JPH05275769A - 磁界センサ - Google Patents
磁界センサInfo
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- JPH05275769A JPH05275769A JP4067144A JP6714492A JPH05275769A JP H05275769 A JPH05275769 A JP H05275769A JP 4067144 A JP4067144 A JP 4067144A JP 6714492 A JP6714492 A JP 6714492A JP H05275769 A JPH05275769 A JP H05275769A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁界感度の高い磁界センサを提供することに
ある。 【構成】 基板１上に第１の電極２を設け、その第１の
電極２の端部２ａ上に巨大磁気抵抗効果を示す積層磁性
膜４を形成し、その積層磁性膜４の上面を第２の電極１
０の端部１０ａで覆い、前記第１の電極２と第２の電極
１０との間に電気絶縁層３を設けたことを特徴とするも
のである。
ある。 【構成】 基板１上に第１の電極２を設け、その第１の
電極２の端部２ａ上に巨大磁気抵抗効果を示す積層磁性
膜４を形成し、その積層磁性膜４の上面を第２の電極１
０の端部１０ａで覆い、前記第１の電極２と第２の電極
１０との間に電気絶縁層３を設けたことを特徴とするも
のである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば磁気ヘツドある
いは磁気センサなどの磁界センサに係り、特に磁気的に
ハードな膜と磁気的にソフトな膜とを一層づつ交互にあ
るいは複数層づつ交互に積層したもの、または多層の磁
気的にソフトな膜と少なくとも一層の磁気的にハードな
膜とを積層したもの、あるいは磁気的にソフトな膜を積
層した人工格子膜からなる積層磁性膜を使用した磁界セ
ンサに関するものである。
いは磁気センサなどの磁界センサに係り、特に磁気的に
ハードな膜と磁気的にソフトな膜とを一層づつ交互にあ
るいは複数層づつ交互に積層したもの、または多層の磁
気的にソフトな膜と少なくとも一層の磁気的にハードな
膜とを積層したもの、あるいは磁気的にソフトな膜を積
層した人工格子膜からなる積層磁性膜を使用した磁界セ
ンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば磁気デイスクなどの磁気記録媒体
において、それの記録密度を高めるために記録トラツク
幅が益々狭くなる傾向にある。そしてこの高記録密度化
に対応する磁気ヘツドとして、磁気ギヤツプが狭いこと
が要求され、このような磁気ヘツドとして例えばパーマ
ロイなどの磁気抵抗効果を示す磁性薄膜を使用した、所
謂、薄膜磁気ヘツドが種々研究、開発されている。
において、それの記録密度を高めるために記録トラツク
幅が益々狭くなる傾向にある。そしてこの高記録密度化
に対応する磁気ヘツドとして、磁気ギヤツプが狭いこと
が要求され、このような磁気ヘツドとして例えばパーマ
ロイなどの磁気抵抗効果を示す磁性薄膜を使用した、所
謂、薄膜磁気ヘツドが種々研究、開発されている。
【０００３】図７は、従来の薄膜磁気ヘツドの斜視図で
ある。図中の１１は例えばパーマロイなどの磁気抵抗効
果を示す磁性薄膜、１２はその磁性薄膜１１の両端部に
それぞれ接続された電極、１３は主な磁界侵入面、ｗは
その磁界侵入面１３の横幅をそれぞれ示している。図に
示すように従来の薄膜磁気ヘツドでは、磁界侵入面１３
の横幅ｗをもつて前記電極１２、１２が平行に設けられ
ている。
ある。図中の１１は例えばパーマロイなどの磁気抵抗効
果を示す磁性薄膜、１２はその磁性薄膜１１の両端部に
それぞれ接続された電極、１３は主な磁界侵入面、ｗは
その磁界侵入面１３の横幅をそれぞれ示している。図に
示すように従来の薄膜磁気ヘツドでは、磁界侵入面１３
の横幅ｗをもつて前記電極１２、１２が平行に設けられ
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで従来のこの種
の薄膜磁気ヘツド膜では、磁気抵抗の変化率がせいぜい
５％程度と低いため、特に磁気記録媒体のトラツク幅が
１〜数μｍ程度の狭トラツクとなり、それに応じて磁界
侵入面１３の横幅ｗも１〜数μｍ程度になると磁気抵抗
の変化が極めて小さくなる。そのため外部磁界を検出す
るとき、すなわち磁気記録媒体から情報を読み取るとき
に、磁性薄膜１１と電極１２との接合部の抵抗などの配
線抵抗の影響が大きく現れて、肝心な検出信号が相対的
