JP2003045011A - スピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
スピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッドおよびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 超高記録密度に対応した完全反射型のスピン
バルブ型磁気抵抗効果再生ヘッドおよびその製造方法を
提供する。 【解決手段】 第１および第２の強磁性層からなるフリ
ー層７と、このフリー層７との間で結晶学的整合性を有
し、伝導電子を完全反射させる材料からなる緩衝層４と
を備えるようにした。これにより、フリー層の厚みを低
減しても上向きスピンをもった電子と下向きスピンを持
った電子との平均自由行程の差を維持することができ、
磁気抵抗変化率を増大させることができる。このような
ＳＶＭＲヘッドは、より高記録密度化された記録媒体か
らの微弱な信号磁界を感知することが可能である。さら
に、縦バイアス層と導電性リードオーバーレイ層とを備
えるようにしたので、出力振幅およびセンサ部における
検出性能の安定性が得られる。
バルブ型磁気抵抗効果再生ヘッドおよびその製造方法を
提供する。 【解決手段】 第１および第２の強磁性層からなるフリ
ー層７と、このフリー層７との間で結晶学的整合性を有
し、伝導電子を完全反射させる材料からなる緩衝層４と
を備えるようにした。これにより、フリー層の厚みを低
減しても上向きスピンをもった電子と下向きスピンを持
った電子との平均自由行程の差を維持することができ、
磁気抵抗変化率を増大させることができる。このような
ＳＶＭＲヘッドは、より高記録密度化された記録媒体か
らの微弱な信号磁界を感知することが可能である。さら
に、縦バイアス層と導電性リードオーバーレイ層とを備
えるようにしたので、出力振幅およびセンサ部における
検出性能の安定性が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、巨大磁気抵抗効果
を利用した磁気再生ヘッドに関し、特に、極薄のフリー
層を備えたスピンバルブ型の巨大磁気抵抗効果再生ヘッ
ドに関するものである。
を利用した磁気再生ヘッドに関し、特に、極薄のフリー
層を備えたスピンバルブ型の巨大磁気抵抗効果再生ヘッ
ドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】初期の形式の磁気再生ヘッドは、パーマ
ロイのような磁性材料中での異方性磁気抵抗効果（anis
otropic magnetoresistive effect ：ＡＭＲ）を利用す
ることによって、ディスクおよびテープのような媒体上
に磁気的に格納されたデータを読み取るものであった。
ＡＭＲ効果とは、所定の磁性材料の電気抵抗の変化ｒで
あり、磁性材料の磁化方向と、磁性材料中に流れる電流
の方向との角度に比例するものである。磁気信号によっ
て情報を記録する磁気テープや磁気ディスクといった磁
気記録媒体を再生する際、磁気記録媒体の再生箇所の移
動に伴って磁界が変化する。この磁界の変化が磁気再生
ヘッドにおける磁化の方向を変えるため、ＡＭＲ効果に
よる電気抵抗変化が生じる。これにより、適切に設計さ
れた回路が磁気記録媒体に記録された情報を感知し、読
み取ることが可能となる。
ロイのような磁性材料中での異方性磁気抵抗効果（anis
otropic magnetoresistive effect ：ＡＭＲ）を利用す
ることによって、ディスクおよびテープのような媒体上
に磁気的に格納されたデータを読み取るものであった。
ＡＭＲ効果とは、所定の磁性材料の電気抵抗の変化ｒで
あり、磁性材料の磁化方向と、磁性材料中に流れる電流
の方向との角度に比例するものである。磁気信号によっ
て情報を記録する磁気テープや磁気ディスクといった磁
気記録媒体を再生する際、磁気記録媒体の再生箇所の移
動に伴って磁界が変化する。この磁界の変化が磁気再生
ヘッドにおける磁化の方向を変えるため、ＡＭＲ効果に
よる電気抵抗変化が生じる。これにより、適切に設計さ
れた回路が磁気記録媒体に記録された情報を感知し、読
み取ることが可能となる。
【０００３】しかし、ＡＭＲ効果によって生じる磁気抵
抗変化率（magnetoresistive ratio：ＭＲ比）とも呼ば
れるわずかな抵抗変化の最大値Ｄｒ／ｒ（Ｄｒは、異方
性磁界Ｈｋとゼロ磁界との間で生じる磁性体の抵抗変化
である）は、数パーセント程度しかないという欠点があ
った。このため、ＡＭＲ効果を利用した磁気再生ヘッド
では、磁気信号を十分正確に感知することが困難であっ
た。
抗変化率（magnetoresistive ratio：ＭＲ比）とも呼ば
れるわずかな抵抗変化の最大値Ｄｒ／ｒ（Ｄｒは、異方
性磁界Ｈｋとゼロ磁界との間で生じる磁性体の抵抗変化
である）は、数パーセント程度しかないという欠点があ
った。このため、ＡＭＲ効果を利用した磁気再生ヘッド
では、磁気信号を十分正確に感知することが困難であっ
た。
【０００４】１９８０年代後半から１９９０年代の初め
に、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）という現象が発見され、こ
の現象は磁気再生ヘッド技術にすぐに適用された。ＧＭ
Ｒ効果は、厚みが２．０ｎｍ〜８．０ｎｍ程度の２つの
強磁性層が、導電性非磁性材料よりなるさらに薄い
（２．０ｎｍ〜３．０ｎｍ）層によって隔てられると、
２つの強磁性層の間での交換相互作用によって強磁性状
態（２つの強磁性層のスピン方向が互いに平行）あるい
は反強磁性状態（２つの強磁性層のスピン方向が互いに
反平行）となるという現象である。電子がこれらの層の
間を通過する際のスピン依存散乱の結果、このような階
層状の構造体の磁気抵抗は、強磁性状態の場合よりも反
強磁性状態の場合により高くなることがわかった。さら
に、ＧＭＲ効果による抵抗変化は、ＡＭＲ効果による抵
抗変化よりはるかに高かった。
に、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）という現象が発見され、こ
の現象は磁気再生ヘッド技術にすぐに適用された。ＧＭ
Ｒ効果は、厚みが２．０ｎｍ〜８．０ｎｍ程度の２つの
強磁性層が、導電性非磁性材料よりなるさらに薄い
（２．０ｎｍ〜３．０ｎｍ）層によって隔てられると、
２つの強磁性層の間での交換相互作用によって強磁性状
態（２つの強磁性層のスピン方向が互いに平行）あるい
は反強磁性状態（２つの強磁性層のスピン方向が互いに
反平行）となるという現象である。電子がこれらの層の
間を通過する際のスピン依存散乱の結果、このような階
層状の構造体の磁気抵抗は、強磁性状態の場合よりも反
強磁性状態の場合により高くなることがわかった。さら
に、ＧＭＲ効果による抵抗変化は、ＡＭＲ効果による抵
抗変化よりはるかに高かった。
【０００５】こののち、スピンバルブ磁気抵抗（Spin V
alve Magnetoresistive;ＳＶＭＲ）効果と呼ばれるＧＭ
Ｒ効果の一種が発見され、磁気再生ヘッド技術に導入さ
れた。このＳＶＭＲ効果を利用した磁気再生ヘッド（以
下、ＳＶＭＲヘッドという。）は、スピンバルブ構造と
いう積層構造を含んでいる。このＳＶ構造は、コバルト
鉄合金（ＣｏＦｅ）あるいはニッケル鉄合金（ＮｉＦ
ｅ）等からなる２つの強磁性層と、それら２つの強磁性
層を隔てる、例えば、銅（Ｃｕ）のような導電性非磁性
材料よりなる薄層とを備えている。２つの強磁性層のう
ちの一方は、隣接する反強磁性層との交換結合によって
磁化方向が一定方向に固定されており、一般的に「ピン
ド層」と呼ばれる。他方の強磁性層は、磁化方向が一定
方向に固定されていない層、すなわちフリー層と呼ばれ
る。このフリー層は、磁気記録媒体の移動に伴って生じ
る外部磁界の微小な変化に応じてその磁化方向を回転さ
せることができる。この場合、フリー層の磁化方向回転
は、ピンド層の磁化方向には影響を与えない。このよう
に、一方の強磁性層における磁化方向が回転し、他方の
強磁性層における磁化方向との相対的な角度が変化する
と、ＳＶ構造における抵抗に変化が生じる。ＳＶＭＲヘ
ッドでは、この抵抗変化を利用することにより、磁気記
録媒体の磁気信号を感知し磁気情報を読み取る。
alve Magnetoresistive;ＳＶＭＲ）効果と呼ばれるＧＭ
Ｒ効果の一種が発見され、磁気再生ヘッド技術に導入さ
れた。このＳＶＭＲ効果を利用した磁気再生ヘッド（以
下、ＳＶＭＲヘッドという。）は、スピンバルブ構造と
いう積層構造を含んでいる。このＳＶ構造は、コバルト
鉄合金（ＣｏＦｅ）あるいはニッケル鉄合金（ＮｉＦ
ｅ）等からなる２つの強磁性層と、それら２つの強磁性
層を隔てる、例えば、銅（Ｃｕ）のような導電性非磁性
材料よりなる薄層とを備えている。２つの強磁性層のう
ちの一方は、隣接する反強磁性層との交換結合によって
磁化方向が一定方向に固定されており、一般的に「ピン
ド層」と呼ばれる。他方の強磁性層は、磁化方向が一定
方向に固定されていない層、すなわちフリー層と呼ばれ
る。このフリー層は、磁気記録媒体の移動に伴って生じ
る外部磁界の微小な変化に応じてその磁化方向を回転さ
せることができる。この場合、フリー層の磁化方向回転
は、ピンド層の磁化方向には影響を与えない。このよう
に、一方の強磁性層における磁化方向が回転し、他方の
強磁性層における磁化方向との相対的な角度が変化する
と、ＳＶ構造における抵抗に変化が生じる。ＳＶＭＲヘ
ッドでは、この抵抗変化を利用することにより、磁気記
録媒体の磁気信号を感知し磁気情報を読み取る。
【０００６】他の種類のＳＶＭＲヘッドとしては、ピン
ド層として反強磁性層を利用したものがある。Nepela等
は米国特許第５７１７５５０号において、緩衝層が軟磁
性層（保磁力が小さい層）と隣接して積層されているＳ
ＶＭＲヘッドを開示している。このＳＶＭＲヘッドに
は、ピンド層の磁化方向を固定するための反強磁性層が
含まれており、緩衝層によってより強い交換結合が反強
磁性層に生じるようになっている。さらに、このＳＶＭ
Ｒヘッドでは、軟磁性層により磁気抵抗センサ部に縦バ
イアスが印加されるようになっている。また、Brnard等
による米国特許第５９１９５８０号では、ピンド層を固
定するためのピンニング層として機能するクロム（Ｃ
ｒ）とアルミニウム（Ａｌ）とからなる反強磁性層を含
むＳＶＭＲヘッドについて開示されている。
ド層として反強磁性層を利用したものがある。Nepela等
は米国特許第５７１７５５０号において、緩衝層が軟磁
性層（保磁力が小さい層）と隣接して積層されているＳ
ＶＭＲヘッドを開示している。このＳＶＭＲヘッドに
は、ピンド層の磁化方向を固定するための反強磁性層が
含まれており、緩衝層によってより強い交換結合が反強
磁性層に生じるようになっている。さらに、このＳＶＭ
Ｒヘッドでは、軟磁性層により磁気抵抗センサ部に縦バ
イアスが印加されるようになっている。また、Brnard等
による米国特許第５９１９５８０号では、ピンド層を固
定するためのピンニング層として機能するクロム（Ｃ
ｒ）とアルミニウム（Ａｌ）とからなる反強磁性層を含
むＳＶＭＲヘッドについて開示されている。
【０００７】フリー層とピンド層とが積層された構造体
は、信号磁界を検知できる磁気トンネル接合（ＭＴＪ）
デバイスを形成する際に利用され、また、磁気ランダム
アクセスメモリ（Magnetic Random Access Memory ；Ｍ
ＲＡＭ）のメモリアレイ中のメモリセルとして使用され
る。ＳＶＭＲヘッドとＭＴＪデバイスとの間には構造的
な類似性があるが、機能的な類似性はほとんどない。Ga
llagher 等による米国特許第５８４１６９２号では、上
部電極スタックが交換結合によって固定されないフリー
層を含んでいるＭＴＪデバイスについて開示されてい
る。この上部電極スタックは、ピンド層上に積層された
トンネル層の上部に形成され、このピンド層の磁気モー
メントは、ピンド層より下部に形成されている反強磁性
層との界面で生じる交換結合によって固定されている。
このＭＴＪデバイスにおける上部電極スタックは、「２
