JPH1125431A - 磁気抵抗効果型再生ヘッドならびに磁気記録再生装置 - Google Patents
磁気抵抗効果型再生ヘッドならびに磁気記録再生装置Info
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- JPH1125431A JPH1125431A JP18210397A JP18210397A JPH1125431A JP H1125431 A JPH1125431 A JP H1125431A JP 18210397 A JP18210397 A JP 18210397A JP 18210397 A JP18210397 A JP 18210397A JP H1125431 A JPH1125431 A JP H1125431A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】クロストーク量が小さく、しかも、安定に動作
する磁気抵抗効果型再生ヘッドを提供する。 【解決手段】電極部位置における磁気シールド膜の間隔
を、感磁部位置における磁気シールド膜の間隔と同じか
もしくは狭くする。
する磁気抵抗効果型再生ヘッドを提供する。 【解決手段】電極部位置における磁気シールド膜の間隔
を、感磁部位置における磁気シールド膜の間隔と同じか
もしくは狭くする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体から
情報信号を読み取るための再生ヘッドに係り、特に改良
された磁気抵抗効果型再生ヘッドならびにそれを用いた
磁気記録再生装置に関するものである。
情報信号を読み取るための再生ヘッドに係り、特に改良
された磁気抵抗効果型再生ヘッドならびにそれを用いた
磁気記録再生装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録の高密度化に伴い、再生用磁気
ヘッドに高い感度が求められている。高感度の再生磁気
ヘッドとして、磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッド）と
呼ばれるものが知られている。磁気抵抗効果型ヘッド
は、記録媒体からの磁界を、素子の抵抗変化として検出
する。従来の一般的な磁気抵抗効果型ヘッドは、抵抗が
磁化と電流方向との間の角度θの関数としてcos２θ に
比例して変化する成分を持つという、異方性磁気抵抗効
果（ＡＭＲ）に基づいて動作する。
ヘッドに高い感度が求められている。高感度の再生磁気
ヘッドとして、磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッド）と
呼ばれるものが知られている。磁気抵抗効果型ヘッド
は、記録媒体からの磁界を、素子の抵抗変化として検出
する。従来の一般的な磁気抵抗効果型ヘッドは、抵抗が
磁化と電流方向との間の角度θの関数としてcos２θ に
比例して変化する成分を持つという、異方性磁気抵抗効
果（ＡＭＲ）に基づいて動作する。
【０００３】一方、異方性磁気抵抗効果とは別の原理で
動作する磁気抵抗効果型ヘッドとして、フィジカル レ
ビュー(Physical Review)Ｂ，第４３巻,１２９７〜１３
００頁「軟磁性多層膜における巨大磁気抵抗効果」に記
載のように２層の磁性層を非磁性層で分離し、一方の磁
性層に反強磁性層からの交換バイアス磁界を印加する構
造のヘッドが知られている。このような多層膜において
は、抵抗Ｒは、２層の磁性層の磁化の間の角θに関数と
して、cosθ に比例して変化する成分を有することが、
上記論文に示されており、このような効果を、巨大磁気
抵抗効果(GMR)と呼んでいる。このような、多層膜の巨
大磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果型ヘッドは、異
方性磁気抵抗効果を利用したヘッドと比べて、大きい磁
気抵抗変化量ΔＲを示すことが知られている。
動作する磁気抵抗効果型ヘッドとして、フィジカル レ
ビュー(Physical Review)Ｂ，第４３巻,１２９７〜１３
００頁「軟磁性多層膜における巨大磁気抵抗効果」に記
載のように２層の磁性層を非磁性層で分離し、一方の磁
性層に反強磁性層からの交換バイアス磁界を印加する構
造のヘッドが知られている。このような多層膜において
は、抵抗Ｒは、２層の磁性層の磁化の間の角θに関数と
