JP3474523B2 - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法Info
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- G11B5/3948—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果素子
を用いて、磁気記録媒体等における磁界強度を信号とし
て読み取る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関す
る。
を用いて、磁気記録媒体等における磁界強度を信号とし
て読み取る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置の記録密度の
向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められて
いる。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型電
磁変換素子を有する記録ヘッドと、磁気抵抗（Magnetor
esistive）効果を利用して磁界を検出する読み出し用の
磁気抵抗効果（以下、ＭＲとも記す。）素子を有する再
生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広
く用いられている。
向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められて
いる。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型電
磁変換素子を有する記録ヘッドと、磁気抵抗（Magnetor
esistive）効果を利用して磁界を検出する読み出し用の
磁気抵抗効果（以下、ＭＲとも記す。）素子を有する再
生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広
く用いられている。
【０００３】再生ヘッドとしては、高感度、高出力のも
のが要求されている。近年、この要求に対し、トンネル
磁気抵抗（Tunnel-type Magnetoresistive）効果を利用
して磁界を検出するトンネル磁気抵抗効果（以下、ＴＭ
Ｒとも記す。）素子が注目されている。
のが要求されている。近年、この要求に対し、トンネル
磁気抵抗（Tunnel-type Magnetoresistive）効果を利用
して磁界を検出するトンネル磁気抵抗効果（以下、ＴＭ
Ｒとも記す。）素子が注目されている。
【０００４】ＴＭＲ素子は、基板上に、下部磁性層、ト
ンネルバリア層および上部磁性層が積層された構造を有
している。下部磁性層および上部磁性層は、それぞれ強
磁性体を含んでいる。なお、一般に、基板に近い方の磁
性層を下部磁性層と言い、基板に遠い方の磁性層を上部
磁性層と言う。従って、上部磁性層、下部磁性層におけ
る「上部」、「下部」は、必ずしも、実際のＴＭＲ素子
の配置上における上下と一致するものではない。
ンネルバリア層および上部磁性層が積層された構造を有
している。下部磁性層および上部磁性層は、それぞれ強
磁性体を含んでいる。なお、一般に、基板に近い方の磁
性層を下部磁性層と言い、基板に遠い方の磁性層を上部
磁性層と言う。従って、上部磁性層、下部磁性層におけ
る「上部」、「下部」は、必ずしも、実際のＴＭＲ素子
の配置上における上下と一致するものではない。
【０００５】トンネルバリア層は、薄い非磁性絶縁膜よ
りなり、トンネル効果によりスピンを保存しながら電子
が通過できる、すなわちトンネル電流が流れることので
きる層である。トンネル磁気抵抗効果とは、トンネルバ
リア層を挟む一対の磁性層間に電流を流す場合に、両磁
性層の磁化の相対角度に依存して、トンネルバリア層を
流れるトンネル電流が変化する現象を言う。両磁性層の
磁化の相対角度が小さければ、トンネル確率は高くなる
ので、両者間に流れる電流に対する抵抗が小さくなる。
逆に、両磁性層の磁化の相対角度が大きければ、トンネ
ル確率は低くなるので、両者間に流れる電流に対する抵
抗が大きくなる。
りなり、トンネル効果によりスピンを保存しながら電子
が通過できる、すなわちトンネル電流が流れることので
きる層である。トンネル磁気抵抗効果とは、トンネルバ
リア層を挟む一対の磁性層間に電流を流す場合に、両磁
性層の磁化の相対角度に依存して、トンネルバリア層を
流れるトンネル電流が変化する現象を言う。両磁性層の
磁化の相対角度が小さければ、トンネル確率は高くなる
ので、両者間に流れる電流に対する抵抗が小さくなる。
逆に、両磁性層の磁化の相対角度が大きければ、トンネ
ル確率は低くなるので、両者間に流れる電流に対する抵
抗が大きくなる。
【０００６】ところで、ＴＭＲ素子を用いた薄膜磁気ヘ
ッドの構造を考えた場合、薄い絶縁層からなるトンネル
バリア層を媒体対向面に晒す構造では、媒体対向面の研
磨加工時もしくは研磨加工後において、トンネルバリア
層を介して対向する２つの磁性層間で電気的短絡が発生
する可能性があり、好ましくない。
ッドの構造を考えた場合、薄い絶縁層からなるトンネル
バリア層を媒体対向面に晒す構造では、媒体対向面の研
磨加工時もしくは研磨加工後において、トンネルバリア
層を介して対向する２つの磁性層間で電気的短絡が発生
する可能性があり、好ましくない。
【０００７】そこで、本出願人は、例えば特願平１１-
１８８４７２号において、ＴＭＲ素子を媒体対向面から
引っ込んだ位置に配置し、ＴＭＲ素子が配置された位置
から媒体対向面まで延びるように、ＴＭＲ素子に信号磁
束を導くための軟磁性層を設けた構造の薄膜磁気ヘッド
を提案している。本出願において、上記軟磁性層をフロ
ントフラックスガイド（以下、ＦＦＧと記す。）と言
い、上記構造の薄膜磁気ヘッドをＦＦＧ型ＴＭＲヘッド
と言う。このＦＦＧ型ＴＭＲヘッドでは、媒体対向面の
研磨加工によって媒体対向面からＴＭＲ素子までの距離
をコントロールする際に、ＴＭＲ素子が研磨されること
がない。そのため、ＦＦＧ型ＴＭＲヘッドでは、２つの
磁性層間で電気的短絡を発生させることなく、機械的な
研磨加工によってヘッドの媒体対向面を規定することが
できるという特徴を有する。
１８８４７２号において、ＴＭＲ素子を媒体対向面から
引っ込んだ位置に配置し、ＴＭＲ素子が配置された位置
から媒体対向面まで延びるように、ＴＭＲ素子に信号磁
束を導くための軟磁性層を設けた構造の薄膜磁気ヘッド
を提案している。本出願において、上記軟磁性層をフロ
ントフラックスガイド（以下、ＦＦＧと記す。）と言
い、上記構造の薄膜磁気ヘッドをＦＦＧ型ＴＭＲヘッド
と言う。このＦＦＧ型ＴＭＲヘッドでは、媒体対向面の
研磨加工によって媒体対向面からＴＭＲ素子までの距離
をコントロールする際に、ＴＭＲ素子が研磨されること
がない。そのため、ＦＦＧ型ＴＭＲヘッドでは、２つの
磁性層間で電気的短絡を発生させることなく、機械的な
研磨加工によってヘッドの媒体対向面を規定することが
できるという特徴を有する。
【０００８】ここで、図１８ないし図２３を参照して、
ＦＦＧ型ＴＭＲヘッドの製造方法の一例について説明す
る。図１８ないし図２３は、ＦＦＧ型ＴＭＲヘッドの製
造方法における各工程を示す断面図である。
ＦＦＧ型ＴＭＲヘッドの製造方法の一例について説明す
る。図１８ないし図２３は、ＦＦＧ型ＴＭＲヘッドの製
造方法における各工程を示す断面図である。
【０００９】この製造方法では、まず、図１８に示した
ように、基板１０１の上に下部電極層１０２を形成す
る。次に、下部電極層１０２の上に、下部磁性層１０
３、トンネルバリア層１０４、上部磁性層１０５を順に
形成する。次に、上部磁性層１０５の上に、フォトリソ
グラフィーにより、ＴＭＲ素子をパターニングするため
のレジストマスク１０６を形成する。
ように、基板１０１の上に下部電極層１０２を形成す
る。次に、下部電極層１０２の上に、下部磁性層１０
３、トンネルバリア層１０４、上部磁性層１０５を順に
形成する。次に、上部磁性層１０５の上に、フォトリソ
グラフィーにより、ＴＭＲ素子をパターニングするため
のレジストマスク１０６を形成する。
【００１０】次に、レジストマスク１０６を用いて、例
えばイオンミリングによって、上部磁性層１０５、トン
ネルバリア層１０４および下部磁性層１０３を選択的に
エッチングする。これにより、図１９に示したように、
パターニングされた下部磁性層１０３、トンネルバリア
層１０４および上部磁性層１０５よりなるＴＭＲ素子１
２０が形成される。次に、リフトオフ法により、ＴＭＲ
素子１２０の周囲に絶縁層１０７を形成する。すなわ
ち、レジストマスク１０６を残したまま、全体に絶縁層
１０７を形成した後、レジストマスク１０６を剥離す
る。
えばイオンミリングによって、上部磁性層１０５、トン
ネルバリア層１０４および下部磁性層１０３を選択的に
エッチングする。これにより、図１９に示したように、
パターニングされた下部磁性層１０３、トンネルバリア
層１０４および上部磁性層１０５よりなるＴＭＲ素子１
