、それに隣接するピン止め磁性層の磁化の向きをピン止めできるものであれば、公知のもののいずれを用いても良いので、α−Ｆｅ２Ｏ３層の外に、ＦｅＭｎ層、ＮｉＭｎ層、ＮｉＯ層、ＩｒＭｎ層、ＣｒＰｔＭｎ、ＰｄＰｔＭｎ、ＭｎＲｈＲｕ、ＰｔＭｎ等を用いても良い。
【００２６】
図１と図２に示す磁界センサＳ１に対して外部磁界Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３、Ｈ４が作用すると、これらの磁界Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３、Ｈ４に合わせて巨大磁気抵抗効果素子３１、３２、３３、３４の各フリー磁性層ａの磁化の向きが回転する結果、その回転角度に応じて電気抵抗変化を生じる。
この電気抵抗変化を測定するには、端子部４１と端子部４８を入力部と見て所定の電流を流し、端子部４３、４６を出力部と見て抵抗測定を行うことで実現できる。
【００２７】
図５は、例えば巨大磁気抵抗効果素子３１において、ピン止め磁性層ｃの磁化の向きをｅとして一方向（右向き）に固定した場合に、フリー磁性層ａの磁化の回転に応じた抵抗変化特性を示すもので、抵抗変化は、ピン止め磁性層ｃの磁化の向きｅとフリー磁性層ａの磁化の向きｋが同方向の際に最小値を示し、反平行の場合に最大値を示し、その間の変化は図５に示すサインカーブを示す。
【００２８】
従って、抵抗変化の中間点を原点とみなすと、抵抗変化の極性（増加する方向を＋、減少する方向を−とする。）はピン止め磁性層ｄの磁化の向きが同じにされた巨大磁気抵抗効果素子３１、３２どうしでは同極性であり、巨大磁気抵抗効果素子３３、３４どうしでは同極性であるが、巨大磁気抵抗効果素子３１と巨大磁気抵抗効果素子３３では逆極性に、巨大磁気抵抗効果素子３２と巨大磁気抵抗効果素子３４では逆極性になるので、図１と図２に示す接続構造で巨大磁気抵抗効果素子のホイートストーンブリッジが構成されたことなり磁界センサとして有効に作動する。また、この形態の構造においては、巨大磁気抵抗効果素子３１、３２、３３、３４によってホイートストーンブリッジを構成しているので、出力の増大（抵抗変化率の増大）、磁界環境変化による磁気的ノイズ成分の打消効果（地磁気の方向や磁気的ノイズ成分等による巨大磁気抵抗効果素子毎の雑音成分の除去）を得ることができる。
【００２９】
図６は本発明に係る磁界センサの第２実施形態を示すもので、この形態の磁界センサＳ２において先の第１実施形態の構造と同じ構造には同一符号を付してそれらの説明を省略する。
この形態の磁界センサＳ２においても先の形態の磁界センサＳ１と同様に巨大磁気抵抗効果素子３１、３２、３３、３４が設けられており、それらのピン止め磁性層の磁化の向きも同等とされているが、導体による接続構造が一部のみ異なっている。
【００３０】
第１の巨大磁気抵抗効果素子３１の一端３１ａは導体５１によって第３の巨大磁気抵抗効果素子３３の他端３３ｂに接続され、巨大磁気抵抗効果素子３１の他端３１ｂは導体５０によって第４の巨大磁気抵抗効果素子３４の一端３４ａに接続されるとともに、第２の巨大磁気抵抗効果素子３２の一端３２ａは先の形態と同様に導体４５によって第３の巨大磁気抵抗効果素子３３の一端３３ａに接続され、第２の巨大磁気抵抗効果素子３２の他端３２ｂは先の形態と同様に導体４７によって第４の巨大磁気抵抗効果素子３４の他端３４ｂに接続されている。そして、導体５０が接続部とされてこの導体５０に端子部５２が接続され、導体５１が接続部とされてこの導体５１に端子部５３が接続されている。
【００３１】
この形態の構造においても第１の巨大磁気抵抗効果素子３１と第４の巨大磁気抵抗効果素子３４とが直列接続されて第１の接続対Ｐ１が構成され、第２の巨大磁気抵抗効果素子３２と第３の巨大磁気抵抗効果素子３３とが接続されて第２の接続対Ｐ２が構成されている。
【００３２】
図６に示す構造においても巨大磁気抵抗効果素子３１、３２、３３、３４によってブリッジ回路が構成されているので、先の第１実施形態の構造と同様に磁界センサとして使用することができる。
【００３３】
図７は本発明に係る磁界センサの第３実施形態を示すもので、この形態の磁界センサＳ３において先の図３に示す構造と同じ構造には同一符号を付してそれらの説明を省略する。
この形態の磁界センサＳ３においても先の形態の磁界センサＳ１１と同様に巨大磁気抵抗効果素子３１、３２Ａ、３３Ａ、３４Ａが設けられており、それらのピン止め磁性層の磁化の向きも同等とされているが、導体による接続構造が一部のみ異なっている。
【００３４】
第１の巨大磁気抵抗効果素子３１の他端３１ｂは図３の構造の場合と同様に導体４０によって第３の巨大磁気抵抗効果素子３３Ａの他端３３ｂに接続され、巨大磁気抵抗効果素子３１Ａの一端３１ａは図３の構造と同様に導体４２によって第４の巨大磁気抵抗効果素子３４Ａの一端３４ａに接続されている。また、第２の巨大磁気抵抗効果素子３２Ａの一端３２ａは導体６０によって第４の巨大磁気抵抗効果素子３４Ａの他端３４ｂに接続され、第２の巨大磁気抵抗効果素子３２の他端３２ｂは導体６１によって第３の巨大磁気抵抗効果素子３３Ａの一端３３ａに接続されている。また、導体６０の一部を基板Ｋのコーナ部分に延長して入力用の端子部６２が形成されるとともに、導体６１の途中部分において基板Ｋのコーナ部分に位置する箇所に出力用の端子部６３が形成されている。
【００３５】
図７に示す構造においても巨大磁気抵抗効果素子３１Ａ、３２Ａ、３３Ａ、３４Ａによってブリッジが構成されているので、先の第１実施形態の構造と同様に磁界センサとして使用することができる。
【００３６】
次に、図７に示す磁界センサＳ３の巨大磁気抵抗効果素子３１Ａ、３２Ａ、３３Ａ、３４Ａの各々のピン止め磁性層ｃの磁化のピン止め方法について、磁界センサＳ３の製造方法とともに以下に説明する。
