JP2008021896A - Cpp構造のgmr素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 磁化固定層(ピンド層)としてシンセティックピンド層を用いたCPP構造のGMR素子において、インナーピン層の幅W1を50nm以下に設定し、かつ、磁化固定層を媒体対向面側から見た両端部に所定の角度範囲のテーパー部を有する構造とし、かつ、インナーピン層とアウターピン層との磁気体積比を0.9〜1.1の範囲とし、かつ、インナーピン層とアウターピン層との磁気膜厚比を0.8以下となるように構成する。
【選択図】 図1
Description
図1を参照して、本発明のCPP構造のGMR素子を有する再生ヘッドの構成について、詳細に説明する。
本発明における磁化固定層30は、第1のシールド層3の上に形成された下地層21を介して形成されたピンニング作用を果たす反強磁性層22の上に形成されている。磁化固定層30は、反強磁性層22側から、アウターピン層31、非磁性中間層32、およびインナーピン層33が順次積層された構成、すなわち、いわゆるシンセティックピンド層を構成している。
上述したようにアウターピン層31とインナーピン層33は、反強磁性的に結合し、磁化の方向が逆方向となるように固定されている。
非磁性中間層32は、例えば、Ru,Ph,Ir,Re,Cr,Zr,Cuのグループから選ばれた少なくとも1種を含む非磁性材料から構成される。非磁性中間層32の厚さは、例えば0.35〜1.0nm程度とされる。非磁性中間層32はインナーピン層33の磁化と、アウターピン層31の磁化とを互いに逆方向に固定するために設けられている。「磁化が互いに逆方向」というのは、これらの2つの磁化が互いに180°異なる場合のみに狭く限定解釈されることなく、180°±20°異なる場合をも含む広い概念である。
インナーピン層33は、例えば、Coを含む強磁性材料からなる強磁性層を有して構成され、Co70Fe30(原子%)の合金層が好適例として挙げられる。厚さは、3〜7nm程度とされる。また、インナーピン層33は、積層体構造としてもよく、例えば、非磁性中間層32側から、Co50-70Fe(原子%)の合金層、ホイスラー合金層、およびFeCo30-50の合金層からなる積層体が好適例として例示することができる。さらには、ホイスラー合金層をFe層でサンドイッチ状に挟み込むようにしてもよい。
反強磁性層22は、上述したように磁化固定層30との交換結合により、磁化固定層30の磁化の方向を固定するように作用している。
非磁性スペーサー層24は、磁化固定層30とフリー層50との間に介在される層である。非磁性スペーサー層24は、例えば、Cu,AuおよびAgからなる群のうち少なくとも1種を80重量%以上含む非磁性の導電性材料から構成される。その厚さは、例えば1〜4nm程度とされる。
フリー層50は、例えば、Coを含む合金層から構成され、例えば、CoFe合金からなる体心立方構造の磁性合金層とすることが好ましい。Coの含有割合は、50〜90原子%とすることが好ましい。この含有範囲で分極率が高く、しかもフリー層に要求される小さい保磁力特性が得られるからである。好適例としてCo50-90Fe(原子%)の合金層が挙げられる。その厚さは、2〜10nm程度とされる。厚さは、3〜7nm程度とされる。
フリー層50は、積層体構造としてもよく、例えば、非磁性スペーサー層24側から、Co50-90Fe(原子%)の合金層、およびホイスラー合金層からなる積層体を好適例として例示することができる。さらには、ホイスラー合金層をFe層でサンドイッチ状に挟み込むようにしてもよい。
次いで、上述してきた磁気抵抗効果素子を備えてなる薄膜磁気ヘッドの全体構成について説明する。前述したように図5および図6は本発明の好適な一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成について説明するための図面であり、図5は、薄膜磁気ヘッドのABSおよび基板に垂直な断面を示している。図6は、薄膜磁気ヘッドの磁極部分のABSに平行な断面を示している。
次に、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの作用について説明する。薄膜磁気ヘッドは、記録ヘッドによって記録媒体に情報を記録し、再生ヘッドによって、記録媒体に記録されている情報を再生する。
以下、本実施の形態に係るヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置について説明する。
スライダ210の空気流出側の端部(図7における左下の端部)の近傍には、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド100が形成されている。
幅W1で代表される素子の大きさと、テーパー角度θ1の関係が、アウターピン層31の薄層化に及ぼす影響を調べた。
・保護層26 材質:Ru 厚さ10nm
・フリー層50 材質:Co90Fe10 厚さ5nm
・非磁性スペーサー層24 材質:Cu 厚さ3nm
・インナーピン層33 材質:Co70Fe30 厚さ7nm
・非磁性中間層32 材質:Ru 厚さ0.8nm
・アウターピン層31 材質:Co70Fe30 厚さXnm
(X:求める厚さ)
・反強磁性層22 材質:IrMn 厚さ7nm
・下地層21 材質:NiFeCr(5nm)/Ta(1nm)
図1〜図4に示されるような幅W1(図2)、長さL1(図4)で代表される素子の大きさと、テーパー角度θ1(図2)、傾斜角θ2(図4)の関係が、アウターピン層31の薄層化に及ぼす影響を調べた。
・保護層26 材質:Ru 厚さ10nm
・フリー層50 材質:Co90Fe10 厚さ5nm
・非磁性スペーサー層24 材質:Cu 厚さ3nm
・インナーピン層33 材質:Co70Fe30 厚さ7nm
・非磁性中間層32 材質:Ru 厚さ0.8nm
・アウターピン層31 材質:Co70Fe30 厚さXnm
(X:パラメータ厚さ)
・反強磁性層22 材質:IrMn 厚さ7nm
・下地層21 材質:NiFeCr(5nm)/Ta(1nm)
上記表2におけるサンプル2−5−5の条件(t1=7nm、W1=L1=50nm、θ1=θ2=40°)、サンプル2−4−4の条件(t1=7nm、W1=L1=50nm、θ1=θ2=45°)およびサンプル2−2−2の条件(t1=7nm、W1=L1=50nm、θ1=θ2=60°)において、アウターピン層31の厚さt2を変えて、インナーピン層33の飽和磁化Msiと体積V1の積である(Msi×V1)値に対する、アウターピン層31の飽和磁化Msoと体積V2の積である(Mso×V2)値との比、で表される磁気体積比(Mso×V2)/(Msi×V1)が0.9〜1.1の範囲にあることの必要性を示すための実験を行なった。なお、各ピン層31、33の材質は同じであるので、V2/V1=0.9〜1.1を考慮すればよい。
2…絶縁層
3…第1のシールド層
4…絶縁膜
5…磁気抵抗効果素子(MR素子)
6…バイアス磁界印加層
7…絶縁層
8…第2のシールド層
9…記録ギャップ層
10…薄膜コイルの第1層部分
12…上部磁極層
15…薄膜コイル第2層部分
17…オーバーコート層
20…媒体対向面(ABS)
21…下地層
22…反強磁性層
24…非磁性スペーサー層
30…磁化固定層
31…アウターピン層
32…非磁性中間層
33…インナーピン層
50…フリー層
Claims (12)
- 非磁性スペーサー層と、
前記非磁性スペーサー層を挟むようにして積層形成される磁化固定層およびフリー層を有し、この積層方向にセンス電流が印加されてなるCPP(Current Perpendicular to Plane)構造のGMR(Giant Magneto-resistive)素子であって、
前記フリー層は、外部磁界に応じて磁化の方向が変化するように機能しており、
前記磁化固定層は、非磁性中間層を挟むようにしてインナーピン層およびアウターピン層が積層されたシンセティックピンドの形態を有しており、前記インナーピン層は、前記アウターピン層よりも前記非磁性スペーサー層に近い位置に配置されており、
前記インナーピン層は、媒体対向面から見た前記非磁性スペーサー層と接する位置における幅W1が50nm以下に設定されており、
前記磁化固定層は、媒体対向面側から見た両端部にテーパー部を有しており、
前記テーパー部は、素子の積層方向を中心軸方向として、前記非磁性スペーサー層に近づくにつれて狭まるテーパー形状をなし、媒体対向面側から見た積層面を基準線としてこの基準線に対するテーパー角度をθ1とした場合に、θ1は40°〜60°の角度範囲に設定されており、かつ、
前記インナーピン層の飽和磁化Msiと体積V1の積である(Msi×V1)値に対する、アウターピン層の飽和磁化Msoと体積V2の積である(Mso×V2)値との比、で表される磁気体積比(Mso×V2)/(Msi×V1)が0.9〜1.1の範囲にあり、かつ、
前記インナーピン層の飽和磁化Msiと厚さt1の積である(Msi×t1)値に対する、アウターピン層の飽和磁化Msoと厚さt2の積である(Mso×t2)値との比で表される磁気膜厚比(Mso×t2)/(Msi×t1)が、0.8以下となるように設定されていることを特徴とするCPP構造のGMR素子。 - 前記インナーピン層の上端部の幅W1は、10〜50nmである請求項1に記載のCPP構造のGMR素子。
- 前記テーパー角度は、θ1は45〜55°の角度範囲に設定されてなる請求項1または請求項2に記載のCPP構造のGMR素子。
- 前記磁化固定層は、媒体対向面に垂直な断面により見た奥域方向端面において、傾斜面を有しており、前記傾斜面は、前記非磁性スペーサー層に近づくにつれて狭まる形態を有するとともに積層面を基準とする傾斜角θ2を有し、θ2は、40°〜60°の角度範囲に設定されてなる請求項1ないし請求項3のいずれかに記載のCPP構造のGMR素子。
- 前記インナーピン層は、媒体対向面に垂直な断面により見た奥域方向端面において、前記非磁性スペーサー層と接する位置における奥域方向の長さL1が50nm以下に設定されてなる請求項1ないし請求項4のいずれかに記載のCPP構造のGMR素子。
- 前記インナーピン層の上端部の長さL1は、10〜50nmである請求項5に記載のCPP構造のGMR素子。
- 前記アウターピン層は、磁化の方向が固定された強磁性層を含み、
前記インナーピン層における磁化の方向は、前記アウター層における強磁性層の磁化の方向とは逆の方向(反平行方向)に固定されている請求項1ないし請求項6のいずれかに記載のCPP構造のGMR素子。 - 前記アウターピン層における強磁性層の磁化方向の固定は、前記アウターピン層に接して形成されている反強磁性層の作用により行なわれる請求項7に記載のCPP構造のGMR素子。
- 前記非磁性スペーサー層は、導電材料よりなる請求項1ないし請求項8のいずれかに記載のCPP構造のGMR素子。
- 記録媒体に対向する媒体対向面と、
前記記録媒体からの信号磁界を検出するために前記媒体対向面の近傍に配置された請求項1ないし請求項9のいずれかに記載されたCPP構造のGMR素子と、
前記磁気抵抗効果素子の積層方向に電流を流すための一対の電極と、
を有してなることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 請求項10に記載された薄膜磁気ヘッドを含み、記録媒体に対向するように配置されるスライダと、
前記スライダを弾性的に支持するサスペンションと、
を備えてなることを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。 - 請求項10に記載された薄膜磁気ヘッドを含み、記録媒体に対向するように配置されるスライダと、
前記スライダを支持するとともに前記記録媒体に対して位置決めする位置決め装置と、
を備えてなることを特徴とするハードディスク装置。
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