２０が形成される。次に、リフトオフ法により、ＴＭＲ
素子１２０の周囲に絶縁層１０７を形成する。すなわ
ち、レジストマスク１０６を残したまま、全体に絶縁層
１０７を形成した後、レジストマスク１０６を剥離す
る。
【００１１】次に、図２０に示したように、上部磁性層
１０５および絶縁層１０７の上に、軟磁性材料よりなる
ＦＦＧ層１０９を形成する。次に、ＦＦＧ層１０９の上
に、フォトリソグラフィーにより、ＦＦＧ層１０９をパ
ターニングするためのレジストマスク１１０を形成す
る。
１０５および絶縁層１０７の上に、軟磁性材料よりなる
ＦＦＧ層１０９を形成する。次に、ＦＦＧ層１０９の上
に、フォトリソグラフィーにより、ＦＦＧ層１０９をパ
ターニングするためのレジストマスク１１０を形成す
る。
【００１２】次に、図２１に示したように、レジストマ
スク１１０を用いて、例えばイオンミリングによって、
ＦＦＧ層１０９を選択的にエッチングして、ＦＦＧ層１
０９をパターニングする。パターニングされたＦＦＧ層
１０９は、上部磁性層１０５の上の部分から媒体対向面
側に延びる部分と、上部磁性層１０５の上の部分から媒
体対向面に平行に両側に延びる２つの部分とを有するＴ
字形をなしている。次に、レジストマスク１１０を剥離
する。
スク１１０を用いて、例えばイオンミリングによって、
ＦＦＧ層１０９を選択的にエッチングして、ＦＦＧ層１
０９をパターニングする。パターニングされたＦＦＧ層
１０９は、上部磁性層１０５の上の部分から媒体対向面
側に延びる部分と、上部磁性層１０５の上の部分から媒
体対向面に平行に両側に延びる２つの部分とを有するＴ
字形をなしている。次に、レジストマスク１１０を剥離
する。
【００１３】次に、図２２に示したように、絶縁層１０
７の上において、ＦＦＧ層１０９のうちの媒体対向面に
平行に両側に延びる２つの部分のそれぞれの外側の位置
に、ＴＭＲ素子１２０に対してバイアス磁界を付与する
ための硬質磁性層１１１を形成する。
７の上において、ＦＦＧ層１０９のうちの媒体対向面に
平行に両側に延びる２つの部分のそれぞれの外側の位置
に、ＴＭＲ素子１２０に対してバイアス磁界を付与する
ための硬質磁性層１１１を形成する。
【００１４】次に、図２３に示したように、ＦＦＧ層１
０９および硬質磁性層１１１の上に上部電極層１１２を
形成する。以上の工程により、ＦＦＧ型ＴＭＲヘッドの
ＴＭＲ素子１２０とその周辺部が形成される。
０９および硬質磁性層１１１の上に上部電極層１１２を
形成する。以上の工程により、ＦＦＧ型ＴＭＲヘッドの
ＴＭＲ素子１２０とその周辺部が形成される。
【００１５】その後、研磨加工によってヘッドの媒体対
向面を規定する。また、この研磨加工によってＦＦＧ層
１０９を媒体対向面に露出させると共に、媒体対向面か
らＴＭＲ素子１２０までの距離をコントロールする。
向面を規定する。また、この研磨加工によってＦＦＧ層
１０９を媒体対向面に露出させると共に、媒体対向面か
らＴＭＲ素子１２０までの距離をコントロールする。
【００１６】上述のようなＦＦＧは、ＴＭＲヘッドに限
らず、一般的に、特開平５−２７５７６９号公報に示さ
れるような構造、すなわち、ＭＲ素子に対して、信号検
出用のセンス電流をＭＲ素子の膜面に垂直な方向に流す
ようにした構造のＭＲヘッドにも適用することができ
る。このような構造を、本出願においてＣＰＰ構造（Cu
rrent Perpendicular to the Plane）と言う。ＴＭＲヘ
ッドの構造もこのＣＰＰ構造に含まれる。
らず、一般的に、特開平５−２７５７６９号公報に示さ
れるような構造、すなわち、ＭＲ素子に対して、信号検
出用のセンス電流をＭＲ素子の膜面に垂直な方向に流す
ようにした構造のＭＲヘッドにも適用することができ
る。このような構造を、本出願においてＣＰＰ構造（Cu
rrent Perpendicular to the Plane）と言う。ＴＭＲヘ
ッドの構造もこのＣＰＰ構造に含まれる。
【００１７】ＣＰＰ構造のＭＲヘッドとしては、図２３
における下部磁性層１０３、トンネルバリア層１０４お
よび上部磁性層１０５の代りに、非磁性層を介して積層
された複数の磁性層を持つ磁性多層膜を設けたものがあ
る。この磁性多層膜は、非磁性層の材料と膜厚とを適当
に選ぶことにより、磁性層の層間にＲＫＫＹ相互作用が
働き、結果として各々の磁性層における磁化の向きが反
平行となる性質があり、巨大磁気抵抗効果（以下、ＧＭ
Ｒとも記す。）を示す。このような磁性多層膜は、例え
ば特開平４−３６０００９号公報、特開平９−１２９４
４５号公報、特開平５−９００２６号公報に示されてい
る。また、このような磁性多層膜を、本出願において反
強磁性結合型磁性多層膜と言う。また、特開平５−２７
５７６９号公報に示されるような、反強磁性結合型磁性
多層膜を用いたＣＰＰ構造のＧＭＲヘッドを、本出願に
おいてＣＰＰ構造ＧＭＲヘッドと言う。
における下部磁性層１０３、トンネルバリア層１０４お
よび上部磁性層１０５の代りに、非磁性層を介して積層
された複数の磁性層を持つ磁性多層膜を設けたものがあ
る。この磁性多層膜は、非磁性層の材料と膜厚とを適当
に選ぶことにより、磁性層の層間にＲＫＫＹ相互作用が
働き、結果として各々の磁性層における磁化の向きが反
平行となる性質があり、巨大磁気抵抗効果（以下、ＧＭ
Ｒとも記す。）を示す。このような磁性多層膜は、例え
ば特開平４−３６０００９号公報、特開平９−１２９４
４５号公報、特開平５−９００２６号公報に示されてい
る。また、このような磁性多層膜を、本出願において反
強磁性結合型磁性多層膜と言う。また、特開平５−２７
５７６９号公報に示されるような、反強磁性結合型磁性
多層膜を用いたＣＰＰ構造のＧＭＲヘッドを、本出願に
おいてＣＰＰ構造ＧＭＲヘッドと言う。
【００１８】また、上記反強磁性結合型磁性多層膜を用
いる代りに、例えば米国特許第５１５９５１３号明細書
に記載されているスピンバルブ型磁性多層膜を用いても
よい。また、このスピンバルブ型磁性多層膜としては、
例えば特開平１０−９１９２１号公報に示されるデュア
ルスピンバルブ型磁性多層膜を用いてもよい。
いる代りに、例えば米国特許第５１５９５１３号明細書
に記載されているスピンバルブ型磁性多層膜を用いても
よい。また、このスピンバルブ型磁性多層膜としては、
例えば特開平１０−９１９２１号公報に示されるデュア
ルスピンバルブ型磁性多層膜を用いてもよい。
【００１９】１００Ｇビット／（インチ）2を越すよう
な面記録密度では、ＴＭＲ素子を用いたヘッドでも、出
力やＳＮ（信号対雑音）比が十分ではなく、上記のよう
なＣＰＰ構造ＧＭＲヘッドが必要となってくる。
な面記録密度では、ＴＭＲ素子を用いたヘッドでも、出
力やＳＮ（信号対雑音）比が十分ではなく、上記のよう
なＣＰＰ構造ＧＭＲヘッドが必要となってくる。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図１８ない
し図２３に示したＦＦＧ型ＴＭＲヘッドの製造方法で
は、ＴＭＲ素子の集積面上にＦＦＧ層１０９を成膜する
必要がある。その際、図２０から分かるように、ＦＦＧ
層１０９を成膜する面では、ＴＭＲ素子の上部磁性層１
０５の上面はわずかであり、大部分は絶縁層１０７の上
面となっている。そのため、ＦＦＧ層１０９は、ほとん
ど絶縁層１０７の上に直接成膜されることになる。
し図２３に示したＦＦＧ型ＴＭＲヘッドの製造方法で
は、ＴＭＲ素子の集積面上にＦＦＧ層１０９を成膜する
必要がある。その際、図２０から分かるように、ＦＦＧ
層１０９を成膜する面では、ＴＭＲ素子の上部磁性層１
０５の上面はわずかであり、大部分は絶縁層１０７の上
面となっている。そのため、ＦＦＧ層１０９は、ほとん
ど絶縁層１０７の上に直接成膜されることになる。
【００２１】しかし、絶縁層１０７の上にＦＦＧ層１０
９を直接成膜した場合には、ＦＦＧ層１０９の軟磁気特
性が劣り、その結果、ヘッドの再生出力が十分得られな
いという問題があった。これは、絶縁層１０７の上に直
接形成したＦＦＧ層１０９の配向性が劣るためと考えら
れる。
９を直接成膜した場合には、ＦＦＧ層１０９の軟磁気特
性が劣り、その結果、ヘッドの再生出力が十分得られな
いという問題があった。これは、絶縁層１０７の上に直
接形成したＦＦＧ層１０９の配向性が劣るためと考えら
れる。
【００２２】なお、特開平８−１５３３１０号公報に
は、磁気抵抗効果を有する磁性層に対して、Ｔａ、Ｃｒ
等の下地層を介してフラックスガイド層を成膜する技術
が開示されている。そこで、ＦＦＧ型ＴＭＲヘッドにお
いても、上部磁性層１０５および絶縁層１０７の上に、
下地層を介してＦＦＧ層１０９を形成することも考えら
れる。
は、磁気抵抗効果を有する磁性層に対して、Ｔａ、Ｃｒ
等の下地層を介してフラックスガイド層を成膜する技術
が開示されている。そこで、ＦＦＧ型ＴＭＲヘッドにお
いても、上部磁性層１０５および絶縁層１０７の上に、
下地層を介してＦＦＧ層１０９を形成することも考えら
れる。
【００２３】しかしながら、上部磁性層１０５の上に、
Ｔａ、Ｃｒ等の非磁性材料よりなる下地層を介してＦＦ
Ｇ層１０９を形成すると、以下のような問題が生じる。
すなわち、ＦＦＧ型ＴＭＲヘッドにおいて、動作時にＦ
