JP2002074624A

JP2002074624A - ヨーク型磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置

Info

Publication number: JP2002074624A
Application number: JP2000264006A
Authority: JP
Inventors: Masatoshi Yoshikawa; 川将寿吉; Tomoki Funayama; 山知己船; Koichi Tateyama; 山公一館; Michiko Hara; 通子原; Yuzo Kamiguchi; 口裕三上; Hiroaki Yoda; 田博明與
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2000-08-31
Filing date: 2000-08-31
Publication date: 2002-03-15

Abstract

(57)【要約】【課題】磁束効率の低下を可及的に防止するとともに
Ｓ／Ｎ比を可及的に向上させることを可能にする。【解決手段】媒体からの磁気信号を感知する磁気抵抗
効果素子9と、磁気ギャップ4を挟んで対向するように形
成され、媒体からの磁気信号を磁気抵抗効果素子に導
き、磁気抵抗効果素子と磁気的に結合された第１および
第２の磁気ヨーク3と、磁気抵抗効果素子の形成面に対
して略垂直方向に通電するために磁気抵抗効果素子に接
続された第１および第２の電極7,14と、を有し、磁気抵
抗効果素子は磁気ギャップ上に形成され、第１の電極は
底面を有し、第１の電極と磁気抵抗効果素子との接合面
積は、磁気抵抗効果素子の面積で規定され、第１の電極
の底面の面積は、接合面の面積よりも大きいことを特徴
とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明に属する技術分野】本発明は、ヨーク型磁気ヘッ
ドおよび磁気ディスク装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ハードディスクドライブ装置（以
下、ＨＤＤとも言う）の磁気記録密度の飛躍的に向上
し、更なる高記録密度化が望まれている。高記録密度化
に伴う記録ビットサイズの微小化により、従来の薄膜へ
ッドでは再生感度が不充分となり、現在では磁気抵抗効
果を利用した磁気抵抗効果型ヘッド（以下、ＭＲヘッド
とも言う）が主流となっている。その中でも特に大きな
磁気抵抗効果を示すものとして、スピンバルブ型巨大磁
気抵抗効果型ヘッド（以下、ＳＶヘッドとも言う）が注
目されている。

【０００３】一方、高記録密度化により小さな媒体ビッ
ト磁界をセンスするために薄膜磁気ヘッド走行時の浮上
量は低下している。このように磁気ヘッド走行時の浮上
量が低下傾向においては、記録媒体と間欠的な接触ある
いは定常的な接触をしながら磁気ヘッドを走行させるこ
とは避けられないであろうと予想される。また、高記録
密度化以外の観点からみても、今後の世の中のマルチメ
ディア化が進むにつれて音響映像機器（以下、ＡＶ機器
とも言う）へのＨＤＤの搭載が予想される。ＡＶ機器へ
の搭載にはＨＤＤの信頼性、特に外部からの衝撃による
耐性が重要となる。その際、磁気ヘッドは媒体表面と接
触することが考えられるために、接触に強い磁気ヘッド
開発が望まれている。しかしながら、上述した従来のＳ
Ｖヘッドは再生時の記録媒体との接触により発生する熱
により異常な抵抗変化を示すこと（サーマルアスペリテ
ィ）がよく知られている。従って、媒体対向面に感磁部
が露出する従来のＭＲヘッドおよびＳＶヘッドは今後の
高記録密度化には適応できなくなる。

【０００４】そこで様々な形のヨーク型磁気ヘッドが考
案されている。ヨーク型磁気ヘッドは媒体対向面にＳＶ
部の感磁部が露出していないために、上述したサーマル
アスペリティに強い。その中でも短磁路化が可能であ
り、ヘッドスライダの軽量化が容易な水平ヨーク型磁気
ヘッドが注目されている。

【０００５】ＭＲ素子の観点からは、近年の急激な微細
化により面内通電型の電極構造は製造プロセスにおいて
微細加工が非常に困難となると予想され、面直通電型Ｍ
Ｒ素子が注目を集めている。面直通電型で代表的なもの
としては、近年超巨大な磁気抵抗効果を発現している電
子のトンネル効果を利用したトンネル型ＧＭＲ素子があ
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上述したような傾向か
らヨーク型磁気ヘッドと面直通電型磁気抵抗効果素子
（以下、ＭＲ素子とも言う）の組み合わせが考えられ
る。一般的に面直通電型型ＭＲ素子においては、図１７
（ａ）に示すように上部電極１４からピラー部１３を介
してピン層９１、スペーサ層９２，およびフリー層９３
からなるＭＲ素子９に通電される。この場合、ピラー部
１３からの電流磁界が磁気ヨーク（図示せず）とＭＲ素
子９のフリー層９３の磁気異方性制御に悪影響を及ぼ
し、出力信号に対するノイズの割合（Ｓ／Ｎ比）を悪化
させるという問題があった。

【０００７】また、ピラー部１３からの電流磁界に影響
される部分を低減するために、図１７（ｂ）に示すよう
に上部電極１４に突起部１４ａを設けてＭＲ素子９との
接合面積を小さくすると磁気ヨーク（図示せず）とのオ
ーバーラップがとれずに、リラクタンスが大きくなり、
磁束効率が低下するという問題があった。

【０００８】本発明は上記事情を考慮してなされたもの
であって、磁束効率の低下を可及的に防止するとともに
Ｓ／Ｎ比を可及的に向上させることが可能なヨーク型磁
気ヘッドおよび磁気ディスク装置を提供することを目的
とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明によるヨーク型磁
気ヘッドは、媒体からの磁気信号を感知する磁気抵抗効
果素子と、磁気ギャップを挟んで対向するように形成さ
れ、前記媒体からの磁気信号を前記磁気抵抗効果素子に
導き、前記磁気抵抗効果素子と磁気的に結合された第１
および第２の磁気ヨークと、前記磁気抵抗効果素子の形
成面に対して略垂直方向に通電するために前記磁気抵抗
効果素子に接続された第１および第２の電極と、を有
し、前記磁気抵抗効果素子は前記磁気ギャップ上に形成
され、前記第１の電極は底面を有し、前記第１の電極と
前記磁気抵抗効果素子との接合面積は、前記磁気抵抗効
果素子の面積で規定され、前記第１の電極の底面の面積
は、前記接合面の面積よりも大きいことを特徴とする。

【００１０】ここで、第１の電極とは、ＭＲ素子からみ
て媒体対向面から遠い側の電極（以下、上部電極）であ
り、第２の電極とはＭＲ素子から見て媒体対向面に近い
側の電極（以下、下部電極）のことを指す。