に小さくなり、そのために感度が悪く、信頼性の点で超
高密度記録には適していないという問題がある。
の薄膜磁気ヘツド膜では、磁気抵抗の変化率がせいぜい
５％程度と低いため、特に磁気記録媒体のトラツク幅が
１〜数μｍ程度の狭トラツクとなり、それに応じて磁界
侵入面１３の横幅ｗも１〜数μｍ程度になると磁気抵抗
の変化が極めて小さくなる。そのため外部磁界を検出す
るとき、すなわち磁気記録媒体から情報を読み取るとき
に、磁性薄膜１１と電極１２との接合部の抵抗などの配
線抵抗の影響が大きく現れて、肝心な検出信号が相対的
に小さくなり、そのために感度が悪く、信頼性の点で超
高密度記録には適していないという問題がある。
【０００５】本発明の目的は、このような従来技術の欠
点を解消し、さらに磁界感度が高く信頼性が良い磁界セ
ンサを提供することにある。
点を解消し、さらに磁界感度が高く信頼性が良い磁界セ
ンサを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、基体上に第１の電極を設け、その第１の
電極の端部上に巨大磁気抵抗効果を示す積層磁性膜を形
成し、その積層磁性膜の上面を第２の電極の端部で覆
い、前記第１の電極と第２の電極との間に電気絶縁層を
設けたことを特徴とするものである（第１の発明）。
に、本発明は、基体上に第１の電極を設け、その第１の
電極の端部上に巨大磁気抵抗効果を示す積層磁性膜を形
成し、その積層磁性膜の上面を第２の電極の端部で覆
い、前記第１の電極と第２の電極との間に電気絶縁層を
設けたことを特徴とするものである（第１の発明）。
【０００７】上記目的を達成するために、さらに本発明
は、基体の上方に設けた積層磁性膜の両端部の上面およ
び（または）下面に第１の電極ならびに第２の電極の端
部を接触してなる磁界センサにおいて、前記積層磁性膜
の主な磁界侵入面側の電極間隔Ｌ1 に対して、その磁界
侵入面よりも電極間隔Ｌ2 の方が長い（Ｌ1 ＜Ｌ2 ）こ
とを特徴とするものである（第２の発明）。
は、基体の上方に設けた積層磁性膜の両端部の上面およ
び（または）下面に第１の電極ならびに第２の電極の端
部を接触してなる磁界センサにおいて、前記積層磁性膜
の主な磁界侵入面側の電極間隔Ｌ1 に対して、その磁界
侵入面よりも電極間隔Ｌ2 の方が長い（Ｌ1 ＜Ｌ2 ）こ
とを特徴とするものである（第２の発明）。
【０００８】
【作用】前記第１の発明によれば、感磁部に巨大磁気抵
抗効果を示す積層磁性膜を使用することにより、パーマ
ロイなどの従来の磁性薄膜に比較して磁気抵抗の変化率
が大きくとれる。そのため、感磁部の長さが例えば１０
μｍ以下、好ましくは５μｍ以下と極めて短くなると磁
界感度が高く維持できる。
抗効果を示す積層磁性膜を使用することにより、パーマ
ロイなどの従来の磁性薄膜に比較して磁気抵抗の変化率
が大きくとれる。そのため、感磁部の長さが例えば１０
μｍ以下、好ましくは５μｍ以下と極めて短くなると磁
界感度が高く維持できる。
【０００９】さらに前記第２の発明によれば、電極間隔
をＬ1 ＜Ｌ2 とすることにより感磁部の磁界侵入面側の
磁気抵抗変化率が、磁界侵入面から奥側の磁気抵抗変化
率よりも大となり、そのセンシングする割合を磁界侵入
面側ほど多く、奥側ほど少なくして、トータル的な磁気
抵抗の変化率を大きくすることができ、そのために磁界
感度が高く維持できる。
をＬ1 ＜Ｌ2 とすることにより感磁部の磁界侵入面側の
磁気抵抗変化率が、磁界侵入面から奥側の磁気抵抗変化
率よりも大となり、そのセンシングする割合を磁界侵入
面側ほど多く、奥側ほど少なくして、トータル的な磁気
抵抗の変化率を大きくすることができ、そのために磁界
感度が高く維持できる。
【００１０】
【実施例】次に本発明の実施例を図とともに説明する。
図１は本発明の第１実施例に係る磁気ヘツドの斜視図、
図２はその磁気ヘツドに使用する積層磁性膜の概略拡大
断面図である。
図１は本発明の第１実施例に係る磁気ヘツドの斜視図、
図２はその磁気ヘツドに使用する積層磁性膜の概略拡大
断面図である。
【００１１】この第１実施例に係る磁気ヘツドは図１に
示すように、ガラスやセラミツクなどの絶縁材料からな
る基板１の上に、導電性材料からなる第１の電極２がパ
ターンニングされる。この第１の電極２の先端部２ａの
上には、平面形状が方形をした積層磁性膜４が形成され
る。
示すように、ガラスやセラミツクなどの絶縁材料からな
る基板１の上に、導電性材料からなる第１の電極２がパ
ターンニングされる。この第１の電極２の先端部２ａの
上には、平面形状が方形をした積層磁性膜４が形成され
る。
【００１２】この積層磁性膜４は図２に示すように、磁