ＦＧ層１０９から入り込む磁束が効率よく上部磁性層１
０５まで届くためには、上部磁性層１０５とＦＦＧ層１
０９を磁気的に結合させる必要がある。しかし、上部磁
性層１０５の上に非磁性材料よりなる下地層を介してＦ
ＦＧ層１０９を形成すると、上部磁性層１０５とＦＦＧ
層１０９とを磁気的に結合させることができなくなって
しまい、ＦＦＧ層１０９の機能が十分に発揮されなくな
ってしまうという問題が生じる。
Ｔａ、Ｃｒ等の非磁性材料よりなる下地層を介してＦＦ
Ｇ層１０９を形成すると、以下のような問題が生じる。
すなわち、ＦＦＧ型ＴＭＲヘッドにおいて、動作時にＦ
ＦＧ層１０９から入り込む磁束が効率よく上部磁性層１
０５まで届くためには、上部磁性層１０５とＦＦＧ層１
０９を磁気的に結合させる必要がある。しかし、上部磁
性層１０５の上に非磁性材料よりなる下地層を介してＦ
ＦＧ層１０９を形成すると、上部磁性層１０５とＦＦＧ
層１０９とを磁気的に結合させることができなくなって
しまい、ＦＦＧ層１０９の機能が十分に発揮されなくな
ってしまうという問題が生じる。
【００２４】なお、以上説明したような問題は、ＣＰＰ
構造ＧＭＲヘッドにおいてＦＦＧ層を設ける場合にも当
てはまる。
構造ＧＭＲヘッドにおいてＦＦＧ層を設ける場合にも当
てはまる。
【００２５】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗
効果素子に信号磁束を導くための軟磁性層とを備えた薄
膜磁気ヘッドにおいて、軟磁性層の軟磁気特性を向上さ
せて、ヘッドの出力を向上させることができるようにし
た薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供することに
ある。
ので、その目的は、磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗
効果素子に信号磁束を導くための軟磁性層とを備えた薄
膜磁気ヘッドにおいて、軟磁性層の軟磁気特性を向上さ
せて、ヘッドの出力を向上させることができるようにし
た薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供することに
ある。
【００２６】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、互いに反対側を向く２つの面と、この２つの面を連
結する側部とを有する磁気抵抗効果素子と、磁気抵抗効
果素子の各面に対してそれぞれ直接または間接的に接続
され、磁気抵抗効果素子に対して信号検出用の電流を流
すための第１および第２の電極層と、磁気抵抗効果素子
の側部に隣接するように、第１および第２の電極層の間
に設けられた絶縁層と、磁気抵抗効果素子が配置された
領域と絶縁層が配置された領域とにまたがるように配置
され、磁気抵抗効果素子の一方の面に接し、磁気抵抗効
果素子に対して信号磁束を導く軟磁性層と、軟磁性層と
絶縁層との間に配置され、軟磁性層を形成する際の下地
となる下地膜とを備えている。下地膜の軟磁性層側の面
と磁気抵抗効果素子の一方の面は、面一である。
は、互いに反対側を向く２つの面と、この２つの面を連
結する側部とを有する磁気抵抗効果素子と、磁気抵抗効
果素子の各面に対してそれぞれ直接または間接的に接続
され、磁気抵抗効果素子に対して信号検出用の電流を流
すための第１および第２の電極層と、磁気抵抗効果素子
の側部に隣接するように、第１および第２の電極層の間
に設けられた絶縁層と、磁気抵抗効果素子が配置された
領域と絶縁層が配置された領域とにまたがるように配置
され、磁気抵抗効果素子の一方の面に接し、磁気抵抗効
果素子に対して信号磁束を導く軟磁性層と、軟磁性層と
絶縁層との間に配置され、軟磁性層を形成する際の下地
となる下地膜とを備えている。下地膜の軟磁性層側の面
と磁気抵抗効果素子の一方の面は、面一である。
【００２７】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、互
いに反対側を向く２つの面と、この２つの面を連結する
側部とを有する磁気抵抗効果素子と、磁気抵抗効果素子
の各面に対してそれぞれ直接または間接的に接続され、
磁気抵抗効果素子に対して信号検出用の電流を流すため
の第１および第２の電極層と、磁気抵抗効果素子の側部
に隣接するように、第１および第２の電極層の間に設け
られた絶縁層と、磁気抵抗効果素子が配置された領域と
絶縁層が配置された領域とにまたがるように配置され、
磁気抵抗効果素子の一方の面に接し、磁気抵抗効果素子
に対して信号磁束を導く軟磁性層とを備えた薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法であって、第１の電極層を形成する工程
と、第１の電極層の上に、磁気抵抗効果素子と絶縁層と
を形成する工程と、絶縁層の上に、磁性層を形成する際
の下地となる下地膜を形成する工程と、下地膜および磁
気抵抗効果素子の上に、軟磁性層を形成する工程と、軟
磁性層の上に第２の電極層を形成する工程とを含み、下
地膜を形成する工程は、下地膜の軟磁性層側の面と磁気
抵抗効果素子の一方の面が面一となるように下地膜を形
成するものである。
いに反対側を向く２つの面と、この２つの面を連結する
側部とを有する磁気抵抗効果素子と、磁気抵抗効果素子
の各面に対してそれぞれ直接または間接的に接続され、
磁気抵抗効果素子に対して信号検出用の電流を流すため
の第１および第２の電極層と、磁気抵抗効果素子の側部
に隣接するように、第１および第２の電極層の間に設け
られた絶縁層と、磁気抵抗効果素子が配置された領域と
絶縁層が配置された領域とにまたがるように配置され、
磁気抵抗効果素子の一方の面に接し、磁気抵抗効果素子
に対して信号磁束を導く軟磁性層とを備えた薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法であって、第１の電極層を形成する工程
と、第１の電極層の上に、磁気抵抗効果素子と絶縁層と
を形成する工程と、絶縁層の上に、磁性層を形成する際
の下地となる下地膜を形成する工程と、下地膜および磁
気抵抗効果素子の上に、軟磁性層を形成する工程と、軟
磁性層の上に第２の電極層を形成する工程とを含み、下
地膜を形成する工程は、下地膜の軟磁性層側の面と磁気
抵抗効果素子の一方の面が面一となるように下地膜を形
成するものである。
【００２８】本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方
法では、磁気抵抗効果素子と軟磁性層との間に下地膜を
存在させることなく、絶縁層の上に下地膜を介して軟磁
性層を形成することが可能となる。
法では、磁気抵抗効果素子と軟磁性層との間に下地膜を
存在させることなく、絶縁層の上に下地膜を介して軟磁
性層を形成することが可能となる。
【００２９】本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方
法において、下地膜は、非磁性金属材料よりなっていて
もよい。この場合、非磁性金属材料は、ＣｒまたはＮｉ
Ｃｒを含んでいてもよい。
法において、下地膜は、非磁性金属材料よりなっていて
もよい。この場合、非磁性金属材料は、ＣｒまたはＮｉ
Ｃｒを含んでいてもよい。
【００３０】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたは製造
方法において、磁気抵抗効果素子は、トンネルバリア層
と、このトンネルバリア層を挟んで対向する２つの磁性
層とを有していてもよい。
方法において、磁気抵抗効果素子は、トンネルバリア層
と、このトンネルバリア層を挟んで対向する２つの磁性
層とを有していてもよい。
【００３１】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法において、磁気抵抗効果素子は、反強磁性結合
型磁性多層膜を有していてもよい。
製造方法において、磁気抵抗効果素子は、反強磁性結合
型磁性多層膜を有していてもよい。
【００３２】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法において、磁気抵抗効果素子は、スピンバルブ
型磁性多層膜を有していてもよい。スピンバルブ型磁性
多層膜は、デュアルスピンバルブ型磁性多層膜であって
もよい。
製造方法において、磁気抵抗効果素子は、スピンバルブ
型磁性多層膜を有していてもよい。スピンバルブ型磁性
多層膜は、デュアルスピンバルブ型磁性多層膜であって
もよい。
【００３３】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法において、軟磁性層は複数の層からなっていて
もよい。
製造方法において、軟磁性層は複数の層からなっていて
もよい。
【００３４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。 ［第１の実施の形態］始めに、本発明の第１の実施の形
