JPH07296335A - 磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗型薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH07296335A JPH07296335A JP9129394A JP9129394A JPH07296335A JP H07296335 A JPH07296335 A JP H07296335A JP 9129394 A JP9129394 A JP 9129394A JP 9129394 A JP9129394 A JP 9129394A JP H07296335 A JPH07296335 A JP H07296335A
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- reproducing
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は磁気記録媒体に情報を記録再生する
磁気記録再生装置に搭載され、磁気記録媒体上に書き込
まれた情報を読み出す磁気抵抗型磁気ヘッドに関するも
のであり、再生ヨークの応力によって磁気抵抗素子に働
く軸応力差を小さくすることでバルクハウゼンノイズを
低減し、安定した再生出力を得ようとするものである。 【構成】 請求項１の本発明は上記課題を解決するため
に磁気抵抗素子の再生ヨークの外側にある部分が前記リ
ード電極によって覆われていることを特徴とする。請求
項３の本発明は上記課題を解決するために磁気抵抗素子
の前に配設される再生ヨークの一部であるフロントヨー
クの幅に対して、磁気抵抗素子の後ろに配設される再生
ヨークの一部であるバックヨークの幅が広いことを特徴
とする。
磁気記録再生装置に搭載され、磁気記録媒体上に書き込
まれた情報を読み出す磁気抵抗型磁気ヘッドに関するも
のであり、再生ヨークの応力によって磁気抵抗素子に働
く軸応力差を小さくすることでバルクハウゼンノイズを
低減し、安定した再生出力を得ようとするものである。 【構成】 請求項１の本発明は上記課題を解決するため
に磁気抵抗素子の再生ヨークの外側にある部分が前記リ
ード電極によって覆われていることを特徴とする。請求
項３の本発明は上記課題を解決するために磁気抵抗素子
の前に配設される再生ヨークの一部であるフロントヨー
クの幅に対して、磁気抵抗素子の後ろに配設される再生
ヨークの一部であるバックヨークの幅が広いことを特徴
とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気記録媒体に情報を記
録再生する磁気記録再生装置に搭載され、磁気記録媒体
上に書き込まれた情報を読み出す磁気ヘッドに関するも
のである。特に磁気抵抗効果を読み出し原理とした磁気
抵抗型薄膜磁気ヘッドに関するものである。
録再生する磁気記録再生装置に搭載され、磁気記録媒体
上に書き込まれた情報を読み出す磁気ヘッドに関するも
のである。特に磁気抵抗効果を読み出し原理とした磁気
抵抗型薄膜磁気ヘッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度に記録された磁気記録媒体
から情報を読み出すヘッドとして磁気抵抗型薄膜磁気ヘ
ッド（以下ＭＲヘッドと称す）が注目されている。ここ
では磁気テープから情報を読み出すヘッドにおける一例
として、再生ヨークによって信号磁界を磁気抵抗素子
（以下ＭＲＥと称す）に印加するヨーク型ＭＲヘッドに
ついて説明する。ヨーク型ＭＲヘッドの斜視図を図８
に、平面図を図９に示す。
から情報を読み出すヘッドとして磁気抵抗型薄膜磁気ヘ
ッド（以下ＭＲヘッドと称す）が注目されている。ここ
では磁気テープから情報を読み出すヘッドにおける一例
として、再生ヨークによって信号磁界を磁気抵抗素子