気的にハードな膜５と、中間膜６と、磁気的にソフトな
膜７と、中間膜６と、磁気的にハードな膜５と、中間膜
６とから構成される最小単位の積層体８が数ブロツク〜
数十ブロツク繰り返して積層されている。
気的にハードな膜５と、中間膜６と、磁気的にソフトな
膜７と、中間膜６と、磁気的にハードな膜５と、中間膜
６とから構成される最小単位の積層体８が数ブロツク〜
数十ブロツク繰り返して積層されている。
【００１３】前記磁気的にハードな膜５としては例えば
Ｃｏ膜が、前記中間膜６としては例えばＣｕなどの非磁
性膜が、前記磁気的にソフトな膜７としては例えばＮｉ
−Ｆｅ合金（パーマロイ）膜がそれぞれ使用され、これ
ら各膜は例えば超高真空の電子ビーム蒸着によつて順次
所定の膜厚に堆積して形成されるが、例えばスパツタリ
ングなどの他の薄膜形成技術をもつて形成してもよい。
なお、前記中間膜６は、場合によつては設けないことも
ある。
Ｃｏ膜が、前記中間膜６としては例えばＣｕなどの非磁
性膜が、前記磁気的にソフトな膜７としては例えばＮｉ
−Ｆｅ合金（パーマロイ）膜がそれぞれ使用され、これ
ら各膜は例えば超高真空の電子ビーム蒸着によつて順次
所定の膜厚に堆積して形成されるが、例えばスパツタリ
ングなどの他の薄膜形成技術をもつて形成してもよい。
なお、前記中間膜６は、場合によつては設けないことも
ある。
【００１４】ところで前記ハード膜５ならびにソフト膜
７を製膜するときに、それぞれ異なったある角度をもつ
た方向に磁界を印加した状態で製膜される。そして積層
磁性膜４としたときにソフト膜７の磁化の方向（外部磁
界が零のときの磁化の安定な方向）とハード膜５の磁化
の方向との間にある角度αをもたせて交差させることが
できる。この角度αは、±０°から±９０°の範囲内で
適当に選択することができ、特に角度αの絶対値が３０
°〜９０°、好ましくは４５°〜９０°、さらに好まし
くは６０°〜９０°になるとさらに高い磁界感度が得ら
れる。
７を製膜するときに、それぞれ異なったある角度をもつ
た方向に磁界を印加した状態で製膜される。そして積層
磁性膜４としたときにソフト膜７の磁化の方向（外部磁
界が零のときの磁化の安定な方向）とハード膜５の磁化
の方向との間にある角度αをもたせて交差させることが
できる。この角度αは、±０°から±９０°の範囲内で
適当に選択することができ、特に角度αの絶対値が３０
°〜９０°、好ましくは４５°〜９０°、さらに好まし
くは６０°〜９０°になるとさらに高い磁界感度が得ら
れる。
【００１５】前記積層磁性膜４の主な磁界侵入面９（す
なわち、積層磁性膜４の磁気記録媒体と対向する面）を
除いて、他の周辺が例えば合成樹脂などの電気絶縁層３
で覆われる。
なわち、積層磁性膜４の磁気記録媒体と対向する面）を
除いて、他の周辺が例えば合成樹脂などの電気絶縁層３
で覆われる。
【００１６】しかる後、前記積層磁性膜４の上面を先端
部１０ａで覆うように、第２の電極１０がパターンニン
グされ、この第２の電極１０と前記第１の電極２とは前
記絶縁層３によつて電気的に絶縁される。
部１０ａで覆うように、第２の電極１０がパターンニン
グされ、この第２の電極１０と前記第１の電極２とは前
記絶縁層３によつて電気的に絶縁される。
【００１７】前記実施例では、積層磁性膜４の主な磁界
侵入面９に電気絶縁層３を形成しなかったが、必要に応
じてこの主な磁界侵入面９に非常に薄い電気絶縁層３を
形成することもある。
侵入面９に電気絶縁層３を形成しなかったが、必要に応
じてこの主な磁界侵入面９に非常に薄い電気絶縁層３を
形成することもある。
【００１８】図３は本発明の第２実施例を説明するため
の、磁気ヘツドの一部拡大平面図である。
の、磁気ヘツドの一部拡大平面図である。
【００１９】この実施例において前記第１実施例と相違
する点は、積層磁性膜４の平面形状である。すなわち、
積層磁性膜４の主な磁界侵入面９側の横幅をｗ1 、その
主な磁界侵入９面よりも奥側の横幅をｗ2 とした場合、
横幅ｗ2 が横幅ｗ1 よりも狭く（ｗ1 ＞ｗ2 ）なるよう
に、平面形状において両側端が互いに傾斜した台形にな
つている。
する点は、積層磁性膜４の平面形状である。すなわち、
積層磁性膜４の主な磁界侵入面９側の横幅をｗ1 、その
主な磁界侵入９面よりも奥側の横幅をｗ2 とした場合、
横幅ｗ2 が横幅ｗ1 よりも狭く（ｗ1 ＞ｗ2 ）なるよう
に、平面形状において両側端が互いに傾斜した台形にな
つている。
【００２０】こうすることによってＳ／Ｎ（信号／ノイ
ズ）が向上するので好ましい。このような作用効果は、
主な磁界侵入面９側から奥側に向かって横幅を漸減させ
ることにより、効率よく得ることができる。
ズ）が向上するので好ましい。このような作用効果は、