態に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法について説
明する。図１ないし図６は、本実施の形態に係る薄膜磁
気ヘッドの製造方法における各工程を示し、（ａ）は断
面を示し、（ｂ）は集積面（上面）を示している。
て図面を参照して詳細に説明する。 ［第１の実施の形態］始めに、本発明の第１の実施の形
態に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法について説
明する。図１ないし図６は、本実施の形態に係る薄膜磁
気ヘッドの製造方法における各工程を示し、（ａ）は断
面を示し、（ｂ）は集積面（上面）を示している。
【００３５】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、まず、図１に示したように、基板１の上に下
部電極層２を形成する。次に、下部電極層２の上に、下
部磁性層３、トンネルバリア層４、上部磁性層５を順に
形成する。次に、上部磁性層５の上に、フォトリソグラ
フィーにより、ＴＭＲ素子をパターニングするためのレ
ジストマスク６を形成する。
方法では、まず、図１に示したように、基板１の上に下
部電極層２を形成する。次に、下部電極層２の上に、下
部磁性層３、トンネルバリア層４、上部磁性層５を順に
形成する。次に、上部磁性層５の上に、フォトリソグラ
フィーにより、ＴＭＲ素子をパターニングするためのレ
ジストマスク６を形成する。
【００３６】次に、レジストマスク６を用いて、例えば
イオンミリングによって、上部磁性層５、トンネルバリ
ア層４および下部磁性層３を選択的にエッチングする。
これにより、図２に示したように、パターニングされた
下部磁性層３、トンネルバリア層４および上部磁性層５
よりなるＴＭＲ素子２０が形成される。次に、リフトオ
フ法により、ＴＭＲ素子２０の周囲に絶縁層７と下地膜
８を形成する。すなわち、レジストマスク６を残したま
ま、スパッタリングにより、全体に絶縁層７を形成し、
更に絶縁層７の上に下地膜８を形成し、その後、レジス
トマスク６を剥離する。下地膜８は、後述するＦＦＧ層
９を形成する際にＦＦＧ層９の配向性を高めるためにＦ
ＦＧ層９の下地となる膜であり、非磁性金属材料よりな
る。下地膜８に用いる非磁性金属材料としてはＣｒまた
はＮｉＣｒが好ましい。
イオンミリングによって、上部磁性層５、トンネルバリ
ア層４および下部磁性層３を選択的にエッチングする。
これにより、図２に示したように、パターニングされた
下部磁性層３、トンネルバリア層４および上部磁性層５
よりなるＴＭＲ素子２０が形成される。次に、リフトオ
フ法により、ＴＭＲ素子２０の周囲に絶縁層７と下地膜
８を形成する。すなわち、レジストマスク６を残したま
ま、スパッタリングにより、全体に絶縁層７を形成し、
更に絶縁層７の上に下地膜８を形成し、その後、レジス
トマスク６を剥離する。下地膜８は、後述するＦＦＧ層
９を形成する際にＦＦＧ層９の配向性を高めるためにＦ
ＦＧ層９の下地となる膜であり、非磁性金属材料よりな
る。下地膜８に用いる非磁性金属材料としてはＣｒまた
はＮｉＣｒが好ましい。
【００３７】なお、上部磁性層５、トンネルバリア層４
および下部磁性層３のエッチング時にはエッチング量を
モニタリングし、絶縁層７および下地膜８の形成時に
は、これらの成膜量をコントロールして、図２に示した
ように、下地膜８の上面と上部磁性層５の上面とが面一
となるようにするのが好ましい。
および下部磁性層３のエッチング時にはエッチング量を
モニタリングし、絶縁層７および下地膜８の形成時に
は、これらの成膜量をコントロールして、図２に示した
ように、下地膜８の上面と上部磁性層５の上面とが面一
となるようにするのが好ましい。
【００３８】次に、図３に示したように、上部磁性層５
および下地膜８の上に、ＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＴａ等の軟
磁性材料よりなるＦＦＧ層９を形成する。次に、ＦＦＧ
層９の上に、フォトリソグラフィーにより、ＦＦＧ層９
をパターニングするためのレジストマスク１０を形成す
る。
および下地膜８の上に、ＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＴａ等の軟
磁性材料よりなるＦＦＧ層９を形成する。次に、ＦＦＧ
層９の上に、フォトリソグラフィーにより、ＦＦＧ層９
をパターニングするためのレジストマスク１０を形成す
る。
【００３９】次に、図４に示したように、レジストマス
ク１０を用いて、例えばイオンミリングによって、ＦＦ
Ｇ層９および下地膜８を選択的にエッチングして、ＦＦ
Ｇ層９および下地膜８をパターニングする。パターニン
グされたＦＦＧ層９は、上部磁性層５の上の部分から媒
体対向面側に延びる部分と、上部磁性層５の上の部分か
ら媒体対向面に平行に両側に延びる２つの部分とを有す
るＴ字形をなしている。次に、レジストマスク１０を剥
離する。
ク１０を用いて、例えばイオンミリングによって、ＦＦ
Ｇ層９および下地膜８を選択的にエッチングして、ＦＦ
Ｇ層９および下地膜８をパターニングする。パターニン
グされたＦＦＧ層９は、上部磁性層５の上の部分から媒
体対向面側に延びる部分と、上部磁性層５の上の部分か
ら媒体対向面に平行に両側に延びる２つの部分とを有す
るＴ字形をなしている。次に、レジストマスク１０を剥
離する。
【００４０】次に、図５に示したように、絶縁層７の上
において、ＦＦＧ層９のうちの媒体対向面に平行に両側
に延びる２つの部分のそれぞれの外側の位置に、ＴＭＲ
素子２０に対してバイアス磁界を付与するための硬質磁
性層１１を形成する。
において、ＦＦＧ層９のうちの媒体対向面に平行に両側
に延びる２つの部分のそれぞれの外側の位置に、ＴＭＲ
素子２０に対してバイアス磁界を付与するための硬質磁
性層１１を形成する。
【００４１】次に、図６に示したように、ＦＦＧ層９お
よび硬質磁性層１１の上に上部電極層１２を形成する。
以上の工程により、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
のＴＭＲ素子２０とその周辺部が形成される。
よび硬質磁性層１１の上に上部電極層１２を形成する。
以上の工程により、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
のＴＭＲ素子２０とその周辺部が形成される。
【００４２】再生ヘッドと記録ヘッドとを備えた複合型
薄膜磁気ヘッドの場合には、次に、書き込み用の誘導型
電磁変換素子を形成する。誘導型電磁変換素子は、互い
に磁気的に連結され、記録媒体に対向する媒体対向面側
において互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少な
くとも１つの層を含む第１および第２の磁性層と、第１
の磁性層の磁極部分と第２の磁性層の磁極部分との間に
設けられた記録ギャップ層と、少なくとも一部が第１お
よび第２の磁性層の間に、第１および第２の磁性層に対
して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを有して
いる。ここでは、誘導型電磁変換素子の製造工程の詳細
な説明と図示を省略する。
薄膜磁気ヘッドの場合には、次に、書き込み用の誘導型
電磁変換素子を形成する。誘導型電磁変換素子は、互い
に磁気的に連結され、記録媒体に対向する媒体対向面側
において互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少な
くとも１つの層を含む第１および第２の磁性層と、第１
の磁性層の磁極部分と第２の磁性層の磁極部分との間に
設けられた記録ギャップ層と、少なくとも一部が第１お
よび第２の磁性層の間に、第１および第２の磁性層に対
して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを有して
いる。ここでは、誘導型電磁変換素子の製造工程の詳細
な説明と図示を省略する。
【００４３】その後、図６（ｂ）における下側の面を研
磨加工してヘッドの媒体対向面を規定する。また、この
研磨加工によってＦＦＧ層９を媒体対向面に露出させる
と共に、媒体対向面からＴＭＲ素子２０までの距離をコ
ントロールする。
磨加工してヘッドの媒体対向面を規定する。また、この
研磨加工によってＦＦＧ層９を媒体対向面に露出させる
と共に、媒体対向面からＴＭＲ素子２０までの距離をコ
ントロールする。
【００４４】図６に示したように、本実施の形態に係る
薄膜磁気ヘッドは、互いに反対側を向く２つの面と、こ
の２つの面を連結する側部とを有するＴＭＲ素子２０
（下部磁性層３、トンネルバリア層４および上部磁性層
５）と、このＴＭＲ素子２０の各面に対してそれぞれ直
接または間接的に接続され、ＴＭＲ素子２０に対して信
号検出用の電流を流すための下部電極層２および上部電
極層１２と、ＴＭＲ素子２０の側部に隣接するように、
下部電極層２と上部電極層１２の間に設けられた絶縁層
７と、ＴＭＲ素子２０が配置された領域と絶縁層７が配
置された領域とにまたがるように配置され、ＴＭＲ素子
