JPH0991623A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法

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JPH0991623A
JPH0991623A JP7239941A JP23994195A JPH0991623A JP H0991623 A JPH0991623 A JP H0991623A JP 7239941 A JP7239941 A JP 7239941A JP 23994195 A JP23994195 A JP 23994195A JP H0991623 A JPH0991623 A JP H0991623A
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magnetic head
electrodes
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 磁気抵抗効果（ＭＲ）素子形成からＭＲヘッ
ドを装置に搭載するまでの静電破壊を防止し、ＭＲヘッ
ドおよび記録再生分離型磁気ヘッドを高い歩留まりで作
製可能にする磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方
法を提供すること。 【構成】 外部と接続する電極２７と電気的に接続する
上部シールド膜２３及び下部シールド膜２２とを、ＭＲ
素子２１を介さずに短絡する短絡回路２６を設けて素子
形成過程等に発生する静電気を短絡回路２６を介して流
すことにより、ＭＲ素子の破壊及び磁気抵抗効果素子と
両シールド膜間の絶縁破壊を防止する。また基板からの
スライダー切り出し後には上部及び下部シールド膜２３
及び２２とを抵抗２４及び２５を介して短絡する短絡部
２６を設けたことにより、基板切断後の組立工程並びに
搬送工程等に発生する静電気による磁気抵抗効果素子の
破壊及び磁気抵抗効果素子と両シールド膜間の絶縁破壊
を防止することがでる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置等に
適用される磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法
に係り、特に磁気抵抗効果素子の静電破壊を防止するこ
とができる磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造法法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に磁気抵抗効果素子を用いた磁気抵
抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドと呼ぶ）は、磁
気抵抗効果型膜の電気抵抗が磁気記録媒体からの磁界に
応じて変化する特性を利用しているため、再生出力が磁
気記録媒体とヘッド間の相対速度に依存せずに再生感度
が高い特性を持っている。このためＭＲヘッドは、磁気
ディスク装置や磁気テープ装置を高密度化・小型化する
ためには非常に有利であり、この再生専用のＭＲヘッド
と記録用の誘導型薄膜磁気ヘッドを組合せた記録再生分
離型磁気ヘッドの開発が盛んに行われている。
【０００３】この従来技術による記録再生分離型磁気ヘ
ッドを、媒体対向面側から見た図１２及び記録再生分離
型磁気ヘッドの斜視図を示す図１３を参照して説明す
る。図に示した従来技術による記録再生分離型磁気ヘッ
ドは、アルミナ等の絶縁層上に再生用ＭＲヘッド及び記
録用誘導型薄膜磁気ヘッドを積層した構造となってい
る。該再生用ＭＲヘッドは、図１２及び図１３に示す如
く、上部シールド膜６及び下部シールド膜５と、該シー
ルド膜５，６間に配置された磁気抵抗効果膜（以下ＭＲ
膜と略す）及びバイアス膜から成るＭＲ素子１１１と、
該ＭＲ素子１１１の両端に形成した電極３，３’と、下
部ギャップ膜１３および上部ギャップ膜１４などから構
成されている。このＭＲヘッドを構成する各膜は、非常
に薄く、例えばＭＲ膜は数十ｎｍ，下部ギャップ膜１３
及び上部ギャップ膜１４は各々100〜300ｎｍ程度であ
り、これらの膜厚は、高密度化とともにさらに薄くなる
傾向にある。また記録用誘導型薄膜磁気ヘッドは、上部
コア１２と上部シールド膜６との間に巻装した磁気コイ
ル１１と図示しない端子等から構成され、これらの膜厚
も高記録密度化に伴い薄くなる傾向にある。尚、図中、
４は基板，１６は前記各ヘッドを挟み込むアルミナ等の
絶縁層を示している。
【０００４】これら記録再生分離型磁気ヘッドは、図６
に示すように円盤状の基板４上に多数同時に形成された
磁気ヘッド素子（以下基板上に形成された段階のものを
ヘッド素子と略す）６０を、素子エリア６１毎に切断及
び研摩等により１つ１つに分離、加工することで、磁気
ディスク上を空気粘性流によって浮上するスライダ１０
０を作成する。
【０００５】この再生用ＭＲヘッドあるいは記録用誘導
型薄膜磁気ヘッドを積層した記録再生分離型磁気ヘッド
を製造する上での大きな課題は、ＭＲヘッド素子が静電
破壊されることである。これは、前記したようにＭＲヘ
ッドを構成する各膜が非常に薄いことによる。ＭＲヘッ
ドの静電破壊については、例えば、特開昭６１−７７１
１４号公報に記裁されている。この公報では、電極を挾
む一対のシールド間を互いに等電位となるように接続
し、シールド間での電位差をなくすことにより放電を防
止してＭＲ素子の破壊を防止している。本構造は、ＭＲ
ヘッドが磁気ディスク等の媒体上を走行している時に発
生する静電荷がＭＲ素子及びシールド膜に蓄積し、この
蓄積された電荷がＭＲ素子とシールド間で放電してＭＲ
素子とシールド間が絶縁破壊されることを防止すること
を目的とし、磁気ディスク媒体走行中の誤動作や、媒体
上に記録された情報が破壊される等の、ヘッド使用時の
静電破壊を防止するためには有効と思われる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来技術による記録再生分離型磁気ヘッドは、ヘッド
素子の作成，ヘッドの加工乃至組立て時に発生する静電
破壊について配慮しておらず、磁気ヘッドの製造加工時
他の工程においてＭＲ素子の静電破壊を招く不具合があ
った。このヘッド素子作成等時に発生するＭＲ素子の静
電破壊について図７を参照して以下説明する。
【０００７】この図７は、図６に示す基板４上にＭＲ素
子形成中の洗浄工程においてウオータージェットを使用
した場合のＭＲ素子への帯電を説明するための概略図で
ある。本図は、基板４上に絶縁層１６及び下部ギャップ
膜１３を設け、該下部ギャップ膜１３上に上部ギャップ
膜１４をフォトリソグラフィ技術とイオンミリングを用
いたドライエッチングにより作成し、電極３及び３’の
端子部にスルーホールを形成し、ホトレジスト剥離後の
洗浄にウオータージェットを用いて異物や汚れを除去す
る工程を示している。この工程においては、ウオーター
ジェットノズル７１から吹き出される高圧の水とＭＲ素
子が形成されている基板４が相対的に高速回転している
ため、この基板４の表面と水との摩擦により電荷７２が
発生してＭＲ素子表面に多数の電荷７２が溜り、電極３
及び３’の端子部を通じてＭＲ素子全体に電荷７２が蓄
積される。
【０００８】この工程の後、ＭＲ素子の静特性測定等の
ために電極３あるいは電極３’のどちらか一方をアース
接続した場合、ＭＲ素子に蓄積された電荷７２が外部へ
放電され、このときに電極３あるいは電極３’のどちら
か一方のアースに接続されていない側から、ＭＲ膜を通
ったアース側に大電流が流れ、ＭＲ膜の発熱及び破壊並
びにバイアス膜との拡散による抵抗値増大といった不具
合を招く可能性があった。
【０００９】また、これら工程においては電極３及び
３’の端子部にスルーホールを形成した後も、フォトリ
ソグラフィ技術を用いた工程のホトレジスト剥離後の洗
浄にウオータージェットをかけて異物や汚れを除去する
工程が数多くあり、ＭＲ膜の抵抗増大やＭＲ膜の溶断と
いった現象を引き起こす危険性があった。更に基板４の
切断等の加工時および加工後の異物や汚れを除去する洗
浄にも同じようなウオータージェット洗浄方法が採用さ
れており、ＭＲ膜の抵抗増大やＭＲ膜の溶断といった現
象を引き起こす危険性があった。またＭＲ素子形成及び
加工／組立て工程中における運搬や保管時にも、大気中
の電荷がＭＲ素子やＭＲヘッドに蓄積され、電極３及び
３’の端子部のどちらか一方がアース接地された場合、
前述の大電流がＭＲ膜に流れ、ＭＲ膜の抵抗増大やＭＲ
膜の溶断といった現象を引き起こす不具合を招く可能性
があった。
【００１０】本発明の目的は、前記従来技術による不具
合を除去することであり、製造／搬送工程等においても
磁気抵抗効果素子等の静電破壊を防止することができる
磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法を提供すること
である。また他の本発明の目的は、高い歩留まりで製造
を可能にすると共に、磁気ディスク装置等の装置に搭載
するまでの静電破壊を防止することができる磁気抵抗効
果型ヘッド及びその製造方法を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明は、磁気抵抗効果膜及びバイアス膜とからなる磁
気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子の外部磁界変化
による抵抗値の変化を検出するための２つの電極と、こ
れら磁気抵抗効果素子及び２つの電極を挟持する上部シ
ールド膜及び下部シールド膜とを備える磁気抵抗効果型
磁気ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果素子を介さずに
２つの電極間を短絡する短絡回路を設けたことを第１の
特徴とする。
【００１２】また本発明は、磁気抵抗効果膜及びバイア
ス膜とからなる磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素
子の外部磁界変化による抵抗値の変化を検出するための
２つの電極と、これら磁気抵抗効果素子及び２つの電極
を挟持する上部シールド膜及び下部シールド膜とを備え
る磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、前記電極の一方
が上部シールド膜と電気的に接続すると共に他方の電極
が下部シールド膜と電気的に接続し、且つ上部シールド
膜及び下部シールド膜とを磁気抵抗効果素子を介さずに
電気的に短絡する短絡回路を設けたことを第２の特徴と
する。
【００１３】更に本発明は、前記第１又は第２の特徴に
よる磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、前記短絡回路
の抵抗値を、磁気抵抗効果素子の抵抗値の１／１０以下
にすることを第３の特徴とする。
【００１４】更に本発明は、磁気抵抗効果膜及びバイア
ス膜とからなる磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素
子の外部磁界変化による抵抗値の変化を検出するための
２つの電極と、これら磁気抵抗効果素子及び２つの電極
を挟持する上部シールド膜及び下部シールド膜とを備え
る磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法において、前記
２つの電極間を磁気抵抗効果素子を介さずに短絡する短
絡回路を設け、該短絡回路により２つの電極間を磁気抵
抗効果素子を介さずに短絡した状態で磁気抵抗効果素子
形成乃至磁気ヘッドの組立を行うことを第４の特徴とす
る。
【００１５】また本発明は、磁気抵抗効果膜及びバイア
ス膜とからなる磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素
子の外部磁界変化による抵抗値の変化を検出するための
２つの電極と、これら磁気抵抗効果素子及び２つの電極
を挟持する上部シールド膜及び下部シールド膜とを備え
る磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法において、前記
電極の一方が上部シールド膜と電気的に接続すると共に
他方の電極が下部シールド膜と電気的に接続し、且つ上
部シールド膜及び下部シールド膜とを磁気抵抗効果素子
を介さずに電気的に短絡する短絡回路を設け、該短絡回
路により２つの電極間を磁気抵抗効果素子を介さずに短
絡した状態で磁気抵抗効果素子形成乃至磁気ヘッドの組
立を行うことを第５の特徴とする。
【００１６】更に本発明は、前記第４及び第５の特徴に
よる磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法において、短
絡回路の抵抗値を磁気抵抗効果素子の抵抗値の１／１０
以下とすることを第６の特徴とする。
【００１７】
【作用】前記第１の特徴による磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドは、磁気抵抗効果素子を介さずに２つの電極間を短絡
する短絡回路を設けたことにより、素子形成過程乃至組
立工程並びに搬送工程等に発生する静電気による磁気抵
抗効果素子の静電破壊を防止することができる。
【００１８】前記第２の特徴による磁気抵抗効果型磁気
ヘッドは、各々電極と電気的に接続する上部シールド膜
及び下部シールド膜とを磁気抵抗効果素子を介さずに短
絡する短絡回路を設けたことにより、素子形成過程乃至
組立工程並びに搬送工程等に発生する静電気による磁気
抵抗効果素子の破壊及び磁気抵抗効果素子と両シールド
膜間の絶縁破壊を防止することができる。
【００１９】前記第３の特徴による磁気抵抗効果型磁気
ヘッドは、第１及び第２の特徴による短絡回路の抵抗値
を、磁気抵抗効果素子の抵抗値の１／１０以下にするこ
とにより、帯電した静電気が主に短絡回路を介して流
れ、静電気による磁気抵抗効果素子の破壊及び磁気抵抗
効果素子と両シールド膜間の絶縁破壊を防止することが
できる。
【００２０】前記第４の特徴による磁気抵抗効果型磁気
ヘッドの製造方法は、電極間を磁気抵抗効果素子を介さ
ずに短絡する短絡回路を設け、該短絡回路により電極間
を磁気抵抗効果素子を介さずに短絡した状態で磁気抵抗
効果素子形成乃至磁気ヘッドの組立を行うことにより、
素子形成過程乃至組立工程並びに搬送工程等に発生する
静電気による磁気抵抗効果素子の静電破壊を防止するこ
とができる。
【００２１】前記第５の特徴による磁気抵抗効果型磁気
ヘッドの製造方法は、各々電極と電気的に接続する上部
シールド膜及び下部シールド膜とを磁気抵抗効果素子を
介さずに短絡する短絡回路を設けたことにより、素子形
成過程乃至組立工程並びに搬送工程等に発生する静電気
による磁気抵抗効果素子の破壊及び磁気抵抗効果素子と
両シールド膜間の絶縁破壊を防止することができる。
【００２２】前記第６の特徴による磁気抵抗効果型磁気
ヘッドの製造方法は、第４及び第５の特徴による短絡回
路の抵抗値を、磁気抵抗効果素子の抵抗値の１／１０以
下にすることにより、帯電した静電気が主に短絡回路を
介して流れ、静電気による磁気抵抗効果素子の破壊及び
磁気抵抗効果素子と両シールド膜間の絶縁破壊を防止す
ることができる。
【００２３】
【実施例】以下、本発明の一実施例による磁気抵抗効果
型ヘッド及びその製造方法を図面を参照して詳細に説明
するものであるが、まず本発明の原理について図１１を
参照して説明する。 ＜原理説明＞図１１（ａ）は、磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド素子（ＭＲヘッド素子）の製造工程における基板切断
前の等価回路を示し、図１１（ｂ）は基板切断後の等価
回路を示している。
【００２４】本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッドに
おけるＭＲヘッド素子及び周辺回路の等価回路は、図１
１（ａ）に示す如く、ＭＲ素子２１の両端を各々上部シ
ールド膜２３及び下部シールド膜２２の片側に接続し、
且つ上部シールド膜２３と下部シールド膜２２の他の片
側どうしを短絡線２６を用いて接続する様に構成する。
前記ＭＲ素子２１は、ＭＲ膜とＭＲ膜にバイアスを印加
するバイアス膜から成り、各々の膜厚が数十ｎｍ，トラ
ック幅数μｍから数十μｍ，ＭＲ高さ数μｍ程度であ
り、この部分の抵抗値ＲＭは数十オームである。また上
部シールド膜２３及び下部シールド膜２２は、ＮｉＦｅ
のパーマロイで膜厚を数μｍ程度で構成され、大きさを
ほぼ正方形としているため各シールド膜の抵抗値Ｒ２及
びＲ１は１オーム以下となる。
【００２５】本発明によるＭＲヘッド素子及び周辺回路
は、この様に上部シールド膜２３及び下部シールド膜２
２を短絡線２６を用いて接続することにより、ＭＲ端子
２７間に静電気による電流が流れたとしても、ＭＲヘッ
ド素子２１の１対の電極およびその近傍に蓄積した電荷
が上部シールド膜２３と下部シールド膜２２間の短絡線
２６を通して電流Ｉ2が流れることによりＭＲ素子２１
（感磁部）に流れる電流Ｉ1を非常に小さい電流とする
ことができ、これにより基板切断前の工程においてＭＲ
素子２１の静電破壊を防止することができる。またシー
ルド膜２２又は２３とＭＲ素子２１間に生ずる電位差に
よる絶縁破壊についても、ＭＲ素子２１の各電極が各々
両シールド２２及び２３に接続されているため、シール
ドとＭＲ素子間に生ずる電位差をゼロにし絶縁破壊を防
止することができる。
【００２６】図１１（ｂ）は、基板切断後のＭＲヘッド
素子及び周辺回路の等価回路を示している。本回路は図
１１（ａ）の状態から前記短絡線２６を切断し、ＭＲ素
子２１の両端を各々上部シールド膜２３及び下部シール
ド膜２２の片側に接続し、他の多数膜を接続して形成さ
れる抵抗２５と他の多数膜を接続して形成される抵抗２
４を介して短絡部２９により接続可能な様に構成する。
本回路は、上部シールド膜２３と下部シールド膜２２と
を同材料且つ同膜厚とし、引き出される部分の幅を数十
μｍ，長さを数百μｍ程度とすることにより引き出され
る部分の抵抗値Ｒ４，Ｒ３を数オームとする。
【００２７】本発明によるＭＲヘッド素子及び周辺回路
は、この様に基板切断時に短絡線２１を切断し、且つ基
板上の上部シールド膜及び下部シールド膜を互いに接続
した端部を短絡部２６により接続することによって、Ｍ
Ｒ端子２７間に静電気による電流が流れたとしても、Ｍ
Ｒヘッド素子２１の１対の電極およびその近傍に蓄積し
た電荷が、上部シールド膜他で形成される抵抗２５及び
下部シールド膜他で形成される抵抗２４を通して電流Ｉ
3として流れるため、ＭＲ素子２１（感磁部）に流れる
電流Ｉ1を非常に小さい電流とすることができる。この
電流Ｉ1は、厳密にはＭＲ素子２１（感磁部）と引き出
し部分の抵抗比分だけ流れるが、引き出し部分の抵抗値
が感磁部の抵抗値の１／１０以下であるため、ほぼ無視
することができる。さらに、シールド膜とＭＲ素子間に
生ずる電位差による絶縁破壊についても、前記同様に絶
縁破壊を防止することができる。
【００２８】この様に本発明による磁気抵抗効果型磁気
ヘッドは、その製造工程において基板切断前は下部及び
上部シールド膜を短絡することにより不要な電荷がＭＲ
素子２１に多く流れることを防止し、基板切断後は基板
上の複数の磁気ヘッド素子の下部及び上部シールド膜を
各々接続し且つ短絡することによって不要な電荷がＭＲ
素子２１に多く流れることを防止するものである。但
し、前記上部シールド膜と下部シールド膜の接続部は、
ヘッド完成後残っていると再生出力検出用電流がＭＲ素
子に分流された電流しか流れないため、加工中に除去さ
れる場所に形成しておく必要がある。また、上部シール
ド膜及び下部シールド膜の接続部を切断した後、具体的
には、スライダー加工し、さらに、サスペンションを取
り付けるなどのヘッド組立て工程では、素子構造が上部
シールドと下部シールドの一部を露出させる構造であ
り、その部分を接続し両シールドにより保護回路を構成
しながら加工及び組立てを行う必要があり、以下具体例
を詳述する。
【００２９】＜ＭＲ素子形成時の静電破壊防止形態１
＞ 上記原理に基づく磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方
法の一実施例を図面を参照して詳細に説明する。図１は
本発明の一実施例による磁気抵抗効果型磁気ヘッド（Ｍ
Ｒヘッド）の拡大斜視図であり、図５（ａ）〜（ｃ）は
図１に示したＭＲヘッドの断面を示す図である。本実施
形態によるＭＲヘッドは、図１に記載した如く、製造工
程における基板切断前の基板上回路において上部シール
ド膜６の一端を折曲して下部シールド膜５の一端と接続
した接続部１７を設けたことにより、図１１に示した短
絡回路（２６）を形成し、ＭＲ端子間に静電気による電
流が流れたとしても、ＭＲ素子等や電極３及び３’及び
その近傍に蓄積した電荷が前記上下シールド膜の接続部
１７を介した電流が流れることによって、ＭＲ膜１やシ
ャントバイアス膜２に流れる電流を非常に小さい電流と
することができ、これにより基板切断前の工程において
ＭＲ素子の静電破壊を防止することができる。
【００３０】このＭＲヘッドは、図５（ａ）の如く多層
構造を成し、以下に示す工程により製造する。 (1)基板４上にアルミナ等の絶縁層１６をスパッタリン
グにより成膜する。 (2)この絶縁層１６の表面の面荒さを小さくするためラ
ップを行い、ラップ後の異物あるいは汚れを除去するた
めに前述のウオータージェット洗浄を行う。 (3)この洗浄後の絶縁層１６上に下部シールド膜５を形
成する。この下部シールド膜５は、ＮｉＦｅ合金薄膜で
スパッタリングにより成膜し、フォトリソグラフィ技術
及びイオンミリング技術を用いたドライエッチングによ
って所定の形状とした後、ホトレジスト剥離後の洗浄に
ウオータージェットをかけて異物や汚れを除去すること
により形成される。この下部シールド膜５の膜厚は１μ
ｍである。
【００３１】(4)次に、下部シールド膜５上にアルミナ
等の絶縁膜をスパッタリングすることにより下部ギャッ
プ膜１３を形成する。この下部ギャップ膜１３の膜厚は
２００ｎｍとする。 (5)更に下部ギャップ膜１３上にＭＲ素子の感磁部であ
るＭＲ膜１及び該ＭＲ膜１にバイアスを印加するための
シャントバイアス膜２を形成する。これらＭＲ膜１及び
シャントバイアス膜２の形成は、連続でスパッタリング
により成膜した後にフォトリソグラフィ技術及びイオン
ミリング技術を用いたドライエッチングにより初期のＭ
Ｒ高さを４μｍとした所定形状に作成し、ホトレジスト
剥離後の洗浄にウオータージェットをかけて異物や汚れ
を除去することによって行われる。このＭＲ膜１はＮｉ
Ｆｅ合金薄膜で膜厚を２５ｎｍとし、シャントバイアス
膜２はＮｂ薄膜で膜厚を３０ｎｍとする。
【００３２】(6)本実施形態によるＭＲヘッドの形成工
程においては、これから形成される電極と既に形成され
ている下部シールド膜５とを接続するため、下部ギャッ
プ膜１３にフォトリソグラフィ技術とイオンミリング技
術を用いたドライエッチングにより所定の位置に窓７
（図１参照）を形成した後、ホトレジスト剥離後の洗浄
にウオータージェットを用いて異物や汚れを除去する。
【００３３】(7)次に該ＭＲ素子の両端にＭＲ素子の抵
抗変化を電圧変化として取り出すための電極３及び３’
を形成する。この電極の形成は、Ａｕ／Ｎｂの２層薄膜
をスパッタリングにより成膜し、フォトリソグラフィ技
術とイオンミリング技術を用いたドライエッチングによ
りトラック幅を決定する電極３及び３’の距離を８μｍ
とした所定形状とし、ホトレジスト剥離後の洗浄にウオ
ータージェットをかけて異物や汚れを除去することによ
って行われる。この電極３，３’の膜厚はＡｕ／Ｎｂの
２層薄膜が各々１００ｎｍ／５ｎｍとした。
【００３４】(8)更に本工程は、上部ギャップ膜１４を
アルミナ等の絶縁膜のスパッタリングにより成膜する。
この上部ギャップ膜１４は、次工程により形成される上
部シールド膜６と既に形成されている電極３’を接続す
るための窓８（図１参照）と、上部シールド膜６と下部
シールド膜５を接続するための接続部１７（図１の短絡
部）とを（ヘッド加工時に除去される位置に）フォトリ
ソグラフィ技術及びイオンミリング技術を用いたドライ
エッチングにより形成した後、ホトレジスト剥離後の洗
浄にウオータージェットを用いて異物や汚れを除去す
る。この上部ギャップ膜１４の膜厚は、下部ギャップ膜
１３の膜厚と同じ２００ｎｍとする。 (9)本工程は、最後に上部シールド膜６をスパッタリン
グにより成膜する。この成膜は、フォトリソグラフィ技
術及びイオンミリング技術を用いたドライエッチングに
より所定の形状とした後、ホトレジスト剥離後の洗浄に
ウオータージェットをかけて異物や汚れを除去すること
によって行われる。この上部シールド膜６は、下部シー
ルド膜５と同じＮｉＦｅ合金薄膜で膜厚は１μｍとす
る。 (10)本実施例による磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、以上
の工程を経てＭＲ素子を作製し、こうして完成されたＭ
Ｒ素子の各部の抵抗は、ＭＲ先端の感磁部で約１１Ω，
電極３から下部シールド膜５，接続部１７，上部シール
ド膜６を経由して電極３’までの部分が約０．４Ωとな
り、感磁部に対し約１／２７の値となっている。
【００３５】この様に本実施形態による磁気抵抗効果型
磁気ヘッドは、上部及び下部シールド膜の一端を短絡す
る接続部を設けたことにより、基板切断前の工程におけ
るＭＲ素子の静電破壊を防止することができる。
【００３６】＜誘導型薄膜素子形成工程時の静電破壊
防止形態＞ (11)次に、前記ＭＲ素子上に誘導型薄膜磁気ヘッドを形
成する工程を説明する。このＭＲ素子上に誘導型薄膜磁
気ヘッドを形成した構造の記録再生分離型磁気ヘッドの
概略構成は、図２に示す斜視図の如く前記上部シールド
膜６上に磁気回路を構成して記録磁界を発生するコイル
１１を巻いて形成し、この上に記録用上部コア１２を配
置するものであり、以下詳細を説明する。本工程におい
ては前述の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの上部シールド膜
６を形成した後に図５に示す磁気回路の磁束を発生する
ための記録用ギャップ膜１５を形成する。この記録用ギ
ャップ膜１５は、アルミナ等の絶縁膜をスパッタリング
により成膜し、フォトリソグラフィ及びイオンミリング
技術を用いたドライエッチングによってＭＲヘッドの端
子形成用スルーホールを形成した後、ホトレジスト剥離
後の洗浄にウオータージェットをかけて異物や汚れを除
去することにより作製する。この記録用ギャップ膜１５
の膜厚は、６００ｎｍとした。 (12)続いて電極３’と上部シールド膜６を接続するため
の窓８の段差を平坦にするため、ホトレジストを塗布後
に熱処理を行い、膜厚を３μｍとした絶縁層（図示せ
ず）を形成する。
【００３７】(13)その後、記録磁界を発生させるコイル
１１を形成する。この形成は、スパッタリングにより成
膜し、フォトリソグラフィ技術及びイオンミリング技術
を用いたドライエッチングにより、所定の形状とした
後、ホトレジスト剥離後の洗浄にウオータージェットを
かけて異物や汚れを除去することにより行われる。この
コイル１１の材質は、Ｃｒ／Ａｕ／Ｃｒの３層薄膜で全
膜厚は１．２μｍとした。 (14)更にコイル１１と記録用上部コア１２を絶縁するた
めに、ホトレジストを塗布後に熱処理し膜厚５μｍの絶
縁層（図示せず）を形成する。 (15)続いて記録用上部コア１２を形成する。この形成
は、スパッタリングにより成膜し、フォトリソグラフィ
技術及びイオンミリング技術によるドライエッチングに
より所定の形状とした後、ホトレジスト剥離後の洗浄に
ウオータージェットをかけて異物や汚れを除去すること
により行う。この記録用上部コア１２は、上部シールド
膜６及び下部シールド膜５と同じＮｉＦｅ合金薄膜で膜
厚は１．６μｍとした。
【００３８】(16)次に端子形成工程と保護膜形成工程に
ついて説明する。まず前述の工程により作製された磁気
抵抗効果型磁気ヘッドのＭＲヘッド端子部５１（図５
（ａ））の位置にはＭＲヘッド用電極３及び３’の端
部，該電極３及び３’の端部上に設けられた上部シール
ド膜６の端部６’，コイル１１の端部１１’，上部コア
１２の端部１２’が積層されており、同様に誘導型薄膜
磁気ヘッドにおける誘導型薄膜磁気ヘッド端子部５２の
位置には上部シールド膜６の端部６’，コイル１１の端
部１１’，上部コア１２の端部１２’が積層されてい
る。
【００３９】このＭＲヘッド端子部５１では、前記上部
コアの端部１２’上に下部端子１９をメッキ法により設
けると共に、誘導型薄膜磁気ヘッド端子部５２でも、上
部コアの端部１２’上に下部端子１９をメッキ法により
設ける。この下部端子１９の材質は、Ｃｕで膜厚を５０
μｍとする。その後、保護膜１８としてアルミナ膜をス
パッタリングにより膜厚６０μｍで形成する。この工程
により基板全面を保護アルミナ膜１８で覆い、次にラッ
プ法により保護アルミナ膜１８を研摩し、このラップ後
の洗浄にウオータージェットを用いて異物や汚れを除去
すことにより下部端子１９を露出させる。この後、露出
した下部端子１９上にＭＲヘッド用の上部端子３０及び
誘導型薄膜磁気ヘッド用の上部端子３１をメッキ法によ
り材質Ａｕを用いて膜厚を１０μｍとして形成する。以
上の工程により記録再生分離型磁気ヘッド素子を製造す
ることができる。
【００４０】さて、これら製造工程において膜及び素子
の形成中繰り返しウオータージェット洗浄を行うもので
あるが、本実施例による記録再生分離型磁気ヘッドは、
上部シールド膜１７及び下部シールド膜１６とを先端部
で電気的に結合した状態で素子形成を行うため、洗浄に
よる静電気が過帯電した場合であってもＭＲ素子をあま
り通らずに流れるため、静電気によるＭＲ素子の破壊及
びＭＲ素子と両シールド間の絶縁破壊を防止することが
できる。
【００４１】−２＜ＭＲ素子形成時の静電破壊防止形
態２＞ 前記実施例においては上部シールド膜１７及び下部シー
ルド膜１６の先端（磁気ヘッドギャップ側）を接続する
ことによりＭＲ素子の静電破壊を防止する例を説明した
が、本発明はこれに限られるものではなく、この他の実
施例を図３及び図４他を参照して説明する。図３及び図
４は、前述の実施例と同様の工程によりＭＲヘッド素子
及び記録再生分離型磁気ヘッド素子を形成する工程途中
を示している。この磁気ヘッドは、下部シールド５を形
成する際に、浮上面ラップを行いスライダー加工から組
立て完成までの間、ＭＲ素子保護回路形成のための接続
部１０（引出しの長さに対し引出しの幅を１／５以上と
する）を同時に形成し、更に上部シールド６を形成する
際にも浮上面ラップを行いスライダー加工から組立て完
成までの間、ＭＲ素子保護回路形成のための接続部９
（引出しの長さに対し引出しの幅を１／５以上とする）
を同時に形成し、これら接続部９及び１０を短絡してお
く。
【００４２】さらに、図５（ｂ）（ｃ）に示す端子形成
工程において、上部シールド接続部９の端部９’と下部
シールド接続部１０の端部１０’に誘導型薄膜磁気ヘッ
ドのコイル１１の端部１１’と記録用上部コア１２の端
部１２’を積層し、その後に下部端子１９を上部シール
ド接続部９と下部シールド接続部１０上にメッキ法によ
り形成し、第１の実施例と同様に保護アルミ膜１８を形
成し、ラップ後に下部端子１９を露出させる。この後に
浮上面のラップを行い、スライダー加工から組立て完成
までの間に両シールドを接続するための上部パッド３２
及び３３を、ＭＲヘッド用の上部端子３０と誘導型薄膜
磁気ヘッド用の上部端子３１と同様の材質と膜厚でメッ
キ法により形成する。本実施例による磁気抵抗効果型磁
気ヘッドにおいても、上部及び下部シールドを短絡した
状態でウオータージェット洗浄を行うため、洗浄による
静電気が過帯電した場合であってもＭＲ素子をあまり通
らずに流れるため、静電気によるＭＲ素子の破壊及びＭ
Ｒ素子と両シールド間の絶縁破壊を防止することができ
る。
【００４３】＜基板加工時の静電破壊防止＞ 次に前記実施例で形成されたＭＲヘッド素子及び記録再
生分離型磁気ヘッド素子が形成されている基板４の加工
及び組立て工程における静電破壊防止について説明す
る。図８及び図９は、本実施例による基板加工工程を説
明するための斜視図であり、図６（ａ）に示した状態の
記録再生分離型磁気ヘッド素子が多数形成されている基
板４を機械加工により切断してスライダーを形成する過
程を示している。図８に示した状態は基板４を所定のブ
ロックサイズに切断し、異物や汚れを除去するためにウ
オータージェット洗浄を行った後、加工用治具３６にセ
ットしたものである。この状態で本実施例による磁気ヘ
ッド素子は、図５に示した上部シールド接着部５３の上
部パッド３２と下部シールド接着部５４の下部パッド３
３を短絡する導電性樹脂３４を設ける。この導電性樹脂
３４は、銅ペーストや銀ペースト等が考えられ、浮上面
３７をラップして図１及び図２に示した下部シールド膜
５と上部シールド膜６の接続部１７を切り離し、ヘッド
素子形成時に使用していた保護回路が切断する際、両上
下シールドを接続して帯電した静電気がＭＲ素子に流れ
るのを防止する。即ち、本実施例においては前記ヘッド
素子形成時の保護回路に変わる加工及び組立て用保護回
路を導電性樹脂３４により構成する。
【００４４】また図９に示す様に、加工用の治具３６
に、治具３６側でショートされているピン３５を設け、
該ピン３５を上部パッド３２及び３３に接続することに
より、図８に示す実施例と同様に両上下シールドを接続
して帯電した静電気がＭＲ素子に流れるのを防止するこ
とができる。さらに、上部パッド３２及び３３を浮上面
３７の側面或いは裏面に形成し、且つ加工用の治具３６
を導電性材料で作製したものを使用し、上部パッド３２
及び３３が直接治具３６に接触する様に構成することに
より、治具３６側でショートされているピン３５を使用
することなく、効率的に両上下シールドを短絡して静電
破壊を防止することもできる。
【００４５】この様に本実施例では、基板からの切り出
しによりスライダーを形成する際に加工／組立て用保護
回路を構成し、浮上面（スライダー面）をラップするこ
とによりＭＲ素子の所定ＭＲ膜高さ加工を行う。磁気ヘ
ッドは、このＭＲ膜高さを２μｍまで追い込んだ後、浮
上用のレール加工と流入端の加工を行い、加工用治具３
６から取りはずし図６（ｂ）に示すようなスライダーを
形成することにより作製される。以上の工程を経て形成
されたスライダー状態のＭＲ先端の感磁部の抵抗は約２
２Ωとなり、両シールドを接続するための上部パッド３
２及び３３を短絡している時、電極３から下部シールド
接続部１０乃至上部シールド接続部９を経由して電極
３’までに達する抵抗は約２Ωとなり、感磁部に対し約
１／１１の値にすることができる。また、本実施例によ
る磁気ヘッドは、組立て工程への運搬乃至保管中も前記
上部パッド３２及び３３を導電性樹脂３４を介して短絡
させた状態としておくことにより、運搬中等の摩擦等に
より発生する静電気によるＭＲ素子の破壊及びＭＲ素子
と両シールド間の絶縁破壊も防止することができる。
【００４６】＜組立工程時の静電破壊防止＞ 本実施例による磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、スライダ
ーをジンバルを含むロードアーム（サスペンションバ
ネ）に組み立てる工程においてもＭＲ素子等の静電破壊
を防止することができるものであり、この組立工程を図
１０を参照して説明する。本実施例による磁気抵抗効果
型磁気ヘッドは、図１０に示す如く、磁気ヘッドスライ
ダー１００を弾性体から成るロードアーム１０１に組み
立て工程中においても、スライダー１００の上下部シー
ルド膜短絡用の上部パッド３２及び３３を前記した導電
性樹脂３４により短絡させた状態（図８参照）で、ＭＲ
ヘッド用の上部端子３０及び誘導型薄膜磁気ヘッド用の
上部端子３１（図５参照）に各々再生信号取り出し用リ
ード線４０及び記録信号供給用リード線４１とをハンダ
付けあるいは超音波ボンデングにより接続しておき、こ
の状態で磁気ヘッドスライダー１００を樹脂により接着
してロードアーム１０１への組み立て作業を行う。
【００４７】従って組み立て工程中の磁気抵抗効果型磁
気ヘッドは、ロードアームへの組立中においても上下部
シールド膜短絡用の上部パッド３２及び３３を導電性樹
脂３４により短絡させた状態で作業を行うため、組立作
業中に静電気が過帯電した場合であっても前記短絡回路
を介して静電気が流れるためにＭＲ素子の破壊及びＭＲ
素子と両シールド間の絶縁破壊も防止することができ
る。
【００４８】また、磁気ディスク装置に磁気ヘッドを組
み込むための工程への運搬及び磁気ヘッド保管中も前記
した両上下シールドと接続する上部パッド３２及び３３
を導電性樹脂３４により短絡させた状態としておくこと
により、運搬中等の摩擦により発生する静電気によるＭ
Ｒ素子の破壊やＭＲ素子と両シールド間の絶縁破壊を防
止することができる。尚、この導電性樹脂３４は磁気ヘ
ッドを装置に組み込む直前に除去する。
【００４９】この様に本実施例による磁気抵抗効果型磁
気ヘッドは、ＭＲ素子形成工程，誘導型薄膜素子形成工
程，加工工程，組立工程においても、上部及び下部シー
ルド膜を短絡状態に保つことによって、ウオータージェ
ットや搬送中に発生する静電気によるＭＲ素子の破壊や
ＭＲ素子と両シールド間の絶縁破壊を防止することがで
きる。これら各工程における全体構成を次に図１４を参
照して説明する。まず本実施例の対象となる記録再生分
離型磁気ヘッドの製造工程は、図１４に示す如く、下部
シールド膜形成から上部シールド膜の形成までのＭＲ素
子形成工程１４１と、該ＭＲ素子上に記録ギャップ膜形
成からコイル抵抗チェックまでの誘導型薄膜素子形成工
程１４２と、これら素子を搭載した基板からスライダー
単位で切り出し乃至ＭＲ／抵抗チェックまでを行う加工
工程１４３と、加工したスライダーへのリード線配線か
らサスペンション（ロードアーム）への取り付けを行う
組立工程１４４とに大別される。
【００５０】本実施例による磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の製造方法は、前記ＭＲ素子形成工程１４１において上
部及び下部シールド膜とをショートする短絡回路を形成
（作業１４４）して素子形成を行い、誘導型薄膜素子形
成工程１４２においても前記短絡回路を形成した状態で
素子形成（作業１４５）を行い、加工工程１４３におい
ては基板切断，ギャップ深さ加工，スライダー加工まで
は上部及び下部シールド膜とを接続する（加工用）保護
回路（導電性樹脂３４又はピン３５等による短絡回路）
をオン（作業１４７）とし、ＭＲ素子及び誘導型薄膜素
子のコイル抵抗値のチェック時には保護回路をオフ（作
業１４８）とし、組立工程１４４においてはリード線配
線及びサスペンション接着工程までは上部及び下部シー
ルド膜とを接続する（組立用）保護回路をオン（作業１
４９）とし、磁気ディスク装置に組み込む直前に前述の
保護回路（短絡回路）を取り外してからリード／ライト
特性のチェックを行う（作業１５０）ものである。
【００５１】この様に本実施例による磁気抵抗効果型磁
気ヘッドの製造方法は、各工程において磁気抵抗効果型
磁気ヘッドの上部シールド膜と下部シールド膜との短絡
回路を設けて帯電した静電気が該短絡回路を介して流れ
る様にして磁気抵抗効果型磁気ヘッドを製造することに
より、静電気によるＭＲ素子の破壊やＭＲ素子と両シー
ルド間の絶縁破壊を防止することができる。
【００５２】尚、前述の実施例においては磁気抵抗効果
型磁気ヘッドのバイアス膜としてシャント膜を用いる例
を説明したが、これに限られるものではなく、例えばバ
イアス膜としてシャント膜の代わりに永久磁石膜／軟磁
性薄膜／反強磁性薄膜／これらの膜を積層した膜をバイ
アス膜として採用しても良い。更に、前記実施例におい
ては上部シールド膜と下部シールド膜とを短絡する短絡
回路を図２等の磁気ヘッドの先端の接続部１７或いは図
５に示した端子側の接着部５３及び５４を用いる例を説
明したが、本発明はこれに限られるものではない。
【００５３】また本発明は、次に述べる実施態様として
も表すことができる。 ＜実施態様項１＞上部シールド、下部シールド、磁気抵
抗効果をもつ磁性薄膜と、該磁性薄膜にバイアス磁界を
印加するバイアス膜と、該磁性薄膜の磁気抵抗効果を外
部に取り出すための電極が基板上に形成された構成で、
電極の片側が上部シールドと接続され、電極の他の片側
が下部シールドと接続され、上部シールドと下部シール
ドの一部が露出し、上部シールドと下部シールドが接続
できるように配置したことを特徴とする磁気抵抗効果ヘ
ッド。
【００５４】＜実施態様項２＞実施態様項１記載の磁気
抵抗効果ヘッドにおいて、電極に接続された上部シール
ドと下部シールドの抵抗値が、該磁性薄膜と該磁性薄膜
にバイアス磁界を印加するバイアス膜よりなる抵抗値の
１／１０以下であることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッ
ド。
【００５５】＜実施態様項３＞実施態様項１，２に記載
の磁気抵抗効果ヘッド素子が作製された基板上に、記録
用誘導型薄膜磁気ヘッド素子が積層される構造におい
て、上部シールドと下部シールドを接続した状態で、記
録用誘導型薄膜磁気ヘッド素子を形成することを特徴と
する記録再生分離型磁気ヘッド素子の製造方法。
【００５６】＜実施態様項４＞磁気抵抗効果ヘッド素子
および記録再生分離型磁気ヘッド素子の、加工作業，組
立て作業を行う場合、あるいは、各工程間において保管
する場合、上部シールドと下部シールドの露出部分を接
続した状態としておくことを特徴とする磁気抵抗効果ヘ
ッド、および、記録再生分離型磁気ヘッドの製造方法。
【００５７】
【発明の効果】以上述べた如く本発明による磁気抵抗効
果型磁気ヘッドは、磁気抵抗効果素子を介さずに２つの
電極間を短絡する短絡回路を設けたことにより、素子形
成過程乃至組立工程並びに搬送工程等に発生する静電気
による磁気抵抗効果素子の静電破壊を防止することがで
きる。
【００５８】また本発明による磁気ヘッドは、各々電極
と電気的に接続する上部シールド膜及び下部シールド膜
とを磁気抵抗効果素子を介さずに短絡する短絡回路を設
けたことにより、素子形成過程乃至組立工程並びに搬送
工程等に発生する静電気による磁気抵抗効果素子の破壊
及び磁気抵抗効果素子と両シールド膜間の絶縁破壊を防
止することができ、更に前記短絡回路の抵抗値を磁気抵
抗効果素子の抵抗値の１／１０以下にすることにより帯
電した静電気が主に短絡回路を介して流れ、静電気によ
る磁気抵抗効果素子の破壊及び磁気抵抗効果素子と両シ
ールド膜間の絶縁破壊を十分に防止することができる。
【００５９】更に本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドの製造方法は、電極間を磁気抵抗効果素子を介さずに
短絡する短絡回路を設け、該短絡回路により電極間を磁
気抵抗効果素子を介さずに短絡した状態で磁気抵抗効果
素子形成乃至磁気ヘッドの組立を行うことにより、素子
形成過程乃至組立工程並びに搬送工程等に発生する静電
気による磁気抵抗効果素子の静電破壊を防止することが
できる。
【００６０】また本磁気ヘッドの製造方法は、各々電極
と電気的に接続する上部シールド膜及び下部シールド膜
とを磁気抵抗効果素子を介さずに短絡する短絡回路を設
けたことにより、素子形成過程乃至組立工程並びに搬送
工程等に発生する静電気による磁気抵抗効果素子の破壊
及び磁気抵抗効果素子と両シールド膜間の絶縁破壊を防
止することができ、更に短絡回路の抵抗値を磁気抵抗効
果素子の抵抗値の１／１０以下にすることにより、帯電
した静電気が主に短絡回路を介して流れ、静電気による
磁気抵抗効果素子の破壊及び磁気抵抗効果素子と両シー
ルド膜間の絶縁破壊を十分に防止することができる。
【００６１】従って本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッド構造と製造方法を採用することにより、ＭＲ素子形