（以下ＭＲＥと称す）に印加するヨーク型ＭＲヘッドに
ついて説明する。ヨーク型ＭＲヘッドの斜視図を図８
に、平面図を図９に示す。
【０００３】図８においてヨーク型ＭＲヘッドは磁性基
板５１上に絶縁層を介してＡｌ，Ａｕ等の導体により形
成されたバイアス導体５２、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3等で形
成されたギャップ絶縁層５５、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｃｏ
合金薄膜等で形成されたＭＲＥ５３、Ａｌ、Ａｕ等の導
体で形成されたリード電極５４ａ，５４ｂとこのとき同
時に形成される斜めに傾斜したＢＢＰ電極５８ａ，５８
ｂ，５８ｃ，５８ｄ，５８ｅ、そして磁気テープ摺動面
５９から磁気テープ信号磁束をＭＲＥ５３に導くための
ものであってＮｉ−Ｆｅ、アモルファス合金等の強磁性
薄膜で形成される一対の再生ヨーク等が絶縁層（図示せ
ず）を介して順次積層して構成される。ＭＲＥ５３は磁
界中蒸着等により成膜時にトラック幅方向に一軸異方性
が付与され、再生ヨークはＭＲＥ５３を前後に挟んでパ
ターン形成されてフロントヨーク５６およびバックヨー
ク５７に分割され、フロントヨークの幅がトラック幅と
なる。そしてフロントヨーク５６、ＭＲＥ５３、バック
ヨーク５７、磁性基板５１により閉磁路を形成するが、
再生感度を上げるために図９のようにＭＲＥ５３に対し
てフロントヨーク５６とバックヨーク５７が一部オーバ
ーラップした構成がとられる。
板５１上に絶縁層を介してＡｌ，Ａｕ等の導体により形
成されたバイアス導体５２、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3等で形
成されたギャップ絶縁層５５、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｃｏ
合金薄膜等で形成されたＭＲＥ５３、Ａｌ、Ａｕ等の導
体で形成されたリード電極５４ａ，５４ｂとこのとき同
時に形成される斜めに傾斜したＢＢＰ電極５８ａ，５８
ｂ，５８ｃ，５８ｄ，５８ｅ、そして磁気テープ摺動面
５９から磁気テープ信号磁束をＭＲＥ５３に導くための
ものであってＮｉ−Ｆｅ、アモルファス合金等の強磁性
薄膜で形成される一対の再生ヨーク等が絶縁層（図示せ
ず）を介して順次積層して構成される。ＭＲＥ５３は磁
界中蒸着等により成膜時にトラック幅方向に一軸異方性
が付与され、再生ヨークはＭＲＥ５３を前後に挟んでパ
ターン形成されてフロントヨーク５６およびバックヨー
ク５７に分割され、フロントヨークの幅がトラック幅と
なる。そしてフロントヨーク５６、ＭＲＥ５３、バック
ヨーク５７、磁性基板５１により閉磁路を形成するが、
再生感度を上げるために図９のようにＭＲＥ５３に対し
てフロントヨーク５６とバックヨーク５７が一部オーバ
ーラップした構成がとられる。
【０００４】ヘッドの再生動作は、フロントヨーク５６
によってＭＲＥ５３に導かれたテープからの信号磁界に
よってＭＲＥ５３の抵抗が変化し、リード電極５４から
印加した電流によって信号磁界を電圧変化として読み出
すことで行われる。
によってＭＲＥ５３に導かれたテープからの信号磁界に
よってＭＲＥ５３の抵抗が変化し、リード電極５４から
印加した電流によって信号磁界を電圧変化として読み出
すことで行われる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このヨーク型ＭＲヘッ
ドの動作特性は不安定で、その際のＭＲＥ５３の磁区状
態を見ると図１０のようにフロントヨーク５６及びバッ
クヨーク５７のコーナー部で磁壁６０が発生している。
このように磁性膜の磁区が不連続に移動することで発生
するノイズはバルクハウゼンノイズと呼ばれ、ヘッドの
不安定動作を引き起こすという問題点があった。このバ
