CN1152766A - 磁阻效应型磁头及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

设有不通过上述磁阻效应元件而使与连接于外部的电极电气连接的上部屏蔽膜与下部屏蔽膜短路的短路电路，使在元件形成等过程中产生的静电流过短路电路，从而能防止MR元件的破坏及磁阻效应元件与两屏蔽膜之间的绝缘破坏。在从基板切出浮动块后由于设有通过电阻将上部和下部屏蔽膜短路的短路电路，以能防止在基板切割后的组装工序及输送等工序中产生的静电造成的磁阻效应元件的静电破坏及磁阻效应元件与两屏蔽膜之间的绝缘破坏。

Description

磁阻效应型磁头及其制造方法
本发明涉及磁盘装置中所采用的磁阻效应型磁头及其制造方法，尤其是有关能防止磁阻效应元件的静电破坏的磁阻效应型磁头及其制造方法。
采用磁阻效应元件的磁阻效应型磁头(以下，称MR磁头)，通常是利用磁阻效应型膜的电阻随磁记录媒体的磁场变化的特性，所以再生输出与磁记录媒体和磁头之间的相对速度无关，具有再生灵敏度高的特性。因此，MR磁头对磁盘装置和磁带装置的高密度化及小型化是非常有利的，将该再生专用的MR磁头与记录用感应式薄膜磁头组成的记录再生分离型磁头的开发研究正大力进行。
参照从面对媒体的一侧观察的图12和示出记录再生分离型磁头的斜视图的图13，说明该现有技术的记录再生分离型磁头。图中示出的现有技术的记录再生分离型磁头是采用将再生用MR磁头及记录用感应式薄膜磁头层叠放在铝等绝缘层上的结构。如图12和图13所示，该再生用MR磁头包括：上部屏蔽膜6及下部屏蔽膜5、配置在该屏蔽膜5、6之间的磁阻效应膜(以下简称MR膜)及偏磁膜构成的MR元件111；在该MR元件111的两端形成的电极3、3′；以及下部间隔膜13和上部间隔膜14。构成该MR磁头的各层膜非常薄，例如MR膜为数十nm、下部间隔膜13和上部间隔膜14各为100～300nm左右，这些膜的膜厚随着记录高密度化还有进一步变薄的倾向。而记录用感应式薄膜磁头由在上部磁心12和上部屏蔽膜6之间卷绕的磁性线圈11及图中未示出的端子构成，这些膜的膜厚随着记录高密度化也有进一步变薄的倾向。此外，图中，4是基板，16表示安放上述各磁头的铝等绝缘层。
上述记录再生分离型磁头，如图6A所示，对在圆盘形基板4上同时形成的多个磁头元件60(以下将在基板上形成阶段的磁头元件简称为磁头元件)按每个元件面积61进行切割和研磨，从而将其逐个分离、加工，制成借助于在磁盘上流过的粘性空气流而浮起的浮动块100(图6B)。
在层叠该再生用MR磁头或记录用感应式薄膜磁头的记录再生分离型磁头在制造上的最大课题是MR磁头有时会遭受静电的破坏。这是由于如上所述的构成MR磁头的各层膜非常薄的缘故。例如，在特开昭61-77114号公报中记述了有关MR磁头的静电破坏。在该公报中，将夹着电极的一对屏蔽层之间相互作等电位连接，由于在屏蔽层之间没有电位差，所以能防止放电，从而防止MR元件的破坏。该结构的目的是防止当MR磁头在磁盘等记录媒体上移动时产生的静电荷积存在MR元件及屏蔽膜上，从而防止该积累的电荷在MR元件和屏蔽之间放电而使MR元件与屏蔽间的绝缘遭受破坏，可以认为这对防止导致磁盘媒体运行中的误动作及媒体记录信息遭受破坏等在磁头使用时的静电破坏是有效的。
但是，上述现有技术的记录再生分离型磁头，没有考虑在磁头元件制作、磁头加工乃至组装时产生的静电破坏，以及在磁头制造加工时和其他工序中存在着导致MR元件的静电破坏的异常情况。以下，参照图7说明在制作该磁头元件时等的情况下发生的MR元件的静电破坏。
该图7是用于说明在图6所示基板4上形成MR元件时的清洗工序中使用水喷嘴时，使MR元件带电的示意图。该图示出，在基板4上设置绝缘层16及下部间隔膜13、在该下部间隔膜13上，通过采用光刻技术及离子刻蚀的干刻蚀法形成上部间隔膜14、在电极3、3′的端子部形成贯通孔、以及将光致抗蚀剂剥离后用水喷嘴清洗，除去杂质及污物的制作过程。在该制作过程中，从水喷嘴71喷出的高压水与形成MR元件的基板4作相对高速旋转，由于该基板4的表面与水之间的摩擦而产生电荷72，并使许多电荷72集聚在MR元件的表面上，电荷72通过电极3、3′蓄存在整个MR元件上。