して、cosθ に比例して変化する成分を有することが、
上記論文に示されており、このような効果を、巨大磁気
抵抗効果(GMR)と呼んでいる。このような、多層膜の巨
大磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果型ヘッドは、異
方性磁気抵抗効果を利用したヘッドと比べて、大きい磁
気抵抗変化量ΔＲを示すことが知られている。
【０００４】一般に、ＡＭＲヘッドおよびＧＭＲヘッド
では、高透磁率の軟磁性材料からなるシールド膜を、媒
体走行方向に対して、磁気抵抗効果膜の前後に配置した
構造をとる。これは、磁気抵抗効果膜に流入する信号磁
界を、磁気抵抗効果膜の端部にまで効率よく導き、磁気
抵抗効果膜を均一に磁化させるためである。また同時
に、隣接するビットからの漏れ磁界を遮断する。このよ
うな構造は線記録密度を高めて、再生出力を高める方法
として有効であることが知られている。
では、高透磁率の軟磁性材料からなるシールド膜を、媒
体走行方向に対して、磁気抵抗効果膜の前後に配置した
構造をとる。これは、磁気抵抗効果膜に流入する信号磁
界を、磁気抵抗効果膜の端部にまで効率よく導き、磁気
抵抗効果膜を均一に磁化させるためである。また同時
に、隣接するビットからの漏れ磁界を遮断する。このよ
うな構造は線記録密度を高めて、再生出力を高める方法
として有効であることが知られている。
【０００５】図７に従来のＭＲヘッドの断面を示す。従
来のＭＲヘッドでは、基板５上に均一な膜厚を有する磁
気シールド層１０および磁気ギャップ層２０を形成し、
その上にパターニングされた磁気抵抗効果膜（３０，４
０，５０）と、その両端部に、磁気抵抗効果膜よりも膜
厚が大きい電極膜７０および永久磁石６０が配置され
る。さらに、その上に、均一な膜厚の磁気ギャップ層８
０を介して磁気シールド膜９０を形成するため、電極部
位置における磁気シールド膜の間隔Ｇseは、磁気抵抗効
果膜（感磁部）位置における磁気シールド膜の間隔Ｇsc
より広い構造になっている。
来のＭＲヘッドでは、基板５上に均一な膜厚を有する磁
気シールド層１０および磁気ギャップ層２０を形成し、
その上にパターニングされた磁気抵抗効果膜（３０，４
０，５０）と、その両端部に、磁気抵抗効果膜よりも膜
厚が大きい電極膜７０および永久磁石６０が配置され
る。さらに、その上に、均一な膜厚の磁気ギャップ層８
０を介して磁気シールド膜９０を形成するため、電極部
位置における磁気シールド膜の間隔Ｇseは、磁気抵抗効
果膜（感磁部）位置における磁気シールド膜の間隔Ｇsc
より広い構造になっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この従来技術において
は、トラック幅方向の感度分布の裾が長いため、高いト
ラック密度での再生において、隣接トラックからのクロ
ストークが大きいという問題があった。また、記録ヘッ
ドからの強い磁界がＭＲヘッドに印加された場合、磁気
抵抗効果膜の長手方向両端部に設けられた縦バイアス磁
界印加用の永久磁石膜の磁化状態が変化して、ＭＲヘッ
ドの出力が不安定になるという問題があった。
は、トラック幅方向の感度分布の裾が長いため、高いト
ラック密度での再生において、隣接トラックからのクロ
ストークが大きいという問題があった。また、記録ヘッ
ドからの強い磁界がＭＲヘッドに印加された場合、磁気
抵抗効果膜の長手方向両端部に設けられた縦バイアス磁
界印加用の永久磁石膜の磁化状態が変化して、ＭＲヘッ
ドの出力が不安定になるという問題があった。
【０００７】本発明は安定に動作し、しかも、高トラッ
ク密度に適したＭＲヘッドを提供することを目的とする
ものである。
ク密度に適したＭＲヘッドを提供することを目的とする
ものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的は、磁気抵抗効
果膜の長手方向両端部に設けられた電極部位置における
磁気シールド膜の間隔を、感磁部位置における磁気シー
ルド膜の間隔より狭くするか、もしくは同じとすること
により達成される。
果膜の長手方向両端部に設けられた電極部位置における
磁気シールド膜の間隔を、感磁部位置における磁気シー
ルド膜の間隔より狭くするか、もしくは同じとすること
により達成される。
【０００９】ここで、上記電極部位置における磁気シー
ルド膜の間隔Ｇseと感磁部位置における磁気シールド膜
の間隔Ｇscの比Ｇse／Ｇscが、０.６ から１であること
