JP5247002B2 - 磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法 - Google Patents
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Description
磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、外部磁界に応答して電気信号を発生する磁気センサの部分は、磁気抵抗効果センサ膜をエッチングによって所定の大きさ、形状にして形成される。また、磁気センサとしては線形応答を要求されることが多く、これを達成するため、第1の強磁性層と第2の強磁性層の磁化の方向を略直交に設定することが行われることが多く、その手段としては、第1の強磁性層とそれに積層されたピニング層とを磁気的に結合することが行われる。このように、ピニング層は磁気抵抗効果型ヘッドにおいて極めて重要な役割を果たすことから、エッチングによる劣化は、ヘッド特性に非常に大きな影響を与える。そのため、ピニング層のエッチングによるダメージを調べた。
図1Aに、本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの磁気センサ部分の素子高さ方向の断面構造を示す。参考のため、図1(B)には、媒体対向面におけるトラック方向の構造を示す。また、図14は、素子高さ方向を形成する工程を示す概略図である。
高い再生分解能を達成するためには、下部シールド層11と上部シールド層21の距離を短くする必要があり、それによって静電容量が増加することになる。この問題を解決する本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの磁気センサ部分の素子高さ方向の断面構造を図4に示す。
高いトラック密度を達成するためには、トラック方向の読み滲みを低減する必要がある。これを実現する手段の一つとして、磁気センサ部のトラック方向の両脇にサイドシールドを配置する方法がある。この場合には、磁気抵抗効果センサ膜の上又は下に縦バイアス印加層を積層する、所謂インスタックバイアス構造にすることが好ましい。
図6に、本発明の他の磁気抵抗効果型ヘッドの磁気センサ部分の素子高さ方向の断面構造を示す。磁気抵抗効果センサ膜の素子高さ方向以外の作製方法は、実施例1と同様であるので、素子高さ方向の構造のみ説明する。
図7に、本発明の別の磁気抵抗効果型ヘッドの磁気センサ部分の素子高さ方向の断面構造を示す。本実施例においては、第1の強磁性層が、ピニング層13側の第3の強磁性膜141と、スペーサ層142と、中間層15側の第4の強磁性膜143とを積層した3層膜からなっている。
図8は、最も簡単なプロセスで作成できる本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの磁気センサ部分の素子高さ方向の断面構造を示す図である。素子高さ方向は第2の強磁性層16の長さで規定し、それよりも基板側の層の素子高さ方向の長さは、その素子高さよりも同じか又は長くし、基板側に近づくにつれて長くする。この形状は、単層のリフトオフマスク材でエッチング条件を変えることによって実現できるので、プロセスの安定性において最も優れている。
Claims (2)
- 基板上に、下部シールド層、下部ギャップ層、ピニング層、第1の強磁性層、中間層、第2の強磁性層、上部ギャップ層を形成する工程と、
前記第2の強磁性層あるいは中間層までをエッチングするためのマスクとして、下層レジストとその上に配置された前記下層レジストより素子高さ方向長さが長い上層レジストからなる2層レジストパターンを形成する工程と、
前記2層レジストパターンをマスクとし、エッチングイオンを基板法線方向から第1の入射角度で入射させて、前記第2の強磁性層あるいは中間層までエッチングする第1のエッチングを行う工程と、
エッチングイオンを基板法線方向から前記第1のエッチング角度より小さな第2の入射角度で入射させて前記下部シールド層の表面の一部までエッチングし、少なくとも前記下部シールド層の表面の一部、また、前記下部ギャップ層、ピニング層、第1の強磁性層の素子高さ方向端部をテーパ状に加工する第2のエッチング工程と、
エッチングイオンを基板法線方向から前記第2のエッチング工程の入射角度より大きな入射角度で入射させて、前記第2のエッチング工程で少なくとも前記ピニング層に付着した再付着物を除去する第3のエッチング工程と、
素子高さ方向リフィル膜を形成する工程と、
前記2層レジストパターンを除去する工程と、
上部シールド層を形成する工程と
を有することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。 - 基板上に、下部シールド層、下部ギャップ層、ピニング層、第1の強磁性層、中間層、第2の強磁性層、上部ギャップ層を形成する工程と、
前記第2の強磁性層あるいは中間層までをエッチングするためのマスクとなる第1のレジストパターンを形成する工程と、
前記第1のレジストパターンをマスクとし、エッチングイオンを基板法線方向から第1の入射角度で入射させて、前記第2の強磁性層あるいは中間層までエッチングする第1のエッチングを行う工程と、
前記第1のレジストパターンを除去する工程と、
前記下部シールド層までをエッチングするためのマスクとなる、前記第1のレジストパターンより素子高さ方向長さが長い第2のレジストパターンを形成する工程と、
前記第2のレジストパターンをマスクとして、エッチングイオンを基板法線方向から前記第1のエッチング角度より大きな第2の入射角度で入射させて前記下部シールド層の表面の一部までエッチングし、少なくとも前記下部シールド層の表面の一部、また、前記下部ギャップ層、ピニング層、第1の強磁性層の素子高さ方向端部をテーパ状に加工する第2のエッチング工程と、
エッチングイオンを基板法線方向から前記第2のエッチング工程の入射角度より大きな入射角度で入射させて、前記第2のエッチング工程で少なくとも前記ピニング層に付着した再付着物を除去する第3のエッチング工程と、
素子高さ方向リフィル膜を形成する工程と、
前記2層レジストパターンを除去する工程と、
上部シールド層を形成する工程と
を有することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。
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