図７に示す構造の磁界センサＳ３を製造するには、Ｓｉ基板等の基板上に必要な膜を積層し、必要に応じて膜の積層工程に合わせて適宜フォトリソ工程を行い、パターニングを施して製造することができる。
【００３７】
まず、基板上に目的とする巨大磁気抵抗効果素子の積層構造に合わせて必要な薄膜を積層する。巨大磁気抵抗効果素子が５層構造の場合は５層の薄膜を積層し６層構造の場合は６層の薄膜を積層し７層構造の場合は７層の薄膜を積層する。次にこれら積層膜の上にレジストを塗布してフォトリソ工程を施し、必要部分のみを線状の巨大磁気抵抗効果素子として残す。
次に これら巨大磁気抵抗効果素子の上にレジストを形成してから電極膜を形成し、続いて電極膜をフォトリソ工程で所望の形状に加工して図７に示すように導体を形成し、続いて後述するように磁界印加処理を行うならば図７に示す磁界センサＳ３を製造することができる。
【００３８】
磁界を印加する処理を行う場合、一例として図８に示す製造装置Ｚを用いる。この例の製造装置Ｚは、磁界センサＳ３の基板Ｋを嵌め込み設置可能な幅の凹部７０を備えた基台７１と、この凹部７０の底面部に設置されたループ型の導体７２と、導体７２に接続された電源７３を主体として構成されている。前記導体７２は、直線状の第１の導体７５と、この第１の導体７５に平行な直線状の第２の導体７６と、これら第１の導体７５と第２の導体７６を連結する接続導体７７とからループ状に構成されている。
【００３９】
そして、基板Ｋを凹部７０に嵌め込み挿入した場合に図９に示すように第１の導体７５の上方に巨大磁気抵抗効果素子３１Ａ、３２Ａが位置し、第２の導体７６の上方に巨大磁気抵抗効果素子３３Ａ、３４Ａが位置するように形成されている。また、電源７３は第１の導体７５側から第２の導体７６側に流れる直流電流を印加できるものである。
【００４０】
図８と図９に示すように基板Ｋを凹部７０に嵌め込み挿入した後、電源から直流電流を流すと、導体７５を流れる電流により図９に示す導体７５を中心とする時計回りの磁界が生じるとともに、導体７６を流れる電流により導体７６を中心とする反時計回りの磁界が生じるので、第１と第２の巨大磁気抵抗効果素子３１Ａ、３２Ａの交換バイアス層ｄを図８の矢印ｅ、ｆに示す方向に、第３と第４の巨大磁気抵抗効果素子３３Ａと３４Ａの交換バイアス層ｄを図８の矢印ｇ、ｈに示す方向にそれぞれ着磁することができ、各交換バイアス層ｄの交換結合力によってそれらに隣接するピン止め磁性層ｃの磁化の向きを各々の方向（ｅ方向、ｆ方向、ｇ方向、ｈ方向）にピン止めすることができる。着磁した後で導体７７に流れる電流を停止すると、交換バイアス層ｄの着磁状態はそのまま保持されるので、各ピン止め磁性層ｃの磁化の向きもピン止めされたまま維持される。
以上の工程を経ることにより、各ピン止め磁性層の磁化の向きを図８に示すように制御した磁気センサＳ３を得ることができる。
【００４１】
前記第１の導体７５と第２の導体７６に電流を流して磁界を発生させる場合、両導体に流れる電流が時間的に１００μｓｅｃでもずれて作用すると、第１、第２の巨大磁気抵抗効果素子３１、３２の交換バイアス層ｄの着磁状態と、第３、第４の巨大磁気抵抗効果素子３３、３４の交換バイアス層ｄの着磁状態が同一になされないおそれがあるので、第１の導体７５と第２の導体７６を同一電源に接続して磁界印加の時間ずれを無くした状態で磁界発生させることが重要である。ただし、磁界印加の時間ずれを無くすることができように２つの電源の同期をとって着磁できるならば、複数の電源に接続して別々の電源から第１の導体７５と第２の導体７６に電流を流しても差し支えない。
【００４２】
なお、交換バイアス層ｄをα−Ｆｅ２Ｏ３層、ＮｉＯ層、ＩｒＭｎ層、ＣｒＰｔＭｎから構成した場合はこのような磁界印加手段で瞬時に着磁できるが、交換バイアス層ｄの構成材料としてＮｉＭｎ層、ＰｄＰｔＭｎ層、ＭｎＲｈＲｕ層、ＰｔＭｎ層を選択した場合はブロッキング温度以上の温度に加熱後、先に述べたごとく着磁する必要があるので着磁作業が繁雑になるが、着磁可能であるので利用することができる。
【００４３】
図１０は本発明に係る磁界センサの第４実施形態を示すもので、この形態の磁界センサＳ４は、基本的な構造については図７に示す磁界センサＳ３と同等であるが、異なっているのは、第１の巨大磁気抵抗効果素子３１Ｂが第１番目の直線Ｔ１に沿って、第２の巨大磁気抵抗効果素子３２Ｂが第２番目の直線Ｔ２に沿ってそれぞれ設けられている点と、第３の巨大磁気抵抗効果素子３３Ｂが第３番目の直線Ｔ３に沿って、第４の巨大磁気抵抗効果素子３４Ｂが第４番目の直線Ｔ４に沿ってそれぞれ設けられている点である。第１番目、第２番目、第３番目、第４番目の直線Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４はいずれも平行であり、直線Ｔ１とＴ２が隣接配置され、直線Ｔ３とＴ４が隣接配置されている。
【００４４】
その他の構造は先に図６に記載の磁界センサＳ３と同等であり、この実施形態の磁界センサＳ４においても先の実施形態の磁界センサＳ３と同等の効果を得ることができる。
また、磁界センサＳ４を製造する際に用いる製造装置として図８に示すものをそのまま用いることはできないので、第１の導体７５を第１の巨大磁気抵抗効果素子３１Ｂの位置と第２の巨大磁気抵抗効果素子３２Ｂの位置に合うように折り曲げ変形させ、第２の導体７６を第３の巨大磁気抵抗効果素子３３Ｂの位置と第４の巨大磁気抵抗効果素子３４Ｂの位置に合うように折り曲げ変形させて用いれば良い。
【００４５】
具体的には、第１の導体７５において電源７３に近い側の直線部分と電源７３から離れた側の直線部分の間（第１の巨大磁気抵抗効果素子３１Ｂと第２の巨大磁気抵抗効果素子３２Ｂとの間の部分の下方）に折曲部を形成し、第１の巨大磁気抵抗効果素子３２Ｂと第２の巨大磁気抵抗効果素子３３Ｂのいずれにも位置合わせできるように構成すると良い。また、第２の導体７６に対しても第１の導体７５の場合と同様に、第３の巨大磁気抵抗効果素子３３Ｂと第４の巨大磁気抵抗効果素子３４Ｂとの間の部分の下方に折曲部を設けて第２の導体７６１本で第３、第４の巨大磁気抵抗効果素子３３Ｂ、３４Ｂに位置合わせできるように構成すると良い。