０ｎｍ厚の白金（Ｐｔ）層／４ｎｍ厚のニッケル鉄合金
（ＮｉＦｅ）層／１０ｎｍ厚のマンガン鉄合金（ＭｎＦ
ｅ）層／８ｎｍ厚のＮｉＦｅ層」という構成の積層体で
ある。この場合、ＭｎＦｅ層は、ＮｉＦｅ層同士を反強
磁性結合させるように機能する。Parkinは米国特許５７
６４５６７号により、シード層、反強磁性層、ピンド
層、トンネル層、フリー層とが順に形成された積層体
と、この積層体の両側面を挟み込む一対の導電リード層
とを含んでなるＭＴＪデバイスについて開示している。
さらに、Parkinは米国特許第５９３６２９３号により、
「硬磁性層／軟磁性層（すなわち、高保磁力層／低保磁
力層）」という積層構造を備えるＭＴＪデバイスを開示
している。このＭＴＪデバイスでは、隣接した縦バイア
ス層によって、上記の「硬磁性層／軟磁性層」を横切る
ように磁気バイアスが印加される。これにより、磁壁移
動によって「硬磁性層／軟磁性層」が消磁されてしまう
ことを抑制することができる。
は、信号磁界を検知できる磁気トンネル接合（ＭＴＪ）
デバイスを形成する際に利用され、また、磁気ランダム
アクセスメモリ（Magnetic Random Access Memory ；Ｍ
ＲＡＭ）のメモリアレイ中のメモリセルとして使用され
る。ＳＶＭＲヘッドとＭＴＪデバイスとの間には構造的
な類似性があるが、機能的な類似性はほとんどない。Ga
llagher 等による米国特許第５８４１６９２号では、上
部電極スタックが交換結合によって固定されないフリー
層を含んでいるＭＴＪデバイスについて開示されてい
る。この上部電極スタックは、ピンド層上に積層された
トンネル層の上部に形成され、このピンド層の磁気モー
メントは、ピンド層より下部に形成されている反強磁性
層との界面で生じる交換結合によって固定されている。
このＭＴＪデバイスにおける上部電極スタックは、「２
０ｎｍ厚の白金（Ｐｔ）層／４ｎｍ厚のニッケル鉄合金
（ＮｉＦｅ）層／１０ｎｍ厚のマンガン鉄合金（ＭｎＦ
ｅ）層／８ｎｍ厚のＮｉＦｅ層」という構成の積層体で
ある。この場合、ＭｎＦｅ層は、ＮｉＦｅ層同士を反強
磁性結合させるように機能する。Parkinは米国特許５７
６４５６７号により、シード層、反強磁性層、ピンド
層、トンネル層、フリー層とが順に形成された積層体
と、この積層体の両側面を挟み込む一対の導電リード層
とを含んでなるＭＴＪデバイスについて開示している。
さらに、Parkinは米国特許第５９３６２９３号により、
「硬磁性層／軟磁性層（すなわち、高保磁力層／低保磁
力層）」という積層構造を備えるＭＴＪデバイスを開示
している。このＭＴＪデバイスでは、隣接した縦バイア
ス層によって、上記の「硬磁性層／軟磁性層」を横切る
ように磁気バイアスが印加される。これにより、磁壁移
動によって「硬磁性層／軟磁性層」が消磁されてしまう
ことを抑制することができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ＳＶ構造は、磁気再生
ヘッドのセンサ部として用いられる標準的な構造の１つ
になっている。しかしながら最近では、超高記録密度
（例えば、６０Ｇｂ／ｉｎｃｈ2 ≒９．３Ｇｂ／ｃｍ2
を越える記録密度）化がますます進んでおり、ビットの
線密度（１インチ当たりのビット数、すなわちＢＰＩ）
およびトラック密度（１インチ当たりのトラック数すな
わちＴＰＩ）の著しい向上に対応することが可能な（上
記したようなＭＴＪデバイスとは異なる）ＳＶＭＲ再生
ヘッドに対する要求が高まっている。その結果、ＳＶＭ
Ｒヘッドを設計するにあたり、高い信号出力を維持する
ためにトラック幅をより狭くし、フリー層をより薄くす
るという方向に向かうようになっている。このようにＳ
ＶＭＲヘッドについては、記録密度向上に追従するため
の継続的な開発が要求されている。ところで、ＭＴＪデ
バイスは上記したようなＧＭＲ同様の課題を抱えている
わけではないので、ＭＴＪデバイスにおいて、極薄のフ
リー層や、ＭＲ比および再生出力の向上に対応するため
の方法を見出すことはできない。さらに、上記のBarnar
d 等やNepala等によって開示された再生ヘッドは、記録
密度の増加に対応可能な極薄のフリー層を備えていな
い。
ヘッドのセンサ部として用いられる標準的な構造の１つ
になっている。しかしながら最近では、超高記録密度
（例えば、６０Ｇｂ／ｉｎｃｈ2 ≒９．３Ｇｂ／ｃｍ2
を越える記録密度）化がますます進んでおり、ビットの
線密度（１インチ当たりのビット数、すなわちＢＰＩ）
およびトラック密度（１インチ当たりのトラック数すな
わちＴＰＩ）の著しい向上に対応することが可能な（上
記したようなＭＴＪデバイスとは異なる）ＳＶＭＲ再生
ヘッドに対する要求が高まっている。その結果、ＳＶＭ
Ｒヘッドを設計するにあたり、高い信号出力を維持する
ためにトラック幅をより狭くし、フリー層をより薄くす
るという方向に向かうようになっている。このようにＳ
ＶＭＲヘッドについては、記録密度向上に追従するため
の継続的な開発が要求されている。ところで、ＭＴＪデ
バイスは上記したようなＧＭＲ同様の課題を抱えている
わけではないので、ＭＴＪデバイスにおいて、極薄のフ
リー層や、ＭＲ比および再生出力の向上に対応するため
の方法を見出すことはできない。さらに、上記のBarnar
d 等やNepala等によって開示された再生ヘッドは、記録
密度の増加に対応可能な極薄のフリー層を備えていな
い。
【０００９】極薄のフリー層を設けることは、ＭＲ比の
向上と共に、高密度化された磁気記録データを再生する
際、より高い信号強度を得るために有効な方法である。
ここで、「極薄のフリー層」とは、その磁気モーメント
が、厚み２．０ｎｍのＣｏ90Ｆｅ10の磁気モーメント
か、または、厚み３．６ｎｍのＮｉ80Ｆｅ20の磁気モー
メントよりも少ない磁気モーメントを有する強磁性層と
して定義されるものである。
向上と共に、高密度化された磁気記録データを再生する
際、より高い信号強度を得るために有効な方法である。
ここで、「極薄のフリー層」とは、その磁気モーメント
が、厚み２．０ｎｍのＣｏ90Ｆｅ10の磁気モーメント
か、または、厚み３．６ｎｍのＮｉ80Ｆｅ20の磁気モー
メントよりも少ない磁気モーメントを有する強磁性層と
して定義されるものである。
【００１０】なお、本発明に関連する米国特許出願（整
理番号ＨＴ９９−０３１）では、本出願人が、磁気再生
ヘッドの電気的な出力に影響を与えずに、より薄い再生
ヘッド構造を実現できるバイアス補填層（ＢＣＬ：bias
compensation layer ）を既に開示している。本発明に
関連する他の米国特許出願（整理番号ＨＴ９９−０３
５）では、本出願人が、完全反射の程度を増強し、上向
きスピン電子の平均自由行程および下向きスピン電子の
平均自由行程の差をより大きな値にすることができるシ
ンセティック反強磁性被固定層を備えたシングルトップ
スピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッド用の材料の組成
について開示している。
理番号ＨＴ９９−０３１）では、本出願人が、磁気再生
ヘッドの電気的な出力に影響を与えずに、より薄い再生
ヘッド構造を実現できるバイアス補填層（ＢＣＬ：bias
compensation layer ）を既に開示している。本発明に
関連する他の米国特許出願（整理番号ＨＴ９９−０３
５）では、本出願人が、完全反射の程度を増強し、上向
きスピン電子の平均自由行程および下向きスピン電子の
平均自由行程の差をより大きな値にすることができるシ
ンセティック反強磁性被固定層を備えたシングルトップ
スピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッド用の材料の組成
について開示している。
【００１１】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その第１の目的は、完全反射型のスピンバルブ型
磁気抵抗効果再生ヘッドおよびその製造方法を提供する
ことにある。
ので、その第１の目的は、完全反射型のスピンバルブ型
磁気抵抗効果再生ヘッドおよびその製造方法を提供する
ことにある。
【００１２】本発明の第２の目的は、超高密度（１００
Ｇｂ／ｉｎ2 ≒１５．５Ｇｂ／ｃｍ 2 ）の磁気記録媒体
を再生可能な完全反射型のスピンバルブ型磁気抵抗効果
再生ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。
Ｇｂ／ｉｎ2 ≒１５．５Ｇｂ／ｃｍ 2 ）の磁気記録媒体
を再生可能な完全反射型のスピンバルブ型磁気抵抗効果
再生ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。
【００１３】本発明の第３の目的は、フリー層の磁歪が
小さい正値であって、高い信号出力を得ることのできる
完全反射型のスピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッドお
よびその製造方法を提供することにある。
小さい正値であって、高い信号出力を得ることのできる
完全反射型のスピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッドお
よびその製造方法を提供することにある。
【００１４】本発明の第４の目的は、従来のスピンバル
ブ構造に見られる出力振幅の劣化を克服し、検出性能の
安定性が改善された導電性リードオーバーレイ層と、縦
バイアス層とを備えた完全反射型のスピンバルブ型磁気
抵抗効果再生ヘッドおよびその製造方法を提供すること
にある。
ブ構造に見られる出力振幅の劣化を克服し、検出性能の
安定性が改善された導電性リードオーバーレイ層と、縦
バイアス層とを備えた完全反射型のスピンバルブ型磁気
抵抗効果再生ヘッドおよびその製造方法を提供すること
にある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明のスピンバルブ型
磁気抵抗効果再生ヘッドの製造方法は、伝導電子を完全
反射し、超高記録密度に対応したスピンバルブ型磁気抵
抗再生ヘッドの製造方法であり、下部基体上に、信号磁
界を感知する積層構造のフリー層を備えたセンサ部を形
成する第１の工程と、このセンサ部の両側に、縦バイア
ス層を形成する第２の工程と、この縦バイアス層を覆っ
て対称的に延在するように導電性リードオーバーレイ層
を形成し、センサ部におけるトラック幅に対応する幅を
規定する第３工程とを含み、第１の工程が、シード層を
形成する第４の工程と、このシード層上に、前記フリー
層との間で結晶学的整合性を有し、伝導電子を完全反射
させる材料により緩衝層を形成する第５の工程と、この
緩衝層上に、磁気的に自由な層として機能するフリー層
を、強磁性材料を積層することによって形成する第６の
工程と、このフリー層上に、非磁性材料を用いて非磁性
層を形成する第７の工程と、この非磁性層上に、シンセ
ティック反強磁性被固定層を形成する第８の工程と、こ
のシンセティック反強磁性被固定層上に、固定作用層を
形成する第９の工程と、この固定作用層上に、保護層を
形成する第１０の工程とを含むようにしたものである。
磁気抵抗効果再生ヘッドの製造方法は、伝導電子を完全
反射し、超高記録密度に対応したスピンバルブ型磁気抵
抗再生ヘッドの製造方法であり、下部基体上に、信号磁
界を感知する積層構造のフリー層を備えたセンサ部を形
成する第１の工程と、このセンサ部の両側に、縦バイア
ス層を形成する第２の工程と、この縦バイアス層を覆っ
て対称的に延在するように導電性リードオーバーレイ層
を形成し、センサ部におけるトラック幅に対応する幅を
規定する第３工程とを含み、第１の工程が、シード層を
形成する第４の工程と、このシード層上に、前記フリー
層との間で結晶学的整合性を有し、伝導電子を完全反射
させる材料により緩衝層を形成する第５の工程と、この
緩衝層上に、磁気的に自由な層として機能するフリー層
を、強磁性材料を積層することによって形成する第６の
工程と、このフリー層上に、非磁性材料を用いて非磁性
層を形成する第７の工程と、この非磁性層上に、シンセ