２０の一方の面（上面）に接し、ＴＭＲ素子２０に対し
て信号磁束を導く軟磁性層としてのＦＦＧ層９と、この
ＦＦＧ層９と絶縁層７との間に配置され、ＦＦＧ層９を
形成する際の下地となる下地膜８とを備えている。
薄膜磁気ヘッドは、互いに反対側を向く２つの面と、こ
の２つの面を連結する側部とを有するＴＭＲ素子２０
（下部磁性層３、トンネルバリア層４および上部磁性層
５）と、このＴＭＲ素子２０の各面に対してそれぞれ直
接または間接的に接続され、ＴＭＲ素子２０に対して信
号検出用の電流を流すための下部電極層２および上部電
極層１２と、ＴＭＲ素子２０の側部に隣接するように、
下部電極層２と上部電極層１２の間に設けられた絶縁層
７と、ＴＭＲ素子２０が配置された領域と絶縁層７が配
置された領域とにまたがるように配置され、ＴＭＲ素子
２０の一方の面（上面）に接し、ＴＭＲ素子２０に対し
て信号磁束を導く軟磁性層としてのＦＦＧ層９と、この
ＦＦＧ層９と絶縁層７との間に配置され、ＦＦＧ層９を
形成する際の下地となる下地膜８とを備えている。
【００４５】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、
下部電極層２および上部電極層１２によって、ＴＭＲ素
子２０に対して信号検出用の電流が供給される。ＦＦＧ
層９は、磁気記録媒体に記録された情報によって生じる
信号磁束をＴＭＲ素子２０に導く。そして、ＴＭＲ素子
２０によって、信号磁束に応じた信号が検出される。
下部電極層２および上部電極層１２によって、ＴＭＲ素
子２０に対して信号検出用の電流が供給される。ＦＦＧ
層９は、磁気記録媒体に記録された情報によって生じる
信号磁束をＴＭＲ素子２０に導く。そして、ＴＭＲ素子
２０によって、信号磁束に応じた信号が検出される。
【００４６】本実施の形態によれば、絶縁層７の上に下
地膜８を形成し、この下地膜８の上にＦＦＧ層９を形成
するようにしたので、絶縁層７の上に直接ＦＦＧ層９を
形成する場合に比べて、ＦＦＧ層９の配向性を向上させ
ることができ、その結果、ＦＦＧ層９の軟磁気特性を向
上させることができる。
地膜８を形成し、この下地膜８の上にＦＦＧ層９を形成
するようにしたので、絶縁層７の上に直接ＦＦＧ層９を
形成する場合に比べて、ＦＦＧ層９の配向性を向上させ
ることができ、その結果、ＦＦＧ層９の軟磁気特性を向
上させることができる。
【００４７】しかも、本実施の形態によれば、ＴＭＲ素
子２０の上部磁性層５とＦＦＧ層９との間には下地膜８
が存在しないので、上部磁性層５とＦＦＧ層９とを磁気
的に連結させることができる。
子２０の上部磁性層５とＦＦＧ層９との間には下地膜８
が存在しないので、上部磁性層５とＦＦＧ層９とを磁気
的に連結させることができる。
【００４８】以上のことから、本実施の形態によれば、
薄膜磁気ヘッドの出力を向上させることができる。
薄膜磁気ヘッドの出力を向上させることができる。
【００４９】以下、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
と、絶縁層７の上に直接ＦＦＧ層９を形成した比較例の
薄膜磁気ヘッドとで、ヘッドの出力を比較した実験結果
の一例について説明する。
と、絶縁層７の上に直接ＦＦＧ層９を形成した比較例の
薄膜磁気ヘッドとで、ヘッドの出力を比較した実験結果
の一例について説明する。
【００５０】まず、図７を参照して、以下の説明で使用
する各パラメータについて説明する。図７は、薄膜磁気
ヘッドの構成要素のうち、ＴＭＲ素子２０、ＦＦＧ層９
および硬質磁性層１１を示す説明図である。この図にお
いて、ＦＧＨ（Flux Guide Height）は媒体対向面から
ＴＭＲ素子２０の媒体対向面側の端部までの距離、ＦＧ
Ｗ（Flux Guide Width）はＦＦＧ層９のうちのＴＭＲ素
子２０の上の部分から媒体対向面まで延びる部分の幅、
ＰＭＤ（Permanent Magnet Distance）はＦＦＧ層９の
うちのＴＭＲ素子２０の上の部分から媒体対向面に平行
に両側に延びる部分の長さ、ＴＨ（Track Height）はＴ
ＭＲ素子２０における媒体対向面に垂直な方向の長さ、
ＴＷ（Track Width）はＴＭＲ素子２０における媒体対
向面に平行な方向の長さである。
する各パラメータについて説明する。図７は、薄膜磁気
ヘッドの構成要素のうち、ＴＭＲ素子２０、ＦＦＧ層９
および硬質磁性層１１を示す説明図である。この図にお
いて、ＦＧＨ（Flux Guide Height）は媒体対向面から
ＴＭＲ素子２０の媒体対向面側の端部までの距離、ＦＧ
Ｗ（Flux Guide Width）はＦＦＧ層９のうちのＴＭＲ素
子２０の上の部分から媒体対向面まで延びる部分の幅、
ＰＭＤ（Permanent Magnet Distance）はＦＦＧ層９の
うちのＴＭＲ素子２０の上の部分から媒体対向面に平行
に両側に延びる部分の長さ、ＴＨ（Track Height）はＴ
ＭＲ素子２０における媒体対向面に垂直な方向の長さ、
ＴＷ（Track Width）はＴＭＲ素子２０における媒体対
向面に平行な方向の長さである。
【００５１】図８は、下地膜８の材料としてＮｉＣｒを
用いた場合の本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドと、下
地膜８の材料としてＴａを用いた場合の本実施の形態に
係る薄膜磁気ヘッドと、絶縁層７の上に直接ＦＦＧ層９
を形成した比較例の薄膜磁気ヘッドとで、ＦＧＨとヘッ
ドの出力との関係を求めた結果の一例を示している。
用いた場合の本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドと、下
地膜８の材料としてＴａを用いた場合の本実施の形態に
係る薄膜磁気ヘッドと、絶縁層７の上に直接ＦＦＧ層９
を形成した比較例の薄膜磁気ヘッドとで、ＦＧＨとヘッ
ドの出力との関係を求めた結果の一例を示している。
【００５２】なお、実験で使用した各ヘッドにおけるＴ
ＭＲ素子２０は、下部電極層２側から順に、５ｎｍのＴ
ａ層、２ｎｍのＮｉＦｅ層、３０ｎｍのＰｔＭｎ層、３
ｎｍのＣｏＦｅ層、０．７ｎｍのＡｌ2Ｏ3層、２ｎｍの
ＣｏＦｅ層、５ｎｍのＮｉＦｅ層を積層した構成とし
た。また、実験で使用した各ヘッドにおけるＦＦＧ層９
は、上部磁性層５側から順に、４ｎｍのＮｉＦｅ層、３
ｎｍのＴａ層を積層した構成とした。
ＭＲ素子２０は、下部電極層２側から順に、５ｎｍのＴ
ａ層、２ｎｍのＮｉＦｅ層、３０ｎｍのＰｔＭｎ層、３
ｎｍのＣｏＦｅ層、０．７ｎｍのＡｌ2Ｏ3層、２ｎｍの
ＣｏＦｅ層、５ｎｍのＮｉＦｅ層を積層した構成とし
た。また、実験で使用した各ヘッドにおけるＦＦＧ層９
は、上部磁性層５側から順に、４ｎｍのＮｉＦｅ層、３
ｎｍのＴａ層を積層した構成とした。
【００５３】また、実験で使用した各ヘッドにおいて、
ＦＧＨ以外のパラメータは、ＦＧＷ＝０．６μｍ、ＰＭ
Ｄ＝０．８μｍ、ＴＨ＝０．６μｍ、ＴＷ＝０．６μｍ
とした。
ＦＧＨ以外のパラメータは、ＦＧＷ＝０．６μｍ、ＰＭ
Ｄ＝０．８μｍ、ＴＨ＝０．６μｍ、ＴＷ＝０．６μｍ
とした。
【００５４】図８から、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドによれば、絶縁層７の上に直接ＦＦＧ層９を形成し
た薄膜磁気ヘッドに比べて、ヘッドの出力を向上させる
ことができることが分かる。
ッドによれば、絶縁層７の上に直接ＦＦＧ層９を形成し
た薄膜磁気ヘッドに比べて、ヘッドの出力を向上させる
ことができることが分かる。
【００５５】[第２の実施の形態]次に、本発明の第２の
実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に
ついて説明する。図９ないし図１４は、本実施の形態に
係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における各工程を示し、
（ａ）は断面を示し、（ｂ）は集積面（上面）を示して
いる。
実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に
ついて説明する。図９ないし図１４は、本実施の形態に
係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における各工程を示し、
（ａ）は断面を示し、（ｂ）は集積面（上面）を示して
いる。
【００５６】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、パターニングされた下部磁性層３、トンネル
バリア層４および上部磁性層５よりなるＴＭＲ素子２０
を形成する工程までは第１の実施の形態と同様である。
方法では、パターニングされた下部磁性層３、トンネル
バリア層４および上部磁性層５よりなるＴＭＲ素子２０
を形成する工程までは第１の実施の形態と同様である。
【００５７】本実施の形態では、次に、リフトオフ法に
より、ＴＭＲ素子２０の周囲に絶縁層７と第１の下地膜
２１を形成する。第１の下地膜２１は、後述するＦＦＧ
第１層２２を形成する際にＦＦＧ第１層２２の配向性を