が好ましい。
ルド膜の間隔Ｇseと感磁部位置における磁気シールド膜
の間隔Ｇscの比Ｇse／Ｇscが、０.６ から１であること
が好ましい。
【００１０】また、本発明の磁気抵抗効果型再生ヘッド
は、磁気記録用誘導型薄膜ヘッドと組み合わせて、記録
再生分離型磁気ヘッドを構成することができる。
は、磁気記録用誘導型薄膜ヘッドと組み合わせて、記録
再生分離型磁気ヘッドを構成することができる。
【００１１】磁気シールド空隙内部に流入する記録媒体
からの磁界や記録ヘッドからの磁界は、磁気シールド膜
の間隔が狭いほど、その強度が弱まる。上述のように、
電極部位置における磁気シールド膜の間隔を、従来より
狭くすると、感磁部の両側にかかる媒体からの磁界が弱
まるため、再生感度のにじみを低減でき、隣接トラック
からのクロストークを低減できる。
からの磁界や記録ヘッドからの磁界は、磁気シールド膜
の間隔が狭いほど、その強度が弱まる。上述のように、
電極部位置における磁気シールド膜の間隔を、従来より
狭くすると、感磁部の両側にかかる媒体からの磁界が弱
まるため、再生感度のにじみを低減でき、隣接トラック
からのクロストークを低減できる。
【００１２】さらに、感磁部の長手方向両端部に設けら
れた永久磁石膜に印加される磁界も減少するため、媒体
および記録ヘッドからの磁界による永久磁石膜の磁化状
態の変化が低減でき、ＭＲヘッドの出力安定性を向上す
ることができる。
れた永久磁石膜に印加される磁界も減少するため、媒体
および記録ヘッドからの磁界による永久磁石膜の磁化状
態の変化が低減でき、ＭＲヘッドの出力安定性を向上す
ることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１４】（実施例１）本発明による代表的な磁気抵
抗効果型ヘッドの断面図を図１に示す。基板５上に、厚
さ２μｍの下部シールド膜（ＮｉＦｅ膜）１０を形成
し、有機レジスト膜を積層した後、ほぼトラック幅に相
当する領域で、約６５ｎｍの段差がつくようにパターニ
ングを行った。次に、磁気ギャップ形成用絶縁膜（Ａｌ
Ｏ膜）２０を形成して、トラック幅に相当する領域にお
ける厚さが８５ｎｍ、それ以外の領域における厚さが２
０ｎｍとなるように加工した。さらに、厚さ２０ｎｍの
軟磁性膜（ＮｉＦｅＮｂ膜）３０，厚さ１０ｎｍの非磁
性導電膜（Ｔａ膜）４０，厚さ２０ｎｍの磁気抵抗効果
膜（ＮｉＦｅ膜）５０を積層した。
抗効果型ヘッドの断面図を図１に示す。基板５上に、厚
さ２μｍの下部シールド膜（ＮｉＦｅ膜）１０を形成
し、有機レジスト膜を積層した後、ほぼトラック幅に相
当する領域で、約６５ｎｍの段差がつくようにパターニ
ングを行った。次に、磁気ギャップ形成用絶縁膜（Ａｌ
Ｏ膜）２０を形成して、トラック幅に相当する領域にお
ける厚さが８５ｎｍ、それ以外の領域における厚さが２
０ｎｍとなるように加工した。さらに、厚さ２０ｎｍの
軟磁性膜（ＮｉＦｅＮｂ膜）３０，厚さ１０ｎｍの非磁
性導電膜（Ｔａ膜）４０，厚さ２０ｎｍの磁気抵抗効果
膜（ＮｉＦｅ膜）５０を積層した。
【００１５】次に、有機レジスト膜を積層した後、所望
の形状にパターニングを行った。さらに、厚さ３０ｎｍ
の永久磁石膜（ＣｏＣｒＰｔ膜）６０を積層し、所望の
形状に加工した後、Ｎｂ／Ａｕ／Ｎｂを積層，加工し電
極７０とした。さらに、厚さ１１５ｎｍの磁気ギャップ
形成用絶縁膜（ＡｌＯ膜）８０を積層したのち、トラッ
ク幅に相当する領域で約３５ｎｍの段差がつくように、
トラック幅の両側部分に相当する絶縁膜８０を除去し
た。さらにその上に厚さ２μｍの上部シールド膜（Ｎｉ
Ｆｅ膜）９０を積層し所望の形状に加工して磁気ヘッド
とした。
の形状にパターニングを行った。さらに、厚さ３０ｎｍ
の永久磁石膜（ＣｏＣｒＰｔ膜）６０を積層し、所望の
形状に加工した後、Ｎｂ／Ａｕ／Ｎｂを積層，加工し電
極７０とした。さらに、厚さ１１５ｎｍの磁気ギャップ
形成用絶縁膜（ＡｌＯ膜）８０を積層したのち、トラッ
ク幅に相当する領域で約３５ｎｍの段差がつくように、
トラック幅の両側部分に相当する絶縁膜８０を除去し
た。さらにその上に厚さ２μｍの上部シールド膜（Ｎｉ
Ｆｅ膜）９０を積層し所望の形状に加工して磁気ヘッド
とした。
【００１６】本実施例におけるＭＲヘッドは、電極部位
置における磁気シールド膜の間隔Ｇseが、感磁部位置に
おける磁気シールド膜の間隔Ｇscより０.１μｍ 狭く、
Ｇse／Ｇscが、０.６の構造である。
置における磁気シールド膜の間隔Ｇseが、感磁部位置に
おける磁気シールド膜の間隔Ｇscより０.１μｍ 狭く、
Ｇse／Ｇscが、０.６の構造である。
【００１７】図２は本実施例のヘッド（ａ）と、電極部
位置における磁気シールド膜の間隔が感磁部位置におけ
る磁気シールド膜の間隔より８０ｎｍ広い従来ヘッド
（ｂ）の、トラック幅方向の感度分布を示したものであ
る。ヘッドのトラック幅より狭い領域に記録した媒体
を、トラック幅方向に移動しながら再生出力を測定し
た。図からわかるように本発明のヘッド（ａ）は、従来
ヘッド（ｂ）に比べて、感度分布における裾のひろがり
を低減することができた。実際、ヘッドが隣の媒体の端
部と０.３μｍ 重なったオフトラック時に再生を行った
結果、ヘッド（ａ）のクロストーク量は（ｂ）より約８
ｄＢ減少した。
位置における磁気シールド膜の間隔が感磁部位置におけ
る磁気シールド膜の間隔より８０ｎｍ広い従来ヘッド
（ｂ）の、トラック幅方向の感度分布を示したものであ
る。ヘッドのトラック幅より狭い領域に記録した媒体
を、トラック幅方向に移動しながら再生出力を測定し
た。図からわかるように本発明のヘッド（ａ）は、従来
ヘッド（ｂ）に比べて、感度分布における裾のひろがり
を低減することができた。実際、ヘッドが隣の媒体の端
部と０.３μｍ 重なったオフトラック時に再生を行った
結果、ヘッド（ａ）のクロストーク量は（ｂ）より約８
ｄＢ減少した。
【００１８】電極部位置における磁気シールド膜の間隔
Ｇseと、感磁部位置における磁気シールド膜の間隔Ｇsc
の比、Ｇse／Ｇscが異なるＭＲヘッドをいくつか作製
し、それぞれのクロストーク量を上記条件で測定した結
果を図３に示す。Ｇse／Ｇscが小さいほどクロストーク
量は減少し、Ｇse／Ｇscが１〜０.６ のとき、従来ヘッ
ド（Ｇse／Ｇsc＝１.３）に比べて、クロストーク量が
６.５〜８ｄＢ減少した。本実施例では、絶縁膜の薄膜
化の限界から、Ｇse／Ｇscを０.６ 以下とすることは困
難であった。
Ｇseと、感磁部位置における磁気シールド膜の間隔Ｇsc
の比、Ｇse／Ｇscが異なるＭＲヘッドをいくつか作製
し、それぞれのクロストーク量を上記条件で測定した結
果を図３に示す。Ｇse／Ｇscが小さいほどクロストーク
量は減少し、Ｇse／Ｇscが１〜０.６ のとき、従来ヘッ
ド（Ｇse／Ｇsc＝１.３）に比べて、クロストーク量が
６.５〜８ｄＢ減少した。本実施例では、絶縁膜の薄膜
化の限界から、Ｇse／Ｇscを０.６ 以下とすることは困
難であった。
【００１９】さらに、本実施例のヘッドでは、記録ヘッ
ドからの磁界がＭＲヘッドに印加された後も再生出力が
低下することなく、従来ヘッドより、出力が安定に動作
することが確認できた。
ドからの磁界がＭＲヘッドに印加された後も再生出力が
低下することなく、従来ヘッドより、出力が安定に動作
することが確認できた。
【００２０】（実施例２）図４に、本発明による別の実
施例として、巨大磁気抵抗効果型ヘッドに適用した磁気
ヘッドの断面図を示す。このヘッドの作製に当たって
は、基板５上に、下部シールド膜（ＮｉＦｅ膜）１０，
磁気ギャップ形成用絶縁膜（ＡｌＯ膜）２０を実施例１
と同様に形成し、巨大磁気抵抗効果膜１００として、Ｎ
ｉＦｅ／Ｃｏ，Ｃｕ，ＣｏＦｅ，ＦｅＭｎを順次積層し
たものを用いた。次に、有機レジスト膜を積層した後、
所望の形状にパターニングを行い、さらに、永久磁石膜
（ＣｏＣｒＰｔ膜）６０を積層して、所望の形状に
加工した後、Ｎｂ／Ａｕ／ Ｎｂを積層、加工し電極７
０とした。また、磁気ギャップ形成用絶縁膜（ＡｌＯ
膜）８０は、実施例１と同様の段差がつくように形成し
た。さらにその上に厚さ２μｍの上部シールド膜（Ｎｉ
Ｆｅ膜）９０を積層し所望の形状に加工して磁気ヘッド
とした。
施例として、巨大磁気抵抗効果型ヘッドに適用した磁気
ヘッドの断面図を示す。このヘッドの作製に当たって
は、基板５上に、下部シールド膜（ＮｉＦｅ膜）１０，
磁気ギャップ形成用絶縁膜（ＡｌＯ膜）２０を実施例１
と同様に形成し、巨大磁気抵抗効果膜１００として、Ｎ
ｉＦｅ／Ｃｏ，Ｃｕ，ＣｏＦｅ，ＦｅＭｎを順次積層し
たものを用いた。次に、有機レジスト膜を積層した後、
所望の形状にパターニングを行い、さらに、永久磁石膜
（ＣｏＣｒＰｔ膜）６０を積層して、所望の形状に
加工した後、Ｎｂ／Ａｕ／ Ｎｂを積層、加工し電極７
０とした。また、磁気ギャップ形成用絶縁膜（ＡｌＯ
膜）８０は、実施例１と同様の段差がつくように形成し
た。さらにその上に厚さ２μｍの上部シールド膜（Ｎｉ
Ｆｅ膜）９０を積層し所望の形状に加工して磁気ヘッド
とした。
【００２１】本実施例におけるＧＭＲヘッドにおいて
も、電極部位置における磁気シールド膜の間隔Ｇseが、
感磁部位置における磁気シールド膜の間隔Ｇscより狭
く、Ｇse／Ｇscは０.６である。
も、電極部位置における磁気シールド膜の間隔Ｇseが、
感磁部位置における磁気シールド膜の間隔Ｇscより狭
く、Ｇse／Ｇscは０.６である。
【００２２】本発明によるＧＭＲヘッドは、Ｇse／Ｇsc
が１.３ の従来のＧＭＲヘッドに比べて、トラック幅方
向の感度分布における裾ひろがりが少なく、実施例１で
示した測定によるクロストーク量は約１０ｄＢ減少し
た。
が１.３ の従来のＧＭＲヘッドに比べて、トラック幅方
向の感度分布における裾ひろがりが少なく、実施例１で
示した測定によるクロストーク量は約１０ｄＢ減少し
た。
【００２３】さらに、本発明のＧＭＲヘッドに記録ヘッ
ドからの磁界がＭＲヘッドに印加された後も、再生出力
が低下することなく、従来ヘッドより、出力が安定に動
作することが確認できた。
ドからの磁界がＭＲヘッドに印加された後も、再生出力
が低下することなく、従来ヘッドより、出力が安定に動
作することが確認できた。
【００２４】（実施例３）本発明の磁気抵抗効果素子を
再生用ヘッドに用い、従来公知の誘導型薄膜ヘッドを記
録用ヘッドとして用いる記録再生分離型磁気ヘッドを作
製した。図５に、本実施例による記録再生分離型ヘッド
の一部分を切断した斜視図を示す。ＡｌＯ・ＴｉＣを主
成分とする焼結体をスライダ用の基板５とした。前記実
施例１に示した方法により段差を設けた下部シールド膜
１０および、磁気ギャップ形成用絶縁膜（ＡｌＯ膜）を
作製した。その上に、軟磁性膜（ＮｉＦｅＮｂ膜）３
０，非磁性導電膜（Ｔａ膜）４０，磁気抵抗効果膜（Ｎ
ｉＦｅ膜）５０，有機レジスト膜を積層した後、所望の
形状にパターニングを行った。さらに、永久磁石膜（Ｃ
ｏＣｒＰｔ膜）を積層し所望の形状に加工した後、Ｎｂ
／Ａｕ／Ｎｂ７０を積層，加工して電極とした。さらに
その上に、前記実施例１と同様の段差を設けた磁気ギャ
ップ形成膜（ＡｌＯ膜），磁気シールド膜（ＮｉＦｅ
膜）９０を形成した。以上の部分が再生ヘッドとして働
く。
再生用ヘッドに用い、従来公知の誘導型薄膜ヘッドを記
録用ヘッドとして用いる記録再生分離型磁気ヘッドを作
製した。図５に、本実施例による記録再生分離型ヘッド
の一部分を切断した斜視図を示す。ＡｌＯ・ＴｉＣを主
成分とする焼結体をスライダ用の基板５とした。前記実
施例１に示した方法により段差を設けた下部シールド膜
１０および、磁気ギャップ形成用絶縁膜（ＡｌＯ膜）を
作製した。その上に、軟磁性膜（ＮｉＦｅＮｂ膜）３
０，非磁性導電膜（Ｔａ膜）４０，磁気抵抗効果膜（Ｎ
ｉＦｅ膜）５０，有機レジスト膜を積層した後、所望の
形状にパターニングを行った。さらに、永久磁石膜（Ｃ
ｏＣｒＰｔ膜）を積層し所望の形状に加工した後、Ｎｂ
／Ａｕ／Ｎｂ７０を積層，加工して電極とした。さらに
その上に、前記実施例１と同様の段差を設けた磁気ギャ
ップ形成膜（ＡｌＯ膜），磁気シールド膜（ＮｉＦｅ
膜）９０を形成した。以上の部分が再生ヘッドとして働
く。
【００２５】次に、磁気記録用ヘッドとして、厚さ３μ
ｍのＡｌＯからなる絶縁膜を形成した後、下部磁極１１
０，上部磁極１２０およびコイル１３０からなる誘導型
薄膜ヘッドを形成した。下部磁極１１０，上部磁極１２
０には、スパッタリング法で形成した膜厚３.０μｍ の
Ｎｉー２０ａｔ％Ｆｅ合金を用いた。下部磁極１１０お
よび上部磁極１２０の間のギャップには、スパッタリン
グ法で形成した膜厚０.２μｍのＡｌＯを用いた。コイ
ル１３０には、膜厚３.０μｍのＣｕを使用した。下部
磁極１１０と上部磁極１２０は磁気的に結合して磁気回
路を構成し、コイル１３０はその磁気回路に鎖交してい
る。
ｍのＡｌＯからなる絶縁膜を形成した後、下部磁極１１
０，上部磁極１２０およびコイル１３０からなる誘導型
薄膜ヘッドを形成した。下部磁極１１０，上部磁極１２
０には、スパッタリング法で形成した膜厚３.０μｍ の
Ｎｉー２０ａｔ％Ｆｅ合金を用いた。下部磁極１１０お
よび上部磁極１２０の間のギャップには、スパッタリン
グ法で形成した膜厚０.２μｍのＡｌＯを用いた。コイ
ル１３０には、膜厚３.０μｍのＣｕを使用した。下部
磁極１１０と上部磁極１２０は磁気的に結合して磁気回
路を構成し、コイル１３０はその磁気回路に鎖交してい
る。
【００２６】本発明による記録再生分離型磁気ヘッドも
従来のヘッドに比べて、トラック幅方向の感度分布にお
ける裾ひろがりが少なく、実施例１で示した測定による
クロストーク量は約８ｄＢ減少した。
従来のヘッドに比べて、トラック幅方向の感度分布にお
ける裾ひろがりが少なく、実施例１で示した測定による
クロストーク量は約８ｄＢ減少した。
【００２７】（実施例４）前記実施例３で述べた本発明
による磁気ヘッドを用い、磁気ディスク装置を作製し
た。図６に磁気ディスク装置の構造の概略を示す。
による磁気ヘッドを用い、磁気ディスク装置を作製し
た。図６に磁気ディスク装置の構造の概略を示す。
【００２８】磁気記録媒体１４０には、残留磁束密度
０.７５Ｔ のＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ−Ｔａ系合金からなる材
料を用いた。磁気記録媒体１４０は駆動部１５０によっ
て回転駆動される。磁気ヘッド１６０の記録ヘッドのト
ラック幅は２μｍ、再生ヘッドのトラック幅は１.５μ
ｍ とした。磁気ヘッド１６０は、駆動部１７０によっ
て回転駆動されて磁気記録媒体１４０上のトラックを選
択できる。磁気ヘッド160による記録再生信号は記録再
生信号処理系１８０で処理される。
０.７５Ｔ のＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ−Ｔａ系合金からなる材
料を用いた。磁気記録媒体１４０は駆動部１５０によっ
て回転駆動される。磁気ヘッド１６０の記録ヘッドのト
ラック幅は２μｍ、再生ヘッドのトラック幅は１.５μ
ｍ とした。磁気ヘッド１６０は、駆動部１７０によっ
て回転駆動されて磁気記録媒体１４０上のトラックを選
択できる。磁気ヘッド160による記録再生信号は記録再
生信号処理系１８０で処理される。
【００２９】磁気ヘッド１６０に用いた磁気抵抗効果ヘ
ッドは、従来の構造の磁気抵抗効果ヘッドより、隣接ト
ラックからのクロストークが小さく、出力も安定なた
め、さらにトラック幅が狭く、記録密度の高い磁気ディ
スク装置を作製することもできる。
ッドは、従来の構造の磁気抵抗効果ヘッドより、隣接ト
ラックからのクロストークが小さく、出力も安定なた
め、さらにトラック幅が狭く、記録密度の高い磁気ディ
スク装置を作製することもできる。
【００３０】
【発明の効果】本発明によると、磁気抵抗効果型再生ヘ
ッドにおける感磁部のトラック幅両端部に印加される磁
界が減少するため、トラック幅方向の再生感度のにじみ
を低減でき、隣接トラックからのクロストークを低減で
きる。さらに、安定な再生出力を有する磁気抵抗効果型
再生ヘッドを得ることができる。
ッドにおける感磁部のトラック幅両端部に印加される磁
界が減少するため、トラック幅方向の再生感度のにじみ
を低減でき、隣接トラックからのクロストークを低減で
きる。さらに、安定な再生出力を有する磁気抵抗効果型
再生ヘッドを得ることができる。
【図１】本発明による磁気抵抗効果型ヘッドの断面図。
【図２】本発明によるヘッドと従来ヘッドにおけるトラ
ック幅方向の感度分布を示す図。
ック幅方向の感度分布を示す図。
【図３】電極部位置におけるシールド間隔Ｇseと感磁部
位置におけるシールド間隔Ｇscの比Ｇse／Ｇscと、クロ
ストラック量の関係を示す図。
位置におけるシールド間隔Ｇscの比Ｇse／Ｇscと、クロ
ストラック量の関係を示す図。
【図４】本発明による巨大磁気抵抗効果型ヘッドの断面
図。
図。
【図５】本発明の磁気抵抗効型ヘッドを用いた記録再生
分離型磁気ヘッドの構造を示す斜視図。
分離型磁気ヘッドの構造を示す斜視図。
【図６】本発明による記録再生装置の概略。
【図７】従来の磁気抵抗効果型ヘッドの断面図。
５…基板、１０…下部シールド膜、２０…下部磁気ギャ
ップ形成用絶縁膜、３０…軟磁性膜、４０…非磁性導電
膜、５０…磁気抵抗効果膜、６０…永久磁石膜、７０…
電極、８０…上部磁気ギャップ形成用絶縁膜、９０…上
部シールド膜、１００…巨大磁気抵抗効果膜、１１０…
記録ヘッド用下部磁極、１２０…記録ヘッド用上部磁
極、１３０…コイル、１４０…磁気記録媒体、１５０…
磁気記録媒体駆動部、１６０…磁気ヘッド、１７０…磁
気ヘッド駆動部、１８０…記録再生信号処理系。
ップ形成用絶縁膜、３０…軟磁性膜、４０…非磁性導電
膜、５０…磁気抵抗効果膜、６０…永久磁石膜、７０…
電極、８０…上部磁気ギャップ形成用絶縁膜、９０…上
部シールド膜、１００…巨大磁気抵抗効果膜、１１０…
記録ヘッド用下部磁極、１２０…記録ヘッド用上部磁
極、１３０…コイル、１４０…磁気記録媒体、１５０…
磁気記録媒体駆動部、１６０…磁気ヘッド、１７０…磁
気ヘッド駆動部、１８０…記録再生信号処理系。
Claims (7)
- 【請求項１】磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜に
電流を流すための一対の電極と、前記磁気抵抗効果膜に
横バイアス磁界を印加するための手段と、前記磁気抵抗
効果膜に縦バイアス磁界を印加するための手段とを含む
磁気抵抗効果素子が、積層方向に離間して設けられた一
対の磁気シールド膜の間に配置されている磁気抵抗効果
型ヘッドにおいて、前記電極部位置における磁気シール
ド膜の間隔が、感磁部位置における磁気シールド膜の間
隔より狭い、もしくは同じであることを特徴とする磁気
抵抗効果型再生ヘッド。 - 【請求項２】少なくとも２層の磁性層及びそれらを分離
する非磁性層からなる磁気抵抗効果膜および上記磁気抵
抗効果膜に電流を供給する一対の電極を有し、上記２つ
の磁性層の磁化の向きの差によって抵抗変化を得る磁気
抵抗効果素子が、積層方向に離間して設けられた一対の
磁気シールド膜の間に配置されている磁気抵抗効果型ヘ
ッドにおいて、前記電極部位置における磁気シールド膜
の間隔が、感磁部位置における磁気シールド膜の間隔よ
り狭い、もしくは同じであることを特徴とする磁気抵抗
効果型再生ヘッド。 - 【請求項３】上記電極部位置における磁気シールド膜の
間隔Ｇseと感磁部位置における磁気シールド膜の間隔Ｇ
scの比Ｇse／Ｇscが、０.６ から１であることを特徴と
する請求項１又は２の磁気抵抗効果型再生ヘッド。 - 【請求項４】基板上に積層して設けられた横バイアス磁
界印加用の軟磁性膜，非磁性導電膜及び磁気抵抗効果
膜、前記磁気抵抗効果膜の長手方向両端部に設けられた
縦バイアス磁界印加用の一対の永久磁石膜、並びに前記
一対の永久磁石膜上に設けられた一対の電極とを備える
ことを特徴とする請求項１の磁気抵抗効果型再生ヘッ
ド。 - 【請求項５】少なくとも２層の磁性層及びそれらを分離
する非磁性層からなる磁気抵抗効果膜のうち少なくとも
１層に接して反強磁性膜を設け、この反強磁性膜との磁
気的な交換結合によって、上記磁性層の磁化に一方向異
方性が印加されており、さらに、前記磁気抵抗効果膜の
長手方向両端部に縦バイアス磁界印加用の一対の永久磁
石膜を備えることを特徴とする請求項２の磁気抵抗効果
型再生ヘッド。 - 【請求項６】一対の磁極、該一対の磁極を磁気的に結合
する磁気回路手段および前記磁気回路に鎖交するコイル
を含む磁気記録用誘導型薄膜ヘッドと、前記請求項１〜
５のいずれか一項に記載の磁気抵抗効果型再生ヘッドと
を備えることを特徴とする記録再生分離型磁気ヘッド。 - 【請求項７】磁気記録媒体と、請求項１〜６のいずれか
一項に記載のヘッドと前記磁気記録媒体と前記ヘッドと
を相対的に駆動する駆動手段と、前記ヘッドに接続され
た記録再生信号処理計とを含むことを特徴とする磁気記
録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18210397A JPH1125431A (ja) | 1997-07-08 | 1997-07-08 | 磁気抵抗効果型再生ヘッドならびに磁気記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18210397A JPH1125431A (ja) | 1997-07-08 | 1997-07-08 | 磁気抵抗効果型再生ヘッドならびに磁気記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1125431A true JPH1125431A (ja) | 1999-01-29 |
Family
ID=16112399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18210397A Pending JPH1125431A (ja) | 1997-07-08 | 1997-07-08 | 磁気抵抗効果型再生ヘッドならびに磁気記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1125431A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100342321B1 (ko) * | 1999-10-30 | 2002-06-27 | 김중권 | 자동 장력 제어장치 |
| US6466419B1 (en) * | 2000-03-31 | 2002-10-15 | Seagate Technology Llc | Current perpendicular to plane spin valve head |
| US6762910B1 (en) * | 1999-06-03 | 2004-07-13 | Western Digital (Fremont), Inc. | Data storage and retrieval apparatus with thin film read head having inset extra gap insulation layer and method of fabrication |
| US7136263B2 (en) | 2002-12-26 | 2006-11-14 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head, thin-film magnetic head assembly, storage device, and method of manufacturing thin-film magnetic head |
| KR100694960B1 (ko) * | 1999-03-25 | 2007-03-14 | 삼성전자주식회사 | 하드디스크 드라이브의 자기저항 헤드 장치 |
| US7426096B2 (en) | 2003-04-24 | 2008-09-16 | Tdk Corporation | Magnetoresistive effective element with high output stability and reduced read bleeding at track edges |
-
1997
- 1997-07-08 JP JP18210397A patent/JPH1125431A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100694960B1 (ko) * | 1999-03-25 | 2007-03-14 | 삼성전자주식회사 | 하드디스크 드라이브의 자기저항 헤드 장치 |
| US6762910B1 (en) * | 1999-06-03 | 2004-07-13 | Western Digital (Fremont), Inc. | Data storage and retrieval apparatus with thin film read head having inset extra gap insulation layer and method of fabrication |
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| US6466419B1 (en) * | 2000-03-31 | 2002-10-15 | Seagate Technology Llc | Current perpendicular to plane spin valve head |
| US7136263B2 (en) | 2002-12-26 | 2006-11-14 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head, thin-film magnetic head assembly, storage device, and method of manufacturing thin-film magnetic head |
| US7426096B2 (en) | 2003-04-24 | 2008-09-16 | Tdk Corporation | Magnetoresistive effective element with high output stability and reduced read bleeding at track edges |
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