JP3818592B2 - 磁気抵抗効果装置およびその製造方法、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリならびにハードディスク装置 - Google Patents
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Description
[第1の実施の形態]
始めに、図4および図5を参照して、本発明の第1の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成および製造方法の概略について説明する。図4は薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面および基板に垂直な断面を示す断面図、図5は薄膜磁気ヘッドの磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示す断面図である。
次に、図13を参照して、本発明の第2の実施の形態に係る磁気抵抗効果装置の構成について説明する。図13は、本実施の形態に係る磁気抵抗効果装置のエアベアリング面に平行な断面を示す断面図である。本実施の形態に係る磁気抵抗効果装置は、第1の実施の形態と同様に、所定の間隔を開けて配置された第1のシールド層3および第2のシールド層8と、第1のシールド層3と第2のシールド層8との間に配置されたMR素子5と、第1のシールド層3とMR素子5との間に配置された下地層4とを備えている。本実施の形態に係る磁気抵抗効果装置は、更に、第1のシールド層3と下地層4との間に配置された導電層31と、MR素子5と第2のシールド層8との間に配置された導電層32とを備えている。導電層31、下地層4、MR素子5、導電層32および第2のシールド層8は第1のシールド層3に積層されている。導電層31は本発明における第1の導電層に対応する。導電層31,32は、MR素子5にセンス電流を流すために用いられる。第1の実施の形態と同様に、MR素子5は、例えば、スピンバルブ型GMR素子またはトンネル磁気抵抗効果を用いるTMR素子である。
次に、図14を参照して、本発明の第3の実施の形態に係る磁気抵抗効果装置の構成について説明する。図14は、本実施の形態に係る磁気抵抗効果装置のエアベアリング面に平行な断面を示す断面図である。本実施の形態に係る磁気抵抗効果装置は、第1の実施の形態と同様に、所定の間隔を開けて配置された第1のシールド層3および第2のシールド層8と、第1のシールド層3と第2のシールド層8との間に配置されたMR素子5と、第1のシールド層3とMR素子5との間に配置された下地層4とを備えている。本実施の形態に係る磁気抵抗効果装置は、更に、下地層4とMR素子5との間に配置された導電層33と、MR素子5と第2のシールド層8との間に配置された導電層32とを備えている。下地層4、導電層33、MR素子5、導電層32および第2のシールド層8は第1のシールド層3に積層されている。導電層33は本発明における第2の導電層に対応する。導電層33,32は、MR素子5にセンス電流を流すために用いられる。第1の実施の形態と同様に、MR素子5は、例えば、スピンバルブ型GMR素子またはトンネル磁気抵抗効果を用いるTMR素子である。
Claims (9)
- 所定の間隔を開けて配置された第1および第2のシールド層と、
前記第1のシールド層と第2のシールド層との間に配置された磁気抵抗効果素子と、
前記第1のシールド層と磁気抵抗効果素子との間に配置された下地層とを備え、
前記下地層、磁気抵抗効果素子および第2のシールド層は前記第1のシールド層に積層された磁気抵抗効果装置であって、
前記下地層は、一方の面が前記第1のシールド層に直接接する第1の層と、一方の面が前記第1の層の他方の面に接すると共に、他方の面が前記磁気抵抗効果素子に導電層を介して接する第2の層とを含み、
前記導電層は、結晶成長する材料よりなり、前記磁気抵抗効果素子に磁気的信号検出用の電流を流すために用いられるものであり、
前記第1の層の材料はTaであり、
前記第2の層の材料はNiおよびCrを含む合金であることを特徴とする磁気抵抗効果装置。 - 前記磁気抵抗効果素子は、スピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子であることを特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果装置。
- 前記磁気抵抗効果素子は、トンネル磁気抵抗効果を用いるものであることを特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果装置。
- 所定の間隔を開けて配置された第1および第2のシールド層と、
前記第1のシールド層と第2のシールド層との間に配置された磁気抵抗効果素子と、
前記第1のシールド層と磁気抵抗効果素子との間に配置された下地層とを備え、
前記下地層は、一方の面が前記第1のシールド層に直接接する第1の層と、一方の面が前記第1の層の他方の面に接すると共に、他方の面が前記磁気抵抗効果素子に導電層を介して接する第2の層とを含み、
前記導電層は、結晶成長する材料よりなり、前記磁気抵抗効果素子に磁気的信号検出用の電流を流すために用いられるものである磁気抵抗効果装置を製造する方法であって、
前記第1のシールド層を形成する工程と、
前記第1のシールド層の上に、直接前記下地層の第1の層を形成する工程と、
前記第1の層の上に前記第2の層を形成する工程と、
前記第2の層の上に、前記導電層を介して前記磁気抵抗効果素子を形成する工程と、
前記磁気抵抗効果素子の上に前記第2のシールド層を形成する工程とを備え、
前記第1の層、第2の層、導電層および磁気抵抗効果素子は、同一の薄膜形成方法により連続的に形成され、
前記第1の層の材料はTaであり、
前記第2の層の材料はNiおよびCrを含む合金であることを特徴とする磁気抵抗効果装置の製造方法。 - 前記磁気抵抗効果素子は、スピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子であることを特徴とする請求項4記載の磁気抵抗効果装置の製造方法。
- 前記磁気抵抗効果素子は、トンネル磁気抵抗効果を用いるものであることを特徴とする請求項4記載の磁気抵抗効果装置の製造方法。
- 記録媒体に対向する媒体対向面と、
前記記録媒体からの信号磁界を検出するために前記媒体対向面の近傍に配置された請求項1ないし3のいずれかに記載の磁気抵抗効果装置と
を備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 請求項7記載の薄膜磁気ヘッドを含み、記録媒体に対向するように配置されるスライダと、
前記スライダを弾性的に支持するサスペンションと
を備えたことを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。 - 請求項7記載の薄膜磁気ヘッドを含み、回転駆動される円盤状の記録媒体に対向するように配置されるスライダと、
前記スライダを支持すると共に前記記録媒体に対して位置決めする位置決め装置と
を備えたことを特徴とするハードディスク装置。
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