JPH07326021A - 磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッドInfo
- Publication number
- JPH07326021A JPH07326021A JP13950794A JP13950794A JPH07326021A JP H07326021 A JPH07326021 A JP H07326021A JP 13950794 A JP13950794 A JP 13950794A JP 13950794 A JP13950794 A JP 13950794A JP H07326021 A JPH07326021 A JP H07326021A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetoresistive
- magnetic
- magneto
- head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気抵抗効果膜を実際のトラック幅部分にの
み設け、その両側に磁性膜を設けることにより、クロス
トークが低減される磁気抵抗効果型ヘッドを提供する。 【構成】 磁気抵抗効果型ヘッドを構成する感磁部が、
磁気記録媒体の略トラック幅相当の幅を有する磁気抵抗
効果膜１と、前記磁気抵抗効果膜の両側に配置されて、
前記磁気抵抗効果膜と電気的、磁気的に結合され、且つ
磁気抵抗効果を起こさない磁性膜４とにより構成され、
前記磁気抵抗効果膜に通電するための電極膜２が前記磁
気抵抗効果膜の両側に配置された磁性膜上に夫々形成さ
れるよう構成した。
み設け、その両側に磁性膜を設けることにより、クロス
トークが低減される磁気抵抗効果型ヘッドを提供する。 【構成】 磁気抵抗効果型ヘッドを構成する感磁部が、
磁気記録媒体の略トラック幅相当の幅を有する磁気抵抗
効果膜１と、前記磁気抵抗効果膜の両側に配置されて、
前記磁気抵抗効果膜と電気的、磁気的に結合され、且つ
磁気抵抗効果を起こさない磁性膜４とにより構成され、
前記磁気抵抗効果膜に通電するための電極膜２が前記磁
気抵抗効果膜の両側に配置された磁性膜上に夫々形成さ
れるよう構成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置用、
或いはビデオテープレコーダ等の磁気テープ装置用の再
生専用ヘッドとして使用される磁気抵抗効果型ヘッドに
関するものである。
或いはビデオテープレコーダ等の磁気テープ装置用の再
生専用ヘッドとして使用される磁気抵抗効果型ヘッドに
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッド）
は、再生専用の磁気ヘッドであり、従来の電磁誘導型の
ヘッドとは異なり、磁気テープや磁気ディスク等の記録
媒体と磁気ヘッドとの相対速度に依存せずに高出力を得
られることから、磁気記録再生装置の小型高密度化に適
しており、盛んに開発が行われている。
は、再生専用の磁気ヘッドであり、従来の電磁誘導型の
ヘッドとは異なり、磁気テープや磁気ディスク等の記録
媒体と磁気ヘッドとの相対速度に依存せずに高出力を得
られることから、磁気記録再生装置の小型高密度化に適
しており、盛んに開発が行われている。
【０００３】次に、従来の磁気抵抗効果型ヘッドについ
て以下に、図面と共に、順次説明する。図５は従来の磁
気抵抗効果型ヘッドの断面図であり、図６は従来の磁気
抵抗効果型ヘッドのＭＲ素子部の斜視図である。図に示
されるＭＲヘッド２０は、１１の短冊状に形成されたＭ
Ｒ膜、１２の電極膜、１３ａ，１３ｂの上下の磁気シー
ルド膜、１８ａ，１８ｂの上下のシールドギャップ等か
らなり、磁気記録媒体１９に対して、ＭＲヘッドは図５
のような配置になっている。
て以下に、図面と共に、順次説明する。図５は従来の磁
気抵抗効果型ヘッドの断面図であり、図６は従来の磁気
抵抗効果型ヘッドのＭＲ素子部の斜視図である。図に示
されるＭＲヘッド２０は、１１の短冊状に形成されたＭ
Ｒ膜、１２の電極膜、１３ａ，１３ｂの上下の磁気シー
ルド膜、１８ａ，１８ｂの上下のシールドギャップ等か
らなり、磁気記録媒体１９に対して、ＭＲヘッドは図５
のような配置になっている。
【０００４】一般に、ＭＲヘッドにおけるＭＲ膜は、磁
気異方性を付与するために短冊状に形成されている。こ
の時、ＭＲ膜の長手方向に磁化容易軸が向く。ＭＲ膜１
１の両端に電極膜１２を設けて、電流を流すようにして
いる。
気異方性を付与するために短冊状に形成されている。こ
の時、ＭＲ膜の長手方向に磁化容易軸が向く。ＭＲ膜１
１の両端に電極膜１２を設けて、電流を流すようにして
いる。
【０００５】その電極の間隔が、磁気記録媒体１９から
の信号検知領域となり、再生トラック幅として規定され
