JP2002329304A - トンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド - Google Patents
トンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JP2002329304A JP2002329304A JP2001130648A JP2001130648A JP2002329304A JP 2002329304 A JP2002329304 A JP 2002329304A JP 2001130648 A JP2001130648 A JP 2001130648A JP 2001130648 A JP2001130648 A JP 2001130648A JP 2002329304 A JP2002329304 A JP 2002329304A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- recording
- magnetic core
- reproducing
- core
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3909—Arrangements using a magnetic tunnel junction
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 トラック幅を十分に狭くすることによって高
密度記録に対応する。 【解決手段】 成膜方向に対して直交する方向に再生磁
気ギャップを介して形成された再生用磁気コア１と、再
生用磁気コア１に接続され、再生用磁気コア１に流れる
磁束が印加されるトンネル磁気抵抗効果素子７と、トン
ネル磁気抵抗素子７上に配置されたシールド層４と、シ
ールド層４上に成膜方向に対して直交する方向に記録磁
気ギャップを介して形成された記録用磁気コア２とを備
え、記録・再生トラック幅Ｗ，ｗは、記録用コア２及び
再生用コア１の膜厚で制御されることを特徴とするもの
である。
密度記録に対応する。 【解決手段】 成膜方向に対して直交する方向に再生磁
気ギャップを介して形成された再生用磁気コア１と、再
生用磁気コア１に接続され、再生用磁気コア１に流れる
磁束が印加されるトンネル磁気抵抗効果素子７と、トン
ネル磁気抵抗素子７上に配置されたシールド層４と、シ
ールド層４上に成膜方向に対して直交する方向に記録磁
気ギャップを介して形成された記録用磁気コア２とを備
え、記録・再生トラック幅Ｗ，ｗは、記録用コア２及び
再生用コア１の膜厚で制御されることを特徴とするもの
である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、感磁素子としてト
ンネル磁気抵抗効果素子を有するトンネル磁気抵抗効果
型磁気ヘッドに関する。
ンネル磁気抵抗効果素子を有するトンネル磁気抵抗効果
型磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、磁気ヘッドとしては、磁気抵
抗効果素子等の感磁素子を薄膜形成方法により所望の形
状に形成してなる薄膜ヘッドが知られている。薄膜ヘッ
ドは、図５に示すように、磁気抵抗効果素子１００（以
下、ＭＲ素子１００）を備える。ＭＲ素子１００は、遮
蔽層１０１ａ，１０１ｂを介して下部シールド層１０２
及び上部シールド層１０３に挟み込まれている。ＭＲ素
子１００は、長手方向の両端部に一対の電極１０４が接
続されている。
抗効果素子等の感磁素子を薄膜形成方法により所望の形
状に形成してなる薄膜ヘッドが知られている。薄膜ヘッ
ドは、図５に示すように、磁気抵抗効果素子１００（以
下、ＭＲ素子１００）を備える。ＭＲ素子１００は、遮
蔽層１０１ａ，１０１ｂを介して下部シールド層１０２
及び上部シールド層１０３に挟み込まれている。ＭＲ素
子１００は、長手方向の両端部に一対の電極１０４が接
続されている。
【０００３】また、薄膜ヘッドは、ＭＲ素子１００の上
方に記録素子１０５を備える、記録素子１０５は、上部
シールド層１０３と、磁気ギャップ層１０６と、上部コ
ア層１０７と、コイル部１０８とから構成されている。
方に記録素子１０５を備える、記録素子１０５は、上部
シールド層１０３と、磁気ギャップ層１０６と、上部コ
ア層１０７と、コイル部１０８とから構成されている。
【０００４】このように構成された薄膜ヘッドでは、外
部磁界が存在するとＭＲ素子１００の抵抗値が変化し、
ＭＲ素子１００の抵抗変化を電圧変化として感知するこ
とによって、当該外部磁界を検出する。また、薄膜ヘッ
ドでは、コイル部１０８で発生した磁界により、上部シ