ルクハウゼンノイズの発生原因はＭＲＥ５３の磁気異方
性の乱れに起因する。
ドの動作特性は不安定で、その際のＭＲＥ５３の磁区状
態を見ると図１０のようにフロントヨーク５６及びバッ
クヨーク５７のコーナー部で磁壁６０が発生している。
このように磁性膜の磁区が不連続に移動することで発生
するノイズはバルクハウゼンノイズと呼ばれ、ヘッドの
不安定動作を引き起こすという問題点があった。このバ
ルクハウゼンノイズの発生原因はＭＲＥ５３の磁気異方
性の乱れに起因する。
【０００６】以下に磁気異方性が乱れる理由を述べる。
図１１（ａ）、図１１（ｂ）に従来例のヨーク型ＭＲヘ
ッドの有限要素法による応力解析結果を示す。但し解析
は図９のＡ−Ａ′より下半分で行った。図１１（ａ）は
トラック幅方向をＸ軸とした時のＭＲＥ５３のＸ方向の
軸応力σxxを等高線で示したものであり、図１１（ｂ）
はＭＲＥ５３のＹ方向の軸応力σyyを等高線で示したも
のである。これよりＭＲＥ５３のトラック幅内のＢ部で
はＹ方向の軸応力が大きく、バックヨーク外側のＣ部で
はＸ方向の軸応力が大きくなっている。従ってＭＲＥ５
３の磁歪定数が負の場合、信号検知の主領域であるＢ部
には応力によって誘起される異方性磁界が一軸異方性を
強める方に働くためヘッドをより安定に動作させること
ができる。しかし一方Ｃ部では弱める方に働き、ノイズ
要因となる。そこでＣ部での一軸異方性への影響を見積
もる。磁歪定数λｓの磁性体に軸応力差
図１１（ａ）、図１１（ｂ）に従来例のヨーク型ＭＲヘ
ッドの有限要素法による応力解析結果を示す。但し解析
は図９のＡ−Ａ′より下半分で行った。図１１（ａ）は
トラック幅方向をＸ軸とした時のＭＲＥ５３のＸ方向の
軸応力σxxを等高線で示したものであり、図１１（ｂ）
はＭＲＥ５３のＹ方向の軸応力σyyを等高線で示したも
のである。これよりＭＲＥ５３のトラック幅内のＢ部で
はＹ方向の軸応力が大きく、バックヨーク外側のＣ部で
はＸ方向の軸応力が大きくなっている。従ってＭＲＥ５
３の磁歪定数が負の場合、信号検知の主領域であるＢ部
には応力によって誘起される異方性磁界が一軸異方性を
強める方に働くためヘッドをより安定に動作させること
ができる。しかし一方Ｃ部では弱める方に働き、ノイズ
要因となる。そこでＣ部での一軸異方性への影響を見積
もる。磁歪定数λｓの磁性体に軸応力差
【０００７】
【数１】
【０００８】の応力が働いた際、磁歪の逆効果により磁
性体に誘起する異方性エネルギーＥｕは、
性体に誘起する異方性エネルギーＥｕは、
【０００９】
【数２】
【００１０】のように表される。ＭＲＥ５３のλｓが−
２×１０-6で、Ｃ部での軸応力差が３×１０8の時に応
力によって誘起された異方性エネルギー値はＥｕ〜−９
０J／m3となり成膜時に形成された一軸異方性エネルギ
ー１６０〜２００J／m3に対してかなり大きく、一軸異
方性が乱されて磁壁が発生し易くなることがわかる。こ
れは図１０で磁壁が発生した箇所と良く対応している。
２×１０-6で、Ｃ部での軸応力差が３×１０8の時に応
力によって誘起された異方性エネルギー値はＥｕ〜−９
０J／m3となり成膜時に形成された一軸異方性エネルギ
ー１６０〜２００J／m3に対してかなり大きく、一軸異
方性が乱されて磁壁が発生し易くなることがわかる。こ
れは図１０で磁壁が発生した箇所と良く対応している。
【００１１】すなわち従来においてはＭＲＥ５３にオー
バーラップするフロントヨーク５６及びバックヨーク５
７の内部応力によってＭＲＥ５３の再生トラック内では
安定に動作させることができるが、再生トラックの外側
の信号検知部分にＭＲＥ５３の一軸異方性を乱す領域が
あるため、バルクハウゼンノイズが発生し、ヘッド動作
を不安定にするという課題があった。
バーラップするフロントヨーク５６及びバックヨーク５
７の内部応力によってＭＲＥ５３の再生トラック内では
安定に動作させることができるが、再生トラックの外側