【００４６】
以上説明した各実施形態のように、４つの巨大磁気抵抗効果素子によってブリッジ回路を構成することを想定すると、第１と第２の巨大磁気抵抗効果素子を同一直線上に配置し、第３と第４の巨大磁気抵抗効果素子を同一直線上に配置することが望ましいが、図１０に示す実施形態のように多少位置ずれした状態で巨大磁気抵抗効果素子を配置しても差し支えない。また、巨大磁気抵抗効果素子をいずれも完全平行に配置する必要はなく、ブリッジ回路を構成する場合に位相の異なる抵抗を検出することに支障にならない程度傾斜させて配置しても良いのは勿論である。
【００４７】
【実施例】
縦３．６ｍｍ×横３．６ｍｍのサイズのＳｉ基板上に、幅０．０５ｍｍ、長さ１．７５ｍｍの４つの線状の巨大磁気抵抗効果素子を図７に示す位置に相互に平行位置に形成して基本構造の磁界センサを形成した。
各巨大磁気抵抗効果素子の積層構造は、Ａｌ２Ｏ３層（１０００Å厚）／α−Ｆｅ２Ｏ３層（１０００Å厚）／ＮｉＦｅ層（３０Å厚）／Ｃｏ層（１０Å厚）／Ｃｕ層（２２Å厚）／Ｃｏ層（１０Å厚）／ＮｉＦｅ層（７７Å厚）／Ｔａ（３０Å厚）の８層からなる積層構造とした。各巨大磁気抵抗効果素子の端部どうしを接続する導体はＣｒ膜から形成し、図７に示す導体接続形状とした。
【００４８】
次に、図８と図９に示す装置に基板をセットし、銅線からなる太さ０．８〜０．９ｍｍの第１の導体と第２の導体に１００μｓｅｃの時間、３５００Ａの電流を流して交換バイアス層の着磁を行ない、磁界センサを得た。
【００４９】
外部磁界として、磁界センサＳ３の表面側に１１ｍｍのギャップを介して図１１に示す円柱状の磁石８０を配置し、磁界センサＳ３は固定し、円柱状の磁石８０をその周回りに回転させてサインカーブ状の対称性の磁界をこの磁界センサに印加したところ、図１１に示す出力カーブを得ることができ、磁界センサとして作動することを確認することができた。
【００５０】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の磁界センサは、同一直線上に並ぶ第１と第２の巨大磁気抵抗効果素子のピン止め磁性層の磁化の向きを同じ方向に揃え、同一直線上に並ぶ第３と第４の巨大磁気抵抗効果素子のピン止め磁性層の磁化の向きを１８０゜異なる同じ方向に揃え、第１と第２と第３と第４の巨大磁気抵抗効果素子を接続することで巨大磁気抵抗効果素子によるブリッジ回路を構成できる。
そして、第１と第２の巨大磁気抵抗効果素子の交換バイアス層の着磁を同一方向にまとめて同一磁界で着磁することができ、第３と第４の巨大磁気抵抗効果素子の交換バイアス層の着磁を同一方向にまとめて同一磁界で着磁して製造できるので、４つ別々な方向に着磁する必要のあった従来構造よりも格段に着磁作業を容易にすることができる効果がある。従って生産性の良好な磁界センサを提供できる。
【００５１】
また、本発明の構造は第１と第２と第３と第４の巨大磁気抵抗効果素子をそれぞれ平行な異なる直線上に配置する構造においても実現することができる。
【００５２】
次に、前記の第１と第２と第３と第４の巨大磁気抵抗効果素子をブリッジ接続することで、巨大磁気抵抗効果素子を用いたホイートストーンブリッジを容易に構成することができるので、出力の増大化、環境ノイズ磁界が作用した場合のノイズ磁界の打消が容易にでき、正確な磁界検出ができる磁界センサを提供することができる。
【００５３】
本発明において、同一直線上に並ぶ第１と第２の巨大磁気抵抗効果素子のピン止め磁性層の磁化の向きを同じ方向に揃え、同一直線上に並ぶ第３と第４の巨大磁気抵抗効果素子のピン止め磁性層の磁化の向きを１８０゜異なる同じ方向に揃える構造を採用すると、第１と第２の巨大磁気抵抗効果素子に沿って配置した第１の導体と、第３と第４の巨大磁気抵抗効果素子に沿って配置した第２の導体に電流を流して発生させた磁界により、４つの巨大磁気抵抗効果素子のピン止め磁性層の磁化の向きを所望の方向に揃えることが容易にできるので、製造が極めて容易な特徴を有する。
【００５４】
本発明の製造装置では、前記構造の磁界センサを製造するために、第１の導体と第２の導体を備え、これらを電源に接続した装置を用いることで、第１の導体を第１と第２の巨大磁気抵抗効果素子に沿って配置し、第２の導体を第３と第４の巨大磁気抵抗効果素子に沿って配置し、これらの導体に電流を流して磁界印加することで、ピン止め磁性層の磁化の向きを所望の方向に容易にピン止めすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る磁界センサの第１実施形態の回路図。
【図２】同第１実施形態の磁界センサに備えられた巨大磁気抵抗効果素子の積層構造を示すための概略構成図。
【図３】第１の実施形態を基板上に実際に作成した磁界センサの一例を示す平面図。
【図４】図３に示す磁界センサに適用された巨大磁気抵抗効果素子の具体的積層構造と導体の接続部分を示す断面図。
【図５】本発明で用いた巨大磁気抵抗効果素子において、ピン止め磁性層の磁化の向きに対してフリー磁性層の磁化の向きが変化した場合に生じる抵抗変化状態を示す説明図。
【図６】本発明に係る磁界センサの第２実施形態の回路図。
【図７】本発明に係る磁界センサの第３実施形態の平面図。
【図８】図７に示す磁界センサを製造装置により着磁している状態を示す図。
【図９】同状態の側面図。
【図１０】本発明に係る磁界センサの第４実施形態の平面図。
【図１１】実施例の磁界センサで得られた出力測定結果を示す図。
【図１２】従来の磁界センサの一例を示す概略構成図。
【図１３】図１２に示す磁界センサに備えられている巨大磁気抵抗効果素子のピン止め磁性層の磁化の向きとフリー磁性層の磁化の向きの関係を示す図。
【符号の説明】
ａ・・・強磁性層（フリー磁性層）、ｂ・・・非磁性層、ｃ・・・強磁性層（ピン止め磁性層）、ｄ・・・交換バイアス層（反強磁性体層）、ｅ、ｆ、ｇ、ｈ・・・磁化の向き、Ｌ１・・・第１の直線、Ｌ２・・・第２の直線、Ｓ１、Ｓ１１、Ｓ２、Ｓ３・・・磁界センサ、Ｔ１・・・第１番目の直線、Ｔ２・・・第２番目の直線、Ｔ３・・・第３番目の直線、Ｔ４・・・第４番目の直線、３１、３１Ａ、３１Ｂ・・・第１の巨大磁気抵抗効果素子、３１ａ・・・一端、３１ｂ・・・他端、３２、３２Ａ、３２Ｂ・・・第２の巨大磁気抵抗効果素子、３２ａ・・・一端、３２ｂ・・・他端、３３、３３Ａ、３３Ｂ・・・第３の巨大磁気抵抗効果素子、３３ａ・・・一端、３３ｂ・・・他端、３４、３４Ａ、３４Ｂ・・・第４の巨大磁気抵抗効果素子、３４ａ・・・一端、３４ｂ・・・他端、４０、４２、４５、４７、５０、５１・・・導体（接続部）、４１、４３、４６、４８、６１、６２・・・端子部、７３・・・電源、７５・・・第１の導体、７６・・・第２の導体、Ｚ・・・製造装置。
Claims (8)
- 交換バイアス層と、この交換バイアス層により磁化の方向が一方向に固定されたピン止め磁性層と、非磁性層と、外部磁界によって磁化の方向が回転自在にされたフリー磁性層とを少なくとも具備する巨大磁気抵抗効果素子が複数備えられ、
第１の巨大磁気抵抗効果素子と第２の巨大磁気抵抗効果素子が、各々第１の直線に沿い、かつ、各々のピン止め磁性層の磁化の向きを一定方向に向けて設けられるとともに、
第３の巨大磁気抵抗効果素子と第４の巨大磁気抵抗効果素子が、各々前記第１の直線と平行な第２の直線に沿い、かつ、各々のピン止め磁性層の磁化の向きを前記第１、第２の巨大磁気抵抗効果素子のピン止め磁性層の磁化の向きと１８０゜反対向きにして設けられてなることを特徴とする巨大磁気抵抗効果素子を備えた磁界センサ。 - 交換バイアス層と、この交換バイアス層により磁化の方向が一方向に固定されたピン止め磁性層と、非磁性層と、外部磁界によって磁化の方向が回転自在にされたフリー磁性層とを少なくとも具備する巨大磁気抵抗効果素子が複数備えられ、
第１と第２と第３と第４の巨大磁気抵抗効果素子がほぼ平行に隣接する第１番目と第２番目と第３番目と第４番目の直線に沿って各々設けられ、
前記第１と第２の巨大磁気抵抗効果素子の各々のピン止め磁性層の磁化の向きが一定方向に向けられるとともに、
前記第３と第４の巨大磁気抵抗効果素子の各々のピン止め磁性層の磁化の向きが前記第１と第２の巨大磁気抵抗効果素子のピン止め磁性層の磁化の向きと１８０゜反対向きにされてなることを特徴とする巨大磁気抵抗効果素子を備えた磁界センサ。 - 前記第１の巨大磁気抵抗効果素子の一側と前記第４の巨大磁気抵抗効果素子の一側とが接続され、前記第２の巨大磁気抵抗効果素子の一側と前記第３の巨大磁気抵抗効果素子の一側とが接続されるとともに、前記第１の巨大磁気抵抗効果素子の他側と前記第３の巨大磁気抵抗効果素子の他側とが接続され、前記第２の巨大磁気抵抗効果素子の他側と前記第４の巨大磁気抵抗効果素子の他側とが接続される一方、前記各巨大磁気抵抗効果素子の一側どうしの接続部分と他側どうしの接続部分の一方に入力側の端子部が、他方に出力側の端子部が各々接続されてなることを特徴とする請求項１または２に記載の巨大磁気抵抗効果素子を備えた磁界センサ。
- 請求項１〜３のいずれかに記載の構造の磁界センサを製造するに際し、第１の巨大磁気抵抗効果素子と第２の巨大磁気抵抗効果素子に沿って第１の導体を配し、第３の巨大磁気抵抗効果素子と第４の巨大磁気抵抗効果素子に沿って第２の導体を配するととともに、第１の導体と第２の導体に１８０゜異なる方向の電流を流して各導体から磁界を発生させ、各導体からの発生磁界により各巨大磁気抵抗効果素子の交換バイアス層の着磁を行ってピン止め磁性層の磁化を固定することを特徴とする巨大磁気抵抗効果素子を備えた磁界センサの製造方法。
- 前記第１の導体と前記第２の導体を直列接続して同一電源に接続して電流を印加することを特徴とする請求項４記載の巨大磁気抵抗効果素子を備えた磁界センサの製造方法。
- 請求項１〜３のいずれかに記載の構造の磁界センサを製造する装置であって、前記第１の巨大磁気抵抗効果素子と第２の巨大磁気抵抗効果素子に沿って配置される第１の導体と、前記第３の巨大磁気抵抗効果素子と第４の巨大磁気抵抗効果素子に沿って配置される第２の導体と、前記第１の導体と前記第２の導体に１８０゜異なる方向に電流を流す電源とを具備してなることを特徴とする巨大磁気抵抗効果素子を備えた磁界センサの製造装置。
- 前記第１の導体と前記第２の導体が直列接続されて同一電源に接続されてなることを特徴とする請求項６に記載の磁界センサの製造装置。
- 前記第１の導体と第２の導体がループ状に直列接続されてなることを特徴とする請求項７に記載の磁界センサの製造装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20406698A JP3623366B2 (ja) | 1998-07-17 | 1998-07-17 | 巨大磁気抵抗効果素子を備えた磁界センサおよびその製造方法と製造装置 |
| US09/353,925 US6329818B1 (en) | 1998-07-17 | 1999-07-14 | Magnetic field sensor having giant magnetoresistive effect elements, manufacturing method and apparatus therefor |
