JP2002074622A

JP2002074622A - ヨーク型磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置

Info

Publication number: JP2002074622A
Application number: JP2000263818A
Authority: JP
Inventors: Masatoshi Yoshikawa; 川将寿吉; Tomoki Funayama; 山知己船; Koichi Tateyama; 山公一館; Michiko Hara; 通子原; Hiroaki Yoda; 田博明與
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2000-08-31
Filing date: 2000-08-31
Publication date: 2002-03-15

Abstract

(57)【要約】【課題】磁束効率の低下を可及的に防止することを可
能にする。【解決手段】媒体からの磁気信号を感知する磁気抵抗
効果素子９と、媒体からの磁気信号を磁気抵抗効果素子
に導き、磁気抵抗効果素子と磁気的に結合され、磁気ギ
ャップ４を挟んで対向する一対の磁気ヨーク３と、磁気
抵抗効果素子に磁気抵抗効果素子の形成面に略垂直方向
に通電するために接続された一対の電極７，１３，１４
と、を備え、電極の一方が磁気ギャップ中に形成されて
いることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ヨーク型磁気ヘッ
ドおよびこのヨーク型磁気ヘッドを有する磁気ディスク
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ハードディスクドライブ装置（以
下、HDDとも言う）の磁気記録密度の飛躍的に向上し、
更なる高記録密度化が望まれている。高記録密度化に伴
う記録ビットサイズの微小化により、従来の薄膜へッド
では再生感度が不充分となり、現在では磁気抵抗効果を
利用した磁気抵抗効果型ヘッド（以下、ＭＲヘッドとも
言う）が主流となっている。その中でも特に大きな磁気
抵抗効果を示すものとして、スピンバルブ型巨大磁気抵
抗効果型ヘッド（以下、SVヘッドとも言う）が注目され
ている。

【０００３】一方、高記録密度化により小さな媒体ビッ
ト磁界をセンスするために薄膜磁気ヘッド走行時の浮上
量は低下している。このように磁気ヘッド走行時の浮上
量は低下する傾向においては、記録媒体と間欠的な接触
あるいは定常的な接触状をしながら磁気ヘッドを走行さ
せることは避けられないであろうと予想される。また、
高記録密度化以外の観点からみても、今後の世の中のマ
ルチメディア化が進むにつれて音響映像機器（以下、AV
機器とも言）へのHDDの搭載が予想される。AV機器への
搭載にはHDDの信頼性、特に外部からの衝撃による耐性
が重要となる。その際、磁気ヘッドは媒体表面と接触す
ることが考えられるために、接触に強い磁気ヘッド開発
が望まれている。しかしながら、上述した従来のSVヘッ
ドは再生時の記録媒体との接触により発生する熱により
異常な抵抗変化を示すこと（サーマルアスペリティ）が
よく知られている。従って、媒体対向面に感磁部が露出
する従来のＭＲヘッドおよびSVヘッドは今後の高記録密
度化には適応できなくなる。

【０００４】そこで様々な形のヨーク型磁気ヘッドが考
案されている。ヨーク型磁気ヘッドは媒体対向面にSV部
の感磁部が露出していないために、上述したサーマルア
スペリティに強い。その中でも短磁路化が可能であり、
ヘッドスライダの軽量化が容易な水平ヨーク型磁気ヘッ
ドが注目されている。

【０００５】磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子とも言
う）の観点からは、近年の急激な微細化により面内通電
型の電極構造は製造プロセスにおいて微細加工が非常に
困難となると予想され、面直通電型ＭＲ素子が注目を集
めている。面直通電型で代表的なものとしては、近年超
巨大な磁気抵抗効果を発現している電子のトンネル効果
を利用したトンネル型ＧＭＲ素子がある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上述したような傾向か
らヨーク型磁気ヘッドと面直通電型ＭＲ素子の組み合わ
せが考えられる。図２２に従来の面直通電型磁気抵抗効
果型磁気ヘッドの断面図を示す。この図２３からもわか
るように、ヨーク型磁気ヘッドに面垂直通電型の磁気抵
抗効果素子（ＭＲ素子）９を用いる場合には、磁気ヨー
ク３とＭＲ素子９との間に引き出し電極６および下部電
極７が設置されることになる。このため、磁気ヨーク３
とＭＲ素子９との間は、従来のヨーク型磁気ヘッドのそ
れより電極６の厚さ分だけ大きくなり、ＭＲ素子部への
磁束の流入が阻害され、磁束効率が低下するという問題
があった。なお、図２３において、符号４は磁気ギャッ
プ、符号１３は上部電極（図示せず）とＭＲ素子９と接
続するピラー部、符号２５は絶縁膜を示す。

【０００７】本発明は上記事情を考慮してなされたもの
であって、磁束効率の低下を可及的に防止することので
きるヨーク型磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置を提供
することを目的とする。また、本発明は短磁路化を可能
とするヨーク型磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置を提
供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明によるヨーク型磁
気ヘッドは、媒体からの磁気信号を感知する磁気抵抗効
果素子と、前記媒体からの磁気信号を前記磁気抵抗効果
素子に導き、前記磁気抵抗効果素子と磁気的に結合さ
れ、磁気ギャップを挟んで対向する一対の磁気ヨーク
と、前記磁気抵抗効果素子に前記磁気抵抗効果素子の形
成面に略垂直方向に通電するために接続された一対の電
極と、を備え、前記電極の一方が前記磁気ギャップ中に
形成されていることを特徴とする。

【０００９】本ヨーク型磁気ヘッドにおいては、磁気抵
抗効果素子は、フリー層、ピン層、ピン層の磁化固着す
るための反強磁性体層、下地層、キャップ層、ピン層と
フリー層に挟まれるスペーサ層から構成されており、実
質的にはフリー層と磁気ヨークが磁気的に結合される。
一対の磁気ヨークと磁気抵抗効果素子のフリー層により
磁気回路が形成される。磁気抵抗効果素子と磁気ヨーク
はそれらの間に存在する磁気的なギャップを介して磁気
的に結合している場合もある。磁気回路のリラクタンス
を低下させるために、磁気抵抗効果素子、特にフリー、
層と磁気ヨークをオーバーラップさせることも可能であ
る。磁気抵抗効果素子は、磁気ヨークが形成する磁気ギ
ャップ中に形成されても良い。

【００１０】本ヨーク型磁気ヘッドは、膜面垂直方向に
通電されるように電極が形成される、いわゆる、ＣＰＰ
（Current perpendicular in plane）型磁気抵抗効
果素子を有している。ＣＰＰ型磁気抵抗効果素子におい
ては、記録密度の向上によりトラック幅およびビット長
が小さくなり、電極間距離が小さくなってしまう場合で
も、一対の電極形成が膜の上下面で分かれるために電極
間で短絡してしまうことがなくなり、安定して高出力が
得られる。

