JP3233115B2 - 磁気抵抗効果型ヘッドとその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果型ヘ
ッドとその製造方法に係わり、特に、磁気記録媒体の磁
化の向きにより情報を保存し、磁気ヘッドにより記録再
生を行う磁気記録装置の再生部に用いる磁気抵抗効果型
ヘッド（ＭＲヘッド）に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気抵抗効果を用いたＭＲヘッドは高い
磁界応答感度を有しているため、高密度の磁気記録装置
において利用されている。ＭＲヘッドにおいては磁気抵
抗効果材料として、異方性磁気抵抗（ＡＭＲ）効果をも
つ磁性膜、あるいは、巨大磁気抵抗効果をもつ多層膜が
用いられている。磁気記録装置では、磁気記録媒体から
の信号磁界が磁気抵抗効果材料の磁化の方向を変化さ
せ、この変化が磁気抵抗効果材料の抵抗値の変化および
感知した電流または電圧の変化を引き起こすため、記録
データを磁気記録媒体から読み出すことができる。

【０００３】磁気記録装置の記録密度を向上させる方法
としては、トラック幅を狭くしてトラック密度を向上さ
せる方法と線密度を向上させる方法がある。線密度を向
上させる方法としては、磁気ヘッドと磁気記録媒体の間
のスペーシングを小さくする方法やＭＲヘッドのシール
ド間のギャップを薄くして分解能を高める方法がある。
一方、トラック密度を向上させるためには記録時及び再
生時の実効的なトラック幅を狭くする必要がある。しか
しながら、近年の磁気記録装置の大容量化に伴うトラッ
ク密度の向上により、通常のウェハプロセスにおいては
サブミクロンの記録及び再生トラック幅を形成すること
が困難になりつつある。また、トラック幅を決めるウェ
ハプロセスがヘッド製造工程の初期に行われるのに対
し、実効的な記録及び再生トラック幅の測定はヘッド製
造終了後にスピンスタンドを用いたＲ／Ｗ特性（オフト
ラック特性）の評価においてのみ行われるため、磁気記
録装置で要求されるトラック幅の仕様を満足する製造工
程を構築するのに、時間がかかるという課題もあった。
さらに、記録トラックと再生トラックのトラック幅方向
のオフセット量は記録ヘッドと再生ヘッドが数μｍ離れ
て積層された構造をとっているために、ウェハプロセス
においては許容範囲内に制御することが困難になってい
る。

【０００４】ウェハプロセスに依らずにトラック幅を狭
くする方法として、集束イオンビーム（Ｆｏｃｕｓｅｄ
Ｉｏｎ Ｂｅａｍ、以下、ＦＩＢという）を用いる方
法が高野らにより「ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮ
Ｓ ＭＡＧＮＥＴＩＣＳ，ＶＯＬ．２７，１９９１，ｐ
ｐ．４６７８−４６８３」に開示されている。この方法
によれば、ウェハプロセス後のスライダー加工の段階
で、ヘッドのエアベアリング面（ＡＢＳ）より集束イオ
ンビームにより、記録ポールの磁性材料をエッチングす
ることにより、狭い記録トラック幅を実現することがで
きる。さらに、同様のエッチングプロセスをＭＲヘッド
に適用する方法が鈴木らにより特開平１０−１５４３１
２号公報に開示されている。そこでは、記録媒体に対し
て垂直方向に再生電流が流れることを特徴とした縦型の
ＭＲヘッドにおいて、図１２に示すように、ＭＲ素子の
トラック幅方向の両端部を集束イオンビーム等によりエ
ッチングし切り欠き部３１を形成し、狭い再生トラック
幅を実現している。また、鈴木らの発明においては、記
録トラック幅と再生トラック幅がＦＩＢによりほぼ同時
にＡＢＳから加工することが可能になるので、記録と再
生のオフセット量を制御することが容易になるという特
徴もあった。

【０００５】図１３は、横型のＭＲヘッドに切り欠き部
を形成した状態を示す断面図である。しかし、上記した
集束イオンビーム等を用いて、ＭＲ素子をエッチングす
る方法は記録媒体に沿って再生電流を流すことを特徴と
した横型のＭＲヘッドに適用することが困難であるとい
う問題があった。これは図１３に示すように、横型のＭ
ＲヘッドにおいてはＭＲ素子の高さが小さく、エッチン
グにより断線が起きてしまう危険があること、及び、永
久磁石と電極が積層されたＭＲヘッドにおいてはＭＲ素
子の磁区安定化のための縦バイアスがＡＢＳ付近で十分
に印加されなくなってしまうためである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
した従来技術の欠点を改良し、特に、ＭＲ素子にダメー
ジを与えることなく、スライダー加工段階において再生
トラック幅の狭トラック化を可能にした新規な抵抗効果
型ヘッドとその製造方法を提供するものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。即ち、本発明に係わる磁
気抵抗効果型ヘッドの第１態様は、ＭＲ素子と、このＭ
Ｒ素子を挟むように上シールドギャップ層を介して形成
した上シールド層と、下シールドギャップ層を介して形
成した下シールド層とを少なくとも備えた磁気抵抗効果
型ヘッドにおいて、エアベアリング面にトラック幅を規
定するための軟磁性層からなる層が形成され、前記トラ
ック幅を規定するための層が２つの部分からなり、前記
２つの部分の間隔が前記ＭＲ素子の幅よりも狭いことを
特徴とするものであり、又、第２態様は、ＭＲ素子と、
このＭＲ素子を挟むように上シールドギャップ層を介し
て形成した上シールド層と、下シールドギャップ層を介
して形成した下シールド層とを少なくとも備えた磁気抵
抗効果型ヘッドにおいて、 エアベアリング面にトラック
幅を規定するための軟磁性層と絶縁層との積層膜からな
る層が形成され、前記トラック幅を規定するための層が
２つの部分からなり、前記２つの部分の間隔が前記ＭＲ
素子の幅よりも狭いことを特徴とするものであり、又、
第３態様は、前記トラック幅を規定するための層に、反
強磁性層が積層されたことを特徴とするものであり、
又、第４態様は、ＭＲ素子と、このＭＲ素子を挟むよう
に上シールドギャップ層を介して形成した上シールド層
と、下シールドギャップ層を介して形成した下シールド
層とを少なくとも備えた磁気抵抗効果型ヘッドにおい
て、 エアベアリング面にトラック幅を規定するための導
電層が形成され、上記トラック幅を規定するための層が
２つの部分からなり、前記２つの部分の間隔が前記ＭＲ
素子の幅よりも狭いことを特徴とするものであり、又、
第５態様は、前記導電層の一方の部分が前記上シールド
層に電気的に接続し、前記導電層の他方の部分が前記下
シールド層に電気的に接続していることを特徴とするも
のであり、又、第６態様は、ＭＲ素子と、このＭＲ素子
を挟むように上シールドギャップ層を介して形成した上
シールド層と、下シールドギャップ層を介して形成した
下シールド層とを少なくとも備えた磁気抵抗効果型ヘッ
ドにおいて、 エアベアリング面にトラック幅を規定する
ための導電層が形成され、上記トラック幅を規定するた
めの層が２つの部分からなり、前記２つの部分の間隔が
前記ＭＲ素子の幅よりも狭く、且つ、前記導電層の一方
の部分が前記上シールド層に電気的に接続し、前記導電
層の他方の部分が前記下シールド層に電気的に接続して
いることを特徴とするものである。

【０００８】又、本発明に係わる磁気抵抗効果型ヘッド
の製造方法の態様は、ＭＲ素子と、このＭＲ素子を挟む
ように上シールドギャップ層を介して形成した上シール
ド層と、下シールドギャップ層を介して形成した下シー
ルド層とを少なくとも備えた磁気抵抗効果型ヘッドの製
造方法において、前記ＭＲ素子が露出したエアベアリン
グ面にレジストを塗布し、記録ヘッドの記録幅を面合わ
せマークとして、前記ＭＲ素子を覆い、且つ前記ＭＲ素
子の幅よりも狭くなるような幅が形成されるように前記
レジストをパターニングする第１の工程と、前記レジス
トを含む面に、前記ＭＲヘッドのトラック幅を規定する
ための軟磁性層を成膜する第２の工程と、前記レジスト
を除去することで、２つの部分からなる軟磁性層が形成
され、前記軟磁性層の２つの部分の間隔が、前記ＭＲ素
子の幅よりも狭く形成される第３の工程と、を含むこと
を特徴とするものである。

【０００９】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の実施
の形態の構成を示すＡＢＳからみた斜視図である。図１
において、再生ヘッドはＭＲ素子層１、上シールド層
２、下シールド層３、上シールドギャップ層９、下シー
ルドギャップ層１０とから構成され、ＡＢＳ面に軟磁性
膜４が配置されている。図２は図１のＡ−Ａ’面で切っ
た断面図である。軟磁性層４はＭＲ素子１の一部が浮揚
面に露出するように構成されている。軟磁性層４はリフ
トオフプロセス等により形成される。その際、面合わせ
マークとして記録幅を規定する上ポールを用いることが
できる。ＭＲ素子１としては磁気抵抗効果層、分離層、
軟磁性補助バイアス層からなる異方性磁気抵抗効果素
子、あるいは、第１の強磁性層、非磁性金属層、第２の
強磁性層、反強磁性層からなる巨大磁気抵抗効果素子を
用いることができる。電極層５としては金、銅、タング
ステンなどの金属を用いることができる。また、電極層
５はこれらの金属層とＭＲ素子に縦バイアス磁界を印加
するためのＣｏＣｒなどの永久磁石膜との積層構成とす
ることもできる。軟磁性層４としてはＮｉＦｅ、フェラ
イト等を用いることができる。

【００１０】なお、トラック幅を規定するための軟磁性
層４の間隔ｔはＭＲ素子１の幅Ｔより小さくなるように
設定する。次に本発明の実施の形態の動作について、図
を参照して説明する。図３は本発明の媒体磁性に対する
信号強度のオフトラック特性を示した。なお、図３の測
定では記録トラックとして本発明の実施の形態のＭＲ素
子の幅よりも十分小さいものを用いた。また、比較のた
めに、軟磁性層４をもたない再生ヘッドの信号強度のオ
フトラック特性を示した。オフトラック特性における半
値幅は実効的な再生幅を示す。比較例の半値幅がＭＲ素
子の幅に等しいのに対し、本発明のヘッドの半値幅は軟
磁性層４の間隔にほぼ等しくなっている。これは軟磁性
層４により記録トラックからの磁束が吸収されるためで
あり、軟磁性層４の間隔ｔにより再生トラック幅が規定
されることを示している。

【００１１】本発明の第１の実施の形態の変形例とし
て、軟磁性層４のかわりに、図４のように軟磁性層４と
絶縁層６との積層膜を用いることができる。これは軟磁
性層４としてＮｉＦｅのような導電性の材料を用いた場
合に、上下シールド層とＭＲ素子あるいは電極５との間
の電気的な短絡を避ける必要があるためである。短絡を
防ぐ形態として、図５のように軟磁性層４の成膜、パタ
ーニングをおこなう前にＭＲ素子を含んだ前面に絶縁層
６を成膜しておくことも有効である。また、この絶縁層
６はスライダーの保護膜を兼用することもできる。

【００１２】又、この第１の実施の形態では、軟磁性層
４の磁区の安定化のために軟磁性層４の上又は下に反強
磁性層を積層した構成としてもよい。図６は本発明の第
２の実施の形態の構成を示す斜視図である。図６で再生
ヘッドはＭＲ素子層１、上シールド層２、下シールド層
３、上シールドギャップ層９、下シールドギャップ層１
０から構成され、ＡＢＳ面に導電性膜１１が配置されて
いる。図７は本発明の第２の実施の形態の構成を図６の
Ａ−Ａ’面で切った断面図である。この場合も、ＭＲ素
子導電性膜１１の間隔ｔが電気的に実効的な再生トラッ
ク幅を規定する。導電性膜１１としては金、銅、タング
ステンなどが用いられる。尚、図６においては両側の導
電性膜がそれぞれ上シールド層、下シールド層の一方の
シールド層とのみ短絡する構成をとることにより、ＭＲ
素子と並列な電流経路を遮断している。ＭＲ素子１、電
極層５としては第１の実施の形態と同様な材料を用いる
ことができる。

【００１３】このように構成した本発明の磁気抵抗効果
型ヘッドでは、浮揚面に配置した軟磁性層により余分な
磁束を吸収する導電性膜により電流の経路をＭＲ素子か
ら迂回させることにより、実効的な再生幅の狭トラック
化をおこなうことができる。さらに、再生幅を決定する
軟磁性層のパターニング工程がウェハ工程完了後におこ
なわれるため、磁気記録装置のトラック幅の要求を満足
するためのトラック幅の変更を容易におこなうことが可
能になる。さらに、再生幅の形成プロセスの際に記録幅
パターンを用いることができるため、記録幅と再生幅の
オフセット量の制御を容易に行うことができることであ
る。

【００１４】このように本発明においては、軟磁性層あ
るいは導電性層の間隔により再生トラック幅を規定する
ことができるので、ＭＲ素子にダメージを与えることな
く、スライダー加工段階で狭トラックな再生トラック幅
を有するＭＲヘッドを提供することができる。また、記
録幅とのトラック幅方向の相対的な位置を制御すること
が可能になるため、記録と再生のオフセット量を許容範
囲以内にすることが容易になる。

【００１５】

【実施例】以下に、本発明に係わる磁気抵抗効果型ヘッ
ドとその製造方法の具体例を図面を参照しながら詳細に
説明する。 （第１の具体例）図１、図８及び図９は、本発明に係わ
る磁気抵抗効果型ヘッドの具体例の構造を示す図であっ
て、これらの図には、ＭＲ素子１と、このＭＲ素子用の
電極５、５と、前記ＭＲ素子１を挟むように上シールド
ギャップ層９を介して形成した上シールド層２と、下シ
ールドギャップ層１０を介して形成した下シールド層３
とを少なくとも備えた磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、
エアベアリング面にトラック幅を規定するための層４が
形成されている磁気抵抗効果型ヘッドが示され、又、前
記トラック幅を規定するための層が２つの部分４１、４
２からなり、前記２つの部分４１、４２の間隔ｔが前記
ＭＲ素子１の幅Ｔよりも狭い磁気抵抗効果型ヘッドが示
され、又、前記トラック幅を規定するための層が、軟磁
性層４である磁気抵抗効果型ヘッドが示され、又、前記
トラック幅を規定するための層が、絶縁層６と軟磁性層
４との積層膜である磁気抵抗効果型ヘッドが示されてい
る。

【００１６】この場合、前記トラック幅を規定するため
の層４に、反強磁性層を積層するように構成しても良
い。以下に、本発明を更に詳細に説明する。図８は本発
明の第１の具体例を示すＡＢＳ面からみた断面図であ
る。図８を参照すると、この具体例はセラミックの非磁
性基板（図示せず）上に、厚さ２μｍのＮｉＦｅを用い
た下シールド層３がメッキ法により成膜され、イオンミ
リングにより幅６０μｍにパターン化される。その上
に、厚さ０．１μｍのＡｌ₂ Ｏ₃を用いた下シールドギ
ャップ層１０がスパッタリング法により成膜される。次
に、第１の強磁性層２１としての厚さ８ｎｍのＮｉＦｅ
（飽和磁化１Ｔ）、非磁性金属層２２としての厚さ２．
５ｎｍのＣｕ層、第２の強磁性層２３としての厚さ４ｎ
ｍのＣｏＦｅ層がスパッタリング法により成膜される。
さらに、反強磁性層２４として、厚さ３０ｎｍのＮｉＭ
ｎ膜がスパッタリング法により成膜される。ここで、１
０ｋＯｅの磁界を信号磁界の方向（図面の奥行き方向）
に印加しながら２７０度で熱処理することにより、第２
の強磁性層２３に信号磁界方向の交換磁界をかける。そ
の後、ステンシル型のレジストを付けた後、第１の強磁
性層２１、非磁性金属層２２、第２の強磁性層２３、反
強磁性層２４はイオンミリングにより幅１．５μｍにパ
ターン化される。さらに第１の強磁性層２１に縦バイア
ス磁界を加えるための永久磁石層２７として、厚さ４０
ｎｍのＣｏＣｒＰｔ（残留磁化０．８Ｔ）、及び電極５
として厚さ０．２μｍのＡｕ層がスパッタリングされ、
レジストが除去される。ここで、永久磁石層２７を着磁
するために、１０ｋＯｅの磁界をトラック幅方向に常温
で印加する。次に、この上に厚さ０．１μｍのＡｌ₂ Ｏ
₃ を用いた上シールドギャップ層９がスパッタリング法
により成膜される。そして、その上に厚さ２μｍのＮｉ
Ｆｅを用いた上シールド層２がメッキ法により成膜さ
れ、イオンミリングにより幅６０μｍにパターン化され
る。さらに、記録ギャップ層２８としての厚さ０．３μ
ｍのＡｌ₂ Ｏ₃ 、コイル（図示せず）、上ポール層２９
としての厚さ４μｍのＮｉＦｅが成膜され、記録部を形
成する。以上のような工程で作成したウェハを機械加工
によってバー状態に切断し、ＡＢＳを露出させるための
研磨をおこなった後、浮上面形成のためのスライダー加
工をイオンミリングによりおこなった。そして、記録部
をＦＩＢ加工により、トラック幅０．７μｍに加工し
た。図９はＡＢＳ露出後の再生幅を決定する工程を示す
断面図である。最初にＦＩＢ加工された上ポール幅を面
合わせマークとして用い、０．５μｍのステンシル型の
レジスト３０をＭＲ素子１の上に形成する。次に絶縁膜
として厚さ２ｎｍのＡｌ₂ Ｏ₃ 膜６及び、軟磁性層４と
しての厚さ２ｎｍのＮｉＦｅを成膜し、リフトオフ工程
によりレジスト３０を除去する。さらに、バーをチップ
に切断後、サスペンションにとりつけた。この第１の具
体例のＭＲヘッドの記録再生実験を行ったところ、高出
力な再生波形が得られ、実効再生幅は軟磁性層の間隔に
ほぼ等しい０．６μｍであった。

【００１７】（第２の具体例）図６、図１０及び図１１
は第２の具体例を示す図であり、図１１はエアベアリン
グ面にレジストを塗布し、パターニングした状態を示す
図、図６は導電性膜の形成状態を示す図である。なお、
この具体例において、記録幅のＦＩＢ加工までは第１の
具体例と同様に作成されるので説明及び図を省略する。
図１０を参照すると、最初にＦＩＢ加工された上ポール
幅を面合わせマークとして用い、幅０．５μｍのステン
シル型のレジスト３０をＭＲ素子１の上に形成する。こ
の際レジストの平面形状は図１１のように、ＭＲ素子１
の左側では下シールド層３が又、ＭＲ素子１の右側では
上シールド層２がレジスト３０で覆われるような形状に
しておく。次に、導電性膜１１として厚さ２ｎｍのＡｕ
膜を成膜し、リフトオフ工程によりレジスト３０を除去
する。さらに、バーをチップに切断後、サスペンション
にとりつけた。本発明の第２の具体例のＭＲヘッドの記
録再生実験を行ったところ、高出力な再生波形が得ら
れ、実効再生幅は軟磁性層の間隔にほぼ等しい０．６μ
ｍであった。

【００１８】このように、第２の具体例も、ＭＲ素子１
と、このＭＲ素子用の電極５、５と、前記ＭＲ素子１を
挟むように上シールドギャップ層９を介して形成した上
シールド層２と、下シールドギャップ層１０を介して形
成した下シールド層３とを少なくとも備えた磁気抵抗効
果型ヘッドにおいて、エアベアリング面にトラック幅を
規定するための層１１が形成されている磁気抵抗効果型
ヘッドであり、又、前記トラック幅を規定するための層
１１が２つの部分５１、５２からなり、前記２つの部分
５１、５２の間隔ｔが前記ＭＲ素子１の幅Ｔよりも狭い
ことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドであり、又、前
記トラック幅を規定するための層が、導電性層１１であ
ることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドであり、又、
前記導電性層が第１と第２の２つの部分５１、５２から
なり、前記第１の部分５１が上シールドギャップ層２に
電気的に接続し、前記第２の部分５２が下シールドギャ
ップ層３に電気的に接続している。

【００１９】この場合も第１の具体例と同様に、前記ト
ラック幅を規定するための層１１に、反強磁性層を積層
するように構成しても良い。

【００２０】

【発明の効果】本発明に係わる磁気抵抗効果型ヘッドと
その製造方法は、上述のように構成したので、以下の効
果を奏する。本発明の第１の効果はＡＢＳから配置した
軟磁性膜あるいは導電性膜により再生トラック幅を規定
することができるため、ＭＲ素子にダメージを与えるこ
となくスライダー加工段階で再生トラック幅を作成する
ことができることである。これにより、磁気記録装置で
要求される種々の狭いトラック幅をもつＭＲヘッドを短
い製造工程で製作することが可能になる。

【００２１】本発明の第２の効果は再生幅の形成プロセ
スの際にＦＩＢ加工された記録幅パターンを用いること
ができるため、記録幅と再生幅のオフセット量の制御を
容易に行うことができることである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気抵抗効果ヘッドの実施の形態を示
す斜視図である。

【図２】図１のＡ−Ａ’断面図である。

【図３】本発明の磁気抵抗効果ヘッドのオフトラック特
性を示すグラフである。

【図４】本発明の磁気抵抗効果ヘッドの実施の形態を示
す断面図である。

【図５】本発明の磁気抵抗効果ヘッドの実施の形態を示
す断面図である。

【図６】他の実施の形態を示す斜視図である。

【図７】図６のＡ−Ａ’断面図である。

【図８】第１の具体例を示す断面図である。

【図９】第１の具体例の製造プロセスを示す断面図であ
る。

【図１０】第２の具体例の製造プロセスを示す断面図で
ある。

【図１１】第２の具体例のレジストをパターニングした
状態を示す斜視図である。

【図１２】従来の縦型の磁気抵抗効果ヘッドの断面図で
ある。

【図１３】従来の横型の磁気抵抗効果ヘッドの断面図で
ある。

【符号の説明】

１ ＭＲ素子層 ２ 上シールド層 ３ 下シールド層 ４ 軟磁性層 ５ 電極層 ６ 絶縁層 ９ 上シールドギャップ層 １０ 下シールドギャップ層 １１ 導電性膜 ２１ 第１の強磁性層 ２２ 非磁性金属層 ２３ 第２の強磁性層 ２４ 反強磁性層 ２７ 永久磁石層 ２８ 記録ギャップ層 ２９ 上ポール層 ３０ レジスト ３１ 切り欠き部

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ＭＲ素子と、このＭＲ素子を挟むように
   上シールドギャップ層を介して形成した上シールド層
   と、下シールドギャップ層を介して形成した下シールド
   層とを少なくとも備えた磁気抵抗効果型ヘッドにおい
   て、 エアベアリング面にトラック幅を規定するための軟磁性
   層からなる層が形成され、前記トラック幅を規定するた
   めの層が２つの部分からなり、前記２つの部分の間隔が
   前記ＭＲ素子の幅よりも狭いことを特徴とする磁気抵抗
   効果型ヘッド。
2. 【請求項２】 ＭＲ素子と、このＭＲ素子を挟むように
   上シールドギャップ層を介して形成した上シールド層
   と、下シールドギャップ層を介して形成した下シールド
   層とを少なくとも備えた磁気抵抗効果型ヘッドにおい
   て、 エアベアリング面にトラック幅を規定するための軟磁性
   層と絶縁層との積層膜からなる層が形成され、前記トラ
   ック幅を規定するための層が２つの部分からなり、前記
   ２つの部分の間隔が前記ＭＲ素子の幅よりも狭いことを
   特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
3. 【請求項３】 前記トラック幅を規定するための層に、
   反強磁性層が積層されたことを特徴とする請求項１又は
   ２記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
4. 【請求項４】 ＭＲ素子と、このＭＲ素子を挟むように
   上シールドギャップ層を介して形成した上シールド層
   と、下シールドギャップ層を介して形成した下シールド
   層とを少なくとも備えた磁気抵抗効果型ヘッドにおい
   て、 エアベアリング面にトラック幅を規定するための導電層
   が形成され、上記トラック幅を規定するための層が２つ
   の部分からなり、前記２つの部分の間隔が前記ＭＲ素子
   の幅よりも狭いことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッ
   ド。
5. 【請求項５】 前記導電層の一方の部分が前記上シール
   ド層に電気的に接続し、前記導電層の他方の部分が前記
   下シールド層に電気的に接続していることを特徴とする
   請求項４に記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
6. 【請求項６】 ＭＲ素子と、このＭＲ素子を挟むように
   上シールドギャップ層を介して形成した上シールド層
   と、下シールドギャップ層を介して形成した下シールド
   層とを少なくとも備えた磁気抵抗効果型ヘッドにおい
   て、 エアベアリング面にトラック幅を規定するための導電層
   が形成され、上記トラ ック幅を規定するための層が２つ
   の部分からなり、前記２つの部分の間隔が前記ＭＲ素子
   の幅よりも狭く、且つ、前記導電層の一方の部分が前記
   上シールド層に電気的に接続し、前記導電層の他方の部
   分が前記下シールド層に電気的に接続していることを特
   徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
7. 【請求項７】 ＭＲ素子と、このＭＲ素子を挟むように
   上シールドギャップ層を介して形成した上シールド層
   と、下シールドギャップ層を介して形成した下シールド
   層とを少なくとも備えた磁気抵抗効果型ヘッドの製造方
   法において、 前記ＭＲ素子が露出したエアベアリング面にレジストを
   塗布し、記録ヘッドの記録幅を面合わせマークとして、
   前記ＭＲ素子を覆い、且つ前記ＭＲ素子の幅よりも狭く
   なるような幅が形成されるように前記レジストをパター
   ニングする第１の工程と、 前記レジストを含む面に、前記ＭＲヘッドのトラック幅
   を規定するための軟磁性層を成膜する第２の工程と、 前記レジストを除去することで、２つの部分からなる軟
   磁性層が形成され、前記軟磁性層の２つの部分の間隔
   が、前記ＭＲ素子の幅よりも狭く形成される第３の工程
   と、 を含むことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方
   法。