【００１１】上述のように構成された本発明のヨーク型
磁気ヘッドにおいて、接合面の面積は磁気抵抗効果素子
の最下面の面積よりも小さいことがより好ましい。これ
により、センス電流を磁気ギャップ上の信号磁界センス
領域に集中させることが可能となり、磁気ヘッド出力に
おけるノイズを低減することができる。ここで、最下面
とは下地層の底面、すなわち、磁気ヨークと対向する面
である。

【００１２】なお、前記磁気抵抗効果素子は、フリー
層、ピン層、このピン層の磁化を固着するための反強磁
性体層、下地層、キャップ層、および前記ピン層と前記
フリー層に挟まれるスペーサ層から構成されるように構
成しても良い。

【００１３】なお、少なくとも前記ピン層と前記反強磁
性体層と前記キャップ層のそれぞれの面積が前期フリー
層の面積よりも小さくなるように規定され、前記ピン層
と前記キャップ層と前記反強磁性体層は前記磁気ギャッ
プ上に形成されることが好ましい。

【００１４】このように構成することにより、センス電
流を磁気ギャップ直上の信号磁界センス領域に通電させ
ることができ、かつ、ピン層がフリー層の不感領域にま
で広がらないために非常にノイズレベルを低下させるこ
とが可能となる。

【００１５】なお、前記第１および第２の磁気ヨーク
は、前記媒体対向面と略平行な同一平面上に形成されて
前記媒体対向面側に設けられる先端部と前記磁気抵抗効
果素子の形成面側に設けられるウイング部から構成さ
れ、前記磁気ヨークの先端部の媒体対向面における面積
は、媒体対向面と略平行な前記磁気ヨークの任意の断面
積より小さく、前記磁気ギャップは媒体対向面と前記磁
気抵抗効果素子の形成面との間に形成され、前記磁気ギ
ャップの大きさは媒体対向面側よりも前記磁気抵抗効果
素子形成面側の方が大きく、前記磁気抵抗効果素子形成
面は媒体対向面と略平行であるように構成しても良い。

【００１６】このような構成すなわち、水平ヨーク型磁
気ヘッドにすることにより、ヨーク型磁気ヘッドの中で
は最短磁路化することが可能となる。さらに、この構造
ではフリー層と磁気ヨークのオーバーラップ部分形成が
容易となり、磁束効率を向上させることが容易となる。

【００１７】なお、前記磁気ギャップ対向面の中心を座
標軸中心とし、この座標軸中心からトラック幅方向に延
びた軸をＸ軸とし、ビット長方向に延びた軸をＹ軸と
し、前記磁気ヨークの媒体対向面側のＸ軸方向の長さを
Wy1とし、前記磁気ヨークの磁気抵抗効果素子形成面側
のＸ軸方向の長さをWy3とし、前記磁気ヨークの先端部
の磁気抵抗効果素子形成面側のＹ軸方向の長さをLy2と
すると、前記ピン層のトラック幅方向端部x=±Wp/2が、
前記磁気ヨークの先端端部x=±(Wy1)/2の範囲以外でか
つ前記磁気ヨーク層のトラック幅方向端部x=±(Wy3)/2
の範囲以内の領域内で規定され、前記ピン層のビット長
方向端部y=±Lp/2が、前記磁気ヨークの先端端部y=±(L
y2)/2以内の領域内で規定されることが好ましい。

【００１８】なお、前記磁気ギャップ対向面の中心を座
標軸中心とし、この座標軸中心からトラック幅方向に延
びた軸をＸ軸とし、ビット長方向に延びた軸をＹ軸と
し、前記磁気ヨークの先端部の磁気抵抗効果素子形成面
側のＸ軸方向の長さおよびＹ軸方向の長さをそれぞれWy
2およびLy2とすると、前記フリー層のトラック幅方向
端部x=±Wf/2およびビット長方向端部y=±Lf/2が、それ
ぞれx=±(Wy2)/2の範囲以外およびy=±Ly2/２の範囲以
外の領域で規定されることが好ましい。

【００１９】なお、前記磁気抵抗効果素子は前記第１お
よび第２の磁気ヨークと電気的に結合し、前記磁気ヨー
クに前記第２の電極が電気的に接続されるように形成さ
れることが好ましい。

【００２０】なお、前記下部電極は、前記フリー層に電
気的に接続されるように形成されることが好ましい。

【００２１】また、本発明による磁気ディスク装置は、
上述のヨーク型磁気ヘッドを備えた構成となっている。

【００２２】

【発明の実施の形態】本発明のヨーク型磁気ヘッドの実
施の形態を図面を参照して以下詳細に説明する。

【００２３】（第１の実施の形態）本発明によるヨーク
型磁気ヘッドの第１の実施の形態の構成を図１に示す。
この実施の形態の磁気ヘッドは、水平ヨーク型磁気ヘッ
ドであって、そのトラック幅方向の断面図および上面図
を図１（ａ）および図１（ｂ）に示す。なお、図１
（ａ）および図１（ｂ）中には、各部の寸法を示した記
号が付与されている。本実施の形態のヨーク型磁気ヘッ
ドは、磁気ギャップ４を挟んで対向配置された一対の磁
気ヨーク３と、磁気抵抗効果素子９（以下ＭＲ素子とも
言う）と、下部電極（図示せず）と、上部電極１４と、
を備えている。

【００２４】図１（ａ）および図１（ｂ）に示すｘ、
ｙ、ｚ座標について説明する。図１（ａ）および図１
（ｂ）中には座標中心が示されている。座標中心は、磁
気ギャップの媒体対向面の中心である。ｘ軸はトラック
幅方向（以下、幅方向）、ｙ軸はビット長方向（以下、
長さ方向）、ｚ軸は媒体対向面に対して面垂直方向（媒
体対向面から離れる方向が正座標。以下、厚さ方向）に
とる。図１（ａ）および図１（ｂ）に示す本実施の形態
のヨーク型磁気ヘッドは、ｘｚ平面およびｙｚ平面につ
いて略対称である。

【００２５】図１に示すように、本実施の形態のヨーク
型磁気ヘッドの磁気ヨーク３は、ウイング部９ｂと、媒
体対向面側に突起形状を有する先端部（突起部とも言
う）９ａとを備えた構成となっている。磁気ヨーク３は
媒体対向面において、ｘ軸方向長さ（以下、幅）がWy
1、端部がx=±(Wy1)/2で規定され、ｙ軸方向長さ（以
下、長さ）がLy1、端部がy=±(Ly1)/2で規定される。ま
た、突起部９ａは厚さがHybであり、z=Hybでの磁気ヨー
クの幅がWy2であり、幅方向端部および長さ方向端部は
それぞれx=±(Wy2)/2、y=±(Ly2)/2で規定される。

