JPS60182007A - 薄膜型磁気ヘッドの製法 - Google Patents
薄膜型磁気ヘッドの製法Info
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- JPS60182007A JPS60182007A JP3638684A JP3638684A JPS60182007A JP S60182007 A JPS60182007 A JP S60182007A JP 3638684 A JP3638684 A JP 3638684A JP 3638684 A JP3638684 A JP 3638684A JP S60182007 A JPS60182007 A JP S60182007A
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- Japan
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- magnetic
- layer
- thin film
- magnetic layer
- etching
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は薄膜型磁気ヘッド、特に薄膜磁気抵抗効果型磁
気ヘッド（以下ＭＲという）の製法に係わる。
気ヘッド（以下ＭＲという）の製法に係わる。
背景技術とその問題点
第１図及び第２図は従来の製法によって得たＭＲヘッド
の要部の拡大断面図及び拡大平面図である。このＭＲヘ
ッドは磁性基体（１）上に絶縁Ｍ（２）を介して、被着
された例えば、帯状導電層より成り、後述する磁気抵抗
効果素子（以下ＭＲ素子という）に対してバイアス磁界
を供給す５るための磁界を発生するバイアス磁界発生用
の通電導電体（３）が設けられる。また、この導電体（
３）上には、同様の絶縁層（４）を介して、例えばＮｉ
−Ｆｅ系合金、Ｎｉ−Ｃｏ系合金薄膜等より成るＭＲ素
子（５］が被着される。史にこのＭＲ素子（５）上には
同様の絶縁薄膜（６）が被ホされ、この絶縁薄膜（６）
を介して、ＭＲ素子（５）及び導電体（３）を横切る方
向に延長して磁気回路を構成する対の磁気コアとなる磁
性層（７）及び（８）が、例えばＮｉ−Ｆｅ系合金層に
よって形成される。
の要部の拡大断面図及び拡大平面図である。このＭＲヘ
ッドは磁性基体（１）上に絶縁Ｍ（２）を介して、被着
された例えば、帯状導電層より成り、後述する磁気抵抗
効果素子（以下ＭＲ素子という）に対してバイアス磁界
を供給す５るための磁界を発生するバイアス磁界発生用
の通電導電体（３）が設けられる。また、この導電体（
３）上には、同様の絶縁層（４）を介して、例えばＮｉ
−Ｆｅ系合金、Ｎｉ−Ｃｏ系合金薄膜等より成るＭＲ素
子（５］が被着される。史にこのＭＲ素子（５）上には
同様の絶縁薄膜（６）が被ホされ、この絶縁薄膜（６）
を介して、ＭＲ素子（５）及び導電体（３）を横切る方
向に延長して磁気回路を構成する対の磁気コアとなる磁
性層（７）及び（８）が、例えばＮｉ−Ｆｅ系合金層に
よって形成される。
この場合、一方の磁性層（７）の前方端は、基体（１）
上に、例えば絶縁層（６）より成る非磁性のギャップス
ペーサ層（９）を介して延在し、この磁性層（７）と基
体（１）との間に作動磁気ギャップｇが形成され、この
磁気ギャップｇが、磁気媒体との対接面００）に臨むよ
うに構成される。他方の磁性層（８）の後端は各絶縁層
（２１（４＋、絶縁薄膜（６）に穿設した透孔的ｊを通
じて基体（１１に、例えば直接的に接触するようにして
両者が磁気的に密に結合すあようになされる。また、磁
性層（７）の後方端部と、磁性層（８）の前方端部とは
所要の間隔Ｗを保持して対向するようになされ、両者間
に磁気回路の不連続部（１２１が構成される。そして、
この不連続部ｕ２１内に磁気的にＭＲ素子（５）が配置
され、この素子（５）によって磁気的に不連続部が連結
するようにする。これがため磁性層（７）の後方端部と
、磁性層（８）の前方端部とは、夫々ＭＲ素子（５）上
に夫々絶縁薄膜（６）を介して跨るようになされ、絶縁
薄膜（６）の厚さが薄くされることによって、各端部と
ＭＩＬ素子（５）とが磁気的に結合するようにする。こ
のようにして基体（１１−ｔ＆気ギャップｇ −磁性Ｍ
（７１−ＭＲ素子（５）−磁性層（８）−基体（１）
の閉磁路による磁気回路が構成される。
上に、例えば絶縁層（６）より成る非磁性のギャップス
ペーサ層（９）を介して延在し、この磁性層（７）と基
体（１）との間に作動磁気ギャップｇが形成され、この
磁気ギャップｇが、磁気媒体との対接面００）に臨むよ
うに構成される。他方の磁性層（８）の後端は各絶縁層
（２１（４＋、絶縁薄膜（６）に穿設した透孔的ｊを通
じて基体（１１に、例えば直接的に接触するようにして
両者が磁気的に密に結合すあようになされる。また、磁
性層（７）の後方端部と、磁性層（８）の前方端部とは
所要の間隔Ｗを保持して対向するようになされ、両者間
に磁気回路の不連続部（１２１が構成される。そして、
この不連続部ｕ２１内に磁気的にＭＲ素子（５）が配置
され、この素子（５）によって磁気的に不連続部が連結
するようにする。これがため磁性層（７）の後方端部と
、磁性層（８）の前方端部とは、夫々ＭＲ素子（５）上
に夫々絶縁薄膜（６）を介して跨るようになされ、絶縁
薄膜（６）の厚さが薄くされることによって、各端部と
ＭＩＬ素子（５）とが磁気的に結合するようにする。こ
のようにして基体（１１−ｔ＆気ギャップｇ −磁性Ｍ
（７１−ＭＲ素子（５）−磁性層（８）−基体（１）
の閉磁路による磁気回路が構成される。
このようにして、基体（１１上に磁気ギャップｇと、Ｍ
Ｒ素子（５）とが磁路中に設けられた磁気回路が構成さ
れた磁気ヘッド素子りが形成される。
Ｒ素子（５）とが磁路中に設けられた磁気回路が構成さ
れた磁気ヘッド素子りが形成される。
そして、例えばマルチトラック型ＭＲヘッドとする場合
においては、第２図に示すように、上述した構成による
磁気ヘッド素子りが各トラックに対応して共通の基体（
１１上に平行配列さ第１る。
においては、第２図に示すように、上述した構成による
磁気ヘッド素子りが各トラックに対応して共通の基体（
１１上に平行配列さ第１る。
尚、実際上はこの基体ｆｉｌ上に形成された磁気ヘッド
素子りを核って第１図にＩ線をもって示すように非磁性
の絶縁性保繰層０：（ｌが設けられ、これの上に接着剤
層０４）によって保護基板（１５）が接合さ牙１てＭＲ
ヘッドが構成される。
素子りを核って第１図にＩ線をもって示すように非磁性
の絶縁性保繰層０：（ｌが設けられ、これの上に接着剤
層０４）によって保護基板（１５）が接合さ牙１てＭＲ
ヘッドが構成される。
このような構成によるＭＲヘッドは、その対接面００）
に対接する磁気媒体からの信号磁界が磁気ギャップｇよ
り、磁気回路中のＭＲ素子（５）中を通ずることによっ
てその抵抗変化によって媒体上の記録が検出される。こ
の場合ＭＲ素子（５）には、その抵抗変化を検出するた
めに、すなわち出力をとり出すための電流いわゆる検出
電流を通ずると共に、この場合、ＭＲ素子において高い
感度とｖＡ、純性が得られるようＫＭＲ素子に所要のバ
イアス磁場を与えるために、導電体（３）にＤ［要の電
流を辿する。
に対接する磁気媒体からの信号磁界が磁気ギャップｇよ
り、磁気回路中のＭＲ素子（５）中を通ずることによっ
てその抵抗変化によって媒体上の記録が検出される。こ
の場合ＭＲ素子（５）には、その抵抗変化を検出するた
めに、すなわち出力をとり出すための電流いわゆる検出
電流を通ずると共に、この場合、ＭＲ素子において高い
感度とｖＡ、純性が得られるようＫＭＲ素子に所要のバ
イアス磁場を与えるために、導電体（３）にＤ［要の電
流を辿する。
このような磁気回路を具備する薄膜型のＭＲヘッドにお
いては、この磁気回路における磁気抵抗が小さいほどこ
の回路に通ずる磁束を大とすることができるのでｇ度が
上昇する。したがってこの柚のヘッドにおける磁気回路
は、上述した磁性層（７）及び（８）の互いの不連続部
（１２＋側の各端部とＭＲ素子（５）との磁気的結合が
できるだけ密となるように絶縁薄膜（６）の厚さはでき
るだけ薄いことが望まれる。
いては、この磁気回路における磁気抵抗が小さいほどこ
の回路に通ずる磁束を大とすることができるのでｇ度が
上昇する。したがってこの柚のヘッドにおける磁気回路
は、上述した磁性層（７）及び（８）の互いの不連続部
（１２＋側の各端部とＭＲ素子（５）との磁気的結合が
できるだけ密となるように絶縁薄膜（６）の厚さはでき
るだけ薄いことが望まれる。
ところが通常のこの釉の薄膜型ＭＲヘッドの製法による
場合、この絶縁薄膜（６］を渭くすることは他の問題を
生じる。すなわち、通常この種ＭＲヘッドを作製する場
合、磁性層（７）及び（８）は、Ｍｌｌｔ素子（５）上
に絶縁ｍ膜（Ｃ１を形成して後、全面的に例えば上述し
たＮｉ−Ｆｅ系合金層を蒸着、スパッタリング等によっ
て被ンｈ形成して後、これをパターン化して不連続部＋
１２を挟んで延在する磁性層（７）及び（８）を形成す
るものであるが、このＮｉ−Ｆｅ系磁性）ＨＫ対するパ
ターン化処理は、ウェットエツチング（化学的エツチン
グ）、或いはイオンビームエツチングのいずれかの方法
によらさるを得ない。
場合、この絶縁薄膜（６］を渭くすることは他の問題を
生じる。すなわち、通常この種ＭＲヘッドを作製する場
合、磁性層（７）及び（８）は、Ｍｌｌｔ素子（５）上
に絶縁ｍ膜（Ｃ１を形成して後、全面的に例えば上述し
たＮｉ−Ｆｅ系合金層を蒸着、スパッタリング等によっ
て被ンｈ形成して後、これをパターン化して不連続部＋
１２を挟んで延在する磁性層（７）及び（８）を形成す
るものであるが、このＮｉ−Ｆｅ系磁性）ＨＫ対するパ
ターン化処理は、ウェットエツチング（化学的エツチン
グ）、或いはイオンビームエツチングのいずれかの方法
によらさるを得ない。
そして、またウェットエツチングでは高い精度のパター
ン化ができないことから、この種磁性層のパターン化は
イオンビームエツチングによる選択的エツチングによっ
ている。ところがこのようなイオンビームエツチングに
よる場合、そのエツチング性、すなわちエツチング速度
の材料による差異、すなわち材料によるエツチングの選
択性が殆んどないために、このエツチングは少くとも磁
性層の厚さ分は必要とするものの、これの下の絶縁薄膜
（６）の厚さ未満にとどめないとこれの下のＭＲＸ 子
＋５１をもエツチングすることになり信頼性の低下ない
しは不良品の発生率を高め歩留りの低下を招来する。と
ころが実際上、この種ヘッドを作製する場合、特にマル
チトラック型構成とする場合絶縁薄膜の厚さや磁性層の
厚さ、更にエツチング速度が、各部一様とはならず一般
にばらつきが生じる。このばらつきは通常±１０％に及
ぶ。したがって磁性層を確実にエツチングして所要のパ
ターンを得るには、例えば磁性層の目標とするＪνさが
１μｍの場合、これが１．１μｍの厚さを有する部分が
生じるｏＪ能性があることから、このエツチングの目標
のノ早さは１１μｍとする必要があり、このエツチング
に±１０％の誤差があることを考虜すると、エツチング
不足か生じないようにするためには、例えば１．３μｍ
の厚さにそのエツチングを行うことになる。と、ころが
この場合、反面その磁性層に目標とするｇ４さ１μｍに
対し、−１０％不足した０９μｍの厚さ部分が生じてい
たとすると、上述り、た１、３μｍのエツチングがなさ
れた場合においては、１．３μｍ−０，９μｍ、 ＝
０．４μｍの過剰エツチングがなされること属なる。し
たがってこの過剰エツチングによっても、ＭＲ素子（５
１がエツチングされることがないようにするには、絶縁
薄膜（６）の厚さは少くとも０．４μｍより大に形成し
ておく必要が生じ、これを十分薄くすることができない
。
ン化ができないことから、この種磁性層のパターン化は
イオンビームエツチングによる選択的エツチングによっ
ている。ところがこのようなイオンビームエツチングに
よる場合、そのエツチング性、すなわちエツチング速度
の材料による差異、すなわち材料によるエツチングの選
択性が殆んどないために、このエツチングは少くとも磁
性層の厚さ分は必要とするものの、これの下の絶縁薄膜
（６）の厚さ未満にとどめないとこれの下のＭＲＸ 子
＋５１をもエツチングすることになり信頼性の低下ない
しは不良品の発生率を高め歩留りの低下を招来する。と
ころが実際上、この種ヘッドを作製する場合、特にマル
チトラック型構成とする場合絶縁薄膜の厚さや磁性層の
厚さ、更にエツチング速度が、各部一様とはならず一般
にばらつきが生じる。このばらつきは通常±１０％に及
ぶ。したがって磁性層を確実にエツチングして所要のパ
ターンを得るには、例えば磁性層の目標とするＪνさが
１μｍの場合、これが１．１μｍの厚さを有する部分が
生じるｏＪ能性があることから、このエツチングの目標
のノ早さは１１μｍとする必要があり、このエツチング
に±１０％の誤差があることを考虜すると、エツチング
不足か生じないようにするためには、例えば１．３μｍ
の厚さにそのエツチングを行うことになる。と、ころが
この場合、反面その磁性層に目標とするｇ４さ１μｍに
対し、−１０％不足した０９μｍの厚さ部分が生じてい
たとすると、上述り、た１、３μｍのエツチングがなさ
れた場合においては、１．３μｍ−０，９μｍ、 ＝
０．４μｍの過剰エツチングがなされること属なる。し
たがってこの過剰エツチングによっても、ＭＲ素子（５
１がエツチングされることがないようにするには、絶縁
薄膜（６）の厚さは少くとも０．４μｍより大に形成し
ておく必要が生じ、これを十分薄くすることができない
。
すなわち、従来のこの種の薄膜型磁気ヘッドの製法にお
いては、上述した絶縁薄膜（６）の肉薄化をはかつて感
度の向上をはかることと信頼性及び歩留りの向上をはか
ることとが相客れないものである。
いては、上述した絶縁薄膜（６）の肉薄化をはかつて感
度の向上をはかることと信頼性及び歩留りの向上をはか
ることとが相客れないものである。
発明の目的
本発明は感度が高い薄膜型磁気ヘッド、特に薄膜ＭＲヘ
ッドを信頼性及び歩留り良く得ることのできる薄膜型磁
気ヘッドを提供するものである。
ッドを信頼性及び歩留り良く得ることのできる薄膜型磁
気ヘッドを提供するものである。
発明の概要
、 本発明は、基体上に薄膜磁気抵抗効果素子を形成す
る工程と、これの上に絶縁薄膜を形成する工程と、この
絶縁薄膜上にこれとエツチング性に差異を有する非磁性
材料層を選択的に形成する工程と、この拐料層上を含ん
で磁性層を形成する工程と、この磁性層を選択的にエツ
チングする工程とを経て磁気抵抗効果素子上において不
連続部を有しこの不連続部が磁気抵抗効果素子によって
磁気的に結合されて磁性層と磁気抵抗効果素子とを含む
磁気回路が形成されて成る磁気ヘッドを１４する。
る工程と、これの上に絶縁薄膜を形成する工程と、この
絶縁薄膜上にこれとエツチング性に差異を有する非磁性
材料層を選択的に形成する工程と、この拐料層上を含ん
で磁性層を形成する工程と、この磁性層を選択的にエツ
チングする工程とを経て磁気抵抗効果素子上において不
連続部を有しこの不連続部が磁気抵抗効果素子によって
磁気的に結合されて磁性層と磁気抵抗効果素子とを含む
磁気回路が形成されて成る磁気ヘッドを１４する。
実施例
第３図及び第４図は、本発明製法の一例によって得た薄
膜型ＭＲヘッドの拡大断面図及び拡大平面図である。
膜型ＭＲヘッドの拡大断面図及び拡大平面図である。
これら第３図及び第４図において、第１図及び第２図と
対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する
。
対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する
。
この例においても例えばＮｉ −Ｚｎ系フェライト、或
いはＭｎ−Ｚｎ系フェライトより成る磁性基体（１）上
に、この基体（１）がＭｎ −Ｚｎ系７エライトのよう
に導電性を有する場合においては、これの上に５ｉ０２
、 Ｓｉ３Ｎ４等より成る絶縁層（２）を全面的に被
着形成し、これの上に例えば最終的に得る複数のヘッド
に対して共通のバイアス磁界発生用の通電導電体（３）
を各ヘッドの配列部を横切るように帯状に形成する。そ
して、この導電体（３）上から全面的に同様の絶縁層（
４）を被着し、この絶縁層（４）上に、Ｎｉ−Ｆｅ系合
金、Ｎｉ −Ｃｏ系合金等の磁気抵抗効果を有する薄膜