在该制作过程后，当为了测定MR元件的静态特性等而将电极3或3′中的任何一个接地时，MR元件所积存的电荷72向外部放电，这时从电极3或3′中未接地的一侧就会有大电流通过MR膜流入大地，有可能导致因MR膜发热及破坏以及偏磁膜扩散而使电阻增大的异常情况。
另外，在这些工序中，在电极3、3′的端子部形成贯通孔后，还要经过将采用光刻技术的工序中的光致抗蚀剂剥离后用水喷嘴清洗除去杂质及污物的多道工序，因而存在着引起MR膜电阻增大、或MR膜熔断现象的危险性。在基板4切断等加工时，以及加工后也要采用同样的水喷嘴清洗方法，也存在着引起MR膜电阻增大或MR膜熔断现象的危险性。并且，MR元件在形成、加工或组装工序中输送或保管时，在MR元件和MR磁头积存了大气中的电荷而在电极3或3′中的任何一个极接地的情况下，上述大电流将流过MR膜，也有可能导致引起MR膜电阻增大或MR膜熔断现象的异常情况。
本发明的目的是消除上述现有技术中存在的异常情况，并提供一种即使在制造和输送中也能防止磁阻效应元件等遭受静电破坏的磁阻效应型磁头及其制造方法。
本发明的另一目的是提供一种能以高的合格率制造、同时能防止直到安装在磁盘装置等装置中为止时的静电破坏的磁阻效应型磁头及其制造方法。
为达到上述目的，本发明的第1特征在于：在备有由磁阻效应膜及偏磁膜构成的磁阻效应元件、根据该磁阻效应元件的外部磁场变化检测电阻值变化用的2个电极、及将这些磁阻效应元件及2个电极夹在中间的上部屏蔽膜及下部屏蔽膜的磁阻效应型磁头中，设有不通过上述磁阻效应元件而使2个电极间短路的短路电路。
另外，本发明的第2特征在于：在备有由磁阻效应膜及偏磁膜构成的磁阻效应元件、根据该磁阻效应元件的外部磁场变化检测电阻值变化用的2个电极、及将这些磁阻效应元件及2个电极夹在中间的上部屏蔽膜及下部屏蔽膜的磁阻效应型磁头中，上述电极中的一个与上部屏蔽膜作电气连接，而另一个电极与下部屏蔽膜作电气连接，且设有不通过上述磁阻效应元件而使上部屏蔽膜与下部屏蔽膜短路的短路电路。
另外，本发明的第3特征在于：在具有上述第1或第2特征的磁阻效应型磁头中，上述短路电路的电阻值应在磁阻效应元件电阻值的1/10以下。
另外，本发明的第4特征在于：在备有由磁阻效应膜及偏磁膜构成的磁阻效应元件、根据该磁阻效应元件的外部磁场变化检测电阻值变化用的2个电极、及将这些磁阻效应元件及2个电极夹在中间的上部屏蔽膜及下部屏蔽膜的磁阻效应型磁头的制造方法中，设有不通过磁阻效应元件而使上述2个电极间短路的短路电路，在利用该短路电路使2个电极间不通过磁阻效应元件而短路后的状态下，进行磁阻效应元件的形成乃至磁头的组装。
另外，本发明的第5特征在于：在备有由磁阻效应膜及偏磁膜构成的磁阻效应元件、根据该磁阻效应元件的外部磁场变化检测电阻值变化用的2个电极、及将这些磁阻效应元件及2个电极夹在中间的上部屏蔽膜及下部屏蔽膜的磁阻效应型磁头的制造方法中，除了上述电极中的一个与上部屏蔽膜电气连接以外，另一个电极与下部屏蔽膜电气连接，且设有不通过上述磁阻效应元件而使上部屏蔽膜与下部屏蔽膜短路的短路电路，在利用该短路电路使2个电极间不通过磁阻效应元件而短路后的状态下，进行磁阻效应元件的形成乃至磁头的组装。
另外，本发明的第6特征在于：在具有上述第4或第5特征的磁阻效应型磁头的制造方法中，上述短路电路的电阻值应在磁阻效应元件电阻值的1/10以下。
基于上述第1特征的磁阻效应型磁头，由于设有不通过磁阻效应元件而使上述2个电极间短路的短路电路，所以能防止由于在元件形成过程乃至组装工序及输送等工序中产生由静电造成的磁阻效应元件的静电破坏。
基于上述第2特征的磁阻效应型磁头，由于设有使各电极电气连接的上部屏蔽膜与下部屏蔽膜不通过磁阻效应元件而短路的短路电路，所以能防止在元件形成过程乃至组装工序及输送等工序中产生的静电造成的磁阻效应元件的破坏及磁阻效应元件与两屏蔽膜之间的绝缘破坏。
基于上述第3特征的磁阻效应型磁头，由于使基于第1及第2特征的短路电路的电阻值在磁阻效应元件电阻值的1/10以下，所以带电后的静电主要流过短路电路，因而能防止由静电造成的磁阻效应元件的破坏及磁阻效应元件与两屏蔽膜之间的绝缘破坏。
