JP2005328064A - 磁気抵抗効果素子およびその形成方法、薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 MR素子1におけるフリー層20は、鉄含有率が20at%以上のコバルト鉄合金(CoFe)からなるCoFe層21と、鉄含有率が15at%〜20at%のニッケル鉄合金(NiFe)からなるNiFe層22とがスペーサ層16の側から順に積層されたものである。CoFe層21は例えば0.5nm以上1.5nm以下の厚みを有している。一方、NiFe層22は例えば1.5nm以上5.0nm以下の厚みを有している。これにより、フリー層20の磁歪定数λは+1×10-6以上+3×10-6以下となり、フリー層20の保磁力Hcは5×(250/π)A/m以上10×(250/π)A/m以下となる。この結果、より大きな抵抗変化率ΔR/Rを確保することができる。
【選択図】 図1
Description
(1)より高い抵抗変化率を発現すること。
(2)より低い保磁力を示すフリー層を有すること(フリー層が良好な軟磁性を示すこと)。
(3)低い正の磁歪定数を示すフリー層を有すること。
(A)下部リード層を用意する工程。
(B)下部リード層の上にシード層とピンニング層とを順に形成する工程。
(C)ピンニング層の上に第2の磁化固着層を形成する工程。
(D)第2の磁化固着層の上に結合層を形成する工程。
(E)結合層の上に第1の磁化固着層を形成する工程。
(F)第1の磁化固着層の上に、銅(Cu)からなる非磁性介在層を形成する工程。
(G)非磁性介在層の上に、鉄の含有率が20原子パーセント(at%)以上のコバルト鉄合金(CoFe)からなるコバルト鉄合金層およびニッケル鉄合金(NiFe)からなるニッケル鉄合金層を順に積層し、1×10-6以上3×10-6以下の磁歪定数を示すように磁化自由層を形成する工程。
(H)磁化自由層の上に、下部リード層と共に積層面と直交する方向へセンス電流を供給する電流経路となる上部リード層を形成する工程。
(a)下部リード層を用意する工程。
(b)下部リード層の上にシード層とピンニング層とを順に形成する工程。
(c)ピンニング層の上に第2の磁化固着層を形成する工程。
(d)第2の磁化固着層の上に結合層を形成する工程。
(e)結合層の上に第1の磁化固着層を形成する工程。
(f)第1の磁化固着層の上に、銅(Cu)からなる非磁性介在層を形成する工程。
(g)非磁性介在層の上に、ニッケル鉄合金(NiFe)からなるニッケル鉄合金層および鉄の含有率が20原子パーセント(at%)以上のコバルト鉄合金(CoFe)からなるコバルト鉄合金層を順に積層し、1×10-6以上3×10-6以下の磁歪定数を示すように磁化自由層を形成する工程。
(h)磁化自由層の上に、下部リード層と共に積層面と直交する方向へセンス電流を供給する電流経路となる上部リード層を形成する工程。
Claims (41)
- 基体を用意する工程と、
前記基体上に、鉄の含有率が20原子パーセント(at%)以上のコバルト鉄合金(CoFe)からなるコバルト鉄合金層と、ニッケル鉄合金(NiFe)からなるニッケル鉄合金層とを順に積層することにより磁化自由層を形成する工程と
を含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子の形成方法。 - 非磁性介在層を形成する工程をさらに含み、
前記コバルト鉄合金層を前記非磁性介在層の上に形成するようにする
ことを特徴とする請求項1に記載の磁気抵抗効果素子の形成方法。 - 0.5nm以上1.5nm以下の厚みとなるように前記コバルト鉄合金層を形成する
ことを特徴とする請求項1に記載の磁気抵抗効果素子の形成方法。 - 1.5nm以上5.0nm以下の厚みとなるように前記ニッケル鉄合金層を形成する
ことを特徴とする請求項1に記載の磁気抵抗効果素子の形成方法。 - 基体を用意する工程と、
前記基体上に、ニッケル鉄合金(NiFe)からなるニッケル鉄合金層と、鉄の含有率が20原子パーセント(at%)以上のコバルト鉄合金(CoFe)からなるコバルト鉄合金層とを順に積層することにより磁化自由層を形成する工程と
を含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子の形成方法。 - 非磁性介在層を形成する工程をさらに含み、
前記ニッケル鉄合金層を前記非磁性介在層の上に形成するようにする
ことを特徴とする請求項5に記載の磁気抵抗効果素子の形成方法。 - 1.5nm以上5.0nm以下の厚みとなるように前記ニッケル鉄合金層を形成する
ことを特徴とする請求項5に記載の磁気抵抗効果素子の形成方法。 - 0.5nm以上1.5nm以下の厚みとなるように前記コバルト鉄合金層を形成する
ことを特徴とする請求項5に記載の磁気抵抗効果素子の形成方法。 - 下部リード層を用意する工程と、
前記下部リード層の上にシード層とピンニング層とを順に形成する工程と、
前記ピンニング層の上に第2の磁化固着層を形成する工程と、
前記第2の磁化固着層の上に結合層を形成する工程と、
前記結合層の上に第1の磁化固着層を形成する工程と、
前記第1の磁化固着層の上に、銅(Cu)からなる非磁性介在層を形成する工程と、
前記非磁性介在層の上に、鉄の含有率が20原子パーセント(at%)以上のコバルト鉄合金(CoFe)からなるコバルト鉄合金層およびニッケル鉄合金(NiFe)からなるニッケル鉄合金層を順に積層し、1×10-6以上3×10-6以下の磁歪定数を示すように磁化自由層を形成する工程と、
前記磁化自由層の上に、前記下部リード層と共に積層面と直交する方向へセンス電流を供給する電流経路となる上部リード層を形成する工程と
を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - イリジウムマンガン合金(IrMn)を用いて4.5nm以上8.0nm以下の厚みをなすように前記ピンニング層を形成する
ことを特徴とする請求項9に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 1.5nm以上5.0nm以下の厚みとなるように前記ニッケル鉄合金層を形成する
ことを特徴とする請求項9に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 0.5nm以上1.5nm以下の厚みとなるように前記コバルト鉄合金層を形成する
ことを特徴とする請求項9に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 鉄の含有率が20原子パーセント(at%)以上30原子パーセント(at%)以下のコバルト鉄合金(CoFe)を用いて前記コバルト鉄合金層を形成する
ことを特徴とする請求項9に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 鉄の含有率が40原子パーセント(at%)以上60原子パーセント(at%)以下のコバルト鉄合金(CoFe)を用いて前記ニッケル鉄合金層を形成する
ことを特徴とする請求項9に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 鉄の含有率が70原子パーセント(at%)以上80原子パーセント(at%)以下のコバルト鉄合金(CoFe)を用いて前記ニッケル鉄合金層を形成する
ことを特徴とする請求項9に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 5×(250/π)A/m以上10×(250/π)A/m以下の保磁力となるように前記磁化自由層を形成する
ことを特徴とする請求項9に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 下部リード層を用意する工程と、
前記下部リード層の上にシード層とピンニング層とを順に形成する工程と、
前記ピンニング層の上に第2の磁化固着層を形成する工程と、
前記第2の磁化固着層の上に結合層を形成する工程と、
前記結合層の上に第1の磁化固着層を形成する工程と、
前記第1の磁化固着層の上に、銅(Cu)からなる非磁性介在層を形成する工程と、
前記非磁性介在層の上に、ニッケル鉄合金(NiFe)からなるニッケル鉄合金層および鉄の含有率が20原子パーセント(at%)以上のコバルト鉄合金(CoFe)からなるコバルト鉄合金層を順に積層し、1×10-6以上3×10-6以下の磁歪定数を示すように磁化自由層を形成する工程と、
前記磁化自由層の上に、前記下部リード層と共に積層面と直交する方向へセンス電流を供給する電流経路となる上部リード層を形成する工程と
を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - イリジウムマンガン合金(IrMn)を用いて4.5nm以上8.0nm以下の厚みをなすように前記ピンニング層を形成する
ことを特徴とする請求項17に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 鉄の含有率が20原子パーセント(at%)以上30原子パーセント(at%)以下のコバルト鉄合金(CoFe)を用いて前記コバルト鉄合金層を形成する
ことを特徴とする請求項17に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 鉄の含有率が40原子パーセント(at%)以上60原子パーセント(at%)以下のコバルト鉄合金(CoFe)を用いて前記コバルト鉄合金層を形成する
ことを特徴とする請求項17に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 鉄の含有率が70原子パーセント(at%)以上80原子パーセント(at%)以下のコバルト鉄合金(CoFe)を用いて前記コバルト鉄合金層を形成する
ことを特徴とする請求項17に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 1.5nm以上5.0nm以下の厚みとなるように前記ニッケル鉄合金層を形成する
ことを特徴とする請求項17に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 0.5nm以上1.5nm以下の厚みとなるように前記コバルト鉄合金層を形成する
ことを特徴とする請求項17に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 5×(250/π)A/m以上10×(250/π)A/m以下の保磁力となるように前記磁化自由層を形成する
ことを特徴とする請求項17に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 鉄の含有率が20原子パーセント(at%)以上のコバルト鉄合金(CoFe)からなるコバルト鉄合金層と、ニッケル鉄合金(NiFe)からなるニッケル鉄合金層とが順に積層されてなる磁化自由層を含む
ことを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 前記コバルト鉄合金層と接するように設けられた非磁性介在層をさらに含む
ことを特徴とする請求項25に記載の磁気抵抗効果素子。 - 前記ニッケル鉄合金層と接するように設けられた非磁性介在層をさらに含む
ことを特徴とする請求項25に記載の磁気抵抗効果素子。 - 前記ニッケル鉄合金層は1.5nm以上5.0nm以下の厚みを有する
ことを特徴とする請求項25に記載の磁気抵抗効果素子。 - 前記コバルト鉄合金層は0.5nm以上1.5nm以下の厚みを有する
ことを特徴とする請求項25に記載の磁気抵抗効果素子。 - 下部リード層と、
前記下部リード層の上に順に積層されたシード層およびピンニング層と、
前記ピンニング層の上に設けられた第2の磁化固着層と、
前記第2の磁化固着層の上に設けられた結合層と、
前記結合層の上に設けられた第1の磁化固着層と、
前記第1の磁化固着層の上に形成された銅(Cu)からなる非磁性介在層と、
前記非磁性介在層の上に、ニッケル鉄合金(NiFe)からなるニッケル鉄合金層と鉄の含有率が20原子パーセント(at%)以上のコバルト鉄合金(CoFe)からなるコバルト鉄合金層とが順に積層されてなり、かつ1×10-6以上3×10-6以下の磁歪定数を示す磁化自由層と、
前記磁化自由層の上に設けられ、前記下部リード層と共に積層面と直交する方向へセンス電流を供給する電流経路となる上部リード層と
を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 前記ピンニング層は、イリジウムマンガン合金(IrMn)からなり4.5nm以上8.0nm以下の厚みを有する
ことを特徴とする請求項30に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 前記コバルト鉄合金層は、鉄の含有率が20原子パーセント(at%)以上30原子パーセント(at%)以下のコバルト鉄合金(CoFe)からなる
ことを特徴とする請求項30に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 前記コバルト鉄合金層は、鉄の含有率が40原子パーセント(at%)以上60原子パーセント(at%)以下のコバルト鉄合金(CoFe)からなる
ことを特徴とする請求項30に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 前記コバルト鉄合金層は、鉄の含有率が70原子パーセント(at%)以上80原子パーセント(at%)以下のコバルト鉄合金(CoFe)からなる
ことを特徴とする請求項30に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 前記ニッケル鉄合金層は、1.5nm以上5.0nm以下の厚みを有する
ことを特徴とする請求項30に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 前記コバルト鉄合金層は、0.5nm以上1.5nm以下の厚みを有する
ことを特徴とする請求項30に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 前記磁化自由層の保磁力は5×(250/π)A/m以上10×(250/π)A/m以下である
ことを特徴とする請求項30に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 下部リード層と、
前記下部リード層の上に順に積層されたシード層およびピンニング層と、
前記ピンニング層の上に設けられた第2の磁化固着層と、
前記第2の磁化固着層の上に設けられた結合層と、
前記結合層の上に設けられた第1の磁化固着層と、
前記第1の磁化固着層の上に形成された銅(Cu)からなる非磁性介在層と、
前記非磁性介在層の上に、鉄の含有率が20原子パーセント(at%)以上のコバルト鉄合金(CoFe)からなるコバルト鉄合金層とニッケル鉄合金(NiFe)からなるニッケル鉄合金層とが順に積層されてなり、かつ1×10-6以上3×10-6以下の磁歪定数を示す磁化自由層と、
前記磁化自由層の上に設けられ、前記下部リード層と共に積層面と直交する方向へセンス電流を供給する電流経路となる上部リード層と
を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 前記ニッケル鉄合金層は、1.5nm以上5.0nm以下の厚みを有する
ことを特徴とする請求項38に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 前記コバルト鉄合金層は、0.5nm以上1.5nm以下の厚みを有する
ことを特徴とする請求項38に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 前記磁化自由層の保磁力は5×(250/π)A/m以上10×(250/π)A/m以下である
ことを特徴とする請求項38に記載の薄膜磁気ヘッド。
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