高めるためにＦＦＧ第１層２２の下地となる膜であり、
非磁性金属材料よりなる。第１の下地膜２１に用いる非
磁性金属材料としてはＣｒまたはＮｉＣｒが好ましい。
より、ＴＭＲ素子２０の周囲に絶縁層７と第１の下地膜
２１を形成する。第１の下地膜２１は、後述するＦＦＧ
第１層２２を形成する際にＦＦＧ第１層２２の配向性を
高めるためにＦＦＧ第１層２２の下地となる膜であり、
非磁性金属材料よりなる。第１の下地膜２１に用いる非
磁性金属材料としてはＣｒまたはＮｉＣｒが好ましい。
【００５８】第１の実施の形態と同様に、上部磁性層
５、トンネルバリア層４および下部磁性層３のエッチン
グ時にはエッチング量をモニタリングし、絶縁層７およ
び下地膜２１の形成時には、これらの成膜量をコントロ
ールして、図９に示したように、下地膜２１の上面と上
部磁性層５の上面とが面一となるようにするのが好まし
い。
５、トンネルバリア層４および下部磁性層３のエッチン
グ時にはエッチング量をモニタリングし、絶縁層７およ
び下地膜２１の形成時には、これらの成膜量をコントロ
ールして、図９に示したように、下地膜２１の上面と上
部磁性層５の上面とが面一となるようにするのが好まし
い。
【００５９】次に、図１０に示したように、上部磁性層
５および第１の下地膜２１の上に、ＮｉＦｅ、ＮｉＦｅ
Ｔａ等の軟磁性材料よりなるＦＦＧ第１層２２を形成す
る。次に、ＦＦＧ第１層２２の上に、フォトリソグラフ
ィーにより、ＦＦＧ第１層２２をパターニングするため
のレジストマスク２３を形成する。
５および第１の下地膜２１の上に、ＮｉＦｅ、ＮｉＦｅ
Ｔａ等の軟磁性材料よりなるＦＦＧ第１層２２を形成す
る。次に、ＦＦＧ第１層２２の上に、フォトリソグラフ
ィーにより、ＦＦＧ第１層２２をパターニングするため
のレジストマスク２３を形成する。
【００６０】次に、図１１に示したように、レジストマ
スク２３を用いて、例えばイオンミリングによって、Ｆ
ＦＧ第１層２２および下地膜２１を選択的にエッチング
して、ＦＦＧ第１層２２および下地膜２１をパターニン
グする。パターニングされたＦＦＧ第１層２２は、上部
磁性層５の上の部分から媒体対向面に平行に両側に延び
る、ほぼ長方形のパターンになっている。
スク２３を用いて、例えばイオンミリングによって、Ｆ
ＦＧ第１層２２および下地膜２１を選択的にエッチング
して、ＦＦＧ第１層２２および下地膜２１をパターニン
グする。パターニングされたＦＦＧ第１層２２は、上部
磁性層５の上の部分から媒体対向面に平行に両側に延び
る、ほぼ長方形のパターンになっている。
【００６１】次に、リフトオフ法によって、ＦＦＧ第１
層２２の周囲における絶縁層７の上に、第２の下地膜２
４を形成する。すなわち、レジストマスク２３を残した
まま、スパッタリングにより、第２の下地膜２４を形成
し、その後、レジストマスク２３を剥離する。第２の下
地膜２４は、後述するＦＦＧ第２層２５を形成する際に
ＦＦＧ層２５の配向性を高めるためにＦＦＧ第２層２５
の下地となる膜であり、非磁性金属材料よりなる。第２
の下地膜２４に用いる非磁性金属材料としてはＣｒまた
はＮｉＣｒが好ましい。
層２２の周囲における絶縁層７の上に、第２の下地膜２
４を形成する。すなわち、レジストマスク２３を残した
まま、スパッタリングにより、第２の下地膜２４を形成
し、その後、レジストマスク２３を剥離する。第２の下
地膜２４は、後述するＦＦＧ第２層２５を形成する際に
ＦＦＧ層２５の配向性を高めるためにＦＦＧ第２層２５
の下地となる膜であり、非磁性金属材料よりなる。第２
の下地膜２４に用いる非磁性金属材料としてはＣｒまた
はＮｉＣｒが好ましい。
【００６２】なお、ＦＦＧ第１層２２および第１の下地
膜２１のエッチング時にはエッチング量をモニタリング
し、第２の下地膜２４の形成時には、その成膜量をコン
トロールして、図１１に示したように、第２の下地膜２
４の上面とＦＦＧ第１層２２の上面とが面一となるよう
にするのが好ましい。
膜２１のエッチング時にはエッチング量をモニタリング
し、第２の下地膜２４の形成時には、その成膜量をコン
トロールして、図１１に示したように、第２の下地膜２
４の上面とＦＦＧ第１層２２の上面とが面一となるよう
にするのが好ましい。
【００６３】次に、図１２に示したように、ＦＦＧ第１
層２２および第２の下地膜２４の上に、ＮｉＦｅ、Ｎｉ
ＦｅＴａ等の軟磁性材料よりなるＦＦＧ第２層２５を形
成する。次に、ＦＦＧ第２層２５の上に、フォトリソグ
ラフィーにより、ＦＦＧ第２層２５をパターニングする
ためのレジストマスク２６を形成する。
層２２および第２の下地膜２４の上に、ＮｉＦｅ、Ｎｉ
ＦｅＴａ等の軟磁性材料よりなるＦＦＧ第２層２５を形
成する。次に、ＦＦＧ第２層２５の上に、フォトリソグ
ラフィーにより、ＦＦＧ第２層２５をパターニングする
ためのレジストマスク２６を形成する。
【００６４】次に、図１３に示したように、レジストマ
スク２６を用いて、例えばイオンミリングによって、Ｆ
ＦＧ第２層２５を選択的にエッチングして、ＦＦＧ第２
層２５をパターニングする。パターニングされたＦＦＧ
第２層２５は、上部磁性層５の上の部分から媒体対向面
側に延びる、ほぼ長方形のパターンになっている。
スク２６を用いて、例えばイオンミリングによって、Ｆ
ＦＧ第２層２５を選択的にエッチングして、ＦＦＧ第２
層２５をパターニングする。パターニングされたＦＦＧ
第２層２５は、上部磁性層５の上の部分から媒体対向面
側に延びる、ほぼ長方形のパターンになっている。
【００６５】図１３（ｂ）に示したように、ＦＦＧ第１
層２２とＦＦＧ第２層２５の２つの層によって、上部磁
性層５の上の部分から媒体対向面側に延びる部分と上部
磁性層５の上の部分から媒体対向面に平行に両側に延び
る２つの部分とを有するＴ字形のＦＦＧ層が構成され
る。
層２２とＦＦＧ第２層２５の２つの層によって、上部磁
性層５の上の部分から媒体対向面側に延びる部分と上部
磁性層５の上の部分から媒体対向面に平行に両側に延び
る２つの部分とを有するＴ字形のＦＦＧ層が構成され
る。
【００６６】次に、図１４に示したように、ＦＦＧ第１
層２２の媒体対向面に平行な方向の両端部のそれぞれの
外側の位置において、第２の下地膜２４を部分的にエッ
チングする。次に、このエッチングした部分に、ＴＭＲ
素子２０に対してバイアス磁界を付与するための硬質磁
性層２７を形成する。
層２２の媒体対向面に平行な方向の両端部のそれぞれの
外側の位置において、第２の下地膜２４を部分的にエッ
チングする。次に、このエッチングした部分に、ＴＭＲ
素子２０に対してバイアス磁界を付与するための硬質磁
性層２７を形成する。
【００６７】次に、全体の上に上部電極層２８を形成す
る。以上の工程により、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドのＴＭＲ素子２０とその周辺部が形成される。
る。以上の工程により、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドのＴＭＲ素子２０とその周辺部が形成される。
【００６８】再生ヘッドと記録ヘッドとを備えた複合型
薄膜磁気ヘッドの場合には、次に、第１の実施の形態と
同様に、書き込み用の誘導型電磁変換素子を形成する。
薄膜磁気ヘッドの場合には、次に、第１の実施の形態と
同様に、書き込み用の誘導型電磁変換素子を形成する。
【００６９】その後、図１４（ｂ）における下側の面を
研磨加工してヘッドの媒体対向面を規定する。また、こ
の研磨加工によってＦＦＧ第２層２５を媒体対向面に露
出させると共に、媒体対向面からＴＭＲ素子２０までの
距離をコントロールする。
研磨加工してヘッドの媒体対向面を規定する。また、こ
の研磨加工によってＦＦＧ第２層２５を媒体対向面に露
出させると共に、媒体対向面からＴＭＲ素子２０までの
距離をコントロールする。
【００７０】図１４に示したように、本実施の形態に係
る薄膜磁気ヘッドの構成は、ＦＦＧ層が２つの層２２，
２５によって構成されること以外は、第１の実施の形態
と同様である。
る薄膜磁気ヘッドの構成は、ＦＦＧ層が２つの層２２，
２５によって構成されること以外は、第１の実施の形態
と同様である。
【００７１】本実施の形態によれば、絶縁層７の上に第
１の下地膜２１を形成し、この第１の下地膜２１の上に
ＦＦＧ第１層２２を形成すると共に、絶縁層７の上に第
２の下地膜２４を形成し、この第２の下地膜２４の上に
ＦＦＧ第２層２５を形成するようにしたので、絶縁層７
の上に直接、ＦＦＧ第１層２２およびＦＦＧ第２層２５
を形成する場合に比べて、ＦＦＧ第１層２２およびＦＦ
Ｇ第２層２５の配向性を向上させることができ、その結
果、２つの層２２，２５よりなるＦＦＧ層の軟磁気特性
を向上させることができる。
１の下地膜２１を形成し、この第１の下地膜２１の上に
ＦＦＧ第１層２２を形成すると共に、絶縁層７の上に第
２の下地膜２４を形成し、この第２の下地膜２４の上に
ＦＦＧ第２層２５を形成するようにしたので、絶縁層７
の上に直接、ＦＦＧ第１層２２およびＦＦＧ第２層２５
を形成する場合に比べて、ＦＦＧ第１層２２およびＦＦ
Ｇ第２層２５の配向性を向上させることができ、その結
果、２つの層２２，２５よりなるＦＦＧ層の軟磁気特性
を向上させることができる。
【００７２】しかも、本実施の形態によれば、ＴＭＲ素
子２０の上部磁性層５とＦＦＧ層との間には下地膜２
１，２４が存在しないので、上部磁性層５とＦＦＧ層と
を磁気的に連結させることができる。
子２０の上部磁性層５とＦＦＧ層との間には下地膜２
１，２４が存在しないので、上部磁性層５とＦＦＧ層と
を磁気的に連結させることができる。
【００７３】以上のことから、本実施の形態によれば、
薄膜磁気ヘッドの出力を向上させることができる。
薄膜磁気ヘッドの出力を向上させることができる。
【００７４】以下、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
と、絶縁層７の上に直接ＦＦＧ層を形成した比較例の薄
膜磁気ヘッドとで、ヘッドの出力を比較した実験結果の
一例について説明する。なお、以下の説明で使用する各
パラメータの意味は、第１の実施の形態と同様である。
と、絶縁層７の上に直接ＦＦＧ層を形成した比較例の薄
膜磁気ヘッドとで、ヘッドの出力を比較した実験結果の
一例について説明する。なお、以下の説明で使用する各
パラメータの意味は、第１の実施の形態と同様である。
【００７５】図１５は、下地膜２１，２４の材料として
ＮｉＣｒを用いた場合の本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドと、下地膜２１，２４の材料としてＴａを用いた場
合の本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドと、絶縁層７の
上に直接ＦＦＧ層を形成した比較例の薄膜磁気ヘッドと
で、ＦＧＨとヘッドの出力との関係を求めた結果の一例
を示している。
ＮｉＣｒを用いた場合の本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドと、下地膜２１，２４の材料としてＴａを用いた場
合の本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドと、絶縁層７の
上に直接ＦＦＧ層を形成した比較例の薄膜磁気ヘッドと
で、ＦＧＨとヘッドの出力との関係を求めた結果の一例
を示している。
【００７６】なお、実験で使用した各ヘッドにおけるＴ
ＭＲ素子２０は、下部電極層２側から順に、５ｎｍのＴ
ａ層、２ｎｍのＮｉＦｅ層、３０ｎｍのＰｔＭｎ層、３
ｎｍのＣｏＦｅ層、０．７ｎｍのＡｌ2Ｏ3層、２ｎｍの
ＣｏＦｅ層、５ｎｍのＮｉＦｅ層を積層した構成とし
た。また、実験で使用した各ヘッドにおけるＦＦＧ第１
層２２およびＦＦＧ第２層２５は、いずれも、上部磁性
層５側から順に、４０ｎｍのＮｉＦｅＴａ層、３０ｎｍ
のＴａ層を積層した構成とした。
ＭＲ素子２０は、下部電極層２側から順に、５ｎｍのＴ
ａ層、２ｎｍのＮｉＦｅ層、３０ｎｍのＰｔＭｎ層、３
ｎｍのＣｏＦｅ層、０．７ｎｍのＡｌ2Ｏ3層、２ｎｍの
ＣｏＦｅ層、５ｎｍのＮｉＦｅ層を積層した構成とし
た。また、実験で使用した各ヘッドにおけるＦＦＧ第１
層２２およびＦＦＧ第２層２５は、いずれも、上部磁性
層５側から順に、４０ｎｍのＮｉＦｅＴａ層、３０ｎｍ
のＴａ層を積層した構成とした。
【００７７】また、実験で使用した各ヘッドにおいて、
ＦＧＨ以外のパラメータは、ＦＧＷ＝０．３５μｍ、Ｐ
ＭＤ＝０．５μｍ、ＴＨ＝０．４μｍ、ＴＷ＝０．４μ
ｍとした。
ＦＧＨ以外のパラメータは、ＦＧＷ＝０．３５μｍ、Ｐ
ＭＤ＝０．５μｍ、ＴＨ＝０．４μｍ、ＴＷ＝０．４μ
ｍとした。
【００７８】図１５から、本実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドによれば、絶縁層７の上に直接ＦＦＧ層を形成し
た薄膜磁気ヘッドに比べて、ヘッドの出力を向上させる
ことができることが分かる。
ヘッドによれば、絶縁層７の上に直接ＦＦＧ層を形成し
た薄膜磁気ヘッドに比べて、ヘッドの出力を向上させる
ことができることが分かる。
【００７９】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。
および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００８０】[第３の実施の形態]次に、本発明の第３の
実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に
ついて説明する。図１６は、本実施の形態に係る薄膜磁
気ヘッドの構成を示し、（ａ）は断面を示し、（ｂ）は
集積面（上面）を示している。本実施の形態に係る薄膜
磁気ヘッドは、第１の実施の形態における下部磁性層
３、トンネルバリア層４および上部磁性層５からなるＴ
ＭＲ素子２０の代りに、巨大磁気抵抗効果を有する反強
磁性結合型磁性多層膜３１を設けた構成になっている。
すなわち、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、すな
わちＣＰＰ構造のＧＭＲヘッドである。
実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に
ついて説明する。図１６は、本実施の形態に係る薄膜磁
気ヘッドの構成を示し、（ａ）は断面を示し、（ｂ）は
集積面（上面）を示している。本実施の形態に係る薄膜
磁気ヘッドは、第１の実施の形態における下部磁性層
３、トンネルバリア層４および上部磁性層５からなるＴ
ＭＲ素子２０の代りに、巨大磁気抵抗効果を有する反強
磁性結合型磁性多層膜３１を設けた構成になっている。
すなわち、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、すな
わちＣＰＰ構造のＧＭＲヘッドである。
【００８１】図１７は、図１６における反強磁性結合型
磁性多層膜３１の構成の一例を示す断面図である。この
例における反強磁性結合型磁性多層膜３１は、ＮｉＣｒ
層の上に、ＮｉＦｅＣｏ層とＣｕ層とを交互にそれぞれ
２〜２０層ずつ積層した構成になっている。
磁性多層膜３１の構成の一例を示す断面図である。この
例における反強磁性結合型磁性多層膜３１は、ＮｉＣｒ
層の上に、ＮｉＦｅＣｏ層とＣｕ層とを交互にそれぞれ
２〜２０層ずつ積層した構成になっている。
【００８２】本実施の形態において、ＦＦＧ層９は、Ｎ
ｉＦｅ、ＮｉＦｅＴａ等の軟磁性材料よりなる層に限ら
ず、図１６に示したような構成の反強磁性結合型磁性多
層膜としてもよい。
ｉＦｅ、ＮｉＦｅＴａ等の軟磁性材料よりなる層に限ら
ず、図１６に示したような構成の反強磁性結合型磁性多
層膜としてもよい。
【００８３】また、本実施の形態において、反強磁性結
合型磁性多層膜の代りにスピンバルブ型磁性多層膜を用
いてもよい。また、このスピンバルブ型磁性多層膜とし
ては、デュアルスピンバルブ型磁性多層膜を用いてもよ
い。
合型磁性多層膜の代りにスピンバルブ型磁性多層膜を用
いてもよい。また、このスピンバルブ型磁性多層膜とし
ては、デュアルスピンバルブ型磁性多層膜を用いてもよ
い。
【００８４】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。
および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００８５】なお、本発明は、上記各実施の形態に限定
されず、種々の変更が可能である。例えば、第２の実施
の形態における下部磁性層３、トンネルバリア層４およ
び上部磁性層５からなるＴＭＲ素子２０の代りに、第３
の実施の形態における反強磁性結合型磁性多層膜３１
や、スピンバルブ型磁性多層膜（デュアルスピンバルブ
型磁性多層膜を含む。）を設けてもよい。
されず、種々の変更が可能である。例えば、第２の実施
の形態における下部磁性層３、トンネルバリア層４およ
び上部磁性層５からなるＴＭＲ素子２０の代りに、第３
の実施の形態における反強磁性結合型磁性多層膜３１
や、スピンバルブ型磁性多層膜（デュアルスピンバルブ
型磁性多層膜を含む。）を設けてもよい。
【００８６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の薄膜磁気
ヘッドまたはその製造方法によれば、磁気抵抗効果素子
と、この磁気抵抗効果素子に信号磁束を導くための軟磁
性層とを備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果
素子と軟磁性層との間に下地膜を存在させることなく、
絶縁層の上に下地膜を介して軟磁性層を形成することが
できるので、軟磁性層の軟磁気特性を向上させて、ヘッ
ドの出力を向上させることができるという効果を奏す
る。
ヘッドまたはその製造方法によれば、磁気抵抗効果素子
と、この磁気抵抗効果素子に信号磁束を導くための軟磁
性層とを備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果
素子と軟磁性層との間に下地膜を存在させることなく、
絶縁層の上に下地膜を介して軟磁性層を形成することが
できるので、軟磁性層の軟磁気特性を向上させて、ヘッ
ドの出力を向上させることができるという効果を奏す
る。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を示す説明図である。
ドの製造方法における一工程を示す説明図である。
【図２】図１に続く工程を説明するための説明図であ
る。
る。
【図３】図２に続く工程を説明するための説明図であ
る。
る。
【図４】図３に続く工程を説明するための説明図であ
る。
る。
【図５】図４に続く工程を説明するための説明図であ
る。
る。
【図６】図５に続く工程を説明するための説明図であ
る。
る。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの構成要素のうちの一部を示す説明図である。
ドの構成要素のうちの一部を示す説明図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドと比較例の薄膜磁気ヘッドとでヘッドの出力を比較し
た実験結果の一例を示す特性図である。
ドと比較例の薄膜磁気ヘッドとでヘッドの出力を比較し
た実験結果の一例を示す特性図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を示す説明図である。
ドの製造方法における一工程を示す説明図である。
【図１０】図９に続く工程を説明するための説明図であ
る。
る。
【図１１】図１０に続く工程を説明するための説明図で
ある。
ある。
【図１２】図１１に続く工程を説明するための説明図で
ある。
ある。
【図１３】図１２に続く工程を説明するための説明図で
ある。
ある。
【図１４】図１３に続く工程を説明するための説明図で
ある。
ある。
【図１５】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドと比較例の薄膜磁気ヘッドとでヘッドの出力を比較
した実験結果の一例を示す特性図である。
ッドと比較例の薄膜磁気ヘッドとでヘッドの出力を比較
した実験結果の一例を示す特性図である。
【図１６】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの構成を示す説明図である。
ッドの構成を示す説明図である。
【図１７】図１６における反強磁性結合型磁性多層膜の
構成の一例を示す断面図である。
構成の一例を示す断面図である。
【図１８】ＦＦＧ型ＴＭＲヘッドの製造方法の一例にお
ける一工程を示す断面図である。
ける一工程を示す断面図である。
【図１９】図１８に続く工程を説明するための断面図で
ある。
ある。
【図２０】図１９に続く工程を説明するための断面図で
ある。
ある。
【図２１】図２０に続く工程を説明するための断面図で
ある。
ある。
【図２２】図２１に続く工程を説明するための断面図で
ある。
ある。
【図２３】図２２に続く工程を説明するための断面図で
ある。
ある。
１…基板、２…下部電極層、３…下部磁性層、４…トン
ネルバリア層、５…上部磁性層、７…絶縁層、８…下地
膜、９…ＦＦＧ層、１１…硬質磁性層、１２…上部電極
層、２０…ＴＭＲ素子。
ネルバリア層、５…上部磁性層、７…絶縁層、８…下地
膜、９…ＦＦＧ層、１１…硬質磁性層、１２…上部電極
層、２０…ＴＭＲ素子。
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G11B 5/39
Claims (15)
- 【請求項１】 互いに反対側を向く２つの面と、この２
つの面を連結する側部とを有する磁気抵抗効果素子と、 前記磁気抵抗効果素子の前記各面に対してそれぞれ直接
または間接的に接続され、前記磁気抵抗効果素子に対し
て信号検出用の電流を流すための第１および第２の電極
層と、 前記磁気抵抗効果素子の側部に隣接するように、前記第
１および第２の電極層の間に設けられた絶縁層と、 前記磁気抵抗効果素子が配置された領域と前記絶縁層が
配置された領域とにまたがるように配置され、前記磁気
抵抗効果素子の一方の面に接し、前記磁気抵抗効果素子
に対して信号磁束を導く軟磁性層と、 前記軟磁性層と前記絶縁層との間に配置され、前記軟磁
性層を形成する際の下地となる下地膜とを備え、 前記下地膜の前記軟磁性層側の面と前記磁気抵抗効果素
子の前記一方の面が面一である ことを特徴とする薄膜磁
気ヘッド。 - 【請求項２】 前記下地膜は、非磁性金属材料よりなる
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記非磁性金属材料は、ＣｒまたはＮｉ
Ｃｒを含むことを特徴とする請求項２記載の薄膜磁気ヘ
ッド。 - 【請求項４】 前記磁気抵抗効果素子は、トンネルバリ
ア層と、このトンネルバリア層を挟んで対向する２つの
磁性層とを有することを特徴とする請求項１ないし３の
いずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項５】 前記磁気抵抗効果素子は、反強磁性結合
型磁性多層膜を有することを特徴とする請求項１ないし
３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項６】 前記磁気抵抗効果素子は、スピンバルブ
型磁性多層膜を有することを特徴とする請求項１ないし
３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項７】 前記軟磁性層は複数の層からなることを
特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の薄膜磁
気ヘッド。 - 【請求項８】 互いに反対側を向く２つの面と、この２
つの面を連結する側部とを有する磁気抵抗効果素子と、 前記磁気抵抗効果素子の前記各面に対してそれぞれ直接
または間接的に接続され、前記磁気抵抗効果素子に対し
て信号検出用の電流を流すための第１および第２の電極
層と、 前記磁気抵抗効果素子の側部に隣接するように、前記第
１および第２の電極層の間に設けられた絶縁層と、 前記磁気抵抗効果素子が配置された領域と前記絶縁層が
配置された領域とにまたがるように配置され、前記磁気
抵抗効果素子の一方の面に接し、前記磁気抵抗効果素子
に対して信号磁束を導く軟磁性層とを備えた薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法であって、 前記第１の電極層を形成する工程と、 前記第１の電極層の上に、前記磁気抵抗効果素子と前記
絶縁層とを形成する工程と、 前記絶縁層の上に、前記軟磁性層を形成する際の下地と
なる下地膜を形成する工程と、 前記下地膜および前記磁気抵抗効果素子の上に、前記軟
磁性層を形成する工程と、 前記軟磁性層の上に前記第２の電極層を形成する工程と
を含み、 前記下地膜を形成する工程は、前記下地膜の前記軟磁性
層側の面と前記磁気抵抗効果素子の前記一方の面が面一
となるように前記下地膜を形成する ことを特徴とする薄
膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項９】 前記下地膜は、非磁性金属材料よりなる
ことを特徴とする請求項８記載の薄膜磁気ヘッドの製造
方法。 - 【請求項１０】 前記非磁性金属材料は、ＣｒまたはＮ
ｉＣｒを含むことを特徴とする請求項９記載の薄膜磁気
ヘッドの製造方法。 - 【請求項１１】 前記磁気抵抗効果素子は、トンネルバ
リア層と、このトンネルバリア層を挟んで対向する２つ
の磁性層とを有することを特徴とする請求項８ないし１
０のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１２】 前記磁気抵抗効果素子は、反強磁性結
合型磁性多層膜を有することを特徴とする請求項８ない
し１０のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１３】 前記磁気抵抗効果素子は、スピンバル
ブ型磁性多層膜を有することを特徴とする請求項８ない
し１０のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１４】 前記軟磁性層は複数の層からなること
を特徴とする請求項８ないし１３のいずれかに記載の薄
膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１５】 前記磁気抵抗効果素子と絶縁層とを形
成する工程は、マスクを用いてエッチングにより磁気抵
抗効果素子をパターニングした後、前記マスクを残した
まま絶縁層を形成し、 前記下地膜を形成する工程は、前記マスクを残したまま
下地膜を形成することを特徴とする請求項８ないし１４
のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
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|---|---|---|---|
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