JP3849460B2 - 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサ、および磁気抵抗効果型磁気ヘッド - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、特に、いわゆるスピンバルブ構成による巨大磁気抵抗効果(GMR効果)による磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサ、および磁気抵抗効果型磁気ヘッドに係わる。
【0002】
【従来の技術】
磁気抵抗効果素子による磁気センサや、これを感磁部とする磁気ヘッドは、大きな線形密度で、例えば磁気記録媒体からの記録信号磁界を読み取る変換器として、広く一般に用いられている。
従来の通常一般の磁気抵抗効果素子は、その抵抗が、素子の磁化方向と素子中を流れるセンス電流の通電方向とのなす角度の余弦の2乗に比例して変化する異方性磁気抵抗効果を利用するものである。
【0003】
これに対し、最近では、センス電流の流れている素子の抵抗変化が、非磁性層を介する磁性層間での伝導電子のスピン依存性と異層界面でのスピン依存性散乱により発生する、GMR効果、なかんずくスピンバルブ効果による磁気抵抗効果を用いた磁気抵抗効果素子が用いられる方向にある。
このスピンバルブ効果による磁気抵抗効果を用いた磁気抵抗効果素子(以下SV型GMR素子という)は、異方性磁気抵抗効果におけるよりも抵抗変化が大きく、感度の高い磁気センサ、磁気ヘッドを構成することができる。
【0004】
ところで、磁気記録媒体における記録密度が、50Gb/inch2 程度までの記録密度においては、センス電流を薄膜面内方向とするいわゆるCIP(Current In-Plane) 構成を採ることができるが、更に高記録密度化されて、例えば100Gb/inch2 が要求されてくると、トラック幅が0.1μm程度が要求され、この場合、CIP構成では、現在の素子作製におけるパターニング技術として最新のドライプロセスを利用しても、このような素子の形成に限界があること、また、CIP構成では、低抵抗化の必要性から電流通路の断面積を大きくする必要があって、狭小なトラック幅とすることに限界がある。
【0005】
これに対してSV型GMR素子において、その膜面に対して垂直方向にセンス電流を通ずるCPP(Current Perpendicular to Plane:面垂直通電) 構成によるGMR素子の提案がなされている。
CPP型のMR素子としては、トンネル電流を利用したTMR素子が検討され、最近ではスピンバルブ素子あるいは多層膜型素子についての検討がなされている(例えば特表平11−509956号,特開2000−30222号,特開2000−228004号,第24回日本応用磁気学会講演概要集2000,p.427)。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
上述したようにCPP構成のMR素子は、膜面に垂直方向にセンス電流の通電を行うものであることから、従来の膜面に沿う方向を通電方向とするCIP構成のスピンバルブの膜構成への適用では充分な感度が得られない。これは、CIPにおいては、そのセンス電流が、主としてスピンバルブ型の膜構成における電気伝導層や、その界面に平行に流れることによって、その際に起こるスピン依存散乱による抵抗変化を利用しているのに対して、CPP構成とするときは、膜面に垂直方向を通電方向とすることからこの効果が有効に働かないことに因る。
【0007】
これに対してスピンバルブ構成における自由層を厚くすると、抵抗変化が改善されるという報告がある(上記日本応用磁気学会講演概要集参照)。
しかしながら、伝導電子がスピンを保存できる距離には限界があることから、自由層を厚くすることによる改善を充分に図ることができない。
更に、磁気ヘッドとしての感度を上げるには、自由層の飽和磁化Msと膜厚tの積、Ms×tの値を小さくする必要があることから、自由層の膜厚を大きくすることのみでは、現状では本質的な解決策となっていない。
【0008】
本発明は、CPP構成において、素子抵抗の増加を図って感度の高い磁気抵抗効果素子を提供するものであり、これによって、例えば長時間の動画処理への適用に対する高記録密度化、記録,再生ビットの微小化、したがってこの微小領域からの信号の読み出しを高感度に行うことができる磁気抵抗効果型磁気センサ、磁気抵抗効果型磁気ヘッド、更に磁気メモリ(MRAM:Magnetical Random Access Memory)用電磁変換素子すなわちメモリ素子を提供するに至った。
【0009】