| DE19933209A DE19933209C2 (de) | 1998-07-17 | 1999-07-15 | Magnetfeldsensor mit Riesenmagnetoresistenzeffekt-Elementen sowie Verfahren und Vorrichtung zu seiner Herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20406698A JP3623366B2 (ja) | 1998-07-17 | 1998-07-17 | 巨大磁気抵抗効果素子を備えた磁界センサおよびその製造方法と製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000035470A JP2000035470A (ja) | 2000-02-02 |
| JP3623366B2 true JP3623366B2 (ja) | 2005-02-23 |
Family
ID=16484206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20406698A Expired - Lifetime JP3623366B2 (ja) | 1998-07-17 | 1998-07-17 | 巨大磁気抵抗効果素子を備えた磁界センサおよびその製造方法と製造装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6329818B1 (ja) |
| JP (1) | JP3623366B2 (ja) |
| DE (1) | DE19933209C2 (ja) |
Families Citing this family (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003502876A (ja) * | 1999-06-18 | 2003-01-21 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 不可逆特性を持つ磁気システムおよびこの種システムを作成し修理し操作する方法 |
| DE19949714A1 (de) * | 1999-10-15 | 2001-04-26 | Bosch Gmbh Robert | Magnetisch sensitives Bauteil, insbesondere Sensorelement, mit magnetoresistiven Schichtsystemen in Brückenschaltung |
| JP3596600B2 (ja) * | 2000-06-02 | 2004-12-02 | ヤマハ株式会社 | 磁気センサ及び同磁気センサの製造方法 |
| DE10034732A1 (de) * | 2000-07-17 | 2002-02-07 | Siemens Ag | Anordnung zur Signalübertragung mittels magnetoresistiver Sensorelemente |
| JP3498737B2 (ja) * | 2001-01-24 | 2004-02-16 | ヤマハ株式会社 | 磁気センサの製造方法 |
| GB2372574B (en) * | 2001-02-23 | 2004-07-21 | Telcon Ltd | Improved polarity sensitive magnetic sensors |
| JP4028971B2 (ja) * | 2001-08-28 | 2008-01-09 | アルプス電気株式会社 | 磁気センサの組立方法 |
| CN1608197A (zh) * | 2001-12-27 | 2005-04-20 | 松下电器产业株式会社 | 方位传感器及其制造方法 |
| US6984978B2 (en) * | 2002-02-11 | 2006-01-10 | Honeywell International Inc. | Magnetic field sensor |
| JP4016857B2 (ja) * | 2002-10-18 | 2007-12-05 | ヤマハ株式会社 | 磁気センサ及びその製造方法 |
| US7259545B2 (en) * | 2003-02-11 | 2007-08-21 | Allegro Microsystems, Inc. | Integrated sensor |
| DE10357149A1 (de) * | 2003-12-06 | 2005-06-30 | Robert Bosch Gmbh | Magnetsensoranordnung |
| JP4433820B2 (ja) * | 2004-02-20 | 2010-03-17 | Ｔｄｋ株式会社 | 磁気検出素子およびその形成方法ならびに磁気センサ、電流計 |
| EP1574850A1 (de) * | 2004-03-08 | 2005-09-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Vorrichtung zur zerstörungsfreien Erfassung von tiefen Defekten in elektrisch leitenden Materialien |
| JP4557134B2 (ja) | 2004-03-12 | 2010-10-06 | ヤマハ株式会社 | 磁気センサの製造方法、同磁気センサの製造方法に使用されるマグネットアレイ及び同マグネットアレイの製造方法 |
| JP4303161B2 (ja) * | 2004-05-25 | 2009-07-29 | 株式会社東海理化電機製作所 | 磁気センサ及び磁気センサの製造方法 |