ティック反強磁性被固定層を形成する第８の工程と、こ
のシンセティック反強磁性被固定層上に、固定作用層を
形成する第９の工程と、この固定作用層上に、保護層を
形成する第１０の工程とを含むようにしたものである。
【００１６】本発明のスピンバルブ型磁気抵抗効果再生
ヘッドの製造方法では、センサ部を形成するにあたっ
て、フリー層との間で結晶学的整合性を有し、伝導電子
を完全反射させる材料により緩衝層を形成する工程と、
この緩衝層上に、磁気的に自由な層として機能するフリ
ー層を、強磁性材料を積層することによって形成する工
程とを含むようにした。これにより、上向きスピンをも
った電子と下向きスピンを持った電子との平均自由行程
の差を維持することができる。
ヘッドの製造方法では、センサ部を形成するにあたっ
て、フリー層との間で結晶学的整合性を有し、伝導電子
を完全反射させる材料により緩衝層を形成する工程と、
この緩衝層上に、磁気的に自由な層として機能するフリ
ー層を、強磁性材料を積層することによって形成する工
程とを含むようにした。これにより、上向きスピンをも
った電子と下向きスピンを持った電子との平均自由行程
の差を維持することができる。
【００１７】さらに、本発明のスピンバルブ型磁気抵抗
効果再生ヘッドおよびその製造方法では、第１の強磁性
層と第２の強磁性層とを順に積層するステップを含むこ
とによりフリー層を形成することが好ましい。この場
合、第１の強磁性層が少なくともニッケル鉄合金を含
み、１ｎｍ以上１．６ｎｍ以下の厚みとなるようにし、
第２の強磁性層が少なくともコバルト鉄合金を含み、１
ｎｍ以上１．６ｎｍ以下の厚みとなるようにすることが
好ましい。
効果再生ヘッドおよびその製造方法では、第１の強磁性
層と第２の強磁性層とを順に積層するステップを含むこ
とによりフリー層を形成することが好ましい。この場
合、第１の強磁性層が少なくともニッケル鉄合金を含
み、１ｎｍ以上１．６ｎｍ以下の厚みとなるようにし、
第２の強磁性層が少なくともコバルト鉄合金を含み、１
ｎｍ以上１．６ｎｍ以下の厚みとなるようにすることが
好ましい。
【００１８】また、本発明のスピンバルブ型磁気抵抗効
果再生ヘッドおよびその製造方法では、第１の強磁性層
との間で結晶学的整合性を有する第１の層と、第２の強
磁性層との間で結晶学的整合性を有する第２の層とを含
むように緩衝層を形成することが好ましい。この場合、
第１の層が少なくともルテニウムを含み、０．４ｎｍ以
上０．６ｎｍ以下の厚みとなるようにし、第２の層が少
なくとも銅を含み、０．４ｎｍ以上０．６ｎｍ以下の厚
みとなるようにすることが好ましい。
果再生ヘッドおよびその製造方法では、第１の強磁性層
との間で結晶学的整合性を有する第１の層と、第２の強
磁性層との間で結晶学的整合性を有する第２の層とを含
むように緩衝層を形成することが好ましい。この場合、
第１の層が少なくともルテニウムを含み、０．４ｎｍ以
上０．６ｎｍ以下の厚みとなるようにし、第２の層が少
なくとも銅を含み、０．４ｎｍ以上０．６ｎｍ以下の厚
みとなるようにすることが好ましい。
【００１９】また、本発明のスピンバルブ型磁気抵抗効
果再生ヘッドおよびその製造方法では、フリー層とシン
セティック反強磁性固定層とが磁気的に交換結合するよ
うに非磁性層を設けることが好ましく、非磁性層は、層
間結合磁界の信号およびその大きさを制御可能な程度の
厚みを有することが好ましい。この場合、非磁性層は銅
を含み、１．６ｎｍ以上２．２ｎｍ以下の厚みとするこ
とが好ましい。
果再生ヘッドおよびその製造方法では、フリー層とシン
セティック反強磁性固定層とが磁気的に交換結合するよ
うに非磁性層を設けることが好ましく、非磁性層は、層
間結合磁界の信号およびその大きさを制御可能な程度の
厚みを有することが好ましい。この場合、非磁性層は銅
を含み、１．６ｎｍ以上２．２ｎｍ以下の厚みとするこ
とが好ましい。
【００２０】また、本発明のスピンバルブ型磁気抵抗効
果再生ヘッドおよびその製造方法では、第１の反平行強
磁性層と、スペーサ層と、第２の反平行強磁性層とを順
に積層してシンセティック反強磁性被固定層を形成する
ことが好ましく、第１の反平行強磁性層と第２の反平行
強磁性層とがスペーサ層を介して交換結合することが好
ましい。第１の反平行強磁性層の厚みは、第２の反平行
強磁性層の厚みよりも大きくなるようにしてもよい。そ
の場合、第１の反平行強磁性層がコバルト鉄合金からな
り、１．５ｎｍを超えて２ｎｍ以下の厚みとなるように
し、スペーサ層がルテニウムからなり、０．７ｎｍ以上
０．８ｎｍ以下の厚みとなるようにし、第２の反平行強
磁性層がコバルト鉄合金からなり、１．５ｎｍ以上２ｎ
ｍ未満の厚みとなるようにすることが望ましい。
果再生ヘッドおよびその製造方法では、第１の反平行強
磁性層と、スペーサ層と、第２の反平行強磁性層とを順
に積層してシンセティック反強磁性被固定層を形成する
ことが好ましく、第１の反平行強磁性層と第２の反平行
強磁性層とがスペーサ層を介して交換結合することが好
ましい。第１の反平行強磁性層の厚みは、第２の反平行
強磁性層の厚みよりも大きくなるようにしてもよい。そ
の場合、第１の反平行強磁性層がコバルト鉄合金からな
り、１．５ｎｍを超えて２ｎｍ以下の厚みとなるように
し、スペーサ層がルテニウムからなり、０．７ｎｍ以上
０．８ｎｍ以下の厚みとなるようにし、第２の反平行強
磁性層がコバルト鉄合金からなり、１．５ｎｍ以上２ｎ
ｍ未満の厚みとなるようにすることが望ましい。
【００２１】また、本発明のスピンバルブ型磁気抵抗効
果再生ヘッドおよびその製造方法では、第１の反平行強
磁性層の厚みは、第２の反平行強磁性層の厚みよりも小
さくなるようにしてもよい。その場合、第１の反平行強
磁性層がコバルト鉄合金からなり、１．６ｎｍ以上２ｎ
ｍ以下の厚みとなるようにし、スペーサ層がルテニウム
からなり、０．７ｎｍ以上０．８ｎｍ以下の厚みとなる
ようにし、第２の反平行強磁性層がコバルト鉄合金から
なり、１．８ｎｍ以上２．１ｎｍ以下の厚みとなるよう
にすることが望ましい。
果再生ヘッドおよびその製造方法では、第１の反平行強
磁性層の厚みは、第２の反平行強磁性層の厚みよりも小
さくなるようにしてもよい。その場合、第１の反平行強
磁性層がコバルト鉄合金からなり、１．６ｎｍ以上２ｎ
ｍ以下の厚みとなるようにし、スペーサ層がルテニウム
からなり、０．７ｎｍ以上０．８ｎｍ以下の厚みとなる
ようにし、第２の反平行強磁性層がコバルト鉄合金から
なり、１．８ｎｍ以上２．１ｎｍ以下の厚みとなるよう
にすることが望ましい。
【００２２】また、本発明のスピンバルブ型磁気抵抗効
果再生ヘッドおよびその製造方法では、マンガン白金合
金を用いて、１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下の厚みとなるよ
うに固定作用層を設けることが好ましい。さらに、ニッ
ケルクロムおよびタンタルのうちの少なくとも１種を用
いて、２ｎｍ以上３ｎｍ以下の厚みとなるように保護層
を設けることが好ましい。
果再生ヘッドおよびその製造方法では、マンガン白金合
金を用いて、１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下の厚みとなるよ
うに固定作用層を設けることが好ましい。さらに、ニッ
ケルクロムおよびタンタルのうちの少なくとも１種を用
いて、２ｎｍ以上３ｎｍ以下の厚みとなるように保護層
を設けることが好ましい。
【００２３】また、本発明のスピンバルブ型磁気抵抗効
果再生ヘッドおよびその製造方法では、高保磁力を有す
る磁性材料を用いて縦バイアス層を設けることが好まし
く、特にコバルト白金クロム合金を用いて、１５ｎｍ以
上２５ｎｍ以下の厚みとすることが好ましい。
果再生ヘッドおよびその製造方法では、高保磁力を有す
る磁性材料を用いて縦バイアス層を設けることが好まし
く、特にコバルト白金クロム合金を用いて、１５ｎｍ以
上２５ｎｍ以下の厚みとすることが好ましい。
【００２４】また、本発明のスピンバルブ型磁気抵抗効
果再生ヘッドおよびその製造方法では、５ｎｍの厚みの
タンタル層と、２５ｎｍの厚みの金層と、５ｎｍの厚み
のタンタル層とを順に積層し、全体で３５ｎｍの厚みと
なるように導電性リードオーバーレイ層を設けることが
好ましい。
果再生ヘッドおよびその製造方法では、５ｎｍの厚みの
タンタル層と、２５ｎｍの厚みの金層と、５ｎｍの厚み
のタンタル層とを順に積層し、全体で３５ｎｍの厚みと
なるように導電性リードオーバーレイ層を設けることが
好ましい。
【００２５】また、本発明のスピンバルブ型磁気抵抗効
果再生ヘッドは、伝導電子を完全反射し、超高記録密度
に対応したスピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッドであ
り、積層構造からなり、信号磁界を感知するフリー層を
備えたセンサ部と、このセンサ部分の両側に延在する硬
質磁性材料よりなる縦バイアス層と、縦バイアス層を覆
って対称的に延在し、センサ部におけるトラック幅に対
応する幅を規定する導電性リードオーバーレイ層とを含
み、センサ部が、シード層と、フリー層との間で結晶学
的整合性を有し、伝導電子を完全反射させる材料よりな
る緩衝層と、強磁性材料の積層構造を有するフリー層
と、非磁性材料よりなる非磁性層と、積層構造を有する
シンセティック反強磁性被固定層と、反強磁性材料より
なる固定作用層と、保護層とがこの順に積層された積層
構造を含むようにしたものである。
果再生ヘッドは、伝導電子を完全反射し、超高記録密度
に対応したスピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッドであ
り、積層構造からなり、信号磁界を感知するフリー層を
備えたセンサ部と、このセンサ部分の両側に延在する硬
質磁性材料よりなる縦バイアス層と、縦バイアス層を覆
って対称的に延在し、センサ部におけるトラック幅に対
応する幅を規定する導電性リードオーバーレイ層とを含
み、センサ部が、シード層と、フリー層との間で結晶学
的整合性を有し、伝導電子を完全反射させる材料よりな
る緩衝層と、強磁性材料の積層構造を有するフリー層
と、非磁性材料よりなる非磁性層と、積層構造を有する
シンセティック反強磁性被固定層と、反強磁性材料より
なる固定作用層と、保護層とがこの順に積層された積層
構造を含むようにしたものである。
【００２６】また、本発明のスピンバルブ型磁気抵抗効
果再生ヘッドでは、センサ部において、フリー層との間
で結晶学的整合性を有し、伝導電子を完全反射させる材
料よりなる緩衝層と、強磁性材料の積層構造を有するフ
リー層とを含むようにした。これにより、上向きスピン
をもった電子と下向きスピンを持った電子との平均自由
行程の差を維持することができる。
果再生ヘッドでは、センサ部において、フリー層との間
で結晶学的整合性を有し、伝導電子を完全反射させる材
料よりなる緩衝層と、強磁性材料の積層構造を有するフ
リー層とを含むようにした。これにより、上向きスピン
をもった電子と下向きスピンを持った電子との平均自由
行程の差を維持することができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て適宜、図面を参照して詳細に説明する。
て適宜、図面を参照して詳細に説明する。
【００２８】最初に、図１を参照して、主に、本発明の
実施の形態に係るスピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッ
ド（以下、ＳＶＭＲヘッドという。）の構成について説
明する。
実施の形態に係るスピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッ
ド（以下、ＳＶＭＲヘッドという。）の構成について説
明する。
【００２９】図１は、本発明の実施の形態に係るＳＶＭ
Ｒヘッドの断面構成を表すものである。図１では、ＳＶ
ＭＲヘッドの、エアベアリング面（磁気記録媒体に対向
する面）に沿った要部断面構成を表している。
Ｒヘッドの断面構成を表すものである。図１では、ＳＶ
ＭＲヘッドの、エアベアリング面（磁気記録媒体に対向