本発明による磁気抵抗効果素子は、少なくとも、外部磁界に応じて磁化回転する自由層と、固定層と、該固定層の磁化を固定する反強磁性層と、上記自由層と固定層との間に介在される非磁性層とが積層された積層構造部を有し、この積層構造部に対し、そのほぼ積層方向をセンス電流の通電方向とするCPP型のいわゆるスピンバルブ型の巨大磁気抵抗効果素子(SVGMR素子)であって、上記積層構造部の自由層がフラックスガイド層と磁気的に結合したフラックスガイド構造を有し、上記フラックスガイド層内または/および該フラックスガイド層の上記自由層とは反対側の面に、上記センス電流の通路を横切って微細通電領域を分散形成する通電規制層が配置され、磁気抵抗効果素子の面積抵抗が40mΩ・μm 2 を超え700mΩ・μm 2 以下とされたことを特徴とする。
【0010】
この通電規制層の配置位置は、具体的には上述した積層構造部の各構成膜間の界面以外、すなわち積層構造部の積層方向の両主面、あるいは、自由層、固定層、反強磁性層内にこれら層面に沿って通電通路の全域に渡って配置する。
【0011】
また、本発明による磁気抵抗効果型磁気センサは、上述した本発明による磁気抵抗効果素子を具備する構成とするものである。
【0012】
また、本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、その感磁部として上述した本発明による磁気抵抗効果素子を具備する構成を有するものである。
【0013】
更に、本発明による磁気メモリは、ビット線と、ワード線と、これらビット線とワード線の交差点に対応して配置されたメモリ素子とを有し、そのメモリ素子が、上述した本発明による磁気抵抗効果素子を具備する構成とするものである。
【0014】
本発明によるCPP型のSV型GMRは、抵抗変化率を保持しつつ、CPP型構成において、素子抵抗を十分高めることができ、抵抗変化量の向上、感度の向上が図られたものである。
【0015】
【発明の実施の形態】
先ず、本発明による磁気抵抗効果素子について説明する。
この磁気抵抗効果素子は、前述したように、CPP型のSV型GMRであり、少なくとも、外部磁界に応じて磁化回転する自由層と、固定層と、この固定層の磁化を固定する反強磁性層と、自由層と固定層との間に介在される非磁性層とが積層された積層構造部において、センス電流の通電通路を横切って例えばピンホールあるいはいわばこれとは逆パターンの網状の微細通電領域を分散形成する通電規制層が配置された構成とするものである。
また、自由層と磁気的に結合してフラックスガイド層を配置する場合は、このフラックスガイド層内または/およびフラックスガイド層の自由層とは反対側の面に、同様にセンス電流の通電通路を横切って例えばピンホールあるいはいわばこれとは逆パターンの網状の微細通電領域を分散形成する通電規制層を配置することができる。
【0016】
この通電規制層の配置層数は、1以上例えば複数層配置することができるが、実際には通電規制層の総和が大きくなり過ぎると、例えば磁気抵抗効果型磁気ヘッドへの適用が困難となる。
CPP型GMR素子の素子抵抗としては、通常の素子の使用上の制限から実際には700mΩ・μm2 以下とする。
【0017】
この本発明によるSV型GMR素子の実施形態例を、図1〜図4を参照して説明する。これら図1〜図4において各A図は、本発明実施形態の対象となるSV型GMRの基本的構成を示す図で、各B図は、この構成において、通電規制層Sの位置を模式的に示したものである。したがって、各B図において、全通電規制層Sの配置を必要とするものではなく、いずれか1層以上を配置するものとする。
【0018】
図1Aは、いわゆるボトム型構成による場合を例示したものであり、この場合、第1の電極31上に、それぞれ導電性を有する反強磁性層1、固定層2、非磁性層3、自由層4との積層構造部10が形成され、自由層4上に第2の電極32が配置された構成を有するSV型GMR素子を示す。
本発明においては、例えばこの構成によるSV型GMR素子において、図1Bで示すように、この積層構造部10の両主面、すなわち図1Bにおいて反強磁性層1の下面と、自由層4の上面とに、通電規制層S01およびS02を配置することができる。また、各反強磁性層1、固定層2、自由層4内に、層面の全域に沿って通電規制層S1 ,S2 ,S4 を配置することができる。
【0019】
また、図2に示す実施形態においては、図2Aに示すように、図1における固定層2が、2層の強磁性層21および22が、非磁性介在層23を介して積層された積層フェリ磁性層構造、いわゆるシンセティック構成とした場合で、この場合は、強磁性層21および22内に、通電規制層S21, S22を配置することができる。
【0020】
図3に示す実施形態においては、図3Aに示すように、自由層4を共通とする第1の反強磁性層1a、第1の固定層2a、第1の非磁性層3aと自由層4とによるいわゆるボトム型SV型GMRによる第1の積層構造部10aと、この上に形成した第2の非磁性層3b、第2の固定層2b、第2の反強磁性層1bが積層されたトップ型SV型GMRによる第2の積層構造部10bとが積層されたいわゆるデュアル型構成とした場合である。
この場合においても、積層構造部10aおよび10bの第1および第2の反強磁性層1aおよび1bの各固定層2aおよび2bとの界面とは反対側の下面および上面に通電規制層S01およびS02を配置することができると共に、各第1および第2の反強磁性層1aおよび1bに通電規制層S1aおよびS1b、第1および第2の固定層2aおよび2bに通電規制層S2aおよびS2bを配置することができる。
【0021】
また、図4に示す実施形態においては、図3で示したデュアル型構成において、その第1および第2の固定層2aおよび2bを、それぞれ2層の強磁性層21a,22a、および21b,22bが、非磁性介在層23aおよび23bを介して積層されたシンセティック構成とした場合で、この場合は、図4Bに示すように、固定層2aおよび2bの各強磁性層21a,22a、および21b,22b内に通電規制層S21a ,S22a 、およびS21b ,S22b を配置することができる。
【0022】
上述した各例において、第1および第2の電極31および32間に、センス電流の通電を行ってCPP構成とするものである。
尚、図2〜図4において、図1と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
【0023】
更に、本発明SV型GMR素子、あるいはこれを感磁部として用いた磁気抵抗効果型磁気センサ、磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、導電性のフラックスガイド層を有するフラックスガイド構造とすることができる。
この場合の実施形態を、図5〜図8に例示する。
【0024】
このフラックスガイド構造においては、自由層にフラックスガイド層81を磁気的に結合させ、このフラックスガイド層81の前方端を、検出磁界が導入される前方面80、すなわち例えば磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、磁気記録媒体との対接面、あるいは例えば浮上型磁気ヘッドにおいてはそのABS(Air Bearing Surface)となる前方面に臨ませる構成とする。
【0025】
このフラックスガイド構造によれば、磁気抵抗効果素子本体の積層構造部10,10a,10bを、前方面80から後退させた位置に配置して、フラックスガイド層81によって検出磁界を自由層に導入させる構成とすることから、磁気抵抗効果素子本体が、例えば磁気記録媒体との接触による摩耗、あるいは摩擦熱による寿命の低下や、ノイズの発生を回避できるものである。
【0026】
図5に示した例では、相対向する第1および第2の磁気シールド兼電極41および42間に、図1Bで説明したSV型GMR素子本体の積層構造部10を、前方面80より奥行き方向に後退させて配置し、この積層構造部10の自由層4の少なくとも一部上、例えば全面上に跨がってフラックスガイド層81が形成され、その前方端を前方面80に臨ましめて検出信号磁界を、このフラックスガイド層81を通じて自由層4に導入させる構造とした場合である。
【0027】
この場合においては、フラックスガイド層81中または/およびフラックスガイド層81の自由層4とは反対側の面に、図1Bと同様の構造に、フラックスガイド層81中にセンス電流の通電路を全面的に横切る通電規制層Sf ,Sf0を配置することができる。
そして、この場合、積層構造部10にセンス電流の通電がなされるように、フラックスガイド層81と第2の磁気シールド兼電極42との間に積層構造部10上に対応する部分に第2の電極32を限定的に介在させる。
第1および第2の磁気シールド兼電極41および42間の他部には、Al2 O3 、SiO2 等の絶縁層52が充填される。
図5において、図1Bと対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
【0028】
また、図6に示した例では、相対向する第1および第2の磁気シールド兼電極41および42間に、図2Bで説明したシンセティック構造の積層構造部10を、前方面80より奥行き方向に後退させて配置し、この積層構造部10の自由層4の少なくとも一部上例えば全面上に跨がって、フラックスガイド81が形成され、その前方端を前方面80に臨ましめて検出信号磁界を、このフラックスガイド層81を通じて自由層4に導入させる構成とした場合である。
図6において、図2Bと対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