| TWI278650B (en) * | 2004-09-28 | 2007-04-11 | Yamaha Corp | Magnetic sensor using giant magnetoresistive elements and method for manufacturing the same |
| JP4360998B2 (ja) * | 2004-10-01 | 2009-11-11 | Ｔｄｋ株式会社 | 電流センサ |
| US7777607B2 (en) * | 2004-10-12 | 2010-08-17 | Allegro Microsystems, Inc. | Resistor having a predetermined temperature coefficient |
| JP4689435B2 (ja) | 2004-12-16 | 2011-05-25 | アルプス電気株式会社 | 角度検出センサ |
| DE102005047413B8 (de) * | 2005-02-23 | 2012-05-10 | Infineon Technologies Ag | Magnetfeldsensorelement und Verfahren zum Durchführen eines On-Wafer-Funktionstests, sowie Verfahren zur Herstellung von Magnetfeldsensorelementen und Verfahren zur Herstellung von Magnetfeldsensorelementen mit On-Wafer-Funktionstest |
| JP2007024598A (ja) * | 2005-07-13 | 2007-02-01 | Denso Corp | 磁気センサ |
| US7768083B2 (en) | 2006-01-20 | 2010-08-03 | Allegro Microsystems, Inc. | Arrangements for an integrated sensor |
| WO2008120118A2 (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-09 | Nxp B.V. | Magneto-resistive sensor |
| DE102007025965A1 (de) * | 2007-06-04 | 2008-12-11 | Robert Bosch Gmbh | Magnetfeldsensor |
| JP4890401B2 (ja) * | 2007-09-20 | 2012-03-07 | アルプス電気株式会社 | 原点検出装置 |
| DE202007014319U1 (de) * | 2007-10-12 | 2009-02-26 | Woelke Magnetbandtechnik Gmbh & Co. Kg | Magnetfeldempfindlicher Sensor |
| US7795862B2 (en) | 2007-10-22 | 2010-09-14 | Allegro Microsystems, Inc. | Matching of GMR sensors in a bridge |
| US7816905B2 (en) * | 2008-06-02 | 2010-10-19 | Allegro Microsystems, Inc. | Arrangements for a current sensing circuit and integrated current sensor |
| US7915885B2 (en) * | 2008-08-04 | 2011-03-29 | Infineon Technologies Ag | Sensor system and method |
| DE102008039425B4 (de) * | 2008-08-23 | 2019-08-22 | Sensitec Gmbh | Biosensor-Anordnung zur Messung einer elektrischen Eigenschaft einer Anzahl N von elektrischen Widerstandsbauelementen |
| DE112010002899T5 (de) * | 2009-07-13 | 2012-06-14 | Hitachi Metals, Ltd. | Verfahren zur Herstellung eines Magnetowiderstandseffektelements, eines Magnetsensors, einer Drehwinkel-Erfassungsvorrichtung |
| US8451003B2 (en) | 2009-07-29 | 2013-05-28 | Tdk Corporation | Magnetic sensor having magneto-resistive elements on a substrate |
| CN202119391U (zh) * | 2011-03-03 | 2012-01-18 | 江苏多维科技有限公司 | 一种独立封装的磁电阻角度传感器 |
| CN202119390U (zh) * | 2011-03-03 | 2012-01-18 | 江苏多维科技有限公司 | 一种独立封装的桥式磁场角度传感器 |
| JP2016186476A (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-27 | Tdk株式会社 | 磁気センサ及び磁気式エンコーダ |
| US10935612B2 (en) | 2018-08-20 | 2021-03-02 | Allegro Microsystems, Llc | Current sensor having multiple sensitivity ranges |
