JPH08212521A

JPH08212521A - 磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH08212521A
Application number: JP2078795A
Authority: JP
Inventors: Yuji Uehara; 裕二上原; Hitoshi Kanai; 均金井; Masaaki Kanamine; 理明金峰; Hideyuki Kikuchi; 英幸菊地; Masamitsu Kitajima; 政充北島
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1995-02-08
Filing date: 1995-02-08
Publication date: 1996-08-20

Abstract

(57)【要約】【目的】記録用のインダクティブヘッドと再生用の磁
気抵抗効果型ヘッドをともに備えた複合型磁気ヘッドに
関し、記録動作を繰り返しても、再現性が良く、精度の
高い再生出力を得る。【構成】インダクティブヘッドＡと磁気抵抗効果型ヘ
ッドＢが、インダクティブヘッドＡの磁極と磁気抵抗効
果型ヘッドＢの磁気シールドを兼ねる軟磁性層１５を介
して隣接し、軟磁性層１５表面に磁区制御層１９が形成
されてなることを含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は複合型磁気ヘッドに関
し、より詳しくは、記録用のインダクティブヘッドと再
生用の磁気抵抗効果型ヘッド（以下、ＭＲヘッドと称す
る。）をともに備えた複合型磁気ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気ディスク装置の磁気ヘッドとして記
録と再生の両機能を有することが望ましい。このような
磁気ヘッドとして、記録用のインダクティブヘッドと再
生用のＭＲヘッドをともに備えた複合型磁気ヘッドが用
いられる。図９（ａ）〜（ｄ）に複合型磁気ヘッドの例
を示す。図９（ａ），（ｃ）は磁気ヘッドの断面図、図
９（ｂ），（ｄ）は磁極（磁気シールド）の平面図であ
る。図９（ａ）は図９（ｂ）のＩ−Ｉ線断面を示し、図
９（ｃ）は図９（ｂ）のII−II線断面を示す。図９
（ｄ）は非駆動時の磁極（磁気シールド）の磁化状態を
示す。

【０００３】図９（ａ）において、Ａ部がＭＲヘッドを
示し、Ｂ部がインダクティブヘッドを示す。インダクテ
ィブヘッドは、図９（ｃ）に示すコイル８と、コイル８
を流れる電流に対して直交する向きにコイル８を挟む磁
極（コア）５，６とを有する。コイル８に電流を流すこ
とによって発生する磁束を集め、磁極５，６のギャップ
ＧＢから漏洩する磁界により磁気記録媒体にデータを記
録する。

【０００４】また、ＭＲヘッドは磁性膜の抵抗値が外部
から印加される磁界によって変化する原理を利用した再
生専用の磁気ヘッドである。記録密度が高くなってくる
と、隣接する記録データからの漏れ磁束により正確な再
生が難しくなる。その漏れ磁束をカットするため、ＭＲ
素子の両側に磁気シールド２，５が設けられる。記録媒
体に対向する磁気シールド２，５間にはギャップＧＡが
設けられ、ギャップＧＡから入ってくる記録媒体からの
漏洩磁束はＭＲ素子を経由して磁気シールド２，５の方
に抜ける。このとき、その漏洩磁束によりＭＲ素子の磁
気抵抗が変化するため、それを電圧変化に変換して信号
を検出する。

【０００５】インダクティブヘッドの磁極５とＭＲヘッ
ドの磁気シールド５とは共用されている。これは、記録
媒体上の記録位置と再生位置が一致するように記録用ヘ
ッドのギャップＧＢと再生用ヘッドのギャップＧＡ同士
をできるだけ近づけるためである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、磁極（磁気
シールド）５は、軟磁性層を用いているため、図９
（ｄ）に示すように、磁化容易軸の向きの他、還流磁区
も発生し、複雑な磁区構造を有する。この場合、記録時
に磁極に大きな磁束が流れて磁極内の磁化の向きが大き
く変化し、記録終了後の磁区構造が記録のたびに変化す
る可能性がある。

