JP2000113421A - 磁気トンネル接合磁気抵抗ヘッド - Google Patents
磁気トンネル接合磁気抵抗ヘッドInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】従来のＭＲヘッドの作製方法が適用でき、作製
が容易なトンネル接合ＭＲヘッドを提供する。 【解決手段】第1のトンネル接合１８は、磁化自由層１
０、第1の磁化固定層１２と、両層の間に形成された薄
い絶縁層１１によって形成され、第2のトンネル接合１
９は、磁化自由層１０と第2の磁化固定層１３、及び絶
縁層１１によって構成される。第１のトンネル接合１８
と第2のトンネル接合１９は磁化自由層１０の両端部に
あり、磁化自由層１０と通して接続されている。第1の
トンネル接合１８に接続される第1の電極１６から流れ
る検出電流は、第1のトンネル接合１８、磁化自由層１
０、及びと第2のトンネル接合１９を通って第2の電極１
７に流れる。
が容易なトンネル接合ＭＲヘッドを提供する。 【解決手段】第1のトンネル接合１８は、磁化自由層１
０、第1の磁化固定層１２と、両層の間に形成された薄
い絶縁層１１によって形成され、第2のトンネル接合１
９は、磁化自由層１０と第2の磁化固定層１３、及び絶
縁層１１によって構成される。第１のトンネル接合１８
と第2のトンネル接合１９は磁化自由層１０の両端部に
あり、磁化自由層１０と通して接続されている。第1の
トンネル接合１８に接続される第1の電極１６から流れ
る検出電流は、第1のトンネル接合１８、磁化自由層１
０、及びと第2のトンネル接合１９を通って第2の電極１
７に流れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
や磁気テープ装置等に用いられる磁気ヘッドに係わり、
更に詳しく言えば、より感度の高い磁気トンネル接合磁
気抵抗ヘッド(ＭＲヘッド)に関する。
や磁気テープ装置等に用いられる磁気ヘッドに係わり、
更に詳しく言えば、より感度の高い磁気トンネル接合磁
気抵抗ヘッド(ＭＲヘッド)に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク装置や、磁気テープ装置等
の磁気的情報記録装置は、常により高い密度で情報を記
録することが求められている。記録密度を高くすると磁
気ヘッドの再生信号が減少するため、記録密度の向上に
はより高感度の磁気ヘッドを開発することが必須であ
る。
の磁気的情報記録装置は、常により高い密度で情報を記
録することが求められている。記録密度を高くすると磁
気ヘッドの再生信号が減少するため、記録密度の向上に
はより高感度の磁気ヘッドを開発することが必須であ
る。
【０００３】今日、高密度磁気記録用の磁気ヘッドは、
読み取り用の磁気ヘッドと、書き込み用の磁気ヘッドを
分離して複合した、所謂、複合型磁気ヘッドが主流とな
っている。再生の感度を向上するために、再生ヘッドに
は磁気抵抗効果を用いたＭＲヘッド、さらにはより感度
の高いGMR効果を用いたGMRヘッドが用いられている。
読み取り用の磁気ヘッドと、書き込み用の磁気ヘッドを
分離して複合した、所謂、複合型磁気ヘッドが主流とな
っている。再生の感度を向上するために、再生ヘッドに
は磁気抵抗効果を用いたＭＲヘッド、さらにはより感度
の高いGMR効果を用いたGMRヘッドが用いられている。
【０００４】従来の磁気ヘッドに用いられるMR及びGMR
の磁界による電気抵抗の変化率は、MRが２〜3%程度、GM
Rでは５〜10%程度である。抵抗の変化率が大きいほど、
磁気ヘッドの再生出力が増大するので、より高い変化率
の高い磁気抵抗効果材の探索が続けられている。この一
つの可能性がある材料として、トンネル接合磁気抵抗効
果（以下トンネル接合ＭＲと呼ぶ）が挙げられる。
の磁界による電気抵抗の変化率は、MRが２〜3%程度、GM
Rでは５〜10%程度である。抵抗の変化率が大きいほど、
磁気ヘッドの再生出力が増大するので、より高い変化率
の高い磁気抵抗効果材の探索が続けられている。この一
つの可能性がある材料として、トンネル接合磁気抵抗効
果（以下トンネル接合ＭＲと呼ぶ）が挙げられる。
【０００５】トンネル接合MRは、絶縁層を介して積層さ
れた2つの強磁性層の間のトンネル接合の電気抵抗が、
各々の強磁性層の磁化の成す角度によって変化する現象
である。すなわち、両方の層の磁化の方向が、互いに反
平行の時に電気抵抗が最も高く、平行の時に抵抗が最小
になる。従って、一方の強磁性層の磁化の方向を固定
し、他方の強磁性層の磁化を外部磁界に応じて回転する
ようにしておけば、外部磁界によってもう一方の強磁性
層の磁化のみが回転し、それに応じてトンネル接合の抵
抗が変化する。この効果は、GMR のスピンバルブ膜と非
常に良く似ている。ただし、スピンバルブでは各々の強
磁性層に平行に電流を流すのに対し、トンネルＭＲの場
合にはトンネル接合を通るように（接合に対して垂直方
向）電流を流さなければならない。スピンバルブ膜で
は、強磁性層の界面に垂直に電流を流しても、中間層が
導電膜であるので電気抵抗が非常に小さくなり、抵抗の
変化量は小さい。それに対し、トンネル接合MRでは、中
間層が薄い絶縁層であるため、抵抗の変化量は、スピン
バルブ膜のそれに比べて非常に大きい。トンネル接合Ｍ
Ｒを実用的なものとするには、トンネル接合の抵抗を数
10ないし数100Ω程度の低い値にしなければならない。
トンネル接合の抵抗は、磁性層間の絶縁層の厚さが増す
と急激に増加するので、トンネル接合ＭＲでは非常に薄
くて、かつ絶縁性の高い絶縁層が要求される。当初のト
ンネル接合ＭＲでは、この絶縁層が作製困難であったた
め素子の安定形成が非常に困難であった。しかし、最近
の研究により、アルミの酸化物層の良好な絶縁層が形成
可能になり、室温で20%程度の変化率のトンネル接合Ｍ
Ｒ膜が再現性よく得られる様になってきた。
れた2つの強磁性層の間のトンネル接合の電気抵抗が、
各々の強磁性層の磁化の成す角度によって変化する現象
である。すなわち、両方の層の磁化の方向が、互いに反
平行の時に電気抵抗が最も高く、平行の時に抵抗が最小
になる。従って、一方の強磁性層の磁化の方向を固定
し、他方の強磁性層の磁化を外部磁界に応じて回転する
ようにしておけば、外部磁界によってもう一方の強磁性
層の磁化のみが回転し、それに応じてトンネル接合の抵
抗が変化する。この効果は、GMR のスピンバルブ膜と非
常に良く似ている。ただし、スピンバルブでは各々の強
磁性層に平行に電流を流すのに対し、トンネルＭＲの場
合にはトンネル接合を通るように（接合に対して垂直方
向）電流を流さなければならない。スピンバルブ膜で
は、強磁性層の界面に垂直に電流を流しても、中間層が
導電膜であるので電気抵抗が非常に小さくなり、抵抗の
変化量は小さい。それに対し、トンネル接合MRでは、中
間層が薄い絶縁層であるため、抵抗の変化量は、スピン
バルブ膜のそれに比べて非常に大きい。トンネル接合Ｍ
Ｒを実用的なものとするには、トンネル接合の抵抗を数
10ないし数100Ω程度の低い値にしなければならない。
トンネル接合の抵抗は、磁性層間の絶縁層の厚さが増す
と急激に増加するので、トンネル接合ＭＲでは非常に薄
くて、かつ絶縁性の高い絶縁層が要求される。当初のト
ンネル接合ＭＲでは、この絶縁層が作製困難であったた
め素子の安定形成が非常に困難であった。しかし、最近
の研究により、アルミの酸化物層の良好な絶縁層が形成
可能になり、室温で20%程度の変化率のトンネル接合Ｍ
Ｒ膜が再現性よく得られる様になってきた。
【０００６】特開昭１０−１６２３２７号公報には、磁
気トンネル接合を用い、記録媒体からの磁界に直線的に
応答する磁気抵抗ヘッドが開示されている。
気トンネル接合を用い、記録媒体からの磁界に直線的に
応答する磁気抵抗ヘッドが開示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以後の説明では、トン
ネル接合ＭＲのトンネル接合を形成する強磁性層で、磁
化方向が固定されている方の強磁性層を磁化固定層、磁
化の方向が自由に回転可能な層を磁化自由層と呼ぶこと
にする。
ネル接合ＭＲのトンネル接合を形成する強磁性層で、磁
化方向が固定されている方の強磁性層を磁化固定層、磁
化の方向が自由に回転可能な層を磁化自由層と呼ぶこと
にする。
【０００８】従来のMR(GMR)ヘッドは、同一平面上に形
成された一方の電極から他方の電極へ、MR(GMR)層を通
して電流を流す構造が最も一般的である。それに対し、
トンネル接合MRヘッドは、従来のMRヘッドやGMRヘッド
と異なり、トンネル接合に垂直に電流を流さなければな
らない。そのため、一方の電極を磁化固定層、絶縁層、
及び磁化自由層からなるトンネル接合の下部に配置し、
トンネル接合の上部に接続されたもう一方の電極との間
で検出電流を流さなければならない。また、磁化自由層
の磁化を一様に望ましい方向に向け、媒体からの磁界に
線形に応答するためのバイアス磁界を印加するための層