成およびＭＲヘッド加工／組立て工程における静電破壊
をゼロパーセントに抑えることができ、高い歩留まりの
ＭＲヘッド及び記録再生分離型磁気ヘッドを製造するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッドの一実
施例を示す斜視図。
【図２】図１に示す磁気抵抗効果型磁気ヘッドを含む記
録再生分離型磁気ヘッドの斜視図。
【図３】本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッドの第２
の実施例を示す斜視図。
【図４】図４に示す磁気抵抗効果型磁気ヘッドを含む記
録再生分離型磁気ヘッドの斜視図。
【図５】本発明の一実施例による記録再生分離型磁気ヘ
ッドの断面図。
【図６】基板上に形成された磁気ヘッド素子の拡大図。
【図７】静電破壊にいたる電荷の分布を説明するための
図。
【図８】加工中の記録再生分離型磁気ヘッドの斜視図。
【図９】加工中の記録再生分離型磁気ヘッドの斜視図。
【図１０】磁気ヘッドスライダーの組立て後の斜視図。
【図１１】本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッドの等
価回路を示す図 。
【図１２】従来技術による磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
等価回路を示す図 。
【図１３】従来技術による記録再生分離型複合ヘッドの
斜視図。
【図１４】本発明による記録再生分離型磁気ヘッドの製
造方法を説明するための図 。
【符号の説明】
１：ＭＲ膜、２：シャントバイアス膜、３及び３’：
電極、４：基板、５：下部シールド膜、６：上部シール
ド膜、１１：コイル、１２：上部コア、３０：ＭＲヘッ
ド用の上部端子、３１：記録用誘導型薄膜磁気ヘッドの
上部端子、３２：下部シールド接続用上部パッド、３
３：上部シールド接続用上部パッド、３４：上部パッド
ショート用導電性樹脂、３５：上部パッドショート用ピ
ン、４２：ロードアーム（スライダー支持用サスペンシ
ョン）。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 磁気抵抗効果膜及びバイアス膜とからな
    る磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子の外部磁界
    変化による抵抗値の変化を検出するための２つの電極
    と、これら磁気抵抗効果素子及び２つの電極を挟持する
    上部シールド膜及び下部シールド膜とを備える磁気抵抗
    効果型磁気ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果素子を介
    さずに２つの電極間を短絡する短絡回路を設けたことを
    特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
  2. 【請求項２】 磁気抵抗効果膜及びバイアス膜とからな
    る磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子の外部磁界
    変化による抵抗値の変化を検出するための２つの電極
    と、これら磁気抵抗効果素子及び２つの電極を挟持する
    上部シールド膜及び下部シールド膜とを備える磁気抵抗
    効果型磁気ヘッドにおいて、前記電極の一方が上部シー
    ルド膜と電気的に接続すると共に他方の電極が下部シー
    ルド膜と電気的に接続し、且つ上部シールド膜及び下部
    シールド膜とを磁気抵抗効果素子を介さずに電気的に短
    絡する短絡回路を設けたことを特徴とする磁気抵抗効果
    型磁気ヘッド。
  3. 【請求項３】 前記短絡回路の抵抗値を、磁気抵抗効果
    素子の抵抗値の１／１０以下とすることを特徴とする請
    求項１又は２記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
  4. 【請求項４】 磁気抵抗効果膜及びバイアス膜とからな
    る磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子の外部磁界
    変化による抵抗値の変化を検出するための２つの電極
    と、これら磁気抵抗効果素子及び２つの電極を挟持する
    上部シールド膜及び下部シールド膜とを備える磁気抵抗
    効果型磁気ヘッドの製造方法において、前記２つの電極
    間を磁気抵抗効果素子を介さずに短絡する短絡回路を設
    け、該短絡回路により２つの電極間を磁気抵抗効果素子
    を介さずに短絡した状態で磁気抵抗効果素子形成乃至磁
    気ヘッドの組立を行うことを特徴とする磁気抵抗効果型
    磁気ヘッドの製造方法。
  5. 【請求項５】 磁気抵抗効果膜及びバイアス膜とからな
    る磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子の外部磁界
    変化による抵抗値の変化を検出するための２つの電極
    と、これら磁気抵抗効果素子及び２つの電極を挟持する
    上部シールド膜及び下部シールド膜とを備える磁気抵抗
    効果型磁気ヘッドの製造方法において、前記電極の一方
    が上部シールド膜と電気的に接続すると共に他方の電極
    が下部シールド膜と電気的に接続し、且つ上部シールド
    膜及び下部シールド膜とを磁気抵抗効果素子を介さずに
    電気的に短絡する短絡回路を設け、該短絡回路により２
    つの電極間を磁気抵抗効果素子を介さずに短絡した状態
    で磁気抵抗効果素子形成乃至磁気ヘッドの組立を行うこ
    とを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法。
  6. 【請求項６】 前記短絡回路の抵抗値を磁気抵抗効果素
    子の抵抗値の１／１０以下とすることを特徴とする請求
    項４又は５記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方
    法。
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