【００２６】ウイング部３ｂは厚さがHywである。ウイ
ング部３ｂの幅Wy３とはz=Hyb+(Hyw)/2での幅であり、
幅方向および長さ方向の端部はそれぞれx=±(Wy３)/2、
y=±(Ly3)/2で規定される。したがって、磁気ヨーク３
の先端部３ａの媒体対向面における断面積は、媒体対向
面と略平行な磁気ヨークの任意の断面積より小さくなる
ように構成されている。

【００２７】また、磁気ヨーク３の材料としては、Ni₈₀
Fe₂₀(at%)合金（パーマロイ）、a-CoZrNbなどの軟磁性
合金が用いられる。それらは、単層膜あるいは積層膜で
使用される。

【００２８】BHN（バルクハウゼンノイズ）を低減する
ためには、磁気ヨーク３の磁気異方性の制御が重要であ
る。磁気ヨーク３の磁気異方性は磁気ヨークウイング部
３Ｂに磁気バイアスをかけることで制御される。主方式
としては、ハード膜・アバットジャンクション方式を用
いたバイアス方式が用いられる。この場合、ハード膜と
してはCoPt系合金膜、CoCr系合金膜などが用いられる。
磁気ヨーク３のウイング部３ｂの飽和磁化および膜厚を
それぞれMs-yoke-w、t-yoke-wとし、ハードバイアス膜
の残留磁化および膜厚をＭＲ、δとすると、

【数１】であることが望まれる。一方、ハード・アバッテッドジ
ャンクション方式を用いて異方性制御がなされる場合、
磁気ヨーク３のウイング部３ｂの膜厚は50nm以下である
ことが望まれる。これは、一般的にCo系ハード膜の保磁
力は膜厚が大きくなるに従い、その結晶構造のｃ軸配向
化により保磁力が小さくなり、磁気ヨークエッジ部の磁
化を固着できなくなるためである。

【００２９】また、磁気ヨーク３の突起部高さ（Hyb）
がHyb≦0.2μｍとなるように形成される。突起部３ａの
高さ（Hyb）とウイング部９ｂの厚さ（Hyw）との和が磁
気ヨークの高さ（Hy=Hyb+Hyw）となる。また、磁気ヨー
ク３の媒体対向面にける幅（Wy1）と長さ（(Ly1-Gb)/
2）は幅の方を広く取ることが好ましく、磁気ヨーク３
の高さ（Hy）は磁気ヨーク３の媒体対向面長さ（(Ly1-G
b)/2）以上であることが好ましい。本実施の形態におい
ては、Wy1=0.1μｍ、Hy＝0.1μｍ、(Ly1-Gb)/2＝0.05〜
0.1μｍ、Gｂ＝0.025μｍ、Hyb≦0.05μｍ、Hyw＝0.03
μｍで作製した。

【００３０】図１に示すように上部電極１４と磁気ヨー
ク３との間で、磁気ギャップ４上にＭＲ素子９が形成さ
れる。ＭＲ素子９は、キャップ層９ａ、反磁性層９ｂ、
ピン層９ｃ、スペーサ層９ｄ、フリー層９ｅ、および下
地層９ｆから構成されている。ここで、下地層９ｆおよ
びキャップ層（保護層）９ａはＭＲ素子９の形成時の順
序で定義され、形成時において最下層が下地層９ｆであ
り、最上層がキャップ層９であると定義する。なお、Ｍ
Ｒ素子９の形成面は、媒体対向面にほぼ並行となるよう
に構成される。

【００３１】フリー層９ｅおよびピン層９ｃの材料に
は、Fe、Co、Niの強磁性材料元素を元にしたNiFe合金
膜、CoFe膜、α-CoFeB膜、Co膜などが用いられる。ピン
層９ｃとしては、CoFe膜あるいはCo膜などの単層膜や、
CoFe/Ru/CoFeあるいは[CoFe/Cu]x/Ru/[CoFe/Cu]xのよう
な層構造を有するシンセティック型ピン層なども用いら
れる。フリー層９ｅには、CoFe膜あるいはCo膜などの単
層膜の他に、CoFe/NiFe、[CoFe/Cu]xのような多層構造
フリー層が用いられる。また、フリー層の飽和磁化・膜
厚の積を低減するために上記ピン層９ｃで説明したよう
なシンセティック型フリー層が用いられることもある。

【００３２】フリー層９ｅの膜厚は、磁気ヨーク３とフ
リー層９ｅにより形成されるリラクタンスにより決定さ
れる。フリー層９ｅの膜厚は、透磁率を低下させないか
ぎりにおいて薄い方がよく、磁気ヨーク３からフリー層
９ｅに導かれる信号磁束の大きさから言っても、パーマ
ロイからなるフリー層（飽和磁化：800emu/cc）換算に
おいて、10nm以下であることが好ましい。

【００３３】キャップ層９ａおよび下地層９ｆには主に
Taが使用される。下地層９ｆにはその上に形成される層
の結晶配向を制御するためにCuやAuなどの配向制御層が
含まれる場合がある。キャップ層９ａおよび下地層９ｆ
の膜厚は10nm以下である。

【００３４】反強磁性体層９ｂには、規則系PtMn合金や
PdMn系合金、IrMn系合金が使用される。その膜厚は5nm
以上20nm以下である。

【００３５】ＭＲ素子９を構成するＭＲ膜としては、ス
ピンバルブ（ＳＶ）膜あるいはトンネル効果を利用した
ＴＭＲ膜が用いられる。SV膜の場合、スペーサ層にはCu
が用いられ、ＴＭＲ膜の場合、Al2O3、AlOx、Al/AlOxな
どの数MΩ/cmの高比抵抗膜あるいは絶縁膜が用いられ
る。その他、デュアル・フリーＳＶ―ＭＲ膜、デュアル
・ピンＳＶ-ＭＲ膜などが用いられる。界面における電
子の鏡面反射効果を用いた鏡面反射層を有するＭＲ膜等
も使用可能である。

【００３６】図１７(a)に示す従来の面直通電型ＭＲ素
子９においては、上部電極１４から突き出た部分、すな
わち、ピラー部１３によりＭＲ素子９へ電流が通電され
る。この時、ピラー部１３のＭＲ素子９との接合面の面
積により、ＭＲ素子９のセンス領域が規定されている。
すなわち、ピラー部１３があるということは、上記ピラ
ー部１３の底面の面積により、センス部が規定されるこ
とになる。