の信号検知部分にＭＲＥ５３の一軸異方性を乱す領域が
あるため、バルクハウゼンノイズが発生し、ヘッド動作
を不安定にするという課題があった。
【００１２】本発明は、この課題を鑑みＭＲＥ５３の信
号検知領域全体において軸応力差を小さくして、応力状
態を改善することを目的とする。
号検知領域全体において軸応力差を小さくして、応力状
態を改善することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】請求項１の本発明は上記
課題を解決するために磁気抵抗素子の再生ヨークの外側
にある部分が前記リード電極によって覆われていること
を特徴とする。
課題を解決するために磁気抵抗素子の再生ヨークの外側
にある部分が前記リード電極によって覆われていること
を特徴とする。
【００１４】請求項３の本発明は上記課題を解決するた
めに磁気抵抗素子の前に配設される再生ヨークの一部で
あるフロントヨークの幅に対して、磁気抵抗素子の後ろ
に配設される再生ヨークの一部であるバックヨークの幅
が広いことを特徴とする。
めに磁気抵抗素子の前に配設される再生ヨークの一部で
あるフロントヨークの幅に対して、磁気抵抗素子の後ろ
に配設される再生ヨークの一部であるバックヨークの幅
が広いことを特徴とする。
【００１５】
【作用】請求項１の上記構成によれば再生ヨークの応力
の悪影響を受けるＭＲＥの特に再生ヨークの外側部分を
リード電極で覆うことで、ＭＲＥの図１１のＣ部での軸
応力差が低減する。
の悪影響を受けるＭＲＥの特に再生ヨークの外側部分を
リード電極で覆うことで、ＭＲＥの図１１のＣ部での軸
応力差が低減する。
【００１６】請求項３の上記構成によればバックヨーク
を広げることにより、請求項１の場合と同様にＭＲＥの
軸応力差が低減する。
を広げることにより、請求項１の場合と同様にＭＲＥの
軸応力差が低減する。
【００１７】
【実施例】図１は請求項１の本発明の一つの実施例の斜
視図で、図２は平面図である。図１のように磁性基板１
１上に、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3等で形成された絶縁層（図
示せず）を介してＡｌ、Ａｕ等の導体材料で形成された
バイアス導体１２、更にＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3等で形成さ
れた絶縁層（図示せず）を介してＮｉ−Ｆｅ合金薄膜等
で形成されたＭＲＥ１３とＡｌ、Ａｕ等の導体で形成さ
れたリード電極１４ａ，１４ｂ及び傾斜したＢＢＰ電極
１８ａ，１８ｂ，１８ｃ、そしてＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3等
で形成されたギャップ絶縁層１５を介して磁気テープ摺
動面１９から磁気テープ信号磁束をＭＲＥ１３に導くた
めのＮｉ−Ｆｅ、アモルファス合金等の強磁性薄膜で形
成される再生ヨーク等が絶縁層（図示せず）を介して順
次積層してヘッドが形成される。ＭＲＥ１３は磁界中蒸
着等により成膜時にトラック幅方向に一軸異方性が付与
され、再生ヨークはＭＲＥ１３を前後に挟んでパターン
形成されてフロントヨーク１６及びバックヨーク１７に
分割され、フロントヨークの幅がトラック幅となる。そ
してフロントヨーク１６、ＭＲＥ１３、バックヨーク１
７、磁性基板１１により閉磁路を形成するが、再生感度
を上げるために図２のようにＭＲＥ１３に対してフロン
トヨーク１６とバックヨーク１７が一部オーバーラップ
した構成がとられる。
視図で、図２は平面図である。図１のように磁性基板１
１上に、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3等で形成された絶縁層（図
示せず）を介してＡｌ、Ａｕ等の導体材料で形成された