する面）に沿った要部断面構成を表している。
【００３０】このＳＶＭＲヘッドは、主に、下部基体２
上に配設されたセンサ部３０と、このセンサ部３０の両
側に延在する硬質磁性材料よりなる縦バイアス層１８
と、この縦バイアス層１８およびセンサ部３０を覆うよ
うに配設された導電性リードオーバーレイ層２０とを備
えている。この導電性リードオーバーレイ層２０上には
上部基体２３が配設され、さらに、上部基体２３上に
は、上部シールド層８が配設されている。下部基体２の
下側（センサ部３０とは反対側）には、下部シールド層
９が形成されている。このＳＶＭＲヘッドは、磁気記録
媒体等の外部からの信号磁界に応じてセンサ部３０の電
気抵抗が変化することを利用して、磁気記録媒体等の記
録情報を読み出すようになっている。
上に配設されたセンサ部３０と、このセンサ部３０の両
側に延在する硬質磁性材料よりなる縦バイアス層１８
と、この縦バイアス層１８およびセンサ部３０を覆うよ
うに配設された導電性リードオーバーレイ層２０とを備
えている。この導電性リードオーバーレイ層２０上には
上部基体２３が配設され、さらに、上部基体２３上に
は、上部シールド層８が配設されている。下部基体２の
下側（センサ部３０とは反対側）には、下部シールド層
９が形成されている。このＳＶＭＲヘッドは、磁気記録
媒体等の外部からの信号磁界に応じてセンサ部３０の電
気抵抗が変化することを利用して、磁気記録媒体等の記
録情報を読み出すようになっている。
【００３１】下部シールド層９は、例えば、ニッケル鉄
合金（ＮｉＦｅ）等の磁性材料からなり、センサ部３０
に不要な磁界の影響が及ぶのを阻止する機能を有する。
下部基体２は、１０〜２０ｎｍの厚みを有し、アルミナ
（Ａｌ2 Ｏ3 ）等の絶縁材料からなるものである。同様
に、上部基体２３も、アルミナ等の絶縁材料からなる。
上部シールド層８は、例えば、ニッケル鉄合金（ＮｉＦ
ｅ）等の磁性材料からなり、下部シールド層９と同様
に、センサ部３０に不要な磁界の影響が及ぶのを阻止す
る機能を有する。
合金（ＮｉＦｅ）等の磁性材料からなり、センサ部３０
に不要な磁界の影響が及ぶのを阻止する機能を有する。
下部基体２は、１０〜２０ｎｍの厚みを有し、アルミナ
（Ａｌ2 Ｏ3 ）等の絶縁材料からなるものである。同様
に、上部基体２３も、アルミナ等の絶縁材料からなる。
上部シールド層８は、例えば、ニッケル鉄合金（ＮｉＦ
ｅ）等の磁性材料からなり、下部シールド層９と同様
に、センサ部３０に不要な磁界の影響が及ぶのを阻止す
る機能を有する。
【００３２】センサ部３０は、下部基体２側から順に、
シード層３、緩衝層４、フリー層７、非磁性層１０、シ
ンセティック反強磁性被固定（Synthetic Antiferroma
gnetic Pinnned，ＳｙＡＰ）層１２、固定作用層２５お
よび保護層２２が順に積層されたものである。センサ部
３０の詳細な構成については、ＳＶＭＲヘッドの製造方
法と併せて後述する。
シード層３、緩衝層４、フリー層７、非磁性層１０、シ
ンセティック反強磁性被固定（Synthetic Antiferroma
gnetic Pinnned，ＳｙＡＰ）層１２、固定作用層２５お
よび保護層２２が順に積層されたものである。センサ部
３０の詳細な構成については、ＳＶＭＲヘッドの製造方
法と併せて後述する。
【００３３】縦バイアス層１８は、フリー層７の磁化の
向きを揃え、単磁区化し、いわゆるバルクハウゼンノイ
ズの発生を抑える機能を示すものである。この縦バイア
ス層１８は、例えば、高保磁力を有する硬質磁性材料、
具体的にはコバルト白金クロム（ＣｏＰｔＣｒ）を含む
磁性材料からなり、１５ｎｍ以上２５ｎｍ以下の厚みを
有する。
向きを揃え、単磁区化し、いわゆるバルクハウゼンノイ
ズの発生を抑える機能を示すものである。この縦バイア
ス層１８は、例えば、高保磁力を有する硬質磁性材料、
具体的にはコバルト白金クロム（ＣｏＰｔＣｒ）を含む
磁性材料からなり、１５ｎｍ以上２５ｎｍ以下の厚みを
有する。
【００３４】導電性リードオーバーレイ層２０は、セン
サ部３０にセンス電流を導くためのものである。この導
電性リードオーバーレイ層２０は、５ｎｍの厚みを有す
る下部タンタル（Ｔａ）層２０Ａと、２５ｎｍの厚みを
有する金（Ａｕ）層２０Ｂと、５ｎｍの厚みを有する上
部タンタル（Ｔａ）層２０Ｃとが順に積層され、全体の
厚みが３５ｎｍとなった３層構造である。下部タンタル
層２０Ａはセンサ部３０および縦バイアス層１８の全体
を覆うように配設されており、金層２０Ｂおよび上部タ
ンタル層２０Ｃは、センサ部３０上の中央部で分断さ
れ、端面２１を有している。
サ部３０にセンス電流を導くためのものである。この導
電性リードオーバーレイ層２０は、５ｎｍの厚みを有す
る下部タンタル（Ｔａ）層２０Ａと、２５ｎｍの厚みを
有する金（Ａｕ）層２０Ｂと、５ｎｍの厚みを有する上
部タンタル（Ｔａ）層２０Ｃとが順に積層され、全体の
厚みが３５ｎｍとなった３層構造である。下部タンタル
層２０Ａはセンサ部３０および縦バイアス層１８の全体
を覆うように配設されており、金層２０Ｂおよび上部タ
ンタル層２０Ｃは、センサ部３０上の中央部で分断さ
れ、端面２１を有している。
【００３５】本実施の形態のＳＶＭＲヘッドでは、縦バ
イアス層１８によってセンサ部３０に縦方向バイアスが
印加された状態において、導電性リードオーバーレイ層
２０にセンス電流が付与されるとセンサ部３０にＧＭＲ
効果が生じる。このＧＭＲ効果を利用し、磁気記録媒体
に記録された信号磁界をセンサ部３０によって検出する
ことにより、磁気記録情報の再生を行う。
イアス層１８によってセンサ部３０に縦方向バイアスが
印加された状態において、導電性リードオーバーレイ層
２０にセンス電流が付与されるとセンサ部３０にＧＭＲ
効果が生じる。このＧＭＲ効果を利用し、磁気記録媒体
に記録された信号磁界をセンサ部３０によって検出する
ことにより、磁気記録情報の再生を行う。
【００３６】次に、図１を参照して、主に、本発明の実
施の形態に係るＳＶＭＲヘッドの製造方法について説明
する。さらに、ＳＶＭＲヘッドの製造方法と併せて、セ
ンサ部３０の構成および機能についても説明する。
施の形態に係るＳＶＭＲヘッドの製造方法について説明
する。さらに、ＳＶＭＲヘッドの製造方法と併せて、セ
ンサ部３０の構成および機能についても説明する。
【００３７】まず、例えば、アルティック（Ａｌ2 Ｏ3
・ＴｉＣ）よりなる基体（図示せず）を用意し、その基
体上に絶縁層を形成した後、例えばスパッタリング法に
より下部シールド層９を形成する。さらに、例えばスパ
ッタリング法によりアルミニウム膜を形成し、酸化処理
することでＡｌ2 Ｏ3 からなる下部基体２を形成する。
・ＴｉＣ）よりなる基体（図示せず）を用意し、その基
体上に絶縁層を形成した後、例えばスパッタリング法に
より下部シールド層９を形成する。さらに、例えばスパ
ッタリング法によりアルミニウム膜を形成し、酸化処理
することでＡｌ2 Ｏ3 からなる下部基体２を形成する。
【００３８】続いて、下部基体２上に、センサ部３０を
形成する。ます、シード層３と、緩衝層４とを順に積層
する。シード層３は、厚みが５．０ｎｍ以上６．０ｎｍ
以下であり、ニッケルクロム合金（ＮｉＣｒ）等で構成
され、磁気抵抗効果を高める機能を有するものである。
緩衝層４は、フリー層７に含まれる後述の第１の強磁性
層との間で結晶学的整合性を有する第１の層と、後述の
第２の強磁性層との間で結晶学的整合性を有する第２の
層とを順に積層したものである。具体的には、緩衝層４
は、少なくともルテニウム（Ｒｕ）を含み、厚みが０．
４ｎｍ以上０．６ｎｍ以下である第１の層と、少なくと
も銅（Ｃｕ）を含み、厚みが０．４ｎｍ以上０．６ｎｍ
以下である第２の層とを順に積層したものである。この
場合、第１の層および第２の層は、いずれも０．５ｎｍ
の厚みであることが望ましい。緩衝層４は、フリー層７
との界面において伝導電子の散乱を起こさず、電子の完
全反射を促進する。
形成する。ます、シード層３と、緩衝層４とを順に積層
する。シード層３は、厚みが５．０ｎｍ以上６．０ｎｍ
以下であり、ニッケルクロム合金（ＮｉＣｒ）等で構成
され、磁気抵抗効果を高める機能を有するものである。
緩衝層４は、フリー層７に含まれる後述の第１の強磁性
層との間で結晶学的整合性を有する第１の層と、後述の
第２の強磁性層との間で結晶学的整合性を有する第２の
層とを順に積層したものである。具体的には、緩衝層４
は、少なくともルテニウム（Ｒｕ）を含み、厚みが０．
４ｎｍ以上０．６ｎｍ以下である第１の層と、少なくと
も銅（Ｃｕ）を含み、厚みが０．４ｎｍ以上０．６ｎｍ
以下である第２の層とを順に積層したものである。この
場合、第１の層および第２の層は、いずれも０．５ｎｍ
の厚みであることが望ましい。緩衝層４は、フリー層７
との界面において伝導電子の散乱を起こさず、電子の完
全反射を促進する。
【００３９】次に、緩衝層４上に第１の強磁性層と第２
の強磁性層とを順に積層することによりフリー層７を形
成する。フリー層７は、軟磁性層とも呼ばれ、磁気記録
媒体からの信号磁界に応じて磁化の向きが変化するもの
である。ここでは、第１の磁性層を、少なくともＮｉＦ
ｅを用いて１ｎｍ以上１．６ｎｍ以下の厚みとなるよう
に形成し、第２の磁性層を、少なくともＣｏＦｅを用い
て１ｎｍ以上１．６ｎｍ以下の厚みとなるように形成す
ることが望ましい。特に、ＮｉＦｅからなる第１の磁性
層およびＣｏＦｅからなる第２の磁性層は、ともに１ｎ
ｍの厚みであることが好ましい。
の強磁性層とを順に積層することによりフリー層７を形
成する。フリー層７は、軟磁性層とも呼ばれ、磁気記録
媒体からの信号磁界に応じて磁化の向きが変化するもの
である。ここでは、第１の磁性層を、少なくともＮｉＦ
ｅを用いて１ｎｍ以上１．６ｎｍ以下の厚みとなるよう
に形成し、第２の磁性層を、少なくともＣｏＦｅを用い
て１ｎｍ以上１．６ｎｍ以下の厚みとなるように形成す
ることが望ましい。特に、ＮｉＦｅからなる第１の磁性
層およびＣｏＦｅからなる第２の磁性層は、ともに１ｎ
ｍの厚みであることが好ましい。
【００４０】フリー層７の上に、非磁性材料、例えば銅
を用いて、１．６ｎｍ以上２．２ｎｍ以下の厚みとなる
ように非磁性層１０を形成する。この場合、銅からなる
非磁性層１０の厚みは、１．８ｎｍ以上２．０ｎｍ以下
であることが好ましく、より好ましくは、１．９ｎｍで
ある。非磁性層１０は、フリー層７とＳｙＡＰ層１２と
が、磁気的に交換結合をおこなうようにするためのもの
であり、層間結合磁界の信号および大きさを制御可能な
厚みを有していることが望ましい。
を用いて、１．６ｎｍ以上２．２ｎｍ以下の厚みとなる
ように非磁性層１０を形成する。この場合、銅からなる
非磁性層１０の厚みは、１．８ｎｍ以上２．０ｎｍ以下
であることが好ましく、より好ましくは、１．９ｎｍで
ある。非磁性層１０は、フリー層７とＳｙＡＰ層１２と
が、磁気的に交換結合をおこなうようにするためのもの
であり、層間結合磁界の信号および大きさを制御可能な
厚みを有していることが望ましい。
【００４１】続いて、非磁性層１０の上に、第１の反平
行強磁性層（以下、ＡＰ１とする。）と、スペーサ層
と、第２の反平行強磁性層（以下、ＡＰ２とする。）と
を順に積層することにより、ＳｙＡＰ層１２を形成す
る。ＡＰ１の厚みは、ＡＰ２の厚みよりも大きくなるよ
うに形成することが望ましく、この場合には、ＣｏＦｅ
を用いて１．５ｎｍ以上２ｎｍ以下の厚みとなるように
ＡＰ１を形成し、ルテニウム（Ｒｕ）を用いて０．７ｎ
ｍ以上０．８ｎｍ以下の厚みとなるようにスペーサ層を
形成し、さらに、ＣｏＦｅを用いて１．５ｎｍを超えて
２．０ｎｍ未満の厚みとなるようにＡＰ２を形成するこ
とが望ましい。この場合、ルテニウムからなるスペーサ
層は０．７５ｎｍの厚みとすることがより望ましい。ま
た、ＡＰ１の厚みが、ＡＰ２の厚みよりも小さくなるよ
うに形成してもよい。その場合には、ＣｏＦｅを用いて
１．６ｎｍ以上２ｎｍ以下の厚みとなるようにＡＰ１を
形成し、ルテニウムを用いて０．７ｎｍ以上０．８ｎｍ
以下の厚みとなるようにスペーサ層を形成し、さらに、
ＣｏＦｅを用いて１．８ｎｍ以上２．１ｎｍ未満の厚み