【0029】
また、図7に示した例では、相対向する第1および第2の磁気シールド兼電極41および42間に、図3Bで説明した積層構造部10aおよび10 bによるデュアル型構成とした場合であるが、この場合においては各積層構造部10aおよび10bにそれぞれ第1および第2の自由層4aおよび4bが設けられた構造とされ、両者間にフラックスガイド層81を配置した構造とした場合である。
【0030】
この場合、第1および第2の非磁性層との界面とは反対側のフラックスガイド層81側に、センス電極の通電路を全面的に横切って通電規制層SfaおよびSfbを設けることができる。また、フラックスガイド層81中に、センス電流の通電路を全面的に横切って通電規制層Sf を設けることができる。
【0031】
また、図8に示した例では、相対向する第1および第2の磁気シールド兼電極41および42間に、図4Bで説明したシンセティック構造の積層構造部10aおよび10b構成によるデュアル型構成とした場合である。
図8において、図3Bと対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
【0032】
そして、図11に模式的に示すように、例えば上述した図1〜図4による各積層構造部を有するGMR素子20に対して、その自由層に検出磁界が与えられない状態(以下無磁界状態という)で検出磁界方向と交叉するの磁化状態を設定するための安定化バイアスを与えるための例えば着磁のなされる硬磁性層50を、GMR素子20を挟んで配置する。
尚、図5〜図8で説明したフラックスガイド構造においては、GMR素子とこれに結合されたフラックスガイド層とを含んでその両側に同様の例えば硬磁性層50が配置される。
【0033】
また、固定層2,2a,2bとこれと強磁性交換結合する反強磁性層1,1a,1bの磁化のむきは、上述した自由層における無磁界状態での磁化の向きと交叉する同一向きに設定される。
そして、積層構造部に、その積層方向に、センス電流Isおよびバイアス磁界とは直交(交叉)する方向に検出磁界が印加され、この検出外部磁界による抵抗変化を、センス電流によって電気的出力として取り出す。
【0034】
通電規制層Sは、例えば絶縁性材料を厚さ4Å程度という原子層オーダの薄膜絶縁層によって形成することによって図9に模式的平面図を示すように、薄膜の言わば欠陥によるピンホールの発生による微細通電領域90が分散形成された構成とすることができる。
あるいは、Al等の導電性材料層の極薄の薄膜を形成し、これを酸化例えば陽極酸化することによって欠陥によるピンホールの発生による微細通電領域90を形成することかできる。
【0035】
上述の図9の例では、通電規制層Sが、ピンホールを微細通電領域90とした場合であるが、言わばこれとは逆パターンとすることができる。例えば、図10に模式的平面図を示すように、絶縁材もしくは高抵抗材を極薄にスパッタ等によって被着させ、その被着面に対するいわゆる濡れ性による凝縮被着を発生させて材料層を分散点在する層として形成することによって網状の微細通電領域90を形成することができる。
【0036】
この通電規制層Sの構成材料は、例えばAl、Mg、Cu、Si、Ti、W、Ta、Ru、CoFe、NiFe合金、Cr合金、Y、Zr、V、Mn、Fe、Co、Ni、Nb、Mo、Ag、Rh、Ir、希土類合金等によって構成するとか、あるいはこれらの酸化物、窒化物、炭化物、ホウ化物、ケイ化物のいずれか、あるいは複数の合金,混合層等によって構成することができる。
また、微細通電領域の面積率は50%以下とすることが望ましい。
【0037】
上述した本発明による各SV型GMRにおける反強磁性層1,1a,1bは、PtMn,NiMn,PdPtMn,Ir−Mn,Rh−Mn,Fe−Mn,Ni酸化物,Co酸化物,Fe酸化物等によって構成することができる。
【0038】
また、固定層2の強磁性層は、例えばCo,Fe,Niやこれら2以上の合金による強磁性層、もしくは異なる組成の組み合わせ例えばFeとCrの各強磁性層によることができる。
【0039】
自由層4は、例えばCoFe膜、NiFe膜、CoFeB膜、あるいはこれらの積層膜例えばCoFe/NiFe、またはCoFe/NiFe/CoFe構成とすることによってより大きなMR比と軟磁気特性を実現することができる。
【0040】
また、非磁性層3、3a、3b、積層フェリ磁性層構造とする非磁性介在層23,23a,23b等非磁性層は、例えばCu,Au,Ag,Ptや、Cu−Ni,Cu−Ag,Ru,Cr,Rh,Irによって構成することができる。
【0041】
図11は、本発明による磁気センサあるいは磁気ヘッドの模式的斜視図で、上述した本発明による磁気抵抗効果素子、すなわちSV型のGMR素子20を挟んでその両側に、積層構造部10の自由層4の安定化、すなわち外部からの検出磁界が印加されない状態で、自由層4の磁化の向きが、検出磁界の方向と交叉する方向に設定するための安定化用バイアス磁界を印加する着磁された硬磁性層50が配置され、積層構造部10の積層方向にセンス電流Isを通電する構成とされる。
【0042】
そして、積層構造部10に対して、センス電流Isおよびバイアス磁界と垂直方向に外部磁界すなわち検出磁界Hが印加され、この外部磁界による抵抗変化をセンス電流によって電気的出力として取り出す。
【0043】
また、本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、例えば図12に斜視図を示すように、アルチック(AlTiC)等による基板51上に、磁気シールド兼電極層42が形成され、この上に、例えば図11で説明したように、GMR素子20とその両側に、安定化バイアス印加用の硬磁性層50が配置され、この上に磁気シールド兼電極層42が配置される。磁気シールド兼電極層41および42間には、例えばAl2 O3 等の絶縁層52が充填されて成る。
この構成において、両磁気シールド兼電極層41および42間に、センス電流Isを通電する。すなわちGMR素子20の積層方向に沿ってセンス電流Isを通電する。
【0044】
図12の例では、その感磁部すなわちGMR素子20を、磁気記録媒体との対接ないしは対向面となる前方面80、例えば浮上型磁気ヘッドにおいてはそのABS(Air Bearing Surface)に臨んで配置形成した場合である。
【0045】
これに対し、図13に斜視図を示す例では、前述したフラックスガイド構造とした場合で、GMR素子20を前方面80から奥行き方向に後退した位置に配置し、このGMR素子20の前方に磁気的に結合するフラックスガイド層81を配置し、その前方端を、前方面80に臨んで配置する構成として、磁気記録媒体からの記録情報による磁界を導入する構成とした場合である。
【0046】
そして、このような磁束ガイド構造とすることによって、GMR素子20が、直接前方面80に臨む場合における摩擦熱、摩耗等を回避でき、信頼性を高めることができる。
【0047】
この磁束ガイドは、軟磁性の例えばCoFe膜、NiFe膜、CoFeB膜、あるいはこれらの積層膜例えばCoFe/NiFe、またはCoFe/NiFe/CoFe、あるいはCo−Al−O、またはFe−Al−Oなどの高透磁率グラニュラー材料によって構成することができる。
【0048】
また、図12および図13においては、磁気シールド兼電極層23および24を用いた構成を示したが、電極と磁気シールド層とを別構成にして重ね合わせた構成とすることもできる。
【0049】
また、この磁気ヘッドは再生磁気ヘッドであることから磁気記録再生ヘッドを構成する場合には、図12および図13の第2の磁気シールド兼電極層上に、例えば従来周知の磁気誘導型の薄膜記録ヘッドを積層形成して記録再生ヘッドを構成することができる。
【0050】
図14は、本発明のCPP型のGMR素子用いて構成した本発明による磁気メモリの60の一実施形態の一例の概略構成を示す斜視図であり、図15は、その回路構成を示す。
この磁気メモリ60は、ワード線(WL)61とビット線(BL)62の交差点に対応してメモリセルが配置され、このメモリセルが多数マトリクス状に配置されて構成される。
メモリセルは、CPP型GMR素子63と非晶質シリコン膜から成るダイオード64とを有する。これらCPP型GMR素子63およびダイオード64は直列に配置され、CPP型GMR素子63がワード線61に接続され、ダイオード64がビット線62に接続されている。ダイオード64により規制されて、CPP型GMR素子63を流れる電流Isがワード線61からビット線62に向かうように流れる。
【0051】
この構成により、ワード線61を流れる電流IW による電流磁場とビット線62を流れる電流IB による電流磁場との合成磁場により、CPP型GMR素子63の磁化自由層の磁化の向きを反転させて、この磁化の向きを1または0という情報として記録することができる。
【0052】
一方、記録された情報の読み出しは、巨大磁気抵抗効果を利用してCPP型GMR素子63を流れるセンス電流IS の大きさから磁化自由層の磁化の向き即ち情報の内容を読み取るようにする。
選択されたメモリセルにはワード線61とビット線62の両方の電流磁場が印加されることにより磁化自由層の磁化の向きが反転するが、選択されないメモリセルにはワード線61あるいはビット線62のいずれか一方の電流磁場が印加されるだけで磁化の向きが反転するには至らない。これにより、選択されたメモリセルにのみ記録を行うことができる。
【0053】
次に、本発明によるGMR素子の実施例を挙げて説明する。
〔実施例1〕
この実施例においては、図2Aで示したシンセティック構成によるSV型GMR素子を基本構成とし、その第1の電極31上に、厚さ5nmのTaによる下地層(図示せず)を形成し、この上に積層構造部10を形成し、更に、この上に同様に厚さ5nmのTaによる保護層(図示せず)を配置した構成で、その膜構成は、Ta5/PtMn20/CoFe2/Ru0.9/CoFe2/Cu3/CoNiFe6/Ta5(この表記方法は、各層の構成材料の積層状態を示し、記号/は各層の界面を示す。また、各数値は各層の厚さ(nm)を表示したものであり、以下同様の表記方法をとる。)とした(下記表1の試料1)。
【0054】
そして、この基本構成において、自由層4上にのみ、通電規制層Sを配置した場合、すなわち図2Bで示した通電規制層S02のみを配置した場合で、この通電規制層S02を厚さ1nmのCo72Fe8 B20(添字数字は原子%)によって構成した。
すなわち、この例では、それぞれ厚さ300nmのCuによる第1および第2電極31および32間に、Ta5/PtMn20/CoFe2/Ru0.9/CoFe2/Cu3/CoNiFe6/Al−O 0.4/Ta5の積層構造(下記表1の試料2)とした場合である。
【0055】
この構成による積層構造部10を、10kOeの磁場中で、270℃で4時間のアニールを施した。
この積層構造部の両面に、厚さ300nmの電極層を成膜した。
そして、このGMR素子を、0.1μm×0.1μmサイズにパターニングした。
【0056】
〔実施例2〜4〕
これら実施例2〜4においては、実施例1における構成と同様の構成によるのの、その通電規制層S02の構成を、厚さ0.5nmのMg−O(下記表1の試料3)、厚さ1nmのAg−O(下記表1の試料4)、厚さ1nmのY−O(下記表1の試料5)とした。
【0057】
〔実施例5〕
この実施例においては、上述した図2の構造による試料1の構成において、その第1の反強磁性層1下に、通電規制層S01として、厚さ0.4nmにAl−Oを形成した(下記表1の試料6)。
【0058】
〔実施例6〕
この実施例においては、上述した図2の構造による試料1の構成において、厚さ2nmの強磁性層22の中央部に通電規制層S22として厚さ0.4nmのAl−Oを形成した(下記表1の試料7)。
〔実施例7〕
この実施例においては、上述した図2の構造による試料1の構成において、厚さ2nmの強磁性層21の中央部に通電規制層S21として厚さ0.4nmのAl−Oを形成した(下記表1の試料8)。
【0059】
表1に、上述した各試料1〜8についての、素子抵抗、抵抗変化量の測定結 果を示す。
【0060】
【表1】
【0061】
表1によって明らかなように、本発明による試料2〜16は、試料1の通電規制層を設けない場合に比し格段に抵抗変化量が増大していることが分かる。
したがって、この抵抗変化量の大きい本発明によるSV型GMR素子を用いて、磁気センサ、磁気抵抗効果型磁気ヘッドを構成するときは、外部磁界の検出を、大きな検出出力ないしは再生出力として取り出すことができる。
また、磁気メモリを構成するときは、安定して、確実な動作を行うことができる。
【0062】
磁気ヘッドを設計するに際して必要なこととして、抵抗の変化量dRが大きいことが挙げられる。このdRを向上させるには、SV型GMR素子の抵抗を高めるか、MR比を増加させるかである。
【0063】
通電規制層を挿入すると、MR比(dR/R)が低下することなく、通電規制層が挿入されないSV型GMR素子と、そのMR比は同等の値を示した。したがって、通電規制層を挿入することによって素子抵抗の増加を図った分、dR値が増加する結果となった。
【0064】
この通電規制層は、前述したように1層以上例えば複数層、挿入することができるが、前述した実施例におけるように、0.1μm×0/1μmのサイズにおいては、通電規制層の厚さの総和が5nm以上となると素子抵抗が大きくなり過ぎて、必要センス電流を通電したときの発熱が大くなって、磁気抵抗効果が低下し、ノイズも大きくなってくることから、例えばこのサイズでは70Ω以下、すなわち70Ω×0.1μm×0.1μm=0.7Ω・μm2 以下が望ましい。
【0065】
上述したように、本発明によるCPP型のSV型GMRは、CPP型構成とするにも拘わらず素子の抵抗を高めたことができるものであり、抵抗変化率を保持したまま、抵抗変化量の向上が図られた。
【0066】
尚、本発明による磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサ、磁気抵抗効果型磁気ヘッド、および磁気メモリは、上述した例に限定されるものではなく、使用目的、使用態様に応じて、本発明構成において、種々の変形変更を行い得ることはいうまでもない。
【0067】
【発明の効果】
本発明によれば、磁気抵抗効果素子をCPP構成とする場合の、素子抵抗の減少を補償し得、高い素子抵抗を得ることができるようにして抵抗変化量を高めたことから、例えば長時間の動画処理への適用に対する高記録密度化、記録,再生ビットの微小化、したがってこの微小領域からの信号の読み出しを高感度に行うことができる磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサ、磁気抵抗効果型磁気ヘッドを構成することができるものである。
【0068】
また、磁気メモリにおいても、高密度および高精度化を図ることができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】AおよびBは、磁気抵抗効果素子の一構成図およびこの構成における本発明の実施形態の構成図である。
【図2】AおよびBは、磁気抵抗効果素子の一構成図およびこの構成における本発明の実施形態の構成図である。
【図3】AおよびBは、磁気抵抗効果素子の一構成図およびこの構成における本発明の実施形態の構成図である。
【図4】AおよびBは、磁気抵抗効果素子の一構成図およびこの構成における本発明の実施形態の構成図である。
【図5】本発明による磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサないしは磁気抵抗効果型磁気ヘッドの一実施形態の構成図である。
【図6】本発明による磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサないしは磁気抵抗効果型磁気ヘッドの一実施形態の構成図である。
【図7】本発明による磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサないしは磁気抵抗効果型磁気ヘッドの一実施形態の構成図である。
【図8】本発明による磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサないしは磁気抵抗効果型磁気ヘッドの一実施形態の構成図である。
【図9】本発明における通電規制層の一例の模式的平面図である。
【図10】本発明における通電規制層の他の一例の模式的平面図である。
【図11】本発明による磁気センサないしは磁気ヘッドの概略断面図である。
【図12】本発明による磁気センサないしは磁気ヘッドの他の一例の概略断面図である。
【図13】本発明による磁気センサないしは磁気ヘッドの他の一例の概略断面図である。
【図14】本発明による磁気メモリの概略構成を示す斜視図である。
【図15】本発明による磁気メモリの回路構成の概略図である。
【符号の説明】
1・・・反強磁性層、1a・・・第1の反強磁性層、1b・・・第2の反強磁性層、2・・・固定層、2a・・・第1の固定層、2b・・・第2の固定層、3・・・非磁性層、4・・・自由層、3・・・非磁性層、3a・・・第1の非磁性層、3b・・・第2の非磁性層、20・・・GMR素子、21,22,21a,22a,21b,22b・・・強磁性層、23,23a,23b・・・非磁性介在層、31・・・第1の電極、32・・・第2の電極、41・・・第1の磁気シールド兼電極、42・・・第2の磁気シールド兼電極、51・・・基板、52・・・絶縁層、60・・・ 薄膜磁気メモリ、61・・・ワード線、62・・・ビット線、63・・・CPP型GMR素子、64・・・ダイオード、80・・・前方面、81・・・フラックスガイド層、90・・・微細通電領域、S01,S02,S1 ,S2 ,S2a,S2b,S4 ,S21, S21a ,S21b,S21b ,S22,S22a およびS22b ,Sf,Sfa, Sfb,Sf0・・・通電規制層、
Claims (12)
- 少なくとも、外部磁界に応じて磁化回転する自由層と、固定層と、該固定層の磁化を固定する反強磁性層と、上記自由層と固定層との間に介在される非磁性層とが積層された積層構造部を有し、
該積層構造部に対し、そのほぼ積層方向をセンス電流の通電方向とする巨大磁気抵抗効果素子であって、
上記積層構造部の自由層がフラックスガイド層と磁気的に結合したフラックスガイド構造を有し、上記フラックスガイド層内または/および該フラックスガイド層の上記自由層とは反対側の面に、上記センス電流の通路を横切って微細通電領域を分散形成する通電規制層が配置され、磁気抵抗効果素子の面積抵抗が40mΩ・μm2を超え700mΩ・μm2以下とされたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 請求項1に記載の磁気抵抗効果素子にあって、上記積層構造部の構成層間の界面以外の位置に、上記センス電流の通路を横切って微細通電領域を分散形成する通電規制層が配置されたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
- 上記積層構造部の通電規制層は、上記自由層内、該自由層の上記非磁性層との接合面とは反対側の面、上記固定層を構成する強磁性層内、上記反強磁性層内、該反強磁性層の上記固定層との接合面とは反対側の面の、いずれか1つ以上に配置されることを特徴とする請求項2に記載の磁気抵抗効果素子。
- 上記通電規制層の上記微細通電領域がピンホールもしくは網状領域であることを特徴とする請求項1、2または3に記載の磁気抵抗効果素子。
- 磁気抵抗効果素子を具備する磁気抵抗効果型磁気センサであって、
上記磁気抵抗効果素子は、少なくとも、外部磁界に応じて磁化回転する自由層と、固定層と、該固定層の磁化を固定する反強磁性層と、上記自由層と固定層との間に介在される非磁性層とが積層された積層構造部を有し、該積層構造部に対し、そのほぼ積層方向をセンス電流の通電方向とする巨大磁気抵抗効果素子であって、
上記積層構造部の自由層がフラックスガイド層と磁気的に結合したフラックスガイド構造を有し、上記フラックスガイド層内または/および該フラックスガイド層の上記自由層とは反対側の面に、上記センス電流の通路を横切って微細通電領域を分散形成する通電規制層が配置され、上記磁気抵抗効果素子の面積抵抗が40mΩ・μm2を超え700mΩ・μm2以下とされたことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気センサ。 - 請求項5に記載の磁気抵抗効果型磁気センサにあって、上記積層構造部の構成層間の界面以外の位置に、上記センス電流の通路を横切って微細通電領域を分散形成する通電規制層が配置されたことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気センサ。
- 上記積層構造部の通電規制層は、上記自由層内、該自由層の上記非磁性層との接合面とは反対側の面、上記固定層を構成する強磁性層内、上記反強磁性層内、該反強磁性層の上記固定層との接合面とは反対側の面の、いずれか1つ以上に配置されることを特徴とする請求項6に記載の磁気抵抗効果型磁気センサ。
- 上記通電規制層の上記微細通電領域がピンホールもしくは網状領域であることを特徴とする請求項5、6または7に記載の磁気抵抗効果型磁気センサ。
- 第1および第2の磁気シールド間に、磁気抵抗効果素子が配置されてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドであって、
上記磁気抵抗効果素子が、少なくとも、外部磁界に応じて磁化回転する自由層と、固定層と、該固定層の磁化を固定する反強磁性層と、上記自由層と固定層との間に介在される非磁性層とが積層された積層構造部を有し、該積層構造部に対し、そのほぼ積層方向をセンス電流の通電方向とする巨大磁気抵抗効果素子であって、
上記積層構造部の自由層がフラックスガイド層と磁気的に結合したフラックスガイド構造を有し、上記フラックスガイド層内または/および該フラックスガイド層の上記自由層とは反対側の面に、上記センス電流の通路を横切って微細通電領域を分散形成する通電規制層が配置され、上記磁気抵抗効果素子の面積抵抗が40mΩ・μm2を超え700mΩ・μm2以下とされたことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 請求項9に記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッドにあって、上記積層構造部の構成層間の界面以外の位置に、上記センス電流の通路を横切って微細通電領域を分散形成する通電規制層が配置されたことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
- 上記積層構造部の通電規制層は、上記自由層内、該自由層の上記非磁性層との接合面とは反対側の面、上記固定層を構成する強磁性層内、上記反強磁性層内、該反強磁性層の上記固定層との接合面とは反対側の面の、いずれか1つ以上に配置されることを特徴とする請求項10に記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
- 上記通電規制層の上記微細通電領域がピンホールもしくは網状領域であることを特徴とする請求項9、10または11に記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
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