JP2009009681A - Cpp構造の磁気抵抗効果素子および磁気ディスク装置 - Google Patents
Cpp構造の磁気抵抗効果素子および磁気ディスク装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009009681A JP2009009681A JP2008110999A JP2008110999A JP2009009681A JP 2009009681 A JP2009009681 A JP 2009009681A JP 2008110999 A JP2008110999 A JP 2008110999A JP 2008110999 A JP2008110999 A JP 2008110999A JP 2009009681 A JP2009009681 A JP 2009009681A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- magnetoresistive effect
- cpp
- head
- rear end
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3929—Disposition of magnetic thin films not used for directly coupling magnetic flux from the track to the MR film or for shielding
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
- G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B2005/3996—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects large or giant magnetoresistive effects [GMR], e.g. as generated in spin-valve [SV] devices
Abstract
【解決手段】積層体素子部5の積層方向にセンス電流が印加されてなるCPP(Current Perpendicular to Plane)構造の磁気抵抗効果素子であって、前記積層体素子部5の後方には、積層体素子部5の後方端面と接し、かつ後方に延びる補充絶縁層(refilled insulation layer)7が形成されており、前記補充絶縁層7が積層体素子部5の後方端面と接する最も上側の位置Pは、キャップ層26の後方端面であり、キャップ層26の厚さをT1、キャップ層26の最上部から位置Pに至るまでの厚さ方向の距離の絶対値をT2とした場合に、0.2≦(T2/T1)<1の関係を満たすように設定されてなるように構成される。
【選択図】図3
Description
図1を参照して、本発明のCPP構造の磁気抵抗効果素子を有する再生ヘッドの構成について、詳細に説明する。CPP構造の磁気抵抗効果素子としては、いわゆるCPP−GMR素子やTMR素子が例示できる。ここでは、CPP−GMR素子を代表例にとって説明することとする。
本発明における磁化固定層30は、第1のシールド層3の上に形成された下地層21を介して形成されたピンニング作用を果たす反強磁性層22の上に形成されている。
フリー層50は、外部磁界、すなわち記録媒体からの信号磁界に応じて磁化の方向が変化する層であり、保磁力が小さい強磁性層(軟磁性層)により構成されている。フリー層50の厚さは、例えば2〜10nm程度とされる。単層のみで構成することもできるが、積層された複数の強磁性層を含んだ多層膜としてもよい。また、フリー層50には、ホイスラー合金層を含んでいてもよい。
フリー層50の上には、図1に示されるごとく、キャップ層26(保護層26)が形成される。キャップ層26は、主として、キャップ層よりも下方に形成された積層膜を保護するための機能と、センシング機能の要であるフリー層50が積層された素子膜のほぼ中央に位置できるように、キャップ層26の厚みの設定によってフリー層50の位置を調整する機能を有する。
本発明におけるスペーサー層40は、非磁性導電体層から構成され、より具体的には、Cu、Ag、Au、Ru、Rh等の材料が用いられる。
反強磁性層22は、上述したように磁化固定層30との交換結合により、磁化固定層30の磁化の方向を固定するように作用している。
図2および図3に示されるように、「積層体素子部」の後方には、積層体素子部の後方端面と接し、かつ後方に延びる補充絶縁層(refilled insulation layer)7が形成されている。補充絶縁層(refilled insulation layer)そのものを形成すること自体はすでに公知である。しかしながら、本発明の補充絶縁層の形成仕様は、従来技術では提案されたことのない新規な仕様であるともに、その新規な仕様に特別顕著な効果が発現することに注目されたい。
すなわち、図3に示されるように補充絶縁層7が積層体素子部5の後方端面5aと接する最も上側の位置Pは、キャップ層26の後方端面と接する位置にある。そして、図3に示されるごとくキャップ層26の厚さをT1、キャップ層26の最上部26a(最上面26a)から位置Pに至るまでの厚さ方向の距離の絶対値をT2とした場合に、0.2≦(T2/T1)<1の関係を満たすようにP点が設定される。
次いで、上述してきた磁気抵抗効果素子を備えてなる薄膜磁気ヘッドの全体構成について説明する。
次に、絶縁層11のうちの後述する媒体対向面20側の斜面部分から媒体対向面20側にかけての領域において、記録ギャップ層9および絶縁層11の上に、記録ヘッド用の磁性材料によって、上部磁極層12のトラック幅規定層12aが形成される。上部磁極層12は、このトラック幅規定層12aと、後述する連結部分層12bおよびヨーク部分層12cとで構成される。
次に、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの作用について説明する。薄膜磁気ヘッドは、記録ヘッドによって記録媒体に情報を記録し、再生ヘッドによって、記録媒体に記録されている情報を再生する。
以下、本実施の形態に係るヘッドジンバルアセンブリおよび磁気ディスク装置について説明する。
スライダ210の空気流出側の端部(図6における左下の端部)の近傍には、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド100が形成されている。
下記表1に示されるような積層構造からなる積層体素子部(GMR素子部)をスパッタ法にて成膜して実験用サンプルを作成した。
T2/T1=0、
T2/T1=0.2、
T2/T1=0.4、
T2/T1=0.6、
T2/T1=0.9、
T2/T1=1.0、および
T2/T1=1.2となるサンプルを、それぞれ作製した。
複数の素子が形成されたウエハを研磨加工しBar状態とした。このBar状態で、HF-QST(High Field-Quasi Static Test)から算出したMR比を評価した。評価は、BHV(Bias Head Voltage)=25mV、外部磁場H=−5kOe〜+5kOeで行い、MR ratioは、[(MRRmax-MRRmin)/MRRmin]×100で定義した。
Transverse方向(磁場がABSから入る方向)のストレス磁界に対する出力の安定性を評価する方法である。
<Test方法>
以下のステップ1〜5に従って行った。
(Step1): ハードマグネット層(バイアス磁界印加層6)の着磁を、外部磁場H=8kOe(トラック幅方向)で行なう。
(Step2): Bar-QSTの出力を、外部磁場H=−600Oe〜+600Oe(ABS方向)で測定する。
(Step3): ストレス磁界として、1500 OeをABSから入る方向に印加する。
(Step4): Bar-QSTの出力を外部磁場H=−600Oe〜+600Oe(ABS方向)で測定する。
(Step5): 上記Step2と上記Step4の出力の変動が±10%以上となってしまった素子をNG品としてRejectする。NG品となる理由は、Free層とShieldの距離が近づいた時に生じる静磁結合によるものと考えられる。
結果を下記表2に示した。
上記実験例I−1で用いた積層体素子部の構成の中で、キャップ層をRuからTa(タンタル)に変えた。それ以外は、上記実験例I−1の場合と同様の手法で、実験例I−2のサンプルを作製し、同様な評価を行った。
結果を下記表3に示した。
上記実験例I−1で用いた積層体素子部の構成の中で、キャップ層をRuからTi(チタン)に変えた。それ以外は、上記実験例I−1の場合と同様の手法で実験例I−3のサンプルを作製し、同様な評価を行った。
結果を下記表4に示した。
上記実験例I−1で用いた積層体素子部(MR素子部)の面積抵抗AR(AR:Area Resistivity)を0.07Ω・μm2から0.15Ω・μm2に変更した。
面積抵抗ARを変えるために、積層体素子部の構造を下記表5のように変更した。特に、スペーサ層の構成およびその製法を変えた。
(1)CoFeからなるインナー層の上に、導電層(下部導電層)としてCu層を2nmに成膜した。
(2)次いで、このCu層の上に、アルミニウムからなる被着層を積層した。被着層の膜厚は、0.5nmとした。0.5nmという被着層の厚さは、成膜レートから求められた質量膜厚であり、実際には、被着層は完全な連続膜ではなく、被着層を構成する材料からなる島が点在しているかのように見える、いわゆる島状の形態をなしている。従って、Cu層からなる導電層(下部導電層)は、アルミニウムからなる被着層に部分的に覆われている部分と、Cu層がそのまま露出している部分とが混在している形態をなしている。
(3)次いで、アルミニウムからなる被着層の一部を酸化させた。酸化手法としては酸素暴露やプラズマ酸化を用いることができるが、ここではプラズマ酸化手法を用いた。
結果を下記表6に示した。
上記実験例II−1で用いた積層体素子部の構成の中で、キャップ層をRuからTa(タンタル)に変えた。それ以外は、上記実験例II−1の場合と同様の手法で実験例II−2のサンプルを作製し、同様な評価を行った。
結果を下記表7に示した。
上記実験例II−1で用いた積層体素子部の構成の中で、キャップ層をRuからTi
(チタン)に変えた。それ以外は、上記実験例II−1の場合と同様の手法で実験例II−3のサンプルを作製し、同様な評価を行った。
結果を下記表8に示した。
上記実験例II−1で用いた積層体素子部(MR素子部)の面積抵抗AR(AR:Area Resistivity)を、スペーサ層の酸化プロセスの条件を調整して、0.15Ω・μm2から0.25Ω・μm2に変更した。それ以外は、上記実験例II−1の場合と同様の手法で実験例III−1のサンプルを作製し、同様な評価を行った。
結果を下記表9に示した。
上記実験例III−1で用いた積層体素子部の構成の中で、キャップ層をRuからTa(タンタル)に変えた。それ以外は、上記実験例III−1の場合と同様の手法で実験例III−2のサンプルを作製し、同様な評価を行った。
結果を下記表10に示した。
上記実験例III−1で用いた積層体素子部の構成の中で、キャップ層をRuからTi(チタン)に変えた。それ以外は、上記実験例III−1の場合と同様の手法で実験例III−3のサンプルを作製し、同様な評価を行った。
結果を下記表11に示した。
5a…積層体素子部の後方端面
6…バイアス磁界印加層
20…媒体対向面(ABS)
21…下地層
22…反強磁性層
26…キャップ層
26a…キャップ層の最上部
30…磁化固定層(第1の強磁性層)
40…スペーサー層
50…フリー層(第2の強磁性層)
Claims (9)
- 第1の強磁性層、スペーサー層、第2の強磁性層、およびキャップ層が順次積層された積層体を含む積層体素子部を有し、この積層体素子部の積層方向にセンス電流が印加されてなるCPP(Current Perpendicular to Plane)構造の磁気抵抗効果素子であって、
前記積層体素子部の後方には、積層体素子部の後方端面と接し、かつ後方に延びる補充絶縁層(refilled insulation layer)が形成されており、
前記補充絶縁層が積層体素子部の後方端面と接する最も上側の位置Pは、キャップ層の後方端面であり、キャップ層の厚さをT1、キャップ層の最上部から位置Pに至るまでの厚さ方向の距離の絶対値をT2とした場合に、0.2≦(T2/T1)<1の関係を満たすように設定されてなることを特徴とするCPP構造の磁気抵抗効果素子。 - 前記補充絶縁層が積層体素子部の後方端面と接する最も上側の位置Pは、0.2≦(T2/T1)≦0.9の関係を満たすように設定されてなる請求項1に記載のCPP構造の磁気抵抗効果素子。
- 前記補充絶縁層が積層体素子部の後方端面と接する最も上側の位置Pは、0.4≦(T2/T1)≦0.9の関係を満たすように設定されてなる請求項1または請求項2に記載のCPP構造の磁気抵抗効果素子。
- 前記キャップ層が、Ta、Ru、Ti、W、Cr、Rh、NiCrのグループから選択された少なくとも1種から構成される請求項1ないし請求項3のいずれかに記載のCPP構造の磁気抵抗効果素子。
- 前記積層体素子部の面積抵抗が、0.05〜0.3Ω・μm2である請求項1ないし請求項4のいずれかに記載のCPP構造の磁気抵抗効果素子。
- 前記第2の強磁性層はフリー層であり、外部磁界に応じて磁化の方向が変化するように機能しており、前記第1の強磁性層は磁化固定層であり、磁化の方向が固定された層である請求項1ないし請求項5のいずれかに記載のCPP構造の磁気抵抗効果素子。
- 記録媒体に対向する媒体対向面と、
前記記録媒体からの信号磁界を検出するために前記媒体対向面の近傍に配置された請求項1ないし請求項6のいずれかに記載されたCPP構造の磁気抵抗効果素子と、
前記磁気抵抗効果素子の積層方向に電流を流すための一対の電極と、
を有してなることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 請求項7に記載された薄膜磁気ヘッドを含み、記録媒体に対向するように配置されるスライダと、
前記スライダを弾性的に支持するサスペンションと、
を備えてなることを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。 - 請求項7に記載された薄膜磁気ヘッドを含み、記録媒体に対向するように配置されるスライダと、
前記スライダを支持するとともに前記記録媒体に対して位置決めする位置決め装置と、
を備えてなることを特徴とする磁気ディスク装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/768,625 US7911744B2 (en) | 2007-06-26 | 2007-06-26 | Magneto-resistive effect device and magnetic disk system with refilled insulation layer in contact with a read end face of a cap layer |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009009681A true JP2009009681A (ja) | 2009-01-15 |
JP4471020B2 JP4471020B2 (ja) | 2010-06-02 |
Family
ID=40160124
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008110999A Expired - Fee Related JP4471020B2 (ja) | 2007-06-26 | 2008-04-22 | Cpp構造の磁気抵抗効果素子および磁気ディスク装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7911744B2 (ja) |
JP (1) | JP4471020B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5247002B2 (ja) * | 2006-02-14 | 2013-07-24 | エイチジーエスティーネザーランドビーブイ | 磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法 |
US8760821B1 (en) * | 2013-02-25 | 2014-06-24 | HGST Netherlands B.V. | Higher stability read head using a read sensor with a flat back edge |
US11120933B1 (en) | 2019-03-29 | 2021-09-14 | Seagate Technology Llc | Stack cap with a non-magnetic layer including ferromagnetic elements |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3813914B2 (ja) | 2002-09-27 | 2006-08-23 | Tdk株式会社 | 薄膜磁気ヘッド |
JP2004206839A (ja) | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッド、薄膜磁気ヘッド組立体、記憶装置、及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
JP3961496B2 (ja) * | 2003-04-18 | 2007-08-22 | アルプス電気株式会社 | Cpp型巨大磁気抵抗効果ヘッド |
JP3695459B2 (ja) * | 2003-10-30 | 2005-09-14 | Tdk株式会社 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
JP4176062B2 (ja) | 2004-08-04 | 2008-11-05 | Tdk株式会社 | 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置 |
JP4244988B2 (ja) | 2005-12-02 | 2009-03-25 | Tdk株式会社 | 磁気抵抗効果素子、該素子を備えた薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
US7652856B2 (en) * | 2005-12-27 | 2010-01-26 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Current perpendicular to plane (CPP) magnetoresistive sensor having strong pinning and small gap thickness |
US7580230B2 (en) * | 2006-10-24 | 2009-08-25 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetoresistive sensor having shape enhanced pinning, a flux guide structure and damage free virtual edges |
US7961440B2 (en) * | 2007-09-27 | 2011-06-14 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Current perpendicular to plane magnetoresistive sensor with reduced read gap |
-
2007
- 2007-06-26 US US11/768,625 patent/US7911744B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-04-22 JP JP2008110999A patent/JP4471020B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090002897A1 (en) | 2009-01-01 |
JP4471020B2 (ja) | 2010-06-02 |
US7911744B2 (en) | 2011-03-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4942445B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置 | |
JP4458302B2 (ja) | Cpp型磁界検出素子及びその製造方法 | |
JP4883053B2 (ja) | Cpp型磁気抵抗効果素子および磁気ディスク装置 | |
JP4670890B2 (ja) | Cpp構造の磁気抵抗効果素子および磁気ディスク装置 | |
JP4492604B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置 | |
JP3657916B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッドおよび垂直磁気記録再生装置 | |
JP4343940B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置および磁気抵抗効果素子の製造方法 | |
JP4328348B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置 | |
JP4492617B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子および磁気ディスク装置 | |
JP2007287863A (ja) | 磁気抵抗効果素子およびその製造方法、ならびに磁気抵抗効果素子集合体、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置 | |
JP4343941B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置、および、磁気抵抗効果素子の製造方法 | |
JP2008047737A (ja) | 磁気抵抗効果装置、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置 | |
JP2007317824A (ja) | 磁気抵抗効果素子およびその製造方法、ならびに薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置 | |
JP3865738B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置 | |
US7782576B2 (en) | Exchange-coupling film incorporating stacked antiferromagnetic layer and pinned layer, and magnetoresistive element including the exchange-coupling film | |
JP4471020B2 (ja) | Cpp構造の磁気抵抗効果素子および磁気ディスク装置 | |
JP2006286669A (ja) | 磁気抵抗効果素子の製造方法 | |
JP3896366B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置 | |
US20080112091A1 (en) | Current-confined-path type magnetoresistive element and method of manufacturing same | |
JP2009176400A (ja) | Cpp型磁気抵抗効果素子および磁気ディスク装置 | |
JP3683577B1 (ja) | 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリおよび磁気ディスク装置 | |
JP2008021896A (ja) | Cpp構造のgmr素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置 | |
JP3818592B2 (ja) | 磁気抵抗効果装置およびその製造方法、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリならびにハードディスク装置 | |
JP4539876B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子の製造方法 | |
JP4387923B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091026 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091104 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091215 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100209 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100222 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130312 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140312 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |