JPH09153206A

JPH09153206A - 薄膜磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH09153206A
Application number: JP31336495A
Authority: JP
Inventors: Kosuke Narisawa; 浩亮成沢
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1995-11-30
Filing date: 1995-11-30
Publication date: 1997-06-10

Abstract

(57)【要約】【課題】磁気抵抗効果素子の有効感磁部に入力する信
号磁界の強度を増大化して再生出力の向上を図る。【解決手段】長手方向が磁気記録媒体２０の走行方向
と略々直交するように設けられたＭＲ素子５と、このＭ
Ｒ素子５の長手方向両端部にそれぞれ設けられた前端電
極１０及び後端電極８と、ＭＲ素子５、前端電極１０及
び後端電極８を挟持する上部磁性層１１と下部磁性層３
とを備える。上記ＭＲ素子５は、前端電極１０と後端電
極８とにより狭持された領域ａが有効感磁部とされ、前
端電極１０が設けられた領域ｂの厚さ寸法が有効感磁部
の厚さ寸法より大とされる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスク薄
膜磁気ヘッド等に好適な、磁気抵抗効果によって再生信
号を検出する磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドに関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、ハードディスク薄膜磁気ヘッド等
のような磁気記録薄膜磁気ヘッドにおいては、大容量化
を図るために、更なる高密度記録が求められ、狭トラッ
ク化に適した磁気ヘッドである磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッド（以下、ＭＲヘッドという。）が採用されるよう
になってきている。

【０００３】このＭＲヘッドには、図３３に示すよう
に、センス電流が磁気記録媒体７０走行方向と直交する
方向に流れるいわゆる縦型のＭＲヘッド５０がある。こ
の縦型のＭＲヘッド５０は、非磁性基板５１上に順次積
層された下部磁性層５２及び絶縁層５３と、この絶縁層
５３上に設けられたＭＲ素子５４と、ＭＲ素子５４の後
端部５４Ｂに接続された後端部電極５７と、ＭＲ素子５
４上に絶縁層５５を介して設けられたバイアス導体５６
と、後端部電極５７及びバイアス導体５６上に絶縁層５
８を介して設けられてＭＲ素子５４の前端部５４Ａに接
続された前端電極５９と、前端電極５９上に順次積層さ
れた上部磁性層６０及び保護層６１とを備えている。

【０００４】この縦型のＭＲヘッド５０は、このＭＲ素
子５４に対して前端電極５９及び後端電極５７からセン
ス電流を供給することにより、磁気記録媒体７０からの
信号磁界によるＭＲ素子５４の抵抗変化を検出し、この
抵抗変化に基づいて再生出力を得る。このとき、ＭＲ素
子５４は、前端電極５９と後端電極５７との間の領域ａ
が有効感磁部となり、有効感磁部を除く他の領域ｂが磁
気抵抗効果を妨げる不感磁部となっており、この前端部
５Ｃの不感磁部をギャップデプス部としている。前端電
極５９に接続された前端部５４Ａと後端電極５７に接続
された後端部５４Ｂが磁気抵抗効果を妨げる不感磁部と
なっており、この前端部５４Ａの不感磁部をギャップデ
プス部としている。このような縦型のＭＲヘッド５０
は、再生出力が媒体速度に依存せず、媒体速度が遅くて
も高再生力が得られるという特徴を有している。

【０００５】以下、上記縦型のＭＲヘッド５０におい
て、ＭＲ素子５４の機能について説明する。このＭＲ素
子５４は、入力される磁気記録媒体７０の磁束強度（磁
束量）に応じて電気抵抗値が変化して磁気抵抗効果を生
じる。縦型のＭＲヘッド５０は、ＭＲ素子５４の電気抵
抗値の変化量に応じて生じる前端電極１０及び後端電極
８の間の電圧変化が検出される。したがって、縦型のＭ
Ｒヘッド５０は、この電圧変化を電圧信号として再生出
力を得る。