ールド層１０３及び上部コア層１０７で構成される磁気
コアに磁束が流れ、磁気ギャップ層１０６を介して漏れ
磁界を発生させて磁気記録媒体に対して信号磁界を書き
込む。
部磁界が存在するとＭＲ素子１００の抵抗値が変化し、
ＭＲ素子１００の抵抗変化を電圧変化として感知するこ
とによって、当該外部磁界を検出する。また、薄膜ヘッ
ドでは、コイル部１０８で発生した磁界により、上部シ
ールド層１０３及び上部コア層１０７で構成される磁気
コアに磁束が流れ、磁気ギャップ層１０６を介して漏れ
磁界を発生させて磁気記録媒体に対して信号磁界を書き
込む。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このように
各層を成膜方向に積層して成る薄膜ヘッドにおいては、
形成時に高段差が生じ、微細な形状をフォトエッチング
工程で形成するときの妨げとなっている。特に近年高密
度化の要求に伴だって、記録用ヘッド側の書込みトラッ
ク幅を小さくする所謂狭トラック化が求められている
が、高段差上での形成では非常に困難な状況である。し
たがって、上述したような薄膜ヘッドにおいては、高密
度記録に十分に対応することができないといった問題が
あった。
各層を成膜方向に積層して成る薄膜ヘッドにおいては、
形成時に高段差が生じ、微細な形状をフォトエッチング
工程で形成するときの妨げとなっている。特に近年高密
度化の要求に伴だって、記録用ヘッド側の書込みトラッ
ク幅を小さくする所謂狭トラック化が求められている
が、高段差上での形成では非常に困難な状況である。し
たがって、上述したような薄膜ヘッドにおいては、高密
度記録に十分に対応することができないといった問題が
あった。
【０００６】そこで、本発明は、上述したような実状に
鑑みてなされてものであり、ヘッド形成時の段差を低減
し、高密度記録に対応することのできるトンネル磁気抵
抗効果型磁気ヘッドを提供することを目的としている。
鑑みてなされてものであり、ヘッド形成時の段差を低減
し、高密度記録に対応することのできるトンネル磁気抵
抗効果型磁気ヘッドを提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成した
本発明に係るトンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、成
膜方向に対して直交する方向に再生磁気ギャップを介し
て形成された再生用磁気コアと、前記再生用磁気コアに
接続され、前記再生用磁気コアに流れる磁束が印加され
るトンネル磁気抵抗効果素子と、前記トンネル磁気抵抗
素子上に配置されたシールド層と、前記シールド層上に
成膜方向に対して直交する方向に記録磁気ギャップを介
して形成された記録用磁気コアと、前記記録用磁気コア
に磁束を流し、記録磁気ギャップに記録磁界を発生させ
る磁界発生手段とを有する記録ヘッドを備えることを特
徴とするものである。
本発明に係るトンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、成
膜方向に対して直交する方向に再生磁気ギャップを介し
て形成された再生用磁気コアと、前記再生用磁気コアに
接続され、前記再生用磁気コアに流れる磁束が印加され
るトンネル磁気抵抗効果素子と、前記トンネル磁気抵抗
素子上に配置されたシールド層と、前記シールド層上に
成膜方向に対して直交する方向に記録磁気ギャップを介
して形成された記録用磁気コアと、前記記録用磁気コア
に磁束を流し、記録磁気ギャップに記録磁界を発生させ
る磁界発生手段とを有する記録ヘッドを備えることを特
徴とするものである。
【０００８】以上のように構成された本発明に係るトン
ネル磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、記録用磁気コ
アは、成膜方向に対して直交する方向に記録ギャップを
介して形成されている。言い換えると、記録磁気コア
は、基板の面方向に形成され、磁気回路を構成する。こ
のため、膜厚方向の段差を低減できる。
ネル磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、記録用磁気コ
アは、成膜方向に対して直交する方向に記録ギャップを
介して形成されている。言い換えると、記録磁気コア
は、基板の面方向に形成され、磁気回路を構成する。こ
のため、膜厚方向の段差を低減できる。
【０００９】また、本発明に係るトンネル磁気抵抗効果
型磁気ヘッドにおいて、書込み／読込みトラック幅が、
上記記録用コア及び再生用コアの膜厚で制御されること
を特徴とするものである。
型磁気ヘッドにおいて、書込み／読込みトラック幅が、
上記記録用コア及び再生用コアの膜厚で制御されること