主な磁界侵入面９側から奥側に向かって横幅を漸減させ
ることにより、効率よく得ることができる。
【００２１】図４ならびに図５は、本発明の第３実施例
ならびに第４実施例を説明するための、磁気ヘツドの一
部拡大平面図である。
ならびに第４実施例を説明するための、磁気ヘツドの一
部拡大平面図である。
【００２２】この実施例において前記第２実施例と相違
する点は、第３実施例（図４）の場合は積層磁性膜４の
一方の側端が垂直で他方の側端が傾斜した台形になつて
おり、第４実施例（図５）の場合は積層磁性膜４の平面
形状が凸状をしている。前記第２〜４実施例のいずれの
場合においても、積層磁性膜４の主な磁界侵入９面より
も奥側の横幅ｗ2 が主な磁界侵入面９側の横幅ｗ1 より
も狭く（ｗ1 ＞ｗ2 ）設計されている。
する点は、第３実施例（図４）の場合は積層磁性膜４の
一方の側端が垂直で他方の側端が傾斜した台形になつて
おり、第４実施例（図５）の場合は積層磁性膜４の平面
形状が凸状をしている。前記第２〜４実施例のいずれの
場合においても、積層磁性膜４の主な磁界侵入９面より
も奥側の横幅ｗ2 が主な磁界侵入面９側の横幅ｗ1 より
も狭く（ｗ1 ＞ｗ2 ）設計されている。
【００２３】このようにｗ1 ＞ｗ2 にすることにより、
磁界侵入面側の磁気抵抗変化率が、磁界侵入面から奥側
の磁気抵抗変化率よりも大となり、そのセンシングする
割合を磁界侵入面側ほど多く、奥側ほど少なくして、ト
ータル的な磁気抵抗の変化率を大きくすることができ
る。
磁界侵入面側の磁気抵抗変化率が、磁界侵入面から奥側
の磁気抵抗変化率よりも大となり、そのセンシングする
割合を磁界侵入面側ほど多く、奥側ほど少なくして、ト
ータル的な磁気抵抗の変化率を大きくすることができ
る。
【００２４】図６は、本発明の第５実施例を説明するた
めの、磁気ヘツドの一部拡大平面図である。
めの、磁気ヘツドの一部拡大平面図である。
【００２５】この実施例においては、基板（図示せず）
上に、平面形状が長方形の積層磁性膜４が形成され、そ
の両端部の上に第１の電極２の端部２ａと、第２の電極
１０の端部１０ａとが所定の間隔をおいて対向するよう
に設けられている。
上に、平面形状が長方形の積層磁性膜４が形成され、そ
の両端部の上に第１の電極２の端部２ａと、第２の電極
１０の端部１０ａとが所定の間隔をおいて対向するよう
に設けられている。
【００２６】両端部２ａ，１０ａの平面形状は内側に向
けと尖ってほぼ三角形状をしており、積層磁性膜４の主
な磁界侵入面９側の電極２，１０の間隔をＬ1 、その磁
界侵入面よりも奥側の電極２，１０の間隔をＬ2 とした
場合、Ｌ2 の方がＬ1 よりも長く設計されている（Ｌ1
＜Ｌ2 ）。
けと尖ってほぼ三角形状をしており、積層磁性膜４の主
な磁界侵入面９側の電極２，１０の間隔をＬ1 、その磁
界侵入面よりも奥側の電極２，１０の間隔をＬ2 とした
場合、Ｌ2 の方がＬ1 よりも長く設計されている（Ｌ1
＜Ｌ2 ）。
【００２７】前述のようにソフト膜とハード膜とを交互
に積層してなる巨大磁気抵抗効果人工格子膜（なお本発
明において「巨大磁気抵抗効果」という語句は、外部磁
界の印加による磁気抵抗の増減の符号が電流の方向に依
存しない磁気抵抗効果をいう。）において、前記ソフト
膜とハード膜との磁気的相互作用を交互に強磁性的およ
び反強磁性的にすることにより、上下のハード膜の中間
に配置されるソフト膜には両側から反対方向の磁気的相
互作用が働き、互いに打ち消すことになる。したがつて
前述のようにソフト膜に磁界を印加して磁気異方性を付
与する際、それの磁化の方向を任意の方向に設定するこ
とが容易になる。
に積層してなる巨大磁気抵抗効果人工格子膜（なお本発
明において「巨大磁気抵抗効果」という語句は、外部磁
界の印加による磁気抵抗の増減の符号が電流の方向に依
存しない磁気抵抗効果をいう。）において、前記ソフト
膜とハード膜との磁気的相互作用を交互に強磁性的およ
び反強磁性的にすることにより、上下のハード膜の中間
に配置されるソフト膜には両側から反対方向の磁気的相
互作用が働き、互いに打ち消すことになる。したがつて
前述のようにソフト膜に磁界を印加して磁気異方性を付
与する際、それの磁化の方向を任意の方向に設定するこ
とが容易になる。
【００２８】前述のハード膜とソフト膜との磁気的相互
作用を交互に強磁性的および反強磁性的にする具体的な
手段としては、例えば中間膜の膜厚あるいは（ならび
に）材料を異にする方法がある。
作用を交互に強磁性的および反強磁性的にする具体的な
手段としては、例えば中間膜の膜厚あるいは（ならび
に）材料を異にする方法がある。
【００２９】また前記実施例では中間膜を介して、ある