【０００６】上述した縦型のＭＲヘッド５０において
は、上記ＭＲ素子５４を上部磁性層６０及び下部磁性層
５２で挟持する構造とされているために、分解能が向上
し、これら上部磁性層６０、下部磁性層５２のないもの
と比較して再生出力のＳ／Ｎ及び記録密度が向上する。
また、この縦型のＭＲヘッド５０は、横型のＭＲヘッド
５０に比してオフトラック特性に優れており、今後ＭＲ
ヘッド５０の主流となりつつある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来の縦型のＭＲヘッド５０においては、横型のＭＲヘッ
ド５０と異なり、有効感磁部がギャップデプス部よりも
奥に位置している。このため、従来の縦型のＭＲヘッド
５０は、ギャップデプス部で磁気的飽和を生じて、磁気
記録媒体７０からの信号磁界の有効感磁部への入力が妨
げられ、有効感磁部に入力する信号磁界の強度が減少す
るといった問題点があった。そして、従来の縦型のＭＲ
ヘッド５０は、再生出力を向上させることが困難とな
り、この点が狭ギャップ化、ＭＲ薄膜化等による記録密
度の向上に対する大きな弊害となっている。

【０００８】したがって、本発明は、磁気的飽和を防止
するとともに、磁気抵抗効果素子の有効感磁部に入力す
る信号磁界の強度を増大化して再生出力の向上を図った
薄型磁気ヘッドを提供することを目的に提案されたもの
である。

【０００９】

【課題を解決するための手段】この目的を達成した本発
明に係る薄膜磁気ヘッドは、長手方向が磁気記録媒体の
走行方向と略々直交するように設けられた磁気抵抗効果
素子と、この磁気抵抗効果素子の長手方向両端部にそれ
ぞれ設けられた前端電極及び後端電極と、磁気抵抗効果
素子、前端電極及び後端電極を挟持する上部磁性層と下
部磁性層とを備える。上記磁気抵抗効果素子は、前端電
極と後端電極とにより狭持された領域が有効感磁部とさ
れ、前端電極が設けられた領域、つまり不感磁部である
ギャップデプス部の厚さ寸法が有効感磁部の厚さ寸法よ
り大とされている。

【００１０】以上のように構成された本発明に係る薄膜
磁気ヘッドによれば、この磁気抵抗効果素子に対して前
端電極及び後端電極からセンス電流を供給することによ
り、磁気抵抗効果素子の前端電極が設けられた領域で磁
気的飽和を生じずに、磁気記録媒体からの信号磁界が妨
げられることなく有効感磁部まで入力される。薄膜磁気
ヘッドは、磁気記録媒体からの信号磁界による磁気抵抗
効果素子の抵抗変化を前端電極及び後端電極が検出し、
この抵抗変化に基づいて再生出力を得る。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施の形
態について、図１乃至図２５の図面を参照して詳細に説
明する。本発明の実施の形態として示すＭＲヘッド１
は、図１に示すように、非磁性基板２と、この非磁性基
板２上に積層された下部磁性層３と、この下部磁性層３
上に積層された下部絶縁層４と、この下部絶縁層４上に
設けられたＭＲ素子５とを備えている。また、ＭＲヘッ
ド１は、このＭＲ素子５の前端部５Ｃ及び後端部５Ｄを
除く領域ａ上に積層された中間絶縁層６と、中間絶縁層
６上に設けられたバイアス導体７と、ＭＲ素子５の後端
部５Ｄに接続されてＭＲ素子５の後端部５Ｄ上から下部
絶縁層４上に亘って設けられた後端電極８と、バイアス
導体７及び後端電極８上に積層された上部絶縁層９とを
備えている。さらに、ＭＲヘッド１は、ＭＲ素子５の前
端部５Ｃに接続されてＭＲ素子５の前端部５Ｃ上から上
部絶縁層９上に亘って設けられた前端電極１０と、この
前端電極１０上に積層された上部磁性層１１と、この上
部磁性層１１上に積層された保護層１２とを備えてい
る。

【００１２】非磁性基板２は、セラミクスやガラス等に
より形成されている。保護層１２は、非磁性及び非導電
性を有するＡｌ₂Ｏ₃やＳｉＯ₂等により形成されてい
る。

【００１３】下部磁性層３及び上部磁性層１１は、Ｆｅ
−Ａｌ−Ｓｉ、Ｎｉ−Ｆｅ等の磁性材料によりなる磁気
シールド磁性膜である。下部磁性層３及び上部磁性層１
１は、磁気記録媒体２０からの信号磁界のうち再生対象
以外の磁界を引き込んで、ＭＲ素子５に再生対象だけの
磁界を引き込ませる。上部絶縁層９、中間絶縁層６及び
下部絶縁層４は、Ａｌ₂Ｏ₃やＳｉＯ₂等により形成さ
れている。下部磁性層３は、後述するＭＲ素子５の有効
感磁部に対応した位置に溝部１３が形成されるととも
に、この溝部１３内に熱伝導性に優れた非磁性材１４が
埋め込まれている。非磁性材１４としては、Ａｌ₂Ｏ₃
やＴｉ或はＴａ等の非磁性金属を用いることが好適であ
り、熱伝導性に優れた非磁性材１４であれば非金属を用
いても好ましい。

【００１４】ＭＲ素子５は、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ、Ｎｉ−
Ｆｅ等の磁性材料により形成されている。ＭＲ素子５
は、長手方向が磁気記録媒体２０との対向面、即ち磁気
記録媒体２０走行面と垂直になるように配置されてい
る。ＭＲ素子５は、一方の端面が当該磁気記録媒体２０
走行面に露出されたかたちとされている。

【００１５】前端電極１０及び後端電極８は、Ｃｕ等の
非磁性金属で形成されている。前端電極１０及び後端電
極８は、ＭＲ素子５の両端部５Ｃ、５Ｄにそれぞれ電気
的に接続された一対の電極とされ、ＭＲ素子５を挟持し
ている。前端電極１０及び後端電極８の間には、ＭＲ素
子５の長手方向に沿ってセンス電流が供給される。磁気
記録媒体２０からの信号磁界によるＭＲ素子５の抵抗変
化は、前端電極１０及び後端電極８の間の電圧変化とし
て検出される。

【００１６】ＭＲ素子５は、前端電極１０に接続された
前端部５Ｃと後端電極８に接続された後端部５Ｄとの間
の領域ａが磁気抵抗効果を生じる有効感磁部となってい
る。また、ＭＲ素子５は、有効感磁部を除く他の領域
ｂ、すなわち、前端電極１０に接続された前端部５Ｃと
後端電極８に接続された後端部５Ｄとが磁気抵抗効果を
妨げる不感磁部となっており、この前端部５Ｃの不感磁
部をギャップデプス部としている。ＭＲ素子５のギャッ
プデプス部は、有効感磁部の厚さ寸法ｄより約２倍大と
された厚さ寸法ｃを有している。また、ＭＲ素子５のギ
ャップデプス部は、有効感磁部の厚さ寸法ｄより略２倍
大とされた厚さ寸法ｃを有するために２層構造とされて
もよい。

【００１７】バイアス導体７は、前端電極１０及び後端
電極８の間のＭＲ素子５の抵抗変化が検出される際に、
電流が流されＭＲ素子５に対して所定のバイアス磁界を
印加する。このため、ＭＲ素子５は、バイアス導体７に
より抵抗変化の検出を容易にされ、より高い磁気抵抗効
果を生じた状態で前端電極１０及び後端電極８に検出さ
れる。

【００１８】以上のように構成された実施の形態ＭＲヘ
ッド１は、ＭＲ素子５に対して前端電極１０及び後端電
極８からセンス電流を供給する。ＭＲヘッド１は、ＭＲ
素子５のギャップデプス部である前端部５Ｃで磁気的飽
和を生じずに、磁気記録媒体２０からの信号磁界が妨げ
られることなく有効感磁部まで入力される。

【００１９】ＭＲヘッド１は、磁気記録媒体２０からの
信号磁界を上記ＭＲ素子５が入力すると、この信号磁界
により上記ＭＲ素子５の磁化の向きが反転され、ＭＲ素
子５内部に流れるセンス電流の向きに対して磁性量に応
じた角度をもつようになる。このため、ＭＲヘッド１
は、ＭＲ素子５の電気抵抗値が変化し、図２に示すよう
に、電気抵抗値Ｒの外部磁界依存性が曲線で表される。

【００２０】上記ＭＲ素子５は、駆動される際に、先
ず、外部磁界に対する線形性に優れ且つ最も電気抵抗値
Ｒの変化の大きい動作点Ｐの箇所まで予めバイアス磁界
Ｈｂが加えられる。このときＭＲ素子５では、磁気記録
媒体２０から信号磁界ΔＨｓが入力されると、この信号
磁界ΔＨｓが抵抗変化ΔＲｓに変換される。この抵抗変
化ΔＲｓは、ＭＲ素子５に所定のセンス電流Ｉｓを流し
ておけば、オームの法則：ΔＶｓ＝ΔＲｓ×Ｉｓに基づ
いて出力電圧ΔＶｓとして取り出されることになる。