【０００７】このような磁区構造の変化による磁極（磁
気シールド）の不安定性は、再生時にＭＲヘッドの出力
に大きな影響を与え、記録動作を繰り返すたびに再生出
力が変動するという問題がある。本発明は、上記の従来
例の問題点に鑑みて創作されたものであり、記録動作を
繰り返しても、再現性が良く、精度の高い再生出力が得
られる複合型磁気ヘッドを提供することを目的とするも
のである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題は、第１に、イ
ンダクティブヘッドと磁気抵抗効果型ヘッドが、前記イ
ンダクティブヘッドの磁極と前記磁気抵抗効果型ヘッド
の磁気シールドを兼ねる軟磁性層を介して隣接し、該軟
磁性層表面に磁区制御層が形成されてなることを特徴と
する磁気ヘッドによって達成され、第２に、インダクテ
ィブヘッドと磁気抵抗効果型ヘッドが、前記インダクテ
ィブヘッドの磁極と前記磁気抵抗効果型ヘッドの磁気シ
ールドを兼ねる多層膜を介して隣接し、該多層膜は前記
磁気抵抗効果型ヘッド側から第１の軟磁性層と磁区制御
層と非磁性層と第２の軟磁性層とが順に積層されてなる
ことを特徴とする磁気ヘッドによって達成され、第３
に、インダクティブヘッドと磁気抵抗効果型ヘッドが、
前記インダクティブヘッドの磁極と前記磁気抵抗効果型
ヘッドの磁気シールドを兼ねる多層膜を介して隣接し、
該多層膜は前記磁気抵抗効果型ヘッド側から磁区制御層
と第１の軟磁性層と非磁性層と第２の軟磁性層とが順に
積層されてなることを特徴とする磁気ヘッドによって達
成され、第４に、前記磁区制御層は少なくとも前記磁気
抵抗効果型ヘッドのセンス領域と対面する領域以外の領
域に形成されていることを特徴とする第１乃至第３の発
明のいずれかに記載の磁気ヘッドによって達成され、第
５に、前記磁区制御層は反強磁性層或いは硬磁性層から
なることを特徴とする第１乃至第４の発明のいずれかに
記載の磁気ヘッドによって達成され、第６に、前記反強
磁性層としてＦｅＭｎ膜を用いることを特徴とする第５
の発明に記載の磁気ヘッドによって達成され、第７に、
前記硬磁性層としてＣｏＣｒＰｔ膜を用いることを特徴
とする第５の発明に記載の磁気ヘッドによって達成さ
れ、第８に、前記非磁性層としてＴａ膜を用いることを
特徴とする第２乃至第７の発明のいずれかに記載の磁気
ヘッドによって達成される。

【０００９】

【作用】本発明の磁気ヘッドにおいては、インダクティ
ブヘッドの磁極と磁気抵抗効果型ヘッドの磁気シールド
を兼ねる軟磁性層上に磁区制御層、例えば反強磁性層又
は硬磁性層が形成されている。軟磁性層上に形成されて
いる反強磁性層は軟磁性層の磁化方向に対して交換相互
作用を及ぼすため、軟磁性層の磁化方向はすべて特定の
一方向に向き、軟磁性層は単磁区化する。

【００１０】このため、軟磁性層中に多数の磁束が流れ
た後も、磁区構造の変化は生じない。従って、記録動作
の後に再生を行う場合、再現性の良い再生を行うことが
出来る。また、反強磁性層の代わりに硬磁性層を用いた
場合、硬磁性層の磁化方向を揃えておけば、磁気的結合
により軟磁性層の磁化方向を一定の方向に揃えることが
できる。このため、反強磁性層の場合と同様に、記録動
作によりその軟磁性層中に多数の磁束が流れた後でも、
軟磁性層は単磁区化したままである。従って、記録動作
の後に再生を行う場合、記録信号に応じて再現性の良い
再生を行うことが出来る。

【００１１】更に、インダクティブヘッドの磁極と磁気
抵抗効果型ヘッドの磁気シールドを兼ねる多層膜を有
し、その多層膜は磁気抵抗効果型ヘッド側から第１の軟
磁性層と磁区制御層と非磁性層と第２の軟磁性層とが順
に積層されてなる。或いは磁気抵抗効果型ヘッド側から
磁区制御層と第１の軟磁性層と非磁性層と第２の軟磁性
層とが順に積層されてなる。磁区制御層として、例えば
反強磁性層或いは硬磁性層が用いられる。