【００３７】また、図１７（ｂ）に示すような上部突起
部１４ａを有する従来の磁気ヘッドにおいては、突起部
１４ａによりＭＲ素子９の大きさが規定されている。こ
れは、素子サイズが小さい場合は影響ないが、素子サイ
ズが小さくなると突起部１４ａからの電流磁界の影響が
懸念される。

【００３８】接合面の大きさが0.5μｍ×0.5μｍを下回
るあたりから、ピラー部からのフリー層および磁気ヨー
クにかかる電流磁界が無視できなくなる。特にフリー層
に与える影響は大きく、フリー層の透磁率を低下させ
る。また、ヨーク型磁気抵抗効果へッドのオフトラック
特性に大きな影響を与える。

【００３９】そこで、本実施の形態においては、上部電
極１４の底面とＭＲ素子９の上面が接続され、この接続
面はＭＲ素子９の形状により規定されている。また、上
部電極１４の底面１５は、接合面１７よりも大きい。こ
こで、上部電極１４の底面１５とは上部電極１４の媒体
対向面側の面で定義され、ＭＲ素子９の上面とは媒体対
向面から遠い側の面で定義される。なお、電極材料とし
ては、低抵抗であるCu,Au,Ta,Wなどの単層あるいは積層
膜を用いる。

【００４０】このように本実施の形態においては、上部
電極１４の底面１５の面積はＭＲ素子９の上面の面積
（すなわち、接合面積）よりも大きい。そして、ピラー
部に相当するような部位が上部電極には形成されない。
このため、フリー層９ｅおよび磁気ヨーク３にかかる電
流磁界の大きさは、上部電極１４とＭＲ素子９との接合
面に垂直な方向（ピラー部の長さ方向）の電流磁界の積
分和で与えられるので、ピラー部を削除することで、従
来通電時にピラー部から発生していた電流磁界の低減が
可能となる。これにより、本実施の形態の磁気ヘッド
は、従来の磁気ヘッドに比べて、上記電流磁界が磁気ヨ
ーク３とＭＲ素子９のフリー層９ｅの磁気異方性制御に
及ぼす悪影響を可及的に低減することが可能となり、出
力信号に対するノイズの割合（Ｓ/Ｎ比）を可及的に向
上させることができる。また、本実施の形態において
は、後述するように、フリー層９ｅの面積をピン層９ｃ
の面積より大きくまるように構成している。これによ
り、磁気ヨーク３とフリー層９ｅとのオーバーラップ部
が増大し、磁気ヨーク３とフリー層９ｅで形成される磁
路におけるリラクタンスが低下して磁束効率の向上を図
ることができる。

【００４１】本実施の形態の面直通電型ＭＲ素子９にお
いては、センス電流量は電流密度換算で５0MA/cm²程度
通電されることが可能である。このセンス電流の場合、
従来の磁気ヘッドにおいては、ピラー部からフリー層へ
はおよそ50-100Oe程度の電流磁界が発生するが、本実施
の形態では上記電流磁界は低減できる。センス電流値は
30MA/cm²程度を下回ることが好ましく、センス電流磁界
の影響を無視することができるようになる。

【００４２】図１に図示すように、本実施の形態のヨー
ク型磁気ヘッドにおいては、上述したようにピラー部は
形成されない。従って、ＭＲ素子９のセンス領域はＭＲ
素子９の形状で規定されることになる。上部電極１４は
ピラー部を介さずにＭＲ素子９に直接接続される。上部
電極１４とＭＲ素子９との接触面の面積は、ＭＲ素子９
の上面の面積と等しくなる。上部電極１４の底面の面積
は磁気ヨーク３の外形よりも大きいことが好ましい。特
に、トラック幅方向の上部電極１４の幅は磁気ヨーク３
の幅Wy3以上であることが望まれる。これにより、上部
電極１４のトラック幅方向端部から発生する、磁束流入
方向とは逆の電流磁界の影響を小さくできる。

【００４３】また、本実施の形態においては、図１およ
び図２に示すようにフリー層９ｅの面積がピン層９ｃの
面積よりも大きい。従って、ＭＲ素子９のセンス部分は
ピン層９ｃにより規定され、かつ、上部電極１４との接
続面はＭＲ素子９の最上層であるキャップ層９ａあるい
は下地層９ｆの面積で規定される。

【００４４】本実施の形態においては、形成順序的にピ
ン層９ｃより後に形成される層９ａ、９ｂはピン層９ｃ
と一括で同時に形成されるために、ほぼ同じ大きさを有
することになり、図１に示す通りとなる。また、後述す
るように図３に示すようにスペーサ層９ｄまで一括加工
しても構わない。また、図４（ａ）、（ｂ）に示すよう
にスペーサ層９ｄの途中またはフリー層９ｅの途中で規
定を終了しても構わない。上述したものはいずれにして
もピン層９ｃでセンス領域が規定されることになる。

【００４５】ピン層９ｃは幅方向の端部(x=±Wp/2)が、
磁気ヨーク３の先端部３ａの端部(x=±(Wy1)/2）の範囲
以外で、かつ磁気ヨーク３のウイング部３ｂの幅方向の
端部（x=±(Wy3)/2）の範囲以下の領域内で規定され、
長さ方向の端部(y=±Lp/2)が磁気ヨーク３の先端部３ａ
の端部（y=±(Ly2)/2）の範囲以内の領域内で規定され
る。それぞれの記号は、図１に示されている。ピン層９
ｃは幅方向の端部が、磁気ヨーク３の先端部３ａの幅方
向端部（x=±(Wy1)/2）の範囲以外で、かつ磁気ヨーク
３のウイング部３ｂの幅方向端部（x=±(Wy3)/2）の範
囲以内の領域内で規定されることにより、最も高感度な
フリー層９ｅ部分での磁束侵入方向に印加される電流磁
界の影響が小さくなり、ピン層９ｃおよびキャップ層９
ａから発生する電流磁界のフリー層９ｅへの影響を最小
限にできる。フリー層９ｅはトラック幅方向においてハ
ード膜により異方性制御（バイアス）されており、フリ
ー層９ｅのトラック幅方向の端部付近は信号磁束不感領
域となる。従って、ピン層９ｃを上記の範囲に規定する
ことにより、フリー層９ｅの不感部分に電流磁界がかか
ることになり、実際の感度には影響しなくなる。

【００４６】ピン層９ｃの長さ方向の端部(y=±Lp/2)が
磁気ヨーク３の先端部３ａの端部（y=±(Ly2)/2）の範
囲以内の領域内で規定されることにより、フリー層９ｅ
の磁化不安定領域あるいは不感領域を避けることがで
き、ノイズ原因となる磁化回転の影響を抑制することが
できる。また、磁気ヨーク３からのノイズも低減され
る。

【００４７】またピン層９ｃは磁気ギャップ４上に形成
される。上記の範囲にピン層９ｃが規定されることによ
り、信号磁束流入時においてフリー層９ｅの磁化回転の
大きな部分のみにピン層９ｃを介してセンス電流が通電
される。従って、大きな出力が得られる。ピン層９ｃが
フリー層９ｅの磁化不安定領域で規定されるとノイズの
原因となり、Ｓ／Ｎが悪化する。

【００４８】また、フリー層９ｅは長さ方向の端部(y=
±Lf/2)および幅方向の端部(x=±Wf/2)が、それぞれ端
部y=±(Ly2)/2の範囲以外および端部x=±(Wy2)/2の範囲
以外の領域で規定される。

【００４９】また、本実施の形態においては、フリー層
９ｅの面積をピン層９ｃの面積より大きくとることで、
磁気ヨーク３とフリー層９ｅとのオーバーラップ部が増
大する。従って、磁気ヨーク３とフリー層９ｅで形成さ
れる磁路におけるリラクタンスが低下し、信号磁束効率
の向上が図れる。また、ピン層９ｃの面積がフリー層９
ｅの面積より小さいためにピン層９ｃは磁気ギャップ４
の直上に形成でき、さらにフリー層９ｅの磁化回転の十
分大きなところにだけセンス電流が供給できるので、磁
気ヘッド出力が向上する。

【００５０】（第２の実施の形態）次に本発明によるヨ
ーク型磁気ヘッドの第２の実施の形態の構成を図２に示
す。この第２の実施の形態の磁気ヘッドは、第１の実施
の形態の磁気ヘッドにおいて、上部電極１４中にＭＲ素
子９のキャップ層９ａが埋め込まれた構成となってい
る。これによりピン層９ｃおよびキャップ層９ａから発
生していた電流磁界を低減できる。さらに、ＭＲ素子９
と上部電極１４の接触面積が大きくなるために、接触抵
抗の低減が図れる。なお、本実施の形態においては、磁
気ギャップ４には、絶縁膜５が埋め込まれた構成となっ
ている。

【００５１】この第２の実施の形態の磁気ヘッドにおい
ても、磁束効率の低下を可及的に防止することができる
とともにＳ/Ｎ比を可及的に向上させることができる。

【００５２】なお、本実施の形態においては、キャップ
層９ａが上部電極１４に埋め込まれていたが、ピン層９
ｃの半分まで上部電極１４に埋め込むように構成しても
良い。

【００５３】（第３の実施の形態）次に、本発明による
ヨーク型磁気ヘッドの第３の実施の形態の構成を図３に
示す。この第３の実施の形態の磁気ヘッドは、第１の実
施の形態の磁気ヘッドにおいて、スペーサ層９ｄもキャ
ップ層９ａ、反強磁性体層９ｂ、およびピン層９ｃと同
じ形状となるように構成されている。また、下部電極７
が磁気ヨーク３のウイング部３ｂ上に形成された構成と
なっており、磁気ギャップ４が絶縁膜５で埋め込まれた
構成となっている。

【００５４】この第３の実施の形態の磁気ヘッドにおい
ても、磁束効率の低下を可及的に防止することができる
とともにＳ/Ｎ比を可及的に向上させることができる。

【００５５】（第４の実施の形態）次に、本発明による
ヨーク型磁気ヘッドの第４の実施の形態を図４（ａ）、
（ｂ）を参照して説明する。図４（ａ）、（ｂ）は、第
４の実施の形態の磁気ヘッドにかかるＭＲ素子９の断面
形状を示す図である。この第４の実施の形態の磁気ヘッ
ドにかかるＭＲ素子９は、第３の実施の形態の磁気ヘッ
ドのＭＲ素子９において、図４（ａ）に示すようにスペ
ーサ層９ｄの途中までを、キャップ層９ａ、反強磁性体
層９ｂ、およびピン層９ｃと同じ形状に構成しても良い
し、図４（ｂ）に示すようにフリー層９ｄの途中まで
を、キャップ層９ａ、反強磁性体層９ｂ、ピン層９ｃ、
およびスペーサ層９ｄと同じ形状に構成しても良い。

【００５６】このようなＭＲ素子９を用いても、第３の
実施の形態と同様に磁束効率の低下を可及的に防止する
ことができるとともにＳ/Ｎ比を可及的に向上させるこ
とができる。

【００５７】（第５の実施の形態）次に、本発明による
ヨーク型磁気ヘッドの第５の実施の形態の構成を図５に
示す。この第５の実施の形態の磁気ヘッドは、図１に示
す第１の実施の形態の磁気ヘッドにおいて、ＭＲ素子９
を構成するキャップ層９ａ、反強磁性体層９ｂ、ピン層
９ｃ、スペーサ層９ｄ、フリー層９ｅ、および下地層９
ｆは、同一の形状にするとともに、下地層９ｆに接続す
るように導電体８が磁気ギャップ４に埋め込まれ、媒体
対向面側の磁気ギャップ４には絶縁体５が埋め込まれた
構成となっている。

【００５８】この実施の形態ではＭＲ素子９は、最上層
から最下層まですべて同時に規定されている。このた
め、フリー層９ｅへのセンス電流磁界の影響を小さくす
る効果がある。

【００５９】（第６の実施の形態）次に、本発明による
ヨーク型磁気ヘッドの第６の実施の形態の構成を図６に
示す。この第６の実施の形態の磁気ヘッドは、図５に示
す第５の実施の形態の磁気ヘッドにおいて、ＭＲ素子９
を構成する反強磁性体層９ｂ、ピン層９ｃ、スペーサ層
９ｄ、フリー層９ｅ、および下地層９ｆは、同一の形状
にするとともに、キャップ層９ａを他の層よりも面積を
小さくした構成となっている。これにより、ピン層９ｃ
まで一括加工しなくとも、センス電流を信号磁束センス
領域に集中させることができ、Ｓ／Ｎを向上させること
ができる。

【００６０】（第７の実施の形態）次に、本発明による
ヨーク型磁気ヘッドの第７の実施の形態の構成を図７に
示す。この第７の実施の形態の磁気ヘッドは、図５に示
す第５の実施の形態の磁気ヘッドにおいて、ＭＲ素子９
を構成するキャップ層９ａ、反強磁性体層９ｂ、ピン層
９ｃ、スペーサ層９ｄ、フリー層９ｅ、および下地層９
ｆは、最下層の下地層９ｆから最上層のキャップ層９ａ
にいくにつれて面積が連続的に減少するような構成とな
っている。すなわち、キャップ層９ａから下地層９ｆに
かけてある角度を有する傾斜を有している。磁気抵抗効
果素子９の最上面の面積が最下面の面積よりも小さくな
っている。これによりセンス電流を磁気ギャップ直上の
高感度なセンス領域にのみに集中させることが可能とな
り、Ｓ／Ｎを向上させることができる。

【００６１】（第８の実施の形態）次に、本発明による
ヨーク型磁気ヘッドの第８の実施の形態の構成を図８に
示す。この第８の実施の形態の磁気ヘッドは、図１に示
す第１の実施の形態の磁気ヘッドにおいて、磁気ヨーク
３のウイング部３ｂ上に下部電極７を設けた構成となっ
ている。このため、電流はビット長方向に略平行になる
ように通電される。これにより、磁気ヨーク３およびフ
リー層９ｅはトラック幅方向に磁気異方性制御される。
また、本実施の形態のように磁気ヨーク３に通電するこ
とにより、磁気ヨーク３にかかる電流磁界が低減され
る。また、本実施の形態においては、センス電流はＭＲ
素子９、磁気ヨーク３を通り、磁気ヨーク３に接続され
た下部電極７に通電される。なお、符号５は絶縁体を示
す。

【００６２】（第９の実施の形態）次に、本発明による
ヨーク型磁気ヘッドの第９の実施の形態の構成を図９に
示す。この第９の実施の形態の磁気ヘッドは、図８に示
す第８の実施の形態の磁気ヘッドにおいて、下部電極７
がフリー層９ｅおよび下地層９ｆの両方に接続された構
成となっている。第８の実施の形態に比べて、さらに低
電気抵抗化が図れる。なお、本実施の形態においては、
下部電極７はスペーサ層９ｄには接触しないように構成
されている。

【００６３】（第１０の実施の形態）次に、本発明によ
るヨーク型磁気ヘッドの第１０の実施の形態の構成を図
１０に示す。この第１０の実施の形態の磁気ヘッドは、
図９に示す第９の実施の形態の磁気ヘッドにおいて、上
部電極１４および下部電極７の取り出し方を片側のビッ
ト長方向に引き回す構成となっている。これにより、磁
気ヨーク３およびフリー層９ｅにかかる電流磁界をトラ
ック幅方向の一方向にのみ強く印加することになる。従
って、電極７，１４がかぶさらない側の磁気ヨーク３お
よびフリー層９ｅには弱い電流磁界しかかからないため
に、磁気ヨーク３の磁気異方性制御が容易になり、磁気
ヨーク３およびフリー層９ｅ自身の透磁率を低下させず
に済む。

【００６４】なお、第８乃至第１０の実施の形態の磁気
ヘッドにおいて、下部電極７は低抵抗化のために磁気ヨ
ーク３より幅広となるように構成されている。さらに、
磁気ヨーク３との接触面の総面積は、接触抵抗を小さく
するために、可能な限り大きくとることが望ましい。

【００６５】（第１１の実施の形態）次に、本発明によ
るヨーク型磁気ヘッドの第１１の実施の形態を図１１
（ａ）、（ｂ）を参照して説明する。図１１（ａ）、
（ｂ）は、第１１の実施の形態の磁気ヘッドにかかるＭ
Ｒ素子９の断面形状を示す図である。この第１１の実施
の形態の磁気ヘッドにかかるＭＲ素子９は、図１１(a)
に示すように、デュアル・フリー層を有するように構成
しても良いし、図１１（ｂ）に示すようにデュアル・ピ
ン層を有するように構成しても良い。図１１（ａ）に示
すＭＲ素子９は、キャップ層９ａ、フリー層９ｅ１、ス
ペーサ層９ｄ１，ピン層９ｃ１，反強磁性体層９ｂ、ピ
ン層９ｃ２，スペーサ層９ｄ２，フリー層９ｅ２、およ
び下地層９ｆから構成される。図１１（ｂ）に示すＭＲ
素子９は、キャップ層９ａ、反強磁性体層９ｂ１，ピン
層９ｃ１，スペーサ層９ｄ１，フリー層９ｅ、スペーサ
層９ｄ２，ピン層９ｃ２，反強磁性体層９ｂ２、および
下地層９ｆから構成される。図１１（ｂ）に示すＭＲ素
子９においては、片側のピン層９ｃ１により主となるセ
ンス領域が規定される。

【００６６】（第１２の実施の形態）次に、本発明によ
るヨーク型磁気ヘッドの第１２の実施の形態の構成を図
１２に示す。この第１２の実施の形態の磁気ヘッドは、
図１に示す第１の実施の形態において、図１２（ａ）に
示すように、上部電極１４の底面１５を曲面とした構成
となっている。なお、上部電極１４の底面１５は、接合
面１７以外の部分は図１２（ｂ）に示すように、ある角
度を有することが好ましい。このように構成することに
より、磁気ヨーク３と上部電極１４との間で発生する絶
縁不良を大幅に低減することができる。この第１２の実
施の形態の磁気ヘッドも第１の実施の形態と同様に、磁
束効率の低下を可及的に防止するとともにＳ／Ｎ比を可
及的に向上させることが可能となることは言うまでもな
い。

【００６７】なお、この第１２に示す上部電極１４の底
面形状は、SiOx、AlOxなどの絶縁膜をRIE（Reactive-io
n-etching）あるいはCDE(chemical-dry-etching)を用い
てエッチング加工することにより得ることが可能であ
る。

【００６８】（第１３の実施の形態）次に、本発明の第
１３の実施の形態を図１３を参照して説明する。この第
１３の実施の形態は、水平ヨーク型磁気ヘッドの製造方
法であって、その製造工程を図１３に示す。

【００６９】まず、図１３（ａ）に示すように、加工さ
れた磁気ヨーク３上にＭＲ膜９を成膜する。その後、リ
ソグラフィー工程、エッチング工程、レジスト除去工程
を経て、磁気ヨーク３上にＭＲ素子９の外形をパターニ
ングする（図１３（ａ）参照）。

【００７０】次に、図１３（ｂ）に示すようにリソグラ
フィー工程およびエッチング工程を経て、ＭＲ膜の上部
電極との接合面を規定する加工を行う。なお、本実施の
形態においては、エッチングは上述してきたようにピン
層のエッチングが終わってからフリー層がすべて削られ
るまでの間で止めた。

【００７１】次に、図１３（ｃ）に示すように、AlOx、
あるいはSiOxなどの酸化膜あるいは酸窒化膜などの絶縁
膜１２を成膜する。その後、図１３（ｄ）に示すよう
に、ＣＭＰ（chemical-mechanical-polishing）あるい
はエッチングレート差を利用したエッチング工程などを
用いて絶縁膜１２の表面を平坦化し、ＭＲ素子９の表面
の接合面を露出させる（頭出し工程）。

【００７２】次に、図１３（ｅ）に示すように、全面に
上部電極材料であるCuを成膜し、その後、上部電極のパ
ターニングを行う。

【００７３】このようにして磁気ヘッドが製造される。
本実施の形態の製造方法を用いると上部電極１４の底面
とＭＲ素子９の上面は略平行で同一平面となる特徴をも
つ。

【００７４】（第１４の実施の形態）次に、本発明の第
１４の実施の形態を図１４を参照して説明する。この第
１４の実施の形態は、水平ヨーク型磁気ヘッドの製造方
法であって、その製造工程を図１４に示す。この実施の
形態の製造方法は、ＭＲ素子９の最上端の一部を図２に
示すように上部電極１４に埋め込むことが可能となるこ
とである。埋め込まれる量は、絶縁体１２の成膜厚さで
制御できる。

【００７５】まず、図１４（ａ）に示すように、加工さ
れた磁気ヨーク３上にＭＲ膜９を成膜する。その後リソ
グラフィー工程、エッチング工程、レジスト除去工程を
経て、磁気ヨーク上にＭＲ素子９の外形をパターニング
する（図１４（ａ）参照）。

【００７６】次に、図１４（ｂ）に示すように、リソグ
ラフィー工程およびエッチング工程を用いて、ＭＲ膜９
と上部電極１４との接合面を規定する加工を行う。続い
て、レジスト１０を塗布し、接合面形状にパターニング
する。この時使用するレジスト１４は逆テーパーを有す
るレジストあるいは図示したようなＴ字型レジストを用
いる。その後、ＭＲ素子９をエッチングする。エッチン
グ終了位置は図１４（ｂ）に示す工程と同様である。そ
の後、図１４（ｂ）に示すように、全面に絶縁膜１２を
成膜する。そして、レジスト１０を除去することによ
り、接合面上の絶縁膜１２も同時に除去される。

【００７７】次に、図１３（ｅ）に示した工程と同様
に、上部電極材料であるCuを成膜し、その後、上部電極
材料の膜をパターニングすることにより上部電極を１４
を形成する（図１４（ｃ）参照）。

【００７８】（第１５の実施の形態）次に、本発明の第
１５の実施の形態を図１５および図１６を参照して説明
する。この実施の形態は、磁気ディスク装置であって、
この磁気ディスク装置の概略構成を図１５に示す。すな
わち、本実施の形態の磁気ディスク装置１５０は、ロー
タリーアクチュエータを用いた形式の装置である。図１
５において、磁気ディスク２００は、スピンドル１５２
に装着され、図示しない駆動装置制御部からの制御信号
に応答する図示しないモータにより矢印Ａの方向に回転
する。磁気ディスク２００は、磁気ディスク２００に格
納する情報の記録再生を行うヘッドスライダ１５３は、
薄膜状のサスペンション１５４の先端に取り付けられて
いる。ここで、ヘッドスライダ１５３は、例えば、前述
したいずれかの実施の形態にかかる磁気ヘッドをその先
端付近に搭載している。

【００７９】磁気ディスク２００が回転すると、ヘッド
スライダ１５３の媒体対向面（ＡＢＳ）は磁気ディスク
２００の表面から所定の浮上量をもって保持される。

【００８０】サスペンション１５４は、図示しない駆動
コイルを保持するボビン部などを有するアクチュエータ
アーム１５５の一端に接続されている。アクチュエータ
アーム１５５の他端には、リニアモータの一種であるボ
イスコイルモータ１５６が設けられている。ボイスコイ
ルモータ１５６は、アクチュエータアーム１５５のボビ
ン部に巻き上げられた図示しない駆動コイルと、このコ
イルを挟み込むように対向して配置された永久磁石およ
び対向ヨークからなる磁気回路とから構成される。

【００８１】アクチュエータアーム１５５は、固定軸１
５７の上下２箇所に設けられた図示しないボールベアリ
ングによって保持され、ボイスコイルモータ１５６によ
り回転摺動が自在にできるようになっている。

【００８２】図１６は、アクチュエータアーム１５５か
ら先の磁気ヘッドアセンブリをディスク側から眺めた拡
大斜視図である。すなわち、磁気ヘッドアッセンブリ１
６０は、例えば駆動コイルを保持するボビン部などを有
するアクチュエータアーム１５１を有し、アクチュエー
タアーム１５５の一端にはサスペンション１５４が接続
されている。

【００８３】サスペンション１５４の先端には、上記実
施の形態のいずれかで説明した磁気ヘッドを具備するヘ
ッドスライダ１５３が取り付けられている。なお、再生
ヘッドと記録用ヘッドを組み合わせても良い。サスペン
ション１５４は信号の書き込みおよび読み取り用のリー
ド線１６４を有し、このリード線１６４とヘッドスライ
ダ１５３に組み込まれた磁気ヘッドの各電極とが電気的
に接続されている。図１６の符号１６５は磁気ヘッドア
ッセンブリ１６０の電極パッドである。

【００８４】ここで、ヘッドスライダ１５３の媒体対向
面（ＡＢＳ）と磁気ディスク２００の表面との間には、
所定の浮上量が設定されている。

【００８５】なお、磁気ディスク装置に関しても、再生
のみを実施するものでも、記録・再生を実施するものあ
っても良く、また、媒体は、ハードディスクには限定さ
れず、その他、フレキシブルディスクや磁気カードなど
のあらゆる磁気記録媒体を用いることが可能である。さ
らに、磁気記録媒体を装置から取り外し可能にした、い
わゆる「リムーバブル」の形式の装置であっても良い。

【００８６】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、磁
束効率の低下を可及的に防止するとともにＳ／Ｎ比を可
及的に向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第１の実施
の形態の構成を示す図。

【図２】本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第２の実施
の形態の構成を示す断面図。

【図３】本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第３の実施
の形態の構成を示す断面図。

【図４】本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第４の実施
の形態にかかるＭＲ素子の構成を示す断面図。

【図５】本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第５の実施
の形態の構成を示す断面図。

【図６】本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第６の実施
の形態の構成を示す断面図。

【図７】本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第７の実施
の形態の構成を示す断面図。

【図８】本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第８の実施
の形態の構成を示す断面図。

【図９】本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第９の実施
の形態の構成を示す断面図。

【図１０】本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第１０の
実施の形態の構成を示す断面図。

【図１１】本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第１１の
実施の形態にかかるＭＲ素子の構成を示す断面図。

【図１２】本発明によるヨーク型磁気ヘッドの第１２の
実施の形態の構成を示す断面図。

【図１３】本発明の第１３の実施の形態の製造工程を示
す断面図。

【図１４】本発明の第１４の実施の形態の製造工程を示
す断面図。

【図１５】本発明による磁気ディスク装置の概略構成を
示す要部斜視図。

【図１６】アクチュエータアームから先の磁気ヘッドア
センブリをディスク側から眺めた拡大斜視図。

【図１７】従来の磁気ヘッドの構成を示す図。

【符号の説明】

３磁気ヨーク３ａ磁気ヨーク先端部（突起部）３ｂ磁気ヨークウイング部４磁気ギャップ５絶縁体７下部電極８導電体９磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）９ａキャップ層９ｂ反強磁性体層９ｃピン層９ｄスペーサ層９ｅフリー層９ｆ下地層１２絶縁膜１４上部電極１５上部電極の下面１７接合面

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者館山公一神奈川県川崎市幸区小向東芝町１株式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者原通子神奈川県川崎市幸区小向東芝町１株式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者上口裕三神奈川県川崎市幸区小向東芝町１株式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者與田博明神奈川県川崎市幸区小向東芝町１株式会社東芝研究開発センター内Ｆターム(参考） 2G017 AA10 AB07 AD05 AD54 AD61 CB28 5D034 AA02 BA03 BA05 BA08 BA18 BA21 CA08 DA07 5E049 AA01 AA04 AA07 AC05 BA12 CB02 CC01 DB02

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】媒体からの磁気信号を感知する磁気抵抗効
果素子と、磁気ギャップを挟んで対向するように形成され、前記媒
体からの磁気信号を前記磁気抵抗効果素子に導き、前記
磁気抵抗効果素子と磁気的に結合された第１および第２
の磁気ヨークと、前記磁気抵抗効果素子の形成面に対して略垂直方向に通
電するために前記磁気抵抗効果素子に接続された第１お
よび第２の電極と、を有し、前記磁気抵抗効果素子は前記磁気ギャップ上に形成さ
れ、前記第１の電極は底面を有し、前記第１の電極と前記磁気抵抗効果素子との接合面積
は、前記磁気抵抗効果素子の面積で規定され、前記第１の電極の底面の面積は、前記接合面の面積より
も大きいことを特徴とするヨーク型磁気ヘッド。
【請求項２】前記磁気抵抗効果素子は、フリー層、ピン
層、このピン層の磁化を固着するための反強磁性体層、
下地層、キャップ層、および前記ピン層と前記フリー層
に挟まれるスペーサ層から構成されたことを特徴とする
請求項１記載のヨーク型磁気ヘッド。
【請求項３】少なくとも前記ピン層と前記反強磁性体層
と前記キャップ層のそれぞれの面積が前記フリー層の面
積よりも小さくなるように規定され、前記ピン層と前記キャップ層と前記反強磁性体層は前記
磁気ギャップ上に形成されていることを特徴とする請求
項２記載のヨーク型磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項４】前記第１および第２の磁気ヨークは、前記
媒体対向面と略平行な同一平面上に形成されて前記媒体
対向面側に設けられる先端部と前記磁気抵抗効果素子の
形成面側に設けられるウイング部から構成され、前記磁気ヨークの先端部の媒体対向面における面積は、
媒体対向面と略平行な前記磁気ヨークの任意の断面積よ
り小さく、前記磁気ギャップは媒体対向面と前記磁気抵抗効果素子
の形成面との間に形成され、前記磁気ギャップの大きさは媒体対向面側よりも前記磁
気抵抗効果素子形成面側の方が大きく、前記磁気抵抗効果素子形成面は媒体対向面と略平行であ
ることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の
ヨーク型磁気ヘッド。
【請求項５】前記磁気ギャップ対向面の中心を座標軸中
心とし、この座標軸中心からトラック幅方向に延びた軸
をＸ軸とし、ビット長方向に延びた軸をＹ軸とし、前記
磁気ヨークの媒体対向面側のＸ軸方向の長さをWy1と
し、前記磁気ヨークの磁気抵抗効果素子形成面側のＸ軸
方向の長さをWy3とし、前記磁気ヨークの先端部の磁気
抵抗効果素子形成面側のＹ軸方向の長さをLy2とする
と、前記ピン層のトラック幅方向端部x=±Wp/2が、前記磁気
ヨークの先端端部x=±(Wy1)/2の範囲以外でかつ前記磁
気ヨーク層のトラック幅方向端部x=±(Wy3)/2の範囲以
内の領域内で規定され、前記ピン層のビット長方向端部y=±Lp/2が、前記磁気ヨ
ークの先端端部y=±(Ly2)/2以内の領域内で規定されて
いることを特徴とする請求項４記載のヨーク型磁気ヘッ
ド。
【請求項６】前記磁気ギャップ対向面の中心を座標軸中
心とし、この座標軸中心からトラック幅方向に延びた軸
をＸ軸とし、ビット長方向に延びた軸をＹ軸とし、前記
磁気ヨークの先端部の磁気抵抗効果素子形成面側のＸ軸
方向の長さおよびＹ軸方向の長さをそれぞれWy2およびL
y2とすると、前記フリー層のトラック幅方向端部x=±Wf/2およびビッ
ト長方向端部y=±Lf/2が、それぞれx=±(Wy2)/2の範囲
以外およびy=±Ly2/2の範囲以外の領域で規定されてい
ることを特徴とする請求項4または5記載のヨーク型磁気
ヘッド。
【請求項７】前記磁気抵抗効果素子は前記第１および第
２の磁気ヨークと電気的に結合し、前記磁気ヨークに前記第２の電極が電気的に接続される
ように形成されていることを特徴とする請求項4乃至６
のいずれかに記載のヨーク型磁気ヘッド。
【請求項８】前記下部電極は、前記フリー層に電気的に
接続されるように形成されていることを特徴とする請求
項2記載のヨーク型磁気ヘッド。
【請求項９】請求項１乃至７のいずれかに記載のヨーク
型磁気ヘッドを備えたことを特徴とする磁気ディスク装
置。