JPS6337811A - ヨ−クタイプ磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド - Google Patents
ヨ−クタイプ磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS6337811A JPS6337811A JP17915086A JP17915086A JPS6337811A JP S6337811 A JPS6337811 A JP S6337811A JP 17915086 A JP17915086 A JP 17915086A JP 17915086 A JP17915086 A JP 17915086A JP S6337811 A JPS6337811 A JP S6337811A
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- 230000000694 effects Effects 0.000 title claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的コ
（産業の利用分界）
この発明は、ヨークタイプ磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
ド（以下、ＹＭＲヘッドと記す）に関する。
ド（以下、ＹＭＲヘッドと記す）に関する。
（従来の技術）
近年、磁気記録再生装置においては、磁気テープ等に記
録された情報を再生する磁気ヘッドとしてＹＭＲヘッド
を用いることがある。このＹＭＲヘッドは、磁気抵抗効
果素子（以下、ＭＲ素子と記す）に磁束を導き、磁界の
変化を上記ＭＲ素子の抵抗値の変化として取出すもので
ある。
録された情報を再生する磁気ヘッドとしてＹＭＲヘッド
を用いることがある。このＹＭＲヘッドは、磁気抵抗効
果素子（以下、ＭＲ素子と記す）に磁束を導き、磁界の
変化を上記ＭＲ素子の抵抗値の変化として取出すもので
ある。
第３図および第４図はそれぞれ従来のＹＭＲ素子の構成
を示す斜視図および断面図である。図示の如く、従来の
ＹＭＲヘッドは、基板１１の上に下部磁気ヨーク１２．
バイアス電圧印加用導体１３、ＭＲ素子１４．上部磁気
ヨーク１５（１５ａ、１５ｂ）を絶縁層１６．１７を介
して順次積層したものである。ここで、上記上部磁気ヨ
ーク１５は、前部の上部磁気ヨーク１５ａと後部の上部
磁気ヨーク１５ｂに分けられている。また、ＭＲ素子１
４には、引出し用導体１８が設けられている。なお、上
記下部磁気ヨーク１２および上部磁気ヨーク１５ａ、１
５ｂは、：＼１−Ｆｅ等含素材とした磁性体によって構
成される。また、導体１３．１８はＣｕ、ＡＩ等によっ
て構成される。また、ＭＲ素子１４はＮ １−Ｆｅ。
を示す斜視図および断面図である。図示の如く、従来の
ＹＭＲヘッドは、基板１１の上に下部磁気ヨーク１２．
バイアス電圧印加用導体１３、ＭＲ素子１４．上部磁気
ヨーク１５（１５ａ、１５ｂ）を絶縁層１６．１７を介
して順次積層したものである。ここで、上記上部磁気ヨ
ーク１５は、前部の上部磁気ヨーク１５ａと後部の上部
磁気ヨーク１５ｂに分けられている。また、ＭＲ素子１
４には、引出し用導体１８が設けられている。なお、上
記下部磁気ヨーク１２および上部磁気ヨーク１５ａ、１
５ｂは、：＼１−Ｆｅ等含素材とした磁性体によって構
成される。また、導体１３．１８はＣｕ、ＡＩ等によっ
て構成される。また、ＭＲ素子１４はＮ １−Ｆｅ。
Ｃｏ−Ｎｉ等によって構成される。絶縁層１６゜１７は
３ｉＱ２．Ａｌ２Ｏ３等によって構成される。
３ｉＱ２．Ａｌ２Ｏ３等によって構成される。
このような構成において、ＹＭＲヘッドは、磁気テープ
等の記録媒体に記録された磁気情報を、上部磁気ヨーク
１５ａ−４ＭＲ素子１４→上部磁気ヨーク１５ｂ→下部
磁気］−り１２なる経路によりＭＲ累子１４に導き、こ
のＭＲ素子１４の抵抗値の変化として検出づる。この場
合、検出感度を王けるために、導体１３に所定の電流を
与え、ＭＲｇ子１４に適当なバイアス磁界を与えるよう
になっている。
等の記録媒体に記録された磁気情報を、上部磁気ヨーク
１５ａ−４ＭＲ素子１４→上部磁気ヨーク１５ｂ→下部
磁気］−り１２なる経路によりＭＲ累子１４に導き、こ
のＭＲ素子１４の抵抗値の変化として検出づる。この場
合、検出感度を王けるために、導体１３に所定の電流を
与え、ＭＲｇ子１４に適当なバイアス磁界を与えるよう
になっている。
さて、上述したＹＭＲヘッドの特性は、上部磁気ヨーク
１５ａとＭＲ素子］４との重なり幅ｄ１および上部磁気
ヨーク１５ｂとＭ Ｒ素子１７との重なり幅ｄ２、それ
に上部磁気ヨーク１５ａ。
１５ａとＭＲ素子］４との重なり幅ｄ１および上部磁気
ヨーク１５ｂとＭ Ｒ素子１７との重なり幅ｄ２、それ
に上部磁気ヨーク１５ａ。
１５ｂのステップカバレッジ状態に大きく左右される。
所望の特性を得るための重なり幅ｄ１゜ｄ２は１〜３μ
ｍ′ｆ！！度であり、これには０．５μｍ以下の誤差精
度が要求される。
ｍ′ｆ！！度であり、これには０．５μｍ以下の誤差精
度が要求される。
ところで、第３図および第４図に示すＹ〜１Ｒヘッドに
おいては、磁束の漏洩を防ぐため、下部磁気ヨーク１２
と上部磁気ヨーク１５ａ、１５ｂとの間隔りとして、４
〜７μｍ程度の間隔が要求される。したがって、所望の
ヘッド特性が得られるように、上部磁気ヨーク１５ａ、
１５ｂを形成するには、これを４〜７μｍの段着の（を
近傍に、０．５！ｉｍ以下の誤差精度でアライメントし
、パターン加工するようにしなければならない。なお、
このパターン加工には、通常、ポジ型しジス［−が用い
られる。
おいては、磁束の漏洩を防ぐため、下部磁気ヨーク１２
と上部磁気ヨーク１５ａ、１５ｂとの間隔りとして、４
〜７μｍ程度の間隔が要求される。したがって、所望の
ヘッド特性が得られるように、上部磁気ヨーク１５ａ、
１５ｂを形成するには、これを４〜７μｍの段着の（を
近傍に、０．５！ｉｍ以下の誤差精度でアライメントし
、パターン加工するようにしなければならない。なお、
このパターン加工には、通常、ポジ型しジス［−が用い
られる。
しかし、この段差部でのレジストパターニングにポジ型
レジストを使用する場合、段差下面ではパターン太り、
設差上面ではパターン細りがｉＵるため、パターン加工
精度を０．５μｍ以下に保つごとは非常に難しい。した
がって、従来のＹＭＲヘッドにおいては、所望の特性が
得られるようにヘッドを製造することがガしく、製造歩
留りが悪いという問題があった。
レジストを使用する場合、段差下面ではパターン太り、
設差上面ではパターン細りがｉＵるため、パターン加工
精度を０．５μｍ以下に保つごとは非常に難しい。した
がって、従来のＹＭＲヘッドにおいては、所望の特性が
得られるようにヘッドを製造することがガしく、製造歩
留りが悪いという問題があった。
また、上部磁気ヨーク１５ａ、１５ｂは、上記の如く、
通常、Ｎ １−Ｆｅ、Ｆｅ−Ａ Ｉ等を素材とし、その
パターン加工は、通常、イオンご一ムミリングによる。
通常、Ｎ １−Ｆｅ、Ｆｅ−Ａ Ｉ等を素材とし、その
パターン加工は、通常、イオンご一ムミリングによる。
しかし、このイオンビームミリングによるエツチング速
度は段差斜面および段差底部で遅い。したがって、ステ
ップカバレッジの良好な膿をエツチングするために、段
差斜面および段差底部でのエツチングを確実なものにす
ると、段差上面でオーバーエツチングとなり、上部磁気
ヨーク１５ａ、１５ｂとＭＲ素子１４との間の絶縁１１
（１０００〜２００ＯＡ程度）をエツチングし、さらに
はＭＲ素子１４をも損傷することがある。特にウェハー
内での上部磁気ヨーク１５の、穫厚むらやエツチング速
度のむらがある場合、ＭＲ素子１４を損傷することが多
く、歩留りが非慧に悪くなる。
度は段差斜面および段差底部で遅い。したがって、ステ
ップカバレッジの良好な膿をエツチングするために、段
差斜面および段差底部でのエツチングを確実なものにす
ると、段差上面でオーバーエツチングとなり、上部磁気
ヨーク１５ａ、１５ｂとＭＲ素子１４との間の絶縁１１
（１０００〜２００ＯＡ程度）をエツチングし、さらに
はＭＲ素子１４をも損傷することがある。特にウェハー
内での上部磁気ヨーク１５の、穫厚むらやエツチング速
度のむらがある場合、ＭＲ素子１４を損傷することが多