【００１２】この場合、インダクティブヘッドの磁極と
しての役割は主に第２の軟磁性層が受持ち、磁気抵抗効
果型ヘッドの磁気シールドとしての役割は主に第１の軟
磁性層が受持つ。また、第１の軟磁性層と第２の軟磁性
層の間に介在する非磁性層は第１の軟磁性層と第２の軟
磁性層間の磁気的な結合を弱める役割をする。更に、第
１の軟磁性層上に形成された磁区制御層は前記と同様に
第１の軟磁性層を単磁区化する。

【００１３】従って、記録動作時に第１の軟磁性層に入
る磁束数が減るため、また非磁性層により第２の軟磁性
層からの磁気的な結合も弱まるため、磁区制御層による
第１の軟磁性層の単磁区化を一層容易に、かつ確実に保
持することができる。

【００１４】

【実施例】次に、図面を参照しながら本発明の実施例に
ついて説明する。（１）本発明の第１の実施例に係る複合型磁気ヘッドの
説明図１（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施例に係る複
合型磁気ヘッドの断面図である。図１（ａ），（ｃ）は
磁気ヘッドの断面図、図１（ｂ），（ｄ）は磁極（磁気
シールド）の平面図である。図１（ａ）は図１（ｂ）の
III −III 線断面を示し、図１（ｃ）は図１（ｂ）のIV
−IV線断面を示す。図１（ｄ）は非駆動時の磁極（磁気
シールド）の磁化状態を示す。

【００１５】図１（ａ）において、Ａ部が再生用ヘッ
ド、Ｂ部が記録用ヘッドを示し、磁気シールドと磁極を
兼ねる一つの軟磁性層１５を介して両ヘッドが隣接して
アルミナ基板１１上に形成されている。上記の再生用ヘ
ッドは磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と称する。）
１３と、非磁性絶縁層１７を介してそれを挟む、アルミ
ナ基板１１上の磁気シールド１２と軟磁性層１５とを有
する。

【００１６】ＭＲ素子１３は長方形状を有し、膜厚３０
ｎｍのＮｉＦｅ膜の単層膜からなり、或いは膜厚２〜３
０ｎｍのＮｉＦｅ膜と膜厚１０ｎｍのＴａ膜と膜厚２０
〜３０ｎｍのＮｉＦｅＣｒ膜が積層された多層膜からな
る。なお、ＮｉＦｅＣｒ膜の代わりにＮｉＦｅＲｈ膜を
用いてもよい。また、ＭＲ素子１３の長手方向の両端に
はＡｕ又はＣｕからなる電極14ａ，14ｂが形成され、こ
の電極14ａ，14ｂを介してＭＲ素子１３にセンス電流を
流し、かつ磁気抵抗変化による電圧変化を検出する。電
極14ａ，14ｂの形成されていないＭＲ素子１３の中央部
が磁束変化による磁気抵抗変化を検出するセンス領域Ｓ
Ａとなる。

【００１７】記録媒体との対向面の磁気シールド１２と
軟磁性層１５の間は、記録媒体からの漏洩磁束を受け入
れるため、適当な間隔を有するギャップＧＡとなってい
る。ギャップＧＡから入ってくる記録媒体からの漏洩磁
束はＭＲ素子１３を経由して磁気シールド１２及び軟磁
性層１５の方に抜ける。このとき、その漏洩磁束により
ＭＲ素子１３の磁気抵抗が変化するため、センス電流を
流すことによりそれを電圧変化に変換して信号を検出す
る。

【００１８】また、記録用ヘッドとしてインダクティブ
ヘッドが用いられ、図１（ｃ）に示すコイル１８と、コ
イル１８を流れる電流に対して直交する向きに磁束を導
くようにそのコイル１８を挟む軟磁性層１５及び磁極
（コア）１６とを有する。また、記録媒体との対向面の
軟磁性層１５と磁極１６の間は、漏洩磁界を形成するギ
ャップＧＢとなっている。コイル１８に電流を流すこと
によって発生する磁束を集め、軟磁性層１５と磁極１６
の間のギャップＧＢから漏洩する磁界により磁気記録媒
体にデータを記録する。