バイアス導体１２、更にＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3等で形成さ
れた絶縁層（図示せず）を介してＮｉ−Ｆｅ合金薄膜等
で形成されたＭＲＥ１３とＡｌ、Ａｕ等の導体で形成さ
れたリード電極１４ａ，１４ｂ及び傾斜したＢＢＰ電極
１８ａ，１８ｂ，１８ｃ、そしてＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3等
で形成されたギャップ絶縁層１５を介して磁気テープ摺
動面１９から磁気テープ信号磁束をＭＲＥ１３に導くた
めのＮｉ−Ｆｅ、アモルファス合金等の強磁性薄膜で形
成される再生ヨーク等が絶縁層（図示せず）を介して順
次積層してヘッドが形成される。ＭＲＥ１３は磁界中蒸
着等により成膜時にトラック幅方向に一軸異方性が付与
され、再生ヨークはＭＲＥ１３を前後に挟んでパターン
形成されてフロントヨーク１６及びバックヨーク１７に
分割され、フロントヨークの幅がトラック幅となる。そ
してフロントヨーク１６、ＭＲＥ１３、バックヨーク１
７、磁性基板１１により閉磁路を形成するが、再生感度
を上げるために図２のようにＭＲＥ１３に対してフロン
トヨーク１６とバックヨーク１７が一部オーバーラップ
した構成がとられる。
【００１８】ヘッドの再生動作は、フロントヨーク１６
によってＭＲＥ１３に導かれたテープからの信号磁界に
よってＭＲＥ１３の抵抗が変化し、リード電極１４から
印加した電流によって信号磁界を電圧変化として読み出
すことで行われる。
によってＭＲＥ１３に導かれたテープからの信号磁界に
よってＭＲＥ１３の抵抗が変化し、リード電極１４から
印加した電流によって信号磁界を電圧変化として読み出
すことで行われる。
【００１９】上記請求項１の実施例での有限要素法によ
る応力解析結果を図５に示す。但し解析は図２のＡ−
Ａ′より下半分で行った。図５（ａ）はトラック幅方向
をＸ軸とした時のＭＲＥ１３のＸ方向の軸応力σxxを等
高線で示したものであり、図５（ｂ）はＭＲＥ１３のＹ
方向の軸応力σyyを等高線で示したものである。これよ
りＭＲＥ１３のフロントヨーク１６のトラックの外側を
含めた検知領域全体で軸応力差が減少し、応力状態が改
善されていることがわかる。
る応力解析結果を図５に示す。但し解析は図２のＡ−
Ａ′より下半分で行った。図５（ａ）はトラック幅方向
をＸ軸とした時のＭＲＥ１３のＸ方向の軸応力σxxを等
高線で示したものであり、図５（ｂ）はＭＲＥ１３のＹ
方向の軸応力σyyを等高線で示したものである。これよ
りＭＲＥ１３のフロントヨーク１６のトラックの外側を
含めた検知領域全体で軸応力差が減少し、応力状態が改
善されていることがわかる。
【００２０】さらに請求項２のようにリード電極１４の
内部応力と再生ヨークを構成するフロントヨーク１６、
バックヨーク１７の内部応力とが同符号の場合について
図７を用いて説明する。図７（ａ）は図２のＤ部を拡大
したもので、図７（ｂ）は図７（ａ）のＡ−Ａ′断面図
である。リード電極１４ａの軸応力をＴXX、ＴYYし、フ
ロントヨーク１６の軸応力をＳXX、ＳYYとするとこの場
合両者とも引っ張り応力なので、図７（ａ），（ｂ）の
ようになり、再生ヨークの引っ張り応力が重なった部分
で打ち消しあって弱められるため、ＭＲＥ１３に外部か
ら加わるＸ方向の軸応力は低減される。
内部応力と再生ヨークを構成するフロントヨーク１６、
バックヨーク１７の内部応力とが同符号の場合について
図７を用いて説明する。図７（ａ）は図２のＤ部を拡大
したもので、図７（ｂ）は図７（ａ）のＡ−Ａ′断面図
である。リード電極１４ａの軸応力をＴXX、ＴYYし、フ
ロントヨーク１６の軸応力をＳXX、ＳYYとするとこの場
合両者とも引っ張り応力なので、図７（ａ），（ｂ）の
ようになり、再生ヨークの引っ張り応力が重なった部分
で打ち消しあって弱められるため、ＭＲＥ１３に外部か
ら加わるＸ方向の軸応力は低減される。