を全面的に蒸着、スパッタリング等によって被着し、フ
ォトエツチングによって不要部分を除去して、等電体（
３）上に所要のパターンのＭＲ素子（５）を形成する。
いはＭｎ−Ｚｎ系フェライトより成る磁性基体（１）上
に、この基体（１）がＭｎ −Ｚｎ系７エライトのよう
に導電性を有する場合においては、これの上に５ｉ０２
、 Ｓｉ３Ｎ４等より成る絶縁層（２）を全面的に被
着形成し、これの上に例えば最終的に得る複数のヘッド
に対して共通のバイアス磁界発生用の通電導電体（３）
を各ヘッドの配列部を横切るように帯状に形成する。そ
して、この導電体（３）上から全面的に同様の絶縁層（
４）を被着し、この絶縁層（４）上に、Ｎｉ−Ｆｅ系合
金、Ｎｉ −Ｃｏ系合金等の磁気抵抗効果を有する薄膜
を全面的に蒸着、スパッタリング等によって被着し、フ
ォトエツチングによって不要部分を除去して、等電体（
３）上に所要のパターンのＭＲ素子（５）を形成する。
Ｍ １．を素子（５１０両端には、例えばＡｕ層より成
る端子導出層ａωを電気的に連結して基体（１１上に形
成する。
る端子導出層ａωを電気的に連結して基体（１１上に形
成する。
そして、本発明においては、Ｍｌｔ素子（５）上を籾つ
て例えは全面的に特定された特性を有する絶縁薄膜Ｕη
を形成し、更にこれの上に選択的に同様に特定された特
性を有する非磁性材料層（１８１を形成する。この特定
された特性を有する絶縁薄膜ｔ１７１と非磁性材料層ｔ
１８１とは、後述する磁性層に対する選択的エツチング
、例えばイオンビームエツチングに対し、相互にエツチ
ング性、すなわちエツチング速度に差異がある拐料より
選定されるものであり、具体的には、絶縁薄膜ｔ１７１
のエツチング速度が非磁性材料層（１８１のそれより犬
に選定される。例えば絶縁薄膜（１７＋としてはＴａ２
０５薄膜、非磁性材料層（１８１としては非磁性材料層
のＳｉＯ２層を用い得る。
て例えは全面的に特定された特性を有する絶縁薄膜Ｕη
を形成し、更にこれの上に選択的に同様に特定された特
性を有する非磁性材料層（１８１を形成する。この特定
された特性を有する絶縁薄膜ｔ１７１と非磁性材料層ｔ
１８１とは、後述する磁性層に対する選択的エツチング
、例えばイオンビームエツチングに対し、相互にエツチ
ング性、すなわちエツチング速度に差異がある拐料より
選定されるものであり、具体的には、絶縁薄膜ｔ１７１
のエツチング速度が非磁性材料層（１８１のそれより犬
に選定される。例えば絶縁薄膜（１７＋としてはＴａ２
０５薄膜、非磁性材料層（１８１としては非磁性材料層
のＳｉＯ２層を用い得る。
次に、第１図及び第２図で説明したと同様の対の磁性層
（７）及び（８）を形成する。すなわち、これら磁性層
（７）及び（８）は、導電１体（３）とＭＨ累子（５）
とを横切る方向に延在し、且つ磁性層（７）の後端と磁
性層（８）の前端との間に所要の幅Ｗをイ１する不連続
部＋１２を形成し、これら磁性層（７）の後端と磁性層
（８）の前端が夫々絶縁淘膜０７１を介してＭＲ素子（
５１０前後各側縁部上に］（ねられて、これら磁性層（
７）及び（８）がＭＲ素子（５）と電気的には絶縁され
磁気的には結合されるようにする。これら磁性層（７）
及び（８）の形成は、非磁性層Ｏａ上を含んで例えばパ
ーマロイ、すなわち、Ｎｉ−Ｆｅ系台金磁性層を全面的
に蒸着、スパッタリング等によって被着して後、これの
上にエツチングレジストを最終的に得ようとする前述し
た両磁性層（７）及び（８）のパターンに形成し、イオ
ンビームエツチングを行ってエツチングレジストによっ
て椋われていない部分、云い換えれは少（とも非磁性層
０）ｉｌ上のＮｉ−Ｆｅ系合金層を除去することによっ
て得る。この場合、非磁性Ｈ材層（１８）は、少（とも
Ａ＞終曲に得ようとする磁性層（７）及び（８）を有す
る部分以外で、しかも少くとも不連続部（１２；を含み
ＭＪＩ索−ｉ′−（５１上を株うように形成し置くもの
とする。
（７）及び（８）を形成する。すなわち、これら磁性層
（７）及び（８）は、導電１体（３）とＭＨ累子（５）
とを横切る方向に延在し、且つ磁性層（７）の後端と磁
性層（８）の前端との間に所要の幅Ｗをイ１する不連続