基于上述第4特征的磁阻效应型磁头的制造方法，由于不通过磁阻效应元件而使电极间短路的短路电路，并在利用该短路电路使电极间不通过磁阻效应元件而短路后的状态下进行磁阻效应元件的形成乃至磁头的组装，所以能防止在元件形成过程乃至组装工序及输送等工序中产生的静电造成的磁阻效应元件的静电破坏。
基于上述第5特征的磁阻效应型磁头的制造方法，由于设有其与各电极作电气连接的上部屏蔽膜与下部屏蔽膜不通过磁阻效应元件而短路的短路电路，所以能防止在元件形成过程乃至组装工序及输送等工序中产生的静电造成的磁阻效应元件的破坏及磁阻效应元件与两屏蔽膜之间的绝缘破坏。
基于上述第6特征的磁阻效应型磁头，由于使基于第4及第5特征的短路电路的电阻值在磁阻效应元件电阻值的1/10以下，所以带电后的静电主要流过短路电路，因而能防止由静电造成的磁阻效应元件的破坏及磁阻效应元件与两屏蔽膜之间的绝缘破坏。
图1是表示本发明的磁阻效应型磁头一实施例的斜视图。
图2是包含图1所示磁阻效应型磁头的记录再生分离型磁头的斜视图。
图3是表示本发明的磁阻效应型磁头的第2实施例的斜视图。
图4是包含图3所示磁阻效应型磁头的记录再生分离型磁头的斜视图。
图5A、图5B、图5C是本发明一实施例的记录再生分离型磁头的剖面图
图6A是在基板上形成的磁头元件的放大图。
图6B是表示浮动块的斜视图。
图7是导致静电破坏的电荷分布的说明图。
图8是加工中的记录再生分离型磁头的斜视图。
图9是加工中的记录再生分离型磁头的斜视图。
图10是磁头浮动块组装后的斜视图。
图11A是表示本发明的磁阻效应型磁头在基板切断前的等效电路的电路图。
图11B是表示本发明的磁阻效应型磁头在基板切断后的等效电路的电路图。
图12是表示现有技术的磁阻效应型磁头的等效电路的电路图。
图13是现有技术的记录再生分离型复合磁头的斜视图。
图14是本发明的记录再生分离型磁头的制造方法的说明图。
以下，参照附图详细说明本发明一实施例的磁阻效应型磁头及其制造方法。
首先参照图11A、图11B说明本发明的原理。<原理说明>
图11A示出磁阻效应型磁头元件(MR磁头元件)的制造工序中在基板切断前的等效电路，图11B示出基板切断后的等效电路。
本发明的磁阻效应型磁头的MR磁头元件及外围电路的等效电路，如图11A所示，将MR元件21的两端分别与上部屏蔽膜23与下部屏蔽膜22的一侧连接，而上部屏蔽膜23与下部屏蔽膜22的另一侧用短路线26连接在一起。上述MR元件21由MR膜及在MR膜上施加偏磁的偏磁膜构成，各膜的膜厚为数十nm，磁道宽度从几μm到数十μm，MR的高度为几μm，这一部分的电阻值为数十欧姆。而上部屏蔽膜23与下部屏蔽膜22用NiFe的坡莫合金构成，其厚度为几μm，形状大小大致呈正方形，所以各屏蔽膜的电阻值R2及R1在1欧姆以下。
本发明的MR磁头元件及外围电路，由于如上所述将上部屏蔽膜23与下部屏蔽膜22用短路线26连接，所以即使在MR端子27之间流过因静电引起的电流，但在MR磁头元件的一对电极及其附近积存的电荷作为电流12流过上部屏蔽膜23与下部屏蔽膜22间的短路线26，能使流过MR元件21(磁敏部)的电流I1变成非常小的电流，因此能够防止在基板切断前的工序中MR元件21的静电破坏。至于因屏蔽膜22或23与MR元件21之间产生的电位差而造成的绝缘破坏，由于MR元件21的各电极分别连接着两屏蔽膜22及23，所以使屏蔽与MR元件21之间产生的电位差变为零，因而能防止绝缘破坏。
图11B示出基板切断后的MR磁头元件及外围电路的等效电路。本电路从图11A的状态将上述短路电路26切断，将MR元件21的两端分别与上部屏蔽膜23与下部屏蔽膜22的一侧连接，并通过连接其他多个膜形成的电阻25及连接其他多个膜而形成的电阻24用短路部29连接。在本电路中，上部屏蔽膜23与下部屏蔽膜22使用同样材料且制成同样的膜厚，并使引出部分的宽度为数十μm、长度为数百μm，从而使引出部分的电阻值R4、R3为几欧姆。
