JPH09153206A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH09153206A JPH09153206A JP31336495A JP31336495A JPH09153206A JP H09153206 A JPH09153206 A JP H09153206A JP 31336495 A JP31336495 A JP 31336495A JP 31336495 A JP31336495 A JP 31336495A JP H09153206 A JPH09153206 A JP H09153206A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気抵抗効果素子の有効感磁部に入力する信
号磁界の強度を増大化して再生出力の向上を図る。 【解決手段】 長手方向が磁気記録媒体20の走行方向
と略々直交するように設けられたMR素子5と、このM
R素子5の長手方向両端部にそれぞれ設けられた前端電
極10及び後端電極8と、MR素子5、前端電極10及
び後端電極8を挟持する上部磁性層11と下部磁性層3
とを備える。上記MR素子5は、前端電極10と後端電
極8とにより狭持された領域aが有効感磁部とされ、前
端電極10が設けられた領域bの厚さ寸法が有効感磁部
の厚さ寸法より大とされる。
号磁界の強度を増大化して再生出力の向上を図る。 【解決手段】 長手方向が磁気記録媒体20の走行方向
と略々直交するように設けられたMR素子5と、このM
R素子5の長手方向両端部にそれぞれ設けられた前端電
極10及び後端電極8と、MR素子5、前端電極10及
び後端電極8を挟持する上部磁性層11と下部磁性層3
とを備える。上記MR素子5は、前端電極10と後端電
極8とにより狭持された領域aが有効感磁部とされ、前
端電極10が設けられた領域bの厚さ寸法が有効感磁部
の厚さ寸法より大とされる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスク薄
膜磁気ヘッド等に好適な、磁気抵抗効果によって再生信
号を検出する磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドに関す
る。
膜磁気ヘッド等に好適な、磁気抵抗効果によって再生信
号を検出する磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドに関す
る。
【0002】
【従来の技術】近年、ハードディスク薄膜磁気ヘッド等
のような磁気記録薄膜磁気ヘッドにおいては、大容量化
を図るために、更なる高密度記録が求められ、狭トラッ
ク化に適した磁気ヘッドである磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッド(以下、MRヘッドという。)が採用されるよう
になってきている。
のような磁気記録薄膜磁気ヘッドにおいては、大容量化
を図るために、更なる高密度記録が求められ、狭トラッ
ク化に適した磁気ヘッドである磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッド(以下、MRヘッドという。)が採用されるよう
になってきている。
【0003】このMRヘッドには、図33に示すよう
に、センス電流が磁気記録媒体70走行方向と直交する
方向に流れるいわゆる縦型のMRヘッド50がある。こ
の縦型のMRヘッド50は、非磁性基板51上に順次積
層された下部磁性層52及び絶縁層53と、この絶縁層
53上に設けられたMR素子54と、MR素子54の後
端部54Bに接続された後端部電極57と、MR素子5
4上に絶縁層55を介して設けられたバイアス導体56
と、後端部電極57及びバイアス導体56上に絶縁層5
8を介して設けられてMR素子54の前端部54Aに接
続された前端電極59と、前端電極59上に順次積層さ
れた上部磁性層60及び保護層61とを備えている。
に、センス電流が磁気記録媒体70走行方向と直交する
方向に流れるいわゆる縦型のMRヘッド50がある。こ
の縦型のMRヘッド50は、非磁性基板51上に順次積
層された下部磁性層52及び絶縁層53と、この絶縁層
53上に設けられたMR素子54と、MR素子54の後
端部54Bに接続された後端部電極57と、MR素子5
4上に絶縁層55を介して設けられたバイアス導体56
と、後端部電極57及びバイアス導体56上に絶縁層5
8を介して設けられてMR素子54の前端部54Aに接
続された前端電極59と、前端電極59上に順次積層さ
れた上部磁性層60及び保護層61とを備えている。
【0004】この縦型のMRヘッド50は、このMR素
子54に対して前端電極59及び後端電極57からセン
ス電流を供給することにより、磁気記録媒体70からの
信号磁界によるMR素子54の抵抗変化を検出し、この
抵抗変化に基づいて再生出力を得る。このとき、MR素
子54は、前端電極59と後端電極57との間の領域a
が有効感磁部となり、有効感磁部を除く他の領域bが磁
気抵抗効果を妨げる不感磁部となっており、この前端部
5Cの不感磁部をギャップデプス部としている。前端電
極59に接続された前端部54Aと後端電極57に接続
された後端部54Bが磁気抵抗効果を妨げる不感磁部と
なっており、この前端部54Aの不感磁部をギャップデ
プス部としている。このような縦型のMRヘッド50
は、再生出力が媒体速度に依存せず、媒体速度が遅くて
も高再生力が得られるという特徴を有している。
子54に対して前端電極59及び後端電極57からセン
ス電流を供給することにより、磁気記録媒体70からの
信号磁界によるMR素子54の抵抗変化を検出し、この
抵抗変化に基づいて再生出力を得る。このとき、MR素
子54は、前端電極59と後端電極57との間の領域a
が有効感磁部となり、有効感磁部を除く他の領域bが磁
気抵抗効果を妨げる不感磁部となっており、この前端部
5Cの不感磁部をギャップデプス部としている。前端電
極59に接続された前端部54Aと後端電極57に接続
された後端部54Bが磁気抵抗効果を妨げる不感磁部と
なっており、この前端部54Aの不感磁部をギャップデ
プス部としている。このような縦型のMRヘッド50
は、再生出力が媒体速度に依存せず、媒体速度が遅くて
も高再生力が得られるという特徴を有している。
【0005】以下、上記縦型のMRヘッド50におい
て、MR素子54の機能について説明する。このMR素
子54は、入力される磁気記録媒体70の磁束強度(磁
束量)に応じて電気抵抗値が変化して磁気抵抗効果を生
じる。縦型のMRヘッド50は、MR素子54の電気抵
抗値の変化量に応じて生じる前端電極10及び後端電極
8の間の電圧変化が検出される。したがって、縦型のM
Rヘッド50は、この電圧変化を電圧信号として再生出
力を得る。
て、MR素子54の機能について説明する。このMR素
子54は、入力される磁気記録媒体70の磁束強度(磁
束量)に応じて電気抵抗値が変化して磁気抵抗効果を生
じる。縦型のMRヘッド50は、MR素子54の電気抵
抗値の変化量に応じて生じる前端電極10及び後端電極
8の間の電圧変化が検出される。したがって、縦型のM
Rヘッド50は、この電圧変化を電圧信号として再生出
力を得る。
【0006】上述した縦型のMRヘッド50において
は、上記MR素子54を上部磁性層60及び下部磁性層
52で挟持する構造とされているために、分解能が向上
し、これら上部磁性層60、下部磁性層52のないもの
と比較して再生出力のS/N及び記録密度が向上する。
また、この縦型のMRヘッド50は、横型のMRヘッド
50に比してオフトラック特性に優れており、今後MR
ヘッド50の主流となりつつある。
は、上記MR素子54を上部磁性層60及び下部磁性層
52で挟持する構造とされているために、分解能が向上
し、これら上部磁性層60、下部磁性層52のないもの
と比較して再生出力のS/N及び記録密度が向上する。
また、この縦型のMRヘッド50は、横型のMRヘッド
50に比してオフトラック特性に優れており、今後MR
ヘッド50の主流となりつつある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来の縦型のMRヘッド50においては、横型のMRヘッ
ド50と異なり、有効感磁部がギャップデプス部よりも
奥に位置している。このため、従来の縦型のMRヘッド
50は、ギャップデプス部で磁気的飽和を生じて、磁気
記録媒体70からの信号磁界の有効感磁部への入力が妨
げられ、有効感磁部に入力する信号磁界の強度が減少す
るといった問題点があった。そして、従来の縦型のMR
ヘッド50は、再生出力を向上させることが困難とな
り、この点が狭ギャップ化、MR薄膜化等による記録密
度の向上に対する大きな弊害となっている。
来の縦型のMRヘッド50においては、横型のMRヘッ
ド50と異なり、有効感磁部がギャップデプス部よりも
奥に位置している。このため、従来の縦型のMRヘッド
50は、ギャップデプス部で磁気的飽和を生じて、磁気
記録媒体70からの信号磁界の有効感磁部への入力が妨
げられ、有効感磁部に入力する信号磁界の強度が減少す
るといった問題点があった。そして、従来の縦型のMR
ヘッド50は、再生出力を向上させることが困難とな
り、この点が狭ギャップ化、MR薄膜化等による記録密
度の向上に対する大きな弊害となっている。
【0008】したがって、本発明は、磁気的飽和を防止
するとともに、磁気抵抗効果素子の有効感磁部に入力す
る信号磁界の強度を増大化して再生出力の向上を図った
薄型磁気ヘッドを提供することを目的に提案されたもの
である。
するとともに、磁気抵抗効果素子の有効感磁部に入力す
る信号磁界の強度を増大化して再生出力の向上を図った
薄型磁気ヘッドを提供することを目的に提案されたもの
である。
【0009】
【課題を解決するための手段】この目的を達成した本発
明に係る薄膜磁気ヘッドは、長手方向が磁気記録媒体の
走行方向と略々直交するように設けられた磁気抵抗効果
素子と、この磁気抵抗効果素子の長手方向両端部にそれ
ぞれ設けられた前端電極及び後端電極と、磁気抵抗効果
素子、前端電極及び後端電極を挟持する上部磁性層と下
部磁性層とを備える。上記磁気抵抗効果素子は、前端電
極と後端電極とにより狭持された領域が有効感磁部とさ
れ、前端電極が設けられた領域、つまり不感磁部である
ギャップデプス部の厚さ寸法が有効感磁部の厚さ寸法よ
り大とされている。
明に係る薄膜磁気ヘッドは、長手方向が磁気記録媒体の
走行方向と略々直交するように設けられた磁気抵抗効果
素子と、この磁気抵抗効果素子の長手方向両端部にそれ
ぞれ設けられた前端電極及び後端電極と、磁気抵抗効果
素子、前端電極及び後端電極を挟持する上部磁性層と下
部磁性層とを備える。上記磁気抵抗効果素子は、前端電
極と後端電極とにより狭持された領域が有効感磁部とさ
れ、前端電極が設けられた領域、つまり不感磁部である
ギャップデプス部の厚さ寸法が有効感磁部の厚さ寸法よ
り大とされている。
【0010】以上のように構成された本発明に係る薄膜
磁気ヘッドによれば、この磁気抵抗効果素子に対して前
端電極及び後端電極からセンス電流を供給することによ
り、磁気抵抗効果素子の前端電極が設けられた領域で磁
気的飽和を生じずに、磁気記録媒体からの信号磁界が妨
げられることなく有効感磁部まで入力される。薄膜磁気
ヘッドは、磁気記録媒体からの信号磁界による磁気抵抗
効果素子の抵抗変化を前端電極及び後端電極が検出し、
この抵抗変化に基づいて再生出力を得る。
磁気ヘッドによれば、この磁気抵抗効果素子に対して前
端電極及び後端電極からセンス電流を供給することによ
り、磁気抵抗効果素子の前端電極が設けられた領域で磁
気的飽和を生じずに、磁気記録媒体からの信号磁界が妨
げられることなく有効感磁部まで入力される。薄膜磁気
ヘッドは、磁気記録媒体からの信号磁界による磁気抵抗
効果素子の抵抗変化を前端電極及び後端電極が検出し、
この抵抗変化に基づいて再生出力を得る。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施の形
態について、図1乃至図25の図面を参照して詳細に説
明する。本発明の実施の形態として示すMRヘッド1
は、図1に示すように、非磁性基板2と、この非磁性基
板2上に積層された下部磁性層3と、この下部磁性層3
上に積層された下部絶縁層4と、この下部絶縁層4上に
設けられたMR素子5とを備えている。また、MRヘッ
ド1は、このMR素子5の前端部5C及び後端部5Dを
除く領域a上に積層された中間絶縁層6と、中間絶縁層
6上に設けられたバイアス導体7と、MR素子5の後端
部5Dに接続されてMR素子5の後端部5D上から下部
絶縁層4上に亘って設けられた後端電極8と、バイアス
導体7及び後端電極8上に積層された上部絶縁層9とを
備えている。さらに、MRヘッド1は、MR素子5の前
端部5Cに接続されてMR素子5の前端部5C上から上
部絶縁層9上に亘って設けられた前端電極10と、この
前端電極10上に積層された上部磁性層11と、この上
部磁性層11上に積層された保護層12とを備えてい
る。
態について、図1乃至図25の図面を参照して詳細に説
明する。本発明の実施の形態として示すMRヘッド1
は、図1に示すように、非磁性基板2と、この非磁性基
板2上に積層された下部磁性層3と、この下部磁性層3
上に積層された下部絶縁層4と、この下部絶縁層4上に
設けられたMR素子5とを備えている。また、MRヘッ
ド1は、このMR素子5の前端部5C及び後端部5Dを
除く領域a上に積層された中間絶縁層6と、中間絶縁層
6上に設けられたバイアス導体7と、MR素子5の後端
部5Dに接続されてMR素子5の後端部5D上から下部
絶縁層4上に亘って設けられた後端電極8と、バイアス
導体7及び後端電極8上に積層された上部絶縁層9とを
備えている。さらに、MRヘッド1は、MR素子5の前
端部5Cに接続されてMR素子5の前端部5C上から上
部絶縁層9上に亘って設けられた前端電極10と、この
前端電極10上に積層された上部磁性層11と、この上
部磁性層11上に積層された保護層12とを備えてい
る。
【0012】非磁性基板2は、セラミクスやガラス等に
より形成されている。保護層12は、非磁性及び非導電
性を有するAl2 O3 やSiO2 等により形成されてい
る。
より形成されている。保護層12は、非磁性及び非導電
性を有するAl2 O3 やSiO2 等により形成されてい
る。
【0013】下部磁性層3及び上部磁性層11は、Fe
−Al−Si、Ni−Fe等の磁性材料によりなる磁気
シールド磁性膜である。下部磁性層3及び上部磁性層1
1は、磁気記録媒体20からの信号磁界のうち再生対象
以外の磁界を引き込んで、MR素子5に再生対象だけの
磁界を引き込ませる。上部絶縁層9、中間絶縁層6及び
下部絶縁層4は、Al2 O3 やSiO2 等により形成さ
れている。下部磁性層3は、後述するMR素子5の有効
感磁部に対応した位置に溝部13が形成されるととも
に、この溝部13内に熱伝導性に優れた非磁性材14が
埋め込まれている。非磁性材14としては、Al2 O3
やTi或はTa等の非磁性金属を用いることが好適であ
り、熱伝導性に優れた非磁性材14であれば非金属を用
いても好ましい。
−Al−Si、Ni−Fe等の磁性材料によりなる磁気
シールド磁性膜である。下部磁性層3及び上部磁性層1
1は、磁気記録媒体20からの信号磁界のうち再生対象
以外の磁界を引き込んで、MR素子5に再生対象だけの
磁界を引き込ませる。上部絶縁層9、中間絶縁層6及び
下部絶縁層4は、Al2 O3 やSiO2 等により形成さ
れている。下部磁性層3は、後述するMR素子5の有効
感磁部に対応した位置に溝部13が形成されるととも
に、この溝部13内に熱伝導性に優れた非磁性材14が
埋め込まれている。非磁性材14としては、Al2 O3
やTi或はTa等の非磁性金属を用いることが好適であ
り、熱伝導性に優れた非磁性材14であれば非金属を用
いても好ましい。
【0014】MR素子5は、Fe−Al−Si、Ni−
Fe等の磁性材料により形成されている。MR素子5
は、長手方向が磁気記録媒体20との対向面、即ち磁気
記録媒体20走行面と垂直になるように配置されてい
る。MR素子5は、一方の端面が当該磁気記録媒体20
走行面に露出されたかたちとされている。
Fe等の磁性材料により形成されている。MR素子5
は、長手方向が磁気記録媒体20との対向面、即ち磁気
記録媒体20走行面と垂直になるように配置されてい
る。MR素子5は、一方の端面が当該磁気記録媒体20
走行面に露出されたかたちとされている。
【0015】前端電極10及び後端電極8は、Cu等の
非磁性金属で形成されている。前端電極10及び後端電
極8は、MR素子5の両端部5C、5Dにそれぞれ電気
的に接続された一対の電極とされ、MR素子5を挟持し
ている。前端電極10及び後端電極8の間には、MR素
子5の長手方向に沿ってセンス電流が供給される。磁気
記録媒体20からの信号磁界によるMR素子5の抵抗変
化は、前端電極10及び後端電極8の間の電圧変化とし
て検出される。
非磁性金属で形成されている。前端電極10及び後端電
極8は、MR素子5の両端部5C、5Dにそれぞれ電気
的に接続された一対の電極とされ、MR素子5を挟持し
ている。前端電極10及び後端電極8の間には、MR素
子5の長手方向に沿ってセンス電流が供給される。磁気
記録媒体20からの信号磁界によるMR素子5の抵抗変
化は、前端電極10及び後端電極8の間の電圧変化とし
て検出される。
【0016】MR素子5は、前端電極10に接続された
前端部5Cと後端電極8に接続された後端部5Dとの間
の領域aが磁気抵抗効果を生じる有効感磁部となってい
る。また、MR素子5は、有効感磁部を除く他の領域
b、すなわち、前端電極10に接続された前端部5Cと
後端電極8に接続された後端部5Dとが磁気抵抗効果を
妨げる不感磁部となっており、この前端部5Cの不感磁
部をギャップデプス部としている。MR素子5のギャッ
プデプス部は、有効感磁部の厚さ寸法dより約2倍大と
された厚さ寸法cを有している。また、MR素子5のギ
ャップデプス部は、有効感磁部の厚さ寸法dより略2倍
大とされた厚さ寸法cを有するために2層構造とされて
もよい。
前端部5Cと後端電極8に接続された後端部5Dとの間
の領域aが磁気抵抗効果を生じる有効感磁部となってい
る。また、MR素子5は、有効感磁部を除く他の領域
b、すなわち、前端電極10に接続された前端部5Cと
後端電極8に接続された後端部5Dとが磁気抵抗効果を
妨げる不感磁部となっており、この前端部5Cの不感磁
部をギャップデプス部としている。MR素子5のギャッ
プデプス部は、有効感磁部の厚さ寸法dより約2倍大と
された厚さ寸法cを有している。また、MR素子5のギ
ャップデプス部は、有効感磁部の厚さ寸法dより略2倍
大とされた厚さ寸法cを有するために2層構造とされて
もよい。
【0017】バイアス導体7は、前端電極10及び後端
電極8の間のMR素子5の抵抗変化が検出される際に、
電流が流されMR素子5に対して所定のバイアス磁界を
印加する。このため、MR素子5は、バイアス導体7に
より抵抗変化の検出を容易にされ、より高い磁気抵抗効
果を生じた状態で前端電極10及び後端電極8に検出さ
れる。
電極8の間のMR素子5の抵抗変化が検出される際に、
電流が流されMR素子5に対して所定のバイアス磁界を
印加する。このため、MR素子5は、バイアス導体7に
より抵抗変化の検出を容易にされ、より高い磁気抵抗効
果を生じた状態で前端電極10及び後端電極8に検出さ
れる。
【0018】以上のように構成された実施の形態MRヘ
ッド1は、MR素子5に対して前端電極10及び後端電
極8からセンス電流を供給する。MRヘッド1は、MR
素子5のギャップデプス部である前端部5Cで磁気的飽
和を生じずに、磁気記録媒体20からの信号磁界が妨げ
られることなく有効感磁部まで入力される。
ッド1は、MR素子5に対して前端電極10及び後端電
極8からセンス電流を供給する。MRヘッド1は、MR
素子5のギャップデプス部である前端部5Cで磁気的飽
和を生じずに、磁気記録媒体20からの信号磁界が妨げ
られることなく有効感磁部まで入力される。
【0019】MRヘッド1は、磁気記録媒体20からの
信号磁界を上記MR素子5が入力すると、この信号磁界
により上記MR素子5の磁化の向きが反転され、MR素
子5内部に流れるセンス電流の向きに対して磁性量に応
じた角度をもつようになる。このため、MRヘッド1
は、MR素子5の電気抵抗値が変化し、図2に示すよう
に、電気抵抗値Rの外部磁界依存性が曲線で表される。
信号磁界を上記MR素子5が入力すると、この信号磁界
により上記MR素子5の磁化の向きが反転され、MR素
子5内部に流れるセンス電流の向きに対して磁性量に応
じた角度をもつようになる。このため、MRヘッド1
は、MR素子5の電気抵抗値が変化し、図2に示すよう
に、電気抵抗値Rの外部磁界依存性が曲線で表される。
【0020】上記MR素子5は、駆動される際に、先
ず、外部磁界に対する線形性に優れ且つ最も電気抵抗値
Rの変化の大きい動作点Pの箇所まで予めバイアス磁界
Hbが加えられる。このときMR素子5では、磁気記録
媒体20から信号磁界ΔHsが入力されると、この信号
磁界ΔHsが抵抗変化ΔRsに変換される。この抵抗変
化ΔRsは、MR素子5に所定のセンス電流Isを流し
ておけば、オームの法則:ΔVs=ΔRs×Isに基づ
いて出力電圧ΔVsとして取り出されることになる。
ず、外部磁界に対する線形性に優れ且つ最も電気抵抗値
Rの変化の大きい動作点Pの箇所まで予めバイアス磁界
Hbが加えられる。このときMR素子5では、磁気記録
媒体20から信号磁界ΔHsが入力されると、この信号
磁界ΔHsが抵抗変化ΔRsに変換される。この抵抗変
化ΔRsは、MR素子5に所定のセンス電流Isを流し
ておけば、オームの法則:ΔVs=ΔRs×Isに基づ
いて出力電圧ΔVsとして取り出されることになる。
【0021】MRヘッド1は、MR素子5の電気抵抗値
の変化量に応じて生じる前端電極10及び後端電極8の
間の電圧変化が検出される。したがって、MRヘッド1
は、この電圧変化を電圧信号として再生出力を得る。
の変化量に応じて生じる前端電極10及び後端電極8の
間の電圧変化が検出される。したがって、MRヘッド1
は、この電圧変化を電圧信号として再生出力を得る。
【0022】上述した実施の形態MRヘッド1によれ
ば、MR素子5のギャップデプス部の厚さ寸法cが有効
感磁部の厚さ寸法dより大とされたことにより、磁気的
飽和が防止され、MR素子5の有効感磁部に入力する信
号磁界の強度の増大化が図られる。したがって、MRヘ
ッド1は、磁気記録媒体20からの信号磁界の入力感度
の向上が図られ、再生出力の向上が図られる。
ば、MR素子5のギャップデプス部の厚さ寸法cが有効
感磁部の厚さ寸法dより大とされたことにより、磁気的
飽和が防止され、MR素子5の有効感磁部に入力する信
号磁界の強度の増大化が図られる。したがって、MRヘ
ッド1は、磁気記録媒体20からの信号磁界の入力感度
の向上が図られ、再生出力の向上が図られる。
【0023】上述した実施の形態MRヘッド1の第1乃
至第4の製造方法について詳細に説明する。上記MRヘ
ッド1を製造する第1の製造方法は、まず、図3に示す
ように、非磁性基板2上に下部磁性層3を積層する。そ
の後、下部磁性層3の表面に、フォトレジストを塗布
し、フォトリソグラフィー技術により所定形状のレジス
トマスクを形成する。そして、このレジストマスクに形
成されたパターンに倣って下部磁性層3をエッチングす
ることにより、MR素子5の有効感磁部に対応する位置
に溝部13を形成する。その後、溝部13内に非磁性材
14をスパッタ法等の真空薄膜形成技術により充填成膜
する。
至第4の製造方法について詳細に説明する。上記MRヘ
ッド1を製造する第1の製造方法は、まず、図3に示す
ように、非磁性基板2上に下部磁性層3を積層する。そ
の後、下部磁性層3の表面に、フォトレジストを塗布
し、フォトリソグラフィー技術により所定形状のレジス
トマスクを形成する。そして、このレジストマスクに形
成されたパターンに倣って下部磁性層3をエッチングす
ることにより、MR素子5の有効感磁部に対応する位置
に溝部13を形成する。その後、溝部13内に非磁性材
14をスパッタ法等の真空薄膜形成技術により充填成膜
する。
【0024】次に、この下部磁性層3及び非磁性材14
上に下部絶縁層4を積層する。ここで、下部絶縁層4
は、後工程で配設するMR素子5の下部を電気的に絶縁
するとともに、MR素子5の下部に磁気的ギャップを形
成する。そして、図4に示すように、下部絶縁層4上に
第1のMR素子5Aを設ける。
上に下部絶縁層4を積層する。ここで、下部絶縁層4
は、後工程で配設するMR素子5の下部を電気的に絶縁
するとともに、MR素子5の下部に磁気的ギャップを形
成する。そして、図4に示すように、下部絶縁層4上に
第1のMR素子5Aを設ける。
【0025】次に、図5に示すように、第1のMR素子
5Aの表面に、レジスト18を塗布し、フォトリソグラ
フィー技術によりレジスト18に溝部19を形成する。
そして、図6に示すように、このレジスト18の表面に
第2のMR素子5Bをスパッタ法等の真空薄膜形成技術
により充填成膜する。その後、図7に示すように、リフ
トオフ法により、レジスト18及び第2のMR素子5B
をエッチングする。
5Aの表面に、レジスト18を塗布し、フォトリソグラ
フィー技術によりレジスト18に溝部19を形成する。
そして、図6に示すように、このレジスト18の表面に
第2のMR素子5Bをスパッタ法等の真空薄膜形成技術
により充填成膜する。その後、図7に示すように、リフ
トオフ法により、レジスト18及び第2のMR素子5B
をエッチングする。
【0026】そして、図8に示すように、MR素子5上
に中間絶縁層6を積層し、図9に示すように、MR素子
5の前端部5C上の中間絶縁層6をエッチングしてMR
素子5の前端部5Cが露出する溝部15を設ける。さら
に、図10に示すように、中間絶縁層6及びMR素子5
をエッチングする。
に中間絶縁層6を積層し、図9に示すように、MR素子
5の前端部5C上の中間絶縁層6をエッチングしてMR
素子5の前端部5Cが露出する溝部15を設ける。さら
に、図10に示すように、中間絶縁層6及びMR素子5
をエッチングする。
【0027】次に、図11に示すように、中間絶縁層6
をエッチングしてMR素子5の後端部5Dが露出する接
続孔16を設ける。そして、図12に示すように、この
接続孔16を通じてMR素子5の後端部5Dと接続する
ように、中間絶縁層6及び下部絶縁層4上に後端電極8
を設ける。また、中間絶縁層6上にバイアス導体7を設
ける。
をエッチングしてMR素子5の後端部5Dが露出する接
続孔16を設ける。そして、図12に示すように、この
接続孔16を通じてMR素子5の後端部5Dと接続する
ように、中間絶縁層6及び下部絶縁層4上に後端電極8
を設ける。また、中間絶縁層6上にバイアス導体7を設
ける。
【0028】次に、図13に示すように、これら後端電
極8及びバイアス導体7上に上部絶縁層9を積層し、図
14に示すように、この上部絶縁層9及び中間絶縁層6
をエッチングしてMR素子5の前端部5Cが露出する接
続孔17を設ける。その後、図15に示すように、この
接続孔17を通じてMR素子5の前端部5Cと接続する
ように、上部絶縁層9上に前端電極10を設ける。
極8及びバイアス導体7上に上部絶縁層9を積層し、図
14に示すように、この上部絶縁層9及び中間絶縁層6
をエッチングしてMR素子5の前端部5Cが露出する接
続孔17を設ける。その後、図15に示すように、この
接続孔17を通じてMR素子5の前端部5Cと接続する
ように、上部絶縁層9上に前端電極10を設ける。
【0029】次に、図16に示すように、この前端電極
10上に上部磁性層11を積層し、この上部磁性層11
上に保護層12を積層する。以上の工程の後、所定の形
状に切り出すことによって、MRヘッド1が完成する。
なお、このMRヘッド1は、再生専用磁気ヘッドである
が、記録再生用磁気ヘッドとするために、さらに記録用
のインダクティブヘッドを積層しても良い。
10上に上部磁性層11を積層し、この上部磁性層11
上に保護層12を積層する。以上の工程の後、所定の形
状に切り出すことによって、MRヘッド1が完成する。
なお、このMRヘッド1は、再生専用磁気ヘッドである
が、記録再生用磁気ヘッドとするために、さらに記録用
のインダクティブヘッドを積層しても良い。
【0030】上記MRヘッド1を製造する第2の製造方
法は、まず、第1の製造方法と同様に、図2乃至図4に
示すように、非磁性基板2上に下部磁性層3、非磁性材
14、下部絶縁層4を順次に積層し、下部絶縁層4上に
第1のMR素子5Aを設ける。そして、図17に示すよ
うに、この第1のMR素子5A上に中間絶縁層6を積層
する。
法は、まず、第1の製造方法と同様に、図2乃至図4に
示すように、非磁性基板2上に下部磁性層3、非磁性材
14、下部絶縁層4を順次に積層し、下部絶縁層4上に
第1のMR素子5Aを設ける。そして、図17に示すよ
うに、この第1のMR素子5A上に中間絶縁層6を積層
する。
【0031】次に、図18に示すように、中間絶縁層6
をエッチングして第1のMR素子5Aの前端部5Cが露
出する溝部15を設ける。その後、第1のMR素子5A
の露出した前端部5C上及び中間絶縁層6上に第2のM
R素子5Bを設け、図19に示すように、中間絶縁層6
上の第2のMR素子5Bをエッチングする。
をエッチングして第1のMR素子5Aの前端部5Cが露
出する溝部15を設ける。その後、第1のMR素子5A
の露出した前端部5C上及び中間絶縁層6上に第2のM
R素子5Bを設け、図19に示すように、中間絶縁層6
上の第2のMR素子5Bをエッチングする。
【0032】次に、第1の製造方法と同様に、図10乃
至図16に示すように、後端電極8及びバイアス導体7
を設け、上部絶縁層9を積層し、前端電極10を設け、
上部磁性層11及び保護層12を積層する。以上の工程
の後、所定の形状に切り出すことによって、MRヘッド
1が完成する。なお、このMRヘッド1は、再生専用磁
気ヘッドであるが、記録再生用磁気ヘッドとするため
に、さらに記録用のインダクティブヘッドを積層しても
良い。
至図16に示すように、後端電極8及びバイアス導体7
を設け、上部絶縁層9を積層し、前端電極10を設け、
上部磁性層11及び保護層12を積層する。以上の工程
の後、所定の形状に切り出すことによって、MRヘッド
1が完成する。なお、このMRヘッド1は、再生専用磁
気ヘッドであるが、記録再生用磁気ヘッドとするため
に、さらに記録用のインダクティブヘッドを積層しても
良い。
【0033】上記MRヘッド1を製造する第3の製造方
法は、まず、第2の製造方法と同様に、図17に示すよ
うに、非磁性基板2上に下部磁性層3、非磁性材14、
下部絶縁層4を順次に積層し、第1のMR素子5Aを設
け、中間絶縁層6を積層する。
法は、まず、第2の製造方法と同様に、図17に示すよ
うに、非磁性基板2上に下部磁性層3、非磁性材14、
下部絶縁層4を順次に積層し、第1のMR素子5Aを設
け、中間絶縁層6を積層する。
【0034】次に、図20に示すように、この中間絶縁
層6及び第1のMR素子5Aをエッチングし、さらに図
21に示すように、中間絶縁層6をエッチングして第1
のMR素子5Aの前端部5Cが露出する溝部15を設け
る。その後、図22に示すように、第1のMR素子5A
の露出した前端部5C上及び中間絶縁層6上に第2のM
R素子5Bを設け、図23に示すように、中間絶縁層6
上の第2のMR素子5Bをエッチングする。
層6及び第1のMR素子5Aをエッチングし、さらに図
21に示すように、中間絶縁層6をエッチングして第1
のMR素子5Aの前端部5Cが露出する溝部15を設け
る。その後、図22に示すように、第1のMR素子5A
の露出した前端部5C上及び中間絶縁層6上に第2のM
R素子5Bを設け、図23に示すように、中間絶縁層6
上の第2のMR素子5Bをエッチングする。
【0035】次に、第1の製造方法と同様に、図11乃
至図16に示すように、後端電極8及びバイアス導体7
を設け、上部絶縁層9を積層し、前端電極10を設け、
上部磁性層11及び保護層12を積層する。以上の工程
の後、所定の形状に切り出すことによって、MRヘッド
1が完成する。なお、このMRヘッド1は、再生専用磁
気ヘッドであるが、記録再生用磁気ヘッドとするため
に、さらに記録用のインダクティブヘッドを積層しても
良い。
至図16に示すように、後端電極8及びバイアス導体7
を設け、上部絶縁層9を積層し、前端電極10を設け、
上部磁性層11及び保護層12を積層する。以上の工程
の後、所定の形状に切り出すことによって、MRヘッド
1が完成する。なお、このMRヘッド1は、再生専用磁
気ヘッドであるが、記録再生用磁気ヘッドとするため
に、さらに記録用のインダクティブヘッドを積層しても
良い。
【0036】上記MRヘッド1を製造する第4の製造方
法は、まず、第1の製造方法と同様に、図3に示すよう
に、非磁性基板2上に下部磁性層3、非磁性材14、下
部絶縁層4を順次に積層する。次に、図25に示すよう
に、下部絶縁層4上にMR素子5を設け、図26に示す
ように、MR素子5における前端部5Cを除く他の領域
の厚さ寸法の約1/2程度をエッチングする。
法は、まず、第1の製造方法と同様に、図3に示すよう
に、非磁性基板2上に下部磁性層3、非磁性材14、下
部絶縁層4を順次に積層する。次に、図25に示すよう
に、下部絶縁層4上にMR素子5を設け、図26に示す
ように、MR素子5における前端部5Cを除く他の領域
の厚さ寸法の約1/2程度をエッチングする。
【0037】次に、第1の製造方法と同様に、図8乃至
図16に示すように、中間絶縁層6を積層し、後端電極
8及びバイアス導体7を設け、上部絶縁層9を積層し、
前端電極10を設け、上部磁性層11及び保護層12を
積層する。以上の工程の後、所定の形状に切り出すこと
によって、MRヘッド1が完成する。なお、このMRヘ
ッド1は、再生専用磁気ヘッドであるが、記録再生用磁
気ヘッドとするために、さらに記録用のインダクティブ
ヘッドを積層しても良い。
図16に示すように、中間絶縁層6を積層し、後端電極
8及びバイアス導体7を設け、上部絶縁層9を積層し、
前端電極10を設け、上部磁性層11及び保護層12を
積層する。以上の工程の後、所定の形状に切り出すこと
によって、MRヘッド1が完成する。なお、このMRヘ
ッド1は、再生専用磁気ヘッドであるが、記録再生用磁
気ヘッドとするために、さらに記録用のインダクティブ
ヘッドを積層しても良い。
【0038】本発明の他の実施の形態として示すMRヘ
ッド30は、図26乃至図32に示すように、基本的な
構成を実施の形態MRヘッド1と同様とし、以下の説明
において、実施の形態MRヘッド1と同一部材、同一構
成部について、同一符号を付すことにより説明を省略す
る。
ッド30は、図26乃至図32に示すように、基本的な
構成を実施の形態MRヘッド1と同様とし、以下の説明
において、実施の形態MRヘッド1と同一部材、同一構
成部について、同一符号を付すことにより説明を省略す
る。
【0039】MR素子5は、図26に示すように、ギャ
ップデプス部が、有効感磁部の厚さ寸法dと略等しい厚
さ寸法cを有している。前端電極10は、Fe−Al−
Si、Ni−Fe等の磁性金属により形成されている。
また、前端電極10と上部磁性層11との間には、Ti
或はTa等の非磁性金属からなる金属ギャップ31が設
けられている。
ップデプス部が、有効感磁部の厚さ寸法dと略等しい厚
さ寸法cを有している。前端電極10は、Fe−Al−
Si、Ni−Fe等の磁性金属により形成されている。
また、前端電極10と上部磁性層11との間には、Ti
或はTa等の非磁性金属からなる金属ギャップ31が設
けられている。
【0040】上述した他の実施の形態MRヘッド30に
よれば、磁性金属よりなる前端電極10がMR素子5の
ギャップデプス部上に設けられたことにより、磁気的飽
和が防止され、MR素子5の有効感磁部に入力する信号
磁界の強度の増大化が図られる。したがって、MRヘッ
ド30は、磁気記録媒体20からの信号磁界の入力感度
の向上が図られ、再生出力の向上が図られる。
よれば、磁性金属よりなる前端電極10がMR素子5の
ギャップデプス部上に設けられたことにより、磁気的飽
和が防止され、MR素子5の有効感磁部に入力する信号
磁界の強度の増大化が図られる。したがって、MRヘッ
ド30は、磁気記録媒体20からの信号磁界の入力感度
の向上が図られ、再生出力の向上が図られる。
【0041】上述した他の実施の形態MRヘッド30の
製造方法について詳細に説明する。上記MRヘッド30
を製造する製造方法は、まず、MRヘッド1の第3の製
造方法と同様に、図20及び図21に示すように、非磁
性基板2上に下部磁性層3、非磁性材14、下部絶縁層
4を順次に積層し、MR素子5を設け、中間絶縁層6を
積層し、中間絶縁層6にMR素子5の前端部5Cが露出
する溝部15を設ける。
製造方法について詳細に説明する。上記MRヘッド30
を製造する製造方法は、まず、MRヘッド1の第3の製
造方法と同様に、図20及び図21に示すように、非磁
性基板2上に下部磁性層3、非磁性材14、下部絶縁層
4を順次に積層し、MR素子5を設け、中間絶縁層6を
積層し、中間絶縁層6にMR素子5の前端部5Cが露出
する溝部15を設ける。
【0042】次に、図27に示すように、中間絶縁層6
をエッチングしてMR素子5の後端部5Dが露出する接
続孔16を設ける。そして、図28に示すように、この
接続孔16を通じてMR素子5の後端部5Dと接続する
ように、中間絶縁層6及び下部絶縁層4上に後端電極8
を設ける。また、中間絶縁層6上にバイアス導体7を設
ける。
をエッチングしてMR素子5の後端部5Dが露出する接
続孔16を設ける。そして、図28に示すように、この
接続孔16を通じてMR素子5の後端部5Dと接続する
ように、中間絶縁層6及び下部絶縁層4上に後端電極8
を設ける。また、中間絶縁層6上にバイアス導体7を設
ける。
【0043】次に、図29に示すように、これら後端電
極8及びバイアス導体7上に上部絶縁層9を積層し、図
30に示すように、この上部絶縁層9及び中間絶縁層6
をエッチングしてMR素子5の前端部5Cが露出する接
続孔17を設ける。その後、図31に示すように、この
接続孔17を通じてMR素子5の前端部5Cと接続する
ように、上部絶縁層9上に前端電極10を設ける。
極8及びバイアス導体7上に上部絶縁層9を積層し、図
30に示すように、この上部絶縁層9及び中間絶縁層6
をエッチングしてMR素子5の前端部5Cが露出する接
続孔17を設ける。その後、図31に示すように、この
接続孔17を通じてMR素子5の前端部5Cと接続する
ように、上部絶縁層9上に前端電極10を設ける。
【0044】次に、図32に示すように、この前端電極
10上に金属ギャップ31を設け、この金属ギャップ3
1上に上部磁性層11、保護層12を順次積層する。以
上の工程の後、所定の形状に切り出すことによって、M
Rヘッド1が完成する。なお、このMRヘッド1は、再
生専用磁気ヘッドであるが、記録再生用磁気ヘッドとす
るために、さらに記録用のインダクティブヘッドを積層
しても良い。
10上に金属ギャップ31を設け、この金属ギャップ3
1上に上部磁性層11、保護層12を順次積層する。以
上の工程の後、所定の形状に切り出すことによって、M
Rヘッド1が完成する。なお、このMRヘッド1は、再
生専用磁気ヘッドであるが、記録再生用磁気ヘッドとす
るために、さらに記録用のインダクティブヘッドを積層
しても良い。
【0045】
【発明の効果】上述したように、本発明に係る薄膜磁気
ヘッドによれば、磁気抵抗効果素子の前端電極が設けら
れた領域の厚さ寸法が有効感磁部の厚さ寸法より大とさ
れたことにより、磁気的飽和が防止され、磁気抵抗効果
素子の有効感磁部に入力する信号磁界の強度の増大化が
図られる。したがって、薄膜磁気ヘッドは、磁気記録媒
体からの信号磁界の入力感度の向上が図られ、再生出力
の向上が図られる。
ヘッドによれば、磁気抵抗効果素子の前端電極が設けら
れた領域の厚さ寸法が有効感磁部の厚さ寸法より大とさ
れたことにより、磁気的飽和が防止され、磁気抵抗効果
素子の有効感磁部に入力する信号磁界の強度の増大化が
図られる。したがって、薄膜磁気ヘッドは、磁気記録媒
体からの信号磁界の入力感度の向上が図られ、再生出力
の向上が図られる。
【図1】本発明に係る実施の形態MRヘッドを示す要部
断面図である。
断面図である。
【図2】上記従来のMR素子のMR特性を示す特性図で
ある。
ある。
【図3】第1の製造方法において、非磁性基板上に下部
磁性層、非磁性材及び下部絶縁層を積層した状態を示す
上記MRヘッドの要部断面図である。
磁性層、非磁性材及び下部絶縁層を積層した状態を示す
上記MRヘッドの要部断面図である。
【図4】下部絶縁層上にMR素子を設けた状態を示す上
記MRヘッドの要部断面図である。
記MRヘッドの要部断面図である。
【図5】第1のMR素子上にレジストを塗布した状態を
示す上記MRヘッドの要部断面図である。
示す上記MRヘッドの要部断面図である。
【図6】第1のMR素子上に第2のMR素子を設けた状
態を示す上記MRヘッドの要部断面図である。
態を示す上記MRヘッドの要部断面図である。
【図7】第2のMR素子をエッチングした状態を示す上
記MRヘッドの要部断面図である。
記MRヘッドの要部断面図である。
【図8】MR素子上に中間絶縁層を積層した状態を示す
上記MRヘッドの要部断面図である。
上記MRヘッドの要部断面図である。
【図9】MR素子の前端部が露出する接続孔を設けた状
態を示す上記MRヘッドの要部断面図である。
態を示す上記MRヘッドの要部断面図である。
【図10】中間絶縁層及びMR素子をエッチングした状
態を示す上記MRヘッドの要部断面図である。
態を示す上記MRヘッドの要部断面図である。
【図11】中間絶縁層をエッチングしてMR素子の後端
部が露出する接続孔を設けた状態を示す上記MRヘッド
の要部断面図である。
部が露出する接続孔を設けた状態を示す上記MRヘッド
の要部断面図である。
【図12】中間絶縁層及び下部絶縁層上に後端電極を設
け、中間絶縁層上にバイアス導体を設けた状態を示す上
記MRヘッドの要部断面図である。
け、中間絶縁層上にバイアス導体を設けた状態を示す上
記MRヘッドの要部断面図である。
【図13】後端電極及びバイアス導体上に上部絶縁層を
積層した状態を示す上記MRヘッドの要部断面図であ
る。
積層した状態を示す上記MRヘッドの要部断面図であ
る。
【図14】上部絶縁層及び中間絶縁層をエッチングして
MR素子の前端部が露出する接続孔を設けた状態を示す
上記MRヘッドの要部断面図である。
MR素子の前端部が露出する接続孔を設けた状態を示す
上記MRヘッドの要部断面図である。
【図15】上部絶縁層上に前端電極を設けた状態を示す
上記MRヘッドの要部断面図である。
上記MRヘッドの要部断面図である。
【図16】前端電極上に上部磁性層、保護層を積層した
状態を示す上記MRヘッドの要部断面図である。
状態を示す上記MRヘッドの要部断面図である。
【図17】第2の製造方法において、下部絶縁層上に第
1のMR素子を設け、中間絶縁層を積層した状態を示す
上記MRヘッドの要部断面図である。
1のMR素子を設け、中間絶縁層を積層した状態を示す
上記MRヘッドの要部断面図である。
【図18】第1のMR素子の前端部が露出する溝部を設
け、第1のMR素子の前端部上に第2のMR素子を設け
た状態を示す上記MRヘッドの要部断面図である。
け、第1のMR素子の前端部上に第2のMR素子を設け
た状態を示す上記MRヘッドの要部断面図である。
【図19】第2のMR素子をエッチングした状態を示す
上記MRヘッドの要部断面図である。
上記MRヘッドの要部断面図である。
【図20】第3の製造方法において、中間絶縁層及び第
1のMR素子をエッチングした状態を示す上記MR素子
の要部断面図である。
1のMR素子をエッチングした状態を示す上記MR素子
の要部断面図である。
【図21】第1のMR素子の前端部が露出する溝部を設
けた状態を示す上記MRヘッドの要部断面図である。
けた状態を示す上記MRヘッドの要部断面図である。
【図22】第1のMR素子の前端部上に第2のMR素子
を設けた状態を示す上記MRヘッドの要部断面図であ
る。
を設けた状態を示す上記MRヘッドの要部断面図であ
る。
【図23】第2のMR素子をエッチングした状態を示す
上記MRヘッドの要部断面図である。
上記MRヘッドの要部断面図である。
【図24】第4の製造方法において、下部絶縁層上にM
R素子を設けた状態を示す上記MRヘッドの要部断面図
である。
R素子を設けた状態を示す上記MRヘッドの要部断面図
である。
【図25】MR素子をエッチングした状態を示す上記M
Rヘッドの要部断面図である。
Rヘッドの要部断面図である。
【図26】本発明に係る他の実施の形態MRヘッドを示
す要部断面図である。
す要部断面図である。
【図27】中間絶縁層をエッチングしてMR素子の後端
部が露出する接続孔を設けた状態を示す上記MRヘッド
の要部断面図である。
部が露出する接続孔を設けた状態を示す上記MRヘッド
の要部断面図である。
【図28】中間絶縁層及び下部絶縁層上に後端電極を設
け、中間絶縁層上にバイアス導体を設けた状態を示す上
記MRヘッドの要部断面図である。
け、中間絶縁層上にバイアス導体を設けた状態を示す上
記MRヘッドの要部断面図である。
【図29】後端電極及びバイアス導体上に上部絶縁層を
積層した状態を示す上記MRヘッドの要部断面図であ
る。
積層した状態を示す上記MRヘッドの要部断面図であ
る。
【図30】上部絶縁層及び中間絶縁層をエッチングして
MR素子の前端部が露出する接続孔を設けた状態を示す
上記MRヘッドの要部断面図である。
MR素子の前端部が露出する接続孔を設けた状態を示す
上記MRヘッドの要部断面図である。
【図31】上部絶縁層上に前端電極を設けた状態を示す
上記MRヘッドの要部断面図である。
上記MRヘッドの要部断面図である。
【図32】前端電極上に金属ギャップ、上部磁性層、保
護層を積層した状態を示す上記MRヘッドの要部断面図
である。
護層を積層した状態を示す上記MRヘッドの要部断面図
である。
【図33】従来のMR素子を示す要部断面図である。
1 MRヘッド 3 下部磁性層 5 MR素子 8 後端電極 10 前端電極 11 上部磁性層 20 磁気記録媒体 a MR素子の前端電極と後端電極とにより狭持された
領域 b MR素子の前端電極が設けられた領域
領域 b MR素子の前端電極が設けられた領域
Claims (2)
- 【請求項1】 長手方向が磁気記録媒体の走行方向と略
々直交するように設けられた磁気抵抗効果素子と、 この磁気抵抗効果素子の長手方向両端部にそれぞれ設け
られた前端電極及び後端電極と、 磁気抵抗効果素子、前端電極及び後端電極を挟持する上
部磁性層と下部磁性層とを備え、 上記磁気抵抗効果素子は、前端電極と後端電極とにより
狭持された領域が有効感磁部とされ、前端電極が設けら
れた領域の厚さ寸法が有効感磁部の厚さ寸法より大とさ
れたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項2】 磁気抵抗効果素子は、前端電極が設けら
れた領域が2層構造とされたことを特徴とする請求項1
に記載の薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31336495A JPH09153206A (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31336495A JPH09153206A (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09153206A true JPH09153206A (ja) | 1997-06-10 |
Family
ID=18040377
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31336495A Withdrawn JPH09153206A (ja) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09153206A (ja) |
-
1995
- 1995-11-30 JP JP31336495A patent/JPH09153206A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030204 |