いは介さずしてハード膜とソフト膜とを交互に積層した
（Ｈ−Ｓ−Ｈ−Ｓ−……−Ｓ−Ｈ）が、本発明はこれに
限定されるものではなく、例えば積層磁性膜を全てソフ
ト膜で構成するか（Ｓ−Ｓ−……−Ｓ−Ｓ）、あるいは
積層磁性膜の外側付近あるいは外側付近と中間位置にハ
ード膜を配置して、他の部分をソフト膜で構成する（Ｈ
−Ｓ−……−Ｓ−Ｓ）ならびに（Ｈ−Ｓ−Ｓ−……−Ｓ
−Ｈ−Ｓ−Ｓ−……−Ｓ−Ｓ−Ｈ）することも可能であ
る。
いは介さずしてハード膜とソフト膜とを交互に積層した
（Ｈ−Ｓ−Ｈ−Ｓ−……−Ｓ−Ｈ）が、本発明はこれに
限定されるものではなく、例えば積層磁性膜を全てソフ
ト膜で構成するか（Ｓ−Ｓ−……−Ｓ−Ｓ）、あるいは
積層磁性膜の外側付近あるいは外側付近と中間位置にハ
ード膜を配置して、他の部分をソフト膜で構成する（Ｈ
−Ｓ−……−Ｓ−Ｓ）ならびに（Ｈ−Ｓ−Ｓ−……−Ｓ
−Ｈ−Ｓ−Ｓ−……−Ｓ−Ｓ−Ｈ）することも可能であ
る。
【００３０】さらに、前記実施例ではＮｉ−Ｆｅ／Ｃｕ
／Ｃｏ系の材料について説明したが、本発明はこれに限
定されるものではなく、例えば Ｆｅ／Ｃｒ系，Ａｇ／
Ｃｏ系，Ｎｉ／Ａｇ系，Ｆｅ／Ｃｏ／Ｃｕ／Ｆｅ系，Ｃ
ｏ／Ｃｕ系，Ｃｕ／Ｃｏ系／Ｃｕ／Ｎｉ−Ｆｅ系、ある
いはこれらの金属を主成分とする合金系などのような材
料を使用することも可能である。
／Ｃｏ系の材料について説明したが、本発明はこれに限
定されるものではなく、例えば Ｆｅ／Ｃｒ系，Ａｇ／
Ｃｏ系，Ｎｉ／Ａｇ系，Ｆｅ／Ｃｏ／Ｃｕ／Ｆｅ系，Ｃ
ｏ／Ｃｕ系，Ｃｕ／Ｃｏ系／Ｃｕ／Ｎｉ−Ｆｅ系、ある
いはこれらの金属を主成分とする合金系などのような材
料を使用することも可能である。
【００３１】なお、前記第５実施例では磁性膜として巨
大磁気抵抗効果を示す積層磁性膜４を使用したが、パー
マロイなどの磁性膜単体を用いることもできる。
大磁気抵抗効果を示す積層磁性膜４を使用したが、パー
マロイなどの磁性膜単体を用いることもできる。
【００３２】また、前記第５実施例では磁性膜の上面に
第１の電極と第２の電極の端部を形成したが、第１の電
極の端部を磁性膜の下面に形成し、第２の電極の端部を
磁性膜の上面に形成してもよい。
第１の電極と第２の電極の端部を形成したが、第１の電
極の端部を磁性膜の下面に形成し、第２の電極の端部を
磁性膜の上面に形成してもよい。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、感磁部に巨大磁気抵抗
効果を示す積層磁性膜を使用し、上記構造の磁界センサ
とすることにより、感磁部の長さが極めて短くなつても
磁界感度が高く維持できる。
効果を示す積層磁性膜を使用し、上記構造の磁界センサ
とすることにより、感磁部の長さが極めて短くなつても
磁界感度が高く維持できる。
【００３４】さらに前述のように、電極間隔をＬ1 ＜Ｌ
2 とすることにより感磁部の磁界侵入面側の磁気抵抗変
化率が、磁界侵入面から奥側の磁気抵抗変化率よりも大
となり、そのセンシングする割合を磁界侵入面側ほど多
く、奥側ほど少なくして、トータル的な磁気抵抗の変化
率を大きくすることができ、そのために磁界感度が高く
維持できる。このようなことから本発明により、信頼性
の高い磁界センサを提供することができる。
2 とすることにより感磁部の磁界侵入面側の磁気抵抗変
化率が、磁界侵入面から奥側の磁気抵抗変化率よりも大
となり、そのセンシングする割合を磁界侵入面側ほど多
く、奥側ほど少なくして、トータル的な磁気抵抗の変化
率を大きくすることができ、そのために磁界感度が高く
維持できる。このようなことから本発明により、信頼性
の高い磁界センサを提供することができる。
【図１】本発明の第１の実施例に係る磁気ヘツドの斜視
図である。
図である。
【図２】その磁気ヘツドに使用する積層磁性膜の概略拡
大断面図である。
大断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例に係る磁気ヘツドの平面
図である。
図である。
【図４】本発明の第３の実施例に係る磁気ヘツドの平面
図である。
図である。
【図５】本発明の第４の実施例に係る磁気ヘツドの平面
図である。
図である。
【図６】本発明の第５の実施例に係る磁気ヘツドの平面
図である。
図である。
【図７】従来の磁気ヘツドの斜視図である。
１ 基板 ２ 第１の電極 ２ａ 第１の電極の端部 ３ 電気絶縁層 ４ 積層磁性膜 ５ 磁気的にハードな膜 ６ 中間膜 ７ 磁気的にソフトな膜 ８ 積層体 ９ 主な磁界侵入面 １０ 第２の電極 １０ａ 第２の電極の端部 ｗ1 積層磁性膜の主な磁界侵入面側の横幅 ｗ2 積層磁性膜の主な磁界侵入面の奥側の横幅 Ｌ1 積層磁性膜の主な磁界侵入面側の電極間隔 Ｌ2 積層磁性膜の主な磁界侵入面の奥側の電極間隔