本发明的MR磁头元件及其外围电路，如上所述，在基板切断时将短路线26切断，而且将基板上的上部屏蔽膜与下部屏蔽膜彼此连接的端部通过短路部29连接，所以即使在MR端子27之间流过因静电引起的电流，但在MR磁头元件的一对电极及其附近积存的电荷作为电流I3流过由上部屏蔽膜等形成的电阻25和由下部屏蔽膜等形成的电阻24，能使流过MR元件21(磁敏部)的电流I1变成非常小的电流。严格地讲，该电流I1仅只是通过由MR元件21(磁敏部)与引出部分的电阻比决定的值，而引出部分的电阻值又在磁敏部的电阻值的1/10以下，所以几乎可以将其忽略不计。至于因屏蔽膜与MR元件之间产生的电位差而造成的绝缘破坏，也与上述相同，可以防止绝缘破坏。
这样，本发明的磁阻效应型磁头，在其制造过程中在基板切断前可通过将上部和下部屏蔽膜短路，防止不必要的电荷大量流过MR元件21，而在基板切断后可通过将基板上的多个磁头元件的下部和上部屏蔽膜分别连接短路，防止不必要的电荷大量流过MR元件21。但是，上部屏蔽膜与下部屏蔽膜的连接部如在磁头制作完成后仍未拆掉，则再生输出检测用的电流经过MR元件分流就没有电流，所以必须要设在在加工中可以拆掉的位置上。并且，在将上部屏蔽膜与下部屏蔽膜的连接部切断后，具体地说，在浮动块加工并进一步安装悬置部等磁头组装工序中，元件的结构是将上部屏蔽膜与下部屏蔽膜露出一部分，必须一面将该部分连接并由两个屏蔽膜构成保护电路，一面进行加工及组装。以下，详细说明具体例。<防止MR元件形成时的静电破坏的例1>
参照附图详细说明基于上述原理的磁阻效应型磁头及其制造方法。
图1是本发明一实施例的磁阻效应型磁头(MR磁头)的放大斜视图，图5A至图5C是图1所示的MR磁头的剖面图。本例的MR磁头，如图1所示，在制造工序的基板切断前的基板上的电路中，通过设置将上部屏蔽膜6的一端折曲而与下部屏蔽膜5的一端连接后的连接部17，形成图11A所示的短路部(26)，即使在MR端子间流过因静电引起的电流，但由于在MR元件等和电极3、3′及其附近蓄存的电荷使电流流过上下屏蔽膜的连接部17，所以能使流过MR膜1和分路偏磁膜2的电流变成非常小的电流，因此能够防止在基板切断前的工序中MR元件的静电破坏。
该MR磁头构成如图5A所示的多层结构，并按如下的工序制造。(1)在基板4上用溅射成膜法形成铝等绝缘层16。(2)为减小该绝缘层16的粗糙度，对其进行研磨，并用上述水喷嘴进行清洗，将研磨后的杂质或污物除去。(3)在该清洗后的绝缘层16上形成下部屏蔽膜5。该下部屏蔽膜5用NiFe合金薄膜以溅射成膜法形成，通过采用光刻技术及离子刻蚀的干刻蚀法形成规定的形状，然后将光致抗蚀剂剥离，并用水喷嘴清洗，除去杂质及污物。该下部屏蔽膜5的膜厚为1μm。(4)接着，通过在下部屏蔽膜5上溅射形成铝等绝缘膜而形成下部间隔膜13。该下部间隔膜13的膜厚为200nm。(5)在下部间隔膜13上进一步形成作为MR元件磁敏部的MR膜1及用于在该MR膜1上施加偏磁的分路偏磁膜2。该MR膜1及分路偏磁膜2的形成这样进行，即，在通过连续溅射成膜后，通过采用光刻技术及离子刻蚀的干刻蚀形成初始MR高度为4μm的规定形状，然后，将光致抗蚀剂剥离，并用水喷嘴清洗，除去杂质及污物。该MR膜1用NiFe合金薄膜形成25nm的膜厚，分路偏磁膜用Nb薄膜形成30nm的膜厚。(6)在本实施形态的MR磁头的形成工序中，为了将随后要形成的电极与已形成的下部屏蔽膜5连接，在下部间隔膜13上通过采用光刻技术及离子刻蚀的干刻蚀法在规定位置上形成窗口7(参照图1)，然后将光致抗蚀剂剥离并用水喷嘴清洗，除去杂质及污物。(7)其次是在该MR元件的两端形成将用来取出MR元件的电阻变化作为电压变化的电极3、3′。该电极的形成这样进行，即，用溅射成膜法形成2层Au/Nb薄膜，并通过采用光刻技术及离子刻蚀的干刻蚀法形成使决定磁道宽度的电极3及3′的距离为8μm的规定形状，将光致抗蚀剂剥离后用水喷嘴清洗，除去杂质及污物。该电极3、3′的膜厚为2层Au/Nb薄膜，分别取100nm/5nm。(8)本工序是通过溅射铝等绝缘膜形成上部间隔膜14。该上部间隔膜14的形成这样进行，即，通过采用光刻技术及离子刻蚀的干刻蚀法形成用于将下道工序形成的上部屏蔽膜6和已形成的下部屏蔽膜5连接的窗口8(参照图1)及用于将上部屏蔽膜6与下部屏蔽膜5连接的连接部17(图1的短路部)(设在磁头加工时可除去的位置)，然后，将光致抗蚀剂剥离，并用水喷嘴清洗，除去杂质及污物。该上部间隔膜14的膜厚与下部间隔膜13的膜厚同为200nm。(9)本工序是最后用溅射成膜法形成上部屏蔽膜6。该膜的形成这样进行，即，通过采用光刻技术及离子刻蚀的干刻蚀法形成规定形状，然后，将光致抗蚀剂剥离，并用水喷嘴清洗，除去杂质及污物。该上部屏蔽膜6与下部屏蔽膜5相同，用NiFe合金薄膜形成的膜厚1μm。(10)本实施例的磁阻效应型磁头，通过以上的工序制作MR元件，如此制成的MR元件的各部电阻，MR前端的磁敏部约为11Ω，从电极3经过下部屏蔽膜5、连接部17、上部屏蔽膜6到电极3′的部分约为0.4Ω，约为磁敏部电阻值的1/27。
这样，实施例的磁阻效应型磁头，由于设有将上部及下部屏蔽膜的一端短路的连接部，所以能够防止在基板切断前的工序中MR元件的静电破坏。<防止感应式薄膜元件形成工序中的静电破坏的例1>(11)以下，说明在上述MR元件上形成感应式薄膜磁头的形成工序。在该MR元件上形成感应式薄膜磁头后构成的记录再生分离型磁头的简略结构，如图2的斜视图所示，是在上述上部屏蔽膜6上卷绕形成构成磁路并产生记录磁场的线圈11，并在其上配置记录用的上部磁心12，以下作详细说明。
在本工序中，在形成了上述磁阻效应型磁头的上部屏蔽膜6之后，形成图5A所示的用于产生磁路磁通的记录用间隔膜15。该记录用间隔膜15的制作方法是，用溅射成膜法形成铝等绝缘膜，并通过采用光刻技术及离子刻蚀的干刻蚀法形成MR磁头的端子形成用贯通孔，然后，将光致抗蚀剂剥离，并用水喷嘴清洗，除去杂质及污物。该记录用间隔膜15的膜厚为600nm。(12)接着，为了填平用于连接上部屏蔽膜6的窗口8的台阶高度差，涂布光致抗蚀剂后进行热处理，形成膜厚为3μm的绝缘层(图中未示出)。(13)然后，形成产生记录磁场的线圈11。其形成方法是，用溅射法成膜，通过采用光刻技术及离子刻蚀的干刻蚀法形成规定形状，然后将光致抗蚀剂剥离，并用水喷嘴清洗，除去杂质及污物。该线圈11是材质为Cr/Au/Cr的3层薄膜，总膜厚为1.2μm。(14)为使线圈11与上部磁心12绝缘，涂布光致抗蚀剂后进行热处理，形成膜厚为5μm的绝缘层(图中未示出)。(15)接着，形成记录用上部磁心12。其形成方法是，用溅射法成膜，通过采用光刻技术及离子刻蚀的干刻蚀法形成规定形状，然后，将光致抗蚀剂剥离，并用水喷嘴清洗，除去杂质及污物。该记录用上部磁心12与上部屏蔽膜6及上部屏蔽膜5一样，用NiFe合金薄膜形成1.6μm的膜厚。(16)以下，说明端子形成工序及保护膜形成工序。
首先，在由上述工序制作的磁阻效应型磁头的MR磁头端子部51(图5A)的位置上，层叠MR磁头用电极3及3′的端部、设在该电极3及3′的端部上的上部屏蔽膜6的端部6′、线圈11的端部11′、上部磁心12的端部12′，同样，在感应式薄膜磁头的感应式薄膜磁头端子部52的位置上，层叠上部屏蔽膜6的端部6′、线圈11的端部11′、上部磁心12的端部12′。
在该MR磁头端子部51中，在上述上部磁心12的端部12′上用电镀法设置下部端子19，同时在感应式薄膜磁头端子部52中也在上述上部磁心12的端部12′上用电镀法设置下部端子19。该下部端子19的材质是Cu，膜厚为50μm。然后，用溅射法形成膜厚为60μm的的铝膜作为保护膜18。通过该工序用铝保护膜18覆盖基板的整个表面，再用研磨法研磨铝保护膜18，在该研磨后，用水喷嘴清洗，除去杂质及污物，使下部端子19露出。然后，在露出的端子19上用Au材质通过电镀法按10μm的膜厚形成MR磁头用的上部端子30及感应式薄膜磁头用的上部端子31。采用以上工序可以制造记录再生分离型磁头元件。
在上述制造工序中，在膜及元件的形成过程中反复用水喷嘴进行清洗，但本实施例的记录再生分离型磁头是在通过前端部使上部屏蔽膜6与下部屏蔽膜5电气联接的状态下进行元件的形成，所以即使在因清洗产生的静电造成过度带电的情况时，也不会有过大的电流流过MR元件，所以能防止静电引起的MR元件的破坏及MR元件与两屏蔽膜间的绝缘破坏。<防止MR元件形成时的静电破坏的例2>
在上述实施例中，说明了通过将上部屏蔽膜6和下部屏蔽膜5的前端(磁头间隙侧)连接而防止MR元件的静电破坏的例，但本发明并不限于此，现参照图3及图4等说明该另一实施例。
图3和图4示出采用与上述实施例相同的工序形成MR磁头元件及记录再生分离型磁头元件的工序进行过程。该磁头在形成下部屏蔽膜5时，在从浮动块加工到完成组装而进行浮起面的研磨期间，同时形成用于构成保护电路的连接部10(使引出宽度为引出长度的1/5以上)，同样，在形成上部屏蔽膜6时，在从浮动块加工到完成组装而进行浮起面的研磨期间，同时形成用于构成保护电路的连接部9(使引出宽度为引出长度的1/5以上)，并将这两个连接部9和10短路。
另外，在图5B、图5C所示的端子形成工序中，在上部屏蔽连接部9的端部9′和下部屏蔽连接部10的端部10′上层叠感应式薄膜磁头的线圈11的端部11′及记录用上部磁心12的端部12′，然后用电镀法在上部屏蔽连接部9和下部屏蔽连接部10上形成下部端子19，并与第1实施例同样地形成铝保护膜18，在研磨后使下部端子19露出。在这之后，进行浮起面的研磨，并用与MR磁头用的上部端子30及感应式薄膜磁头用的上部端子31同样的材质及膜厚采用电镀法形成从浮动块加工到完成组装期间用于连接两个屏蔽膜的上部凸台32及33。
在本实施例的磁阻效应型磁头中，也是在将上部及下部屏蔽膜短路的状态下进行水喷嘴清洗，所以即使在因清洗产生的静电造成过度带电的情况时，也不会有过大的电流流过MR元件，所以能防止静电引起的MR元件的破坏及MR元件与两屏蔽膜间的绝缘破坏。<防止基板加工时的静电破坏的例>
以下，说明上述实施例中用于形成MR磁头元件及记录再生分离型磁头元件的基板在其加工及组装工序中静电破坏的防止。
图8和图9是用于说明本实施例的基板加工工序的斜视图，示出了将图6A所示状态的形成有多个记录再生分离型磁头元件的基板4用机械加工方法切断而形成浮动块的过程。
图8示出的状态是将基板4按规定的块尺寸切断、并用水喷嘴清洗除去杂质及污物后，固定在加工用夹具36上的情况。
在该状态下，本实施例的磁头元件设有将图5B所示的上部屏蔽粘接部53的上部凸台32和下部屏蔽粘接部54的上部凸台33短路的导电性树脂34。该导电性树脂34可考虑用铜膏或银膏等，当因研磨浮起面37而将图1和图2所示的下部屏蔽膜5和上部屏蔽膜6的连接部17切除、将在形成磁头元件时使用的保护电路切断时，该导电性树脂34可将两个上下屏蔽连接起来，从而能防止所带的静电流过MR元件。即，在本实施例中，利用导电性树脂34构成加工机组装用的保护电路更替了上述磁头元件形成时的保护电路。
如图9所示，在加工用夹具36上，设有在夹具36一侧短路的引线35，通过将该引线35与上部凸台32及33连接，与图8所示实施例同样可将上下两个屏蔽膜连接，从而能防止所带的静电流过MR元件。另外，将上部凸台32及33在浮起面37的侧面或背面上形成，且用导电性材料制作加工用夹具36，使上部凸台32及33与加工用夹具36接触，则不使用在夹具36一侧短路的引线35，也能有效地将上下两屏蔽膜短路，从而防止静电破坏。
这样，在本实施例中，在从基板切出形成浮动块时构成加工/组装用保护电路，并通过研磨浮起面(浮动面)将MR元件加工到规定的MR膜高度。在将该MR膜高度研磨到2μm后，进行浮起用导轨的加工及流入端的加工，并从夹具36上取下，形成图6B所示的浮动块，从而完成磁头的制作。
经以上工序形成的浮动块状态的MR前端磁敏部的电阻约为22Ω，在将用于连接两屏蔽膜的上部凸台32及33短路时，从电极3经过下部屏蔽连接部10及上部屏蔽连接部9直到电极3′的电阻约为2Ω，可仅为磁敏部电阻值的大约1/11。
另外，本实施例的磁头，在向组装工序输送乃至保管中也是通过导电性树脂34使上述上部凸台32及33保持短路状态，所以也能防止因在输送中的摩擦而产生的静电对MR元件的破坏及MR元件与两屏蔽膜间的绝缘破坏。<防止组装工序中的静电破坏的例>
本实施例的磁阻效应型磁头，在将浮动块组装到包含一个万向架的负载臂(悬簧)的工序中也能防止MR元件等的静电破坏，参照图10说明该组装工序。
本实施例的磁阻效应型磁头，如图10所示，在将磁头浮动快100组装到由弹性体构成的负载臂101的工序中，在通过导电性树脂34使磁头浮动快100的用于将上下部屏蔽膜短路的上部凸台32及33短路的状态下(参照图8)，用锡焊或超声波焊接将再生信号取出用引线40及记录信号供给用引线41连接在MR磁头用的上部端子30及感应式薄膜磁头用的上部端子31(参照图5A)上，在该状态下用树脂粘结磁头浮动块100，进行组装作业。
因此，在组装中的磁阻效应型磁头，在组装到负载臂的过程中，由于是在通过导电性树脂34使用于将上下部屏蔽膜短路的上部凸台32及33短路的状态下进行作业，所以也能防止因在输送中的摩擦而产生的静电对MR元件的破坏及MR元件与两屏蔽膜间的绝缘破坏。
另外，在向将磁头组装到磁盘装置内的工序输送及磁头保管过程中，也是在通过导电性树脂34使上述的用于将上下部屏蔽膜短路的上部凸台32及33短路的状态下进行的，所以也能防止因在输送中的摩擦而产生的静电对MR元件的破坏及MR元件与两屏蔽膜间的绝缘破坏。此外，在将磁头组装到装置中之前应将导电性树脂34去掉。
这样，本实施例的磁阻效应型磁头，在MR元件形成工序、感应式薄膜元件形成工序、加工工序、组装工序中，通过将上部和下部屏蔽膜保持短路状态，均能防止因水喷射或在输送中的摩擦而产生的静电对MR元件的破坏及MR元件与两屏蔽膜间的绝缘破坏。以下，参照图14说明在上述各工序中的总体构成。
首先，作为本实施例对象的记录再生分离型磁头的制造过程，如图14所示，大致可划分为从上部屏蔽膜形成到下部屏蔽膜形成的MR元件形成工序141、从在该MR元件上形成记录间隔膜到线圈电阻检查的感应式薄膜元件形成工序142、从安装这些元件的基板以浮动块为单位切出到MR电阻检查的加工工序143、以及从对加工出的浮动块进行引线配线到安装在悬置部(负载臂)上的组装工序144。
本实施例的磁阻效应型磁头的制造方法，在上述MR元件形成工序141中，在形成将上部和下部屏蔽膜短路的短路电路(作业145)后进行元件的形成；在感应式薄膜元件形成工序142中，也是在形成上述短路电路(作业145)的状态下进行元件的形成；在加工工序143中，在进行基板切断、间隔深度加工、浮动块加工之前将连接上部及下部屏蔽膜的(加工用)保护电路(导电性树脂34或引线35等构成的短路电路)接通(作业147)，在MR元件及感应式薄膜元件的线圈电阻值检查时将保护电路断开(作业148)；在组装工序144中，引线配线及悬置部粘接工序之前将连接上部及下部屏蔽膜的(组装用)保护电路接通(作业149)，在组装到磁盘装置之前将上述保护电路(短路电路)拆掉，然后进行读/写特性检查(作业150)。
这样，本实施例的磁阻效应型磁头的制造方法，在各工序中，设有磁阻效应型磁头的上部屏蔽膜和下部屏蔽膜的短路电路，使所带的静电通过该短路电路流动，由于是在这种状态下进行磁阻效应型磁头的制造，所以能防止静电对MR元件的破坏及MR元件与两屏蔽膜间的绝缘破坏。
另外，在上述实施例中，说明了使用分路膜作为磁阻效应型磁头的偏磁膜的例子，但并不限于此，例如作为偏磁膜，也可以采用永久磁铁膜、软磁性薄膜、反强磁性薄膜、将这些膜层叠构成的膜作为偏磁膜以代替分路膜。此外，在上述实施例中，说明了用图2等示出的磁头前端的连接部17或图5B、图5C示出的端子侧的粘接部53及54构成将上部屏蔽膜和下部屏蔽膜短路的短路电路的例子，但本发明不受此限制。
另外，本发明的磁阻效应型磁头也可按如下所示方式构成。<例1>
在基板上形成上部屏蔽、下部屏蔽、具有磁阻效应的磁性薄膜、在该磁性薄膜上施加偏磁场的偏磁膜、用于将该磁性薄膜的磁阻效应向外部输出的电极，电极的一侧与上部屏蔽连接，电极的另一侧与下部屏蔽连接，上部屏蔽和下部屏蔽的一部分露出，使上部屏蔽膜和下部屏蔽膜能够连接。<例2>
在上述例1的磁阻效应型磁头中，连接于电极的上部屏蔽和下部屏蔽的电阻值在由该磁性薄膜与在该磁性薄膜上施加偏磁场的偏磁膜构成的电阻值的1/10以下。
另外，本发明可以按下述方法制造。<例3>
作为记录再生分离型磁头元件的制造方法，是在制作例1、2的磁阻效应型磁头元件的基板上层叠记录用感应式薄膜磁头元件的结构中，在将上部屏蔽和下部屏蔽连接的状态下，形成记录用感应式薄膜磁头元件。<例4>
作为磁阻效应型磁头及记录再生分离型磁头的制造方法，当进行磁阻效应型磁头元件及记录再生分离型磁头元件的加工作业、组装作业时，或在各工序间进行保管时，应使上部屏蔽和下部屏蔽的露出部分保持连接的状态。
如上所述，本发明的磁阻效应型磁头设有不通过上述磁阻效应元件而使2个电极间短路的短路电路，所以能防止在元件形成过程乃至组装工序及输送等工序中产生的静电造成的磁阻效应元件的静电破坏。
另外，本发明的磁头设有不通过上述磁阻效应元件而使上部屏蔽膜与下部屏蔽膜短路的短路电路，所以能防止在元件形成过程乃至组装工序及输送等工序中产生的静电造成的磁阻效应元件的破坏及磁阻效应元件与两屏蔽膜之间的绝缘破坏，又由于上述短路电路的电阻值在磁阻效应元件电阻值的1/10以下，所以带电后的静电主要流过短路电路，因而能充分地防止由静电造成的磁阻效应元件的破坏及磁阻效应元件与两屏蔽膜之间的绝缘破坏。
另外，本磁阻效应型磁头的制造方法，设有不通过磁阻效应元件而使电极间短路的短路电路，并在利用该短路电路使电极间不通过磁阻效应元件而短路后的状态下进行磁阻效应元件的形成乃至磁头的组装，所以能防止在元件形成过程乃至组装工序及输送等工序中产生的静电造成的磁阻效应元件的静电破坏。
另外，本磁头的制造方法，设有不通过上述磁阻效应元件而使与各个电极电气连接的上部屏蔽膜与下部屏蔽膜短路的短路电路，并在利用该短路电路使电极间不通过磁阻效应元件而短路后的状态下进行磁阻效应元件的形成乃至磁头的组装，所以能防止在元件形成过程乃至组装工序及输送等工序中产生的静电造成的磁阻效应元件的静电破坏。
另外，本磁头的制造方法，由于设有不通过上述磁阻效应元件而使与各个电极电气连接的上部屏蔽膜与下部屏蔽膜短路的短路电路，所以能防止在元件形成过程乃至组装工序及输送等工序中产生的静电造成的磁阻效应元件的静电破坏及磁阻效应元件与两屏蔽膜之间的绝缘破坏，又由于上述短路电路的电阻值在磁阻效应元件电阻值的1/10以下，所以带电后的静电主要流过短路电路，因而能充分地防止由静电造成的磁阻效应元件的破坏及磁阻效应元件与两屏蔽膜之间的绝缘破坏。
因此，通过采用本发明的磁阻效应型磁头的结构及制造方法，能够将MR磁头加工/组装工序中的静电破坏抑制到百分之零，并能制造高合格率的MR头及记录再生分离型磁头。

Claims (6)

1.一种磁阻效应型磁头，它备有由磁阻效应膜及偏磁膜构成的磁阻效应元件、根据该磁阻效应元件的外部磁场变化检测电阻值变化用的2个电极、及将这些磁阻效应元件和2个电极夹在中间的上部屏蔽膜及下部屏蔽膜，该磁阻效应型磁头的特征在于：设有不通过上述磁阻效应元件而使2个电极间短路的短路电路。
2.一种磁阻效应型磁头，它备有由磁阻效应膜及偏磁膜构成的磁阻效应元件、根据该磁阻效应元件的外部磁场变化检测电阻值变化用的2个电极、及将这些磁阻效应元件及2个电极夹在中间的上部屏蔽膜及下部屏蔽膜，该磁阻效应型磁头的特征在于：上述电极中的一个与上部屏蔽膜电气连接，而另一个电极与下部屏蔽膜电气连接，而且设有不通过上述磁阻效应元件而使上部屏蔽膜与下部屏蔽膜短路的短路电路。
3.根据权利要求1或2所述的磁阻效应型磁头，其特征在于：上述短路电路的电阻值应在磁阻效应元件电阻值的1/10以下。
4.一种磁阻效应型磁头的制造方法，它备有由磁阻效应膜及偏磁膜构成的磁阻效应元件、根据该磁阻效应元件的外部磁场变化检测电阻值变化用的2个电极、及将这些磁阻效应元件及2个电极夹在中间的上部屏蔽膜及下部屏蔽膜，该制造方法的特征在于：设有不通过磁阻效应元件而使上述2个电极间短路的短路电路，并在利用该短路电路使2个电极间不通过磁阻效应元件而短路后的状态下进行磁阻效应元件的形成乃至磁头的组装。
5.一种磁阻效应型磁头的制造方法，它备有由磁阻效应膜及偏磁膜构成的磁阻效应元件、根据该磁阻效应元件的外部磁场变化检测电阻值变化用的2个电极、及将这些磁阻效应元件及2个电极夹在中间的上部屏蔽膜及下部屏蔽膜，该制造方法的特征在于：上述电极中的一个与上部屏蔽膜电气连接，而另一个电极与下部屏蔽膜电气连接，且设有不通过上述磁阻效应元件而使上部屏蔽膜与下部屏蔽膜短路的短路电路，并在利用该短路电路使2个电极间不通过磁阻效应元件而短路后的状态下进行磁阻效应元件的形成乃至磁头的组装。
6.根据权利要求4或5所述的磁阻效应型磁头的制造方法，其特征在于：上述短路电路的电阻值应在磁阻效应元件电阻值的1/10以下。
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