JP3790668B2 - 薄膜磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、磁気ディスク装置をＡＶ（音響映像機器）用途で使用することを狙って、磁気ヘッドの低価格化が進められているが、水平型の薄膜磁気ヘッドは、スライダー浮上面をウェハ基板単位で加工することができるため、低価格化を実現するヘッド構造として注目されている。
【０００３】
また近年、記録密度の高密度化が進み、トラック幅はますます小さくなる傾向にある。それに伴い、記録媒体から磁束を吸い上げる磁気ヨーク先端部のトラック幅方向の長さはどんどん小さくなり、記録媒体から少ない磁束しか吸い上げることができなくなる。それでも、再生信号として取り出すのに充分な磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子とも言う）の電圧変化を起こすためには、ＭＲ素子を構成するＭＲ膜の感度にあたる抵抗変化率を大きくすることと、磁気ヨーク先端部から吸い上げられた小さい磁束をいかに密度を高めてＭＲ素子に導くような構造のヨーク設計とが必要となる。
【０００４】
図１３に特開平６−１３１６３５号公報に示される従来の水平型薄膜磁気ヘッドの構成を示す。図１３（ａ）は薄膜磁気ヘッドのトラック長手方向の断面図、図１３（ｂ）は磁気ギャップ付近の拡大図、図１３（ｃ）は磁気ギャップ付近の平面図、図１３（ｄ）は媒体走行方向に沿って見たときの磁気ヘッドの側面図である。図１３に示す薄膜磁気ヘッドは、スライダー上に記録ヘッド部４６および再生ヘッド部４７が設けられている。ギャップ部４２が磁気記録媒体から磁束を吸い上げ、磁極（磁気ヨーク）３３内を磁束が流れ、ＭＲ素子３５が磁束を検出して抵抗が変化し、再生信号が電圧変化して取り出される。
【０００５】
この従来の水平型薄膜磁気ヘッドにおいては、磁極（磁気ヨーク）３３の媒体対向面でのトラック幅方向の長さＷ１０と、磁極３３の、ＭＲ素子３５に面するＭＲ素子対向面でのトラック幅方向の長さＷ１１は、Ｗ１０＝Ｗ１１となるように構成されている（図１３（ｄ）参照）。またＭＲ素子３５のトラック幅方向の長さｂは、ｂ＜Ｗ１０となるように構成されている（図１３（ｄ）参照）。このため、磁気ヨーク３３、ＭＲ素子３５のトラック幅方向の長さＷ１０、Ｗ１１、ｂの大小関係は、ｂ＜Ｗ１０＝Ｗ１１となり、図１３（ｄ）から明らかなように、磁気ヨーク３３のトラック幅方向の長さは、媒体対向面からＭＲ素子３５に面するＭＲ素子対向面まで幅が一定で、かつＭＲ素子３５のトラック幅方向の長さは、磁気ヨーク３３のトラック幅方向の長さより、短くなっている。
【０００６】
また、上記特開平６−１３１６３５号公報に他の例として記載されている従来の水平型薄膜磁気ヘッドの構成を図１４に示す。図１４（ａ）は磁気ギャップ部分付近を拡大した斜視図、図１４（ｂ）は磁気ギャップ部分付近の平面図、図１４（ｃ）は媒体走行方向に沿って見たときの薄膜磁気ヘッドの側面図である。この薄膜磁気ヘッドにおいては、磁極（磁気ヨーク）３３の媒体対向面でのトラック幅方向の長さＷ１０と、磁気ヨーク３３のＭＲ素子対向面でのトラック幅方向の長さＷ１１は、Ｗ１０＜Ｗ１１となるように構成されている。また、ＭＲ素子３５のトラック幅方向の長さｂ１は、Ｗ１０＜ｂ１＜Ｗ１１となるように構成されている。よって、図１４（ｃ）から明らかなように、磁気ヨーク３３のトラック幅方向の長さは媒体対向面からＭＲ素子対向面に近づくにつれ、幅が増大し、かつＭＲ素子３５のトラック幅方向の長さｂ１は、磁気ヨーク３３の媒体対向面のトラック幅方向の長Ｗ１０さよりは長いが、磁気ヨーク３３のＭＲ素子対向面のトラック幅方向の長さＷ１１よりは短い構成となっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上述の従来の水平型薄膜磁気ヘッドが今後の高密度化に対して問題となる点を以下に説明する。