Claims (4)
- 【請求項１】 基体上に第１の電極を設け、その第１の
電極の端部上に巨大磁気抵抗効果を示す積層磁性膜を形
成し、その積層磁性膜の上面を第２の電極の端部で覆
い、前記第１の電極と第２の電極との間に電気絶縁層を
設けたことを特徴とする磁界センサ。 - 【請求項２】 前記積層磁性膜の主な磁界侵入面側の横
幅ｗ1 に対して、その磁界侵入面よりも奥側の横幅ｗ2
の方が狭い（ｗ1 ＞ｗ2 ）ことを特徴とする請求項１記
載の磁界センサ。 - 【請求項３】 基体の上方に設けた磁性膜の両端部の上
面および（または）下面に第１の電極ならびに第２の電
極の端部を接触してなる磁界センサにおいて、 前記磁性膜の主な磁界侵入面側の電極間隔Ｌ1 に対し
て、その磁界侵入面よりも電極間隔Ｌ2 の方が長い（Ｌ
1 ＜Ｌ2 ）ことを特徴とする磁界センサ。 - 【請求項４】 前記磁性膜が巨大磁気抵抗効果を示す積
層磁性膜であることを特徴とする請求項３記載の磁界セ
ンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4067144A JPH05275769A (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | 磁界センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4067144A JPH05275769A (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | 磁界センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05275769A true JPH05275769A (ja) | 1993-10-22 |
Family
ID=13336424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4067144A Withdrawn JPH05275769A (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | 磁界センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05275769A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0668511A2 (en) * | 1994-02-18 | 1995-08-23 | Seagate Technology International | Apparatus or method for sensing a magnetic field; sensor for reading information from a magnetic storage medium; magnetoresistive element; switch controlled by a magnetic field |
| EP0669607A2 (en) * | 1994-02-28 | 1995-08-30 | Read-Rite Corporation | Magnetic head assembly with MR sensor |
| US6583967B2 (en) | 2000-06-30 | 2003-06-24 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head and method of manufacturing same |
| US6603642B1 (en) | 2000-03-15 | 2003-08-05 | Tdk Corporation | Magnetic transducer having a plurality of magnetic layers stacked alternately with a plurality of nonmagnetic layers and a fixed-orientation-of-magnetization layer and thin film magnetic head including the magnetic transducer |
| US6639763B1 (en) | 2000-03-15 | 2003-10-28 | Tdk Corporation | Magnetic transducer and thin film magnetic head |
| US6669983B2 (en) | 2001-10-25 | 2003-12-30 | Tdk Corporation | Manufacturing method of thin-film magnetic head with magnetoresistive effect element |
| US6680827B2 (en) | 2000-08-07 | 2004-01-20 | Tdk Corporation | Dual spin valve CPP MR with flux guide between free layers thereof |
| US6738234B1 (en) | 2000-03-15 | 2004-05-18 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head and magnetic transducer |
| US6807034B2 (en) | 2001-06-19 | 2004-10-19 | Alps Electric Co., Ltd. | Dual spin-valve CCP type thin-film magnetic element with multi free layers |
| US7190558B2 (en) | 2001-06-22 | 2007-03-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistive effect element, magnetic head and magnetic reproducing apparatus |
| US7398591B2 (en) | 2003-10-30 | 2008-07-15 | Tdk Corporation | Manufacturing method of a thin-film magnetic head |
| US7436633B2 (en) | 2004-10-15 | 2008-10-14 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head, head gimbal assembly and hard disk system |
| US7779535B2 (en) | 2005-12-02 | 2010-08-24 | Tdk Corporation | Method of manufacturing a thin-film magnetic head with a magnetoresistive effect element |
| US7894167B2 (en) | 2006-03-16 | 2011-02-22 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head with little reattachment |
-
1992
- 1992-03-25 JP JP4067144A patent/JPH05275769A/ja not_active Withdrawn
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0668511A3 (en) * | 1994-02-18 | 1997-04-16 | Seagate Technology | Device or method for sensing a magnetic field; Sensor for reading information from a magnetoresistive element; magnetic field controlled switch. |
| US5825593A (en) * | 1994-02-18 | 1998-10-20 | Seagate Technology, Inc. | Electric field modulated MR sensor |
| EP0668511A2 (en) * | 1994-02-18 | 1995-08-23 | Seagate Technology International | Apparatus or method for sensing a magnetic field; sensor for reading information from a magnetic storage medium; magnetoresistive element; switch controlled by a magnetic field |
| EP0669607A2 (en) * | 1994-02-28 | 1995-08-30 | Read-Rite Corporation | Magnetic head assembly with MR sensor |
| EP0669607A3 (en) * | 1994-02-28 | 1995-12-13 | Read Rite Corp | Magnetic head assembly with MR sensor. |
| US6603642B1 (en) | 2000-03-15 | 2003-08-05 | Tdk Corporation | Magnetic transducer having a plurality of magnetic layers stacked alternately with a plurality of nonmagnetic layers and a fixed-orientation-of-magnetization layer and thin film magnetic head including the magnetic transducer |
| US6639763B1 (en) | 2000-03-15 | 2003-10-28 | Tdk Corporation | Magnetic transducer and thin film magnetic head |
| US6738234B1 (en) | 2000-03-15 | 2004-05-18 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head and magnetic transducer |
| US6583967B2 (en) | 2000-06-30 | 2003-06-24 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head and method of manufacturing same |
| US6680827B2 (en) | 2000-08-07 | 2004-01-20 | Tdk Corporation | Dual spin valve CPP MR with flux guide between free layers thereof |
| US6807034B2 (en) | 2001-06-19 | 2004-10-19 | Alps Electric Co., Ltd. | Dual spin-valve CCP type thin-film magnetic element with multi free layers |
| US7190558B2 (en) | 2001-06-22 | 2007-03-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistive effect element, magnetic head and magnetic reproducing apparatus |
| US6669983B2 (en) | 2001-10-25 | 2003-12-30 | Tdk Corporation | Manufacturing method of thin-film magnetic head with magnetoresistive effect element |
| US7398591B2 (en) | 2003-10-30 | 2008-07-15 | Tdk Corporation | Manufacturing method of a thin-film magnetic head |
| US7436633B2 (en) | 2004-10-15 | 2008-10-14 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head, head gimbal assembly and hard disk system |
| US7779535B2 (en) | 2005-12-02 | 2010-08-24 | Tdk Corporation | Method of manufacturing a thin-film magnetic head with a magnetoresistive effect element |
| US7894167B2 (en) | 2006-03-16 | 2011-02-22 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head with little reattachment |
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