く、歩留りが非慧に悪くなる。
さらに、ＹＭＲヘッドの特性に特に影響するのは、上記
の如く、信号検出部にあたるＭＲ素子１４および信号導
入部にあたる上部磁気ヨーク１５ａ、１５ｂである。し
たがって、ＹＭＲヘッドの製造プロセスにおいて、最も
困難かつ重要なプロセスは、ＭＲ素子１４の形成から上
部磁気ヨーク１５の加工までのプロセスである。ところ
で、ＭＲ素子１４の膜厚は、酋通、５００Ａ程度である
ため、連続した一様なＭＲ素子１４を形成するには、平
坦な下地が不可決である。しかし、上述した構成のＹＭ
Ｒヘッドでは、ＭＲ素子１４の形成から上部磁気ヨーク
１５の力０工までの製造プロセスが、全製造プロセスの
後半にあたるため、ＭＲ素子１４形成時の下地には、凹
凸が少なからず存在し、所望のヘッド特性を得にくい。
の如く、信号検出部にあたるＭＲ素子１４および信号導
入部にあたる上部磁気ヨーク１５ａ、１５ｂである。し
たがって、ＹＭＲヘッドの製造プロセスにおいて、最も
困難かつ重要なプロセスは、ＭＲ素子１４の形成から上
部磁気ヨーク１５の加工までのプロセスである。ところ
で、ＭＲ素子１４の膜厚は、酋通、５００Ａ程度である
ため、連続した一様なＭＲ素子１４を形成するには、平
坦な下地が不可決である。しかし、上述した構成のＹＭ
Ｒヘッドでは、ＭＲ素子１４の形成から上部磁気ヨーク
１５の力０工までの製造プロセスが、全製造プロセスの
後半にあたるため、ＭＲ素子１４形成時の下地には、凹
凸が少なからず存在し、所望のヘッド特性を得にくい。
したがって、従来のＹＭＲヘッドにおいては、この製造
プロセスの面からも歩留りの悪化を招いていた。
プロセスの面からも歩留りの悪化を招いていた。
また、このような困ｆｌなプロセスが全プロセスの後半
に位置するため、生産効率が悪いものとなっていた。
に位置するため、生産効率が悪いものとなっていた。
（発明が解決しようとする問題点）
以上述べたように、従来のＹＭＲヘッドは生産性が悪い
という問題があった。
という問題があった。
そこで、この発明は生産性が良く、しかも高性能なＹＭ
Ｒヘッドを提供することを目的とする。
Ｒヘッドを提供することを目的とする。
［発明の構成コ
（問題点を解決するための手段）
上記目的を達成するためにこの発明は、上部磁気ヨーク
と下部磁気ヨークのうち下部磁気ヨークを前後に分離し
、この分離された下部磁気ヨークをＭＲ水素子介して磁
気的に結合するようにしたものである。
と下部磁気ヨークのうち下部磁気ヨークを前後に分離し
、この分離された下部磁気ヨークをＭＲ水素子介して磁
気的に結合するようにしたものである。
（作用）
上記構成によれば、ＭＲ水素子下部磁気ヨーク側に設け
られるため、ＭＲ素子１４と下部磁気ヨークとの重ね合
せをほとんど段差のない状態で行なうことがでる。これ
により、高精度なアライメント加工を容易に行なうこと
ができる。また、段差が存在しないため、下部磁気ヨー
クのエツチング速度が一定で、オーバーエツチングによ
る損傷はＭＲ水素子は及ばない。さらに、ＭＲ水素子形
成プロセスが全製造プロセスの初めに位置するので、Ｍ
Ｒ水素子下地に凹凸が存在せず、生産効率を上げること
ができる。
られるため、ＭＲ素子１４と下部磁気ヨークとの重ね合
せをほとんど段差のない状態で行なうことがでる。これ
により、高精度なアライメント加工を容易に行なうこと
ができる。また、段差が存在しないため、下部磁気ヨー
クのエツチング速度が一定で、オーバーエツチングによ
る損傷はＭＲ水素子は及ばない。さらに、ＭＲ水素子形
成プロセスが全製造プロセスの初めに位置するので、Ｍ
Ｒ水素子下地に凹凸が存在せず、生産効率を上げること
ができる。
（実施例）
第１図および第２図はそれぞれこの発明の一実施例の構
成を示す断面図および斜視図である。
成を示す断面図および斜視図である。
これらの図において、２１は非磁性基板である。
この基板２１の上には、下地層２２を介してＭＲ素子２
３が積層されている。このＭＲ素子２３の上には、絶縁
層２４を介して下部磁気ヨーク２５が積層されている。
３が積層されている。このＭＲ素子２３の上には、絶縁
層２４を介して下部磁気ヨーク２５が積層されている。