となるようにＡＰ２を形成することが望ましい。この場
合、ルテニウムからなるスペーサ層は０．７５ｎｍの厚
みとすることがより望ましい。ＡＰ１およびＡＰ２の厚
みは、非磁性層１０の厚みに応じて変化させればよい。
ＳｙＡＰ層１２では、スペーサ層を介して、交換結合作
用によりＡＰ１およびＡＰ２の２つの強磁性層が互いに
反平行状態となるようにする。
行強磁性層（以下、ＡＰ１とする。）と、スペーサ層
と、第２の反平行強磁性層（以下、ＡＰ２とする。）と
を順に積層することにより、ＳｙＡＰ層１２を形成す
る。ＡＰ１の厚みは、ＡＰ２の厚みよりも大きくなるよ
うに形成することが望ましく、この場合には、ＣｏＦｅ
を用いて１．５ｎｍ以上２ｎｍ以下の厚みとなるように
ＡＰ１を形成し、ルテニウム（Ｒｕ）を用いて０．７ｎ
ｍ以上０．８ｎｍ以下の厚みとなるようにスペーサ層を
形成し、さらに、ＣｏＦｅを用いて１．５ｎｍを超えて
２．０ｎｍ未満の厚みとなるようにＡＰ２を形成するこ
とが望ましい。この場合、ルテニウムからなるスペーサ
層は０．７５ｎｍの厚みとすることがより望ましい。ま
た、ＡＰ１の厚みが、ＡＰ２の厚みよりも小さくなるよ
うに形成してもよい。その場合には、ＣｏＦｅを用いて
１．６ｎｍ以上２ｎｍ以下の厚みとなるようにＡＰ１を
形成し、ルテニウムを用いて０．７ｎｍ以上０．８ｎｍ
以下の厚みとなるようにスペーサ層を形成し、さらに、
ＣｏＦｅを用いて１．８ｎｍ以上２．１ｎｍ未満の厚み
となるようにＡＰ２を形成することが望ましい。この場
合、ルテニウムからなるスペーサ層は０．７５ｎｍの厚
みとすることがより望ましい。ＡＰ１およびＡＰ２の厚
みは、非磁性層１０の厚みに応じて変化させればよい。
ＳｙＡＰ層１２では、スペーサ層を介して、交換結合作
用によりＡＰ１およびＡＰ２の２つの強磁性層が互いに
反平行状態となるようにする。
【００４２】次いで、ＳｙＡＰ層１２の上に、マンガン
白金合金（ＭｎＰｔ）を用いて１０ｎｍ以上２０ｎｍ以
下の厚みとなるように固定作用層２５を形成する。この
場合、特に、１２ｎｍの厚みとすることが望ましい。こ
の固定作用層２５は、一般的にピンニング層と呼ばれ、
ＳｙＡＰ層１２の磁化方向を固定するものである。最後
に、固定作用層２５上に、ニッケルクロム合金（ＮｉＣ
ｒ）およびタンタル（Ｔａ）のうちの少なくとも１種を
用いて、２ｎｍ以上３ｎｍ以下、好ましくは２ｎｍの厚
みとなるように保護層２２を形成する。
白金合金（ＭｎＰｔ）を用いて１０ｎｍ以上２０ｎｍ以
下の厚みとなるように固定作用層２５を形成する。この
場合、特に、１２ｎｍの厚みとすることが望ましい。こ
の固定作用層２５は、一般的にピンニング層と呼ばれ、
ＳｙＡＰ層１２の磁化方向を固定するものである。最後
に、固定作用層２５上に、ニッケルクロム合金（ＮｉＣ
ｒ）およびタンタル（Ｔａ）のうちの少なくとも１種を
用いて、２ｎｍ以上３ｎｍ以下、好ましくは２ｎｍの厚
みとなるように保護層２２を形成する。
【００４３】以上により、センサ部３０の形成が完了す
る。
る。
【００４４】センサ部３０を形成したのち、このセンサ
部３０の両側に隣接するように、縦バイアス層１８を形
成する。ＣｏＰｔＣｒを用いて縦バイアス層１８を形成
する場合、それに先立ち、下地層としてクロム層を形成
するようにしてもよい。さらに、この縦バイアス層１８
とセンサ部３０の最上層である保護層２２とを覆うよう
に、下部タンタル層２０Ａ、金層２０Ｂおよび上部タン
タル層２０Ｃを順に積層することによって導電性リード
オーバーレイ層２０を形成する。導電性リードオーバー
レイ層２０のうち、センサ部３０上に形成された磁気記
録媒体のトラック幅に対応する部分を、反応性イオンエ
ッチング（Reactive Ion Etching；ＲＩＥ）等により下
部タンタル層２０Ａに達するまでエッチング処理する。
これにより端面２１が露出する。こののち、全体を覆う
ように上部基体２３をＡｌ2 Ｏ3等で形成し、最後に上
部基体２３の上に上部シールド層８を形成することによ
り、ＳＶＭＲヘッドが完成する。
部３０の両側に隣接するように、縦バイアス層１８を形
成する。ＣｏＰｔＣｒを用いて縦バイアス層１８を形成
する場合、それに先立ち、下地層としてクロム層を形成
するようにしてもよい。さらに、この縦バイアス層１８
とセンサ部３０の最上層である保護層２２とを覆うよう
に、下部タンタル層２０Ａ、金層２０Ｂおよび上部タン
タル層２０Ｃを順に積層することによって導電性リード
オーバーレイ層２０を形成する。導電性リードオーバー
レイ層２０のうち、センサ部３０上に形成された磁気記
録媒体のトラック幅に対応する部分を、反応性イオンエ
ッチング（Reactive Ion Etching；ＲＩＥ）等により下
部タンタル層２０Ａに達するまでエッチング処理する。
これにより端面２１が露出する。こののち、全体を覆う
ように上部基体２３をＡｌ2 Ｏ3等で形成し、最後に上
部基体２３の上に上部シールド層８を形成することによ
り、ＳＶＭＲヘッドが完成する。
【００４５】以上、説明した本実施の形態のＳＶＭＲヘ
ッドは、完全反射型のシングルトップスピンバルブ型磁
気抵抗効果再生ヘッドである。これに含まれるセンサ部
３０の最適な構成例は、下部基体２上のシード層３から
順に「ＮｉＣｒ（５．５ｎｍ厚）／ルテニウム（０．５
ｎｍ厚）／銅（０．５ｎｍ厚）／ＮｉＦｅ（１ｎｍ厚）
／ＣｏＦｅ（１ｎｍ厚）／Ｃｕ（１．９ｎｍ厚）／Ｃｏ
Ｆｅ／ルテニウム（０．７５ｎｍ厚）／ＣｏＦｅ／Ｍｎ
Ｐｔ（１２ｎｍ厚）／ＮｉＣｒ（２ｎｍ厚）」である。
ここで、「ルテニウム／銅」の積層構造からなる緩衝層
４は、第１の強磁性層としてのＮｉＦｅおよび第２の強
磁性層としてのＣｏＦｅとの間で最適な結晶学的整合性
を有し、極薄のフリー層７の構成を可能とする。この場
合、より軟磁性を示すフリー層７とするため、ＮｉＦｅ
からなる第１の磁性層をＣｏＦｅからなる第２の磁性層
よりも厚くすることが好ましい。
ッドは、完全反射型のシングルトップスピンバルブ型磁
気抵抗効果再生ヘッドである。これに含まれるセンサ部
３０の最適な構成例は、下部基体２上のシード層３から
順に「ＮｉＣｒ（５．５ｎｍ厚）／ルテニウム（０．５
ｎｍ厚）／銅（０．５ｎｍ厚）／ＮｉＦｅ（１ｎｍ厚）
／ＣｏＦｅ（１ｎｍ厚）／Ｃｕ（１．９ｎｍ厚）／Ｃｏ
Ｆｅ／ルテニウム（０．７５ｎｍ厚）／ＣｏＦｅ／Ｍｎ
Ｐｔ（１２ｎｍ厚）／ＮｉＣｒ（２ｎｍ厚）」である。
ここで、「ルテニウム／銅」の積層構造からなる緩衝層
４は、第１の強磁性層としてのＮｉＦｅおよび第２の強
磁性層としてのＣｏＦｅとの間で最適な結晶学的整合性
を有し、極薄のフリー層７の構成を可能とする。この場
合、より軟磁性を示すフリー層７とするため、ＮｉＦｅ
からなる第１の磁性層をＣｏＦｅからなる第２の磁性層
よりも厚くすることが好ましい。
【００４６】
【実施例】本実施の形態のＳＶＭＲヘッドの優れた諸物
理特性を明らかにするため、いくつかの調査をおこなっ
たので以下に説明する。
理特性を明らかにするため、いくつかの調査をおこなっ
たので以下に説明する。
【００４７】表１は、本実施の形態のＳＶＭＲヘッドの
センサ部３０とは異なった構成を有するセンサのサンプ
ルＳ１１を作製し、本実施の形態のＳＶＭＲヘッドのサ
ンプルＳ１２，Ｓ１３と諸物理特性について比較したも
のである。
センサ部３０とは異なった構成を有するセンサのサンプ
ルＳ１１を作製し、本実施の形態のＳＶＭＲヘッドのサ
ンプルＳ１２，Ｓ１３と諸物理特性について比較したも
のである。
【００４８】
【表１】
【００４９】表１は、最も左側の列から順に、サンプル
名、センサ部の構成、フリー層の磁気モーメントＢｓ
［ｎＷｂ］、フリー層の保磁力Ｈｃ［Ａ／ｍ］、層間結
合磁界Ｈｅ［Ａ／ｍ］、異方性磁界Ｈｋ［Ａ／ｍ］、シ
ート抵抗［Ω／□］、磁気抵抗変化率Ｄｒ／ｒ［単位無
し］、磁気抵抗変化Ｄｒ［Ω／□］および磁歪定数λｓ
［単位無し］を示したものである。Ｓ１１〜Ｓ１３の各
サンプルは、それぞれ極薄のフリー層を備えており、厚
み３．７ｎｍのＮｉＦｅ層とほぼ同等の磁気モーメント
を示す。
名、センサ部の構成、フリー層の磁気モーメントＢｓ
［ｎＷｂ］、フリー層の保磁力Ｈｃ［Ａ／ｍ］、層間結
合磁界Ｈｅ［Ａ／ｍ］、異方性磁界Ｈｋ［Ａ／ｍ］、シ
ート抵抗［Ω／□］、磁気抵抗変化率Ｄｒ／ｒ［単位無
し］、磁気抵抗変化Ｄｒ［Ω／□］および磁歪定数λｓ
［単位無し］を示したものである。Ｓ１１〜Ｓ１３の各
サンプルは、それぞれ極薄のフリー層を備えており、厚
み３．７ｎｍのＮｉＦｅ層とほぼ同等の磁気モーメント
を示す。
【００５０】Ｓ１１は、従来のスピンバルブ構造におけ
るセンサ部である。Ｓ１１は、「ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅ」
からなる複合のフリー層を有しているが、このフリー層
とＮｉＣｒからなるシード層との間に緩衝層を備えてい
ない。Ｓ１２は、ＮｉＣｒからなるシード層３と「Ｎｉ
Ｆｅ／ＣｏＦｅ」からなる複合のフリー層７との間に、
厚み１．０ｎｍの銅からなる緩衝層４を有している。こ
の場合、緩衝層４は、いわゆるＨＣＬ（high conductiv
e layer ）と呼ばれる。
るセンサ部である。Ｓ１１は、「ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅ」
からなる複合のフリー層を有しているが、このフリー層
とＮｉＣｒからなるシード層との間に緩衝層を備えてい
ない。Ｓ１２は、ＮｉＣｒからなるシード層３と「Ｎｉ
Ｆｅ／ＣｏＦｅ」からなる複合のフリー層７との間に、
厚み１．０ｎｍの銅からなる緩衝層４を有している。こ
の場合、緩衝層４は、いわゆるＨＣＬ（high conductiv
e layer ）と呼ばれる。
【００５１】Ｓ１３は、フリー層７が単層のＣｏＦｅ層
となっている。Ｓ１３は、いわゆるＢＣＬと呼ばれる、
厚み０．５ｎｍのルテニウムからなる緩衝層４を有して
いる。このＢＣＬと呼ばれる緩衝層４は、フリー層７の
ＣｏＦｅ層との間で結晶学的整合性を有するものであ
る。これによって、伝導電子が完全反射するために有効
な領域が形成される。実際に、Ｓ１３では、緩衝層４
（ルテニウム）とフリー層７（ＣｏＦｅ）との界面での
完全反射因子は０．６である。このような「ルテニウム
／ＣｏＦｅ」の構成により、「ルテニウム／ＮｉＦｅ」
の構成よりも完全反射因子をより大きくすることができ
るばかりでなく、保磁力Ｈｃを下げることができる。さ
らに、再生出力の大きさを表す磁気抵抗変化率Ｄｒ／ｒ
を向上させることができる。
となっている。Ｓ１３は、いわゆるＢＣＬと呼ばれる、
厚み０．５ｎｍのルテニウムからなる緩衝層４を有して
いる。このＢＣＬと呼ばれる緩衝層４は、フリー層７の
ＣｏＦｅ層との間で結晶学的整合性を有するものであ
る。これによって、伝導電子が完全反射するために有効
な領域が形成される。実際に、Ｓ１３では、緩衝層４
（ルテニウム）とフリー層７（ＣｏＦｅ）との界面での
完全反射因子は０．６である。このような「ルテニウム
／ＣｏＦｅ」の構成により、「ルテニウム／ＮｉＦｅ」
の構成よりも完全反射因子をより大きくすることができ
るばかりでなく、保磁力Ｈｃを下げることができる。さ
らに、再生出力の大きさを表す磁気抵抗変化率Ｄｒ／ｒ
を向上させることができる。
【００５２】表２に、様々な緩衝層上に極薄のフリー層
を備えたＳＶＭＲヘッドのサンプルＳ２１〜Ｓ２３につ
いて、諸物理特性を測定した結果を示す。
を備えたＳＶＭＲヘッドのサンプルＳ２１〜Ｓ２３につ
いて、諸物理特性を測定した結果を示す。
【００５３】
【表２】
【００５４】Ｓ２１は、銅からなる緩衝層の上に「Ｎｉ
Ｆｅ／ＣｏＦｅ」の複合層からなるフリー層を備えた標
準的なサンプルである。Ｓ２２は、ルテニウムからなる
緩衝層の上にＣｏＦｅからなる単層のフリー層を備えた
ＢＣＬ構成のサンプルである。Ｓ２３は、銅からなる緩
衝層の上にＣｏＦｅからなる単層のフリー層を備えたＨ
ＣＬ構成のサンプルである。表２における右側から２列
目の項目は、各サンプルＳ２１〜Ｓ２３において、フリ
ー層の磁化方向を困難軸（ＨＡ；Hard Axis ）に近づけ
るために要する磁界の大きさを示す。最も右側の項目
は、磁歪定数λｓを示す。この磁歪定数λｓは、ＳＶＭ
Ｒヘッドの性能を示す重要な指標である。ＳＶＭＲヘッ
ドでは、フリー層の厚みが薄くなるほど磁歪定数λｓが
漸次増加する。この磁歪定数λｓは、負の値の場合より
も正の値のほうが良好であり、特に、１．０×１０-6程
度の小さな正値であることが望ましい。
Ｆｅ／ＣｏＦｅ」の複合層からなるフリー層を備えた標
準的なサンプルである。Ｓ２２は、ルテニウムからなる
緩衝層の上にＣｏＦｅからなる単層のフリー層を備えた
ＢＣＬ構成のサンプルである。Ｓ２３は、銅からなる緩
衝層の上にＣｏＦｅからなる単層のフリー層を備えたＨ
ＣＬ構成のサンプルである。表２における右側から２列
目の項目は、各サンプルＳ２１〜Ｓ２３において、フリ
ー層の磁化方向を困難軸（ＨＡ；Hard Axis ）に近づけ
るために要する磁界の大きさを示す。最も右側の項目
は、磁歪定数λｓを示す。この磁歪定数λｓは、ＳＶＭ
Ｒヘッドの性能を示す重要な指標である。ＳＶＭＲヘッ
ドでは、フリー層の厚みが薄くなるほど磁歪定数λｓが
漸次増加する。この磁歪定数λｓは、負の値の場合より
も正の値のほうが良好であり、特に、１．０×１０-6程
度の小さな正値であることが望ましい。
【００５５】次に、本実施の形態のＳＶＭＲヘッドにお
いて、抵抗変化率Ｄｒ／ｒおよび磁気抵抗Ｄｒの、フリ
ー層７を構成する第２の強磁性層の厚み依存性を調査し
た。図２は、横軸を第２の強磁性層を形成するＣｏＦｅ
層の厚みＸとし、縦軸を抵抗変化率Ｄｒ／ｒとして特性
値をプロットしたものである。図３は、横軸を第２の強
磁性層を形成するＣｏＦｅ層の厚みＸとし、縦軸を磁気
抵抗変化Ｄｒ［Ω／□］として特性値をプロットしたも
のである。図２および図３の場合、センサ部３０の詳細
な構成は、「Ｎｉ60Ｃｒ40（５．５ｎｍ厚）／ＮｉＦｅ
（Ｙｎｍ厚）／ＣｏＦｅ（Ｘｎｍ厚）／Ｃｕ（１．８ｎ
ｍ厚）／ＣｏＦｅ（１．８ｎｍ厚）／Ｒｕ（０．７５ｎ
ｍ厚）／ＣｏＦｅ（２．３ｎｍ厚）／ＭｎＰｔ（１５ｎ
ｍ厚）／Ｎｉ60Ｃｒ40」である。なお、フリー層７（す
なわち、Ｙｎｍ厚のＮｉＦｅ層とＸｎｍ厚のＣｏＦｅ層
とを合わせた全体）の磁気モーメントは、厚み３．７ｎ
ｍのＮｉＦｅ層の磁気モーメントとほぼ同等である。図
２，図３に示したように、第２の強磁性層であるＣｏＦ
ｅ層の厚みＸが０．５ｎｍ未満の場合、抵抗変化率Ｄｒ
／ｒおよび磁気抵抗変化Ｄｒは共に急激な変化を示す。
しかし、第２の強磁性層であるＣｏＦｅ層の厚みＸが
０．５ｎｍ〜２．０ｎｍの場合には、抵抗変化率Ｄｒ／
ｒおよび磁気抵抗変化Ｄｒの変化は共に緩やかである。
いて、抵抗変化率Ｄｒ／ｒおよび磁気抵抗Ｄｒの、フリ
ー層７を構成する第２の強磁性層の厚み依存性を調査し
た。図２は、横軸を第２の強磁性層を形成するＣｏＦｅ
層の厚みＸとし、縦軸を抵抗変化率Ｄｒ／ｒとして特性
値をプロットしたものである。図３は、横軸を第２の強
磁性層を形成するＣｏＦｅ層の厚みＸとし、縦軸を磁気
抵抗変化Ｄｒ［Ω／□］として特性値をプロットしたも
のである。図２および図３の場合、センサ部３０の詳細
な構成は、「Ｎｉ60Ｃｒ40（５．５ｎｍ厚）／ＮｉＦｅ
（Ｙｎｍ厚）／ＣｏＦｅ（Ｘｎｍ厚）／Ｃｕ（１．８ｎ
ｍ厚）／ＣｏＦｅ（１．８ｎｍ厚）／Ｒｕ（０．７５ｎ
ｍ厚）／ＣｏＦｅ（２．３ｎｍ厚）／ＭｎＰｔ（１５ｎ
ｍ厚）／Ｎｉ60Ｃｒ40」である。なお、フリー層７（す
なわち、Ｙｎｍ厚のＮｉＦｅ層とＸｎｍ厚のＣｏＦｅ層
とを合わせた全体）の磁気モーメントは、厚み３．７ｎ
ｍのＮｉＦｅ層の磁気モーメントとほぼ同等である。図
２，図３に示したように、第２の強磁性層であるＣｏＦ
ｅ層の厚みＸが０．５ｎｍ未満の場合、抵抗変化率Ｄｒ
／ｒおよび磁気抵抗変化Ｄｒは共に急激な変化を示す。
しかし、第２の強磁性層であるＣｏＦｅ層の厚みＸが
０．５ｎｍ〜２．０ｎｍの場合には、抵抗変化率Ｄｒ／
ｒおよび磁気抵抗変化Ｄｒの変化は共に緩やかである。
【００５６】表３に、本実施の形態のＳＶＭＲヘッドの
製造方法に基づいて形成されたＳＶＭＲヘッドから得ら
れた諸物理特性を示すものである。
製造方法に基づいて形成されたＳＶＭＲヘッドから得ら
れた諸物理特性を示すものである。
【００５７】
【表３】
【００５８】Ｓ３１は、本発明に関連する米国特許出願
（整理番号ＨＴ９９−０３１）の明細書中に記載され
た、ルテニウムからなる緩衝層上にＣｏＦｅからなるフ
リー層を備えたＳＶＭＲヘッドのサンプルであり、比較
例として表３に示した。Ｓ３２〜Ｓ３４は、全て本実施
の形態のＳＶＭＲヘッドのサンプルであり、いずれも
「ルテニウム／銅」の２層の緩衝層４と、その緩衝層４
上に形成される「ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅ」からなる２層の
フリー層とを備えている。
（整理番号ＨＴ９９−０３１）の明細書中に記載され
た、ルテニウムからなる緩衝層上にＣｏＦｅからなるフ
リー層を備えたＳＶＭＲヘッドのサンプルであり、比較
例として表３に示した。Ｓ３２〜Ｓ３４は、全て本実施
の形態のＳＶＭＲヘッドのサンプルであり、いずれも
「ルテニウム／銅」の２層の緩衝層４と、その緩衝層４
上に形成される「ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅ」からなる２層の
フリー層とを備えている。
【００５９】表３に示したように、Ｓ３１と、Ｓ３２〜
Ｓ３４とを比較すると、磁気抵抗変化Ｄｒについてはほ
とんど同等の値である。しかし、磁歪定数λｓについて
は、Ｓ３１の４．８×１０-6に対し、Ｓ３２〜Ｓ３４で
は１．８〜２．２×１０-6と、小さな正の値を示してい
る。このことは、ＳＶＭＲヘッドとして非常に有利であ
る。さらに、層間結合磁界Ｈｅは、Ｓ３２〜Ｓ３４では
負の値を示している。Ｓ３２〜Ｓ３４では、センサの安
定性、すなわち、ＳｙＡＰ層１２における磁化方向の安
定性を得るため、ＳｙＡＰ層１２を「ＣｏＦｅ（１．９
ｎｍ厚）／ルテニウム（０．７５ｎｍ厚）／ＣｏＦｅ
（２．１ｎｍ厚）」という構成にし、ＡＰ１（すなわ
ち、１．９ｎｍ厚のＣｏＦｅ層）がＡＰ２（すなわち、
２．１ｎｍ厚のＣｏＦｅ層）よりも僅かに薄くなるよう
にしている。層間結合磁界Ｈｅと、フリー層７とＳｙＡ
Ｐ層１２とを隔てる銅の非磁性層１０の厚みとの間には
相関があり、銅の非磁性層１０の厚みを厚く、あるいは
薄くすることにより層間結合磁界Ｈｅを正の値とするこ
とができる。その場合には、例えば、ＳｙＡＰ層１２を
「ＣｏＦｅ（２．１ｎｍ厚）／ルテニウム（０．７５ｎ
ｍ厚）／ＣｏＦｅ（１．９ｎｍ厚）」という構成にし、
ＡＰ１（すなわち、２．１ｎｍ厚のＣｏＦｅ層）がＡＰ
２（すなわち、１．９ｎｍ厚のＣｏＦｅ層）よりも僅か
に厚くなるようにする必要がある。
Ｓ３４とを比較すると、磁気抵抗変化Ｄｒについてはほ
とんど同等の値である。しかし、磁歪定数λｓについて
は、Ｓ３１の４．８×１０-6に対し、Ｓ３２〜Ｓ３４で
は１．８〜２．２×１０-6と、小さな正の値を示してい
る。このことは、ＳＶＭＲヘッドとして非常に有利であ
る。さらに、層間結合磁界Ｈｅは、Ｓ３２〜Ｓ３４では
負の値を示している。Ｓ３２〜Ｓ３４では、センサの安
定性、すなわち、ＳｙＡＰ層１２における磁化方向の安
定性を得るため、ＳｙＡＰ層１２を「ＣｏＦｅ（１．９
ｎｍ厚）／ルテニウム（０．７５ｎｍ厚）／ＣｏＦｅ
（２．１ｎｍ厚）」という構成にし、ＡＰ１（すなわ
ち、１．９ｎｍ厚のＣｏＦｅ層）がＡＰ２（すなわち、
２．１ｎｍ厚のＣｏＦｅ層）よりも僅かに薄くなるよう
にしている。層間結合磁界Ｈｅと、フリー層７とＳｙＡ
Ｐ層１２とを隔てる銅の非磁性層１０の厚みとの間には
相関があり、銅の非磁性層１０の厚みを厚く、あるいは
薄くすることにより層間結合磁界Ｈｅを正の値とするこ
とができる。その場合には、例えば、ＳｙＡＰ層１２を
「ＣｏＦｅ（２．１ｎｍ厚）／ルテニウム（０．７５ｎ
ｍ厚）／ＣｏＦｅ（１．９ｎｍ厚）」という構成にし、
ＡＰ１（すなわち、２．１ｎｍ厚のＣｏＦｅ層）がＡＰ
２（すなわち、１．９ｎｍ厚のＣｏＦｅ層）よりも僅か
に厚くなるようにする必要がある。
【００６０】以上、説明したように、本実施の形態のＳ
ＶＭＲヘッドおよびその製造方法によれば、以下に挙げ
る効果が得られる。
ＶＭＲヘッドおよびその製造方法によれば、以下に挙げ
る効果が得られる。
【００６１】（１）ルテニウムからなる緩衝層（ＢＣ
Ｌ）および銅からなる緩衝層（ＨＣＬ）を適用したこと
により、完全反射を促進させ、全体の厚みが１．５ｎｍ
以上２．０ｎｍ以下であるコバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）
からなる極薄のフリー層７が使用できるようになる。
Ｌ）および銅からなる緩衝層（ＨＣＬ）を適用したこと
により、完全反射を促進させ、全体の厚みが１．５ｎｍ
以上２．０ｎｍ以下であるコバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）
からなる極薄のフリー層７が使用できるようになる。
【００６２】（２）「ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅ」の複合層か
らなるフリー層７の磁気抵抗変化Ｄｒは、本発明に関連
する米国特許出願（整理番号ＨＴ９９−０３１）の明細
書中に記載された、ルテニウムからなる緩衝層（ＢＣ
Ｌ）上にＣｏＦｅからなるフリー層を備えたＳＶＭＲヘ
ッドの磁気抵抗変化Ｄｒと同等の値を示す。
らなるフリー層７の磁気抵抗変化Ｄｒは、本発明に関連
する米国特許出願（整理番号ＨＴ９９−０３１）の明細
書中に記載された、ルテニウムからなる緩衝層（ＢＣ
Ｌ）上にＣｏＦｅからなるフリー層を備えたＳＶＭＲヘ
ッドの磁気抵抗変化Ｄｒと同等の値を示す。
【００６３】（３）極薄のフリー層７とすることによ
り、磁歪定数λｓを１．０-6以上２．２-6以下とするこ
とができる。
り、磁歪定数λｓを１．０-6以上２．２-6以下とするこ
とができる。
【００６４】（４）センサ部３０の両側に縦バイアス層
１８を設け、さらに縦バイアス層１８を覆ってセンサ部
３０を中央として対称的に拡がるように導電性リードオ
ーバーレイ層２０を設けたことにより、出力振幅および
センサ部３０の検出性能の安定性を改善できる。
１８を設け、さらに縦バイアス層１８を覆ってセンサ部
３０を中央として対称的に拡がるように導電性リードオ
ーバーレイ層２０を設けたことにより、出力振幅および
センサ部３０の検出性能の安定性を改善できる。
【００６５】以上のように、本実施の形態によれば、例
えば、「ルテニウム／銅／ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅ」で示さ
れる緩衝層４およびフリー層７の積層構造を有するの
で、伝導電子を完全反射することができる。このような
完全反射は、ＧＭＲ効果のスピン依存散乱と調和し（上
向きスピンをもった電子と下向きスピンを持った電子と
の平均自由行程の差を維持し）、磁気抵抗変化率（Ｄｒ
／ｒ）を増大させる。これにより、センサ部３０は、よ
り高記録密度化された記録媒体からの微弱な信号磁界を
感知することが可能となる。さらに、フリー層７は、優
れた熱安定性を有し、非常に好ましい磁気特性を示す。
特に、軟磁性特性の改善による信号磁界の感度向上の信
頼性が得られる。
えば、「ルテニウム／銅／ＮｉＦｅ／ＣｏＦｅ」で示さ
れる緩衝層４およびフリー層７の積層構造を有するの
で、伝導電子を完全反射することができる。このような
完全反射は、ＧＭＲ効果のスピン依存散乱と調和し（上
向きスピンをもった電子と下向きスピンを持った電子と
の平均自由行程の差を維持し）、磁気抵抗変化率（Ｄｒ
／ｒ）を増大させる。これにより、センサ部３０は、よ
り高記録密度化された記録媒体からの微弱な信号磁界を
感知することが可能となる。さらに、フリー層７は、優
れた熱安定性を有し、非常に好ましい磁気特性を示す。
特に、軟磁性特性の改善による信号磁界の感度向上の信
頼性が得られる。
【００６６】さらに、本実施の形態のＳＶＭＲヘッドで
は、「ＣｏＦｅ／ルテニウム／ＣｏＦｅ」という３層構
造からなるＳｙＡＰ層１２を備えており、このＳｙＡＰ
層１２の磁化方向はアニール処理によって一定方向に固
定される。このため、製造後のＳｙＡＰ層１２における
磁化方向の変動がなく安定している。さらにまた、固定
作用層２５がＭｎＰｔからなるので、高ブロッキング温
度、高交換バイアス磁界および優れた耐食性という特性
が得られる。
は、「ＣｏＦｅ／ルテニウム／ＣｏＦｅ」という３層構
造からなるＳｙＡＰ層１２を備えており、このＳｙＡＰ
層１２の磁化方向はアニール処理によって一定方向に固
定される。このため、製造後のＳｙＡＰ層１２における
磁化方向の変動がなく安定している。さらにまた、固定
作用層２５がＭｎＰｔからなるので、高ブロッキング温
度、高交換バイアス磁界および優れた耐食性という特性
が得られる。
【００６７】以上、実施の形態を挙げて本発明を説明し
たが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではな
く、種々変形可能である。例えば、上部実施の形態にお
いて説明したＳＶＭＲヘッドの構成や製造方法に関する
詳細な部分については、必ずしもこれに限定されるもの
ではなく、各請求項に記載した範囲において製造方法、
材料、構造および寸法において変更可能である。
たが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではな
く、種々変形可能である。例えば、上部実施の形態にお
いて説明したＳＶＭＲヘッドの構成や製造方法に関する
詳細な部分については、必ずしもこれに限定されるもの
ではなく、各請求項に記載した範囲において製造方法、
材料、構造および寸法において変更可能である。
【００６８】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１ないし請
求項１９のいずれか１項に記載のスピンバルブ型磁気抵
抗効果再生ヘッドの製造方法または請求項２０ないし請
求項３８のいずれか１項に記載のスピンバルブ型磁気抵
抗効果再生ヘッドによれば、強磁性材料の積層構造を有
するフリー層と、このフリー層との間で結晶学的整合性
を有し、伝導電子を完全反射させる材料からなる緩衝層
とを備えるようにしたので、フリー層の厚みを低減して
も磁気抵抗変化率を増大させることができる。これによ
り、より高記録密度化された記録媒体からの微弱な信号
磁界を感知することが可能となる。さらに、縦バイアス
層と導電性リードオーバーレイ層とを備えるようにした
ので、出力振幅およびセンサ部における検出性能の安定
性を改善できる。
求項１９のいずれか１項に記載のスピンバルブ型磁気抵
抗効果再生ヘッドの製造方法または請求項２０ないし請
求項３８のいずれか１項に記載のスピンバルブ型磁気抵
抗効果再生ヘッドによれば、強磁性材料の積層構造を有
するフリー層と、このフリー層との間で結晶学的整合性
を有し、伝導電子を完全反射させる材料からなる緩衝層
とを備えるようにしたので、フリー層の厚みを低減して
も磁気抵抗変化率を増大させることができる。これによ
り、より高記録密度化された記録媒体からの微弱な信号
磁界を感知することが可能となる。さらに、縦バイアス
層と導電性リードオーバーレイ層とを備えるようにした
ので、出力振幅およびセンサ部における検出性能の安定
性を改善できる。
【００６９】特に、請求項１０ないし請求項１４のいず
れか１項に記載のスピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッ
ドの製造方法、または請求項２９ないし請求項３３のい
ずれか１項に記載のスピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘ
ッドによれば、第１の反平行強磁性層とスペーサ層と第
２の反平行強磁性層とが順に積層されたシンセティック
反強磁性被固定層を備えており、このシンセティック反
強磁性被固定層の磁化方向は一定方向に固定されてい
る。このため、磁化方向の変動がなく安定した磁気特性
を得ることができる。
れか１項に記載のスピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッ
ドの製造方法、または請求項２９ないし請求項３３のい
ずれか１項に記載のスピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘ
ッドによれば、第１の反平行強磁性層とスペーサ層と第
２の反平行強磁性層とが順に積層されたシンセティック
反強磁性被固定層を備えており、このシンセティック反
強磁性被固定層の磁化方向は一定方向に固定されてい
る。このため、磁化方向の変動がなく安定した磁気特性
を得ることができる。
【００７０】さらに、請求項１５に記載のスピンバルブ
型磁気抵抗効果再生ヘッドの製造方法、または請求項３
４に記載のスピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッドによ
れば、固定作用層がマンガン白金合金層からなるので、
高ブロッキング温度、高交換バイアス磁界および優れた
耐食性という特性が得られる。
型磁気抵抗効果再生ヘッドの製造方法、または請求項３
４に記載のスピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッドによ
れば、固定作用層がマンガン白金合金層からなるので、
高ブロッキング温度、高交換バイアス磁界および優れた
耐食性という特性が得られる。
【図１】本発明の一実施の形態に係るスピンバルブ構造
の断面構成を説明するための断面図である。
の断面構成を説明するための断面図である。
【図２】図１のスピンバルブ構造における抵抗変化率の
フリー層の厚み依存性を示す特性図である。
フリー層の厚み依存性を示す特性図である。
【図３】図１のスピンバルブ構造における磁気抵抗変化
のフリー層の厚み依存性を示す特性図である。
のフリー層の厚み依存性を示す特性図である。
２…下部基体、３…シード層、４…緩衝層、７…フリー
層、１０…非磁性層、１２…シンセティック反強磁性被
固定層（ＳｙＡＰ層）、１８…縦バイアス層、２０…導
電性リードオーバーレイ層、２５…固定作用層、３０…
センサ部。
層、１０…非磁性層、１２…シンセティック反強磁性被
固定層（ＳｙＡＰ層）、１８…縦バイアス層、２０…導
電性リードオーバーレイ層、２５…固定作用層、３０…
センサ部。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 茹瑛 童
アメリカ合衆国 カリフォルニア州
95130 サンノゼ レバイン ドライブ
2433
(72)発明者 民 李
アメリカ合衆国 カリフォルニア州
94538 フレモント ショー コート
40469
Ｆターム(参考） 5D034 BA02 BA03 BA04 BA05 BA11
BA12 CA04 CA08 DA07
5E049 AA01 AA04 AA07 BA12 DB12
Claims (38)
- 【請求項１】 伝導電子を完全反射し、超高記録密度に
対応したスピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッドの製造
方法であって、 下部基体上に、信号磁界を感知する積層構造のフリー層
を備えたセンサ部を形成する第１の工程と、 前記センサ部の両側に、縦バイアス層を形成する第２の
工程と、 前記縦バイアス層を覆って前記センサ部を中央として対
称的に延在するように導電性リードオーバーレイ層を形
成し、前記センサ部におけるトラック幅に対応する幅を
規定する第３工程とを含み、 前記第１の工程は、 シード層を形成する第４の工程と、 このシード層上に、前記フリー層との間で結晶学的整合
性を有し、伝導電子を完全反射させる材料により緩衝層
を形成する第５の工程と、 この緩衝層上に、磁気的に自由な層として機能する前記
フリー層を、強磁性材料を積層して形成する第６の工程
と、 このフリー層上に、非磁性材料を用いて非磁性層を形成
する第７の工程と、 この非磁性層上に、シンセティック反強磁性被固定層を
形成する第８の工程と、 このシンセティック反強磁性被固定層上に、固定作用層
を形成する第９の工程と、 この固定作用層上に、保護層を形成する第１０の工程と
を含むことを特徴とするスピンバルブ型磁気抵抗効果再
生ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】 前記第６の工程において、 第１の強磁性層と第２の強磁性層とを順に積層するステ
ップを含むことにより前記フリー層を形成することを特
徴とする請求項１に記載のスピンバルブ型磁気抵抗効果
再生ヘッドの製造方法。 - 【請求項３】 前記第６の工程において、 少なくともニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）を用いて、１ｎ
ｍ以上１．６ｎｍ以下の厚みとなるように前記第１の強
磁性層を形成することを特徴とする請求項２に記載のス
ピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッドの製造方法。 - 【請求項４】 前記第６の工程において、 少なくともコバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）を用いて、１ｎ
ｍ以上１．６ｎｍ以下の厚みとなるように前記第２の強
磁性層を形成することを特徴とする請求項２に記載のス
ピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッドの製造方法。 - 【請求項５】 前記第５の工程において、 前記第１の強磁性層との間で結晶学的整合性を有する第
１の層と、 前記第２の強磁性層との間で結晶学的整合性を有する第
２の層とを含むように前記緩衝層を形成することを特徴
とする請求項１に記載のスピンバルブ型磁気抵抗効果再
生ヘッドの製造方法。 - 【請求項６】 前記第５の工程において、 少なくともルテニウム（Ｒｕ）を用いて０．４ｎｍ以上
０．６ｎｍ以下の厚みを有するように前記第１の層を形
成し、 少なくとも銅（Ｃｕ）を用いて０．４ｎｍ以上０．６ｎ
ｍ以下の厚みを有するように前記第２の層を形成するこ
とを特徴とする請求項５に記載のスピンバルブ型磁気抵
抗効果再生ヘッドの製造方法。 - 【請求項７】 前記第７の工程において、 前記フリー層とシンセティック反強磁性被固定層とが、
磁気的に交換結合をおこなうように前記非磁性層を形成
することを特徴とする請求項１に記載のスピンバルブ型
磁気抵抗効果再生ヘッドの製造方法。 - 【請求項８】 前記第７の工程において、 層間結合磁界の信号および大きさを制御可能な厚みを有
するように前記非磁性層を形成することを特徴とする請
求項７に記載のスピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッド
の製造方法。 - 【請求項９】 前記第７の工程において、 銅（Ｃｕ）を用いて、１．６ｎｍ以上２．２ｎｍ以下の
厚みとなるように前記非磁性層を形成することを特徴と
する請求項８に記載のスピンバルブ型磁気抵抗効果再生
ヘッドの製造方法。 - 【請求項１０】 前記第８の工程において、 第１の反平行強磁性層と、スペーサ層と、第２の反平行
強磁性層とを順に積層し、前記第１の反平行強磁性層と
前記第２の反平行強磁性層とが前記スペーサ層を介して
交換結合するように前記シンセティック反強磁性被固定
層を形成することを特徴とする請求項１に記載のスピン
バルブ型磁気抵抗効果再生ヘッドの製造方法。 - 【請求項１１】 前記第８の工程において、前記第１の
反平行強磁性層の厚みは前記第２の反平行強磁性層の厚
みよりも大きくなるように形成することを特徴とする請
求項１０に記載のスピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッ
ドの製造方法。 - 【請求項１２】 前記第８の工程において、前記第１の
反平行強磁性層の厚みは前記第２の反平行強磁性層の厚
みよりも小さくなるように形成することを特徴とする請
求項１０に記載のスピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッ
ドの製造方法。 - 【請求項１３】 前記第８の工程において、 コバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）を用いて、１．５ｎｍを超
えて２ｎｍ以下の厚みとなるように前記第１の反平行強
磁性層を形成し、 ルテニウム（Ｒｕ）を用いて、０．７ｎｍ以上０．８ｎ
ｍ以下の厚みとなるようにスペーサ層を形成し、 さらに、コバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）を用いて、１．５
ｎｍ以上２ｎｍ未満の厚み範囲で前記第１の反平行強磁
性層の厚みよりも薄くなるように前記第２の反平行強磁
性層を形成することを特徴とする請求項１０に記載のス
ピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッドの製造方法。 - 【請求項１４】 前記第８の工程において、コバルト鉄
合金（ＣｏＦｅ）を用いて、１．６ｎｍ以上２ｎｍ以下
の厚みとなるように前記第１の反平行強磁性層を形成
し、 ルテニウム（Ｒｕ）を用いて、０．７ｎｍ以上０．８ｎ
ｍ以下の厚みとなるように前記スペーサ層を形成し、 さらに、コバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）を用いて、１．８
ｎｍ以上２．１ｎｍ以下の厚み範囲で前記第１の反平行
強磁性層よりも厚くなるように前記第２の反平行強磁性
層を形成することを特徴とする請求項１０に記載のスピ
ンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッドの製造方法。 - 【請求項１５】 前記第９の工程において、 マンガン白金合金（ＭｎＰｔ）を用いて、１０ｎｍ以上
２０ｎｍ以下の厚みとなるように前記固定作用層を形成
することを特徴とする請求項１に記載のスピンバルブ型
磁気抵抗効果再生ヘッドの製造方法。 - 【請求項１６】 前記第１０の工程において、 ニッケルクロム合金（ＮｉＣｒ）およびタンタル（Ｔ
ａ）のうちの少なくとも一種を用いて、２ｎｍ以上３ｎ
ｍ以下の厚みとなるように前記保護層を形成することを
特徴とする請求項１に記載のスピンバルブ型磁気抵抗効
果再生ヘッドの製造方法。 - 【請求項１７】 前記第２の工程において、 高保磁力を有する磁性材料を用いて前記縦バイアス層を
形成することを特徴とする請求項１に記載のスピンバル
ブ型磁気抵抗効果再生ヘッドの製造方法。 - 【請求項１８】 前記第２の工程において、 少なくともコバルト白金クロム合金（ＣｏＰｔＣｒ）を
用いて、１５ｎｍ以上２５ｎｍ以下の厚みとなるように
前記縦バイアス層を形成することを特徴とする請求項１
７に記載のスピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッドの製
造方法。 - 【請求項１９】 前記第３の工程において、 ５ｎｍの厚みのタンタル層と、２５ｎｍの厚みの金の層
と、５ｎｍの厚みのタンタル層とを順に積層し、全体で
３５ｎｍの厚みとなるように前記導電性リードオーバー
レイ層を形成することを特徴とする請求項１に記載のス
ピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッドの製造方法。 - 【請求項２０】 伝導電子を完全反射し、超高記録密度
に対応したスピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッドであ
って、 積層構造からなり、信号磁界を感知するフリー層を備え
たセンサ部と、 このセンサ部分の両側に延在する硬質磁性材料よりなる
縦バイアス層と、 この縦バイアス層を覆って前記センサ部を中央として対
称的に延在し、前記センサ部におけるトラック幅に対応
する幅を規定する導電性リードオーバーレイ層とを含
み、前記センサ部は、 シード層と、前記フリー層との間で結晶学的整合性を有
し、伝導電子を完全反射させる材料よりなる緩衝層と、
強磁性材料の積層構造を有する前記フリー層と、非磁性
材料よりなる非磁性層と、積層構造を有するシンセティ
ック反強磁性被固定層と、反強磁性材料よりなる固定作
用層と、保護層とがこの順に積層された積層構造を含む
ことを特徴とするスピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッ
ド。 - 【請求項２１】 前記フリー層は、第１の強磁性層と第
２の強磁性層とを含み、前記緩衝層の側からこの順に積
層されていることを特徴とする請求項２０に記載のスピ
ンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッド。 - 【請求項２２】 前記第１の強磁性層は、ニッケル鉄合
金（ＮｉＦｅ）よりなり、１ｎｍ以上１．６ｎｍ以下の
厚みを有することを特徴とする請求項２１に記載のスピ
ンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッド。 - 【請求項２３】 前記第２の強磁性層は、コバルト鉄合
金（ＣｏＦｅ）よりなり、１ｎｍ以上１．６ｎｍ以下の
厚みを有することを特徴とする請求項２１に記載のスピ
ンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッド。 - 【請求項２４】 前記緩衝層は、 前記第１の強磁性層との間で結晶学的整合性を有する第
１の層と、 前記第２の強磁性層との間で結晶学的整合性を有する第
２の層とを含むことを特徴とする請求項２０に記載のス
ピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッド。 - 【請求項２５】 前記第１の層は、ルテニウム（Ｒｕ）
よりなり、０．４ｎｍ以上０．６ｎｍ以下の厚みを有
し、 前記第２の層は、銅（Ｃｕ）よりなり、０．４ｎｍ以上
０．６ｎｍ以下の厚みを有することを特徴とする請求項
２４に記載のスピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッド。 - 【請求項２６】 前記非磁性層は、 前記強磁性フリー層とシンセティック反強磁性被固定層
とを磁気的に交換結合させる機能を有することを特徴と
する請求項２０に記載のスピンバルブ型磁気抵抗効果再
生ヘッド。 - 【請求項２７】 前記非磁性層は、層間結合磁界の信号
および大きさを制御する機能を有することを特徴とする
請求項２６に記載のスピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘ
ッド。 - 【請求項２８】 前記非磁性層は、銅（Ｃｕ）よりな
り、１．６ｎｍ以上２．２ｎｍ以下の厚みを有すること
を特徴とする請求項２７に記載のスピンバルブ型磁気抵
抗効果再生ヘッド。 - 【請求項２９】 前記シンセティック反強磁性被固定層
は、 第１の反平行強磁性層と、非磁性材料よりなるスペーサ
層と、第２の反平行強磁性層とが順に積層された構造を
含み、 前記スペーサ層を介して前記第１および第２の反平行強
磁性層が互いに交換結合していることを特徴とする請求
項２０に記載のスピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッ
ド。 - 【請求項３０】 前記第１の反平行強磁性層の厚みは、
前記第２の反平行強磁性層の厚みよりも大きいことを特
徴とする請求項２９に記載のスピンバルブ型磁気抵抗効
果再生ヘッド。 - 【請求項３１】 前記第１の反平行強磁性層の厚みは、
前記第２の反平行強磁性層の厚みよりも小さいことを特
徴とする請求項２９に記載のスピンバルブ型磁気抵抗効
果再生ヘッド。 - 【請求項３２】 前記第１の反平行強磁性層は、コバル
ト鉄合金（ＣｏＦｅ）よりなり、１．５ｎｍを超えて２
ｎｍ以下の厚みを有し、 前記スペーサ層は、ルテニウム（Ｒｕ）よりなり、０．
７ｎｍ以上０．８ｎｍ以下の厚みを有し、 前記第２の反平行強磁性層は、コバルト鉄合金（ＣｏＦ
ｅ）よりなり、１．５ｎｍ以上２ｎｍ未満の範囲内で前
記第１の反平行強磁性層の厚みよりも薄い厚みを有する
ことを特徴とする請求項３０に記載のスピンバルブ型磁
気抵抗効果再生ヘッド。 - 【請求項３３】 前記第１の反平行強磁性層は、コバル
ト鉄合金（ＣｏＦｅ）よりなり、１．６ｎｍ以上２ｎｍ
以下の厚みを有し、 前記スペーサ層は、ルテニウム（Ｒｕ）よりなり、０．
７ｎｍ以上０．８ｎｍ以下の厚みを有し、 前記第２の反平行強磁性層は、コバルト鉄合金（ＣｏＦ
ｅ）よりなり、１．８ｎｍ以上２．１ｎｍ以下の範囲内
で前記第１の反平行強磁性層の厚みを越える厚みを有す
ることを特徴とする請求項３１に記載のスピンバルブ型
磁気抵抗効果再生ヘッド。 - 【請求項３４】 前記固定作用層は、マンガン白金合金
（ＭｎＰｔ）よりなり、１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下の厚
みを有することを特徴とする請求項２０に記載のスピン
バルブ型磁気抵抗効果再生ヘッド。 - 【請求項３５】 前記保護層は、ニッケルクロム合金
（ＮｉＣｒ）およびタンタル（Ｔａ）のうちの少なくと
も一種からなり、２ｎｍ以上３ｎｍ以下の厚みを有する
ことを特徴とする請求項２０に記載のスピンバルブ型磁
気抵抗効果再生ヘッド。 - 【請求項３６】 前記縦バイアス層は、高保磁力を有す
る磁性材料からなることを特徴とする請求項２０に記載
のスピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッド。 - 【請求項３７】 前記縦バイアス層は、少なくともコバ
ルト白金クロム合金（ＣｏＰｔＣｒ）を含み、１５ｎｍ
以上２５ｎｍ以下の厚みを有することを特徴とする請求
項３６に記載のスピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッ
ド。 - 【請求項３８】 前記導電性リードオーバーレイ層は、 ５ｎｍの厚みを有するタンタル（Ｔａ）層と、２５ｎｍ
の厚みを有する金（Ａｕ）層と、５ｎｍの厚みを有する
タンタル（Ｔａ）層とが順に積層された構造であり、全
体で３５０ｎｍの厚みを有することを特徴とする請求項
２０に記載のスピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッド。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| US09/839,960 US6614630B2 (en) | 2001-04-23 | 2001-04-23 | Top spin valve heads for ultra-high recording density |
| US09/839960 | 2001-04-23 |
Publications (2)
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|---|---|
| JP2003045011A true JP2003045011A (ja) | 2003-02-14 |
| JP4794109B2 JP4794109B2 (ja) | 2011-10-19 |
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|---|---|---|---|
| JP2002119283A Expired - Fee Related JP4794109B2 (ja) | 2001-04-23 | 2002-04-22 | スピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッドおよびその製造方法 |
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| JP (1) | JP4794109B2 (ja) |
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