JPH09237408A

JPH09237408A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッドおよびその製造方法

Info

Publication number: JPH09237408A
Application number: JP4380096A
Authority: JP
Inventors: Toshihiko Yaoi; 俊彦矢追; Masafumi Takiguchi; 雅史瀧口; Yuko Ochiai; 祐子落合; Akihiko Okabe; 明彦岡部
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1996-02-29
Filing date: 1996-02-29
Publication date: 1997-09-09

Abstract

(57)【要約】【課題】電極の電気抵抗を増大させることなく、ヘッ
ド構成素子を薄くできるような構造を有するＭＲヘッド
を提供する。また、このようなＭＲヘッドの好適な製造
方法を提供する【解決手段】ＭＲ素子１０よりなる感磁部１と、該感
磁部１の両端に接合され少なくとも磁区制御膜１２と第
１の電極膜１３とからなる積層部２とが、磁気記録媒体
との対接面に臨んで形成されてなり、積層部２は、感磁
部１との接合部分２ａから離れた位置にて、該積層部２
における第１の電極膜１３よりも膜厚の大きな第２の電
極膜１４よりなる主電極部３と電気的に接続されてい
る。なお、主電極部３の膜厚は、積層部２の膜厚に略等
しくなされ、非磁性の絶縁膜を介してフェライトよりな
る一対の磁気シールド板４にて挟み込む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、特に磁気記録媒体
に摺動させて使用できる磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関
し、また、この磁気抵抗効果型磁気ヘッドの好適な製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲ
ヘッドと称する。）は、磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ
素子と称する。）の電気抵抗が磁気記録媒体から漏れ出
る信号磁化の方向によって変化する現象を利用して、該
磁気記録媒体上の磁気的信号を電気的信号に変換するも
のである。このため、ＭＲヘッドは、ＭＲ素子の両端に
それぞれ電極が設けられ、この電極間にセンス電流を流
せるような構成となされている。ＭＲヘッドとしては、
磁気記録媒体との対接面に対して垂直方向にセンス電流
を流す、いわゆる縦型のＭＲヘッドと、磁気記録媒体と
の対接面に対して平行方向にセンス電流を流す、いわゆ
る横型のＭＲヘッドとがある。

【０００３】これらＭＲヘッドは、短波長感度に優れて
いることから、小型化、高容量化が要求されるハードデ
ィスク・ドライブ装置等の高密度記憶装置用の磁気ヘッ
ドとして一般的に使用されている。

【０００４】ところで、ＭＲヘッドの読み取り分解能を
高めるためには、読み取るべきトラック部分からの信号
磁化以外の磁束を吸収して、ノイズを防止する必要があ
る。このため、ＭＲヘッドにおいては、一般に、ＭＲ素
子を軟磁性材料よりなる磁気シールド（以下、磁気シー
ルド膜と称す。）で挟み込んだ構成となされている。こ
の磁気シールド膜としては、パーマロイやＣｏＴａＺｒ
アモルファス等の金属軟磁性膜が用いられている。

【０００５】図１１に、磁気シールド膜１２４を備えた
ＭＲヘッドの一構成例を示す。このＭＲヘッドは、いわ
ゆる横型であり、ＭＲ素子１１０の両端に、該ＭＲ素子
の磁区を安定化させるための磁区制御膜１１２と、ＭＲ
素子１１０にセンス電流を供給するための電極膜１１３
とが接合するような構造（以下、このような構造をサイ
ドコンタクト構造と称す。）を有するものである。この
ようなＭＲヘッドは、下層磁気シールド膜１２５が形成
された上に、第１の非磁性絶縁膜１０６を介して、横バ
イアス膜１０７や磁気抵抗効果膜１０９等よりなるＭＲ
素子１１０、磁区制御膜１１２、電極膜１１３等、ＭＲ
ヘッドの主要部を構成する素子（以下、ヘッド構成素子
と称す。）をフォトリソグラフィによって形成し、その
後、第２の非磁性絶縁膜１１５を介して上層磁気シール
ド膜１２６を成膜することによって作製できる。

【０００６】このように金属軟磁性膜よりなる磁気シー
ルド膜１２４を備えたＭＲヘッドにおいては、ヘッド構
成素子の表面形状に追従して、第２の非磁性絶縁膜１１
５、上層磁気シールド膜１２６が成膜されるため、ＭＲ
素子１１０と上層磁気シールド膜１２６とのギャップ長
が、第２の非磁性絶縁膜１１５の膜厚のみによって制御
される。したがって、狭ギャップ化が容易であり、読み
取り分解能の向上を図ることができる。

【０００７】しかしながら、上述したような磁気シール
ド膜１２４を有するＭＲヘッドは、ハードディスク・ド
ライブ装置のように磁気記録媒体から浮上させた状態で
用いられるには非常に好適なものではあるが、磁気テー
プ用ドライブ装置のように磁気記録媒体に摺動する場合
に、次のような問題が生じる。先ず、金属軟磁性膜より
なる磁気シールド膜１２４は磁気テープとの摺動によっ
て摩耗しやすいため、ＭＲヘッドの寿命が短くなるとい
う問題がある。また、ＭＲヘッドにおける磁気テープと
の摺動面に導電性の異物が付着すると、磁気シールド膜
１２４とＭＲ素子１１０や電極膜１１３との間でショー
トが起こり、安定した出力が得られなくなるという問題
もある。

【０００８】そこで、金属軟磁性膜よりなる磁気シール
ド膜１２４の代わりに、図１２に示されるように、耐摩
耗性に優れ、軟磁性で実質的に絶縁体である基板よりな
る磁気シールド（以下、磁気シールド板と称す。）１０
４を用いて、ＭＲ素子１１０等のヘッド構成素子を挟み
込むことが考えられる。このような磁気シールド板１０
４としては、例えばフィライト基板が挙げられる。この
ような磁気シールド板１０４は、耐摩耗性に優れている
ため、ＭＲヘッドの寿命を延ばすことができ、また、絶
縁体であるため、ＭＲ素子１１０や電極膜１１３との間
でショートする虞れもない。

【０００９】磁気シールド板１０４によってヘッド構成
素子を挟み込むには、下層磁気シールド板１０５上に、
第１の非磁性絶縁膜１０６を介してＭＲ素子１１０等の
ヘッド構成素子を形成し、その後、第２の非磁性絶縁膜
１１５を介して上層磁気シールド板１１６を張り合わせ
ればよい。図１１に示されるＭＲヘッドにおいては、第
２の非磁性絶縁膜１１５のピンホール等によってＭＲ素
子１１０や電極膜１３と上層磁気シールド膜１２６とが
ショートする虞れがあるが、図１２に示されるＭＲヘッ
ドにおいては、上層磁気シールド板１１５を張り合わせ
るため、上述のピンホールを原因とするショートが生ず
ることはなく、歩留まりが向上する。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１２
に示されるＭＲヘッドにおいては、上層磁気シールド板
１１６はヘッド構成素子の表面形状に追従するものでは
ないため、ＭＲ素子１１０と上層磁気シールド板１１６
とのギャップ長は、第２の非磁性絶縁膜１１５の膜厚の
みで制御できず、ヘッド構成素子全体の厚さによって決
定されることとなる。このため、狭ギャップ化を図りた
い場合には、図１２に示されるように、電極膜１１３の
膜厚を薄くせざるを得ない。

【００１１】一方、ＭＲ素子１１０の実効的な抵抗変化
率を高めるには、電極部分の電気抵抗を下げる必要があ
る。このため、実際には、電極膜１１３の薄膜化には限
界があった。したがって、サイドコンタクト構造を有す
るＭＲヘッドに、フェライト基板等よりなる磁気シール
ド板１０４を用いる場合、十分な狭ギャップ化を図るこ
とができず、読み取り分解能の大幅な向上は望めなかっ
た。

【００１２】そこで、本発明は、かかる従来の実情を鑑
みて、電極の電気抵抗を増大させることなく、ヘッド構
成素子を薄くできるような構造を有するＭＲヘッドを提
供することを目的とする。また、このようなＭＲヘッド
の好適な製造方法を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明に係るＭＲヘッド
は、上述の目的を達成するものであり、ＭＲ素子よりな
る感磁部と、該感磁部の両端に接合され少なくとも磁区
制御膜と電極膜とからなる積層部とが、磁気記録媒体と
の対接面に臨んで形成されてなり、前記積層部は、前記
感磁部との接合部分から離れた位置にて、該積層部にお
ける電極膜よりも膜厚の大きな電極膜よりなる主電極部
と電気的に接続されているものである。

【００１４】即ち、本発明は、いわゆるサイドコンタク
ト構造を有する、横型のＭＲヘッドに適用されるもので
ある。そして、感磁部との接合部分近傍においては所定
の膜厚を有する磁区制御膜が必要であるが、感磁部との
接合部分から離れた位置では磁区制御膜が不要となるこ
とから、感磁部との接合部分近傍においては電極膜を薄
く形成し、感磁部との接合部分から離れた位置では膜厚
の大きな電極膜を形成する。これにより、電極の電気抵
抗を増大させることなく、ヘッド構成素子全体の厚みを
薄くすることができるようになる。

【００１５】ここで、前記主電極部の膜厚は、前記積層
部の膜厚に略等しくなされて好適である。これにより、
ヘッド構成素子全体が平坦化されるため、板状の磁気シ
ールド材によって挟み込むことが容易となる。具体的に
は、非磁性の絶縁膜を介し、フェライトよりなる一対の
磁気シールド板にて、ヘッド構成素子を挟み込めばよ
い。フェライトは、硬く、耐摩耗性に優れているため、
これを磁気シールド基板として用いたＭＲヘッドは、磁
気記録媒体に摺動させて使用することができるようにな
る。また、磁気シールド基板が絶縁体であるため、磁気
記録媒体との摺動面に導電性の異物が付着してもショー
トが起こらない。

【００１６】なお、本発明を適用すると、上述したよう
に、電極の電気抵抗を下げずにヘッド構成素子全体の厚
みを薄くすることができるため、磁気シールド板がヘッ
ド構成素子の表面形状に追従しなくとも、十分な狭ギャ
ップ化を図ることができるようになる。

【００１７】また、前記積層部と前記主電極部との接合
部分においては、前記積層部がテーパー化され、前記主
電極部が該積層部のテーパー上に重なるように形成され
て好適である。このようにすることによって、前記積層
部における電極膜と前記主電極部における電極膜との接
触面積を拡大することができるため、電気的な接続を確
実とすることができるようになる。

【００１８】ここで、前記積層部と前記主電極部との接
合部分は、前記磁気記録媒体との対接面に臨むごとく形
成されてもよいし、前記磁気記録媒体との対接面から後
退した位置に形成されてもよい。

【００１９】本願では、以上のような構成を有するＭＲ
ヘッドの好適な製造方法についても提案する。即ち、本
発明に係るＭＲヘッドの製造方法は、基板上に、磁気抵
抗効果素子よりなる感磁部と、該感磁部の両端に接合さ
れ少なくとも磁区制御膜と第１の電極膜とからなる積層
部とを、磁気記録媒体との対接面となる端面に臨むごと
く形成した後、前記感磁部から前記積層部の一部に亘る
所定領域を被覆するレジストマスクを形成する工程と、
前記レジストマスクを介したエッチングにより、前記積
層膜をパターニングする工程と、前記レジストマスクを
残存させたまま、前記第１の電極膜よりも大きな膜厚を
有する第２の電極膜を成膜する工程と、前記レジストマ
スクを除去する工程と、前記第２の電極膜をパターニン
グして、前記積層部に電気的に接続する主電極部を形成
する工程とを経るものである。

【００２０】このとき、前記主電極部を、前記積層部の
膜厚と略等しくなるように形成して好適である。

【００２１】また、前記基板として、非磁性の絶縁膜が
形成されたフェライトよりなる磁気シールド板を用い、
前記主電極部を形成後、さらに非磁性の絶縁膜を介して
フェライトよりなる磁気シールド板を張り合わせて好適
である。これにより、ヘッド構成素子がゲライトよりな
る一対の磁気シールド板に挟み込まれることとなる。

【００２２】さらに、前記積層膜をパターニングするに
際しては、前記レジストマスクを断面逆テーパー形状に
形成し、前記エッチングとして斜め方向からのイオン・
エッチングを行うことにより、前記積層膜が断面テーパ
ー形状となるようにして好適である。

【００２３】ここで、前記積層部と前記主電極部との接
合部分を、前記磁気記録媒体との対接面となる端面に臨
むごとく形成しても、前記磁気記録媒体との対接面とな
る端面から後退した位置に形成してもよく、これは、形
成するレジストマスクのパターンによって決定すること
ができる。

【００２４】本発明を適用すると、前述したようなＭＲ
ヘッドを、効率的に、寸法精度よく製造することができ
るようになる。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について、図面を参照しながら詳細に説明する。

【００２６】第１の実施の形態先ず、本発明を適用したＭＲヘッドの一構成例につい
て、図１および図２を用いて説明する。

【００２７】このＭＲヘッドは、図１に磁気記録媒体と
の対接面から見た平面図、図２にその要部の斜視図を示
すように、ＭＲ素子１０よりなる感磁部１、該感磁部１
の両端に接合され磁区制御膜１２および第１の電極膜１
３を備えた積層部２とが、磁気記録媒体との対接面に臨
んで形成されてなるものであり、積層部２は、感磁部１
との接合部分２ａから離れた位置にて、第１の電極膜１
３よりも膜厚の大きな第２の電極膜１４を備えた主電極
部３と電気的に接続されている。即ち、このＭＲヘッド
においては、ＭＲ素子１０の両端に磁区制御膜１２およ
び第１の電極膜１３が接合して、サイドコンタクト構造
をなし、さらに、第１の電極膜１３の他端には第２の電
極膜１４が接合して、もう１つのサイドコンタクト構造
をなしている。また、これら感磁部１、積層部２、主電
極部３等のヘッド構成素子は、ＮｉＺｎフェライトより
なる一対の磁気シールド板４に挟み込まれている。

【００２８】感磁部１は、下層側の磁気シールド板（下
層磁気シールド板）５上のＳｉＯ₂よりなる第１の非磁
性絶縁膜６を介して、図示しないＴａよりなる下地膜、
ＮｉＦｅＮｂよりなる横バイアス膜７、Ｔａよりなる中
間分離膜８、ＮｉＦｅよりなる磁気抵抗効果膜９がこの
順に積層されなる。なお、ここでは、第１の非磁性絶縁
膜６の膜厚は１００ｎｍ、下地膜の膜厚は５ｎｍ、横バ
イアス膜７の膜厚は４０ｎｍ、中間分離膜８の膜厚は１
５ｎｍ、磁気抵抗効果膜９は４０ｎｍとされ、これらの
積層体をＭＲ素子１０と称するものとする。

【００２９】積層部２は、感磁部１と同じく下層磁気シ
ールド板５上の第１の非磁性絶縁膜６を介して、Ｃｒよ
りなる下地膜１１、ＣｏＰｔＣｒよりなる磁区制御膜１
２、Ａｕよりなる第１の電極膜１３がこの順に積層され
てなる。なお、下地膜１１の膜厚は２０ｎｍ、磁区制御
膜１２の膜厚は６０ｎｍ、第１の電極膜１３の膜厚は７
０ｎｍである。そして、この積層部２は、感磁部１との
接合部分２ａにおいて、磁気抵抗効果膜９より下側、上
側がそれぞれ感磁部１から離れる方向にテーパー化され
ている。一方、主電極部３との接合部分２ｂは、上側か
ら下側に向かって裾広がりとなるようにテーパー化され
ている。なお、この主電極部３との接合部分２ｂも、感
磁部１との接合部分２ａと同様、磁気記録媒体との対接
面に臨むごとく形成されている。

【００３０】主電極部３は、感磁部１および積層部２と
同じく下層磁気シールド板５上の第１の非磁性絶縁膜６
を介して、Ａｕよりなる第２の電極膜１４が、積層部２
の厚さと等しい膜厚、即ち、１５０ｎｍにて、磁気記録
媒体との対接面に垂直な方向に伸びるごとく形成されて
なる。なお、積層部２との接合部分３ａにおいては、積
層部２のテーパー化された部分の上に重なるように第２
の電極膜１４が形成され、積層部２から主電極部３に亘
る上面は平坦化されている。

【００３１】そして、これら感磁部１、積層部２、主電
極部３等のヘッド構成素子の上には、第２の非磁性絶縁
膜１５を介して、上層側の磁気シールド板（上層磁気シ
ールド板）１６が設けられている。

【００３２】本実施の形態に係るＭＲヘッドにおいて
は、膜厚が小さな第１の電極膜１３が形成された積層部
２と、膜厚が大きな第２の電極膜１４が形成された主電
極部４とが接合された構成となされているため、ヘッド
構成素子全体の厚みが薄くても、電極全体としての電気
抵抗を増大させることがない。具体的には、電極全体と
しての電気抵抗は３０Ωに抑えることができた。

【００３３】さらに、このＭＲヘッドにおいては、ヘッ
ド構成素子全体が平坦化されているため、板状の磁気シ
ールド材、即ち、磁気シールド板４によって挟み込むこ
とができる。フェライト基板は、硬く、耐摩耗性に優れ
ているため、これを磁気シールド基板４として用いる
と、磁気記録媒体に摺動させて使用することができる。
さらに、この磁気シールド板４は絶縁体であるため、磁
気記録媒体との摺動面に導電性の異物が付着してもショ
ートが起こらない。

【００３４】そして、このＭＲヘッドにおいては、ヘッ
ド構成素子全体の厚みを薄くできるため、磁気抵抗効果
膜９と上層磁気シールド板１６との間のギャップ（以
下、上層ギャップｇ₂と称す。）を狭くすることができ
る。ここでは、上層ギャップｇ₂を１６０ｎｍとするこ
とができた。なお、下層磁気シールド板５と磁気抵抗効
果膜９との間隔（下層ギャップｇ₁）は、第１の非磁性
絶縁膜６と、ＭＲ素子１０のうち磁気抵抗効果膜９より
下層の膜との合計によって規定されている。

【００３５】なお、このＭＲヘッドにおいては、積層部
２が、感磁部１との接合部分２ａにおいても、主電極部
３との接合部分２ｂにおいてもテーパー化がなされてい
るが、このテーパの長さについては、次のようにして規
定されている。感磁部１との接合部分２ａにおけるテー
パーの長さｔ_aは、ＭＲ素子１０と第１の電極膜との電
気的な接続をとる観点からは長くすることが好ましい
が、長くなるほどＭＲ素子１０内で磁気抵抗効果膜９に
対する横バイアス膜７との面積比が大きくなってしま
い、磁気的信頼性が劣化する。したがって、両者のバラ
ンスを鑑みて、テーパーの長さｔ_aは、ＭＲ素子１０の
厚みの１〜５倍程度に設定されて好適である。一方、主
電極部３との接合部分２ｂにおけるテーパーの長さｔ_b
は、長いほど、積層部２における第１の電極膜１３と主
電極部３における第２の電極膜１４との接触面積を拡大
することができ、電気的接続を確実にとることができる
ようになることから、ＭＲ素子１０の厚みの１〜１０倍
程度に設定されて好適である。なお、本実施の形態にお
いては、感磁部１との接合部分２ａにおけるテーパーの
長さｔ_aをＭＲ素子１０の厚みの１倍、主電極部３との
接合部分２ｂにおけるテーパーの長さｔ_bをＭＲ素子１
０の厚みの５倍とした。

【００３６】なお、以上のような構成を有するＭＲヘッ
ドは、磁気抵抗効果膜９の下層側に横バイアス膜７が設
けられ、横バイアス磁界を印加できるとともに、感磁部
１の両端に磁区制御膜１２が配され、縦バイアス磁界を
印加できるような構成となされているため、磁気抵抗効
果膜９の磁区が安定化され、バルクハウゼンノイズの抑
制が図られている。

【００３７】ところで、本発明に係るＭＲヘッドは、上
述した実施の形態に限定されるものではないことは言う
までもなく、種々の変形変更が可能である。変形例のＭ
Ｒヘッドについて、要部の斜視図を図３に示す。なお、
ここでは、図１および図２に示されたＭＲヘッドと共通
する部材については共通符号を付し、重複説明を省略す
る。このＭＲヘッドは、感磁部１、積層部２、主電極部
３のそれぞれの構成においては図１および図２に示され
たＭＲヘッドと同様であるが、積層部２と主電極部３と
の接合部分が、磁気記録媒体との対接面から後退した位
置とされており、主電極部３は磁気記録媒体との対接面
に表れない構成となされている。

【００３８】即ち、このＭＲヘッドにおいては、磁気記
録媒体との対接面と垂直な側面側から見たときに、積層
部２における主電極部３との接合部分２ｂが、上側から
下側に向かって裾広がりとなるようにテーパー化されて
いる。また、主電極部３では、積層部２のテーパー部の
上に重なるように第２の電極膜１４が形成されている。
そして、このような構成を有するＭＲヘッドにおいて
も、図１および図２に示されたＭＲヘッドと同様の効果
を奏する。

【００３９】ここで、比較のため、膜厚が大きな第２の
電極膜１４が形成された主電極部４が接合されない構成
のＭＲヘッドの特性を調べた。具体的には、図１２に示
されるように、膜厚の小さな電極膜１１３が、そのまま
磁気記録媒体との対接面に垂直方向に引き回されている
以外は上述した実施の形態に係るＭＲヘッドと同様の構
成を有するＭＲヘッドを用意した。このＭＲヘッドは、
ヘッド構成素子の厚みは上述した実施の形態に係るＭＲ
ヘッドと同じであるが、膜厚が大きな電極膜部分を有さ
ないため、電極膜１１３の電気抵抗が４２Ωに増大して
しまっていることがわかった。

【００４０】また、比較のため、電極膜の膜厚は十分で
あるが、磁気シールドとして金属軟磁性膜を用いたＭＲ
ヘッドの特性を調べた。具体的には、図１１に示される
ように、電極膜１１３を１５０ｎｍなる膜厚にて引き回
し、パーマロイよりなる磁気シールド膜１１４にてヘッ
ド構成素子を挟み込んだＭＲヘッドを用意した。このＭ
Ｒヘッドにおいては、上層ギャップｇ₂が第２の非磁性
絶縁膜１１５の膜厚のみによって制御できるため、該上
層ギャップｇ₂に左右されずに電極膜１１３の膜厚を確
保でき、電極膜１１３の電気抵抗は３０Ωに抑えること
ができた。しかしながら、このＭＲヘッドを磁気記録媒
体に摺動させながら用いると、磁気シールド膜１１４が
摩耗して、ＭＲヘッドの寿命を確保することが困難であ
った。また、磁気シールド膜１１４が導電性であるた
め、磁気記録媒体との対接面に導電性の異物が付着する
と、ショートが起こり、出力が不安定となった。

【００４１】第２の実施の形態以下、本発明に係るＭＲヘッドの製造方法の一例につい
て説明する。ここでは、実際に、前述した図１および図
２に示されたＭＲヘッドを製造した例について、図４〜
図１０を用いて説明する。

【００４２】先ず、図４に示されるように、ＮｉＺｎフ
ェライトよりなる下層磁気シールド板５上に、スパッタ
法によってＳｉＯ₂膜よりなる第１の非磁性絶縁膜６
（１００ｎｍ厚）を全面に亘って形成した後、図示しな
いＴａよりなる下地膜（５ｎｍ）、ＮｉＦｅＮｂよりな
る横バイアス膜７（４０ｎｍ）、Ｔａよりなる中間分離
膜８（１５ｎｍ）、ＮｉＦｅよりなる磁気抵抗効果膜９
（４０ｎｍ）をこの順に成膜することによってＭＲ素子
１０を形成し、さらにこの上に、所望のトラック幅に相
当する幅を有する第１のレジストマスク２０を形成し
た。なお、この第１のレジストマスク２０は、フォトリ
ソグラフィによってパターニングされ、断面逆テーパー
形状に形成されている。

【００４３】そして、第１のレジストマスク２０を介し
て、斜め方向からイオン・エッチングを行うことによ
り、図５に示されるように、ＭＲ素子１０を上側から下
側に向かって裾広がりとなるテーパー状にパターニング
し、感磁部１を形成した。なお、ここでは、テーパーの
長さｔ_aをＭＲ素子１０の厚み（１００ｎｍ）と同じと
した。

【００４４】続いて、図６に示されるように、第１のレ
ジストマスク２０を残存させたまま、Ｃｒよりなる下地
膜１１（２０ｎｍ）、ＣｏＰｔＣｒよりなる磁区制御膜
１２（６０ｎｍ）、Ａｕよりなる第１の電極膜１３（７
０ｎｍ）をこの順に成膜した。なお、これらの膜が積層
されている部分を積層部２と称す。この積層部２は、Ｍ
Ｒ素子１０表面よりも下側では、該ＭＲ素子１０のテー
パーの上に重なるように形成される。また、この積層部
２の厚さ（１５０ｎｍ）は感磁部１の膜厚より大きいた
め、積層部２におけるＭＲ素子１０表面よりも上側は、
第１のレジストマスク２０の形状に追従して、ＭＲ素子
１０表面よりも下側とは逆方向のテーパー形状となる。
これにより、この積層部２は、感磁部１との接合部分２
ａにおいて、ＭＲ素子１０表面より上側と下側でそれぞ
れ感磁部１から離れる方向にテーパー化されることにな
る。

【００４５】その後、第１のレジストマスク２０を除去
してから、図７に示されるように、感磁部１から積層部
２の一部に亘る所定領域を被覆するごとく第２のレジス
トマスク２１を形成した。この第２のレジストマスク２
１も、フォトリソグラフィによってパターニングされた
ものであり、断面逆テーパー形状に形成されている。

【００４６】そして、第２のレジストマスク２１を介し
て、斜め方向からイオン・エッチングを行うことによ
り、図８に示されるように、積層部２を上側から下側に
向かって裾広がりとなるテーパー状にパターニングし
た。なお、ここでは、テーパーの長さｔ_bをＭＲ素子１
０の厚みの５倍とした。

【００４７】続いて、図９に示されるように、第２のレ
ジストマスク２１を残存させたまま、Ａｕよりなる第２
の電極膜１４（１５０ｎｍ）を成膜して主電極部３を形
成した。なお、この主電極部３は、積層部２のテーパー
の上に重なるように形成され、積層部２から主電極部３
に亘る上面は、平坦化されている。

【００４８】その後、図１０および図２に示されるよう
に、第２のレジストマスク２１を除去し、感磁部１、積
層部２、主電極部３を最終的な平面形状にパターニング
した。そして、第２の非磁性絶縁膜１５を全面に亘って
成膜した後、上層磁気シールド板１６を接着することに
よって、図１に示されるＭＲヘッドを得た。

【００４９】以上のようにしてＭＲヘッドを製造する
と、磁気抵抗効果膜９に対して横バイアス磁界と縦バイ
アス磁界を同時に印加できる構成のＭＲヘッドを効率的
に寸法精度よく製造することができる。また、電極全体
の電気抵抗を増大させることなく、ヘッド構成素子全体
の厚みを薄くすることができる。さらに、ヘッド構成素
子全体を平坦化することができるため、上層磁気シール
ド板１６の接着が容易となる。そして、耐摩耗性に優
れ、また絶縁体である磁気シールド板４にてヘッド構成
素子を挟み込めるため、磁気記録媒体に摺動可能なＭＲ
ヘッドを得ることができる。さらに、ヘッド構成素子全
体の厚みを薄くできることにより、上層ギャップｇ₂を
狭くすることも可能となる。なお、積層部２における主
電極部３との接合部分２ｂをテーパー化することによ
り、第１の電極膜１３と第２の電極膜１４との電気的接
続を確実にすることもできる。

【００５０】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明を適用すると、電極の電気抵抗を増大させることな
く、ヘッド構成素子全体の厚みを薄くすることができ
る。そして、ヘッド構成素子全体を平坦化することがで
きるため、耐摩耗性に優れ、また絶縁体である板状の磁
気シールド材にて挟み込むことができるようになり、磁
気記録媒体に摺動可能なＭＲヘッドを得ることができ
る。さらに、ヘッド構成素子全体の厚みを薄くできるこ
とにより、上層ギャップｇ₂を狭くすることも可能とな
る。

【００５１】したがって、本発明を適用すると、耐久性
に優れ、安定した出力が得られ、また、読み取り分解能
の高いＭＲヘッドを提供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るＭＲヘッドの一構成例について磁
気記録媒体との対接面から見た側面図である。

【図２】図１のＭＲヘッドの要部を示す斜視図である。

【図３】本発明に係るＭＲヘッドの他の構成例について
磁気記録媒体との対接面から見た側面図である。

【図４】図１のＭＲヘッドの製造工程を示すものであ
り、下層磁気シールド板上に第１の非磁性絶縁膜を介し
てＭＲ素子を形成した後、第１のレジストマスクを形成
した状態を示す側面図である。