【００２１】なお、リード電極１４とフロントヨーク１
６とバックヨーク１７の内部応力の符号は、ＭＲＥ１３
の磁歪定数λｓの符号と関係し、本実施例ではＭＲＥ１
３のλｓが負でかつリード電極１４とフロントヨーク１
６とバックヨーク１７の各内部応力の符号がいずれも正
の場合であるが、ＭＲＥ１３のλｓが正でかつリード電
極１４とフロントヨーク１６とバックヨーク１７の各内
部応力の符号がいずれも負の場合でも同様の効果を有す
る。
６とバックヨーク１７の内部応力の符号は、ＭＲＥ１３
の磁歪定数λｓの符号と関係し、本実施例ではＭＲＥ１
３のλｓが負でかつリード電極１４とフロントヨーク１
６とバックヨーク１７の各内部応力の符号がいずれも正
の場合であるが、ＭＲＥ１３のλｓが正でかつリード電
極１４とフロントヨーク１６とバックヨーク１７の各内
部応力の符号がいずれも負の場合でも同様の効果を有す
る。
【００２２】図３は請求項３の本発明の一つの実施例の
斜視図で、図４は平面図である。請求項３の場合と同様
にして磁性基板２１上に、絶縁層（図示せず）を介して
バイアス導体２２、ＭＲＥ２３とリード電極２４ａ，２
４ｂ及び傾斜したＢＢＰ電極２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，
２８ｄ，２８ｅ、更に再生ヨーク等が絶縁層（図示せ
ず）を介して順次積層してヘッドが形成される。ＭＲＥ
２３は磁界中蒸着等により成膜時にトラック幅方向に一
軸異方性が付与され、再生ヨークはＭＲＥ２３を前後に
挟んでパターン形成されてフロントヨーク２６及びバッ
クヨーク２７に分割され、フロントヨークの幅がトラッ
ク幅となる。そしてフロントヨーク２６、ＭＲＥ２３、
バックヨーク２７、磁性基板２１により閉磁路を形成す
るが、再生感度を上げるために図３のようにＭＲＥ２３
に対してフロントヨーク２６とバックヨーク２７が一部
オーバーラップした構成がとられる。
斜視図で、図４は平面図である。請求項３の場合と同様
にして磁性基板２１上に、絶縁層（図示せず）を介して
バイアス導体２２、ＭＲＥ２３とリード電極２４ａ，２
４ｂ及び傾斜したＢＢＰ電極２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，
２８ｄ，２８ｅ、更に再生ヨーク等が絶縁層（図示せ
ず）を介して順次積層してヘッドが形成される。ＭＲＥ
２３は磁界中蒸着等により成膜時にトラック幅方向に一
軸異方性が付与され、再生ヨークはＭＲＥ２３を前後に
挟んでパターン形成されてフロントヨーク２６及びバッ
クヨーク２７に分割され、フロントヨークの幅がトラッ
ク幅となる。そしてフロントヨーク２６、ＭＲＥ２３、
バックヨーク２７、磁性基板２１により閉磁路を形成す
るが、再生感度を上げるために図３のようにＭＲＥ２３
に対してフロントヨーク２６とバックヨーク２７が一部
オーバーラップした構成がとられる。
【００２３】ヘッドの再生動作は、フロントヨーク２６
によってＭＲＥ２３に導かれたテープからの信号磁界に
よってＭＲＥ２３の抵抗が変化し、リード電極２４から
印加した電流によって信号磁界を電圧変化として読み出
すことで行われる。
によってＭＲＥ２３に導かれたテープからの信号磁界に
よってＭＲＥ２３の抵抗が変化し、リード電極２４から
印加した電流によって信号磁界を電圧変化として読み出
すことで行われる。
【００２４】上記請求項３の実施例での有限要素法によ
る応力解析結果を図６に示す。但し解析は図４のＡ−
Ａ′より上半分で行った。図６（ａ）はトラック幅方向
をＸ軸とした時のＭＲＥ２３のＸ方向の軸応力σxxを等
高線で示したものであり、図６（ｂ）はＭＲＥ２３のＹ
方向の軸応力σyyを等高線で示したものである。これよ
りＭＲＥ２３のフロントヨーク２６のトラックの外側を
含めた検知領域全体で軸応力差が減少し、応力状態が改
善されている。
る応力解析結果を図６に示す。但し解析は図４のＡ−
Ａ′より上半分で行った。図６（ａ）はトラック幅方向
をＸ軸とした時のＭＲＥ２３のＸ方向の軸応力σxxを等
高線で示したものであり、図６（ｂ）はＭＲＥ２３のＹ
方向の軸応力σyyを等高線で示したものである。これよ
りＭＲＥ２３のフロントヨーク２６のトラックの外側を
含めた検知領域全体で軸応力差が減少し、応力状態が改
善されている。
【００２５】さらに請求項４においても請求項２と同様
にして、リード電極２４とフロントヨーク２６とバック
ヨーク２７の各内部応力の符号が同じであれば、リード
電極２４とフロントヨーク２６とバックヨーク２７の各
応力は両者が重なった部分で打ち消しあって弱められる
ため、ＭＲＥ２３のＸ方向の軸応力が低減される。
にして、リード電極２４とフロントヨーク２６とバック
ヨーク２７の各内部応力の符号が同じであれば、リード
電極２４とフロントヨーク２６とバックヨーク２７の各
応力は両者が重なった部分で打ち消しあって弱められる
ため、ＭＲＥ２３のＸ方向の軸応力が低減される。
【００２６】
【発明の効果】上記したように本発明のＭＲヘッドでは
ヘッド作製工程を増やすことなく、バルクハウゼンノイ
ズの発生を抑制でき、ヘッド動作の安定性が向上する。
ヘッド作製工程を増やすことなく、バルクハウゼンノイ
ズの発生を抑制でき、ヘッド動作の安定性が向上する。
【００２７】他に請求項１においてはヨークの外側をリ
ード電極で覆っているため、低周波信号がヨークを介さ
ずに直接ＭＲＥに飛び込むことを防止することができ
る。
ード電極で覆っているため、低周波信号がヨークを介さ
ずに直接ＭＲＥに飛び込むことを防止することができ
る。
【００２８】また請求項３においてはＭＲＥの信号検知
領域を減少させることがないため、トラック幅の狭いヘ
ッドでのノイズ低減に威力を発揮する。
領域を減少させることがないため、トラック幅の狭いヘ
ッドでのノイズ低減に威力を発揮する。
【００２９】なお、バイアス導体を記録用コイルとして
兼用するような記録ヘッドと磁気抵抗ヘッドが一体化し
た複合型ヘッドにおいては、再生ヨークの厚みが増大す
るため、ヨークによって誘起される応力も大きくなり、
本発明の改善効果は大きくなる。
兼用するような記録ヘッドと磁気抵抗ヘッドが一体化し
た複合型ヘッドにおいては、再生ヨークの厚みが増大す
るため、ヨークによって誘起される応力も大きくなり、
本発明の改善効果は大きくなる。
【図１】請求項１の本発明の実施例であるヨーク型ＭＲ
ヘッドの斜視図
ヘッドの斜視図
【図２】請求項１の本発明の実施例であるヨーク型ＭＲ
ヘッドの平面図
ヘッドの平面図
【図３】請求項３の本発明の実施例であるヨーク型ＭＲ
ヘッドの斜視図
ヘッドの斜視図
【図４】請求項３の本発明の実施例であるヨーク型ＭＲ
ヘッドの平面図
ヘッドの平面図
【図５】請求項１の本発明の実施例であるヨーク型ＭＲ
ヘッドの有限要素法による応力解析結果を示した図
ヘッドの有限要素法による応力解析結果を示した図
【図６】請求項３の本発明の実施例であるヨーク型ＭＲ
ヘッドの有限要素法による応力解析結果を示した図
ヘッドの有限要素法による応力解析結果を示した図
【図７】請求項２の本発明の実施例であるヨーク型ＭＲ
ヘッドの再生ヨークとリード電極の重なり部分の拡大図
ヘッドの再生ヨークとリード電極の重なり部分の拡大図
【図８】従来のヨーク型ＭＲヘッドの斜視図
【図９】従来のヨーク型ＭＲヘッドの平面図
【図１０】従来のヨーク型ＭＲヘッドのＭＲＥの磁区状
態を表した図
態を表した図
【図１１】従来のヨーク型ＭＲヘッドの有限要素法によ
る応力解析結果を示した図
る応力解析結果を示した図
１１ 磁性基板 １２ バイアス導体 １３ ＭＲＥ １４ａ，１４ｂ リード電極 １５ ギャップ絶縁層 １６ フロントヨーク １７ バックヨーク １８ａ〜１８ｃ ＢＢＰ電極 １９ 磁気テープ摺動面