【００１１】このように構成された本発明の磁気ヘッド
によれば、電極の一方が磁気ギャップ中に形成されてい
ることにより、磁気抵抗効果素子と、磁気ヨークとの間
の磁気的なギャップを従来に比べて小さくすること、あ
るいは磁気的なギャップをなくすことが可能となるた
め、磁気抵抗効果素子への磁束の流入を円滑にするこ
と、すなわち磁気ヨークと磁気抵抗効果素子との磁気回
路におけるリラクタンスを低下させることができ、これ
により、磁束効率の低下を可及的に防止することができ
る。

【００１２】なお、前記一対の磁気ヨークは、媒体対向
面と略並行な同一平面上に形成され、前記磁気抵抗効果
素子は、前記媒体対向面と略平行である平面に形成され
るように構成しても良い。本構成のヨーク型磁気ヘッド
は、いわゆる水平ヨーク型磁気ヘッドである。

【００１３】このように構成することにより、媒体対向
面から磁気抵抗効果素子までの距離（以下、デプス）
は、磁気ヨークの厚さにより制御されることになる。磁
気ヨークは膜の堆積により形成されるので、従来の媒体
対向面からの研磨によるデプスの制御よりも、非常にデ
プスを小さく（１００ｎｍ以下程度に）かつ高精度に制
御できるようになり、短磁路化が可能となる。

【００１４】なお、前記磁気抵抗効果素子は、トンネル
型磁気抵抗効果素子であるように構成しても良い。

【００１５】このように構成することにより、電流磁界
の影響を低減することができる。一般的に通常の磁気抵
抗効果素子に比べて、トンネル型磁気抵抗効果素子は膜
が高抵抗であるために、センス電流は小さくても充分な
出力電圧が得られる。トンネル型磁気抵抗効果素子の場
合のセンス電流密度は10MA/ｃｍ^２以下程度である。従
って、センス電流による電流磁界も小さく抑えられ、磁
気抵抗効果素子部への影響は小さく、好ましいＳ／Ｎ
（信号／ノイズ比）が得られる。

【００１６】なお、前記磁気ヨークと前記磁気ギャップ
中に形成された電極が電気的に結合されるように構成し
ても良い。

【００１７】このように構成することにより、局所的電
流磁界の低減を図ることができるとともに電極の低抵抗
化を実現できる。

【００１８】また、本発明によるヨーク型磁気ヘッド
は、媒体からの磁気信号を感知し、媒体対向面と略並行
である平面上に形成される磁気抵抗効果素子と、前記媒
体からの磁気信号を前記磁気抵抗効果素子に導き、前記
磁気抵抗効果素子と磁気的に結合され、磁気ギャップを
挟んで対向し、前記媒体対向面と略平行な同一平面上に
形成される一対の磁気ヨークと、前記磁気抵抗効果素子
に電気接続された一対の電極と、を備え、前記磁気ヨー
クと前記磁気抵抗効果素子が磁気的かつ電気的に結合さ
れ、前記磁気ヨークは、前記一対の電極の一方の電極を
兼ねることを特徴とする。

【００１９】本ヨーク型磁気ヘッドにおいては、磁気抵
抗効果素子は、フリー層、ピン層、ピン層の磁化固着す
るための反強磁性体層、下地層、キャップ層、ピン層と
フリー層に挟まれるスペーサ層から構成されており、実
質的にはフリー層と磁気ヨークが磁気的に結合される。
一対の磁気ヨークと磁気抵抗効果素子のフリー層により
磁気回路が形成される。磁気回路のリラクタンスを低下
させるために、磁気抵抗効果素子、特にフリー、層と磁
気ヨークをオーバーラップさせることも可能である。磁
気抵抗効果素子は、磁気ヨークが形成する磁気ギャップ
中に形成されても良い。

【００２０】このように構成される本発明のヨーク型磁
気ヘッドによれば、磁気ヨークと磁気抵抗効果素子は電
気的に結合し、磁気ヨークを電極として用いることによ
り、従来のヘッドでは必要とされていた磁気ヨークと磁
気抵抗効果素子の間に形成される絶縁体膜を排除するこ
とが可能となり、磁気ヨークと磁気抵抗効果素子との間
のリラクタンスを低下させることが可能となる。

【００２１】なお、前記磁気抵抗効果素子は前記媒体対
向面と略垂直な方向に通電されるように構成しても良
い。

【００２２】このような構成することにより、記録密度
の向上によりトラック幅およびビット長が小さくなり、
電極間距離が小さくなってしまう場合でも、一対の電極
形成が膜の上下面で分かれるために電極間で短絡してし
まうことがなくなり、安定して高出力が得られるように
なる。

【００２３】なお、前記磁気ギャップ中には非磁性の電
気伝導体が形成され、前記電気伝導体は、前記電極を兼
ねる磁気ヨークと電気接続されているように構成しても
良い。

【００２４】このように構成することにより、一対の磁
気ヨークの完全同電位化を実現できる。

【００２５】なお、前記磁気ヨークは、電気的に接地さ
れていることが好ましい。

【００２６】このように構成することにより、主に磁気
記録媒体と磁気ヘッドの接触により発生する静電気によ
る磁気抵抗効果素子の静電破壊を防止することが可能と
なる。

【００２７】なお、前記磁気抵抗効果素子は、トンネル
型磁気抵抗効果素子であっっても良い。

【００２８】一般的に通常の磁気抵抗効果素子に比べ
て、トンネル型磁気抵抗効果素子は膜が高抵抗であるた
めに、センス電流は小さくても充分な出力電圧が得られ
る。トンネル型磁気抵抗効果素子の場合のセンス電流密
度は10MA/ｃｍ^２以下程度である。従って、センス電流
による電流磁界も小さく抑えられ、磁気抵抗効果素子部
への影響は小さく、好ましいＳ／Ｎ（信号／ノイズ比）
が得られる。また、本発明による磁気ディスク装置は、
上述のヨーク型磁気ヘッドを搭載したことを特徴とす
る。

【００２９】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面を参照
して詳細に説明する。

【００３０】（第１の実施の形態）本発明によるヨーク
型磁気ヘッドの第１の実施の形態を図１および図２を参
照して説明する。この実施の形態のヨーク型磁気ヘッド
は、水平ヨーク型磁気ヘッドであって、トラック長手方
向の断面図を図１（ａ）に示し、トラック幅方向の断面
図を図１（ｂ）に示す。またこの実施の形態のヨーク型
磁気ヘッドの構成要素にサイズを明示したときの、トラ
ック長手方向の断面図を図２（ａ）に示し、上面図を図
２（ｂ）に示し、媒体対向面を図２（ｃ）に示す。この
実施の形態の磁気ヘッドは、磁気ギャップ４を挟んで対
向するように配置された一対の磁気ヨーク３と、磁気ギ
ャップ４内に絶縁膜５を介して設けられた下部電極７
と、この下部電極７と電気的に接続するように磁気ヨー
ク３上に絶縁膜５を介して設けられた面直通電型の磁気
抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子とも言う）９と、このＭ
Ｒ素子９上に設けられＭＲ素子９とピラー部１３を介し
て電気的に接続する上部電極１４（図２参照）と、バイ
アス磁界印加膜１７と、を備えている。

【００３１】ＭＲ素子９は、少なくともピン層とフリー
層とそれらに挟まれて配置されるスペーサー層を含んで
いる。その他に下地層およびキャップ層、ＭＲ素子バイ
アス点制御層が含んでいても良い。また本実施の形態に
用いられるＭＲ素子９においては、磁気ヨーク３側にフ
リー層が設置されるのが好ましい。これにより、磁気回
路的なリラクタンスを低減される。この時、上述したフ
リー層の下、磁気ヨーク３側に下地層を設置する場合は
できるだけ薄い方が良く、できれば下地層が無いことが
望ましい。

【００３２】図中に示されたＭＲ素子はピン層、フリー
層、それらに挟まれるスペーサ層、反強磁性体層、キャ
ップ層、下地層から構成されている。ここで、下地層お
よびキャップ層（保護層）はMR膜形成時の順序で定義さ
れ、形成時において最下層が下地層であり、最上層がキ
ャップ層であると定義する。

【００３３】MR膜としては、スピンバルブ（SV）膜ある
いはトンネル効果を利用したTMR膜が用いられる。SV膜
の場合、スペーサ層はCuが用いられ、TMR膜の場合、Al₂
O₃、AlOx、Al/AlOxなどの数MΩ/ｃｍの高比抵抗膜ある
いは絶縁膜が用いられる。

【００３４】フリー層およびピン層の材料には、Fe、C
o、Niの強磁性材料元素を元にしたNiFe合金膜、CoFe
膜、α-CoFeB膜、Co膜などが用いられる。

【００３５】フリー層には、CoFe膜あるいはCo膜などの
単層膜の他に、CoFe/NiFe、[CoFe/Cu]xのような多層構
造フリー層が用いられる。

【００３６】ピン層としては、CoFe膜あるいはCo膜など
の単層膜や、CoFe/Ru/CoFeあるいは[CoFe/Cu]x/Ru/[CoF
e/Cu]xのような層構造を有するシンセティック型ピン層
なども用いられる。MR膜構成としては、デュアル・フリ
ーSV―MR膜、デュアル・ピンSV-MR膜などが用いられ
る。界面における電子の鏡面反射効果を用いた鏡面反射
層を有するMR膜等も使用可能である。

【００３７】本実施の形態においては、5Ta/NiFe/[CoFe
/Cu]x/CoFe/3Cu/[CoFe/Cu]/CoFe/0.7Ru/[CoFe/Cu]/CoFe
/15PtMn/5Ta(ｎｍ)の膜構成を有するシンセティックピ
ン層と多層フリー層を有するＭＲ膜を用いた。

【００３８】なお、上述のＭＲ膜構造は、本発明の全て
の実施の形態における、ヨーク型磁気ヘッドに適用可能
である。

【００３９】ＭＲ素子９と磁気ヨーク３は磁気的に結合
はしているものの、電気的には絶縁されている。一対の
磁気ヨーク３およびＭＲ素子９のフリー層により磁気回
路が形成される。一対の磁気ヨーク３には、ウイング部
３ｗを有している。なお、一対の磁気ヨーク３のトラッ
ク幅方向の磁区の制御を行うために磁気ヨークのトラッ
ク幅方向の側部には、バイアス磁界印加膜１７が設けら
れている。本実施の形態の磁気ヘッドにかかる磁気ヨー
ク３は、磁気ヨークウイング部３ｗがアバッテッドジャ
ンクション方式を用いた硬磁性膜１７によるバイアス方
式により磁気異方性制御される。アバッテッドジャンク
ション方式を用いてハードバイアス膜により異方性制御
がなされる場合、磁気ヨークウイング部３ｗの膜厚は、
５０ｎｍ以下であることが望まれ、さらには３０ｎｍ以
下であることが好ましい。

【００４０】本実施の形態の磁気ヘッドは垂直記録再生
方式および面内記録再生方式のどちらにも適用可能な磁
気再生ヘッドである。

【００４１】磁気ヨーク３は、図２（ａ）に示すように
媒体対向面から先端部３ａと後部３ｂに便宜的に区別す
る。本実施の形態では、図１に示すように磁気ヨーク３
の異方性制御のために、磁気ヨーク後部３ｂの一部を面
内方向に広げたウイング・ヨークを形成する。ウイング
部３ｗは無い場合も考えられる。図２では便宜上ウイン
グ部分３ｗを省略して図示している。

【００４２】図１、２には設置されていないが、磁気ヨ
ーク後部３ｗ上に磁気ヨーク３の磁気異方性制御用・反
磁界低減用として補助磁気ヨークが設置される場合があ
る。

【００４３】磁気ヨーク３は、NiFe、a-CoZrNb、FeCo膜
等の軟磁性強磁性体が用いられる。磁気ヨーク３の先端
部材料は、磁気ヘッド作製プロセス上、記録ヘッドの磁
極先端部と同時に作製されることがあるので、記録磁極
先端部材料と同一にすることが考えられ、その時は高飽
和磁化材料が用いられる。磁気ヨーク３の異方性の方向
（磁化容易軸方向）が記録媒体トラック幅方向と平行に
なるように、外部からのバイアス磁界および形状異方性
などを利用して制御される。本実施の形態においては、
ウイング部分３ｗを硬磁性材料からなる薄膜でトラック
幅方向にバイアスを印加し、磁気ヨークの異方性を制御
している。また、上述した補助磁気ヨークは異方性制御
を容易にする効果を有する。磁気ヨーク３の材料の磁化
容易軸はトラック幅方向になり、ビット長方向は磁化困
難軸方向となる。磁化困難軸おける異方性磁界(Hk)は、
磁気ヨーク３の形状から来る反磁界の大きさに依存する
が、少なくともHk=１０(Oe)以上は必要であり、さらに
１５（Ｏｅ）以上であれば好ましい。

【００４４】前記磁気ヨーク３の先端部３ａの形状は、
高記録密度化に伴う微細化により、形状から来る反磁界
の影響を大きく受けるようになる。従って、その形状は
磁束侵入方向すなわち磁路方向に対して反磁界が小さく
なるように決められなければならない。本実施の形態の
磁気ヘッドの場合は、媒体対向面に対して面直方の反磁
界を小さくする必要がある。従って、図２に示すよう
に、本実施の形態の磁気ヘッドの媒体対向面からの磁気
ヨーク３の最大厚さをT、磁気ヨーク先端部３ａのトラ
ック幅方向の最大長さをW、磁気ヨーク先端部３ａのビ
ット長方向の最大長さをLとする（上述したウイング部
を有する場合はウイング部分を削除して考える）と、 0<L/W≦１、0.1≦T/W≦10 であることが望まれる。さらには、 0<L/W≦0.5、0.5≦T/W≦5 であることが好ましい。この条件は磁気ヨーク先端部３
ａの異方性制御にも効果がある。

【００４５】また、磁気ヨーク先端部３ａの膜厚は、１
００ｎｍ以下であることが望ましく、さらには５０ｎｍ
以下であることが好ましい。１００ｎｍ以下であること
により、ＭＲ素子部９に十分な媒体信号磁束を流入させ
ることができ、さらに５０ｎｍ以下であることにより磁
気ヨーク３の異方性制御を容易にすることができる。磁
気ヨーク後部３ｂの膜厚は、前述したようにT、W、Lお
よび磁気ヨーク先端部３ａの膜厚により決定される。

【００４６】磁気ヨーク３に用いられる磁性材料は、高
記録密度化に伴う磁気ヨークの微細化により、結晶粒の
微細化を図らなければならない。材料の軟磁気特性を考
慮すると、磁気ヨーク３に用いられる材料の最大結晶粒
径は少なくとも再生ヘッドトラック幅の1/2以下である
ことが望まれる。また、その平均結晶粒径は上記トラッ
ク幅の1/10以下であることが望まれる。なお、上記の最
大結晶粒径、平均結晶粒径は電子顕微鏡等により観察・
同定が可能である。

【００４７】一対の磁気ヨーク３は同一平面上に、磁気
ギャップ４を挟む形で設置される。磁気ヨーク３の形成
面は、媒体対向面と略平行である。磁気ギャップは４、
図１および図２に示すように媒体対向面側が狭く、媒体
対向面から離れるに従って広くなる形状を有する。磁気
ギャップ４は角が無く、できるだけ滑らかな曲線を描く
方が望ましい。磁気ギャップ４においては、最も広い部
分は最も狭い部分の１０倍以下であることが望ましく、
さらには、５倍以下であることが好ましい。

【００４８】図１，図２に示すように上部電極１４、ピ
ラー部１３は磁気ギャップ４の直上に形成される。ここ
で、ピラー部１３とは上部（あるいは下部）電極１４の
ＭＲ素子部９への突起部をいう。一方、下部電極７は図
１、２に示すように少なくとも磁気ギャップ４の一部に
埋め込まれる形で形成される。下部電極７のすべてが磁
気ギャップ４中に埋め込まれる必要は無く、下部電極７
の一部がＭＲ素子９と磁気ヨーク３の間に存在してもよ
い。ただし、この場合その場合の電極厚さは磁気ギャッ
プ長以下であることが好ましく、さらには磁気ギャップ
長の半分以下であることが好ましい。上下部電極の材料
としては、Cu、Au、Ag、W、Taなどのような低抵抗金属
が使用される。下部電極７は磁気ヨーク３内すべてに充
填される必要はなく、磁気ギャップ４の媒体対向面側は
電気的絶縁材料、例えば、AlOxやSiOxなどの酸化物ある
いはAｌNx、SiNx等の窒化物で充填されるのが好まし
い。

【００４９】ピラー部１３とＭＲ素子９との接合部にお
いては、ピラー部１３のトラック幅方向の接合幅（Wp）
は磁気ヨーク幅（W）よりも大きいことが好ましい。こ
れにより、面直通電による電流磁界のフリー層への影響
を抑制でき、大きな磁化回転を有するフリー層部分に電
極を接合できるようになる。従って、高出力化が望め
る。

【００５０】上下部電極７，１４はそれぞれ幅の広い、
膜厚の厚い、低抵抗な第２上下部電極（図示せず）へと
接続される。

【００５１】以上説明したように、本実施の形態の磁気
ヘッドによれば、磁気抵抗効果素子９の下部電極が磁気
ギャップに形成されたことにより、従来に比べて磁気抵
抗効果素子９への磁束の流入が円滑となり、磁束効率の
低下を可及的に防止することができる。また、本実施の
形態の磁気ヘッドは水平ヨーク型であるため、短磁路化
が可能となる。

【００５２】次に、上記実施の形態のヨーク型磁気ヘッ
ドの製造方法を図３を参照して説明する。

【００５３】まず図３（ａ）に示すように、基板上に例
えばSiOx、AlOxなどの絶縁膜２を成膜し、この絶縁膜２
上にフォトリソグラフィー技術を用いてレジストからな
るレジストパターンを形成し、このレジストパターンを
マスクに絶縁膜２をイオンミリングやリアクティブ・イ
オン・エッチングなどのドライエッチング法によりパタ
ーニングし、絶縁膜２に溝２ａを形成する。

【００５４】次に図３（ｂ）に示すように、上記溝２ａ
にめっき法あるいはスパッタリング法などにより磁気ヨ
ーク材を埋め込み磁気ヨーク層３を形成する。続いて図
３（ｃ）に示すように、CMP(chemical mechanical poli
shing）などを用いて磁気ヨーク層３を平坦化する。

【００５５】次に図３（ｄ）に示すようにFIB(focused
ion beam)、あるいは、PEP（電子ビーム露光、エキシマ
レーザ露光など）とドライエッチング（ICPプラズマRI
E、ECRプラズマRIEなど）により、再生磁気ギャップ４
を磁気ヨーク層３に形成する。その後、再生磁気ギャッ
プ４の一部および磁気ヨーク３上にAlOx、DLC（diamond
-like-carbon）、などの絶縁膜５を形成する。

【００５６】次に図４（ａ）に示すように絶縁膜５上に
下部電極材料の膜７を形成する。そして、図４（ｂ）に
示すように下部電極材料の膜７の表面をCMPなどにより
平坦化する。その後、図４（ｃ）に示すようにＭＲ素子
の膜を形成後、PEPとドライエッチングによりＭＲ素子9
を形成する。続いて図４（ｄ）に示すように、ＭＲ素子
９を覆うように絶縁膜１１を形成し、PEPとドライエッ
チングを用いてＭＲ素子9へのコンタクトホールを絶縁
膜１１に形成する。その後、上部電極材料をめっき法、
またはスパッタリング法などにより上記コンタクトホー
ルに埋め込むことにより、ピラー部１３および上部電極
１４を形成する（図４（ｄ）参照）。

【００５７】上述の製造工程により、第１の実施の形態
の水平ヨーク型磁気ヘッドが形成される。

【００５８】上述のヨーク型磁気ヘッド製造工程におい
ては、まず基板側に磁気ギャップを形成していたが、上
部電極１４、ＭＲ素子９、下部電極７、磁気ヨーク３、
および磁気ギャップ４の順に形成する場合、すなわち最
後に磁気ギャップ４を形成する場合もある。

【００５９】（第２の実施の形態）次に本発明によるヨ
ーク型磁気ヘッドの第２の実施の形態の構成を図５に示
す。本実施の形態の磁気ヘッドは、第１の実施の形態の
磁気ヘッドにおいて、下部電極７と磁気ヨーク３との間
の絶縁膜を除去した構成となっており、下部電極７と磁
気ヨーク３が電気的に結合されるがＭＲ素子９と磁気ヨ
ーク３は電気的に絶縁された構成となっている。

【００６０】このように本実施の形態においては、下部
電極７と磁気ヨーク３が電気的に結合するように構成し
たことにより、センス電流を磁気ヨーク３にも流すこと
が可能となり、電極の低抵抗化が図れる。また、センス
電流がＭＲ素子９を中心に略等方的に流れることにより
電流磁界の磁気ヨーク３およびＭＲ素子９のフリー層へ
の影響を低減することができる。

【００６１】また、本実施の形態の磁気ヘッドによれ
ば、磁気抵抗効果素子９の下部電極が磁気ギャップに形
成されたことにより、従来に比べて磁気抵抗効果素子９
への磁束の流入が円滑となり、磁束効率の低下を可及的
に防止することができる。また、本実施の形態の磁気ヘ
ッドも水平ヨーク型であるため、短磁路化が可能とな
る。

【００６２】（第３の実施の形態）次に本発明によるヨ
ーク型磁気ヘッドの第３の実施の形態の構成を図６に示
す。本実施の形態の磁気ヘッドは、第２の実施の形態の
磁気ヘッドにおいて、磁気ヨーク３の異方性制御のため
に磁気ヨーク後部３ｂ上に補助磁気ヨーク１６が設置さ
れた構成となっている。

【００６３】これにより、トラック幅方向の異方性制御
が容易になると同時に、磁気ヨーク３の反磁界を低減で
き、磁気ヨーク３の磁束吸い上げ効率を向上させること
が可能となる。

【００６４】また、本実施の形態の磁気ヘッドによれ
ば、磁気抵抗効果素子９の下部電極が磁気ギャップに形
成されたことにより、従来に比べて磁気抵抗効果素子９
への磁束の流入が円滑となり、磁束効率の低下を可及的
に防止することができる。また、本実施の形態の磁気ヘ
ッドも水平ヨーク型であるため、短磁路化が可能とな
る。

【００６５】（第４の実施の形態）次に本発明によるヨ
ーク型磁気ヘッドの第４の実施の形態の構成を図７に示
す。この実施の形態の磁気ヘッドは、縦型通電型ＭＲ素
子を用いたヨーク型磁気ヘッドであって、磁気ギャップ
４を挟んで対向するように配置された一対の磁気ヨーク
３の媒体対向面と反対側の面上に縦型通電型ＭＲ素子９
が形成された構成となっている。この実施の形態におい
ては、磁気ヨーク３が下部電極を兼ねている構成となっ
ている。これにより、ＭＲ素子９と磁気ヨーク３とのス
ペーシング（距離）を小さくすることが可能となり、磁
気回路のリラクタンスを小さくすることができる。ま
た、この実施の形態の磁気ヘッドも水平ヨーク型である
ため、短磁路化が可能となる。

【００６６】（第５の実施の形態）次に本発明によるヨ
ーク型磁気ヘッドの第５の実施の形態の構成を図８に示
す。この実施の形態の磁気ヘッドは、ピラー部１３を有
する面直通電型ＭＲ素子を用いたヨーク型磁気ヘッドで
あって、磁気ギャップ４を挟んで対向するように配置さ
れた一対の磁気ヨーク３の媒体対向面と反対側の面上に
面直通電型ＭＲ素子９が形成された構成となっている。
なお、磁気ギャップ４は絶縁膜５によって埋め込まれて
いる。この実施の形態においては、磁気ヨーク３が下部
電極を兼ねた構成となっている。これにより、ＭＲ素子
９と磁気ヨーク３とのスペーシング（距離）を小さくす
ることが可能となり、磁気回路のリラクタンスを小さく
することができる。また、この実施の形態の磁気ヘッド
も水平ヨーク型であるため、短磁路化が可能となる。

【００６７】（第６の実施の形態）次に本発明によるヨ
ーク型磁気ヘッドの第６の実施の形態の構成を図９に示
す。この実施の形態の磁気ヘッドは、図８に示す第５の
実施の形態の磁気ヘッドにおいて、絶縁膜５の一部分を
電気伝導体８で置き換えた構成となっている。

【００６８】そして、この電気伝導体８によりＭＲ素子
９と一対の磁気ヨーク３が電気的に結合した構成となっ
ている。また、一対の磁気ヨーク３は同電位であり、接
地された構成となっている。

【００６９】この第６の実施の形態も、第５の実施の形
態と同様に磁気ヨーク３が下部電極を兼ねた構成となっ
ているため、ＭＲ素子９と磁気ヨーク３とのスペーシン
グ（距離）を小さくすることが可能となり、磁気回路の
リラクタンスを小さくすることができる。また、この実
施の形態の磁気ヘッドも水平ヨーク型であるため、短磁
路化が可能となる。さらに電気伝導体８によりＭＲ素子
９と一対の磁気ヨーク３が電気的に結合した構成となっ
ているため、下部電極の抵抗を低減することができる。

【００７０】（第７の実施の形態）次に本発明によるヨ
ーク型磁気ヘッドの第７の実施の形態の構成を図１０に
示す。この実施の形態の磁気ヘッドは、磁気ギャップ４
を挟んで対向するように配置された一対の磁気ヨーク３
と、磁気ギャップ４を埋め込むように形成された凸状の
絶縁膜１９と、この凸状の絶縁膜１９上に形成されたＭ
Ｒ素子９と、このＭＲ素子９上に形成された上部電極１
４と、を備えた構成となっている。

【００７１】この実施の形態の磁気ヘッドにおいては、
凸部を利用することにより、上部電極１４とＭＲ素子９
との接合をセルフ・アライメントで行うことが可能とな
る。これにより、従来の技術では困難であった磁気ギャ
ップ４と上記接合部との位置ずれが小さくなり、ＭＲ素
子の高感度部にセンス電流を集中的に供給することがで
き、高出力を得ることが可能となる。また、この第７の
実施の形態の磁気ヘッドも水平ヨーク型であるため、短
磁路化が可能となる。

【００７２】（第８の実施の形態）次に本発明によるヨ
ーク型磁気ヘッドの第８の実施の形態の構成を図１１に
示す。この実施の形態の磁気ヘッドは、図１０に示す第
７の実施の形態の磁気ヘッドにおいて、凸状の絶縁膜１
９を下部電極７に置き換えるとともに上部電極１４をＭ
Ｒ素子９に直接接合するように形成した構成となってい
る。

【００７３】この実施の形態も、第７の実施の形態と同
様に、従来の技術では困難であった磁気ギャップ４と上
記接合部との位置ずれが小さくなり、ＭＲ素子９の高感
度部にセンス電流を集中的に供給することができ、高出
力を得ることが可能となる。また、この第８の実施の形
態の磁気ヘッドも水平ヨーク型であるため、短磁路化が
可能となる。

【００７４】（第９の実施の形態）次に本発明によるヨ
ーク型磁気ヘッドの第９の実施の形態の構成を図１２に
示す。この実施の形態の磁気ヘッドは、磁気ギャップ４
を挟んで対向するように配置された一対の磁気ヨーク３
と、下部電極７と、この磁気ヨーク３上に形成された面
直通電型ＭＲ素子９と、ピラー部１３とを備えている。
下部電極７は、磁気ギャップ４内に設けられおり、磁気
ヨーク３とは絶縁膜５によって電気的に絶縁されてい
る。ＭＲ素子９は、ピン層９ａと、スペーサ層９ｂと、
フリー層９ｃ、９ｄと、を備えている。ピン層９ａと、
スペーサ層９ｂと、フリー層９ｃは積層され、ピン層９
ａは下部電極７に直接接続するとともに、磁気ヨーク３
の、媒体対向面と反対側の面に直接接続する構成となっ
ている。また、フリー層９は、積層されたピン層９ａ、
スペーサ層９ｂ、およびフリー層９ｃを覆うように磁気
ヨーク３上に形成された構成となっている。ピラー部１
３は、磁気ギャップ４の直上の、フリー層９ｄの領域上
に形成されており、図示しない上部電極に接続された構
成となっている。

【００７５】この実施の形態の磁気ヘッドは、下部電極
７が磁気ギャップ４内に形成されたことにより、従来に
比べて磁気抵抗効果素子９への磁束の流入が円滑とな
り、磁束効率の低下を可及的に防止することができる。
また、本実施の形態の磁気ヘッドは水平ヨーク型である
ため、短磁路化が可能となる。また、ＭＲ素子９の凸部
を利用することによりセルフアライメントで上部電極
（図示せず）が形成可能となる。これにより、位置ずれ
なく磁気ギャップ４の直上に上部電極を形成することが
可能となり、ＭＲ素子９の最も高感度な部分にセンス電
流を通電でき、高出力化が可能となる。

【００７６】なお、ピン層とは、反強磁性体層により磁
化固着されている、すなわち、反強磁性体層と交換結合
している強磁性体層であり、上記スペーサー層と反強磁
性体層との間に配置される。上記の強磁性体層は、Ｃｏ
Ｆｅ合金やＮｉＦｅ合金などのＦｅ、Ｃｏ，Ｎｉのいず
れかを含有する強磁性体層である。上記強磁性体層は、
単層膜あるいは多層膜である。上記多層膜には、ＣｏＦ
ｅ／ＮｉＦｅのような積層膜のほか、ＣｏＦｅ／Ｒｕ／
ＣｏＦｅのような反強磁性的相関結合を利用したシンセ
ティックな磁化固着層、また、ＣｏＦｅ／中間層／Ｃｏ
Ｆｅのような強磁性的結合を利用する磁化固着層も含ま
れる。上記中間層は電子反射層と呼ばれる電子を層間界
面で鏡面反射する層であることもあり、例えば、α−Ｆ
ｅ_２Ｏ_３層、ＣｏＯ層、ＮｉＯ層などの酸化あるいは窒
化物層やＡｕ、Ｒｕ等の貴金属合金層が上げられる。さ
らには、それらを組み合わせたものも含まれる。

【００７７】また、フリー層は、強磁性体層を含む層か
らなる単層あるいは多層構造を有する。フリー層はＦ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉのいずれかを含む層から構成される。上
記多層構造磁化フリー層は、例えばＣｏＦｅ／ＮｉＦｅ
層、Ｃｏ／ＮｉＦｅ層や、［ＣｏＦｅ／Ｃｕ］ｘ、［Ｃ
ｏ／Ｃｕ］ｘ、［ＮｉＦｅ／Ｃｕ］ｘ（Ｘは積層回数）
等のような強磁性体層／反強磁性体層の積層膜が挙げら
れる。

【００７８】（第１０の実施の形）次に本発明によるヨ
ーク型磁気ヘッドの第１０の実施の形態の構成を図１３
に示す。この実施の形態の磁気ヘッドは、図１２に示す
第９の実施の形態の磁気ヘッドにおいて、ピラー部１３
がフリー層９ｄに設けられたコンタクト孔を介してフリ
ー層９ｃと接続された構成となっている。なお、ピラー
部１３とフリー層９ｄとは絶縁膜１２によって電気的に
絶縁された構成となっている。

【００７９】この実施の形態の磁気ヘッドも、下部電極
７が磁気ギャップ４内に形成されたことにより、従来に
比べて磁気抵抗効果素子９への磁束の流入が円滑とな
り、磁束効率の低下を可及的に防止することができる。
また、本実施の形態の磁気ヘッドは水平ヨーク型である
ため、短磁路化が可能となる。また、この実施の形態の
磁気ヘッドにおいては、上部電極（ピラー部１３）に接
合する、ＭＲ素子９のフリー層の厚さが図１２に示す第
９の実施の形態の磁気ヘッドに比べて薄くすることが可
能となり、フリー層に侵入する信号磁束密度が向上し、
フリー層の磁化回転が大きくなる。これにより、出力を
大きくすることができる。

【００８０】（第１１の実施の形態）次に本発明による
ヨーク型磁気ヘッドの第１１の実施の形態の構成を図１
４に示す。この実施の形態の磁気ヘッドは、磁気再生ヘ
ッドとして図９に示す第６の実施の形態の磁気ヘッドを
用いた、記録再生部分離型磁気ヘッドであって、トラッ
ク長手方向の断面を図１４に示す。図１４において、符
号２７は、磁気記録ヘッドの磁気ヨークであり、符号３
０は記録用コイルであり、符号３２は補助磁極を示して
いる。なお、磁気再生ヘッドとして図９に示す第６の実
施の形態の磁気ヘッドのかわりに、第１乃至第５の実施
の形態および第７乃至第１０の実施の形態の磁気ヘッド
のいずれかを用いても良い。

【００８１】（第１２の実施の形態）次に本発明による
ヨーク型磁気ヘッドの第１２の実施の形態の構成を図１
５に示す。この実施の形態の磁気ヘッドは、磁気再生ヘ
ッドとして図９に示す第６の実施の形態の磁気ヘッドを
用いた、記録再生部一体型磁気ヘッドであって、トラッ
ク長手方向の断面を図１５に示す。図１５において、符
号３０は記録用コイルであり、符号３２は補助磁極を示
している。なお、磁気再生ヘッドとして図９に示す第６
の実施の形態の磁気ヘッドのかわりに、第１乃至第５の
実施の形態および第７乃至第１０の実施の形態の磁気ヘ
ッドのいずれかを用いても良い。

【００８２】（第１３の実施の形態）次に本発明による
ヨーク型磁気ヘッドの第１３の実施の形態の構成を図１
６に示す。この実施の形態の磁気ヘッドは、主に垂直記
録再生方式に用いられる単磁極型磁気再生ヘッドであっ
て、トラック長手方向の断面を図１６に示す。この実施
の形態の磁気ヘッドは、磁気ギャップ４を挟んで対向す
るように配置された一対の磁気ヨーク３_１，３_２と、磁
気ギャップ４内に絶縁膜５を介して設けられた下部電極
７と、この下部電極７と電気的に接続するように磁気ヨ
ーク３_１，３_２上に絶縁膜５を介して設けられた面直通
電型の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子とも言う）９
と、このＭＲ素子９上に設けられＭＲ素子９とピラー部
１３を介して電気的に接続する上部電極１４（図示せ
ず）と、を備えた構成となっている。なお、磁気ヨーク
３_２および下部電極７は、絶縁膜２０を介して媒体に対
向するように構成されている。なお、図１７に示すよう
に下部電極７およびＭＲ素子９は磁気ヨーク３_１と電気
的に接続するように構成しても良く、磁気ヨーク３_１，
３_２と電気的に接続するように構成しても良い。

【００８３】本実施の形態の磁気ヘッドによれば、磁気
ギャップ４内に下部電極７を形成したことにより、従来
に比べて磁束効率の低下を可及的に防止することができ
る。また、下部電極７と磁気ヨーク３とを電気的に接続
したことにより電極の低抵抗化を図ることができる。

【００８４】（第１４の実施の形態）次に本発明による
ヨーク型磁気ヘッドの第１４の実施の形態の構成を図１
９に示す。この実施の形態の磁気ヘッドは、図１６に示
す第１３の実施の形態の磁気ヘッドを用いた磁気再生ヘ
ッドと、単磁極型記録ヘッドとを組み合わせた記録再生
部分離型磁気ヘッドであって、トラック長手方向の断面
を図１９に示す。図１９において、符号３０は記録用コ
イルであり、符号３２は補助磁極を示している。なお、
磁気再生ヘッドとして図１６に示す第１３の実施の形態
の磁気ヘッドのかわりに、図１７または図１８に示す磁
気ヘッドのいずれかを用いても良い。なお、磁気記録ヘ
ッドとしては、図１４に示すリングコア型記録ヘッドを
用いても良い。

【００８５】（第１５の実施の形態）次に、本発明の第
１５の実施の形態を図２０および図２１を参照して説明
する。この実施の形態は、磁気ディスク装置であって、
この磁気ディスク装置の概略構成を図２０に示す。すな
わち、本実施の形態の磁気ディスク装置１５０は、ロー
タリーアクチュエータを用いた形式の装置である。図２
０において、磁気ディスク２００は、スピンドル１５２
に装着され、図示しない駆動装置制御部からの制御信号
に応答する図示しないモータにより矢印Ａの方向に回転
する。磁気ディスク２００は、磁気ディスク２００に格
納する情報の記録再生を行うヘッドスライダ１５３は、
薄膜状のサスペンション１５４の先端に取り付けられて
いる。ここで、ヘッドスライダ１５３は、例えば、前述
したいずれかの実施の形態にかかる磁気ヘッドをその先
端付近に搭載している。

【００８６】磁気ディスク２００が回転すると、ヘッド
スライダ１５３の媒体対向面（ＡＢＳ）は磁気ディスク
２００の表面から所定の浮上量をもって保持される。

【００８７】サスペンション１５４は、図示しない駆動
コイルを保持するボビン部などを有するアクチュエータ
アーム１５５の一端に接続されている。アクチュエータ
アーム１５５の他端には、リニアモータの一種であるボ
イスコイルモータ１５６が設けられている。ボイスコイ
ルモータ１５６は、アクチュエータアーム１５５のボビ
ン部に巻き上げられた図示しない駆動コイルと、このコ
イルを挟み込むように対向して配置された永久磁石およ
び対向ヨークからなる磁気回路とから構成される。

【００８８】アクチュエータアーム１５５は、固定軸１
５７の上下２箇所に設けられた図示しないボールベアリ
ングによって保持され、ボイスコイルモータ１５６によ
り回転摺動が自在にできるようになっている。

【００８９】図２１は、アクチュエータアーム１５５か
ら先の磁気ヘッドアセンブリをディスク側から眺めた拡
大斜視図である。すなわち、磁気ヘッドアッセンブリ１
６０は、例えば駆動コイルを保持するボビン部などを有
するアクチュエータアーム１５１を有し、アクチュエー
タアーム１５５の一端にはサスペンション１５４が接続
されている。

【００９０】サスペンション１５４の先端には、上記実
施の形態のいずれかで説明した磁気ヘッドを具備するヘ
ッドスライダ１５３が取り付けられている。なお、再生
ヘッドと記録用ヘッドを組み合わせても良い。サスペン
ション１５４は信号の書き込みおよび読み取り用のリー
ド線１６４を有し、このリード線１６４とヘッドスライ
ダ１５３に組み込まれた磁気ヘッドの各電極とが電気的
に接続されている。図２１の符号１６５は磁気ヘッドア
ッセンブリ１６０の電極パッドである。

【００９１】ここで、ヘッドスライダ１５３の媒体対向
面（ＡＢＳ）と磁気ディスク２００の表面との間には、
所定の浮上量が設定されている。

【００９２】なお、磁気ディスク装置に関しても、再生
のみを実施するものでも、記録・再生を実施するものあ
っても良く、また、媒体は、ハードディスクには限定さ
れず、その他、フレキシブルディスクや磁気カードなど
のあらゆる磁気記録媒体を用いることが可能である。さ
らに、磁気記録媒体を装置から取り外し可能にした、い
わゆる「リムーバブル」の形式の装置であっても良い。

【００９３】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、磁
束効率の低下を可及的に防止することができる。また、
本発明によれば、短磁路化が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第１の実施
の形態の構成を示す断面図。

【図２】第１の実施の形態の構成要素にサイズを明示し
たときの構成図。

【図３】第１の実施の形態の磁気ヘッドの製造工程を示
す断面図。

【図４】第１の実施の形態の磁気ヘッドの製造工程を示
す断面図。

【図５】本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第２の実施
の形態の構成を示す断面図。

【図６】本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第３の実施
の形態の構成を示す断面図。

【図７】本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第４の実施
の形態の構成を示す断面図。

【図８】本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第５の実施
の形態の構成を示す断面図。

【図９】本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第６の実施
の形態の構成を示す断面図。

【図１０】本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第７の実
施の形態の構成を示す断面図。

【図１１】本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第８の実
施の形態の構成を示す断面図。

【図１２】本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第９の実
施の形態の構成を示す断面図。

【図１３】本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第１０の
実施の形態の構成を示す断面図。

【図１４】本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第１１の
実施の形態の構成を示す断面図。

【図１５】本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第１２の
実施の形態の構成を示す断面図。

【図１６】本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第１３の
実施の形態の構成を示す断面図。

【図１７】第１３の実施の形態の磁気ヘッドの変形例を
示す断面図。

【図１８】第１３の実施の形態の磁気ヘッドの変形例を
示す断面図。

【図１９】本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第１４の
実施の形態の構成を示す断面図。

【図２０】本発明による磁気ディスク装置の概略構成を
示す要部斜視図。

【図２１】アクチュエータアームから先の磁気ヘッドア
センブリをディスク側から眺めた拡大斜視図。

【図２２】従来の磁気ヘッドの構成を示す断面図。

【符号の説明】

２絶縁膜２ａ溝３磁気ヨーク３ａ磁気ヨーク先端部３ｂ磁気ヨーク後部３ｗ磁気ヨークウイング部４磁気ギャップ５絶縁膜７下部電極８電気伝導体９磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）１３ピラー部１４上部電極１６補助磁気ヨーク１７バイアス磁界印加膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者館山公一神奈川県川崎市幸区小向東芝町１株式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者原通子神奈川県川崎市幸区小向東芝町１株式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者與田博明神奈川県川崎市幸区小向東芝町１株式会社東芝研究開発センター内Ｆターム(参考） 2G017 AA10 AB07 AD05 AD55 AD61 CB28 5D034 AA02 BA03 BA05 BA08 BA15 BA18 CA08 DA07 5E049 AA04 AA07 AA09 AC00 AC05 BA12 CB01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】媒体からの磁気信号を感知する磁気抵抗効
果素子と、前記媒体からの磁気信号を前記磁気抵抗効果素子に導
き、前記磁気抵抗効果素子と磁気的に結合され、磁気ギ
ャップを挟んで対向する一対の磁気ヨークと、前記磁気抵抗効果素子に前記磁気抵抗効果素子の形成面
に略垂直方向に通電するために接続された一対の電極
と、を備え、前記電極の一方が前記磁気ギャップ中に形成されている
ことを特徴とするヨーク型磁気ヘッド。
【請求項２】前記一対の磁気ヨークは、媒体対向面と略
並行な同一平面上に形成され、前記磁気抵抗効果素子
は、前記媒体対向面に略平行である平面に形成されたこ
とを特徴とする請求項１記載のヨーク型磁気ヘッド。
【請求項３】前記磁気抵抗効果素子は、トンネル型磁気
抵抗効果素子であることを特徴とする請求項１乃至２の
いずれかに記載のヨーク型磁気ヘッド。
【請求項４】前記磁気ヨークと前記磁気ギャップ中に形
成された電極が電気的に結合されていることを特徴とす
る請求項１乃至３のいずれかに記載のヨーク型磁気ヘッ
ド。
【請求項５】媒体からの磁気信号を感知し、媒体対向面
と略並行である平面上に形成される磁気抵抗効果素子
と、前記媒体からの磁気信号を前記磁気抵抗効果素子に導
き、前記磁気抵抗効果素子と磁気的に結合され、磁気ギ
ャップを挟んで対向し、前記媒体対向面と略平行な同一
平面上に形成される一対の磁気ヨークと、前記磁気抵抗効果素子に電気接続された一対の電極と、
を備え、前記磁気ヨークと前記磁気抵抗効果素子が磁気的かつ電
気的に結合され、前記磁気ヨークは、前記一対の電極の
一方の電極を兼ねることを特徴とするヨーク型磁気ヘッ
ド。
【請求項６】前記磁気抵抗効果素子は前記媒体対向面と
略垂直な方向に通電されることを特徴とする請求項５記
載のヨーク型磁気ヘッド。
【請求項７】前記磁気ギャップ中には非磁性の電気伝導
体が形成され、前記電気伝導体は、前記電極を兼ねる磁
気ヨークと電気接続されていることを特徴とする請求項
６記載のヨーク型磁気ヘッド。
【請求項８】前記電極を兼ねる磁気ヨークは、電気的に
接地されていることを特徴とする請求項７記載のヨーク
型磁気ヘッド。
【請求項９】前記磁気抵抗効果素子は、トンネル型磁気
抵抗効果素子であることを特徴とする請求項８記載のヨ
ーク型磁気ヘッド。
【請求項１０】前記請求項１乃至９のいずれかの記載の
ヨーク型磁気ヘッドを搭載することを特徴とする磁気デ
ィスク装置。