部＋１２を形成し、これら磁性層（７）の後端と磁性層
（８）の前端が夫々絶縁淘膜０７１を介してＭＲ素子（
５１０前後各側縁部上に］（ねられて、これら磁性層（
７）及び（８）がＭＲ素子（５）と電気的には絶縁され
磁気的には結合されるようにする。これら磁性層（７）
及び（８）の形成は、非磁性層Ｏａ上を含んで例えばパ
ーマロイ、すなわち、Ｎｉ−Ｆｅ系台金磁性層を全面的
に蒸着、スパッタリング等によって被着して後、これの
上にエツチングレジストを最終的に得ようとする前述し
た両磁性層（７）及び（８）のパターンに形成し、イオ
ンビームエツチングを行ってエツチングレジストによっ
て椋われていない部分、云い換えれは少（とも非磁性層
０）ｉｌ上のＮｉ−Ｆｅ系合金層を除去することによっ
て得る。この場合、非磁性Ｈ材層（１８）は、少（とも
Ａ＞終曲に得ようとする磁性層（７）及び（８）を有す
る部分以外で、しかも少くとも不連続部（１２；を含み
ＭＪＩ索−ｉ′−（５１上を株うように形成し置くもの
とする。
ここに、非磁性材料層ｆｌｌ（ｌは、そのＪｊニアさを
、冒頭で説明した過剰エツチングが生じるおそれのある
Ｊｆさの例えば０．４μｍ以上とし、絶縁ン膜（［７）
のＪνさは０．４μ７１１１以下の磁性層（７）及び（
８）とＭｌ＋素子（５１との間の電気的絶縁性を保持で
きる範囲で充分渇くする。
、冒頭で説明した過剰エツチングが生じるおそれのある
Ｊｆさの例えば０．４μｍ以上とし、絶縁ン膜（［７）
のＪνさは０．４μ７１１１以下の磁性層（７）及び（
８）とＭｌ＋素子（５１との間の電気的絶縁性を保持で
きる範囲で充分渇くする。
磁性層（７）の前方端と基体（１）との間には、例えば
絶縁薄膜（１ηより成るギャップスペーサ（９）が介在
されて作動磁気ギャップｇが形成される。
絶縁薄膜（１ηより成るギャップスペーサ（９）が介在
されて作動磁気ギャップｇが形成される。
このようにして、第１図及び第２図で説明したと同様に
本発明のこの例においては、磁性基体（１）−磁気ギャ
ップｇ−磁性層（７１−ＭＲ素子（５）−磁性層（８）
−基体（１１の閉磁路による磁気回路が構成され磁気ヘ
ッド素子りが形成される。
本発明のこの例においては、磁性基体（１）−磁気ギャ
ップｇ−磁性層（７１−ＭＲ素子（５）−磁性層（８）
−基体（１１の閉磁路による磁気回路が構成され磁気ヘ
ッド素子りが形成される。
そして、この場合においても各磁気ヘッド素子りを覆っ
て非磁性保護層０３１が被着され、これの上に接着剤層
０４）によって磁性若しくは非磁性の保護基板０５）が
接合される。
て非磁性保護層０３１が被着され、これの上に接着剤層
０４）によって磁性若しくは非磁性の保護基板０５）が
接合される。
また（１０１は、磁気ギャップｇが望むように研磨され
た磁気媒体との対接面である。
た磁気媒体との対接面である。
上述したように、本発明製法によれば、磁性層（７）及
び（８）を形成するＮｉ−Ｆｅ系合金磁性層に対する選
択的エツチング工程において、そのＭＬ＋素子（５）上
の磁性層がエツチング除去されるべき部分に、冒頭に述
べた過剰エツチングのおそれのある即、さ以上の非磁性
層（１８１を形成したので、仮りに過剰エツチングが生
じても非磁性層（ｌ）０の存在によってこのエツチング
がＭＲ素子（５）をエツチングしてしまうおそれはない
。
び（８）を形成するＮｉ−Ｆｅ系合金磁性層に対する選
択的エツチング工程において、そのＭＬ＋素子（５）上
の磁性層がエツチング除去されるべき部分に、冒頭に述
べた過剰エツチングのおそれのある即、さ以上の非磁性
層（１８１を形成したので、仮りに過剰エツチングが生
じても非磁性層（ｌ）０の存在によってこのエツチング
がＭＲ素子（５）をエツチングしてしまうおそれはない
。
尚、非磁性層（１８１ＯＮさは、磁性層（７）及び（８
）の形成時の選択的エツチングに際しての予想される過
剰エツチングの厚さより大に選定されることが望まれる
ものの、この非磁性層Ｕの厚さに多少のばらつきがあっ
ても、この非磁性Ｎａ植に比し、これの下の絶縁溝膜（
１７１は、そのエツチング性が低いので、仮りに磁性層