【図５】図４における第１のレジストマスクを介してＭ
Ｒ素子を斜め方向からエッチングして感磁部を形成した
状態を示す側面図である。

【図６】図５における第１のレジストマスクを介して積
層部を形成した状態を示す側面図である。

【図７】図６における感磁部と積層部の一部を被覆する
第２のレジストマスクを形成した状態を示す側面図であ
る。

【図８】図７における第２のレジストマスクを介して積
層部を斜め方向からエッチングした状態を示す側面図で
ある。

【図９】図８における第２のレジストマスクを介して主
電極部を形成した状態を示す側面図である。

【図１０】図９における第２のレジストマスクを除去し
て、ヘッド構成素子を最終的な平面形状のパターニング
した状態を示す側面図である。

【図１１】従来のＭＲヘッドの一構成例について磁気記
録媒体との対接面から見た側面図である。

【図１２】従来のＭＲヘッドの一構成例について磁気記
録媒体との対接面から見た側面図である。

【符号の説明】

１感磁部、２積層部、３主電極部、４磁
気シールド板、５下層磁気シールド板、６第１の
非磁性絶縁膜、１０ＭＲ素子、１２磁区制御膜、
１３第１の電極膜、１４第２の電極膜、１５
第２の非磁性絶縁膜、１６上層磁気シールド板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者岡部明彦東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気抵抗効果素子よりなる感磁部と、該
感磁部の両端に接合され少なくとも磁区制御膜と電極膜
とからなる積層部とが、磁気記録媒体との対接面に臨ん
で形成されてなり、前記積層部は、前記感磁部との接合部分から離れた位置
にて、該積層部における電極膜よりも膜厚の大きな電極
膜よりなる主電極部と電気的に接続されていることを特
徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項２】前記主電極部の膜厚は、前記積層部の膜
厚に略等しいことを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗
効果型磁気ヘッド。
【請求項３】非磁性の絶縁膜を介して、フェライトよ
りなる一対の磁気シールド板にて、挟み込まれているこ
とを特徴とする請求項２記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド。
【請求項４】前記積層部と前記主電極部との接合部分
においては、前記積層部がテーパー化され、前記主電極
部が該積層部のテーパー上に重なるように形成されてい
ることを特徴とする請求項２記載の磁気抵抗効果型磁気
ヘッド。
【請求項５】前記積層部と前記主電極部との接合部分
が、前記磁気記録媒体との対接面に臨むごとく形成され
ていることを特徴とする請求項２記載の磁気抵抗効果型
磁気ヘッド。
【請求項６】前記積層部と前記主電極部との接合部分
が、前記磁気記録媒体との対接面から後退した位置に形
成されていることを特徴とする請求項２記載の磁気抵抗
効果型磁気ヘッド。
【請求項７】基板上に、磁気抵抗効果素子よりなる感
磁部と、該感磁部の両端に接合され少なくとも磁区制御
膜と第１の電極膜とからなる積層部とを、磁気記録媒体
との対接面となる端面に臨むごとく形成した後、前記感磁部から前記積層部の一部に亘る所定領域を被覆
するレジストマスクを形成する工程と、前記レジストマスクを介したエッチングにより、前記積
層膜をパターニングする工程と、前記レジストマスクを残存させたまま、前記第１の電極
膜よりも大きな膜厚を有する第２の電極膜を成膜する工
程と、前記レジストマスクを除去する工程と、前記第２の電極膜をパターニングして、前記積層部に電
気的に接続される主電極部を形成する工程とを経ること
を特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法。
【請求項８】前記主電極部を、前記積層部の膜厚と略
等しく形成することを特徴とする請求項７記載の磁気抵
抗効果型磁気ヘッドの製造方法。
【請求項９】前記基板として、非磁性の絶縁膜が形成
されたフェライトよりなる磁気シールド板を用い、前記
主電極部を形成後、さらに非磁性の絶縁膜を介してフェ
ライトよりなる磁気シールド板を張り合わせることを特
徴とする請求項８記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製
造方法。
【請求項１０】前記レジストマスクを断面逆テーパー
形状に形成し、前記エッチングとして斜め方向からのイ
オン・エッチングを行うことにより、前記積層膜を断面
テーパー形状にパターニングすることを特徴とする請求
項８記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１１】前記積層部と前記主電極部との接合部
分が、前記磁気記録媒体との対接面となる端面に臨むご
とく形成されることを特徴とする請求項８記載の磁気抵
抗効果型磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１２】前記積層部と前記主電極部との接合部
分が、前記磁気記録媒体との対接面となる端面から後退
した位置に形成されることを特徴とする請求項８記載の
磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法。