JP4028971B2 - 磁気センサの組立方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気に感応して出力信号を出力する磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサの組立方法に関する。
【0002】
【従来技術及びその問題点】
従来、磁気に感応して出力信号を出力する磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサが開発されている。この磁気センサに用いられる磁気抵抗効果素子は基本的には、自由層(フリー磁性層)と、非磁性層と、固定層(ピン止め磁性層)と、交換バイアス層(反強磁性層)との積層構造体から構成されている。そして、固定層に交換バイアス層からバイアス磁界が作用されて、固定層が交換バイアス層で磁化され、その磁化方向が特定方向に固定されている。一方、自由層は、外部磁界によって磁化方向が変化される。
【0003】
磁気抵抗効果素子の固定層の磁化方向を固定(ピン止め)するには、交換バイアス層の格子磁化を調整する必要がある。そのために、交換異方性磁界が消失するブロッキング温度と呼ばれる温度以上に加熱した状態で交換バイアス層に所定の向きの磁界を印加しておき、この磁界を印加したままで冷却する熱処理が行なわれる。
【0004】
この磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサでは、固定層の磁化方向が180°をなす反対向きの磁気抵抗効果素子同士を直列接続し、これらを用いてブリッジ回路を構成している。この場合、直列接続される磁気抵抗効果素子の固定層の磁化方向が180°をなす反対向きであるため、固定層の着磁を180°をなす反対向きで行なう必要がある。
【0005】
従来、磁気抵抗効果素子の固定層を着磁するには、1枚の基板に形成された磁気抵抗効果素子に対して電流通電用の導体を設け、この導体に電流を通電し、通電電流によって発生する磁界を磁気抵抗効果素子に付与し、その固定層の着磁を行なっていた。この方法では、導体に通電する電流量に制限があるため、固定層を十分な大きさの磁界で着磁することは困難であった。そのため、交換異方性磁界を大きくすることができなく、磁気抵抗効果素子からの出力信号の絶対値を大きくすることができなかった。また、可変抵抗器に用いた場合、基準変化特性(変化量に対する出力変化特性)のズレが大きくなってしまうという問題があった。なお、これは、交換異方性磁界が小さいため、固定層の磁化方向を一定方向に向くようにするのが難しいためと予想される。
【0006】
なお、この導体着磁法に代えて、外部磁界を磁気抵抗効果素子に付与し、その固定層を着磁する方法が開発されている。この方法では、外部磁界を大きくして着磁させることが可能である。しかしながら、隣接する磁気抵抗効果素子の磁化方向が180°をなす反対向きであり、一方の磁気抵抗効果素子に付与する外部磁界が他方の磁気抵抗効果素子に影響を与えてしまうため、着磁用磁界の大きさに制限が加わることとなる。このため、磁気抵抗効果素子の固定層を十分な大きさの磁界で着磁することは困難であった。そのため、磁気抵抗効果素子からの出力信号の絶対値を大きくすることができなかった。上述と同様の理由で可変抵抗器に用いた場合、基準変化特性とのズレが大きくなってしまうという問題があった。
【0007】
上述した従来例による固定層は一般的にα−Fe2O3からなり、その着磁磁界の大きさは、200(KA/m)程度であるが、最近では、固定層にPtMn等を用い、600(KA/m)程度の大きさで着磁し、交換異方性磁界を大きくすることが要求されている。しかし、上述したように従来の外部磁界着磁法でブリッジ回路を形成する場合、隣接する磁気抵抗効果素子の相互間で着磁磁界が影響するため、着磁磁界の大ききは200(KA/m)程度に抑えられ、要求されている600(KA/m)まで増大させることが事実上不可能である。したがって、磁気抵抗効果素子からの出力信号の絶対値を大きくすることができない、或いは可変抵抗器に用いた場合に基準変化特性とのズレが大きくなってしまうというのが現状である。
【0008】
【発明の目的】
本発明の目的は、十分な大きさの着磁磁界で磁気抵抗効果素子の固定層を着磁させて、磁気抵抗効果素子から大きな絶対値の出力信号を出力させ、或いは可変抵抗器に用いた場合に出力精度の高い磁気センサの組立方法を得ることにある。
【0009】
【発明の概要】
本発明の基本的思想は、同一の基板上に形成された全ての磁気抵抗効果素子の固定層の磁化方向を同一方向に向けて揃え、その磁化方向を識別するマーキングを付し、その磁気抵抗効果素子及びマーキングを含むチップを基板から個々に切出し、切出されたチップ上の磁気抵抗効果素子の固定層の磁化方向をマーキングにより選定して、複数のチップを組合せて磁気センサを組立てることにより、十分な大きさの着磁磁界で磁気抵抗効果素子の固定層を着磁させて、磁気抵抗効果素子から大きな絶対値の出力信号を出力させるものである。
【0010】
前記基本的思想に基いて、本発明に係る磁気センサの組立方法は、複数の磁気抵抗効果素子を整列させて同一の基板上に形成する工程と、各磁気抵抗効果素子の端子に接続する複数の接続用パッドを、上記同一の基板上に、縦横に位置を揃えて形成する工程と、前記固定層を磁化する磁化方向を識別するマーキングを、磁気抵抗効果素子及び接続用パッドの組を単位とするチップごとに付す工程と、同一の基板上に形成された全ての磁気抵抗効果素子の固定層の磁化方向を同一方向に揃えて着磁する工程と、磁気抵抗効果素子及び接続用パッドの組を単位とする複数のチップを基板から切出す工程と、切出されたチップ上の磁気抵抗効果素子の固定層の磁化方向の向きを選定して、複数のチップを組合せる工程とを有することを特徴とする。
【0011】
基板から複数のチップを個々に切出す際に、1つのチップに1個の磁気抵抗効果素子、 1 組の接続用パッド及びマーキングを含めて、チップの切出しを行なう。或いは1つのチップに少なくとも2個の磁気抵抗効果素子、2組の接続用パッド及びマーキングを含めて、チップの切出しを行なう。接続用パッドの形成位置を、チップの角部を形成する2辺の対称な位置で揃え、これらをワイヤーボンデイングにより接続することが望ましい。
【0012】
複数のチップの組合せにより磁気センサーを組立てる際に、1個の磁気抵抗効果素子が形成されたチップを4個用い、磁気抵抗効果素子の固定層の磁化方向が同一の回転方向に90°ずつ異なるようにして4個のチップを組合せ、固定層の磁化方向が反対向きである磁気抵抗効果素子同士を直列に接続して、1相の出力信号を出力するブリッジ回路を形成することができる。
【0013】