【００１９】更に、再生用ヘッドと記録用ヘッドとの間
に介在する一つの軟磁性層１５が磁極と磁気シールドを
兼ねている。軟磁性層１２，１５として膜厚１μｍのＮ
ｉＦｅ膜（パーマロイ膜）やＦｅＮ膜（窒化鉄膜）等が
用いられる。軟磁性層１５上、記録用ヘッド側には、膜
厚５０ｎｍのＦｅＭｎ膜からなる反強磁性層（磁区制御
層）１９が形成されている。その反強磁性層１９はＭＲ
ヘッドのセンス領域と対向する領域以外の領域に形成さ
れている。

【００２０】上記の磁区制御層１９を有する共用の軟磁
性層１５を形成するには、まず、軟磁性層１５と反強磁
性層１９を非磁性絶縁層１７上に順にスパッタ等により
形成した後、レジストマスク等によりセンス領域ＳＡと
対向する領域の反強磁性層１９を選択的にエッチングす
る。以上のように、上記の磁気ヘッドにおいては、記録
用ヘッドの磁極と再生用ヘッドの磁気シールドを兼ねる
軟磁性層１５上に反強磁性層１９が形成されている。

【００２１】軟磁性層１５上に形成されている反強磁性
層１９は軟磁性層１５中の磁化に対して交換相互作用を
及ぼすため、図１（ｄ）に示すように、軟磁性層１５の
磁化方向はすべて特定の一方向に向くようになる。従っ
て、軟磁性層１５中に磁壁は形成されず、単磁区化す
る。このため、軟磁性層１５中に多数の磁束が流れた後
も、磁区構造に変化は生じない。従って、記録動作の後
に再生を行う場合、再現性の良い再生を行うことが出来
る。

【００２２】なお、上記反強磁性層１９は記録ヘッド側
の軟磁性層１５上に形成されているが、図４に示すよう
に、再生用ヘッド側の軟磁性層１５上に形成されてもよ
い。また、反強磁性層１９はＭＲヘッドのセンス領域Ｓ
Ａと対面する領域以外の領域に形成されているが、図３
に示すように、軟磁性層全面に形成されてもよいし、図
２に示すように、センス領域ＳＡと対面する領域を含む
帯状の領域以外の領域に形成されてもよい。

【００２３】更に、図５（ａ），（ｂ）に示すように、
ＭＲ素子１３に磁束を導くフラックスガイド20ａ，20ｂ
が設けられた磁気ヘッドにも適用可能である。この場
合、軟磁性層１５の表面であって、磁区制御層１９は例
えばセンス領域ＳＡと対面する領域を含む帯状の領域以
外の領域に形成するとよい。また、反強磁性層１９の代
わりに硬磁性層を用いることもできる。この場合、硬磁
性層を形成する際、磁場中で硬磁性層を形成して予め硬
磁性層の磁化方向を揃えておけば、磁気的結合によりそ
の硬磁性層に隣接する軟磁性層の磁化方向を一定の方向
に揃えることができる。このため、反強磁性層の場合と
同様に、記録動作によりその軟磁性層中に多数の磁束が
流れた後でも、軟磁性層は単磁区化したままである。従
って、記録動作の後に再生を行う場合、記録信号に応じ
て再現性の良い再生を行うことが出来る。（２）本発明の第２の実施例に係る複合型磁気ヘッドの
説明図６は、本発明の第２の実施例に係る複合型磁気ヘッド
の断面図である。

【００２４】図６において、Ａ部が再生用ヘッド、Ｂ部
が記録用ヘッドを示し、両ヘッドは磁気シールドと磁極
を兼ねる多層膜31ａを挟んで隣接してアルミナ基板１１
上に形成されている。再生用ヘッドの磁気シールドと記
録用ヘッドの磁極を兼ねる多層膜31ａ以外は第１の実施
例と同じ構成なので、説明を省略し、以下にその多層膜
31ａの構成について説明する。

【００２５】多層膜31ａは、再生用ヘッド側から膜厚２
００ｎｍの第１の軟磁性層15ａと、膜厚５０ｎｍのＦｅ
Ｍｎ膜からなる反強磁性層（磁区制御層）１９と、膜厚
１０ｎｍのＴａ膜からなる非磁性層２１と、膜厚１．３
μｍの第２の軟磁性層15ｂとが順に積層されてなる。第
１及び第２の軟磁性層15ａ，15ｂとしてＮｉＦｅ膜（パ
ーマロイ膜）やＦｅＮ膜（窒化鉄膜）等が用いられる。