る。一方、ＭＲ膜の磁気異方性の制御方法としては、Ｍ
Ｒ膜と反強磁性膜とを積層する方法、或いは、ＭＲ膜の
近傍に永久磁石膜を配置する方法等が知られている。
の信号検知領域となり、再生トラック幅として規定され
る。一方、ＭＲ膜の磁気異方性の制御方法としては、Ｍ
Ｒ膜と反強磁性膜とを積層する方法、或いは、ＭＲ膜の
近傍に永久磁石膜を配置する方法等が知られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前記の様に構成された
ＭＲヘッドでは、形状磁気異方性を得るためにトラック
幅に対してＭＲ膜が非常に長くなる。このため、トラッ
ク幅が微細化され、トラック密度が向上した場合、電極
間隔によって規定されたトラック幅以外のＭＲ膜部分、
即ち、電極下部のＭＲ膜部分で隣接トラックからの影響
を受け、クロストークが発生するという問題が出て来
る。
ＭＲヘッドでは、形状磁気異方性を得るためにトラック
幅に対してＭＲ膜が非常に長くなる。このため、トラッ
ク幅が微細化され、トラック密度が向上した場合、電極
間隔によって規定されたトラック幅以外のＭＲ膜部分、
即ち、電極下部のＭＲ膜部分で隣接トラックからの影響
を受け、クロストークが発生するという問題が出て来
る。
【０００７】本発明は、かかる問題点を考慮して、ＭＲ
膜を実際のトラック幅部分にのみ設け、その両側に磁気
抵抗効果を起こさない磁性膜を配置し、その磁性膜上に
電極膜を設けるようにして、クロストークが低減される
磁気抵抗効果型ヘッドを提供することを目的とする。
膜を実際のトラック幅部分にのみ設け、その両側に磁気
抵抗効果を起こさない磁性膜を配置し、その磁性膜上に
電極膜を設けるようにして、クロストークが低減される
磁気抵抗効果型ヘッドを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気抵抗効果型
ヘッドは、上記目的を達成するために、磁気抵抗効果型
ヘッドを構成する感磁部が、磁気記録媒体の略トラック
幅相当の幅を有する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効
果膜の両側に配置されて、前記磁気抵抗効果膜と電気
的、磁気的に結合され、且つ磁気抵抗効果を起こさない
磁性膜とにより構成され、前記磁気抵抗効果膜に通電す
るための電極膜が前記磁気抵抗効果膜の両側に配置され
た磁性膜上に夫々形成されるようにしたものである。
ヘッドは、上記目的を達成するために、磁気抵抗効果型
ヘッドを構成する感磁部が、磁気記録媒体の略トラック
幅相当の幅を有する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効
果膜の両側に配置されて、前記磁気抵抗効果膜と電気
的、磁気的に結合され、且つ磁気抵抗効果を起こさない
磁性膜とにより構成され、前記磁気抵抗効果膜に通電す
るための電極膜が前記磁気抵抗効果膜の両側に配置され
た磁性膜上に夫々形成されるようにしたものである。
【０００９】
【作用】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドは、ＭＲ膜をト
ラック幅相当の部分にのみ設け、ＭＲ膜の両側にＭＲ膜
と磁気的、電気的に結合した磁気抵抗効果を起こさない
磁性膜を配置し、その磁性膜上に電極膜を設けて、膜に
通電するようにして、クロストークを低減させた。
ラック幅相当の部分にのみ設け、ＭＲ膜の両側にＭＲ膜
と磁気的、電気的に結合した磁気抵抗効果を起こさない
磁性膜を配置し、その磁性膜上に電極膜を設けて、膜に
通電するようにして、クロストークを低減させた。
【００１０】
【実施例】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの第１の実施
例について、図１及び図２と共に、以下に順次説明す
る。図１は本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの第１の実施
例の断面図であり、図２は第１の実施例の要部であるＭ
Ｒ素子部の斜視図である。
例について、図１及び図２と共に、以下に順次説明す
る。図１は本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの第１の実施
例の断面図であり、図２は第１の実施例の要部であるＭ
Ｒ素子部の斜視図である。
【００１１】本発明の磁気抵抗効果型ヘッド１０Ａは、
１の磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜）、２の電極膜、３ａ，３
ｂの上下の磁気シールド膜、４の軟磁性膜、４Ｂのバイ
アス膜、５の反強磁性膜、７のスペーサ膜、８ａ，８ｂ
の上下のシールドギャップ等を有して構成されている。