に対するイオンビームエツチングによる選択的エツチン
グに際して５ｉ０２非磁性層（１８１をもエツチングす
るようなことが生じた場合でも５ｉ（ｈｆｆ４１Ｊ沼が
エツチングされてしまった時点でエツチングを停止する
ことによってＴａ２０５ ？Ｉ？膜０７１はこれが殆ん
どエツチングされることがないように°することができ
、ＭＲ素子（５）が侵かされるおそれを回避できるもの
である。
）の形成時の選択的エツチングに際しての予想される過
剰エツチングの厚さより大に選定されることが望まれる
ものの、この非磁性層Ｕの厚さに多少のばらつきがあっ
ても、この非磁性Ｎａ植に比し、これの下の絶縁溝膜（
１７１は、そのエツチング性が低いので、仮りに磁性層
に対するイオンビームエツチングによる選択的エツチン
グに際して５ｉ０２非磁性層（１８１をもエツチングす
るようなことが生じた場合でも５ｉ（ｈｆｆ４１Ｊ沼が
エツチングされてしまった時点でエツチングを停止する
ことによってＴａ２０５ ？Ｉ？膜０７１はこれが殆ん
どエツチングされることがないように°することができ
、ＭＲ素子（５）が侵かされるおそれを回避できるもの
である。
尚、上述した例においては、非磁性材層（１８１が、絶
縁性を有する５ｉｎ２である場合について説明したが、
成る場合は、こ・の非磁性材Ｊ？４（１８１を、Ａｇ等
の導電性を有する材料より構成し、この非磁性料層Ｕψ
をバイアス導電体として兼ねしめ、第３図及び第４図で
説明した導電体（３）を省略することもできる。この場
合、絶縁薄膜（１７）としては５ｉ０２膜より構成し得
る。また、非磁性材料層（国と磁性層（７）及び（８）
との間が電気的に絶縁されることが望まれる場合にはＡ
Ｑによる非磁性料層０＆の表面を酸化して不導体化する
。
縁性を有する５ｉｎ２である場合について説明したが、
成る場合は、こ・の非磁性材Ｊ？４（１８１を、Ａｇ等
の導電性を有する材料より構成し、この非磁性料層Ｕψ
をバイアス導電体として兼ねしめ、第３図及び第４図で
説明した導電体（３）を省略することもできる。この場
合、絶縁薄膜（１７）としては５ｉ０２膜より構成し得
る。また、非磁性材料層（国と磁性層（７）及び（８）
との間が電気的に絶縁されることが望まれる場合にはＡ
Ｑによる非磁性料層０＆の表面を酸化して不導体化する
。
第５図は磁性基体（１１に溝Ｑ、９１を設け、これに非
磁性絶縁＋ｔ ｔＪが充填された構成を採る場合に本発
明を適用した例で第５図において第３図と対応する部分
には同一符号を伺して車数説明を省略する。
磁性絶縁＋ｔ ｔＪが充填された構成を採る場合に本発
明を適用した例で第５図において第３図と対応する部分
には同一符号を伺して車数説明を省略する。
ここに絶縁薄膜ｔ１７１としてはＡＦ！２ｏ３ Ｈ９膜
を用い、非磁性層（１８１としては５ｉＯｚ層を用いる
ことができる。
を用い、非磁性層（１８１としては５ｉＯｚ層を用いる
ことができる。
尚、上述した例は、磁気回路が閉（ＩＦ！を路を形成す
るようにした場合であるが基体ｆｌｌが、非磁性体より
成る開磁路構成を採るＭ Ｉｔヘッドをイケる場合に本
発明を適用することができる。
るようにした場合であるが基体ｆｌｌが、非磁性体より
成る開磁路構成を採るＭ Ｉｔヘッドをイケる場合に本
発明を適用することができる。
発明の効果
上述したように、本発明製法に、よれば、磁性層（７）
及び（８）を形成する磁性層に対する選択的エツチング
工程において、そのＭＲ水素子５）上の磁性層がエツチ
ング除去されるべき部分に、非磁性層Ｑ８１を形成した
ので、仮りに過剰エツチングが生じても非磁性層（１８
１の存在によってこのエツチングがＭＲ水素子５）をエ
ツチングしてしまうおそれが回避される。したがって磁
気回路をオフ４成するＭＲ水素子５）と磁性層（７）及
び（８）間に介在させる絶縁薄膜（１７１を充分薄くす
ることができ、これによって磁気回路の磁気抵抗を充分
小さくすることができ、感度向上をはかることができる
。そしてこのように絶縁尚ＩＩ！αＢの厚さを充分薄く
するにもかかわらず、過剰エツチングによってＭＲ水素
子５１を侵かすおそれがないので、信頼性の向上及び歩
留りの向上をもはかることができるのである。
及び（８）を形成する磁性層に対する選択的エツチング
工程において、そのＭＲ水素子５）上の磁性層がエツチ
ング除去されるべき部分に、非磁性層Ｑ８１を形成した
ので、仮りに過剰エツチングが生じても非磁性層（１８
１の存在によってこのエツチングがＭＲ水素子５）をエ
ツチングしてしまうおそれが回避される。したがって磁
気回路をオフ４成するＭＲ水素子５）と磁性層（７）及
び（８）間に介在させる絶縁薄膜（１７１を充分薄くす
ることができ、これによって磁気回路の磁気抵抗を充分
小さくすることができ、感度向上をはかることができる
。そしてこのように絶縁尚ＩＩ！αＢの厚さを充分薄く
するにもかかわらず、過剰エツチングによってＭＲ水素
子５１を侵かすおそれがないので、信頼性の向上及び歩
留りの向上をもはかることができるのである。
第１図及び第２図は従来製法によって得た尚脱型磁気ヘ
ッドの要部の拡大断面図及び拡大平面図、第３図及び第
４図は本発明による薄膜型磁気ヘッドの製法の一例によ
って得た磁気ヘッドの要部の拡大断面図及び拡大平面図
、第５図は本発明製法の他の例による磁気ヘッドの要部
の拡大１面図である。 （１）は基体、（３）は導電体、（５１はＭＲ水素子（
７；及び（８）は磁性層、ｕｎは絶縁薄膜、（１８１は
非磁性層である。 同 松 隈 秀 盛 ・ 、、１．ｌ 、、：′□ ■ ■ 第４図 第５図
ッドの要部の拡大断面図及び拡大平面図、第３図及び第
４図は本発明による薄膜型磁気ヘッドの製法の一例によ
って得た磁気ヘッドの要部の拡大断面図及び拡大平面図
、第５図は本発明製法の他の例による磁気ヘッドの要部
の拡大１面図である。 （１）は基体、（３）は導電体、（５１はＭＲ水素子（
７；及び（８）は磁性層、ｕｎは絶縁薄膜、（１８１は
非磁性層である。 同 松 隈 秀 盛 ・ 、、１．ｌ 、、：′□ ■ ■ 第４図 第５図
Claims (1)
- 基体上に薄膜磁気抵抗効果素子を形成する工程と、これ
の上に絶縁薄膜を形成する工程と、該絶縁薄膜上にこれ
とエツチング性に差異を有する非磁性材料層を選択的に
形成する工程と、該材料層上を含んで磁性層を形成する
工程と、該磁性層を選択的にエツチングする工程とを経
て上記磁気抵抗効果素子上にお℃・て不連続部を有し該
不連続部が上記磁気抵抗効果素子によって磁気的に結合
されて上記磁性層と上記値気抵抗効呆素子とを含む磁気
回路が形成されて成る磁気ヘッドを得ることを特徴とす
る薄膜型脩気ヘッドの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3638684A JPS60182007A (ja) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | 薄膜型磁気ヘッドの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3638684A JPS60182007A (ja) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | 薄膜型磁気ヘッドの製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60182007A true JPS60182007A (ja) | 1985-09-17 |
Family
ID=12468404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3638684A Pending JPS60182007A (ja) | 1984-02-28 | 1984-02-28 | 薄膜型磁気ヘッドの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60182007A (ja) |
-
1984
- 1984-02-28 JP JP3638684A patent/JPS60182007A/ja active Pending
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