【００２１】ＭＲヘッド１は、ＭＲ素子５の電気抵抗値
の変化量に応じて生じる前端電極１０及び後端電極８の
間の電圧変化が検出される。したがって、ＭＲヘッド１
は、この電圧変化を電圧信号として再生出力を得る。

【００２２】上述した実施の形態ＭＲヘッド１によれ
ば、ＭＲ素子５のギャップデプス部の厚さ寸法ｃが有効
感磁部の厚さ寸法ｄより大とされたことにより、磁気的
飽和が防止され、ＭＲ素子５の有効感磁部に入力する信
号磁界の強度の増大化が図られる。したがって、ＭＲヘ
ッド１は、磁気記録媒体２０からの信号磁界の入力感度
の向上が図られ、再生出力の向上が図られる。

【００２３】上述した実施の形態ＭＲヘッド１の第１乃
至第４の製造方法について詳細に説明する。上記ＭＲヘ
ッド１を製造する第１の製造方法は、まず、図３に示す
ように、非磁性基板２上に下部磁性層３を積層する。そ
の後、下部磁性層３の表面に、フォトレジストを塗布
し、フォトリソグラフィー技術により所定形状のレジス
トマスクを形成する。そして、このレジストマスクに形
成されたパターンに倣って下部磁性層３をエッチングす
ることにより、ＭＲ素子５の有効感磁部に対応する位置
に溝部１３を形成する。その後、溝部１３内に非磁性材
１４をスパッタ法等の真空薄膜形成技術により充填成膜
する。

【００２４】次に、この下部磁性層３及び非磁性材１４
上に下部絶縁層４を積層する。ここで、下部絶縁層４
は、後工程で配設するＭＲ素子５の下部を電気的に絶縁
するとともに、ＭＲ素子５の下部に磁気的ギャップを形
成する。そして、図４に示すように、下部絶縁層４上に
第１のＭＲ素子５Ａを設ける。

【００２５】次に、図５に示すように、第１のＭＲ素子
５Ａの表面に、レジスト１８を塗布し、フォトリソグラ
フィー技術によりレジスト１８に溝部１９を形成する。
そして、図６に示すように、このレジスト１８の表面に
第２のＭＲ素子５Ｂをスパッタ法等の真空薄膜形成技術
により充填成膜する。その後、図７に示すように、リフ
トオフ法により、レジスト１８及び第２のＭＲ素子５Ｂ
をエッチングする。

【００２６】そして、図８に示すように、ＭＲ素子５上
に中間絶縁層６を積層し、図９に示すように、ＭＲ素子
５の前端部５Ｃ上の中間絶縁層６をエッチングしてＭＲ
素子５の前端部５Ｃが露出する溝部１５を設ける。さら
に、図１０に示すように、中間絶縁層６及びＭＲ素子５
をエッチングする。

【００２７】次に、図１１に示すように、中間絶縁層６
をエッチングしてＭＲ素子５の後端部５Ｄが露出する接
続孔１６を設ける。そして、図１２に示すように、この
接続孔１６を通じてＭＲ素子５の後端部５Ｄと接続する
ように、中間絶縁層６及び下部絶縁層４上に後端電極８
を設ける。また、中間絶縁層６上にバイアス導体７を設
ける。

【００２８】次に、図１３に示すように、これら後端電
極８及びバイアス導体７上に上部絶縁層９を積層し、図
１４に示すように、この上部絶縁層９及び中間絶縁層６
をエッチングしてＭＲ素子５の前端部５Ｃが露出する接
続孔１７を設ける。その後、図１５に示すように、この
接続孔１７を通じてＭＲ素子５の前端部５Ｃと接続する
ように、上部絶縁層９上に前端電極１０を設ける。

【００２９】次に、図１６に示すように、この前端電極
１０上に上部磁性層１１を積層し、この上部磁性層１１
上に保護層１２を積層する。以上の工程の後、所定の形
状に切り出すことによって、ＭＲヘッド１が完成する。
なお、このＭＲヘッド１は、再生専用磁気ヘッドである
が、記録再生用磁気ヘッドとするために、さらに記録用
のインダクティブヘッドを積層しても良い。

【００３０】上記ＭＲヘッド１を製造する第２の製造方
法は、まず、第１の製造方法と同様に、図２乃至図４に
示すように、非磁性基板２上に下部磁性層３、非磁性材
１４、下部絶縁層４を順次に積層し、下部絶縁層４上に
第１のＭＲ素子５Ａを設ける。そして、図１７に示すよ
うに、この第１のＭＲ素子５Ａ上に中間絶縁層６を積層
する。

【００３１】次に、図１８に示すように、中間絶縁層６
をエッチングして第１のＭＲ素子５Ａの前端部５Ｃが露
出する溝部１５を設ける。その後、第１のＭＲ素子５Ａ
の露出した前端部５Ｃ上及び中間絶縁層６上に第２のＭ
Ｒ素子５Ｂを設け、図１９に示すように、中間絶縁層６
上の第２のＭＲ素子５Ｂをエッチングする。

【００３２】次に、第１の製造方法と同様に、図１０乃
至図１６に示すように、後端電極８及びバイアス導体７
を設け、上部絶縁層９を積層し、前端電極１０を設け、
上部磁性層１１及び保護層１２を積層する。以上の工程
の後、所定の形状に切り出すことによって、ＭＲヘッド
１が完成する。なお、このＭＲヘッド１は、再生専用磁
気ヘッドであるが、記録再生用磁気ヘッドとするため
に、さらに記録用のインダクティブヘッドを積層しても
良い。

【００３３】上記ＭＲヘッド１を製造する第３の製造方
法は、まず、第２の製造方法と同様に、図１７に示すよ
うに、非磁性基板２上に下部磁性層３、非磁性材１４、
下部絶縁層４を順次に積層し、第１のＭＲ素子５Ａを設
け、中間絶縁層６を積層する。

【００３４】次に、図２０に示すように、この中間絶縁
層６及び第１のＭＲ素子５Ａをエッチングし、さらに図
２１に示すように、中間絶縁層６をエッチングして第１
のＭＲ素子５Ａの前端部５Ｃが露出する溝部１５を設け
る。その後、図２２に示すように、第１のＭＲ素子５Ａ
の露出した前端部５Ｃ上及び中間絶縁層６上に第２のＭ
Ｒ素子５Ｂを設け、図２３に示すように、中間絶縁層６
上の第２のＭＲ素子５Ｂをエッチングする。

【００３５】次に、第１の製造方法と同様に、図１１乃
至図１６に示すように、後端電極８及びバイアス導体７
を設け、上部絶縁層９を積層し、前端電極１０を設け、
上部磁性層１１及び保護層１２を積層する。以上の工程
の後、所定の形状に切り出すことによって、ＭＲヘッド
１が完成する。なお、このＭＲヘッド１は、再生専用磁
気ヘッドであるが、記録再生用磁気ヘッドとするため
に、さらに記録用のインダクティブヘッドを積層しても
良い。

【００３６】上記ＭＲヘッド１を製造する第４の製造方
法は、まず、第１の製造方法と同様に、図３に示すよう
に、非磁性基板２上に下部磁性層３、非磁性材１４、下
部絶縁層４を順次に積層する。次に、図２５に示すよう
に、下部絶縁層４上にＭＲ素子５を設け、図２６に示す
ように、ＭＲ素子５における前端部５Ｃを除く他の領域
の厚さ寸法の約１／２程度をエッチングする。

【００３７】次に、第１の製造方法と同様に、図８乃至
図１６に示すように、中間絶縁層６を積層し、後端電極
８及びバイアス導体７を設け、上部絶縁層９を積層し、
前端電極１０を設け、上部磁性層１１及び保護層１２を
積層する。以上の工程の後、所定の形状に切り出すこと
によって、ＭＲヘッド１が完成する。なお、このＭＲヘ
ッド１は、再生専用磁気ヘッドであるが、記録再生用磁
気ヘッドとするために、さらに記録用のインダクティブ
ヘッドを積層しても良い。

【００３８】本発明の他の実施の形態として示すＭＲヘ
ッド３０は、図２６乃至図３２に示すように、基本的な
構成を実施の形態ＭＲヘッド１と同様とし、以下の説明
において、実施の形態ＭＲヘッド１と同一部材、同一構
成部について、同一符号を付すことにより説明を省略す
る。

【００３９】ＭＲ素子５は、図２６に示すように、ギャ
ップデプス部が、有効感磁部の厚さ寸法ｄと略等しい厚
さ寸法ｃを有している。前端電極１０は、Ｆｅ−Ａｌ−
Ｓｉ、Ｎｉ−Ｆｅ等の磁性金属により形成されている。
また、前端電極１０と上部磁性層１１との間には、Ｔｉ
或はＴａ等の非磁性金属からなる金属ギャップ３１が設
けられている。

【００４０】上述した他の実施の形態ＭＲヘッド３０に
よれば、磁性金属よりなる前端電極１０がＭＲ素子５の
ギャップデプス部上に設けられたことにより、磁気的飽
和が防止され、ＭＲ素子５の有効感磁部に入力する信号
磁界の強度の増大化が図られる。したがって、ＭＲヘッ
ド３０は、磁気記録媒体２０からの信号磁界の入力感度
の向上が図られ、再生出力の向上が図られる。

【００４１】上述した他の実施の形態ＭＲヘッド３０の
製造方法について詳細に説明する。上記ＭＲヘッド３０
を製造する製造方法は、まず、ＭＲヘッド１の第３の製
造方法と同様に、図２０及び図２１に示すように、非磁
性基板２上に下部磁性層３、非磁性材１４、下部絶縁層
４を順次に積層し、ＭＲ素子５を設け、中間絶縁層６を
積層し、中間絶縁層６にＭＲ素子５の前端部５Ｃが露出
する溝部１５を設ける。

【００４２】次に、図２７に示すように、中間絶縁層６
をエッチングしてＭＲ素子５の後端部５Ｄが露出する接
続孔１６を設ける。そして、図２８に示すように、この
接続孔１６を通じてＭＲ素子５の後端部５Ｄと接続する
ように、中間絶縁層６及び下部絶縁層４上に後端電極８
を設ける。また、中間絶縁層６上にバイアス導体７を設
ける。

【００４３】次に、図２９に示すように、これら後端電
極８及びバイアス導体７上に上部絶縁層９を積層し、図
３０に示すように、この上部絶縁層９及び中間絶縁層６
をエッチングしてＭＲ素子５の前端部５Ｃが露出する接
続孔１７を設ける。その後、図３１に示すように、この
接続孔１７を通じてＭＲ素子５の前端部５Ｃと接続する
ように、上部絶縁層９上に前端電極１０を設ける。

【００４４】次に、図３２に示すように、この前端電極
１０上に金属ギャップ３１を設け、この金属ギャップ３
１上に上部磁性層１１、保護層１２を順次積層する。以
上の工程の後、所定の形状に切り出すことによって、Ｍ
Ｒヘッド１が完成する。なお、このＭＲヘッド１は、再
生専用磁気ヘッドであるが、記録再生用磁気ヘッドとす
るために、さらに記録用のインダクティブヘッドを積層
しても良い。

【００４５】

【発明の効果】上述したように、本発明に係る薄膜磁気
ヘッドによれば、磁気抵抗効果素子の前端電極が設けら
れた領域の厚さ寸法が有効感磁部の厚さ寸法より大とさ
れたことにより、磁気的飽和が防止され、磁気抵抗効果
素子の有効感磁部に入力する信号磁界の強度の増大化が
図られる。したがって、薄膜磁気ヘッドは、磁気記録媒
体からの信号磁界の入力感度の向上が図られ、再生出力
の向上が図られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る実施の形態ＭＲヘッドを示す要部
断面図である。

【図２】上記従来のＭＲ素子のＭＲ特性を示す特性図で
ある。

【図３】第１の製造方法において、非磁性基板上に下部
磁性層、非磁性材及び下部絶縁層を積層した状態を示す
上記ＭＲヘッドの要部断面図である。

【図４】下部絶縁層上にＭＲ素子を設けた状態を示す上
記ＭＲヘッドの要部断面図である。

【図５】第１のＭＲ素子上にレジストを塗布した状態を
示す上記ＭＲヘッドの要部断面図である。

【図６】第１のＭＲ素子上に第２のＭＲ素子を設けた状
態を示す上記ＭＲヘッドの要部断面図である。

【図７】第２のＭＲ素子をエッチングした状態を示す上
記ＭＲヘッドの要部断面図である。

【図８】ＭＲ素子上に中間絶縁層を積層した状態を示す
上記ＭＲヘッドの要部断面図である。

【図９】ＭＲ素子の前端部が露出する接続孔を設けた状
態を示す上記ＭＲヘッドの要部断面図である。

【図１０】中間絶縁層及びＭＲ素子をエッチングした状
態を示す上記ＭＲヘッドの要部断面図である。

【図１１】中間絶縁層をエッチングしてＭＲ素子の後端
部が露出する接続孔を設けた状態を示す上記ＭＲヘッド
の要部断面図である。

【図１２】中間絶縁層及び下部絶縁層上に後端電極を設
け、中間絶縁層上にバイアス導体を設けた状態を示す上
記ＭＲヘッドの要部断面図である。

【図１３】後端電極及びバイアス導体上に上部絶縁層を
積層した状態を示す上記ＭＲヘッドの要部断面図であ
る。

【図１４】上部絶縁層及び中間絶縁層をエッチングして
ＭＲ素子の前端部が露出する接続孔を設けた状態を示す
上記ＭＲヘッドの要部断面図である。

【図１５】上部絶縁層上に前端電極を設けた状態を示す
上記ＭＲヘッドの要部断面図である。

【図１６】前端電極上に上部磁性層、保護層を積層した
状態を示す上記ＭＲヘッドの要部断面図である。

【図１７】第２の製造方法において、下部絶縁層上に第
１のＭＲ素子を設け、中間絶縁層を積層した状態を示す
上記ＭＲヘッドの要部断面図である。

【図１８】第１のＭＲ素子の前端部が露出する溝部を設
け、第１のＭＲ素子の前端部上に第２のＭＲ素子を設け
た状態を示す上記ＭＲヘッドの要部断面図である。

【図１９】第２のＭＲ素子をエッチングした状態を示す
上記ＭＲヘッドの要部断面図である。

【図２０】第３の製造方法において、中間絶縁層及び第
１のＭＲ素子をエッチングした状態を示す上記ＭＲ素子
の要部断面図である。

【図２１】第１のＭＲ素子の前端部が露出する溝部を設
けた状態を示す上記ＭＲヘッドの要部断面図である。

【図２２】第１のＭＲ素子の前端部上に第２のＭＲ素子
を設けた状態を示す上記ＭＲヘッドの要部断面図であ
る。

【図２３】第２のＭＲ素子をエッチングした状態を示す
上記ＭＲヘッドの要部断面図である。

【図２４】第４の製造方法において、下部絶縁層上にＭ
Ｒ素子を設けた状態を示す上記ＭＲヘッドの要部断面図
である。

【図２５】ＭＲ素子をエッチングした状態を示す上記Ｍ
Ｒヘッドの要部断面図である。

【図２６】本発明に係る他の実施の形態ＭＲヘッドを示
す要部断面図である。

【図２７】中間絶縁層をエッチングしてＭＲ素子の後端
部が露出する接続孔を設けた状態を示す上記ＭＲヘッド
の要部断面図である。

【図２８】中間絶縁層及び下部絶縁層上に後端電極を設
け、中間絶縁層上にバイアス導体を設けた状態を示す上
記ＭＲヘッドの要部断面図である。

【図２９】後端電極及びバイアス導体上に上部絶縁層を
積層した状態を示す上記ＭＲヘッドの要部断面図であ
る。

【図３０】上部絶縁層及び中間絶縁層をエッチングして
ＭＲ素子の前端部が露出する接続孔を設けた状態を示す
上記ＭＲヘッドの要部断面図である。

【図３１】上部絶縁層上に前端電極を設けた状態を示す
上記ＭＲヘッドの要部断面図である。

【図３２】前端電極上に金属ギャップ、上部磁性層、保
護層を積層した状態を示す上記ＭＲヘッドの要部断面図
である。

【図３３】従来のＭＲ素子を示す要部断面図である。

【符号の説明】

１ＭＲヘッド３下部磁性層５ＭＲ素子８後端電極１０前端電極１１上部磁性層２０磁気記録媒体ａＭＲ素子の前端電極と後端電極とにより狭持された
領域ｂＭＲ素子の前端電極が設けられた領域

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】長手方向が磁気記録媒体の走行方向と略
々直交するように設けられた磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子の長手方向両端部にそれぞれ設け
られた前端電極及び後端電極と、磁気抵抗効果素子、前端電極及び後端電極を挟持する上
部磁性層と下部磁性層とを備え、上記磁気抵抗効果素子は、前端電極と後端電極とにより
狭持された領域が有効感磁部とされ、前端電極が設けら
れた領域の厚さ寸法が有効感磁部の厚さ寸法より大とさ
れたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】磁気抵抗効果素子は、前端電極が設けら
れた領域が２層構造とされたことを特徴とする請求項１
に記載の薄膜磁気ヘッド。