１の磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜）、２の電極膜、３ａ，３
ｂの上下の磁気シールド膜、４の軟磁性膜、４Ｂのバイ
アス膜、５の反強磁性膜、７のスペーサ膜、８ａ，８ｂ
の上下のシールドギャップ等を有して構成されている。
【００１２】まず、Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ基板上に下シー
ルド（例えば、Ｃｏ系アモルファス磁性体）３ｂ、下シ
ールドギャップ（例えば、ＳｉＮ等の絶縁膜）８ｂを夫
々形成した後に、ＭＲ素子部の形成を行う。
ルド（例えば、Ｃｏ系アモルファス磁性体）３ｂ、下シ
ールドギャップ（例えば、ＳｉＮ等の絶縁膜）８ｂを夫
々形成した後に、ＭＲ素子部の形成を行う。
【００１３】この下シールドギャップ８ｂ上に、バイア
ス膜４Ｂ（例えば、Ｃｏ系アモルファス磁性体）と非磁
性体のスペーサ膜（例えば、ＴｉやＴａ）７を成膜し、
フォトリソグラフィとイオンミリングにより、所定のパ
ターンとする。
ス膜４Ｂ（例えば、Ｃｏ系アモルファス磁性体）と非磁
性体のスペーサ膜（例えば、ＴｉやＴａ）７を成膜し、
フォトリソグラフィとイオンミリングにより、所定のパ
ターンとする。
【００１４】その後、ＭＲ膜（ＮｉＦｅ）１を成膜し、
フォトリソグラフィとイオンミリングにより、図２に示
すように、ＭＲ膜１の形状を、１〜３μｍのトラック幅
相当の長さと、数１０μｍの幅と、２００〜５００オン
グストロームの厚さとを有するＭＲ膜に加工する。
フォトリソグラフィとイオンミリングにより、図２に示
すように、ＭＲ膜１の形状を、１〜３μｍのトラック幅
相当の長さと、数１０μｍの幅と、２００〜５００オン
グストロームの厚さとを有するＭＲ膜に加工する。
【００１５】次に、フォトリソグラフィにより軟磁性膜
４のパターンを形成した後、軟磁性膜を磁場中でスパッ
タ等の方法で成膜して図２の形状を作る。ＭＲ膜１の両
側に、磁気抵抗効果を起こさない軟磁性膜（例えば、Ｃ
ｏ系アモルファス合金）４をＭＲ膜１と電気的に結合す
るように配置する。
４のパターンを形成した後、軟磁性膜を磁場中でスパッ
タ等の方法で成膜して図２の形状を作る。ＭＲ膜１の両
側に、磁気抵抗効果を起こさない軟磁性膜（例えば、Ｃ
ｏ系アモルファス合金）４をＭＲ膜１と電気的に結合す
るように配置する。
【００１６】同様にして、フォトリソグラフィにより反
強磁性膜（例えば、ＦｅＭｎ）５のパターンを形成した
後、その上に磁区制御用の反強磁性膜５を磁場中でスパ
ッタ等の方法で成膜して、図２に示す形状にし、略２０
０オングストロームの厚さにする。
強磁性膜（例えば、ＦｅＭｎ）５のパターンを形成した
後、その上に磁区制御用の反強磁性膜５を磁場中でスパ
ッタ等の方法で成膜して、図２に示す形状にし、略２０
０オングストロームの厚さにする。
【００１７】この時、軟磁性膜４の磁化容易軸（矢印Ｅ
は、磁化容易軸方向を示す。）は素子全体の長手方向と
平行になるようにするそして、反強磁性膜５の上に、ト
ラック幅相当の間隔で電極膜２、上シールドギャップ８
ａ、上シールド３ａ等を形成する。
は、磁化容易軸方向を示す。）は素子全体の長手方向と
平行になるようにするそして、反強磁性膜５の上に、ト
ラック幅相当の間隔で電極膜２、上シールドギャップ８
ａ、上シールド３ａ等を形成する。
【００１８】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの第２の実
施例について、図３及び図４と共に、以下に順次説明す
る。図３は本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの第２の実施
例の断面図であり、図４は第２の実施例の要部であるＭ
Ｒ素子部の斜視図である。
施例について、図３及び図４と共に、以下に順次説明す
る。図３は本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの第２の実施
例の断面図であり、図４は第２の実施例の要部であるＭ
Ｒ素子部の斜視図である。
【００１９】本発明の磁気抵抗効果型ヘッド１０Ｂは、
１の磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜）、２の電極膜、３ａ，３
ｂの上下の磁気シールド膜、４Ｂのバイアス膜、６の永
久磁石膜（磁性膜）、７のスペーサ膜、８ａ，８ｂの上
下のシールドギャップ等を有して構成されている。
１の磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜）、２の電極膜、３ａ，３
ｂの上下の磁気シールド膜、４Ｂのバイアス膜、６の永
久磁石膜（磁性膜）、７のスペーサ膜、８ａ，８ｂの上
下のシールドギャップ等を有して構成されている。
【００２０】この第２の実施例の場合は、５の反強磁性
膜はなく、前記磁気抵抗効果膜の両側に配置された永久
磁石膜６の上に、直接に、電極膜２が夫々形成されてい
る点が、前記第１の実施例の場合とその構成が異なって
いる。
膜はなく、前記磁気抵抗効果膜の両側に配置された永久
磁石膜６の上に、直接に、電極膜２が夫々形成されてい
る点が、前記第１の実施例の場合とその構成が異なって
いる。
【００２１】まず、Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ基板上に下シー
ルド（例えば、Ｃｏ系アモルファス磁性体）３ｂ、下シ
ールドギャップ（例えば、ＳｉＮ等の絶縁膜）８ｂを夫
々形成した後に、ＭＲ素子部の形成を行う。
ルド（例えば、Ｃｏ系アモルファス磁性体）３ｂ、下シ
ールドギャップ（例えば、ＳｉＮ等の絶縁膜）８ｂを夫
々形成した後に、ＭＲ素子部の形成を行う。
【００２２】この下シールドギャップ８ｂ上に、バイア
ス膜４Ｂ（例えば、Ｃｏ系アモルファス磁性体）と非磁
性体のスペーサ膜（例えば、Ｔｉ，Ｔａ等）７を成膜
し、フォトリソグラフィとイオンミリングにより、所定
のパターンとする。
ス膜４Ｂ（例えば、Ｃｏ系アモルファス磁性体）と非磁
性体のスペーサ膜（例えば、Ｔｉ，Ｔａ等）７を成膜
し、フォトリソグラフィとイオンミリングにより、所定
のパターンとする。
【００２３】その後、ＭＲ膜（ＮｉＦｅ）１を成膜し、
フォトリソグラフィとイオンミリン図４に示すように、
ＭＲ膜１の形状を、１〜３μｍのトラック幅相当の長さ
と、数１０μｍの幅と、２００〜５００オングストロー
ムの厚さとを有するＭＲ膜に加工する。
フォトリソグラフィとイオンミリン図４に示すように、
ＭＲ膜１の形状を、１〜３μｍのトラック幅相当の長さ
と、数１０μｍの幅と、２００〜５００オングストロー
ムの厚さとを有するＭＲ膜に加工する。
【００２４】トラック幅相当の長さ１〜３μｍを有する
ＭＲ膜１の両側に、磁気抵抗効果を起こさない磁性膜と
して永久磁石膜（例えば、ＣｏＰ等）６を用い、この永
久磁石膜６をＭＲ膜１と電気的に結合するように形成す
る。
ＭＲ膜１の両側に、磁気抵抗効果を起こさない磁性膜と
して永久磁石膜（例えば、ＣｏＰ等）６を用い、この永
久磁石膜６をＭＲ膜１と電気的に結合するように形成す
る。
【００２５】この時、その永久磁石膜６の磁化容易軸
（矢印Ｆは、磁化容易軸方向を示す。）は素子全体の長
手方向と平行になるようにする次に、この永久磁石膜６
の上に、トラック幅相当の間隔で電極膜２、上シールド
ギャップ８ａ、上シールド３ａ等を形成する。
（矢印Ｆは、磁化容易軸方向を示す。）は素子全体の長
手方向と平行になるようにする次に、この永久磁石膜６
の上に、トラック幅相当の間隔で電極膜２、上シールド
ギャップ８ａ、上シールド３ａ等を形成する。
【００２６】この第２の実施例では、前記第１の実施例
の軟磁性膜４の代わりに、永久磁石膜６を用いて構成し
たものであり、反強磁性膜５の構成は省略出来る。即
ち、磁性膜を永久磁石膜６とすることにより、磁気抵抗
効果型ヘッドの構成を簡単にすることが出来るものであ
る。
の軟磁性膜４の代わりに、永久磁石膜６を用いて構成し
たものであり、反強磁性膜５の構成は省略出来る。即
ち、磁性膜を永久磁石膜６とすることにより、磁気抵抗
効果型ヘッドの構成を簡単にすることが出来るものであ
る。
【００２７】本発明は、ＭＲ膜を実際のトラック幅部分
にのみ設け、ＭＲ膜の両横にＭＲ膜と磁気的、電気的に
結合した磁気抵抗効果を起こさない磁性膜を配置し、そ
の磁性膜上に電極膜を設けて、ＭＲ膜に通電するような
構成のヘッドとした。この様なヘッド構成により、磁気
抵抗効果を起こし再生に関与するのは、トラック幅部分
のＭＲ膜のみとなり、クロストークを少なく出来る。
にのみ設け、ＭＲ膜の両横にＭＲ膜と磁気的、電気的に
結合した磁気抵抗効果を起こさない磁性膜を配置し、そ
の磁性膜上に電極膜を設けて、ＭＲ膜に通電するような
構成のヘッドとした。この様なヘッド構成により、磁気
抵抗効果を起こし再生に関与するのは、トラック幅部分
のＭＲ膜のみとなり、クロストークを少なく出来る。
【００２８】一方、ＭＲ膜のアスペクト比が小さくなる
ため、形状磁気異方性の効果が減少するが、両側（両
横）に配置された磁性膜と磁気的に結合することによ
り、素子長手方向に磁化容易軸を向けることが出来る。
ため、形状磁気異方性の効果が減少するが、両側（両
横）に配置された磁性膜と磁気的に結合することによ
り、素子長手方向に磁化容易軸を向けることが出来る。
【発明の効果】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドは、ヘッ
ドを構成する感磁部が、磁気記録媒体の略トラック幅相
当の幅を有する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜
の両側に配置されて、前記磁気抵抗効果膜と電気的、磁
気的に結合され、且つ磁気抵抗効果を起こさない磁性膜
とにより構成され、前記磁気抵抗効果膜に通電するため
の電極膜が前記磁気抵抗効果膜の両側に配置された磁性
膜上に夫々形成されるような構成にすることにより、磁
気抵抗効果膜の磁気異方性を損なうことなくクロストー
クを低減させることが出来る。更に、本発明の磁気抵抗
効果型ヘッドは、磁性膜を永久磁石膜とすることによ
り、磁気抵抗効果型ヘッドの構成を簡単にすることが出
来る。
ドを構成する感磁部が、磁気記録媒体の略トラック幅相
当の幅を有する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜
の両側に配置されて、前記磁気抵抗効果膜と電気的、磁
気的に結合され、且つ磁気抵抗効果を起こさない磁性膜
とにより構成され、前記磁気抵抗効果膜に通電するため
の電極膜が前記磁気抵抗効果膜の両側に配置された磁性
膜上に夫々形成されるような構成にすることにより、磁
気抵抗効果膜の磁気異方性を損なうことなくクロストー
クを低減させることが出来る。更に、本発明の磁気抵抗
効果型ヘッドは、磁性膜を永久磁石膜とすることによ
り、磁気抵抗効果型ヘッドの構成を簡単にすることが出
来る。
【図１】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの第１の実施例
の断面図である。
の断面図である。
【図２】第１の実施例の要部であるＭＲ素子部の斜視図
である。
である。
【図３】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの第２の実施例
の断面図である。
の断面図である。
【図４】第２の実施例の要部であるＭＲ素子部の斜視図
である。
である。
【図５】従来の磁気抵抗効果型ヘッドの概略を示した断
面図である。
面図である。
【図６】従来の磁気抵抗効果型ヘッドのＭＲ素子部の斜
視図である。
視図である。
１，１１…磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜） ２，１２…電極膜 ３ａ，３ｂ，１３ａ，１３ｂ…磁気シールド膜 ４…軟磁性膜（磁性膜） ４Ｂ…バイアス膜 ５…反強磁性膜 ６…永久磁石膜（磁性膜） ７…スペーサ膜 ８ａ，８ｂ…シールドギャップ １０Ａ，１０Ｂ，２０…磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘ
ッド） １９…磁気記録媒体 Ｅ，Ｆ…磁化容易軸方向
ッド） １９…磁気記録媒体 Ｅ，Ｆ…磁化容易軸方向
Claims (2)
- 【請求項１】磁気抵抗効果型ヘッドを構成する感磁部
が、磁気記録媒体の略トラック幅相当の幅を有する磁気
抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の両側に配置され
て、前記磁気抵抗効果膜と電気的、磁気的に結合され、
且つ磁気抵抗効果を起こさない磁性膜とにより構成さ
れ、前記磁気抵抗効果膜に通電するための電極膜が前記
磁気抵抗効果膜の両側に配置された磁性膜上に夫々形成
されるようにしたことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッ
ド。 - 【請求項２】前記磁気抵抗効果膜と電気的、磁気的に結
合され、且つ磁気抵抗効果を起こさない磁性膜は永久磁
石膜とし、前記磁気抵抗効果膜に通電するための電極膜
が前記磁気抵抗効果膜の両側に配置された磁性膜上に直
接に夫々形成されるようにした特許請求の範囲第１項記
載の磁気抵抗効果型ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13950794A JPH07326021A (ja) | 1994-05-30 | 1994-05-30 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13950794A JPH07326021A (ja) | 1994-05-30 | 1994-05-30 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07326021A true JPH07326021A (ja) | 1995-12-12 |
Family
ID=15246909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13950794A Pending JPH07326021A (ja) | 1994-05-30 | 1994-05-30 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07326021A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7019948B2 (en) | 2001-09-26 | 2006-03-28 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head, magnetic head device and magnetic recording/reproducing device |
-
1994
- 1994-05-30 JP JP13950794A patent/JPH07326021A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7019948B2 (en) | 2001-09-26 | 2006-03-28 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head, magnetic head device and magnetic recording/reproducing device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3086731B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPH07296340A (ja) | 磁気抵抗効果素子およびその素子を使用した薄膜磁気ヘッド | |
| JPH05135332A (ja) | 磁気抵抗効果再生ヘツドおよびそれを用いた磁気記録装置 | |
| US6583970B1 (en) | Magnetoresistive head device incorporating joints between magnetoresistive layer and sense current conductors | |
| JPH07326021A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JPH0845027A (ja) | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法 | |
| JPH11175925A (ja) | 磁気抵抗効果型素子及び磁気記録再生装置 | |
| JPH1125431A (ja) | 磁気抵抗効果型再生ヘッドならびに磁気記録再生装置 | |
| JP2614203B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘツド | |
| JP2755186B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JPH08203032A (ja) | 磁気抵抗効果再生ヘッド | |
| JP2003208706A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH08212521A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPS61196418A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH07176020A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法 | |
| JPS62159318A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気センサ− | |
| JPH08124122A (ja) | 磁気抵抗効果型再生ヘッドおよび磁気記録再生装置 | |
| JPS61287025A (ja) | 磁気抵抗効果型再生ヘツド | |
| JP2001148104A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JP2003263708A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JPH0897487A (ja) | 磁気抵抗効果素子およびその再生方法 | |
| JPH07110921A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド | |
| JPH1011718A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JPH06187615A (ja) | 磁気抵抗効果再生ヘッド | |
| JPH0981910A (ja) | 磁気抵抗効果型再生ヘッドならびに磁気記録再生装置 |