フロントページの続き (72)発明者 永田 裕二 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも磁気抵抗素子と、前
記磁気抵抗素子の抵抗変化を読み出すリード電極と、前
記磁気抵抗素子に信号を引き込む再生ヨークとを有し、 前記磁気抵抗素子の前記再生ヨークの外側にある部分が
前記リード電極によって覆われていることを特徴とする
磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記リード電極の内部応力と、前記再生
ヨークの内部応力とが同符号であることを特徴とする請
求項１記載の磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 基板上に少なくとも磁気抵抗素子と、前
記磁気抵抗素子の抵抗変化を読み出すリード電極と、前
記磁気抵抗素子に信号を引き込むために前記磁気抵抗素
子の前後に配設された一対の再生ヨークとを有し、 前記磁気抵抗素子の前に配設される前記再生ヨークの一
部であるフロントヨークの幅に対して、前記磁気抵抗素
子の後ろに配設される前記再生ヨークの一部であるバッ
クヨークの幅が広いことを特徴とする磁気抵抗型薄膜ヘ
ッド。 - 【請求項４】 前記リード電極の内部応力と、前記再生
ヨークの内部応力とが同符号であることを特徴とする請
求項３記載の磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9129394A JPH07296335A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9129394A JPH07296335A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07296335A true JPH07296335A (ja) | 1995-11-10 |
Family
ID=14022429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9129394A Pending JPH07296335A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07296335A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6282067B1 (en) * | 1998-09-18 | 2001-08-28 | Nippon Hoso Kyokai | Magnetic reproducing head having a magnetoresistive effect |
| KR100463616B1 (ko) * | 2000-08-31 | 2004-12-29 | 가부시끼가이샤 도시바 | 요크형 자기 헤드 및 자기 디스크 유닛 |
-
1994
- 1994-04-28 JP JP9129394A patent/JPH07296335A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6282067B1 (en) * | 1998-09-18 | 2001-08-28 | Nippon Hoso Kyokai | Magnetic reproducing head having a magnetoresistive effect |
| KR100463616B1 (ko) * | 2000-08-31 | 2004-12-29 | 가부시끼가이샤 도시바 | 요크형 자기 헤드 및 자기 디스크 유닛 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040413 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |