JPS6177114A - 磁気抵抗効果型磁気ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘツドInfo
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- JPS6177114A JPS6177114A JP19893584A JP19893584A JPS6177114A JP S6177114 A JPS6177114 A JP S6177114A JP 19893584 A JP19893584 A JP 19893584A JP 19893584 A JP19893584 A JP 19893584A JP S6177114 A JPS6177114 A JP S6177114A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/40—Protective measures on heads, e.g. against excessive temperature
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気記録装置用磁気ヘッドに係り、特に磁気テ
ープ装置用の磁気抵抗効果型磁気へ・７ド（以下ＭＲヘ
ヘッと称する）に関する。
ープ装置用の磁気抵抗効果型磁気へ・７ド（以下ＭＲヘ
ヘッと称する）に関する。
磁気テープ装置等に於ける磁気記録媒体に蓄積された記
録情報を再生する専用の磁気ヘッドとして、互いに逆極
性の信号波形を出力する２つのＭＲ素子を用いた、磁束
応答型のＭＲヘヘッが提案されている。
録情報を再生する専用の磁気ヘッドとして、互いに逆極
性の信号波形を出力する２つのＭＲ素子を用いた、磁束
応答型のＭＲヘヘッが提案されている。
第８図はこのようなＭＲヘヘッの断面図で、第９図はＭ
Ｒヘヘッの斜視図である。図の１はＮｉＺｎフェライト
、またはＭｎＺｎフェライト等の高透磁率材料より形成
された磁性基板で、３、および４はＮｉＦｅパーマロイ
よりなるＭＲ素子で、２は二酸化シリコン（Ｓｉ０２）
等よりなる非磁性絶縁層、５はＮｉＦｅパーマロイより
なる上部シールド層、６は後述するカバープレートを接
着するための接着剤、７は形成されるＭＲヘヘッを保護
するための石英よりなるカバープレート、８は磁気テー
プ媒体である。
Ｒヘヘッの斜視図である。図の１はＮｉＺｎフェライト
、またはＭｎＺｎフェライト等の高透磁率材料より形成
された磁性基板で、３、および４はＮｉＦｅパーマロイ
よりなるＭＲ素子で、２は二酸化シリコン（Ｓｉ０２）
等よりなる非磁性絶縁層、５はＮｉＦｅパーマロイより
なる上部シールド層、６は後述するカバープレートを接
着するための接着剤、７は形成されるＭＲヘヘッを保護
するための石英よりなるカバープレート、８は磁気テー
プ媒体である。
前記磁性基板ｌは下部シールド層を兼ねており、ＭＲ素
子３および４を前記下部シールド層１および上部シール
ド層５で挟む構成とすることにより、磁気テープ８より
漏洩した不要な磁束を前記下部シールド石ｌ、および上
部シールド層５に導き、ＭＲヘヘッの記録密度特性を向
上させることができる。このｌ素子３および４には、そ
れぞれ同一方向の電流が供給され、これらの電流によっ
て発生する磁界によりＭＲ素子３および４には、互いに
逆方向のバイアス磁界が印加される。
子３および４を前記下部シールド層１および上部シール
ド層５で挟む構成とすることにより、磁気テープ８より
漏洩した不要な磁束を前記下部シールド石ｌ、および上
部シールド層５に導き、ＭＲヘヘッの記録密度特性を向
上させることができる。このｌ素子３および４には、そ
れぞれ同一方向の電流が供給され、これらの電流によっ
て発生する磁界によりＭＲ素子３および４には、互いに
逆方向のバイアス磁界が印加される。
更に磁気テープ等の記録媒体８からのＭＲ素子３．４へ
の入射磁束に依ってＭＲ素子３．４の抵抗値が変動する
ので、このＭＲ素子３．４の抵抗の変化を電圧の変化に
変換して差動的に磁気テープ８に蓄積されている情報の
検出を行う構成となっている。
の入射磁束に依ってＭＲ素子３．４の抵抗値が変動する
ので、このＭＲ素子３．４の抵抗の変化を電圧の変化に
変換して差動的に磁気テープ８に蓄積されている情報の
検出を行う構成となっている。
然し、このようなＭＲヘヘッに於いては、ＭＲヘットと
磁気テープとの慴動により、磁気テープ面に静電荷が蓄
積し、この蓄積された電荷の放電により、磁気テープの
走行に誤動作を発生したり、磁気テープ上に記録された
情報が破壊されるといった問題点があった。
磁気テープとの慴動により、磁気テープ面に静電荷が蓄
積し、この蓄積された電荷の放電により、磁気テープの
走行に誤動作を発生したり、磁気テープ上に記録された
情報が破壊されるといった問題点があった。
また従来のＭＲヘヘッの構造では、上部シールド層５は
５ｉ０２膜２および、接着剤６等の絶縁性材料に囲まれ
ているため、上部シールド層５、および下部シールド層
ｌを電極とした一種のコンデンサが形成され、磁気テー
プ８のみでなく、ＭＲヘヘッ自体にも電荷が蓄積される
。従ってＭＲヘヘッに蓄積された電荷が外部に放電する
場合には、ＭＲ素子が損傷を受け、ＭＲヘヘッの信頼性
を損なう問題点を生じる。ここで第８図、および第９図
では図を簡単にするため、ＭＲ素子３．４の如く各１個
だけしか表していないが、これ等のｌ素子はｌ素子３、
およびＭＲ素子４に連なって、基板と上部シールド層の
間に多数配設されているものとする。
５ｉ０２膜２および、接着剤６等の絶縁性材料に囲まれ
ているため、上部シールド層５、および下部シールド層
ｌを電極とした一種のコンデンサが形成され、磁気テー
プ８のみでなく、ＭＲヘヘッ自体にも電荷が蓄積される
。従ってＭＲヘヘッに蓄積された電荷が外部に放電する
場合には、ＭＲ素子が損傷を受け、ＭＲヘヘッの信頼性
を損なう問題点を生じる。ここで第８図、および第９図
では図を簡単にするため、ＭＲ素子３．４の如く各１個
だけしか表していないが、これ等のｌ素子はｌ素子３、
およびＭＲ素子４に連なって、基板と上部シールド層の
間に多数配設されているものとする。
上記した問題点は、高透磁率磁性材料より成る一対のシ
ール部材の間に絶縁膜を介して磁気抵抗効果型素子を挟
んで成る磁気抵抗効果型磁気ヘッドに於いて、前記一対
のシールド部材間を互いに等電位となるように接続した
本発明の磁気抵抗効果型磁気へノドによって解決される
。
ール部材の間に絶縁膜を介して磁気抵抗効果型素子を挟
んで成る磁気抵抗効果型磁気ヘッドに於いて、前記一対
のシールド部材間を互いに等電位となるように接続した
本発明の磁気抵抗効果型磁気へノドによって解決される
。
即ち、本発明のＭＲヘヘッは、磁気抵抗効果素子を両側
から挟むシールド部材を共にアース電位として動作中内
部への電荷の蓄積を防ぐようにしたものである。
から挟むシールド部材を共にアース電位として動作中内
部への電荷の蓄積を防ぐようにしたものである。
以下、図面を用いながら本発明の一実施例につき詳細に
説明する。
説明する。
第１図、および第８図を用いて本発明のＭＲヘヘッにつ
いて説明する。第１図は第８図を矢印Ａ方向より見た平
面図である。
いて説明する。第１図は第８図を矢印Ａ方向より見た平
面図である。
第１図、および第８図に示すようにＭｎＺｎフェライト
等の導電性の高透磁率基板１上には、二酸化シリコン（
ＳｉＯｚ）膜よりなる絶縁膜２を介して第１のＭＲ素子
群論、３Ｂ・・・・・と、その上に絶縁膜２を介して第
２のＭＲ素子群４Ａ、４Ｂ・・・・・が端子部分を除い
てそれぞれ互いに同一形状で、それぞれ重なるようにし
て形成されている。
等の導電性の高透磁率基板１上には、二酸化シリコン（
ＳｉＯｚ）膜よりなる絶縁膜２を介して第１のＭＲ素子
群論、３Ｂ・・・・・と、その上に絶縁膜２を介して第
２のＭＲ素子群４Ａ、４Ｂ・・・・・が端子部分を除い
てそれぞれ互いに同一形状で、それぞれ重なるようにし
て形成されている。
なお、この場合基板１として導電性の小さい磁性材料を
用いる場合は、その表面に導電膜を形成してからＭＲ素
子を積層するようにしても良い。
用いる場合は、その表面に導電膜を形成してからＭＲ素
子を積層するようにしても良い。
更にこれ等のＭＲ素子群３Ａ、３Ｂ・・・・・の一方の
端子より導出される導体層１１Ａ、ＩＩＢ・・・・・と
〜ＭＲ素子群４Ａ、４Ｂ・・・・・の一方の端子より導
出される導体層１３Ａ。
端子より導出される導体層１１Ａ、ＩＩＢ・・・・・と
〜ＭＲ素子群４Ａ、４Ｂ・・・・・の一方の端子より導
出される導体層１３Ａ。
１３Ｂ・・・・・とが形成されている。
またＭｌ？素子群３Ａ、３１３・・・・・の他方の端子
、およびＭｌ？素子群４Ａ、４Ｂ・・−・・の他方の端
子から導出され、かつ上部シールド層５と電気的に導通
が採られる導体層１２が形成されている。これ等導体層
１１Ａ、ＩＩＢ・・−・・、および導体層１３４．１３
Ｂ・・・・・は定電流電源１６に接続され、導体層１２
はすべてのＭＲ素子群の共通端子導体となっている。
、およびＭｌ？素子群４Ａ、４Ｂ・・−・・の他方の端
子から導出され、かつ上部シールド層５と電気的に導通
が採られる導体層１２が形成されている。これ等導体層
１１Ａ、ＩＩＢ・・−・・、および導体層１３４．１３
Ｂ・・・・・は定電流電源１６に接続され、導体層１２
はすべてのＭＲ素子群の共通端子導体となっている。
このような構成のＭＲヘヘッに於いて、上部シールド層
５と、下部シールド層となる基板１とを共にアース電位
となるように等電位に保つ。すると 。
５と、下部シールド層となる基板１とを共にアース電位
となるように等電位に保つ。すると 。
従来は上部シールド層と下部シールド層が対向電極の働
きをして、あたかもＭＲヘヘッがコンデンサのような働
きとなるのが防がれ、この上部シールド層５と下部シー
ルド層１とよりＭＲへノド内に蓄積される電荷が逃げる
ので、電荷力＜ＭＲヘヘッ内に蓄積されるのが防止でき
、高信頼度のｌ’ｌＲヘッドが得られる。
きをして、あたかもＭＲヘヘッがコンデンサのような働
きとなるのが防がれ、この上部シールド層５と下部シー
ルド層１とよりＭＲへノド内に蓄積される電荷が逃げる
ので、電荷力＜ＭＲヘヘッ内に蓄積されるのが防止でき
、高信頼度のｌ’ｌＲヘッドが得られる。
このようなＭＲヘヘッの製造方法につき第１図をＢ−Ｂ
’線に沿って切断した断面構造で示した第２図（ａｌ
乃至第７図（ａｌの工程図、及びこの各工程図に対応し
た第２図（ｂ）乃至第７図（ｂｌに示す平面図を用いて
説明する。
’線に沿って切断した断面構造で示した第２図（ａｌ
乃至第７図（ａｌの工程図、及びこの各工程図に対応し
た第２図（ｂ）乃至第７図（ｂｌに示す平面図を用いて
説明する。
タ法によりＳｉＯ２膜２Ａを形成し、その上に第１の、
ＨＲ素子群３Ａ、３ｊ・・・・・を形成するためのＮｉ
Ｆｅパーマロイ膜３を蒸着により形成する。更にその上
にスパッタ法によりＳ’ｊ’０２膜２Ｂを形成した後、
第２のＭＲ素子群４Ａ、４Ｂ・・・・・を形成する、た
めのＮｉＦｅパーマ２のＭＲ素子群４＾、４Ｂ・・・・
・に形成するため端子部分のみケスカルエツチングして
所定形状とする。
ＨＲ素子群３Ａ、３ｊ・・・・・を形成するためのＮｉ
Ｆｅパーマロイ膜３を蒸着により形成する。更にその上
にスパッタ法によりＳ’ｊ’０２膜２Ｂを形成した後、
第２のＭＲ素子群４Ａ、４Ｂ・・・・・を形成する、た
めのＮｉＦｅパーマ２のＭＲ素子群４＾、４Ｂ・・・・
・に形成するため端子部分のみケスカルエツチングして
所定形状とする。
次いでイオンミリング法により、ＮｉＦｅパーマロイ膜
４、’５ｉ０２膜２Ｂ、 ＮｉＦｅパーマロイ膜３′を
同時にエツチングして第３図（ａ）、第３図（ｂ）に示
すように第１のＭＲ素子群３Ａ、３Ｂ・・・・・、及び
第２のＭＲ素子ここで第１の゛ＭＲ素子群３Ａ、３Ｂ・
・・・・は、第２のＭＲ素子群４．＾＋４１１−７・・
に比して引出し端子のみ少し長い形状となっており、そ
の他の形状は同じである。
４、’５ｉ０２膜２Ｂ、 ＮｉＦｅパーマロイ膜３′を
同時にエツチングして第３図（ａ）、第３図（ｂ）に示
すように第１のＭＲ素子群３Ａ、３Ｂ・・・・・、及び
第２のＭＲ素子ここで第１の゛ＭＲ素子群３Ａ、３Ｂ・
・・・・は、第２のＭＲ素子群４．＾＋４１１−７・・
に比して引出し端子のみ少し長い形状となっており、そ
の他の形状は同じである。
また第３図（ｂ）の点線Ｃは、第２図（ｂｌに示すＮｉ
Ｆｅパーマロイ膜４の端部りに相当する。
Ｆｅパーマロイ膜４の端部りに相当する。
更に第４図（ａ）、第４図（ｂ）に示すように基板上全
面に５ｉ０２１＊２Ｃをスパッタ法により形成する。
面に５ｉ０２１＊２Ｃをスパッタ法により形成する。
次いで第５図（ａ）、および第５図中）に示すように
゛上部シールド層５を形成するためのＮ１ｃｅパー・４
つイ゛膜を蒸着後、″所定の形状にケミカルエツチング
、 、により形成する。
゛上部シールド層５を形成するためのＮ１ｃｅパー・４
つイ゛膜を蒸着後、″所定の形状にケミカルエツチング
、 、により形成する。
更に第６図（ａ）、および第６図申）に示すよう社上部
シールド層５を保護するためのＳｉＯ□膜２Ｄ全２Ｄッ
タ法により形成した後、間素子群３Ａ、３Ｂ・・・・・
の上の５ｉ０２膜２Ｂ、 ２Ｃ，２Ｄと、ＭＲ素子群４
Ａ、４Ｂ・・・・・５ｉ０２膜２Ｄに、ＭＲ素子群と上
部シールド層九と接”続を採るための接続用孔１５をエ
ツチングにより開口する。
シールド層５を保護するためのＳｉＯ□膜２Ｄ全２Ｄッ
タ法により形成した後、間素子群３Ａ、３Ｂ・・・・・
の上の５ｉ０２膜２Ｂ、 ２Ｃ，２Ｄと、ＭＲ素子群４
Ａ、４Ｂ・・・・・５ｉ０２膜２Ｄに、ＭＲ素子群と上
部シールド層九と接”続を採るための接続用孔１５をエ
ツチングにより開口する。
更にアルミニウムよりなる端子導体層用膜を蒸着により
形成後、所定のパターンにエツチング形、成して、端子
接続用導体層１１Ａ、 ＩＩＢ・・・・・、１３Ａ、
１３Ｂ・・・・・、および１２を形成する。
形成後、所定のパターンにエツチング形、成して、端子
接続用導体層１１Ａ、 ＩＩＢ・・・・・、１３Ａ、
１３Ｂ・・・・・、および１２を形成する。
更に前記した第８図に示すように接着剤６を塗布後、カ
バープレート７を被着した後、基板を第７図（ａ）の点
線１７の位置まで研磨してＭＲヘヘッを完成させる。
、 また基板は、図示しないメタルフレーム上に搭載すれる
ことにより、該メタルフレームとの一気的導通が採られ
・該メタ″フレー”をアニ″Ａ：臀（立に設定して使用
すること←より、上部シールドと下部シールド層とは等
電位に保たれる。 １、〔発明の効果〕；１１、 以上、述べたように本発明のＭＲヘヘッによれ、ば、上
部シールド層と、下部シーシリ１ドフ層とな１．る基板
とが等電位に設定されているため←磁気テープとの慴動
により発生した′電荷が、ＭＲヘヘッ内に蓄積されるよ
うな現象が除去され、高信頼度（７ｑＭＲ，ヘッド□゛
が得られも効果を生じ□る。 □・、゛・積 図面
あ簡単なｉ − ・、゛第１″図は□本発明の？Ｒヘソ′ドの構成を示す
平面図、第２図（ａ）九室第７図（ａ）は□、本発明の
ＭＲヘヘッを形成す、るための工程を、前門第１図・を
、Ｂ −Ｂ・１“線ζ゛、−。
バープレート７を被着した後、基板を第７図（ａ）の点
線１７の位置まで研磨してＭＲヘヘッを完成させる。
、 また基板は、図示しないメタルフレーム上に搭載すれる
ことにより、該メタルフレームとの一気的導通が採られ
・該メタ″フレー”をアニ″Ａ：臀（立に設定して使用
すること←より、上部シールドと下部シールド層とは等
電位に保たれる。 １、〔発明の効果〕；１１、 以上、述べたように本発明のＭＲヘヘッによれ、ば、上
部シールド層と、下部シーシリ１ドフ層とな１．る基板
とが等電位に設定されているため←磁気テープとの慴動
により発生した′電荷が、ＭＲヘヘッ内に蓄積されるよ
うな現象が除去され、高信頼度（７ｑＭＲ，ヘッド□゛
が得られも効果を生じ□る。 □・、゛・積 図面
あ簡単なｉ − ・、゛第１″図は□本発明の？Ｒヘソ′ドの構成を示す
平面図、第２図（ａ）九室第７図（ａ）は□、本発明の
ＭＲヘヘッを形成す、るための工程を、前門第１図・を
、Ｂ −Ｂ・１“線ζ゛、−。
に対応した平面図、
第８図は一般的なｌ素子の断面図、
第９図は一般的なｌ素子の斜視図である。
図に於いて、−１は基板、２はＳｉＯ□膜、３．３Ａ。
３Ｂ・・・・・は第１のＭＲ素子群、４．４Ａ、４Ｂ・
・・・・は第２のＭＲ素子群、５は上部シール゛ド層、
、６．は接着剤、７はカバープレート、ＩＩＱ、 １１
β１・・・・・、１２．１３Ａ、１３Ｂ・・・・・は導
体層、１５は接続用孔、１６は定電流電源、１７は研磨
の位置の点線を示す。
・・・・は第２のＭＲ素子群、５は上部シール゛ド層、
、６．は接着剤、７はカバープレート、ＩＩＱ、 １１
β１・・・・・、１２．１３Ａ、１３Ｂ・・・・・は導
体層、１５は接続用孔、１６は定電流電源、１７は研磨
の位置の点線を示す。
第１丙
第２閃（Ｑ） 第２図ｂ
第 ３図（０ゝ 第３図（ｂ）１６＜、
ｙ４７ に 第 ７図（０１第７図（ｂｌ 第８図 手続補正書（旅 昭和６０年 ５月３７日 １、事件の表示 昭和５９年特許願第１９８９３５号 ２、発明の名称 磁気抵抗効果型磁気ヘッド ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 神奈川県用崎市中原区上小田中１０１５番地＜
５２２）名称 冨 士 通 株 式 会
社５、補正命令の日付 ロ酊ロ６０年 １月２９日 （発送日）（１） 本
願明細書第９頁第１７行〜第１０頁第１行の「第２図（
ａ）乃至第７図（ａ）は、・・・に対応した平面図、」
を「第２図乃至第７図の（ａ）は本発明のｌへラドを形
成するための工程を、前記第１図をＢ−Ｂ°線に沿って
切断した断面図で示した工程図、（ｂｌは上記工程を示
す断面図に対応した平面図、」に補正する。
ｙ４７ に 第 ７図（０１第７図（ｂｌ 第８図 手続補正書（旅 昭和６０年 ５月３７日 １、事件の表示 昭和５９年特許願第１９８９３５号 ２、発明の名称 磁気抵抗効果型磁気ヘッド ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 神奈川県用崎市中原区上小田中１０１５番地＜
５２２）名称 冨 士 通 株 式 会
社５、補正命令の日付 ロ酊ロ６０年 １月２９日 （発送日）（１） 本
願明細書第９頁第１７行〜第１０頁第１行の「第２図（
ａ）乃至第７図（ａ）は、・・・に対応した平面図、」
を「第２図乃至第７図の（ａ）は本発明のｌへラドを形
成するための工程を、前記第１図をＢ−Ｂ°線に沿って
切断した断面図で示した工程図、（ｂｌは上記工程を示
す断面図に対応した平面図、」に補正する。
以上
Claims (1)
- 高透磁率磁性材料より成る一対のシール部材の間に絶縁
膜を介して磁気抵抗効果型素子を挟んで成る磁気抵抗効
果型磁気ヘッドに於いて、前記一対のシールド部材間を
互いに等電位となるように接続したことを特徴とする磁
気抵抗効果型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19893584A JPS6177114A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19893584A JPS6177114A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6177114A true JPS6177114A (ja) | 1986-04-19 |
Family
ID=16399413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19893584A Pending JPS6177114A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6177114A (ja) |
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-
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- 1984-09-20 JP JP19893584A patent/JPS6177114A/ja active Pending
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