【０００８】
今後は記録密度の高密度化が進み、記録媒体から磁束を吸い上げるヨーク先端部のトラック幅方向の長さはどんどん小さくなり、記録媒体から少ない磁束しか吸い上げることができなくなる。その場合にも再生信号を得るのに充分な電圧変化を起こすには、ＭＲ素子内に導かれる磁束密度をなるべく大きくするための構造を有する磁気ヨークの設計が重要である。
【０００９】
しかしながら、図１３（ｄ）および図１４（ｃ）に示すように、従来の水平型薄膜磁気ヘッドのトラック幅方向の寸法は、Ｗ１０≦Ｗ１１、すなわち磁気ヨークのトラック幅方向の長さは媒体対向面の方がＭＲ素子対向面より同じか又は大きくなっていて、ヨークに吸い上がった磁束の密度がＭＲ素子に到達する時に小さくなる方向にヨークの面積が増加していることになる。これでは、充分な電圧変化をえられないので、再生出力が小さくなってしまう。
【００１０】
また高密度化がより進んだ場合、小さくなった磁気ヨークとそれに伴って小さくなったＭＲ素子のアライメントを通常のヘッド工程で使われているようなステッパーによるアライメントで行なったのでは、限界が来ることが予想される。具体的な数字をあげると、２００Ｇｂｐｓｉの記録密度の時、再生トラック幅は１００ｎｍと予想され、ステッパーの実プロセスでのアライメント精度が±５０ｎｍとすると、磁気ヨークの中心とＭＲ素子の中心が最大約５０ｎｍ離れた素子が形成される。これでは、磁気ヨークのトラック幅方向の長さを１００ｎｍにすると、ＭＲ素子は半分しか磁気ヨークの上に重ならないことになり、磁気ヨークに流れる磁束をＭＲ素子に効率よく取り込むことができない。このため、十分な再生出力を得ることができない。
【００１１】
本発明は、上記事情を考慮してなされたものであって、高密度化に伴って再生トラック幅が小さくなっても、可及的に大きな再生出力を得ることのできる薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法ならびに磁気ディスク装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明による薄膜磁気ヘッドは、磁気ギャップを挟んで対向配置され、磁気記録媒体からの磁気信号を導く一対の磁気ヨークと、
前記磁気ギャップを跨ぐように前記磁気ヨークの媒体対向面と反対側の面上に形成され、前記磁気ヨークに磁気接続された磁気抵抗効果膜と、
を備え、前記媒体対向面におけるトラック幅方向の前記磁気ヨークの中心と、前記磁気ヨークの磁気抵抗効果膜対向面におけるトラック幅方向の前記磁気ヨークの中心と、磁気抵抗効果膜の磁気ヨーク対向面におけるトラック幅方向の前記磁気抵抗効果膜の中心とが、トラック幅方向の同一断面上で媒体対向面にほぼ垂直な直線上にほぼ並ぶように配置された構成となっており、前記磁気ヨークの磁気抵抗効果膜対向面におけるトラック幅方向の長さは、媒体対向面におけるトラック幅方向の長さよりも短く、かつ前記磁気抵抗効果膜の磁気ヨーク対向面における磁気抵抗効果膜の長さにほぼ等しくなるように構成されていることを特徴とする。
【００１３】
このように構成したことにより、磁気記録媒体から磁気ヨークに入力された磁束の密度を可及的に高めて磁気抵抗効果膜に流すことが可能となる。これにより、可及的に大きな再生出力を得ることができる
なお、前記磁気抵抗効果膜は垂直通電型磁気抵抗効果膜であっても良い。
【００１４】
また、本発明による磁気ディスク装置は、上記薄膜磁気ヘッドを再生磁気ヘッドとして搭載したことを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態を図１を参照して説明する。この実施形態は水平型薄膜磁気ヘッドであって、その構成を図１に示す。図１（ａ）は、この実施形態の薄膜磁気ヘッドのトラック長手方向の断面図であり、図１（ｂ）は、この実施形態の薄膜磁気ヘッドを図１（ａ）に示す切断線Ｘ−Ｘで切断したときの断面図である。
【００１８】
この実施形態の薄膜磁気ヘッドは、磁気ギャップ３を挟んで対向配置された一対の磁気ヨーク２と、磁気ギャップ３を跨ぐように磁気ヨーク２の媒体対向面４と反対側の面上に形成され磁気ヨーク２と磁気接続された磁気抵抗効果膜（以下、ＭＲ膜とも言う）６と、このＭＲ膜６にセンス電流を通電するための電極８と、を備えている。このＭＲ膜は、膜面に平行な方向に電極８間にセンス電流を供給してＣＩＰ(Current In Plane)構造として使用するものである。なお、ＭＲ膜６と電極８間を除きこれらの構成要素は、絶縁体１０によって電気的に絶縁されている。
【００１９】
そして、図１（ｂ）に示すように、媒体対向面４におけるトラック幅方向の磁気ヨーク２の中心と、磁気ヨークの媒体対向面４と反対側の面すなわち磁気ヨーク２のＭＲ膜対向面におけるトラック幅方向の磁気ヨーク２の中心と、ＭＲ膜６の磁気ヨーク対向面におけるトラック幅方向のＭＲ膜の中心とが、トラック幅方向の同一断面上で媒体対向面４にほぼ垂直な直線上にほぼ並ぶように配置された構成となっている。
【００２０】
また、磁気ヨーク２のＭＲ膜対向面におけるトラック幅方向の長さＷｙは、媒体対向面４におけるトラック幅方向の長さＷｔよりも短く、かつＭＲ膜６の磁気ヨーク対向面におけるＭＲ膜６の長さＷｍｒにほぼ等しくなるように構成されている。したがって、ＭＲ膜６と磁気ヨーク２は自己整合的に形成された構成となっている。
【００２１】
このように構成したことにより、磁気記録媒体から磁気ヨーク２に入力された磁束の密度を可及的に高めて磁気抵抗効果膜６に流すことが可能となり、可及的に大きな再生出力を得ることができる。
【００２２】
なお、磁気ヨーク２のトラック幅方向の形状は、図２（ａ）に示すように、媒体対向面から離れるにつれてトラック幅方向の長さが短くなるように構成しても良いし、図２（ｂ）に示すように、途中までは媒体対向面４から離れるにつれてトラック幅方向の長さが長くなり、その後ＭＲ膜対向面に近づくにつれてトラック幅方向の長さが短くなっても良い。いずれにしても、磁気ヨーク２のＭＲ膜対向面におけるトラック幅方向の長さＷｙは、媒体対向面４におけるトラック幅方向の長さＷｔよりも短くなるように構成されていれば良い。
【００２３】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態を図３乃至図４を参照して説明する。この第２の実施形態は、図１に示す第１の実施形態の薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、その製造工程断面図を図３乃至図４に示す。
【００２４】
まず、基板２０上に非磁性膜１２を形成し、この非磁性膜１２に、トラック幅を規定するための溝１２ａを形成する（図３（ａ）参照）。次に、溝１２ａを埋め込むように全面に磁気ヨークとなる磁性膜２を形成し、この磁性膜２上に絶縁膜１４を形成する（図３（ｂ）参照）。
【００２５】
続いて、絶縁膜１４上にＭＲ膜６を形成する（図３（ｃ）参照）。その後、図３（ｄ）に示すように、ＭＲ膜６上にレジスト等の樹脂材料１８を塗布する。この樹脂材料１８としては、分子量の小さいレジストからなり、下地の凹凸を平坦化することのできる材料が選ばれる。
【００２６】
次に、図４（ａ）に示すように、エッチバックを行い、磁気ヨーク２のトラック幅を規定する溝１２ａに自己整合された位置に樹脂材料からなるエッチングマスク１８を残置する。続いて、図４（ｂ）に示すように、残置された樹脂材料からなるエッチングマスク１８ａをマスクに、ＭＲ膜６、絶縁膜１４、磁気ヨーク２をパターニングし、その後、エッチングマスク１８ａを剥離して磁気ヨーク２のトラック幅方向の加工が終了する（図４（ｃ）参照）。なお、残置されたエッチングマスク１８ａは、エッチング耐性が充分に確保できるエッチングレートの遅い材料で作成する必要がある。ＭＲ膜６を成膜後、例えば、ＡｌＯｘやＴｉ等エッチングレートの遅い材料を成膜して、図３（ｄ）に示す工程以降の工程を経ても良い。これにより、エッチングマスクとしてエッチングレートの遅い材料を使用可能となり、プロセスが容易になる。
【００２７】
この実施形態では、媒体対向面に露出する磁気ヨーク２のトラック幅方向の長さＷｔは、図３（ａ）に示す工程で非磁性膜１２に形成した溝１２ａで規定されている。この溝１２ａの形状は、その上に積層された磁気ヨーク２、絶縁膜１４、およびＭＲ膜６上に再現される。このＭＲ膜６上に再現された溝を利用して、ＭＲ膜６、絶縁膜１４、磁気ヨーク２のエッチングをする際のエッチングマスク１８ａを平坦化技術により形成することが、本実施形態の磁気ヨーク２とＭＲ膜６の自己整合を行なうポイントとなる。ＭＲ膜６の磁気ヨーク対向のトラック幅方向の長さＷｍｒと、磁気ヨーク２の媒体対向面でのトラック幅方向の長さＷｔとがＷｍｒ＜Ｗｔの関係を満足する形状を得ることも、磁気ヨーク２のトラック幅を規定する溝１２ａに自己整合的に形成される、ＭＲ膜６上の溝の底面は特殊な成膜方法を使用しない限り、非磁性膜１２に形成した溝１２ａの底面より幅が小さくなるので、ＭＲ膜６の溝に形成されたエッチングマスク１８ａを使用してＭＲ膜６を加工することにより容易に実現できる。また、磁気ヨーク２の加工は、媒体対向面まで行なうことはしないので（図４（ｂ）参照）、磁気ヨーク２のトラック幅方向の長さはＷｔは、図３（ａ）に示す工程で形成される非磁性膜１２の溝１２ａで規定されることになる。また、同一マスク１８ａによりＭＲ膜６と磁気ヨーク２をエッチングするので、磁気ヨーク２のＭＲ膜対向面と、ＭＲ膜６のトラック幅方向の長さはだいたい同じになるので、ＭＲ膜６への効率のよい磁束の供給が期待できる。
【００２８】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は上記の方法に限ってはいない。磁気ヨークとなる磁性膜膜２、絶縁膜１４、ＭＲ膜６を積層して、レジストまたはエッチングレートの遅い材料でエッチングマスクを作成し、磁気ヨーク膜２、絶縁膜１４、ＭＲ膜６を一括加工する方法でも構わない。通常のエッチング技術を用いればこの方法でも、磁気ヨーク膜２、ＭＲ膜６の自己整合、且つＷｍｒ＜Ｗｔの関係を得ることは容易に実現可能である。
【００２９】
この実施形態によって製造された薄膜磁気ヘッドは、第１の実施形態と同様の効果を奏することは言うまでもない。
【００３０】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態を図５乃至図６を参照して説明する。この第３の実施形態は、トラック幅方向の磁気ヨークの形状が図２（ａ）に示す形状となる薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、その製造工程断面図を図５および図６に示す。
【００３１】
この実施形態の製造方法は、ＭＲ膜６の形成までは、第２の実施形態の製造方法と同様な工程で行う（図５（ａ）乃至図５（ｃ）参照）。その後、図５（ｄ）に示すように、ＭＲ膜６上にレジスト等の樹脂材料１９を塗布する。この樹脂材料１９としては、分子量の小さいレジストからなり、下地の凹凸を平坦化することのできる材料が選ばれる。
【００３２】
次に、図６（ａ）に示すように、エッチバックを行い、磁気ヨーク２のトラック幅を規定する溝１２ａに自己整合された位置に樹脂材料からなるエッチングマスク１９ａを残置する。続いて、図６（ｂ）に示すように、残置された樹脂材料からなるエッチングマスク１９ａをマスクに、ＭＲ膜６、絶縁膜１４、磁気ヨーク２パターニングし、その後、エッチングマスク１９ａを剥離して磁気ヨーク２のトラック幅方向の加工が終了する（図６（ｃ）参照）。
【００３３】
樹脂材料１９は、磁気ヨーク２のエッチングマスクとして使用するので、エッチング選択比が高い材料が適している。エッチング方法は、イオンミリング、ＲＩＥ(Reactive Ion Etching)，ＲＩＢＥ(Reactive Ion Beam Etching)等何でも構わない。例えばイオンミリングでパーマロイに対してエッチング選択比が大きい材料としてアルミナが挙げられる。アルミナをエッチングマスクとして使用する場合は、樹脂材料１９を塗布する前にアルミナを成膜する。これにより、磁気ヨークエッチング中に樹脂材料１９が無くなってしまっても、アルミナをエッチングマスクとしてエッチングを続行できる。
【００３４】
この実施形態も第２の実施形態と同様な効果を奏することは言うまでもない。
【００３５】
なお、第1乃至第３の実施形態においては、ＭＲ膜６は、面内通電方式（ＣＩＰ）のものを用いたが、垂直通電方式（ＣＰＰ：Current Perpendicular to Plane）でも同様な効果が期待できる。
【００３６】
（第４の実施形態）
本発明の第４の実施形態を図7を参照して、説明する。この実施形態は水平型薄膜磁気ヘッドであって、その構成を図7に示す。図７（ａ）は、この実施形態の薄膜磁気ヘッドのトラック長手方向の断面図であり、図７（ｂ）は、この実施形態の薄膜磁気ヘッドを図７（ｂ）に示す切断線Ｘ−Ｘで切断したときの断面図である。
【００３７】
この実施形態の薄膜磁気ヘッドは、磁気ギャップ３を挟んで対向配置された一対の磁気ヨーク２と、磁気ギャップ３を跨ぐように磁気ヨーク２の媒体対向面４と反対側の面上に形成され磁気ヨーク２と磁気接続されたＭＲ膜６と、このＭＲ膜にセンス電流を通電するための電極８と、を備えている。ここで使用されるＭＲ膜６はＣＰＰ方式で使用されるもので、センス電流は電極8からＭＲ膜６を垂直方向に抜け、電気的に接続されている磁気ヨーク２へと流れていく。なお、ＭＲ膜６と電極８間、ＭＲ膜６と磁気ヨーク２間を除きこれらの構成要素は、絶縁体１０によって電気的に絶縁されている。
【００３８】
そして、図７（ｂ）に示すように、媒体対向面４におけるトラック幅方向の磁気ヨーク２の中心と、磁気ヨークの媒体対向面４と反対側の面すなわち磁気ヨーク２のＭＲ膜対向面におけるトラック幅方向の磁気ヨーク２の中心と、ＭＲ膜６の磁気ヨーク対向面におけるトラック幅方向のＭＲ膜の中心とが、トラック幅方向の同一断面上で媒体対向面４にほぼ垂直な直線状にほぼ並ぶように配置された構成となっている。
【００３９】
また、磁気ヨーク２のＭＲ膜対向面におけるトラック幅方向の長さＷｙは、媒体対向面４におけるトラック方向の長さＷｔよりも短く、かつＭＲ膜６の磁気ヨーク対向面におけるＭＲ膜６の長さＷｍｒにほぼ等しくなるように構成されている。したがって、ＭＲ膜６と磁気ヨーク２は自己整合的に形成された構成となっている。
【００４０】
このように構成したことにより、磁気記録媒体から磁気ヨークに入力された磁束の密度を可及的に高めて磁気抵抗効果膜に流すことができる。これにより、可及的に大きな再生出力を得ることができる。
【００４１】
ＣＰＰ方式のＭＲ膜を使用する場合にも、磁気ヨーク２のトラック幅方向の形状は、図２（ａ）に示すように、媒体対向面から離れるにつれてトラック幅方向の長さが短くなるように構成しても良いし、図２（ｂ）に示すように、途中までは媒体対向面４から離れるにつれてトラック幅方向の長さが長くなり、その後ＭＲ膜対向面に近づくにつれてトラック幅方向の長さが短くなっていても良い。いずれにしても磁気ヨーク２のＭＲ膜対向面におけるトラック幅方向の長さＷｙは、媒体対向面4におけるトラック幅方向の長さＷｔよりも短くなるように構成されていれば良い.
（第５の実施形態）
次に、本発明に第５の実施形態を図８乃至図１０を参照して説明する。この第６の実施形態は、図７に示す第５の実施形態の薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、その製造工程断面図を図８乃至図１０に示す。
【００４２】
まず、基板２０上に非磁性膜１２を形成し、この非磁性膜１２に、トラック幅を規定するための溝１２ａを形成する（図８（ａ）参照）。次に、溝１２ａを埋め込むように全面に磁気ヨークとなる磁性膜２を形成し、この磁性膜２上にＭＲ膜６を形成する（図８（ｂ）参照）。このＭＲ膜はＣＰＰ方式で使用するものである。
【００４３】
続いて、図８（ｃ）に示すようにＣＰＰ−ＭＲ膜６上にレジスト等の樹脂材料１８を塗布する。この樹脂材料１８としては、分子量の小さいレジストからなり、下地の凹凸を平坦化することのできる材料が選ばれる。
【００４４】
次に、図９（ａ）に示すように、エッチバックを行い、磁気ヨーク２のトラック幅を規定する溝１２ａに自己整合された位置に樹脂材料からなるエッチングマスク１８を残置する。続いて図９（ｂ）に示すように、残置された樹脂材料からなるエッチングマスク１８ａをマスクに、ＣＰＰ−ＭＲ膜６、磁気ヨーク２をパターニングし、その後、エッチングマスク１８ａを剥離して磁気ヨーク２のトラック幅方向の加工が終了する（図９（ｃ））。なお、残置されたエッチングマスク１８ａは、エッチング耐性が充分に確保できるエッチングレートの遅い材料で作成する必要がある。ＭＲ膜６を成膜後、例えば、ＡｌＯｘやＴｉ等のエッチングレートの遅い材料を成膜して、図８（ｃ）に示す工程以降の工程を経ても良い。これにより、エッチングマスクとしてエッチングレートの遅い材料を使用可能となり、プロセスが容易になる。
【００４５】
続いて、非磁性膜１３を形成する（図１０（ａ）参照）。この非磁性膜１３は、エッチバック、もしくはＣＭＰ等の方法によって、ＣＰＰ−ＭＲ膜６の表面まで平坦化する（図１０（ｂ）参照）。その後、図１０（ｃ）に示したように、電極８を形成する。図１０（ｂ）の平坦化のウェハ内均一性、再現性を考慮すると、図８（ｃ）の工程で樹脂材料１８を塗布する前に、電極８の一部としての使用が可能な導電性膜を成膜しておき、図９（ｃ）の工程が終了したときにＣＰＰ−ＭＲ膜６の上に導電性膜が残っている構成にしたほうがよい。この導電性膜で平坦化工程のプロセスマージンを吸収できるからである。
【００４６】
この実施形態では、媒体対向面に露出する磁気ヨーク２のトラック幅方向の長さＷｔは、図８（ａ）に示す工程で非磁性膜１２に形成した溝１２ａで規定されている。この溝１２ａの形状は、その上に積層された磁気ヨーク２、およびＣＰＰ−ＭＲ膜６上に再現される。このＭＲ膜６上に再現された溝を利用して、ＣＰＰ−ＭＲ膜６、磁気ヨーク２のエッチングをする際のエッチングマスク１８ａを平坦化技術により形成することが、本実施形態の磁気ヨーク２とＣＰＰ−ＭＲ膜６の自己整合を行なうポイントとなる。ＣＰＰ−ＭＲ膜６の磁気ヨーク対向面でのトラック幅方向の長さＷｍｒと、磁気ヨーク２の媒体対向面でのトラック幅方向の長さＷｔとがＷｍｒ＜Ｗｔの関係を満足する形状を得ることも、磁気ヨーク２のトラック幅を規定する溝１２ａに自己整合的に形成される、ＭＲ膜６上の溝の底面は特殊な成膜方法を使用しない限り、非磁性膜１２に形成した溝１２ａの底面より幅が小さくなるので、ＣＰＰ−ＭＲ膜６の溝に形成されたエッチングマスク１８ａを使用してＭＲ膜６を加工することにより容易に実現できる。また磁気ヨーク２の加工は、媒体対向面まで行なうことはしないので（図９（ｂ）参照）、磁気ヨーク２のトラック幅方向の長さＷｔは、図８（ａ）に示す工程で形成される非磁性膜１２の溝１２ａで規定されることになる。また、同一マスク１８ａにより、ＣＰＰ−ＭＲ膜６と磁気ヨーク２をエッチングするので、磁気ヨーク２のＣＰＰ−ＭＲ膜対向面と、ＣＰＰ―ＭＲ膜６のトラック幅方向の長さはほぼ同じになるので、ＣＰＰ―ＭＲ膜６への効率の良い磁束の供給が期待できる。
【００４７】
この実施形態によって製造された薄膜磁気ヘッドは、第４の実施形態と同様の効果を奏することは言うまでもない。
【００４８】
本発明は、ＣＩＰ方式でもＣＰＰ方式でもどちらのＭＲ膜でも使用可能であるが、どちらかといえば、センス電流が流れている感磁部が小さいＣＰＰ方式のＭＲ膜を使用するときに大きな効果が期待できる。
【００４９】
（第６の実施形態）
次に、本発明の第６の実施の形態を図１１および図１２を参照して説明する。この実施の形態は、磁気ディスク装置であって、この磁気ディスク装置の概略構成を図７に示す。すなわち、本実施の形態の磁気ディスク装置１５０は、ロータリーアクチュエータを用いた形式の装置である。図１１において、磁気ディスク２００は、スピンドル１５２に装着され、図示しない駆動装置制御部からの制御信号に応答する図示しないモータにより矢印Ａの方向に回転する。磁気ディスク２００は、磁気ディスク２００に格納する情報の記録再生を行うヘッドスライダ１５３は、薄膜状のサスペンション１５４の先端に取り付けられている。ここで、ヘッドスライダ１５３は、例えば、前述したいずれかの実施形態にかかる磁気ヘッドをその先端付近に搭載している。
【００５０】
磁気ディスク２００が回転すると、ヘッドスライダ１５３の媒体対向面（ＡＢＳ）は磁気ディスク２００の表面から所定の浮上量をもって保持される。
【００５１】
サスペンション１５４は、図示しない駆動コイルを保持するボビン部などを有するアクチュエータアーム１５５の一端に接続されている。アクチュエータアーム１５５の他端には、リニアモータの一種であるボイスコイルモータ１５６が設けられている。ボイスコイルモータ１５６は、アクチュエータアーム１５５のボビン部に巻き上げられた図示しない駆動コイルと、このコイルを挟み込むように対向して配置された永久磁石および対向ヨークからなる磁気回路とから構成される。
【００５２】
アクチュエータアーム１５５は、固定軸１５７の上下２箇所に設けられた図示しないボールベアリングによって保持され、ボイスコイルモータ１５６により回転摺動が自在にできるようになっている。
【００５３】
図１２は、アクチュエータアーム１５５から先の磁気ヘッドアセンブリをディスク側から眺めた拡大斜視図である。すなわち、磁気ヘッドアッセンブリ１６０は、例えば駆動コイルを保持するボビン部などを有するアクチュエータアーム１５１を有し、アクチュエータアーム１５５の一端にはサスペンション１５４が接続されている。
【００５４】
サスペンション１５４の先端には、上記実施形態のいずれかで説明した磁気ヘッドを具備するヘッドスライダ１５３が取り付けられている。なお、再生ヘッドと記録用ヘッドを組み合わせても良い。サスペンション１５４は信号の書き込みおよび読み取り用のリード線１６４を有し、このリード線１６４とヘッドスライダ１５３に組み込まれた磁気ヘッドの各電極とが電気的に接続されている。図１２の符号１６５は磁気ヘッドアッセンブリ１６０の電極パッドである。
【００５５】
ここで、ヘッドスライダ１５３の媒体対向面（ＡＢＳ）と磁気ディスク２００の表面との間には、所定の浮上量が設定されている。
【００５６】
なお、磁気ディスク装置に関しても、再生のみを実施するものでも、記録・再生を実施するものあっても良く、また、媒体は、ハードディスクには限定されず、その他、フレキシブルディスクや磁気カードなどのあらゆる磁気記録媒体を用いることが可能である。さらに、磁気記録媒体を装置から取り外し可能にした、いわゆる「リムーバブル」の形式の装置であっても良い。
【００５７】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、高密度化に伴って再生トラック幅が小さくなっても、可及的に大きな再生出力を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態の構成を示す図。
【図２】本発明の薄膜磁気ヘッドのトラック幅方向の形状を示す図。
【図３】本発明の第２の実施形態の構成を示す製造工程断面図。
【図４】本発明の第２の実施形態の構成を示す製造工程断面図。
【図５】本発明の第３の実施形態の構成を示す製造工程断面図。
【図６】本発明の第３の実施形態の構成を示す製造工程断面図。
【図７】本発明の第４の実施形態の構成を示す図。
【図８】本発明の第５の実施形態の構成を示す製造工程断面図。
【図９】本発明の第５の実施形態の構成を示す製造工程断面図。
【図１０】本発明の第５の実施形態の構成を示す製造工程断面図。
【図１１】本発明による磁気ディスク装置の概略構成を示す要部斜視図。
【図１２】アクチュエータアームから先の磁気ヘッドアセンブリをディスク側から眺めた拡大斜視図。
【図１３】従来の水平型薄膜磁気ヘッドの構成を示す図。
【図１４】従来の水平型薄膜磁気ヘッドの他の例の構成を示す図。
【符号の説明】
２ 磁気ヨーク
３ 磁気ギャップ
４ 媒体対向面
６ 磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜）
８ 電極
１０ 絶縁体
１２ 非磁性膜
１２ａ 溝
１３ 非磁性膜
１４ 絶縁膜
１８ 樹脂材料
１８ａ エッチングマスク
１９ 樹脂材料
１９ａ エッチングマスク

Claims (3)

1. 磁気ギャップを挟んで対向配置され、磁気記録媒体からの磁気信号を導く一対の磁気ヨークと、
   前記磁気ギャップを跨ぐように前記磁気ヨークの媒体対向面と反対側の面上に形成され、前記磁気ヨークに磁気接続された磁気抵抗効果膜と、
   を備え、前記媒体対向面におけるトラック幅方向の前記磁気ヨークの中心と、前記磁気ヨークの磁気抵抗効果膜対向面におけるトラック幅方向の前記磁気ヨークの中心と、磁気抵抗効果膜の磁気ヨーク対向面におけるトラック幅方向の前記磁気抵抗効果膜の中心とが、トラック幅方向の同一断面上で媒体対向面にほぼ垂直な直線上にほぼ並ぶように配置された構成となっており、前記磁気ヨークの磁気抵抗効果膜対向面におけるトラック幅方向の長さは、媒体対向面におけるトラック幅方向の長さよりも短く、かつ前記磁気抵抗効果膜の磁気ヨーク対向面における磁気抵抗効果膜の長さにほぼ等しくなるように構成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
2. 前記磁気抵抗効果膜が垂直通電磁気抵抗効果膜であることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
3. 請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッドを再生磁気ヘッドとして搭載したことを特徴とする磁気ディスク装置。

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