この下部磁気ヨーク２５の上には、絶縁１１２６を介し
てバイアス磁界印加用導体２７および上部磁気ヨーク２
８が順次積層されている。上記ＭＲ水素子３には、引き
出し用導体２９が設けられている。
てバイアス磁界印加用導体２７および上部磁気ヨーク２
８が順次積層されている。上記ＭＲ水素子３には、引き
出し用導体２９が設けられている。
上記下部磁気ヨーク２５は前部の下部磁気ヨーク２５ａ
と後部の下部磁気ヨーク２５ｂに分離されている。そし
て、これら２つの下部磁気ヨーク２５ａ、２５ｂはＭＲ
素子２３を介して磁気的に結合されている。すなわち、
ＭＲ素子２３は２つの下部磁気ヨーク２５ａ、２５ｂの
間に位置し、かつ各磁気ヨーク２５ａ、２５ｂに対応す
る端部が対応する磁気ヨーク２５ａ、２５ｂに重ね合せ
られるようになっている。
と後部の下部磁気ヨーク２５ｂに分離されている。そし
て、これら２つの下部磁気ヨーク２５ａ、２５ｂはＭＲ
素子２３を介して磁気的に結合されている。すなわち、
ＭＲ素子２３は２つの下部磁気ヨーク２５ａ、２５ｂの
間に位置し、かつ各磁気ヨーク２５ａ、２５ｂに対応す
る端部が対応する磁気ヨーク２５ａ、２５ｂに重ね合せ
られるようになっている。
なお、下部磁気ヨーク２５ａ、２５ｂ等の材料は、従来
のものと同じである。また、上記下地層２２は基板２１
とＮｉ−Ｆｅ等からなる下部磁気ヨーク２５ａ、２５ｂ
の密着を高めるとともに、Ｎ板２１に含まれる不純物が
ＭＲ素子２３に混入づるのを防ぐために設けられるもの
で、８１０２等で構成される。
のものと同じである。また、上記下地層２２は基板２１
とＮｉ−Ｆｅ等からなる下部磁気ヨーク２５ａ、２５ｂ
の密着を高めるとともに、Ｎ板２１に含まれる不純物が
ＭＲ素子２３に混入づるのを防ぐために設けられるもの
で、８１０２等で構成される。
上記構成において、ＹＭＲヘッドは、磁気テープ等の記
録媒体に記録された磁気情報を、上部磁気ヨーク２８→
下部磁気ヨーク２５ｂ→ＭＲ素子２３→下部磁気ヨーク
２５ａ→上部磁気ヨーク２８なる経路によりＭＲ素子２
３に導き、このＭＲ素子２３の抵抗値の変化として検出
する。この場合、検出感度を上げるために、導体２７に
所定の電流を与え、ＭＲ素子２３に適当なバイアス磁界
を与えるようになっている。
録媒体に記録された磁気情報を、上部磁気ヨーク２８→
下部磁気ヨーク２５ｂ→ＭＲ素子２３→下部磁気ヨーク
２５ａ→上部磁気ヨーク２８なる経路によりＭＲ素子２
３に導き、このＭＲ素子２３の抵抗値の変化として検出
する。この場合、検出感度を上げるために、導体２７に
所定の電流を与え、ＭＲ素子２３に適当なバイアス磁界
を与えるようになっている。
以上述べたようにこの実施例は、下部磁気ヨーク２５ａ
、２５ｂを二つに分離し、これらとこれらの間にあるＭ
Ｒ素子２３、それに上部磁気ヨーク２８とによって磁気
回路を構成したものである。
、２５ｂを二つに分離し、これらとこれらの間にあるＭ
Ｒ素子２３、それに上部磁気ヨーク２８とによって磁気
回路を構成したものである。
このような構成によれば、ＭＲ素子２３は下部磁気ヨー
ク２５ａ、２５ｂに磁気結合されるので、はとんど段差
のない状態（１００ＯＡ＞で、ＭＲ素子２３と磁気ヨー
クの重ね合せを行なうことができる。これにより、アラ
イメント・パターン加工を容易に行なうことができる。
ク２５ａ、２５ｂに磁気結合されるので、はとんど段差
のない状態（１００ＯＡ＞で、ＭＲ素子２３と磁気ヨー
クの重ね合せを行なうことができる。これにより、アラ
イメント・パターン加工を容易に行なうことができる。
また、段差が存在しないため、下部磁気ヨーク２５ａ、
２５ｂのエツチング速度が一様で、ウェハー内でのエツ
チング速度に少々むらがある場合でも、オーバーエツチ
ングによる指間は絶５ＲＱ２４だけにとどまり、ＭＲ素
子２３には及ばない。
２５ｂのエツチング速度が一様で、ウェハー内でのエツ
チング速度に少々むらがある場合でも、オーバーエツチ
ングによる指間は絶５ＲＱ２４だけにとどまり、ＭＲ素
子２３には及ばない。
さらに、この実施例では、全製造プロセスの中でもＲも
困難かつ重要なＭＲ素子２３の形成から下部磁気ヨーク
２５ａ、２５ｂのカロエまでのプロセスが、全プロセス
の初めに存在するので、ＶＩ Ｒ素子２３を形成するた
めの下地には、はとんど凹凸がなく、歩留りを良くする
ことができるとともに、生産効率を高めることができる
。
困難かつ重要なＭＲ素子２３の形成から下部磁気ヨーク
２５ａ、２５ｂのカロエまでのプロセスが、全プロセス
の初めに存在するので、ＶＩ Ｒ素子２３を形成するた
めの下地には、はとんど凹凸がなく、歩留りを良くする
ことができるとともに、生産効率を高めることができる
。
以上この発明の一実施例を説明したが、この発明は上記
実施例に限定されるものではなく、他にも種々様々変形
実施可能なことは勿論である。
実施例に限定されるものではなく、他にも種々様々変形
実施可能なことは勿論である。
［発明の効果」
以上述べたようにこの発明によれば、生産性が良く、高
性能なＹＭＲヘッドを提供することができる。
性能なＹＭＲヘッドを提供することができる。
第１図および第２図はそれぞれこの発明の一実施例の構
成を示す斜視図および断面図、第３図および第４図はそ
れぞれ従来のＹＭＲヘッドの構成を示す斜視図および断
面図である。 ２１・・・非磁性基板、２２・・・下地層、２３・・・
ＭＲ素子、２４．２６・・・絶縁層、２５ａ２５ｂ・・
・下部磁気ヨーク、２７．２９・・・導体、２８・・・
上部磁気ヨーク。
成を示す斜視図および断面図、第３図および第４図はそ
れぞれ従来のＹＭＲヘッドの構成を示す斜視図および断
面図である。 ２１・・・非磁性基板、２２・・・下地層、２３・・・
ＭＲ素子、２４．２６・・・絶縁層、２５ａ２５ｂ・・
・下部磁気ヨーク、２７．２９・・・導体、２８・・・
上部磁気ヨーク。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上に設けられた磁気抵抗効果素子と、 基板側に設けられるとともに、前部の下部磁気ヨークと
後部の下部磁気ヨークに分離され、かつ絶縁層を介して
上記二つの下部磁気ヨークのそれぞれ一部が上記磁気抵
抗効果素子に重ね合せられるた下部磁気ヨークと、 絶縁層を介して、上記二つの下部磁気ヨークに積層され
る上部磁気ヨークと、 上記磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を与えるための導
体とを備え、上記二つの下部磁気ヨーク、磁気抵抗効果
素子および上部磁気ヨークによつて磁気回路が構成され
ることを特徴とするヨークタイプ磁気抵抗効果型薄膜磁
気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17915086A JPS6337811A (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | ヨ−クタイプ磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17915086A JPS6337811A (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | ヨ−クタイプ磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6337811A true JPS6337811A (ja) | 1988-02-18 |
Family
ID=16060836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17915086A Pending JPS6337811A (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | ヨ−クタイプ磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6337811A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5896253A (en) * | 1992-08-03 | 1999-04-20 | U.S. Philips Corporation | Magnetic head having a wear resistant layer substantially comprising Cr.sub. O3 and method of manufacturing such a magnetic head |
| US5905610A (en) * | 1991-05-21 | 1999-05-18 | North American Philips Corporation | Combined read/write magnetic head having MRE positioned between broken flux guide and non-magnetic substrate |
| US6424489B1 (en) | 1992-08-03 | 2002-07-23 | U.S. Philips Corporation | Magnetic head having a wear-resistant layer, and method of manufacturing such a magnetic head |
| US6795263B2 (en) | 1999-11-09 | 2004-09-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic head |
| JP2008169945A (ja) * | 2007-01-12 | 2008-07-24 | Daiwa Kasei Ind Co Ltd | クリップ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5924427A (ja) * | 1982-07-31 | 1984-02-08 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
-
1986
- 1986-07-30 JP JP17915086A patent/JPS6337811A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5924427A (ja) * | 1982-07-31 | 1984-02-08 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5905610A (en) * | 1991-05-21 | 1999-05-18 | North American Philips Corporation | Combined read/write magnetic head having MRE positioned between broken flux guide and non-magnetic substrate |
| US5896253A (en) * | 1992-08-03 | 1999-04-20 | U.S. Philips Corporation | Magnetic head having a wear resistant layer substantially comprising Cr.sub. O3 and method of manufacturing such a magnetic head |
| US6424489B1 (en) | 1992-08-03 | 2002-07-23 | U.S. Philips Corporation | Magnetic head having a wear-resistant layer, and method of manufacturing such a magnetic head |
| US6795263B2 (en) | 1999-11-09 | 2004-09-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic head |
| JP2008169945A (ja) * | 2007-01-12 | 2008-07-24 | Daiwa Kasei Ind Co Ltd | クリップ |
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