またブリッジ回路に代えて、1個の磁気抵抗効果素子が形成されたチップを2個用い、磁気抵抗効果素子の固定層の磁化方向を180°異ならせて2個のチップを組合せ、磁気抵抗効果素子同士を直列に接続して、分圧回路を形成することができる。
【0014】
また、1個の磁気抵抗効果素子が形成されたチップに代えて、少なくとも2個の磁気抵抗効果素子が形成されたチップを4個用い、磁気抵抗効果素子の固定層の磁化方向が同一の回転方向の90°異なるようにして4個のチップを組合せ、固定層の磁化方向が反対向きである磁気抵抗効果素子同士を直列に接続して、多相の出力信号を出力するブリッジ回路を形成することができる。
【0015】
また、少なくとも2個の磁気抵抗効果素子が形成されたチップを組合せる場合、このチップを2個用い、磁気抵抗効果素子の固定層の磁化方向が180°異なるようにして2個のチップを組合せ、固定層の磁化方向が反対向きである磁気抵抗効果素子同士を直列に接続して、分圧回路を形成するようにしてもよい。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図示例と共に説明する。
【0017】
磁気に感応して出力信号を出力する磁気抵抗効果素子1は基本的構成として図7に示すように、交換バイアス層(反強磁性体層)1aと、固定層(ピン止め磁性層)1bと、非磁性層1cと、自由層(フリー磁性層)1dとを基板2上に積層して形成し、巨大磁気抵抗効果を利用したGMR(Giant Magneto Resistance)素子の一種である磁気抵抗効果素子として構成されている。
【0018】
磁気抵抗効果素子1が巨大磁気抵抗効果を発揮するためには、例えば交換バイアス層1aがPt−Mn層、固定層1bがNiFe層、非磁性層1cがCu層、自由層1dがNiFe層から形成されるが、これらのものに限定されるものではなく、巨大磁気抵抗効果を発揮するものであれば、いずれのものであってもよい。また、磁気抵抗効果素子1は、巨大磁気抵抗効果を発揮するものであれば、上記の積層構造のものに限定されるものではない。なお、交換バイアス層1aは、X−Xn単独、或いは、それを含む合金(ただし、XはPt、Pd、Ir、Rh、Ru、Osのうち、いずれか1種または2種以上の元素である)とするのが好ましい。
【0019】
図7に示す磁気抵抗効果素子1の固定層1bは、交換バイアス層1aで磁化され、該交換バイアス層1aによって磁化方向が特定方向に固定(ピン止め)されている。自由層1dは外部磁界によって、固定層1bの磁化方向に対する磁化方向が変化する。磁気抵抗効果素子1の両端には端子層1eが接合形成される。そして、固定層1bの固定された磁化方向に対する外部磁界による自由層1dの磁化方向の向きにより、2つの端子層1e間での抵抗値の変化が出力信号として出力される。
【0020】
図7に示す磁気抵抗効果素子1を4個用い、この4個の磁気抵抗効果素子1を組合せることにより、図6(a)に示すブリッジ回路を形成する。図6(a)における磁気抵抗効果素子には、GMR1、GMR2、GMR3、GMR4の符号をそれぞれ付し、かつ磁気抵抗効果素子の両端に形成される一方の端子層にはE1、他方の端子層にはE2の符号をそれぞれ付して説明する。
【0021】
4個の磁気抵抗効果素子GMR1、GMR2、GMR3、GMR4は、固定層1bの磁化方向が180°異なる2個の、磁気抵抗効果素子GMR1及びGMR2と、磁気抵抗効果素子GMR3及びGMR4が組として用いられる。さらに、隣接する磁気抵抗効果素子GMR1とGMR3の固定層1dの磁化方向が180°異なり、隣接する磁気抵抗効果素子GMR2とGMR4の固定層1dの磁化方向が180°異なっている。
【0022】
図6(a)では、磁気抵抗効果素子GMR1の固定層の磁化方向は右矢印で示す方向に向けて設定し、磁気抵抗効果素子GMR2の固定層の磁化方向は、左矢印で示す180°をなす反対方向に異ならせている。磁気抵抗効果素子GMR3の固定層の磁化方向は左矢印で示す方向に向けて設定し、磁気抵抗効果素子GMR4の固定層の磁化方向は、右矢印で示す180°をなす反対方向に異ならせている。
【0023】
さらに隣接する2個の磁気抵抗素子GMR1、GMR3の一方の磁気抵抗効果素子GMR1の固定層の磁化方向は、右矢印で示す方向に向けて設定し、他方の磁気抵抗効果素子GMR3の固定層の磁化方向は、左矢印で示す180°をなす反対方向に異ならせている。隣接する2個の磁気抵抗素子GMR2、GMR4の一方の磁気抵抗効果素子GMR2の固定層の磁化方向は、左矢印で示す方向に向けて設定し、他方の磁気抵抗効果素子GMR4の固定層の磁化方向は、左矢印で示す180°をなす反対方向に異ならせている。
【0024】
この場合、4個の磁気抵抗効果素子GMR1、GMR2、GMR3、GMR4の自由層には外部磁界が作用していないため、不特定の方向に向いている。
【0025】
さらに、第1組の一方の磁気抵抗効果素子GMR1の端子層E2に他方の磁気抵抗効果素子GMR2の端子層E1を結合して2個の磁気抵抗効果素子GMR1、GMR2を直列に接続する。第2組の一方の磁気抵抗効果素子GMR3の端子層E2に他方の磁気抵抗効果素子GMR4の端子層E1を結合して2個の磁気抵抗効果素子GMR3、GMR4を直列に接続する。
【0026】
磁気抵抗効果素子GMR1の端子層E1と磁気抵抗効果素子GMR3の端子層E1を接続し、その接続点V1に電源Vccのプラス側を接続する。磁気抵抗効果素子GMR2の端子層E2と磁気抵抗効果素子4の端子層E2を接続し、その接続点V2に電源Vccのグランド側を接続している。そして、接続点V1と接続点V2とに入力電圧を印加する。
【0027】
磁気抵抗効果素子GMR1の端子層E2と磁気抵抗効果素子GMR2の端子層E1を接続し、その接続点A+を、磁気抵抗効果素子の抵抗値変化信号を出力する出力部としている。磁気抵抗効果素子GMR3の端子層E2と磁気抵抗効果素子GMR4の端子層E1を接続し、その接続点A−を、磁気抵抗効果素子の抵抗値変化信号を出力する出力部としている。そして、2つの接続点A+と接続点A−とから磁気抵抗効果素子の抵抗値の変化信号を出力する。
【0028】
このブリッジ回路をなす4個の磁気抵抗効果素子GMR1、GMR2、GMR3、GMR4の固定層の磁化方向に対して、外部磁界によって一様に自由層の磁化方向の向きが変化した場合に、その向きの変化に伴って、4個の磁気抵抗効果素子GMR1、GMR2、GMR3、GMR4に抵抗値変化が生じる。その抵抗値変化は、磁気抵抗効果素子の固定層の磁化方向と自由層の磁化方向の向きが同一方向の際に最小値を示し、反平行(180°をなす反対方向)の際に最大値を示す。したがって、磁気抵抗効果素子の自由層を磁化する外部磁界の向きに伴って、ブリッジ回路の出力端子となる2つの接続点A+、A−から図4(c)に示す正弦波形の出力信号(S1′、S2′)が出力する。そして、接続点A+、A−との間の出力電圧をとれば、図4(d)の出力信号S1が得られる。