【００２６】この多層膜31ａを形成するには、まず、第
１の軟磁性層15ａと反強磁性層１９がスパッタ等により
非磁性絶縁層１７上に形成された後、レジストマスク等
を用いてセンス領域ＳＡと対向する領域の反強磁性層１
９を選択的にエッチングし、所定の形状にする。続い
て、これらの層の上にスパッタ等により非磁性層２１と
第２の軟磁性層15ｂとが順に積層される。その後、これ
らの層をパターニングして所定の形状にする。

【００２７】上記の磁気ヘッドによれば、記録用ヘッド
の磁極としての役割は主に第２の軟磁性層15ｂが受持
ち、再生用ヘッドの磁気シールドとしての役割は主に第
１の軟磁性層15ａが受持つ。また、第１の軟磁性層15ａ
と第２の軟磁性層15ｂの間に介在する非磁性層２１は第
１の軟磁性層15ａと第２の軟磁性層15ｂ間の磁気的な結
合を弱める役割をする。更に、第１の軟磁性層15ａ上に
形成された反強磁性層１９は上記と同様交換相互作用に
より第１の軟磁性層15ａを単磁区化する。

【００２８】従って、記録動作時に第１の軟磁性層15ａ
に入る磁束数が減るため、また非磁性層２１により第２
の軟磁性層15ｂからの磁気的な結合も弱まるため、反強
磁性層１９による第１の軟磁性層15ａの単磁区化が一層
容易に、かつ確実になされる。なお、上記反強磁性層１
９は記録用ヘッド側の第１の軟磁性層15ａ上に形成され
ているが、再生用ヘッド側の第１の軟磁性層15ａ上に形
成されてもよい。

【００２９】また、反強磁性層１９はＭＲヘッドのセン
ス領域ＳＡと対面する領域以外の領域に形成されている
が、図３の例のように、第１の軟磁性層15ａ全面に形成
されてもよいし、図２の例のように、センス領域ＳＡと
対面する領域を含む帯状の領域以外の領域に形成されて
もよい。更に、図７，図８に示すように、図６の反強磁
性層１９の代わりに硬磁性層２２を用いることもでき
る。図７では、多層膜31ｂ中の硬磁性層２２は記録ヘッ
ド側の第１の軟磁性層15ａ上に形成され、かつ第１の軟
磁性層15ａ全面に形成されている。また、図８では、多
層膜31ｃ中の硬磁性層２２は再生用ヘッド側の第１の軟
磁性層15ａ上に形成され、かつＭＲヘッドのセンス領域
ＳＡと対面する領域以外の領域に形成されている。な
お、多層膜31ｂ，31ｃのその他の構成は硬磁性層２２或
いは第１の軟磁性層15ａ上、記録用ヘッド側に非磁性層
２１と第２の軟磁性層15ｂが順に積層されている。

【００３０】これらの場合、硬磁性層２２の磁化方向を
揃えておけば、磁気的結合により第１の軟磁性層15ａの
磁化方向を一定の方向に揃えることができる。このた
め、反強磁性層の場合と同様に、記録動作により第１の
軟磁性層15ａ中に多数の磁束が流れた後でも、第１の軟
磁性層15ａは単磁区化したままである。従って、記録動
作の後に再生を行う場合、記録信号に応じて再現性の良
い再生を行うことが出来る。

【００３１】

【発明の効果】以上のように、本発明の磁気ヘッドにお
いては、インダクティブヘッドの磁極と磁気抵抗効果型
ヘッドの磁気シールドを兼ねる軟磁性層上に磁区制御層
が形成されている。従って、記録動作によりその軟磁性
層中に多数の磁束が流れた後でも、磁区制御層により軟
磁性層は単磁区化したままである。

【００３２】これにより、記録動作の後に再生を行う場
合、記録信号に応じた再現性の良い再生を行うことが出
来る。更に、インダクティブヘッドの磁極と磁気抵抗効
果型ヘッドの磁気シールドを兼ねる多層膜を有し、その
多層膜は磁気抵抗効果型ヘッド側から第１の軟磁性層と
磁区制御層と非磁性層と第２の軟磁性層とが順に積層さ
れてなる。或いは磁気抵抗効果型ヘッド側から磁区制御
層と第１の軟磁性層と非磁性層と第２の軟磁性層とが順
に積層されてなる。

【００３３】従って、記録動作時に第１の軟磁性層に入
る磁束数が減るため、また非磁性層により第２の軟磁性
層からの磁気的な影響も弱まるため、磁区制御層による
第１の軟磁性層の単磁区化が一層容易に、かつ確実にな
される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例に係る磁気ヘッドについ
て示す断面図及び平面図である。

【図２】本発明の第１の実施例に係る磁気ヘッドにおけ
る磁区制御膜の他の被覆領域について示す平面図（その
１）である。

【図３】本発明の第１の実施例に係る磁気ヘッドにおけ
る磁区制御膜の他の被覆領域について示す平面図（その
２）である。

【図４】本発明の第１の実施例に係る磁気ヘッドの磁区
制御膜の他の形成位置について示す断面図である。

【図５】本発明の第１の実施例に係る磁区制御膜を他の
磁気ヘッドに適用した例について示す平面図及び断面図
である。

【図６】本発明の第２の実施例に係る磁気ヘッドについ
て示す断面図（その１）である。

【図７】本発明の第２の実施例に係る磁気ヘッドについ
て示す断面図（その２）である。

【図８】本発明の第２の実施例に係る磁気ヘッドについ
て示す断面図（その３）である。

【図９】従来例に係る磁気ヘッドについて示す断面図及
び平面図である。

【符号の説明】

１１アルミナ基板、１２磁気シールド、１３ＭＲ素子、 14ａ，14ｂ電極、１５軟磁性層、 15ａ第１の軟磁性層、 15ｂ第２の軟磁性層、１６磁極、１７非磁性絶縁層、１８コイル、１９反強磁性層（磁区制御層）、 20ａ，20ｂフラックスガイド、２１非磁性層、２２硬磁性層（磁区制御層）、 31ａ，31ｂ，31ｃ多層膜、Ａ再生用ヘッド部、Ｂ記録用ヘッド部、ＧＡ再生用ヘッドのギャップ、ＧＢ記録用ヘッドのギャップ、ＳＡセンス領域。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者金峰理明神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内 (72)発明者菊地英幸神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内 (72)発明者北島政充神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】インダクティブヘッドと磁気抵抗効果型
ヘッドが、前記インダクティブヘッドの磁極と前記磁気
抵抗効果型ヘッドの磁気シールドを兼ねる軟磁性層を介
して隣接し、該軟磁性層表面に磁区制御層が形成されて
なることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】インダクティブヘッドと磁気抵抗効果型
ヘッドが、前記インダクティブヘッドの磁極と前記磁気
抵抗効果型ヘッドの磁気シールドを兼ねる多層膜を介し
て隣接し、該多層膜は前記磁気抵抗効果型ヘッド側から
第１の軟磁性層と磁区制御層と非磁性層と第２の軟磁性
層とが順に積層されてなることを特徴とする磁気ヘッ
ド。
【請求項３】インダクティブヘッドと磁気抵抗効果型
ヘッドが、前記インダクティブヘッドの磁極と前記磁気
抵抗効果型ヘッドの磁気シールドを兼ねる多層膜を介し
て隣接し、該多層膜は前記磁気抵抗効果型ヘッド側から
磁区制御層と第１の軟磁性層と非磁性層と第２の軟磁性
層とが順に積層されてなることを特徴とする磁気ヘッ
ド。
【請求項４】前記磁区制御層は少なくとも前記磁気抵
抗効果型ヘッドのセンス領域と対面する領域以外の領域
に形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項
３のいずれかに記載の磁気ヘッド。
【請求項５】前記磁区制御層は反強磁性層或いは硬磁
性層であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のい
ずれかに記載の磁気ヘッド。
【請求項６】前記反強磁性層としてＦｅＭｎ膜を用い
ることを特徴とする請求項５記載の磁気ヘッド。
【請求項７】前記硬磁性層としてＣｏＣｒＰｔ膜を用
いることを特徴とする請求項５記載の磁気ヘッド。
【請求項８】前記非磁性層としてＴａ膜を用いること
を特徴とする請求項２乃至請求項７のいずれかに記載の
磁気ヘッド。