を特徴とするものである。
【００１０】以上のように構成された本発明に係るトン
ネル抵抗効果型磁気ヘッドにおいては、高密度化に対応
する狭トラックが形成可能となる。
ネル抵抗効果型磁気ヘッドにおいては、高密度化に対応
する狭トラックが形成可能となる。
【００１１】さらに、本発明に係るトンネル磁気抵抗効
果型磁気ヘッドにおいて、上記トンネル磁気抵抗効果素
子は、磁気コアに流れる磁束に対して磁化方向を変化さ
せる磁化自由層と、磁気コアに流れる磁束に対して磁化
方向を変化させない磁化固定層と、これら磁化自由層及
び磁化固定層の間に配された絶縁層と、絶縁層を介して
磁化自由層及び磁化固定層の間にトンネル電流を流す電
極とを備えるものであってもよい。
果型磁気ヘッドにおいて、上記トンネル磁気抵抗効果素
子は、磁気コアに流れる磁束に対して磁化方向を変化さ
せる磁化自由層と、磁気コアに流れる磁束に対して磁化
方向を変化させない磁化固定層と、これら磁化自由層及
び磁化固定層の間に配された絶縁層と、絶縁層を介して
磁化自由層及び磁化固定層の間にトンネル電流を流す電
極とを備えるものであってもよい。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るトンネル磁気
抵抗効果型磁気ヘッドの好適な実施の形態を図面を参照
して詳細に説明する。
抵抗効果型磁気ヘッドの好適な実施の形態を図面を参照
して詳細に説明する。
【００１３】本発明を適用したトンネル磁気抵抗効果型
磁気ヘッド（以下、薄膜ヘッドと称する）は、図１に示
すように、磁気記録媒体対向面Ａに再生用磁気コア１を
臨ませるとともに、磁気記録媒体対向面Ａに記録用磁気
コア２を臨ませている。再生用磁気コア１は、非磁性層
３中に埋め込まれるように形成されている。また、記録
用磁気コアは、再生用磁気コアを埋め込んだ非磁性層３
上に形成されたシールド磁性層４上に、非磁性層（図示
せず）を介して形成されている。
磁気ヘッド（以下、薄膜ヘッドと称する）は、図１に示
すように、磁気記録媒体対向面Ａに再生用磁気コア１を
臨ませるとともに、磁気記録媒体対向面Ａに記録用磁気
コア２を臨ませている。再生用磁気コア１は、非磁性層
３中に埋め込まれるように形成されている。また、記録
用磁気コアは、再生用磁気コアを埋め込んだ非磁性層３
上に形成されたシールド磁性層４上に、非磁性層（図示
せず）を介して形成されている。
【００１４】再生用磁気コア１は、図２に示すように、
ギャップ長ｔとなるように対向し、磁気ギャップを構成
する一対のヨーク５，６と、これら一対のヨーク５，６
における磁気ギャップと反対側に配されたトンネル磁気
抵抗効果素子７（以下、ＴＭＲ素子７と称する。）とを
備えている。特に、この再生用磁気コア１の磁気ギャッ
プは、そのトラック幅方向ａが当該再生用磁気コア１の
成膜方向に平行となっている。
ギャップ長ｔとなるように対向し、磁気ギャップを構成
する一対のヨーク５，６と、これら一対のヨーク５，６
における磁気ギャップと反対側に配されたトンネル磁気
抵抗効果素子７（以下、ＴＭＲ素子７と称する。）とを
備えている。特に、この再生用磁気コア１の磁気ギャッ
プは、そのトラック幅方向ａが当該再生用磁気コア１の
成膜方向に平行となっている。
【００１５】一対のヨーク５，６は、磁気記録媒体から
の信号磁界を引き込むことができる磁性材料から形成さ
れる。一対のヨーク５，６は、スパッタリングや真空蒸
着等の薄膜形成手法及びレジストのパターニングを含む
フォトリソグラフィー法を用いて所望の形状及び厚みと
なるように形成する。したがって、再生用磁気コア１の
磁気ギャップは、一対のヨーク５，６の厚みがトラック
幅ｗとなり、一対のヨーク５，６の間隔がギャップ長ｔ
となる。したがって、一対のヨーク５，６を作製する際
に、厚みを制御することによって所望のトラック幅ｗと
することができ、フォトリソグラフィー法等の手法によ
り一対のヨーク５，６の間隔を制御することによって所
望のギャップ長ｔとすることができる。
の信号磁界を引き込むことができる磁性材料から形成さ
れる。一対のヨーク５，６は、スパッタリングや真空蒸
着等の薄膜形成手法及びレジストのパターニングを含む
フォトリソグラフィー法を用いて所望の形状及び厚みと
なるように形成する。したがって、再生用磁気コア１の
磁気ギャップは、一対のヨーク５，６の厚みがトラック
幅ｗとなり、一対のヨーク５，６の間隔がギャップ長ｔ
となる。したがって、一対のヨーク５，６を作製する際
に、厚みを制御することによって所望のトラック幅ｗと
することができ、フォトリソグラフィー法等の手法によ
り一対のヨーク５，６の間隔を制御することによって所
望のギャップ長ｔとすることができる。
【００１６】ＴＭＲ素子７は、図３に示すように、上部
電極１０及び下部電極１１に挟まれたＴＭＲ部１２を備
える。ＴＭＲ部１２は、図示しないが、磁化固定層、絶
縁層及び磁化自由層がこの順で積層されてなる。上部電
極１０は、磁化自由層及び磁化固定層のいずれか一方と
接続されており、下部電極１１は他方と接続されてい
る。磁化固定層は、一対のヨーク５，６に流れる磁束に
対して磁化方向を変化させない。これに対して磁化自由
層は、一対のヨーク５，６に流れる磁束に対して磁化方
向を変化させる。上部電極１０及び下部電極１１は、図
示しない電源と接続されており、所定の電圧をＴＭＲ部
１２に印加することによって、絶縁層を介して磁化固定
層及び磁化自由層間にトンネル電流を流すことができ
る。そして、ＴＭＲ素子７は直接媒体からの磁束を検知
しない為、高密度化の要求である狭トラック化等の素子
の微小化を行う必要が無く、形成プロセスや特性に合わ
せた形状及びサイズを自由に選択できる。
電極１０及び下部電極１１に挟まれたＴＭＲ部１２を備
える。ＴＭＲ部１２は、図示しないが、磁化固定層、絶
縁層及び磁化自由層がこの順で積層されてなる。上部電
極１０は、磁化自由層及び磁化固定層のいずれか一方と
接続されており、下部電極１１は他方と接続されてい
る。磁化固定層は、一対のヨーク５，６に流れる磁束に
対して磁化方向を変化させない。これに対して磁化自由
層は、一対のヨーク５，６に流れる磁束に対して磁化方
向を変化させる。上部電極１０及び下部電極１１は、図
示しない電源と接続されており、所定の電圧をＴＭＲ部
１２に印加することによって、絶縁層を介して磁化固定
層及び磁化自由層間にトンネル電流を流すことができ
る。そして、ＴＭＲ素子７は直接媒体からの磁束を検知
しない為、高密度化の要求である狭トラック化等の素子
の微小化を行う必要が無く、形成プロセスや特性に合わ
せた形状及びサイズを自由に選択できる。
【００１７】記録用磁気コア２は、図１に示すように、
一端部がギャップ長Ｔとなるように対向し、磁気ギャッ
プを構成するＵ字状ヨーク１５と、このＵ字状ヨーク１
５に磁束を流すコイル部１６とを備える。Ｕ字状ヨーク
１５は、コイル部１６に電流を供給することによって発
生した磁界により所定の方向の磁束を流すことができる
磁性材料から形成されている。Ｕ字状ヨーク１５は、上
記一対のヨーク５，６と同様に、スパッタリングや真空
蒸着等の薄膜形成手法及びレジストのパターニングを含
むフォトリソグラフィー法を用いて所望の形状及び厚み
となるように形成される。したがって、Ｕ字状ヨーク１
５を作製する際に、厚みを制御することによって所望の
トラック幅Ｗとすることができ、フォトリソグラフィー
法等の手法によりＵ字状ヨーク１５における一端部の間
隔を制御することによって所望のギャップ長Ｔとするこ
とができる。
一端部がギャップ長Ｔとなるように対向し、磁気ギャッ
プを構成するＵ字状ヨーク１５と、このＵ字状ヨーク１
５に磁束を流すコイル部１６とを備える。Ｕ字状ヨーク
１５は、コイル部１６に電流を供給することによって発
生した磁界により所定の方向の磁束を流すことができる
磁性材料から形成されている。Ｕ字状ヨーク１５は、上
記一対のヨーク５，６と同様に、スパッタリングや真空
蒸着等の薄膜形成手法及びレジストのパターニングを含
むフォトリソグラフィー法を用いて所望の形状及び厚み
となるように形成される。したがって、Ｕ字状ヨーク１
５を作製する際に、厚みを制御することによって所望の
トラック幅Ｗとすることができ、フォトリソグラフィー
法等の手法によりＵ字状ヨーク１５における一端部の間
隔を制御することによって所望のギャップ長Ｔとするこ
とができる。
【００１８】コイル部１６は、図４に示すように、非磁
性層上に所定の間隔で複数の第１のパターン１７を平行
に形成し、その後、Ｕ字状ヨーク１５を形成した後に当
該Ｕ字状ヨーク１５を跨ぐように第２のパターン１８を
形成する。複数の第２のパターン１８は、隣接した第１
のパターン１７を順次連結するように所定の間隔で平行
に形成することによって、複数の第１のパターン１７と
ともにコイル部１６を構成している。複数の第１のパタ
ーン１７と複数の第２のパターン１８とから構成される
コイル部１６は、両端部を電力供給源と接続されてお
り、この電力供給源から所定の電流が供給されることに
よって所望の磁界を生ずる。コイル部１６で発生した磁
界によりＵ字状ヨーク１５内を磁束が流れ、磁気記録媒
体に対して書き込む信号磁界を磁気ギャップに発生させ
ることができる。尚、パターン１７，１８とヨーク１５
の間には、図示しない絶縁層が配置されている。
性層上に所定の間隔で複数の第１のパターン１７を平行
に形成し、その後、Ｕ字状ヨーク１５を形成した後に当
該Ｕ字状ヨーク１５を跨ぐように第２のパターン１８を
形成する。複数の第２のパターン１８は、隣接した第１
のパターン１７を順次連結するように所定の間隔で平行
に形成することによって、複数の第１のパターン１７と
ともにコイル部１６を構成している。複数の第１のパタ
ーン１７と複数の第２のパターン１８とから構成される
コイル部１６は、両端部を電力供給源と接続されてお
り、この電力供給源から所定の電流が供給されることに
よって所望の磁界を生ずる。コイル部１６で発生した磁
界によりＵ字状ヨーク１５内を磁束が流れ、磁気記録媒
体に対して書き込む信号磁界を磁気ギャップに発生させ
ることができる。尚、パターン１７，１８とヨーク１５
の間には、図示しない絶縁層が配置されている。
【００１９】以上のような薄膜ヘッドにおいては、再生
用磁気コア１のトラック幅ｗが一対のヨーク５，６の厚
みを制御することで所望のトラック幅を得ることができ
る為、フォトリソグラフィー法等の手法の精度等に依存
しない。このため、再生用磁気コア１のトラック幅ｗ
を、従来と比較して大幅に狭く形成することができる。
したがって、この薄膜ヘッドは、高密度記録を目的とし
たトラック幅ｗを有することとなる。
用磁気コア１のトラック幅ｗが一対のヨーク５，６の厚
みを制御することで所望のトラック幅を得ることができ
る為、フォトリソグラフィー法等の手法の精度等に依存
しない。このため、再生用磁気コア１のトラック幅ｗ
を、従来と比較して大幅に狭く形成することができる。
したがって、この薄膜ヘッドは、高密度記録を目的とし
たトラック幅ｗを有することとなる。
【００２０】また、この薄膜ヘッドにおいては、記録用
磁気コア２のトラック幅ＷもＵ字状ヨーク１５の厚みを
制御することで所望のトラック幅を得ることができる
為、フォトリソグラフィー法等の手法の精度等に依存し
ない。このため、記録用磁気コア２のトラック幅Ｗを、
従来と比較して大幅に狭く形成することができる。した
がって、この薄膜ヘッドは、高密度記録を目的としたト
ラック幅Ｗを有することとなる。
磁気コア２のトラック幅ＷもＵ字状ヨーク１５の厚みを
制御することで所望のトラック幅を得ることができる
為、フォトリソグラフィー法等の手法の精度等に依存し
ない。このため、記録用磁気コア２のトラック幅Ｗを、
従来と比較して大幅に狭く形成することができる。した
がって、この薄膜ヘッドは、高密度記録を目的としたト
ラック幅Ｗを有することとなる。
【００２１】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
係るトンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気コアを
成膜方向と直交する方向で形成しているため、当該磁気
コアの厚みを制御することで所望のトラック幅を得るこ
とができる。したがって、このトンネル磁気抵抗効果型
磁気ヘッドは、所望の狭トラック幅を有することとなる
ため、高密度記録を達成することができる。
係るトンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気コアを
成膜方向と直交する方向で形成しているため、当該磁気
コアの厚みを制御することで所望のトラック幅を得るこ
とができる。したがって、このトンネル磁気抵抗効果型
磁気ヘッドは、所望の狭トラック幅を有することとなる
ため、高密度記録を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用したトンネル磁気抵抗効果型磁気
ヘッドの要部斜視図である。
ヘッドの要部斜視図である。
【図２】トンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッドの再生用磁
気コアを示す要部斜視図である。
気コアを示す要部斜視図である。
【図３】再生用磁気コアのＴＭＲ素子を示す要部斜視図
である。
である。
【図４】記録用磁気コアのコイル部を示す要部平面図で
ある。
ある。
【図５】従来の磁気ヘッドの分解斜視図である。
１ 再生用磁気コア ２ 記録用磁気コア ３ 非磁性層 ４ シールド磁性層 ７ トンネル磁気抵抗効果素子
Claims (4)
- 【請求項１】 成膜方向に対して直交する方向に再生磁
気ギャップを介して形成された再生用磁気コアと、 上記再生用磁気コアに接続され、上記再生用磁気コアに
流れる磁束が印加されるトンネル磁気抵抗効果素子と、 上記トンネル磁気抵抗素子上に配置されたシールド層
と、 上記シールド層上に成膜方向に対して直交する方向に記
録磁気ギャップを介して形成された記録用磁気コアと、 上記記録用磁気コアに磁束を流し、記録磁気ギャップに
記録磁界を発生させる磁界発生手段とを有する記録ヘッ
ドを備えることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果型磁
気ヘッド。 - 【請求項２】 書込み／読込みトラック幅が、上記記録
用コア及び再生用コアの膜厚で制御されることを特徴と
する請求項１記載のトンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド。 - 【請求項３】 上記磁界発生手段は、所定の間隔で複数
形成された第１のパターンと、上記記録用磁気コアを介
してこれら第１のパターンと接続された第２のパターン
とからなるコイルであることを特徴とする請求項１及び
２記載のトンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項４】 上記トンネル磁気抵抗効果素子は、磁気
コアに流れる磁束に対して磁化方向を変化させる磁化自
由層と、磁気コアに流れる磁束に対して磁化方向を変化
させない磁化固定層と、これら磁化自由層及び磁化固定
層の間に配された絶縁層と、絶縁層を介して磁化自由層
及び磁化固定層の間にトンネル電流を流す電極とを備え
ることを特徴とする請求項１乃至３記載のトンネル磁気
抵抗効果型磁気ヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001130648A JP2002329304A (ja) | 2001-04-27 | 2001-04-27 | トンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
| US10/128,978 US20020159204A1 (en) | 2001-04-27 | 2002-04-24 | Magnetic heads using a tunneling magnetoresistance effect |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001130648A JP2002329304A (ja) | 2001-04-27 | 2001-04-27 | トンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002329304A true JP2002329304A (ja) | 2002-11-15 |
Family
ID=18978977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001130648A Pending JP2002329304A (ja) | 2001-04-27 | 2001-04-27 | トンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20020159204A1 (ja) |
| JP (1) | JP2002329304A (ja) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG71751A1 (en) * | 1997-01-25 | 2000-04-18 | Tdk Corp | Thin film magnetic head and method of manufacturing the same |
| JP2000113421A (ja) * | 1998-10-08 | 2000-04-21 | Hitachi Ltd | 磁気トンネル接合磁気抵抗ヘッド |
| US6504689B1 (en) * | 2000-07-12 | 2003-01-07 | International Business Machines Corporation | Tunnel junction read head with flux guide coupled to and magnetically extending a recessed free layer to an air bearing surface |
| US6567244B1 (en) * | 2000-10-10 | 2003-05-20 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands | Differential yoke type read head |
| US6597546B2 (en) * | 2001-04-19 | 2003-07-22 | International Business Machines Corporation | Tunnel junction sensor with an antiferromagnetic (AFM) coupled flux guide |
-
2001
- 2001-04-27 JP JP2001130648A patent/JP2002329304A/ja active Pending
-
2002
- 2002-04-24 US US10/128,978 patent/US20020159204A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020159204A1 (en) | 2002-10-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3813914B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JP2002151756A (ja) | 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気ヘッドおよびこれらの製造方法 | |
| JP2001068759A (ja) | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法 | |
| JP2002269706A (ja) | マルチチャンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JP2000113421A (ja) | 磁気トンネル接合磁気抵抗ヘッド | |
| JPH10302227A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JP3474523B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| KR100804915B1 (ko) | 수평요크형 자기 재생 헤드 및 자기 재생 장치 | |
| JP2002329304A (ja) | トンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JP2008010052A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH1125425A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH0922510A (ja) | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法及び磁気記録装置及びその製造方法 | |
| JPH1153716A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド及び製造方法並びにそれを用いた磁気記録再生装置 | |
| JPH11120523A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JP2008078214A (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
| JPH11250424A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JP2004165224A (ja) | 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置 | |
| JP2004265517A (ja) | 磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリおよび磁気記録再生装置 | |
| JP3790668B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置 | |
| KR100668405B1 (ko) | 자기 저항 헤드 | |
| JP2001230470A (ja) | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法 | |
| JP2000276717A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP2002157713A (ja) | ヨーク型磁気抵抗効果ヘッド | |
| JPH10275310A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JP2002368305A (ja) | 磁気抵抗効果センサ、該センサを備えた薄膜磁気ヘッド、磁気抵抗効果センサの製造方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 |