【0029】
したがって、磁気抵抗効果素子の抵抗値変化の中間点を基準点とすると、その抵抗値変化の極性(増加する方向を+、減少する方向を−とする。)は、磁気抵抗効果素子の固定層の磁化の向きが同一方向に設定された、磁気抵抗効果素子GMR1と磁気抵抗効果素子GMR4、磁気抵抗効果素子GMR2と磁気抵抗効果素子GMR3では同極性に、磁気抵抗効果素子の固定層の磁化の向きが180°をなす反対方向(反平行)に異ならせた、磁気抵抗効果素子GMR1と磁気抵抗効果素子GMR2、磁気抵抗効果素子GMR3と磁気抵抗効果素子GMR4では逆極性になる。このため、図6(a)に示す4個の磁気抵抗効果素子GMR1、GMR2、GMR3、GMR4の接続関係と、磁気抵抗効果素子の抵抗値変化とにより、ホイートストーンブリッジ回路が形成され、磁気抵抗効果素子に外部磁界による磁気を感応させることにより、その磁気抵抗効果素子の抵抗値の変化特性に基いて所望の動作を行なう磁気センサとして機能する。
【0030】
従来例に係るブリッジ回路をなす4個の磁気抵抗効果素子は従来技術の欄で述べたように、1枚の基板(ウェハ)上に形成されるが、その同一の基板上に形成された4個の磁気抵抗効果素子の固定層の磁化方向が互いに90°(又は180°)異ならせて着磁させていた。このため、磁気抵抗効果素子の固定層の磁化方向を固定させるための着磁磁界の大きさは高々200(KA/m)程度であった。
【0031】
本発明は、磁気抵抗効果素子の固定層の磁化方向を固定するための着磁磁界の大きさを600(KA/m)まで引き上げて磁化固定することを可能とするものである。その基本的構成は、同一の基板上に形成された全ての磁気抵抗効果素子の固定層の磁化方向を同一方向に揃えて着磁させ、その磁気抵抗効果素子を含むチップを基板から個々に出し、切出されたチップ上の磁気抵抗効果素子の固定層の磁化方向を選定して複数のチップを組合せて磁気センサを組立てることにより、十分な大きさの着磁磁界で磁気抵抗効果素子の固定層を着磁させて、磁気抵抗効果素子から大きな絶対値の出力信号を出力させることにある。その具体的な態様について説明する。
【0032】
図1において、基板2に縦横に引いた1点鎖線で囲まれる矩形の部分が、1枚の基板2から個々に切出される複数のチップ3を示しており、図1の例では、1つのチップ3に2個の磁気抵抗効果素子1、1が形成される例を示している。
【0033】
1枚の基板2上に縦横の1点鎖線で囲まれる各チップ3内に2個の磁気抵抗効果素子1が含まれるように複数の磁気抵抗効果素子1を縦横に整列させて同一の基板2上に形成する。同一の基板2上に複数の磁気抵抗効果素子1を形成する際、ブロッキング温度以上にした状態で外部磁界を加え、冷却して、これらの磁気抵抗効果素子1の固定層の向きを同一方向に揃える。図1に示す例では、複数の磁気抵抗効果素子1の固定層の向きを上向き(図の縦方向)に揃えている。
【0034】
さらに、図6(a)に示すブリッジ回路の接続点A+、V1、A−、V2に対応する接続用パッドP1、P2、P3、P4を、矩形形状のチップ3の角部を形成する2辺の一方の辺(3a)に沿って一定間隔に形成する。また図6(a)に示すブリッジ回路の接続点A+、V1、A−、V2に対応する、接続用パッドP1、P2、P3、P4と対をなす接続用パッドP1′、P2′、P3′、P4′を備え、これらの接続用パッドP1′、P2′、P3′、P4′を矩形形状のチップ3の角部を形成する2辺の他方の辺(3b)に沿って一定間隔に形成して、これらを縦横に整列させて同一の基板2上に設ける。
【0035】
この場合、対をなす接続用パッドP1、P2、P3、P4と接続用パッドP1′、P2′、P3′、P4′は図2に拡大して示すように、チップ3の角部を形成する2辺3a、3bの対称な位置に形成することができる。また、対をなす接続用パッドP1、P2、P3、P4と接続用パッドP1′、P2′、P3′、P4′は、1枚の基板2上に区画される複数のチップ3の角部をなす辺3a、3bに沿ってそれぞれ揃えられ、2個の磁気抵抗効果素子1が形成された複数のチップ3にそれぞれ形成される。
【0036】
図1、図2に示すように、チップ3に形成される一方の磁気抵抗効果素子1の端子E1が接続用パッドP1と接続用パッドP1′に回路パターンによりそれぞれ接続され、その端子E2が接続用パッドP2と接続用パッドP2′に回路パターンによりそれぞれ接続される。
【0037】
また、チップ3に形成される他方の磁気抵抗効果素子1の端子E1が接続用パッドP3と接続用パッドP3′に回路パターンによりそれぞれ接続され、その端子E2が接続用パッドP4と接続用パッドP4′に回路パターンによりそれぞれ接続される。
【0038】
なお、図1では、2個の磁気抵抗効果素子1が形成されたチップ3を基板2上に16個形成するように図示したが、この形成個数は16個に限定されるものではない。また、チップ3を縦横に均等に配置したが、縦横に不均一に配列してもよく、また横、縦1列で形成してもよく、この配置形状に限定されるものではない。
【0039】
また、2個の磁気抵抗効果素子1を形成する際、これらの磁気抵抗効果素子1の固定層の向きを示すマーキングMをチップ3にそれぞれ形成する。図1では、マーキングMは、接続用パッドP1の横方向の延長線と接続用パッドP1′の縦方向の延長線との交わるチップ3の左上の角部付近に揃えて形成している。
【0040】
その後、2個の磁気抵抗効果素子1と8個の接続用パッドP1、P2、P3、P4、P1′、P2′、P3′、P4′とを組とする複数のチップ3を図1に示す縦横の1点鎖線に沿って個々に基板2から切出す。この個々に切出したチップ3を拡大して図2に示す。
【0041】
次に図4(a)に示すように、切出されたチップ3上の磁気抵抗効果素子1の固定層の磁化方向の向きを選定して、4個のチップ3を組合せる。図4(a)では、磁気抵抗効果素子1の固定層の磁化方向が同一の回転方向に90°ずつ異なるようにして、4個のチップ4を組合せる。なお、図4(a)では、互いのチップ3の間にスペースがあるように図示しているが、チップ3を組立てるには、互いのチップ3同士を隙間なく突き合わせることにより、磁気抵抗効果素子1が互いに隣接するようにする。この組合せにより、4個の磁気抵抗効果素子1の外部磁界に対する磁気感応度を均一化し、正確な出力信号を出力することができる。
【0042】
この実施形態では、同一の基板2上に形成される複数の磁気抵抗効果素子1の固定層の磁化方向が同一方向に揃えて着磁するため、隣接する磁気抵抗効果素子に付与する着磁磁界が相互に影響しても問題がなく、磁気抵抗効果素子1の固定層を着磁する磁界の大きさを600(KA/m)まで大きくすることができ、その増大させた着磁磁界で磁気抵抗効果素子の固定層を磁化固定することができる。したがって、磁気抵抗効果素子の磁気感応度を高めることにより、その出力信号の絶対値を大きくすることができ、正確な磁界検出を行なうことができる。また、出力精度を高めることができる。また、チップ3は、その外形が矩形状に形成され、チップ3には、磁気抵抗効果素子1の向きと接続用パッドP1、P2、P3、P4、P1′、P2′、P3′、P4′の位置とが同一の基板2上で縦横に揃えられて形成されているため、磁気抵抗効果素子1の固定層の磁化方向が同一の回転方向に90°ずつ異なるようにして、4個のチップ3を並べても、チップ同士を隙間なく配置することができ、取付け精度を向上させることができる。
【0043】
図4(a)に示す磁気抵抗効果素子と図6(a)に示すブリッジ回路の磁気抵抗効果素子との関係を明確にするため、図4(a)では、図4(d)の第1相の出力信号S1を出力させる磁気抵抗効果素子に、GMR1、GMR2、GMR3、GMR4の符号を付し、図4(d)の第2相の出力信号S2を出力させる磁気抵抗効果素子に、GMR1′、GMR2′、GMR3′、GMR4′の符号を付して説明する。図4(d)の信号S1、S2は、4個の磁気抵抗効果素子の磁化方向が互いに90°の向きにあるため、位相が90°ずれている。
【0044】
図4(a)では、磁気抵抗効果素子GMR1、GMR4の固定層の磁化方向H3は上方向に向けて設定し、磁気抵抗効果素子GMR2、GMR3の固定層の磁化方向H4は下矢印で示す180°をなす下方向(反平行)に異ならせる。また、2相の出力信号S1、S2を出力させるために、前記4個の磁気抵抗効果素子GMR1、GMR2、GMR3、GMR4に加えて、4個の磁気抵抗効果素子GMR1′、GMR2′、GMR3′、GMR4′を備えている。この場合、磁気抵抗効果素子GMR1′、GMR4′の固定層の磁化方向H5は左横方向に向けて設定し、磁気抵抗効果素子GMR2′、GMR3′の固定層の磁化方向H6は右矢印で示す180°をなす右横方向(反平行)に異ならせる。
【0045】
まず、図4(d)に示す第1相の出力信号(正弦波形)S1を出力させるためのブリッジ回路の構成について説明する。磁気抵抗効果素子GMR1の接続用パッドP1と磁気抵抗効果素子GMR2の接続用パッドP3とをワイヤボンデイングで接続し、2個の磁気抵抗効果素子GMR1、GMR2を直列に接続する。磁気抵抗効果素子GMR3の接続用パッドP2と磁気抵抗効果素子GMR4の接続用パッドP3とをワイヤボンデイングで接続し、2個の磁気抵抗効果素子GMR3、GMR4を直列に接続する。
【0046】
次に磁気抵抗効果素子GMR1の接続用パッドP2と磁気抵抗効果素子GMR3の接続用パッドP2とをワイヤボンデイングで接続し、その接続点(V1)に電源Vccのプラス側を接続する。磁気抵抗効果素子GMR2の接続用パッドP4と磁気抵抗効果素子GMR4の接続用パッドP4とをワイヤボンデイングで接続し、その接続点(V2)に電源Vccのグランド側を接続する。そして、2つの接続点(V1、V2)を、出力電圧を印加するための端子として用いる。そして、図6で示す回路を構成する。
【0047】
さらに、磁気抵抗効果素子GMR1の接続用パッドP1′と磁気抵抗効果素子GMR2の接続用パッドP3′とをワイヤボンデイングで接続し、その接続点(A+)を、磁気抵抗効果素子の抵抗値変化を出力するための出力部とする。磁気抵抗効果素子GMR3の接続用パッドP1と磁気抵抗効果素子GMR4の接続用パッドP3′とをワイヤボンデイングで接続し、その接続点A−を、磁気抵抗効果素子の抵抗値変化を出力するための出力部とする。そして、2つの接続点(A+、A−)を、磁気抵抗効果素子の抵抗値の変化信号を出力するための端子として用いる。
【0048】
次に、図4(d)に示す第2相の出力信号(正弦波形)S2を出力させるブリッジ回路の構成について説明する。磁気抵抗効果素子GMR1′の接続用パッドP1と磁気抵抗効果素子GMR2′の接続用パッドP3とをワイヤボンデイングで接続し、2個の磁気抵抗効果素子GMR1′、GMR2′を直列に接続する。磁気抵抗効果素子GMR3′の接続用パッドP2と磁気抵抗効果素子GMR4′の接続用パッドP3とをワイヤボンデイングで接続し、2個の磁気抵抗効果素子GMR3′、GMR4′を直列に接続する。
【0049】
次に磁気抵抗効果素子GMR1′の接続用パッドP2と磁気抵抗効果素子GMR3′の接続用パッドP2とをワイヤボンデイングで接続し、その接続点(V1)に電源Vccのプラス側を接続する。磁気抵抗効果素子GMR2′の接続用パッドP4と磁気抵抗効果素子GMR4′の接続用パッドP4とをワイヤボンデイングで接続し、その接続点(V2)に電源Vccのグランド側を接続する。そして、2つの接続点(V1、V2)を、出力電圧を印加するための端子として用いる。そして、図6で示す回路と同様な回路を構成する。
【0050】
さらに、磁気抵抗効果素子GMR1′の接続用パッドP1′と磁気抵抗効果素子GMR2′の接続用パッドP3′とをワイヤボンデイングで接続し、その接続点(A+)を、磁気抵抗効果素子の抵抗値変化を出力するための出力部とする。磁気抵抗効果素子GMR3′の接続用パッドP1と磁気抵抗効果素子GMR4′の接続用パッドP3′とをワイヤボンデイングで接続し、その接続点(A−)を、磁気抵抗効果素子の抵抗値変化を出力するための出力部とする。そして、2つの接続点(A+、A−)を、磁気抵抗効果素子の抵抗値の変化信号を出力するための端子として用いる。上述した複数の接続用パッドは、矩形形状のチップの角部を形成する2辺の対称な位置に形成されているため、これらをワイヤーボンデイングする場合、接続用パッドの位置データを既設のワイヤーボンデイング装置にインプットして機械的に接続作業を行なうことができ、チップの組立てを容易に行うことができる。
【0051】
図4(d)の第1相の出力信号S1を出力する第1のブリッジ回路をなす4個の磁気抵抗効果素子GMR1、GMR2、GMR3、GMR4、及び図4(d)の第2相の出力信号S2を出力する第2のブリッジ回路をなす4個の磁気抵抗効果素子GMR1′、GMR2′、GMR3′、GMR4′は、互いの磁化方向が同一の回転方向に90°異なるようにして配置される。
【0052】
これらの磁気抵抗効果素子の自由層に外部磁界が作用し、この自由層の磁化方向が外部磁界の向きに応じて固定層の固定磁化方向に対して回転すると、その自由層の磁化方向の回転に応じた抵抗値変化が生じる。その抵抗値変化は、磁気抵抗効果素子の固定層の磁化方向と自由層の磁化方向が同一方向の際に最小値を示し、反平行(180°をなす反対方向)の際に最大値を示し、外部磁界の向きにより図4(c)に示すサインカーブ(正弦波形)であって位相が90°ずれた2相の出力信号S1、S2が第1のブリッジ回路及び第2のブリッジ回路の各々の接続点A+、A−から出力される。
【0053】
したがって、磁気抵抗効果素子の抵抗値変化の中間点を基準点とすると、その抵抗値変化の極性(増加する方向を+、減少する方向を−とする。)は、固定層の磁化の向きが同一方向に設定された、磁気抵抗効果素子GMR1と磁気抵抗効果素子GMR4、磁気抵抗効果素子GMR1′と磁気抵抗効果素子GMR4′磁気抵抗効果素子GMR2と磁気抵抗効果素子GMR3、磁気抵抗効果素子GMR2′と磁気抵抗効果素子GMR3′では同極性になる。固定層の磁化の向きが180°をなす反対方向に異ならせた、磁気抵抗効果素子GMR1と磁気抵抗効果素子GMR2、磁気抵抗効果素子GMR1′と磁気抵抗効果素子GMR2′、磁気抵抗効果素子GMR3と磁気抵抗効果素子GMR4、磁気抵抗効果素子GMR3′と磁気抵抗効果素子GMR4′では逆極性になる。
【0054】
このため、図4(a)に示す磁気抵抗効果素子GMR1、GMR2、GMR3、GMR4、GMR1′、GMR2′、GMR3′、GMR4′の接続関係と、磁気抵抗効果素子の抵抗値変化とにより、2つのホイートストーンブリッジ回路が形成され、磁気抵抗効果素子に外部磁界による磁気を感応させることにより、磁気センサとして機能する。
【0055】
また、図4(b)に示すように、4個のチップ3を図示しないリードフレームに搭載し、4個のチップ3に形成された磁気抵抗効果素子の共通する接続用パッド同士を、リードフレームに形成した16本の端子Tにワイヤーボンデングにより接続する。その後、4個のチップ3を封止用樹脂4で気密封止し、ICチップ87として構成することができる。この場合、磁気抵抗効果素子の固定層の磁化方向が同一の回転方向に90°ずつ異なるようにして組合せたチップ3上の磁気抵抗効果素子の起点となる端子Tに対応する位置の封止用樹脂4にマーキングM′を付けることが望ましい。
【0056】
図4では、2個の磁気抵抗効果素子を備えた4個のチップ3を組合せたが、2個の磁気抵抗効果素子を備えたN/2(N=2、4、6、8〜2n)個のチップ3を所定の角度ずらして組合せ円周上に配置することにより、N/2相(N=2、4、6、8〜2n)の出力信号(正弦波形)を出力することができる。
【0057】
図9、図10は、上述した磁気センサを用いて可変抵抗器を構成した例を示す。図9に示すポテンショメータM1は、回転軸80と、この回転軸80を軸周りに回転自在に支持する軸受部材81と、この軸受部材81の裏面側に装着され該軸受部材81に取り付けられるキャップ状のカバー部材82と、このカバー部材82で覆われた軸受部材81の裏面側に回転軸80と一体的に設けられた磁気コード部材83と、前述したICチップ87等の回路部品、外部へ信号を出力するためのコネクタを実装した取付基板86と、取付基板86を軸受部材81に取り付けるホルダー部材85を有する。
【0058】
前記軸受部材81は例えば黄銅を切削して形成し、前記カバー部材82は例えば金属板を絞り加工して得られるものから形成される。前記回転軸80は、樹脂あるいは非磁性ステンレス鋼などの非磁性体からなる棒状のもので、回転軸80の一端部側が軸受部材81を貫通して裏面側に突出され、その一端部に円盤状の磁気コード部材83が回転軸80と直角向きに取り付けられている。この磁気コード部材83は、その一面の中心磁気Oを通過する1本の中性点84を境界として一側(図10では左側)がS極、他側(図10では右側)がN極に着磁された磁石板から形成されている。
【0059】
ここで、回転軸80は、軟磁性材の鉄から形成されるものでも良いし、磁気コード部材83、ICチップ87との距離が十分に離れている場合は、強磁性体から形成されるものでもよい。なお、前記ICチップ87と前記磁気コード部材83とは平行になるようにし、ギャップを空けて設けられる。この磁気コード部材83と基板86との間の距離(ギャップ)は、磁気コード部材83が発生させる磁界によって巨大磁気抵抗効果素子26、27が飽和する領域で使用されるための距離として設定され、通常数mmから10数mm程度とされる。また回転軸80の回転中心Oが、図4のαで示す4つのチップの中心と一致するように配置され、磁石の大きさに比べて、ICチップ87は十分に小さく、また磁石は2極なので、図10に示すように、一方向に向いた平行磁界MがICチップ87に加わり、回転軸80の回転に伴って該磁界方向に回転するように変化し、上述したように動作して、図4(d)で示すように90°位相がずれた正弦波が出力される。
【0060】
図4及び図6(a)では、4個の磁気抵抗効果素子を用いてブリッジ回路を形成したが、図6(b)のように2個の磁気抵抗効果素子GMR1、GMR2を用いて分圧回路を形成してもよい。この図6(b)に示す分圧回路は、2個の磁気抵抗効果素子GMR1、GMR2を直列接続し、磁気抵抗効果素子GMR1の端子E1に電源Vccのプラス側を接続(接続点V1)し、磁気抵抗効果素子GMR2の端子E2に電源Vccのグランド側を接続する(接続点V2)。また磁気抵抗効果素子GMR1の端子E2と磁気抵抗効果素子GMR2の端子E1とを接続し、その接続点Aを出力端子とする。この場合、2個の磁気抵抗効果素子GMR1と磁気抵抗効果素子GMR2との固定層の磁化方向は、180°をなす反対方向(反平行)に異ならせる。
【0061】
そして、直列接続した2個の磁気抵抗効果素子GMR1、GMR2の接続点V1、V2に電圧を印加し、その接続点Aから、2個の磁気抵抗効果素子GMR1、GMR2の抵抗値変化に応じて変動する分圧電圧を出力し、その出力値の変化に基いて磁気抵抗効果素子の外部磁界による磁気の感応を検知する。
【0062】
各磁気抵抗効果素子GMR1、GMR2は図3及び図5(a)に示すように、その端子に接続される接続用パッドP1、P2、P1′、P2′と組をなしてチップ3上に形成される。
【0063】
図5及び図6(b)の例に用いる、1個の磁気抵抗効果素子を1つのチップ内に形成する場合について説明する。図3に示すように、1つのチップ3内に、1個の磁気抵抗効果素子1と、この磁気抵抗効果素子1の端子E1、E2に接続される対をなす接続用パッドP1、P2、P1′、P2′とが組をなして形成される。このチップ3は、図1に示す基板2上に複数形成される。図3に示すチップ3の場合は、図1に示す接続用パッドP3、P4、P3′、P4′を備えた磁気抵抗効果素子1を取除いた状態のチップとなる。また、複数の磁気抵抗効果素子1を同一の基板2上に縦横に整列させて形成する際、ブロッキング温度以上にした状態で外部磁界を加え、冷却して、これらの磁気抵抗効果素子1の固定層の向きを同一方向に揃える。
【0064】
さらに図3に拡大して示すように、図6(b)の分圧回路の接続点V1(V2)、Aに対応する接続用パッドP1、P2を、矩形形状のチップ3の角部を形成する2辺の一方の辺3aに沿って一定間隔に形成する。図6(b)の分圧回路の接続点V1(V2)、Aに対応させて接続用パッドP1、P2と対をなす接続用パッドP1′、P2′を備え、これらの接続用パッドP1′、P2′を矩形形状のチップ3の角部を形成する2辺の他方の辺3bに沿って一定間隔に形成する。対をなす接続用パッドP1、P2と接続用パッドP1′、P2′とは、1枚の基板2上に区画されるチップ3の角部をなす2辺3a、3bに沿って揃えられ、各チップ3に形成された1個の磁気抵抗効果素子1の周縁部に設けられる。
【0065】
磁気抵抗効果素子1の端子E1が接続用パッドP1と接続用パッドP1′とに回路パターンによりそれぞれ接続され、その端子E2が接続用パッドP2と接続用パッドP2′とに回路パターンによりそれぞれ接続される。
【0066】
磁気抵抗効果素子1を形成する際、これらの磁気抵抗効果素子1の向きを示すマーキングMをチップ3にそれぞれ形成する。図3では、マーキングMは、接続用パッドP1の横方向の延長線と接続用パッドP1′の縦方向の延長線との交わるチップ3の左上の角部付近に揃えて形成している。
【0067】
前記着磁が終了した後、1個の磁気抵抗効果素子1と4個の接続用パッドP1、P2、P1′、P2′とを組とする複数のチップ3を図1に示すのと同様に縦横の1点鎖線に沿って個々に基板2から切出す。この個々に切出したチップ3を拡大して図3に示す。
【0068】
次に図5(a)に示すように、切出したチップ3上の磁気抵抗効果素子1の固定層の磁化方向の向きを選定して、2個のチップ3を組合せる。図5(a)では、磁気抵抗効果素子1の磁化方向H8、H9を180°をなす反対方向(反平行)に異ならせて、2個のチップ3を組合せている。図5(a)では、互いのチップ3の間にスペースがあるように図示しているが、チップ3を組立てるには、互いのチップ3同士を隙間なく突き合わせることにより、磁気抵抗効果素子1が互いに隣接するようにする。この組合せにより、2個の磁気抵抗効果素子1の外部磁界に対する磁気感応度を均一化し、正確な出力信号を出力することが可能となる。
【0069】
この実施形態では、1つのチップ3に1個の磁気抵抗効果素子1を形成するが、基板2上に形成する際に複数の磁気抵抗効果素子1の固定層の磁化方向を同一方向に揃えて着磁して固定(ピン止め)するため、隣接する磁気抵抗効果素子に付与する着磁磁界が相互に影響しても問題がなく、磁気抵抗効果素子1の固定層を着磁する磁界を例えば600(KA/m)まで大きくすることができ、その増大させた着磁磁界で磁気抵抗効果素子の固定層を磁化固定することができる。したがって、磁気抵抗効果素子の磁気感応度を高めることにより、その出力信号の絶対値を大きくすることができ、正確な磁界検出を行なうことができる。また出力精度を高めることができる。
【0070】
図5(a)に示す磁気抵抗効果素子と図6(b)に示すブリッジ回路の磁気抵抗効果素子との関係を明確にするため、図5(a)では、磁気抵抗効果素子に、GMR1、GMR2の符号を付して説明する。この場合、磁気抵抗効果素子GMR1の固定層の磁化方向H8は下方向に向けて設定し、磁気抵抗効果素子GMR2の固定層の磁化方向H9は上矢印で示す180°をなす上方向(反平行)に異ならせている。図5(a)に示す、1個の磁気抵抗効果素子が形成されたチップ3を2個用いて形成した分圧回路は図6(b)の回路構成となる。
【0071】
図3に示すように、1つのチップ3に1個の磁気抵抗効果素子が形成された場合においても、磁気抵抗効果素子の固定層の磁化方向に対して、その自由層に外部磁界が作用して自由層の磁化の回転に応じた抵抗値変化が生じる。その抵抗値変化は、磁気抵抗効果素子の固定層の磁化方向と自由層の磁化方向の向きが同一方向の際に最小値を示し、反平行(180°をなす反対方向)の際に最大値を示す。
【0072】
また、図5(b)に示すように、2個のチップ3を図示しないリードフレームに搭載し、2個のチップ3の磁気抵抗効果素子の共通する接続用パッド同士を、リードフレームに形成した8本の端子Tに接続し、2個のチップ3を封止用樹脂4で気密封止し、ICチップ87として構成することができる。この場合、180°の方向に異ならせた磁気抵抗効果素子の起点となる端子Tに対応する位置にマーキングM′を付けることが望ましい。
【0073】
図8(a)、(b)は、本発明の磁気センサを用いて、スイッチ動作(接点のON、OFF)を非接触式で行なう磁気スイッチを構成した場合の例を示す図である。この磁気スイッチは、スイッチの切替動作(ON、OFF)に対応して、磁界の向きが反対でかつ大きさが異なる第1の磁石5と第2の磁石6の磁界を外部磁界として磁気抵抗効果素子1に選択的に作用させることにより、該磁気抵抗効果素子1からスイッチ動作の切替信号を出力する。具体的に説明すると、図8(a)、(b)に示すように、磁気スイッチのホルダー7は、ベース8の両端部に対をなすアーム9、10を平行に対向して設けたU字型形状に形成されている。そして、対をなす一方のアーム9には磁気抵抗効果素子1及び第2の永久磁石(以下、第2の磁石という)6が、他方のアーム10には第1の永久磁石(以下、第1の磁石という)4がそれぞれ設けられている。
【0074】
この場合、チップ3としては図3に示すように、1つのチップ3に1個の磁気抵抗効果素子1が形成されたものを用いる。このチップ3を2個用い、その2個の磁気抵抗効果素子1を図6(a)に示すブリッジ回路の磁気抵抗効果素子GMR1、GMR2として組込み、図6(a)に示すブリッジ回路の磁気抵抗効果素子GMR3、GMR4を固定抵抗に置きかえる。この2個のチップ3は、2個の磁気抵抗効果素子1の磁化方向が図6(a)に示すブリッジ回路の磁気抵抗効果素子GMR1、GMR2のように180°をなす反対方向(反平行)に異ならせる。このチップ3は基板12上に搭載され、基板12を介して一方のアーム9の内側面に取付けられる。なお、図8(a)、(b)では、チップ3を図示せずに、図6(a)に示すブリッジ回路の2個の磁気抵抗効果素子GMR1、GMR2を代表して、磁気抵抗効果素子1として表記する。
【0075】
第2の磁石6は、磁気抵抗効果素子1の自由層1d(図7参照)を磁界で磁化する磁界作用位置で一方のアーム9に取付けられている。ここに、磁界作用位置は、第2の磁石6の磁力線6aが磁気抵抗効果素子1の自由層1dに作用し、第2の磁石6の磁界(外部磁界)で磁気抵抗効果素子1の自由層1dを磁化可能な位置に設定される。
【0076】
第1の磁石5は、その磁界(外部磁界)が磁気抵抗効果素子1の自由層1d(図7参照)に作用して、該自由層1dを磁化可能な位置(磁界作用位置)に配置し、かつ磁力線(磁界の向き)5aを第2の磁石6の磁力線(磁界の向き)6aと180°をなす反対方向(反平行)に異ならせて他方のアーム10に取付けている。第1の磁石5には、第2の磁石6の磁力より数百ガウス大きな磁力をもつ磁石を用いている。
【0077】
さらに、第1、第2の磁石5、6に対する相対位置が変化する、強磁性体からなる磁界遮閉部材11を有している。この磁界遮閉部材11は、第1、第2の磁石5、6の磁界の双方を磁気抵抗効果素子1に作用させて自由層1dの磁化方向を第1の方向とする第1の位置と、第1、第2の磁石5、6の磁界の一方を磁気抵抗効果素子1に作用させて自由層1dの磁化方向を第1の方向と反対の第2の方向とする第2の位置とに移動する。図8(a)に示すように前記第1の位置は、磁界遮蔽部材11が第1の磁石5と磁気抵抗効果素子1との間から退出した位置に設定している。一方、図8(b)に示すように第2の位置は、磁界遮蔽部材11が第1の磁石5と磁気抵抗効果素子1との間に進入した位置に設定している。
【0078】
磁界遮蔽部材11が図示しない駆動手段により第2の位置まで移動されると、図8(b)に示すように第2の位置に移動した磁界遮蔽部材11は、第1の磁石5の磁力線5aを磁気抵抗効果素子1の自由層1dから引離して第1の磁石5の磁界を遮蔽し、第2の磁石6の磁界のみを外部磁界として磁気抵抗効果素子1に作用させる。したがって、磁気抵抗効果素子1の自由層1dには、第1の磁石5よりも磁力が小さい第2の磁石6の磁界のみが外部磁界として磁気抵抗効果素子1に作用する。
【0079】
一方、図8(a)に示すように磁界遮蔽部材11が第1の位置に移動すると、磁気抵抗効果素子1には、第1、第2の磁石5、6の磁界の双方が外部磁界として作用する。この場合、第1の磁石5の磁力は第2の磁石6よりも大きく、しかも磁気抵抗効果素子1の自由層1dに対する第1の磁石5と第2の磁石6とによる磁化方向が180°をなす反対方向に異ならせている。
【0080】
したがって、第2の磁石6による磁力が第1の磁石5による磁力で打消され、磁気抵抗効果素子1の自由層1dに第1の磁石5の磁界が作用し、該磁気抵抗効果素子1の自由層1dの磁化方向が第2の磁石6による磁化方向と180°をなす反対方向に反転切替えられる。
【0081】
この第1の磁石5と第2の磁石6とによる磁気抵抗効果素子1の自由層1dの磁化方向の反転切替に基いて、磁気抵抗効果素子1の抵抗値が変化する。さらに2つの磁石5、6による磁気抵抗効果素子1の自由層1dの磁化方向が磁気抵抗効果素子の固定層の磁化方向に対して180°をなす反対方向に異ならせているため、その抵抗値の変化が瞬時に行なわれる。
【0082】
スイッチオフの場合、図8(a)に示すように磁界遮蔽部材11が磁気抵抗効果素子1と第1の磁石5との間から退出するため、第1の磁石5からの磁界が磁気抵抗効果素子1に作用する。この場合、第1の磁石5の磁力線5aの向きと、2個の磁気抵抗効果素子1の一方の磁気抵抗効果素子1の自由層の磁化方向が同一方向であるため、その磁化方向が180°をなす反対方向に異ならせた他方の磁気抵抗効果素子1の抵抗値が大きくなる。
【0083】
スイッチオンの場合、図8(b)に示すように磁界遮蔽部材11が磁気抵抗効果素子1と第1の磁石5との間に進入するため、第1の磁石5から磁気抵抗効果素子1への磁界が遮断され、第2の磁石6のみの磁界が磁気抵抗効果素子1に作用する。この場合、第2の磁石6の磁力線6aの向きと磁化方向の向きが反対向きの磁気抵抗効果素子1の抵抗値の変化が大きくなる。
【0084】
上述した磁気抵抗効果素子1の抵抗値の変化をブリッジ回路から出力して、スイッチ動作の切替信号を出力する。
【0085】
この磁気スイッチによれば、スイッチの切替動作に対応して、磁界の向きが反対でかつ大きさが異なる第1の磁石5と第2の磁石6の磁界を外部磁界として磁気抵抗効果素子1に選択的に作用し、該磁気抵抗効果素子1からスイッチ動作の切替信号を出力し、その出力信号に基いてスイッチの切替を行なうものであり、磁界遮蔽部材11の移動により磁気抵抗効果素子1に対する磁界の向き(磁気抵抗効果素子の磁化方向)を180°をなす反対方向に変化させることができる。したがって、磁界の強さが徐々に変化する構成であっても、磁気抵抗効果素子の抵抗値を急激に変化させることができ、その急激な抵抗値の変化に基いてスイッチ動作を迅速に行なうことができる。
【0086】
以上の説明では、磁気センサを用いて磁気スイッチを構成したが、これに限定されるものではなく、磁界遮閉作用を有する被検知部材を検知する、外部磁界によって磁化方向が変化する自由層を有する磁気抵抗効果素子を用いた物体検知センサとしても構成することができる。この実施形態では、被検出部材の移動に対応して、磁界の向きが反対でかつ大きさが異なる第1の磁石と第2の磁石の磁界を外部磁界として磁気抵抗効果素子に選択的に作用させることにより、該磁気抵抗効果素子から被検出部材の検知信号を出力させることができる。
【0087】
この検知センサは、図8に示す磁気スイッチの磁界遮蔽部材11を、磁界遮閉作用を有する被検知部材として用い、この被検知部材(11)を検知するようにした構成が磁気スイッチと相違している。その他の構成は図8に示す磁気スイッチと同様である。
【0088】
上記被検知部材(11)は、第1、第2の磁石5、6に対する相対位置が変化するように移動する。この被検知部材(11)の第1、第2の磁石5、6に対する相対位置の変化によって、第1、第2の磁石5、6の磁界(外部磁界)の双方を磁気抵抗効果素子1に作用させる第1の状態と、第1、第2の磁石5、6の磁界(外部磁界)の一方を磁気抵抗効果素子1に作用させる第2の状態とを生じさせて被検知部材(11)を検知する。
【0089】
前記第1の状態は、磁界遮蔽部材11が第1の磁石5と磁気抵抗効果素子1との間から退出した状態に設定する(図8(a)参照)。一方、第2の状態は、磁界遮蔽部材11が第1の磁石5と磁気抵抗効果素子1との間に進入した状態に設定する(図8(b)参照)。そして、第2の状態での被検知部材11は、第2の磁石6よりも磁力が大きい第1の磁石5の磁界を遮蔽し、第2の磁石6の磁界のみが外部磁界として磁気抵抗効果素子1に作用する。
【0090】
この物体検知センサによれば、被検出部材(11)の移動に対応して、磁界の向きが反対でかつ大きさが異なる第1の磁石5と第2の磁石6の磁界を外部磁界として磁気抵抗効果素子1に選択的に作用し、該磁気抵抗効果素子5から被検出部材(11)の検知信号を出力し、その出力信号に基いて被検出部材(11)を検知するものであり、被検知部材(11)の移動により磁気抵抗効果素子1に対する磁界の向き(磁気抵抗効果素子の磁化方向)を180°をなす反対方向に変化させることができる。
【0091】
図11は、上述した磁気センサを用いて可変抵抗器を構成した例を示す。この可変抵抗器は、回転軸80と、この回転軸80を軸周りに回転自在に支持する軸受部材81と、この軸受部材81の裏面側に装着され該軸受部材81に取り付けられるカバー部材82と、軸受部材81の裏面側に回転軸80と一体的に設けられた遮蔽板90及び磁気コード部材13a、13bと、図4(b)に示すICチップ87等の回路部品、外部へ信号を出力するためのコネクタを実装しカバー部材82に取り付けられる取付基板86とを有する。
【0092】
前記回転軸80は、樹脂あるいは非磁性ステンレス鋼などの非磁性体からなる棒状のもので、回転軸80の一端部側が軸受部材81を貫通して裏面側に突出され、その一端部に、磁界を遮蔽する鋼板等で形成される皿状の遮蔽部材90が一体的に設けられている。また遮蔽部材90の内面にはN極とS極の2極の永久磁石からなる磁気コード部材13a、13bが、回転軸Oを挟んで対向する位置に一対取付けられ、該磁気コード部材13a、13bによってGMR素子(巨大磁気抵抗効果素子)が飽和するのに十分な磁界が加えられる。
【0093】
またICチップ87は磁気コード部材13a、13bの軸線方向の中間位置を結ぶ線上に位置するように取付基板86に取付けられ、回転軸80の回転中心Oが、図4のαで示す4つのチップの中心と一致するように配置される。なお、磁石の長さに比べて、ICチップ87は十分に小さく、図10に示すように一方向に向いた平行磁界MがICチップ87に加わり、回転軸の回転に伴って該磁界方向も回転するように変化し、前述したのと同様に動作して図4(d)で示すように90°位相がずれた正弦波が出力される。
【0094】
なお、図9、図10で示す可変抵抗器においては、磁気コード部材83が発する磁力線の多少湾曲した部分が、ICチップ87に加わるが、この実施形態においては、磁気コード部材13a、13bを対向して配置し、両者が配置されている面上にICチップ87を設けて、磁石の長さより短い範囲にGMR素子(巨大抵抗効果素子)を配置しているので、ICチップ87内のGMR素子には、より直線に近い平行磁界が加わることとなり、したがって、より正弦波に近い出力とすることが可能となる。
【0095】
図8及び図9、図10、図11では、本発明の磁気センサを磁気スイッチ、物体検知センサ或いは可変抵抗器に応用した場合を説明したが、本発明の磁気センサの応用範囲は、図8及び図9、図10、図11のものに限定されるものではない。
【0096】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、十分な大きさの着磁磁界で磁気抵抗効果素子の固定層を着磁させて、磁気抵抗効果素子からの出力信号の絶対値を大きくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明において、基板上に複数の磁気抵抗効果素子を形成する場合を示す平面図である。
【図2】1つのチップに2個の磁気抵抗効果素子を形成した場合を示す平面図である。
【図3】1つのチップに1個の磁気抵抗効果素子を形成した場合を示す平面図である。
【図4】(a)は、4個のチップを組合せてブリッジ回路を形成した場合を示す平面図、(b)は、ICチップ化した場合を示す平面図、(c)、(d)は、2相の出力信号を示す特性図である。
【図5】(a)は、2個のチップを組合せて分圧回路を形成した場合を示す平面図、(b)は、ICチップ化した場合を示す平面図、(c)は、1相の出力信号を示す特性図である。
【図6】(a)は、ブリッジ回路図、(b)は分圧回路図である。
【図7】磁気抵抗効果素子を示す断面図である。
【図8】(a)、(b)は、本発明の磁気センサを用いて磁気スイッチを構成した図である。
【図9】本発明の磁気センサを用いて可変抵抗器を構成した断面図である。
【図10】図9に示す可変抵抗器の要部を示す断面図である。
【図11】本発明の可変抵抗器の他の例を示す図であり、(a)は要部断面図、(b)は断面図である。
【符号の説明】
1 磁気抵抗効果素子(GMR1 GMR2 GMR3 GMR4 GMR1′GMR2′ GMR3′ GMR4′)
2 基板
3 チップ
4 封止用樹脂
5 第1の磁石
6 第2の磁石
11 磁界遮蔽部材(被検出部材)
13 回転磁界
13a 磁気コード部材
13b 磁気コード部材
Claims (8)
- 複数の磁気抵抗効果素子を整列させて同一の基板上に形成する工程と、
各磁気抵抗効果素子の端子に接続する複数の接続用パッドを、上記同一の基板上に位置を揃えて形成する工程と、
前記固定層を磁化する磁化方向を識別するマーキングを、磁気抵抗効果素子及び接続用パッドの組を単位とするチップごとに付す工程と、
同一の基板上に形成された全ての磁気抵抗効果素子の固定層の磁化方向を同一方向に揃えて着磁する工程と、
磁気抵抗効果素子、接続用パッド及びマーキングの組を単位とする複数のチップを基板から切出す工程と、
切り出されたチップ上の磁気抵抗効果素子の固定層の磁化方向の向きを選定して、複数のチップを組合せる工程と、を有することを特徴とする磁気センサの組立方法。 - 請求項1記載の磁気センサの組立方法において、1つのチップに1個の磁気抵抗効果素子、1組の接続用パッド及び1個のマーキングを含めて、チップの切出しを行なうことを特徴とする磁気センサの組立方法。
- 請求項1記載の磁気センサの組立方法において、1つのチップに少なくとも2個の磁気抵抗効果素子及び2組の接続用パッド及び1個のマーキングを含めて、チップの切出しを行なうことを特徴とする磁気センサの組立方法。
- 請求項1、2又は3記載の磁気センサの組立方法において、接続用パッドの形成位置を、チップの角部を形成する2辺の対称な位置で揃えることを特徴とする磁気センサの組立方法。
- 請求項2記載の磁気センサの組立方法において、1個の磁気抵抗効果素子が形成されたチップを4個用い、隣接する磁気抵抗効果素子の固定層の磁化方向が同一の回転方向に90°ずつ異なるようして4個のチップを組合せ、固定層の磁化方向が反対向きである磁気抵抗効果素子同士を直列に接続して、1相の出力信号を出力するブリッジ回路を形成することを特徴とする磁気センサの組立方法。
- 請求項2記載の磁気センサの組立方法において、1個の磁気抵抗効果素子が形成されたチップを2個用い、磁気抵抗効果素子の固定層の磁化方向を180°異ならせて、2個のチップを組合せ、磁気抵抗効果素子同士を直列に接続して、分圧回路を形成することを特徴とする磁気センサの組立方法。
- 請求項3記載の磁気センサの組立方法において、少なくとも2個の磁気抵抗効果素子が形成されたチップを4個用い、隣接する磁気抵抗効果素子の固定層の磁化方向が同一の回転方向に90°ずつ異なるようして4個のチップを組合せ、固定層の磁化方向が反対向きである磁気抵抗効果素子同士を直列に接続して、多相の出力信号を出力するブリッジ回路を形成することを特徴とする磁気センサの組立方法。
- 請求項3記載の磁気センサの組立方法において、少なくとも2個の磁気抵抗効果素子が形成されたチップを2個用い、磁気抵抗効果素子の固定層の磁化方向を180°異ならせて、2個のチップを組合せ、固定層の磁化方向が反対向きである磁気抵抗効果素子同士を直列に接続して、分圧回路を形成することを特徴とする磁気センサの組立方法。
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