も磁化自由層の両端部に設けることが必要であるが、こ
れらの層は電極および磁化固定層、磁化自由層と絶縁さ
れていなければならない。このようにトンネル接合MRヘ
ッドでは電極、磁化固定層、磁化自由層等がいずれも同
一平面にない構造であり、従来のMR(GMR)ヘッドの構造
とは大きく異なり、従来のMRヘッドの作製プロセスを用
いて作製するのは難しい。
成された一方の電極から他方の電極へ、MR(GMR)層を通
して電流を流す構造が最も一般的である。それに対し、
トンネル接合MRヘッドは、従来のMRヘッドやGMRヘッド
と異なり、トンネル接合に垂直に電流を流さなければな
らない。そのため、一方の電極を磁化固定層、絶縁層、
及び磁化自由層からなるトンネル接合の下部に配置し、
トンネル接合の上部に接続されたもう一方の電極との間
で検出電流を流さなければならない。また、磁化自由層
の磁化を一様に望ましい方向に向け、媒体からの磁界に
線形に応答するためのバイアス磁界を印加するための層
も磁化自由層の両端部に設けることが必要であるが、こ
れらの層は電極および磁化固定層、磁化自由層と絶縁さ
れていなければならない。このようにトンネル接合MRヘ
ッドでは電極、磁化固定層、磁化自由層等がいずれも同
一平面にない構造であり、従来のMR(GMR)ヘッドの構造
とは大きく異なり、従来のMRヘッドの作製プロセスを用
いて作製するのは難しい。
【０００９】本発明の第1の目的は、従来のヘッド構造
に類似した構造を有し、従来のヘッド作製プロセスを利
用して、容易に作製することができる構造のトンネル接
合MRヘッドを提供することにある。
に類似した構造を有し、従来のヘッド作製プロセスを利
用して、容易に作製することができる構造のトンネル接
合MRヘッドを提供することにある。
【００１０】また、磁気ヘッドでは、基板上に形成され
た磁気ヘッドは機械加工によって1つ1つのヘッドに切り
出され、媒体と対向する面を研磨して作製される。通常
のMRヘッドの構造ではMR層の部分は、この媒体対向面に
露出しており、機械加工及び研磨の時に基板と同時に機
械的に切削、研磨されることになる。トンネル接合MRヘ
ッドでは、磁化自由層と磁化固定層の間の絶縁層の厚さ
は非常に薄く、２０オングストローム以下である。この
ように薄い絶縁層を介して、2枚の強磁性層が隣接して
いるため、切削や研磨の工程で、この2枚の強磁性層の
間で、電気的短絡が生じ易い。この問題は非常に狭い間
隔で並んだ２つの強磁性層がともに媒体対向面に露出し
ている構造に原因がある。
た磁気ヘッドは機械加工によって1つ1つのヘッドに切り
出され、媒体と対向する面を研磨して作製される。通常
のMRヘッドの構造ではMR層の部分は、この媒体対向面に
露出しており、機械加工及び研磨の時に基板と同時に機
械的に切削、研磨されることになる。トンネル接合MRヘ
ッドでは、磁化自由層と磁化固定層の間の絶縁層の厚さ
は非常に薄く、２０オングストローム以下である。この
ように薄い絶縁層を介して、2枚の強磁性層が隣接して
いるため、切削や研磨の工程で、この2枚の強磁性層の
間で、電気的短絡が生じ易い。この問題は非常に狭い間
隔で並んだ２つの強磁性層がともに媒体対向面に露出し
ている構造に原因がある。
【００１１】本発明の第2の目的はこのような強磁性層
間の短絡を防止し、信頼性の高いトンネル接合MRヘッド
を提供することにある。
間の短絡を防止し、信頼性の高いトンネル接合MRヘッド
を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の第1の目的を達
成するため、磁化自由層の両端部に第1のトンネル接
合、及び第2のトンネル接合を形成する。ここでいう磁
化自由層の端部とは、トラック方向における磁化自由層
の中心線によって分離された2つの領域という意味であ
る。第1のトンネル接合は、磁化自由層の一方の端部
と、第1の磁化固定層と、両層の間に形成された薄い絶
縁層によって形成される。磁化自由層のもう一方の端部
の第2のトンネル接合は、磁化自由層と第2の磁化固定
層、及び絶縁層によって構成される。第１のトンネル接
合は第1の磁化固定層に接しており、第1の電極に接続さ
れる。また、第2のトンネル接合は第2の磁化固定層に接
しており、第2の電極に接続される。第1のトンネル接合
と第2のトンネル接合は磁化自由層を通して接続されて
おり、第1の電極から流される検出電流は、第1のトンネ
ル接合を通って磁化自由層に流れ、さらに第2のトンネ
ル接合を通って第2の電極に流れる。
成するため、磁化自由層の両端部に第1のトンネル接
合、及び第2のトンネル接合を形成する。ここでいう磁
化自由層の端部とは、トラック方向における磁化自由層
の中心線によって分離された2つの領域という意味であ
る。第1のトンネル接合は、磁化自由層の一方の端部
と、第1の磁化固定層と、両層の間に形成された薄い絶
縁層によって形成される。磁化自由層のもう一方の端部
の第2のトンネル接合は、磁化自由層と第2の磁化固定
層、及び絶縁層によって構成される。第１のトンネル接
合は第1の磁化固定層に接しており、第1の電極に接続さ
れる。また、第2のトンネル接合は第2の磁化固定層に接
しており、第2の電極に接続される。第1のトンネル接合
と第2のトンネル接合は磁化自由層を通して接続されて
おり、第1の電極から流される検出電流は、第1のトンネ
ル接合を通って磁化自由層に流れ、さらに第2のトンネ
ル接合を通って第2の電極に流れる。
【００１３】本発明の第2の目的を達成するために、前
記磁化自由層の記録媒体の側の辺を、前記第１、及び第
2の磁化固定層の磁化自由層の側の端部を結ぶ直線より
も、記録媒体側に突き出す。この構造では、磁化固定層
は磁気ヘッドの媒体対向面よりも内部にあり、媒体対向
面には露出しない。
記磁化自由層の記録媒体の側の辺を、前記第１、及び第
2の磁化固定層の磁化自由層の側の端部を結ぶ直線より
も、記録媒体側に突き出す。この構造では、磁化固定層
は磁気ヘッドの媒体対向面よりも内部にあり、媒体対向
面には露出しない。
【００１４】
【発明の実施の形態】先ず、本発明の説明の前に、従来
のＭＲヘッドの構造と本発明のトンネル接合ＭＲヘッド
の構造を比較するために、従来のＭＲ（ＧＭＲ）ヘッド
の構造、及びその作製方法について説明する。
のＭＲヘッドの構造と本発明のトンネル接合ＭＲヘッド
の構造を比較するために、従来のＭＲ（ＧＭＲ）ヘッド
の構造、及びその作製方法について説明する。
【００１５】図３は、一般的なＭＲヘッドの構造を示す
断面図である。この図はヘッドの磁気媒体の対向面の断
面図である。２０１は下部磁気シールドであり、２０２
は磁気シールドと素子部分を分離する絶縁層である。２
０３はＭＲ層である。ＭＲ層は、通常複数の強磁性層と
非磁性層で構成されるが、ここではそれは省略する。こ
のＭＲ層２０３は、ほぼトラック幅のところでエッチン
グされ、両端部にバイアス層２０４と電極２０５が形成
される。バイアス層２０４は、ＭＲ層２０３に横方向か
ら磁界を印加し、ＭＲ層２０３の磁化を一様にし、媒体
磁界に線形に応答させるためのものである。バイアス層
２０４には永久磁石膜や強磁性／反強磁性積層膜が用い
られる。バイアス層２０４及び電極２０５はＭＲ層２０
３の両端部に形成されており、一方の電極から他方の電
極に抵抗変化を検出するための電流が流される。更にこ
の上部には絶縁層と上部磁気シールドが形成されるがそ
れは省略する。
断面図である。この図はヘッドの磁気媒体の対向面の断
面図である。２０１は下部磁気シールドであり、２０２
は磁気シールドと素子部分を分離する絶縁層である。２
０３はＭＲ層である。ＭＲ層は、通常複数の強磁性層と
非磁性層で構成されるが、ここではそれは省略する。こ
のＭＲ層２０３は、ほぼトラック幅のところでエッチン
グされ、両端部にバイアス層２０４と電極２０５が形成
される。バイアス層２０４は、ＭＲ層２０３に横方向か
ら磁界を印加し、ＭＲ層２０３の磁化を一様にし、媒体
磁界に線形に応答させるためのものである。バイアス層
２０４には永久磁石膜や強磁性／反強磁性積層膜が用い
られる。バイアス層２０４及び電極２０５はＭＲ層２０
３の両端部に形成されており、一方の電極から他方の電
極に抵抗変化を検出するための電流が流される。更にこ
の上部には絶縁層と上部磁気シールドが形成されるがそ
れは省略する。
【００１６】図４は図３の従来のＭＲヘッドの素子部分
の作製方法を示したものである。先ず、下部シールド２
０１、下部絶縁層２０２上にＭＲ層２０３を順次形成
し、この上部に2層レジストにより、図の様な形状のレ
ジスト膜２０６を形成する。このレジストの形状は、上
部の方が下部よりも大きな、所謂キノコ型である。この
レジストをマスクとし、イオンミリングによってＭＲを
エッチングすると、レジスト膜２０６の下部のみが残
り、他の部分がエッチングされるため、ＭＲ層２０３は
図の様な形状になる。このレジスト膜２０６を除去しな
いでバイアス層２０４である永久磁石膜と電極膜２０５
を形成し、このレジスト膜２０６を除去すると、ＭＲ素
子部分が作製される。レジスト形状をキノコ型にしたの
は、この工程でレジストを剥離し易くするためである。
レジストを普通の形状にすると、電極膜２０５にレジス
トが覆われてしまい、レジストの剥離が困難になる。こ
の後、上部絶縁層と、上部磁気シールド膜を形成する
が、その工程は省略する。ここで説明した様に、従来の
ＭＲヘッドの作製法では、一対の電極が同一平面上にあ
り、レジスト２０６を用いて一括して作製できることが
特徴である。
の作製方法を示したものである。先ず、下部シールド２
０１、下部絶縁層２０２上にＭＲ層２０３を順次形成
し、この上部に2層レジストにより、図の様な形状のレ
ジスト膜２０６を形成する。このレジストの形状は、上
部の方が下部よりも大きな、所謂キノコ型である。この
レジストをマスクとし、イオンミリングによってＭＲを
エッチングすると、レジスト膜２０６の下部のみが残
り、他の部分がエッチングされるため、ＭＲ層２０３は
図の様な形状になる。このレジスト膜２０６を除去しな
いでバイアス層２０４である永久磁石膜と電極膜２０５
を形成し、このレジスト膜２０６を除去すると、ＭＲ素
子部分が作製される。レジスト形状をキノコ型にしたの
は、この工程でレジストを剥離し易くするためである。
レジストを普通の形状にすると、電極膜２０５にレジス
トが覆われてしまい、レジストの剥離が困難になる。こ
の後、上部絶縁層と、上部磁気シールド膜を形成する
が、その工程は省略する。ここで説明した様に、従来の
ＭＲヘッドの作製法では、一対の電極が同一平面上にあ
り、レジスト２０６を用いて一括して作製できることが
特徴である。
【００１７】図２は本発明のトンネル接合ＭＲヘッド
と、記録ヘッドを複合した複合磁気ヘッドの構造を示す
図である。再生ヘッドであるトンネル接合ＭＲヘッド２
０６は、上下の磁気シールド２０１、２０７の間にあ
る。この磁気シールドは記録媒体からの磁気信号を高い
分解能で検出するためのものであり、この磁気シールド
の間隔がおおよそ記録媒体上の磁気信号の記録波長に相
当する。上部の磁気シールド２０７上には、記録ヘッド
がある。記録ヘッドは磁気コア２１０と磁気コアに挟ま
れるように形成されたコイル２０９及びコイルを絶縁す
る絶縁膜２０８によって構成される。この図では見易く
するために、上部磁気シールド膜、磁気コア、コイルの
一部を省略した断面図を描いているが、実際のヘッドで
はこれらはほぼ左右対称になっている。本発明のトンネ
ル接合ＭＲヘッドは、再生ヘッドであり、記録ヘッドは
従来の技術によって作製される記録ヘッドを用いること
ができる。
と、記録ヘッドを複合した複合磁気ヘッドの構造を示す
図である。再生ヘッドであるトンネル接合ＭＲヘッド２
０６は、上下の磁気シールド２０１、２０７の間にあ
る。この磁気シールドは記録媒体からの磁気信号を高い
分解能で検出するためのものであり、この磁気シールド
の間隔がおおよそ記録媒体上の磁気信号の記録波長に相
当する。上部の磁気シールド２０７上には、記録ヘッド
がある。記録ヘッドは磁気コア２１０と磁気コアに挟ま
れるように形成されたコイル２０９及びコイルを絶縁す
る絶縁膜２０８によって構成される。この図では見易く
するために、上部磁気シールド膜、磁気コア、コイルの
一部を省略した断面図を描いているが、実際のヘッドで
はこれらはほぼ左右対称になっている。本発明のトンネ
ル接合ＭＲヘッドは、再生ヘッドであり、記録ヘッドは
従来の技術によって作製される記録ヘッドを用いること
ができる。
【００１８】次に本発明のトンネル接合ＭＲヘッドのよ
り詳細な構造について述べる。
り詳細な構造について述べる。
【００１９】図１は、磁化自由層が磁化固定層の下部に
ある、本発明のンネル接合ＭＲヘッドの好ましい構造を
示す図である。平面図とあるのは、本発明のヘッドを基
板面から見た図であり、本発明のポイントとなる部分の
みを描いている。この部分はギャップの絶縁層等と共
に、上下の磁気シールドの間に挿入される。Ａ−Ａ‘断
面とあるのは、平面図において一点鎖線Ａ−Ａ’の断面
を示したものである。さらに、同図Ｂ−Ｂ‘とあるのは
平面図において一点鎖線Ｂ−Ｂ’で示される部分の断面
図である。同図Ａ−Ａ‘断面を用いて、本発明の磁気ヘ
ッドの構造を説明する。この図において、１０は磁化自
由層、１１はトンネル接合を形成する絶縁層、１２は第
1の磁化固定層である。この例では磁化固定層は強磁性
層１２１と反強磁性層１２２の2層膜で構成され、反強
磁性層１２２によって強磁性層１２１の磁化の方向が特
定の方向に固定される。１３は第2の磁化固定層であ
り、第1の磁化固定層と同様に強磁性層１３１と反強磁
性層１３２の2層膜で構成される。第2の磁化固定層の磁
化は、第1の磁化固定層の磁化の方向と同じ方向に固定
される。１４、１５は磁化自由層バイアス磁界を印加す
るための永久磁石膜、１６は第1の電極膜であり、１７
は第2の電極膜である。磁化固定層は絶縁層１１上でギ
ャップ２０を形成する。磁化自由層１０の端部と第1の
磁化固定層１２は絶縁層１１によって絶縁され、この部
分にトンネル接合１８を形成する。第1のトンネル接合
１８の電気抵抗は磁化自由層１０と第1の磁化固定層１
２の磁化の方向との成す角度に応じて変化する。すなわ
ち、第1の磁化固定層１２と磁化自由層１０の磁化の方
向が互いに平行の時、第1のトンネル接合１８の電気抵
抗は最も小さくなり、逆に磁化自由層１０の磁化と第1
の磁化固定層１２の磁化が互いに反平行になる時に、第
1のトンネル接合１８の電気抵抗は最も大きくなる。両
層の磁化の成す角度がこの中間の角度では、電気抵抗は
磁化の成す角度に正弦的に変化する。このトンネル接合
の電気抵抗の変化は、磁化自由層１０と第2の磁化固定
層１３、及び絶縁層１１によって形成される第2のトン
ネル接合１９でも同様であり、磁化自由層と磁化固定層
の磁化が平行の時トンネル接合の電気抵抗は小さく、反
平行の時大きくなる。第1の磁化固定層１２に接し、第1
のトンネル接合１８に接続された第1の電極１６から流
される検出電流は、第1のトンネル接合１８を通過し磁
化自由層１０に流れ、さらに第2のトンネル接合１９を
通過し、第2のトンネル接合１９に接続された第2の電極
１７に流れる。磁化自由層１０の磁化は外部磁界が無い
状態で、概略この図の横方向に向いている。これに対し
て、第1及び第2の磁化固定層の磁化は、外部磁場が無い
状態で、磁化自由層の磁化と概略直交する様に固定され
る。第1の磁化固定層１２と第2の磁化固定層１３の磁化
方向は同じである。この様な磁化の方向にするのは、こ
の状態で感度が最も高くなるのと、正負の磁界に対する
感度を等しくし、ヘッドの再生波形のアンバランスを小
さくするためである。この例では、第1及び第2の磁化固
定層の磁化は、反強磁性層によってその方向を特定の方
向に固定する。この方法は従来のGMRヘッド等と同じで
公知の技術であり、GMRに応用可能な反強磁性層は基本
的に応用可能である。第1の磁化固定層１２の磁化の方
向と、第2の磁化固定層１３の磁化の方向が同じである
ため、磁化自由層１０の磁化が外部磁界によってある方
向に回転すると、第1のトンネル接合１８と第2のトンネ
ル接合１９の電気抵抗は同じ様に変化する。すなわち、
磁化自由層１０の磁化が磁化固定層の磁化と反平行とな
る方向に回転した場合には、第1のトンネル接合の電気
抵抗は大きくなり、第2のトンネル接合の電気抵抗も大
きくなる。逆に、磁化自由層１０の磁化が磁化固定層の
磁化と平行となる方向に回転した場合には、第1、第2の
トンネル接合の電気抵抗は共に小さくなる。本発明で
は、トンネル接合が直列に2つ形成されるため、全体の
電気抵抗の変化は各々のトンネル接合の電気抵抗の変化
の約2倍になり、より再生出力の大きなトンネル接合Ｍ
Ｒヘッドを作製することができる。これも本発明の効果
である。この実施例では、磁化固定層の磁化を固定する
ために強磁性層上に反強磁性層を形成しているが、磁化
固定層は磁化方向が固定できるものであれば、本発明の
磁気ヘッドに使用可能である。この様な材料としては、
Co-Cr-Pt合金の様な高保磁力の永久磁石膜等が挙げられ
る。ただし、磁化固定層にこの様に永久磁石膜を用いる
場合には、バイアス層に永久磁石膜を用いることができ
ない。なぜならば、バイアス膜と磁化固定層の磁化の方
向は、互いに概略直交しなければならないため、この様
な永久磁石の着磁ができないためである。従って、磁化
固定層に永久磁石膜を使用する場合には、バイアス層に
強磁性層と反強磁性層の積層膜を用いることが必要であ
る。
ある、本発明のンネル接合ＭＲヘッドの好ましい構造を
示す図である。平面図とあるのは、本発明のヘッドを基
板面から見た図であり、本発明のポイントとなる部分の
みを描いている。この部分はギャップの絶縁層等と共
に、上下の磁気シールドの間に挿入される。Ａ−Ａ‘断
面とあるのは、平面図において一点鎖線Ａ−Ａ’の断面
を示したものである。さらに、同図Ｂ−Ｂ‘とあるのは
平面図において一点鎖線Ｂ−Ｂ’で示される部分の断面
図である。同図Ａ−Ａ‘断面を用いて、本発明の磁気ヘ
ッドの構造を説明する。この図において、１０は磁化自
由層、１１はトンネル接合を形成する絶縁層、１２は第
1の磁化固定層である。この例では磁化固定層は強磁性
層１２１と反強磁性層１２２の2層膜で構成され、反強
磁性層１２２によって強磁性層１２１の磁化の方向が特
定の方向に固定される。１３は第2の磁化固定層であ
り、第1の磁化固定層と同様に強磁性層１３１と反強磁
性層１３２の2層膜で構成される。第2の磁化固定層の磁
化は、第1の磁化固定層の磁化の方向と同じ方向に固定
される。１４、１５は磁化自由層バイアス磁界を印加す
るための永久磁石膜、１６は第1の電極膜であり、１７
は第2の電極膜である。磁化固定層は絶縁層１１上でギ
ャップ２０を形成する。磁化自由層１０の端部と第1の
磁化固定層１２は絶縁層１１によって絶縁され、この部
分にトンネル接合１８を形成する。第1のトンネル接合
１８の電気抵抗は磁化自由層１０と第1の磁化固定層１
２の磁化の方向との成す角度に応じて変化する。すなわ
ち、第1の磁化固定層１２と磁化自由層１０の磁化の方
向が互いに平行の時、第1のトンネル接合１８の電気抵
抗は最も小さくなり、逆に磁化自由層１０の磁化と第1
の磁化固定層１２の磁化が互いに反平行になる時に、第
1のトンネル接合１８の電気抵抗は最も大きくなる。両
層の磁化の成す角度がこの中間の角度では、電気抵抗は
磁化の成す角度に正弦的に変化する。このトンネル接合
の電気抵抗の変化は、磁化自由層１０と第2の磁化固定
層１３、及び絶縁層１１によって形成される第2のトン
ネル接合１９でも同様であり、磁化自由層と磁化固定層
の磁化が平行の時トンネル接合の電気抵抗は小さく、反
平行の時大きくなる。第1の磁化固定層１２に接し、第1
のトンネル接合１８に接続された第1の電極１６から流
される検出電流は、第1のトンネル接合１８を通過し磁
化自由層１０に流れ、さらに第2のトンネル接合１９を
通過し、第2のトンネル接合１９に接続された第2の電極
１７に流れる。磁化自由層１０の磁化は外部磁界が無い
状態で、概略この図の横方向に向いている。これに対し
て、第1及び第2の磁化固定層の磁化は、外部磁場が無い
状態で、磁化自由層の磁化と概略直交する様に固定され
る。第1の磁化固定層１２と第2の磁化固定層１３の磁化
方向は同じである。この様な磁化の方向にするのは、こ
の状態で感度が最も高くなるのと、正負の磁界に対する
感度を等しくし、ヘッドの再生波形のアンバランスを小
さくするためである。この例では、第1及び第2の磁化固
定層の磁化は、反強磁性層によってその方向を特定の方
向に固定する。この方法は従来のGMRヘッド等と同じで
公知の技術であり、GMRに応用可能な反強磁性層は基本
的に応用可能である。第1の磁化固定層１２の磁化の方
向と、第2の磁化固定層１３の磁化の方向が同じである
ため、磁化自由層１０の磁化が外部磁界によってある方
向に回転すると、第1のトンネル接合１８と第2のトンネ
ル接合１９の電気抵抗は同じ様に変化する。すなわち、
磁化自由層１０の磁化が磁化固定層の磁化と反平行とな
る方向に回転した場合には、第1のトンネル接合の電気
抵抗は大きくなり、第2のトンネル接合の電気抵抗も大
きくなる。逆に、磁化自由層１０の磁化が磁化固定層の
磁化と平行となる方向に回転した場合には、第1、第2の
トンネル接合の電気抵抗は共に小さくなる。本発明で
は、トンネル接合が直列に2つ形成されるため、全体の
電気抵抗の変化は各々のトンネル接合の電気抵抗の変化
の約2倍になり、より再生出力の大きなトンネル接合Ｍ
Ｒヘッドを作製することができる。これも本発明の効果
である。この実施例では、磁化固定層の磁化を固定する
ために強磁性層上に反強磁性層を形成しているが、磁化
固定層は磁化方向が固定できるものであれば、本発明の
磁気ヘッドに使用可能である。この様な材料としては、
Co-Cr-Pt合金の様な高保磁力の永久磁石膜等が挙げられ
る。ただし、磁化固定層にこの様に永久磁石膜を用いる
場合には、バイアス層に永久磁石膜を用いることができ
ない。なぜならば、バイアス膜と磁化固定層の磁化の方
向は、互いに概略直交しなければならないため、この様
な永久磁石の着磁ができないためである。従って、磁化
固定層に永久磁石膜を使用する場合には、バイアス層に
強磁性層と反強磁性層の積層膜を用いることが必要であ
る。
【００２０】次に、このトンネルＭＲヘッドの作製方法
について説明する。図５は磁化自由層が下部にあるトン
ネル接合ＭＲヘッドの作製法を示す図である。磁気シー
ルド２０１上に絶縁層２０２を形成する。磁気シールド
２０１は、NiFeあるいはセンダスト等の軟磁性膜からな
り、その厚さは約２μmである。絶縁膜２０２はアルミ
ナのような酸化物からなり、ＭＲ素子を磁気シールドか
ら絶縁すると共に、上部絶縁膜と共にＭＲヘッドの磁気
ギャップを形成する。上部磁気シールドと下部磁気シー
ルドの間隔は、磁気ヘッドの分解能を決めることにな
り、信号の最短波長が、大凡ギャップの長さになる。従
って、絶縁膜２０２の膜厚は、凡そ最短読み取り波長の
１／２である。この絶縁膜上に磁化自由層１０として、
軟磁気特性に優れた約８０％のＮｉを含むNiFe合金層を
形成する。磁化自由層の膜厚は約５０オングストローム
である。この磁化自由層１０上にホトレジスト２４を形
成し、このホトレジストをマスクとしてイオンミリング
法等によってエッチングすることによって、磁化自由層
を所定の形状に加工する。本発明の磁気ヘッドでは、こ
の磁化自由層１０が外部磁界（磁気媒体からの磁界）に
よって回転することによって、信号を検出するため、こ
の磁化自由層のトラック方向の幅が磁気媒体からの信号
を検出する幅、すなわち読み取りトラック幅になる。
について説明する。図５は磁化自由層が下部にあるトン
ネル接合ＭＲヘッドの作製法を示す図である。磁気シー
ルド２０１上に絶縁層２０２を形成する。磁気シールド
２０１は、NiFeあるいはセンダスト等の軟磁性膜からな
り、その厚さは約２μmである。絶縁膜２０２はアルミ
ナのような酸化物からなり、ＭＲ素子を磁気シールドか
ら絶縁すると共に、上部絶縁膜と共にＭＲヘッドの磁気
ギャップを形成する。上部磁気シールドと下部磁気シー
ルドの間隔は、磁気ヘッドの分解能を決めることにな
り、信号の最短波長が、大凡ギャップの長さになる。従
って、絶縁膜２０２の膜厚は、凡そ最短読み取り波長の
１／２である。この絶縁膜上に磁化自由層１０として、
軟磁気特性に優れた約８０％のＮｉを含むNiFe合金層を
形成する。磁化自由層の膜厚は約５０オングストローム
である。この磁化自由層１０上にホトレジスト２４を形
成し、このホトレジストをマスクとしてイオンミリング
法等によってエッチングすることによって、磁化自由層
を所定の形状に加工する。本発明の磁気ヘッドでは、こ
の磁化自由層１０が外部磁界（磁気媒体からの磁界）に
よって回転することによって、信号を検出するため、こ
の磁化自由層のトラック方向の幅が磁気媒体からの信号
を検出する幅、すなわち読み取りトラック幅になる。
【００２１】一般にイオンミリング法等で薄膜を加工す
る場合には、膜厚が薄い方が、加工した場合の寸法精度
が向上する。この構造では、非常に薄い磁化自由層の幅
でトラックの幅が決まるため、トラック方向の寸法精度
が向上する。次に、このパターニングされた磁化自由層
１０上にアルミからなる金属膜を1〜2nmを形成する。こ
のアルミ膜を大気中で自然酸化することによって、トン
ネル接合を形成する絶縁層１１であるアルミナ膜を形成
する。絶縁層の厚さは薄いほどトンネル抵抗の大きさが
小さくなるので好ましいが、トンネル接合の前面に渡っ
て、ピンホールが無いことが必要であり、余り薄くする
ことは難しい。更に、この上部に、磁化固定層２５を形
成する。ここでは磁化固定層は単一の層として描いてい
るが、上述のように強磁性／反強磁性2層膜あるいは永
久磁石膜からなる単層膜でもよい。強磁性／反強磁性2
層膜の場合には強磁性膜としてCoが望ましい。これはCo
を用いると大きな抵抗変化が得られることが知られてい
るためである。また、この磁化固定層の好ましい膜厚
は、凡そ3〜5nmである。磁化固定層は反強磁性層との交
換結合によって、磁化の方向が固定されるため、膜厚が
厚いと反強磁性層との交換結合磁界の大きさが小さくな
り、外部磁界によって回転してしまう。従って、磁化固
定層の厚さは、十分大きな結合磁界の得られる膜厚とす
ることが必要である。磁化固定層の磁化を固定する反強
磁性層は結合磁界が大きく、またブロッキング温度（結
合磁界が焼失する温度）の高い材料であれば、公知の材
料を用いることが可能である。反強磁性層の好ましい材
料は(Cr45Mn45Pt10)の組成のCrMnPt合金である。この組
成の合金は、大きな結合磁界と高い耐熱性有し、また耐
食性が高い。この反強磁性層の好ましい膜厚は25nmであ
る。反強磁性層と磁化固定層の磁化を交換結合させ、好
ましい方向に磁化固定層の磁化の方向を向けるために
は、適切な温度で磁化固定層の磁化の方向を向けるべき
方向に磁界を印加しながら、熱処理することが必要であ
る。反強磁性層がCrMnPt膜である場合には、好ましい熱
処理温度は230℃であり、この温度に約3時間保った後、
室温まで磁界を印加しながら冷却することによって、磁
化固定層の磁化はほぼ磁界印加方向に固定される。磁化
固定層の好ましい磁化方向は、磁化自由層の磁化の方向
に対し直交方向、すなわち紙面の奥行き方向である。Fe
Mn膜の様にCrMnPt膜に比べてブロッキング温度が低い反
強磁性層では、熱処理温度はもっと低い温度でも良い。
ＦｅＭｎ膜のブロッキング温度は約150℃であるので、
熱処理温度はブロッキング温度以上の例えば180℃程度
でよい。磁化固定層25の上部にさらにホトレジスト膜２
０６を形成し、このレジストをマスクとして磁化固定層
をエッチングする。そして、レジストを除去しないでバ
イアス層１４、１５と電極膜１６、１７を形成する。バ
イアス層は磁化固定層に強磁性／反強磁性２層膜を用い
る時には、CoCrPt膜からなる永久磁石膜を用いることが
できる。CoCrPt膜の膜厚は、CoCrPt膜の膜厚×残留磁化
が磁化自由層の飽和磁化の2倍程度になる様に決定すれ
ばよい。この様な膜厚にすることによって、磁化自由層
はほぼ単一磁区の状態になり、媒体磁界に対して線形的
に動作する様になる、しかし、磁化固定層に永久磁石膜
を用いる場合には、バイアス層に永久磁石膜を用いるこ
とはできない。これは磁化固定層とバイアス層では着磁
方向が異なるためである。
る場合には、膜厚が薄い方が、加工した場合の寸法精度
が向上する。この構造では、非常に薄い磁化自由層の幅
でトラックの幅が決まるため、トラック方向の寸法精度
が向上する。次に、このパターニングされた磁化自由層
１０上にアルミからなる金属膜を1〜2nmを形成する。こ
のアルミ膜を大気中で自然酸化することによって、トン
ネル接合を形成する絶縁層１１であるアルミナ膜を形成
する。絶縁層の厚さは薄いほどトンネル抵抗の大きさが
小さくなるので好ましいが、トンネル接合の前面に渡っ
て、ピンホールが無いことが必要であり、余り薄くする
ことは難しい。更に、この上部に、磁化固定層２５を形
成する。ここでは磁化固定層は単一の層として描いてい
るが、上述のように強磁性／反強磁性2層膜あるいは永
久磁石膜からなる単層膜でもよい。強磁性／反強磁性2
層膜の場合には強磁性膜としてCoが望ましい。これはCo
を用いると大きな抵抗変化が得られることが知られてい
るためである。また、この磁化固定層の好ましい膜厚
は、凡そ3〜5nmである。磁化固定層は反強磁性層との交
換結合によって、磁化の方向が固定されるため、膜厚が
厚いと反強磁性層との交換結合磁界の大きさが小さくな
り、外部磁界によって回転してしまう。従って、磁化固
定層の厚さは、十分大きな結合磁界の得られる膜厚とす
ることが必要である。磁化固定層の磁化を固定する反強
磁性層は結合磁界が大きく、またブロッキング温度（結
合磁界が焼失する温度）の高い材料であれば、公知の材
料を用いることが可能である。反強磁性層の好ましい材
料は(Cr45Mn45Pt10)の組成のCrMnPt合金である。この組
成の合金は、大きな結合磁界と高い耐熱性有し、また耐
食性が高い。この反強磁性層の好ましい膜厚は25nmであ
る。反強磁性層と磁化固定層の磁化を交換結合させ、好
ましい方向に磁化固定層の磁化の方向を向けるために
は、適切な温度で磁化固定層の磁化の方向を向けるべき
方向に磁界を印加しながら、熱処理することが必要であ
る。反強磁性層がCrMnPt膜である場合には、好ましい熱
処理温度は230℃であり、この温度に約3時間保った後、
室温まで磁界を印加しながら冷却することによって、磁
化固定層の磁化はほぼ磁界印加方向に固定される。磁化
固定層の好ましい磁化方向は、磁化自由層の磁化の方向
に対し直交方向、すなわち紙面の奥行き方向である。Fe
Mn膜の様にCrMnPt膜に比べてブロッキング温度が低い反
強磁性層では、熱処理温度はもっと低い温度でも良い。
ＦｅＭｎ膜のブロッキング温度は約150℃であるので、
熱処理温度はブロッキング温度以上の例えば180℃程度
でよい。磁化固定層25の上部にさらにホトレジスト膜２
０６を形成し、このレジストをマスクとして磁化固定層
をエッチングする。そして、レジストを除去しないでバ
イアス層１４、１５と電極膜１６、１７を形成する。バ
イアス層は磁化固定層に強磁性／反強磁性２層膜を用い
る時には、CoCrPt膜からなる永久磁石膜を用いることが
できる。CoCrPt膜の膜厚は、CoCrPt膜の膜厚×残留磁化
が磁化自由層の飽和磁化の2倍程度になる様に決定すれ
ばよい。この様な膜厚にすることによって、磁化自由層
はほぼ単一磁区の状態になり、媒体磁界に対して線形的
に動作する様になる、しかし、磁化固定層に永久磁石膜
を用いる場合には、バイアス層に永久磁石膜を用いるこ
とはできない。これは磁化固定層とバイアス層では着磁
方向が異なるためである。
【００２２】そこで、磁化固定層に永久磁石膜を用いる
場合は、バイアス層は強磁性／反強磁性2層膜を用い
て、バイアス層の磁化方向をトラック方向に固定しなけ
ればならない。この方法は上述の磁化固定層に強磁性／
反強磁性2層膜を用いる場合とほぼ同じである。トラッ
ク方向に磁化を固定された強磁性層は、永久磁石膜と同
じ様に、磁化自由層にバイアス磁界を印加する。電極膜
は電気抵抗が小さく、拡散等の生じにくい材料であれば
用いることができ、金やＴａ薄膜が望ましい。バイアス
層、電極膜を形成する工程は、従来のＭＲヘッドのバイ
アス層と電極膜の形成方法と同じである。レジスト２０
６を除去した後、磁化固定層にギャップを形成するため
のレジストパターン２６を形成し、これによって磁化固
定層にギャップ２０を形成し、磁化固定層は第1の磁化
固定層１２と第2の磁化固定層１３に分離される。本発
明の磁気ヘッドの素子部分が完成する。この後、上部ギ
ャップ、上部磁気シールドを形成する工程があるが、そ
れは省略する。
場合は、バイアス層は強磁性／反強磁性2層膜を用い
て、バイアス層の磁化方向をトラック方向に固定しなけ
ればならない。この方法は上述の磁化固定層に強磁性／
反強磁性2層膜を用いる場合とほぼ同じである。トラッ
ク方向に磁化を固定された強磁性層は、永久磁石膜と同
じ様に、磁化自由層にバイアス磁界を印加する。電極膜
は電気抵抗が小さく、拡散等の生じにくい材料であれば
用いることができ、金やＴａ薄膜が望ましい。バイアス
層、電極膜を形成する工程は、従来のＭＲヘッドのバイ
アス層と電極膜の形成方法と同じである。レジスト２０
６を除去した後、磁化固定層にギャップを形成するため
のレジストパターン２６を形成し、これによって磁化固
定層にギャップ２０を形成し、磁化固定層は第1の磁化
固定層１２と第2の磁化固定層１３に分離される。本発
明の磁気ヘッドの素子部分が完成する。この後、上部ギ
ャップ、上部磁気シールドを形成する工程があるが、そ
れは省略する。
【００２３】図６は磁化固定層１３１が積層膜からな
る、本発明のトンネル接合ＭＲヘッドの構成を示す図で
ある。この構造では磁化固定層は2層の強磁性膜１３１
ａ、１３１ｂとその間の非磁性膜１３１ｃの積層膜で構
成される。これらの積層膜の好ましい材料は強磁性膜と
してはＣｏ、非磁性膜としてはＲｕ等である。強磁性膜
１３１ａ、１３１ｂと非磁性膜１３１ｃが積層された構
造では、非磁性膜の膜厚を非常に薄くすることによって
強磁性膜の磁化が反平行方向に向くことが知られてい
る。これは非磁性層を介して強磁性膜同士が相互作用す
るためであり、非磁性層の膜厚によって相互作用の方向
が変化する。非磁性膜の膜厚を適当な膜厚に制御すれ
ば、図のように強磁性膜１３１ａ、１３１ｂの磁化をほ
ぼ反平行に向けることができる。このように固定層を複
数の膜で構成し、かつその膜の磁化が反平行になるよう
にすることによって以下に述べるような利点がある。第
1点は、磁化固定層１３１からの磁界によって磁化自由
層１０の磁化の方向が変化することが防止できる。磁化
固定層は磁化の方向が固定されているため、固定された
方向に磁界を発生し、磁化自由層に影響する。これに対
して、積層膜の磁化固定層では、強磁性膜１３１ａと１
３１ｂの磁化が打ち消しあうため、発生する磁界が非常
に小さくでき、磁化自由層１０の磁化の方向が磁化固定
層の磁化の方向によって変化することが防止できるので
ある。磁気ヘッドの感度を向上させるために、素子の浮
上面からの距離(ＭＲ高さ)を小さくすると、磁化固定層
１３１の発生する磁界は大きくなるため、磁化自由層の
磁化の方向は変化し易いが、このような積層膜の磁化固
定層とすることによって、これを防止できる。第2の利
点は、磁化固定層を固定する力がより増大する点であ
る。トンネル接合ＭＲヘッドでは、磁化固定層１３１は
外部磁界に対して全く磁化回転しないことが望ましい。
これは信号の出力が磁化自由層１０と磁化固定層１３１
の間の磁化の成す角によって変化するため、磁化固定層
の磁化が外部磁界によって変化すると、再生電圧が減少
してしまうためである。磁化固定層１３１を積層膜で形
成すると、この強磁性層間で強い反強磁性的な結合が生
じるため、磁化回転が起こりにくくなる。例えばＣｏと
Ｒｕを積層した磁化固定層では、反強磁性膜としてＣｒ
４０Ｍｎ４０Ｐｔ１０の組成からなるＣｒＭｎＰｔ反強
磁性膜を用いると、結合磁界として1ｋＯｅ以上の値が
得られる。これは単層の磁化固定層の場合の約２倍の大
きさである。このような結合磁界の増大は、強磁性層間
に働く反強磁性的な相互作用によって強磁性膜の磁化が
動き難くなることによって生じる。磁化固定層を積層膜
で形成するときは、積層膜の自由層側の磁性層１３１ｂ
の磁化の向きを、所定の方向にする必要がある。このた
めには、磁化固定層の磁化自由層と反対側の強磁性層１
３１ａを望ましい磁化方向と反対の方向に着磁すること
によって、磁化自由層側の強磁性層の磁化の向きを望ま
しい方向に向けることができる。この例では積層膜の磁
化自由層と反対側の強磁性層１３１ａを反強磁性膜によ
って固定しているが、これを永久磁石膜によって置き換
えることも可能である。ただし、バイアス層が永久磁石
膜であると、着磁方向が異なり着磁ができないため、こ
の場合にはバイアス層を反強磁性膜と強磁性膜の積層膜
等に代えることが必要である。
る、本発明のトンネル接合ＭＲヘッドの構成を示す図で
ある。この構造では磁化固定層は2層の強磁性膜１３１
ａ、１３１ｂとその間の非磁性膜１３１ｃの積層膜で構
成される。これらの積層膜の好ましい材料は強磁性膜と
してはＣｏ、非磁性膜としてはＲｕ等である。強磁性膜
１３１ａ、１３１ｂと非磁性膜１３１ｃが積層された構
造では、非磁性膜の膜厚を非常に薄くすることによって
強磁性膜の磁化が反平行方向に向くことが知られてい
る。これは非磁性層を介して強磁性膜同士が相互作用す
るためであり、非磁性層の膜厚によって相互作用の方向
が変化する。非磁性膜の膜厚を適当な膜厚に制御すれ
ば、図のように強磁性膜１３１ａ、１３１ｂの磁化をほ
ぼ反平行に向けることができる。このように固定層を複
数の膜で構成し、かつその膜の磁化が反平行になるよう
にすることによって以下に述べるような利点がある。第
1点は、磁化固定層１３１からの磁界によって磁化自由
層１０の磁化の方向が変化することが防止できる。磁化
固定層は磁化の方向が固定されているため、固定された
方向に磁界を発生し、磁化自由層に影響する。これに対
して、積層膜の磁化固定層では、強磁性膜１３１ａと１
３１ｂの磁化が打ち消しあうため、発生する磁界が非常
に小さくでき、磁化自由層１０の磁化の方向が磁化固定
層の磁化の方向によって変化することが防止できるので
ある。磁気ヘッドの感度を向上させるために、素子の浮
上面からの距離(ＭＲ高さ)を小さくすると、磁化固定層
１３１の発生する磁界は大きくなるため、磁化自由層の
磁化の方向は変化し易いが、このような積層膜の磁化固
定層とすることによって、これを防止できる。第2の利
点は、磁化固定層を固定する力がより増大する点であ
る。トンネル接合ＭＲヘッドでは、磁化固定層１３１は
外部磁界に対して全く磁化回転しないことが望ましい。
これは信号の出力が磁化自由層１０と磁化固定層１３１
の間の磁化の成す角によって変化するため、磁化固定層
の磁化が外部磁界によって変化すると、再生電圧が減少
してしまうためである。磁化固定層１３１を積層膜で形
成すると、この強磁性層間で強い反強磁性的な結合が生
じるため、磁化回転が起こりにくくなる。例えばＣｏと
Ｒｕを積層した磁化固定層では、反強磁性膜としてＣｒ
４０Ｍｎ４０Ｐｔ１０の組成からなるＣｒＭｎＰｔ反強
磁性膜を用いると、結合磁界として1ｋＯｅ以上の値が
得られる。これは単層の磁化固定層の場合の約２倍の大
きさである。このような結合磁界の増大は、強磁性層間
に働く反強磁性的な相互作用によって強磁性膜の磁化が
動き難くなることによって生じる。磁化固定層を積層膜
で形成するときは、積層膜の自由層側の磁性層１３１ｂ
の磁化の向きを、所定の方向にする必要がある。このた
めには、磁化固定層の磁化自由層と反対側の強磁性層１
３１ａを望ましい磁化方向と反対の方向に着磁すること
によって、磁化自由層側の強磁性層の磁化の向きを望ま
しい方向に向けることができる。この例では積層膜の磁
化自由層と反対側の強磁性層１３１ａを反強磁性膜によ
って固定しているが、これを永久磁石膜によって置き換
えることも可能である。ただし、バイアス層が永久磁石
膜であると、着磁方向が異なり着磁ができないため、こ
の場合にはバイアス層を反強磁性膜と強磁性膜の積層膜
等に代えることが必要である。
【００２４】図７は本発明の第2の実施例のトンネル接
合ＭＲヘッドの構造を示す図である。この図は図１と同
様に平面図及びＡ−Ａ‘断面、Ｂ−Ｂ’断面を示す図で
ある。トンネル接合ＭＲでは非常に薄い絶縁膜を挟ん
で、2枚の強磁性膜が隣接する構造であるため、ヘッド
を基板から切り出し、媒体対向面を加工する際に、両膜
の間で短絡が発生し易い。この実施例は、トンネル接合
ＭＲヘッドにおいて、磁化自由層と磁化固定層の間の短
絡を生じ難くしたものである。このヘッド構造は、図１
のヘッドの構造とほぼ同じであるが、磁化自由層１０と
絶縁層１１が磁化固定層１２、１３よりも媒体対向面に
飛び出しており、媒体対向面に露出している。このよう
な構造は、磁化固定層を１２、１３エッチングするとき
に、磁化自由層１０の媒体対向面の端部からわずかに奥
側にすることによって容易に作製できる。 この構造で
は、媒体対向面２１に磁化自由層１０だけが露出するの
で、磁化固定層１２、１３と磁化自由層１０が短絡する
問題は発生しない。しかし、媒体対向面２１から磁化固
定層１２、１３までの距離をあまり長くすると、媒体か
らの磁界に対する感度が低下するので、この長さは可能
な限り小さくすることが必要である。
合ＭＲヘッドの構造を示す図である。この図は図１と同
様に平面図及びＡ−Ａ‘断面、Ｂ−Ｂ’断面を示す図で
ある。トンネル接合ＭＲでは非常に薄い絶縁膜を挟ん
で、2枚の強磁性膜が隣接する構造であるため、ヘッド
を基板から切り出し、媒体対向面を加工する際に、両膜
の間で短絡が発生し易い。この実施例は、トンネル接合
ＭＲヘッドにおいて、磁化自由層と磁化固定層の間の短
絡を生じ難くしたものである。このヘッド構造は、図１
のヘッドの構造とほぼ同じであるが、磁化自由層１０と
絶縁層１１が磁化固定層１２、１３よりも媒体対向面に
飛び出しており、媒体対向面に露出している。このよう
な構造は、磁化固定層を１２、１３エッチングするとき
に、磁化自由層１０の媒体対向面の端部からわずかに奥
側にすることによって容易に作製できる。 この構造で
は、媒体対向面２１に磁化自由層１０だけが露出するの
で、磁化固定層１２、１３と磁化自由層１０が短絡する
問題は発生しない。しかし、媒体対向面２１から磁化固
定層１２、１３までの距離をあまり長くすると、媒体か
らの磁界に対する感度が低下するので、この長さは可能
な限り小さくすることが必要である。
【００２５】図８は本発明のトンネル接合ＭＲヘッドに
おいて、磁化自由層が磁化固定層の上部にある、好まし
い構造を示す図である。この構造では、磁気シールド膜
１上に絶縁膜２０２があり、その上部に第1、第2の電極
膜１６、１７及び第1第2の磁化固定層１２、１３が形成
されている。磁化固定層１２、１３の上部は平坦化さ
れ、その上部にさらに絶縁層１１が形成される。絶縁層
１１上には磁化自由層１０と、磁化自由層１０の両端部
のバイアス層14及び１５がある。磁化自由層と第1及び
第2の磁化固定層は絶縁層１１とともに、それぞれ第1の
トンネル接合、第2のトンネル接合を形成する。第1の電
極から流れる検出電流は第1トンネル接合を通って磁化
自由層に流れ、さらに第2のトンネル接合を通って第2の
電極に流れる。図１の構造では磁化固定層が強磁性／反
強磁性2層膜である場合には、強磁性層が反強磁性層の
下部にある必要があった。これは、磁化固定層の強磁性
層が磁化自由層とトンネル接合を形成するからである。
これに対して、この図の構造では、磁化固定層を反強磁
性層との2層膜で形成する場合には、その強磁性層を反
強磁性層の上部に形成することが必要である。したがっ
て、反強磁性材料としては、強磁性層の下部に配置して
も結合磁界が得られる材料が望ましい。このような材料
の1つにＮｉＭｎ合金膜がある。ＮｉＭｎ合金膜は規則
型の反強磁性合金で、NiFe膜の下部に配置しても、長時
間の熱処理を行うことによって大きな結合磁界を得るこ
とが可能である。ＮｉＭｎ膜を用いる場合には、熱処理
によって膜特性の劣化が懸念され、図１のような上部の
反強磁性層には使用することが難しいが、この図の構造
では、磁化固定層を形成した時点で、熱処理を行うこと
によって膜の特性が劣化する問題を回避できる。このよ
うな構造は従来のＭＲヘッドとは類似しない構造である
が、図１の構造のヘッドと同様に、ＭＲヘッドの従来の
技術を応用して作製することが可能である。このような
構造が可能になるのは、本発明の特徴である2つのトン
ネル接合が直列にあることによって、電極を同一平面に
作製することができるからである。
おいて、磁化自由層が磁化固定層の上部にある、好まし
い構造を示す図である。この構造では、磁気シールド膜
１上に絶縁膜２０２があり、その上部に第1、第2の電極
膜１６、１７及び第1第2の磁化固定層１２、１３が形成
されている。磁化固定層１２、１３の上部は平坦化さ
れ、その上部にさらに絶縁層１１が形成される。絶縁層
１１上には磁化自由層１０と、磁化自由層１０の両端部
のバイアス層14及び１５がある。磁化自由層と第1及び
第2の磁化固定層は絶縁層１１とともに、それぞれ第1の
トンネル接合、第2のトンネル接合を形成する。第1の電
極から流れる検出電流は第1トンネル接合を通って磁化
自由層に流れ、さらに第2のトンネル接合を通って第2の
電極に流れる。図１の構造では磁化固定層が強磁性／反
強磁性2層膜である場合には、強磁性層が反強磁性層の
下部にある必要があった。これは、磁化固定層の強磁性
層が磁化自由層とトンネル接合を形成するからである。
これに対して、この図の構造では、磁化固定層を反強磁
性層との2層膜で形成する場合には、その強磁性層を反
強磁性層の上部に形成することが必要である。したがっ
て、反強磁性材料としては、強磁性層の下部に配置して
も結合磁界が得られる材料が望ましい。このような材料
の1つにＮｉＭｎ合金膜がある。ＮｉＭｎ合金膜は規則
型の反強磁性合金で、NiFe膜の下部に配置しても、長時
間の熱処理を行うことによって大きな結合磁界を得るこ
とが可能である。ＮｉＭｎ膜を用いる場合には、熱処理
によって膜特性の劣化が懸念され、図１のような上部の
反強磁性層には使用することが難しいが、この図の構造
では、磁化固定層を形成した時点で、熱処理を行うこと
によって膜の特性が劣化する問題を回避できる。このよ
うな構造は従来のＭＲヘッドとは類似しない構造である
が、図１の構造のヘッドと同様に、ＭＲヘッドの従来の
技術を応用して作製することが可能である。このような
構造が可能になるのは、本発明の特徴である2つのトン
ネル接合が直列にあることによって、電極を同一平面に
作製することができるからである。
【００２６】本発明によれば、トンネル接合が２つにな
ることによって、トンネル接合ＭＲ素子に接続される２
つの電極は同一平面上になる。また、本発明の好ましい
構造では、磁化自由層もほぼ同一平面に形成され、従来
のＭＲヘッドの構造に近い構造となる。また磁化自由層
を下部に配置することによって、磁化自由層を電極と同
一の平面内に形成可能である。また磁化自由層に磁界を
印加するバイアス層は磁化自由層の端部にあり、電極と
絶縁する必要がないため、電極と積層して作製すること
が可能となる。これも従来の作製方法と非常に良く似て
いる。
ることによって、トンネル接合ＭＲ素子に接続される２
つの電極は同一平面上になる。また、本発明の好ましい
構造では、磁化自由層もほぼ同一平面に形成され、従来
のＭＲヘッドの構造に近い構造となる。また磁化自由層
を下部に配置することによって、磁化自由層を電極と同
一の平面内に形成可能である。また磁化自由層に磁界を
印加するバイアス層は磁化自由層の端部にあり、電極と
絶縁する必要がないため、電極と積層して作製すること
が可能となる。これも従来の作製方法と非常に良く似て
いる。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、トンネル接合MRヘッド
が従来のMRヘッドに近いプロセスによって作製すること
が可能となる。また、本発明では、非常に薄い磁化自由
層の幅によって読み取りトラック幅が決定されるため、
高精度にトラック幅の決定が可能となる。
が従来のMRヘッドに近いプロセスによって作製すること
が可能となる。また、本発明では、非常に薄い磁化自由
層の幅によって読み取りトラック幅が決定されるため、
高精度にトラック幅の決定が可能となる。
【００２８】また、本発明の様に、磁化自由層の磁気媒
体の対向面の辺を、固定層のを結ぶ直線から磁気媒体側
に出すことによって、磁気媒体との対向面に磁化自由層
と磁化固定層が露出することがなくなるため、これらの
間の電気的な短絡を防止し、信頼性の高い磁気ヘッドを
提供することが可能になる。
体の対向面の辺を、固定層のを結ぶ直線から磁気媒体側
に出すことによって、磁気媒体との対向面に磁化自由層
と磁化固定層が露出することがなくなるため、これらの
間の電気的な短絡を防止し、信頼性の高い磁気ヘッドを
提供することが可能になる。
【００２９】さらに、本発明のトンネル接合ＭＲヘッド
ではトンネル接合が直列に２つ接続されているために、
再生電圧が１つの接合の場合の２倍になり、高記録密度
化に対応した高出力の磁気ヘッドが得られる。
ではトンネル接合が直列に２つ接続されているために、
再生電圧が１つの接合の場合の２倍になり、高記録密度
化に対応した高出力の磁気ヘッドが得られる。
【図１】本発明のトンネル接合ＭＲヘッドの第1の好ま
しい構造を示す図。
しい構造を示す図。
【図２】記録ヘッドと再生ヘッドからなる複合磁気ヘッ
ドの構造を示す図。
ドの構造を示す図。
【図３】従来のＭＲヘッドの構造を示す図。
【図４】従来のＭＲヘッドの作製方法を示す図。
【図５】本発明のトンネルＭＲヘッドの作製方法を示す
図。
図。
【図６】複数の強磁性層からなる磁化固定層のトンネル
接合ＭＲヘッドの積層構造を示す図。
接合ＭＲヘッドの積層構造を示す図。
【図７】本発明の第2の好ましいトンネル接合ＭＲヘッ
ドの構造を示す図。
ドの構造を示す図。
【図８】磁化固定層が磁化自由層の下部にあるトンネル
接合ＭＲヘッドの構造を示す図。
接合ＭＲヘッドの構造を示す図。
１０…磁化自由層、１１…トンネル接合を形成する絶縁
層、１２…第1の磁化固定層、１３…第2の磁化固定層、
１４…第1のバイアス層、１５…第2のバイアス層、１６
…第1の電極、１７…第2の電極、１８…第1のトンネル
接合、１９…第２のトンネル接合、２０…磁化固定層の
ギャップ、２０１…下部磁気シールド、２０２…絶縁
層、２０６…トンネル接合ＭＲヘッド、２１０…記録ヘ
ッドの磁気コア。
層、１２…第1の磁化固定層、１３…第2の磁化固定層、
１４…第1のバイアス層、１５…第2のバイアス層、１６
…第1の電極、１７…第2の電極、１８…第1のトンネル
接合、１９…第２のトンネル接合、２０…磁化固定層の
ギャップ、２０１…下部磁気シールド、２０２…絶縁
層、２０６…トンネル接合ＭＲヘッド、２１０…記録ヘ
ッドの磁気コア。
Claims (15)
- 【請求項１】基板上に形成された、磁化方向が外部磁界
によって回転可能な磁化自由層と、 該磁化自由層の一方の端部に形成され、その磁化の方向
が固定されている第1の磁化固定層と、該磁化自由層の
端部にあって該磁化自由層と該第1の磁化固定層を絶縁
し、該磁化自由層と該第1の磁化固定層との間にトンネ
ル接合を形成する絶縁層と、を具備してなる第1のトン
ネル接合と、 該磁化自由層の第1のトンネル接合とは反対の端部に形
成され、その磁化の方向が固定されている第2の磁化固
定層と、該磁化自由層の端部にあって該磁化自由層と該
第2の磁化固定層を絶縁し、該磁化自由層と該第2の磁化
固定層の間にトンネル接合を形成する絶縁層と、を具備
してなる第2のトンネル接合と、 該第1の磁化固定層に接し、該第1のトンネル接合に接続
された第1の電極と、 該第2の磁化固定層に接し、該第2のトンネル接合に接続
された第2の電極と、 該磁化自由層にバイアス磁界を印加するバイアス層と、 を有し、 該第1のトンネル接合と、該第2のトンネル接合が、該磁
化自由層によって直列に接続され、該第1の電極から流
された検出電流が、該第1、第2のトンネル接合を通って
流れることを特徴とする磁気トンネル接合磁気抵抗ヘッ
ド。 - 【請求項２】上記磁化固定層の磁化を固定する手段が、
該磁化固定層と密着して形成された反強磁性膜と該磁化
固定層との間の磁気的交換結合によることを特徴とする
請求項1記載の磁気トンネル接合磁気抵抗ヘッド。 - 【請求項３】上記磁化固定層が、非磁性膜によって分割
された複数の強磁性膜からなり、該複数の強磁性膜の磁
化の方向が互いに反平行を向いており、かつ、該複数の
強磁性膜の内、該磁化自由層にもっとも近い強磁性層の
磁化方向が固定されていることを特徴とする請求項1記
載の磁気トンネル接合磁気抵抗ヘッド。 - 【請求項４】上記磁化自由層のトラック方向の幅が、実
質的に磁気ヘッドの読み取り幅になることを特徴とする
請求項1記載の磁気トンネル接合磁気抵抗ヘッド。 - 【請求項５】上記磁化自由層の記録媒体に対向する辺
が、該第1の磁化固定層及び第2の磁化固定層の該磁化自
由層側の端部を結んで得られる直線よりも、記録媒体側
に突出していることを特徴とする請求項1記載の磁気ト
ンネル接合磁気抵抗ヘッド。 - 【請求項６】基板上に形成された磁化自由層と、その上
に絶縁層を介して形成された第1の磁化固定層との間に
形成された第1のトンネル接合と、上記磁化自由層と、
その上に絶縁層を介して形成された第２の磁化固定層と
の間に形成された第２のトンネル接合とを有し、上記第
１のトンネル接合と第2のトンネル接合は上記磁化自由
層の両端部にあって、該磁化自由層を通して接続され、
上記第1のトンネル接合に、第１の反強磁性層、第１の
バイアス層を介して接続された第1の電極から流れる検
出電流が、第１のバイアス層、第１の反強磁性層、該第
1のトンネル接合、上記磁化自由層、上記第2のトンネル
接合、第２の反強磁性層、及び第２のバイアス層とを通
って第2の電極に流れることを特徴とする磁気トンネル
接合磁気抵抗ヘッド。 - 【請求項７】上記磁化固定層の磁化を固定する手段が、
該磁化固定層と密着して形成された反強磁性膜と該磁化
固定層との間の磁気的交換結合によることを特徴とする
請求項６記載の磁気トンネル接合磁気抵抗ヘッド。 - 【請求項８】上記磁化固定層が、非磁性膜によって分割
された複数の強磁性膜からなり、該複数の強磁性膜の磁
化の方向が互いに反平行を向いており、かつ、該複数の
強磁性膜の内、該磁化自由層にもっとも近い強磁性層の
磁化方向が固定されていることを特徴とする請求項６記
載の磁気トンネル接合磁気抵抗ヘッド。 - 【請求項９】上記磁化自由層のトラック方向の幅が、実
質的に磁気ヘッドの読み取り幅になることを特徴とする
請求項６記載の磁気トンネル接合磁気抵抗ヘッド。 - 【請求項１０】上記磁化自由層の記録媒体に対向する辺
が、該第1の磁化固定層及び第2の磁化固定層の該磁化自
由層側の端部を結んで得られる直線よりも、記録媒体側
に突出していることを特徴とする請求項６記載の磁気ト
ンネル接合磁気抵抗ヘッド。 - 【請求項１１】記録用磁気コアと、コイルを絶縁する絶
縁層と、該記録用磁気コアの間にあり、該絶縁層によっ
て絶縁されたコイルとからなる記録用磁気ヘッドと、 上部磁気シールドと、下部磁気シールドとの間に形成さ
れ、磁気トンネル接合磁気抵抗効果によって磁気信号を
電気信号に変換する再生ヘッドと、 からなる記録再生複合磁気ヘッドにおいて、 該トンネル接合磁気抵抗効果ヘッドが、 外部磁界によって回転可能な磁化自由層と、該磁化自由
層の一方の端部に形成され、その磁化の方向が固定され
ている第1の磁化固定層と、同じく磁化自由層の端部に
あって該磁化自由層と上記第1の磁化固定層を絶縁し、
該磁化自由層と該第1の磁化固定層との間にトンネル接
合を形成する絶縁層と、を具備してなる第1のトンネル
接合と、 該磁化自由層の第1のトンネル接合とは反対の端部に形
成され、その磁化の方向が固定されている第2の磁化固
定層と、同じく該磁化自由層の端部にあって該磁化自由
層と該第2の磁化固定層を絶縁し、該磁化自由層と該第2
の磁化固定層の間にトンネル接合を形成する絶縁層と、
を具備してなる第2のトンネル接合と、 該第1の磁化固定層に接し、該第1のトンネル接合に接続
された第1の電極と、 該第2の磁化固定層に接し、該第2のトンネル接合に接続
された第2の電極と、 該磁化自由層にバイアス磁界を印加するバイアス層と、 を有し、 該第1のトンネル接合と、該第2のトンネル接合が、該磁
化自由層によって直列に接続され、該第1の電極から流
された検出電流が、該第1、第2のトンネル接合を通って
流れることを特徴とする記録再生複合磁気ヘッド。 - 【請求項１２】上記磁化固定層の磁化を固定する手段
が、該磁化固定層と密着して形成された反強磁性膜と該
磁化固定層との間の磁気的交換結合によることを特徴と
する請求項１１記載の記録再生複合磁気ヘッド。 - 【請求項１３】上記磁化固定層が、非磁性膜によって分
割された複数の強磁性膜からなり、該複数の強磁性膜の
磁化の方向が互いに反平行を向いており、かつ、該複数
の強磁性膜の内、該磁化自由層にもっとも近い強磁性層
の磁化方向が固定されていることを特徴とする請求項１
１記載の記録再生複合磁気ヘッド。 - 【請求項１４】上記磁化自由層のトラック方向の幅が、
実質的に磁気ヘッドの読み取り幅になることを特徴とす
る請求項１１記載の記録再生複合磁気ヘッド。 - 【請求項１５】上記磁化自由層の記録媒体に対向する辺
が、該第1の磁化固定層及び第2の磁化固定層の該磁化自
由層側の端部を結んで得られる直線よりも、記録媒体側
に突出していることを特徴とする請求項１１記載の記録
再生複合磁気ヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10286289A JP2000113421A (ja) | 1998-10-08 | 1998-10-08 | 磁気トンネル接合磁気抵抗ヘッド |
| US09/383,201 US6424508B1 (en) | 1998-10-08 | 1999-08-26 | Magnetic tunnel junction magnetoresistive head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10286289A JP2000113421A (ja) | 1998-10-08 | 1998-10-08 | 磁気トンネル接合磁気抵抗ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000113421A true JP2000113421A (ja) | 2000-04-21 |
Family
ID=17702462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10286289A Pending JP2000113421A (ja) | 1998-10-08 | 1998-10-08 | 磁気トンネル接合磁気抵抗ヘッド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6424508B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000113421A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6424508B1 (en) * | 1998-10-08 | 2002-07-23 | Hitachi, Ltd. | Magnetic tunnel junction magnetoresistive head |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3807592B2 (ja) * | 1999-06-24 | 2006-08-09 | 松下電器産業株式会社 | 記録再生ヘッドおよびそれを備えた記録再生装置 |
| US6741429B1 (en) * | 2000-09-25 | 2004-05-25 | International Business Machines Corporation | Ion beam definition of magnetoresistive field sensors |
| JP3995072B2 (ja) * | 2000-11-16 | 2007-10-24 | 富士通株式会社 | Ｃｐｐ構造スピンバルブヘッド |
| JP3971934B2 (ja) * | 2001-03-07 | 2007-09-05 | ヤマハ株式会社 | 磁気センサとその製法 |
| US7050274B2 (en) * | 2001-03-15 | 2006-05-23 | Seagate Technology Llc | Multilayer permanent magnet films |
| JP2002329304A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Mitsumi Electric Co Ltd | トンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
| JP3793051B2 (ja) * | 2001-07-05 | 2006-07-05 | Ｔｄｋ株式会社 | 磁気抵抗効果型素子、および、その製造方法、それを用いた薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置、及び磁気ディスク装置 |
| US7367110B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-05-06 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method of fabricating a read head having shaped read sensor-biasing layer junctions using partial milling |
| KR101527533B1 (ko) * | 2009-01-09 | 2015-06-10 | 삼성전자주식회사 | 자기 메모리 소자의 형성방법 |
Family Cites Families (17)
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