| US11187764B2 (en) | 2020-03-20 | 2021-11-30 | Allegro Microsystems, Llc | Layout of magnetoresistance element |
| US11567108B2 (en) | 2021-03-31 | 2023-01-31 | Allegro Microsystems, Llc | Multi-gain channels for multi-range sensor |
| EP4130772B1 (en) | 2021-08-05 | 2025-07-23 | Allegro MicroSystems, LLC | Magnetoresistive element having compensated temperature coefficient of tmr |
| US11994541B2 (en) | 2022-04-15 | 2024-05-28 | Allegro Microsystems, Llc | Current sensor assemblies for low currents |
| JP2024160725A (ja) * | 2023-05-02 | 2024-11-15 | 株式会社東芝 | センサ及び検査装置 |
| US12248039B2 (en) | 2023-08-08 | 2025-03-11 | Allegro Microsystems, Llc | Interleaving sub-arrays of magnetoresistance elements based on reference directions to compensate for bridge offset |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5247278A (en) * | 1991-11-26 | 1993-09-21 | Honeywell Inc. | Magnetic field sensing device |
| US5408377A (en) | 1993-10-15 | 1995-04-18 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor with improved ferromagnetic sensing layer and magnetic recording system using the sensor |
| EP0704061A1 (en) | 1994-04-15 | 1996-04-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | A magnetic field sensor, an instrument comprising such a sensor and a method of manufacturing such a sensor |
| US5561368A (en) | 1994-11-04 | 1996-10-01 | International Business Machines Corporation | Bridge circuit magnetic field sensor having spin valve magnetoresistive elements formed on common substrate |
| DE19520206C2 (de) | 1995-06-01 | 1997-03-27 | Siemens Ag | Magnetfeldsensor mit einer Brückenschaltung von magnetoresistiven Brückenelementen |
| DE19520178A1 (de) * | 1995-06-01 | 1996-12-05 | Siemens Ag | Magnetisierungsvorrichtung für magnetoresistive Dünnschicht-Sensorelemente in einer Brückenschaltung |
| DE19619806A1 (de) * | 1996-05-15 | 1997-11-20 | Siemens Ag | Magnetfeldempfindliche Sensoreinrichtung mit mehreren GMR-Sensorelementen |
| WO1998025155A2 (en) * | 1996-12-04 | 1998-06-11 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Device for detecting a magnetic field |
-
1998
- 1998-07-17 JP JP20406698A patent/JP3623366B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-07-14 US US09/353,925 patent/US6329818B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-07-15 DE DE19933209A patent/DE19933209C2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000035470A (ja) | 2000-02-02 |
| DE19933209C2 (de) | 2002-04-25 |
| DE19933209A1 (de) | 2000-02-03 |
| US6329818B1 (en) | 2001-12-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3623366B2 (ja) | 巨大磁気抵抗効果素子を備えた磁界センサおよびその製造方法と製造装置 | |
| JP3623367B2 (ja) | 巨大磁気抵抗効果素子を備えたポテンショメータ | |
| US8564282B2 (en) | Angle sensor, angle sensor manufacturing method, and angle detection device using the angle sensor | |
| EP2458395B1 (en) | A magnetic tunnel junction (MTJ) based magnetic field angle sensor | |
| JP3886589B2 (ja) | 巨大磁気抵抗効果素子センサ | |
| US6577124B2 (en) | Magnetic field sensor with perpendicular axis sensitivity, comprising a giant magnetoresistance material or a spin tunnel junction | |
| EP1141737B1 (en) | Magnetic systems with irreversible characteristics and a method of manufacturing and repairing and operating such systems | |
| US6384600B1 (en) | Magnetic field sensor comprising a spin tunneling junction element | |
| JP6233863B2 (ja) | 磁気センサおよび磁気センサの製造方法ならびに電流センサ | |
| CN113811738A (zh) | 磁传感器、磁传感器阵列、磁场分布测定装置及位置确定装置 | |
| JPH08226960A (ja) | 磁界センサー及びその製造方法 | |
| WO2018008525A1 (ja) | 磁気センサ | |
| JP7023428B1 (ja) | 磁気センサ素子、磁気センサおよび磁気センサ装置 | |
| JP4338060B2 (ja) | 磁気センサの製造方法 | |
| US20170371006A1 (en) | Magnetic sensor and current sensor | |
| JP2000180524A (ja) | 磁界センサ | |
| JP6525314B2 (ja) | 磁界検出装置 | |
| JP2017078594A (ja) | 磁気センサ、磁界の測定方法、電流センサ、および電流の測定方法 | |
| JP6588371B2 (ja) | 磁界検出装置およびその調整方法 | |
| WO2023013256A1 (ja) | 磁気センサ、それを備える位置検出装置、および、磁気センサの製造方法 | |
| US20240133982A1 (en) | Spin valve device and method for forming a spin valve device | |
| US20250244413A1 (en) | Manufacturing method of magnetic sensor | |
| JPH08180327A (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
| JP2016148567A (ja) | 磁気センサおよび電流センサ | |
| WO2011033980A1 (ja) | 磁気センサ及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040701 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040817 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041018 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041109 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041124 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071203 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081203 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091203 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101203 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101203 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111203 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111203 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121203 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131203 Year of fee payment: 9 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |