JP3958947B2 - 磁気検出素子及びその製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＣＰＰ（current perpendicular to the plane）型の磁気検出素子に係り、特に、磁気検出素子を構成する薄膜層間の短絡を防止することができ、品質を向上させることのできる磁気検出素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１６から図１９は、従来の磁気検出素子及びその製造方法を示す図である。これらの図は、磁気検出素子の記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。
【０００３】
図１６に示す工程では、基板（図示せず）上に、下部シールド１、下部電極層２、下地層３、シード層４、反強磁性層５、第１固定磁性層６ａ、非磁性中間層６ｂ、第２固定磁性層６ｃからなる固定磁性層６、非磁性材料層７、および第１フリー磁性層８ａ、非磁性中間層８ｂ、第２フリー磁性層８ｃからなるフリー磁性層８、保護層９を連続してスパッタ成膜する。下地層３から保護層９までが多層膜Ｔを形成している。
【０００４】
下部シールド１はＮｉＦｅ、下部電極層２はＣｕ、下地層３はＴａ、シード層４はＮｉＦｅ、反強磁性層５はＰｔＭｎ、第１固定磁性層６ａ、第２固定磁性層６ｃ、第１フリー磁性層８ａ、及び第２フリー磁性層８ｃはＣｏＦｅ、非磁性中間層６ｂ、８ｂはＲｕ、非磁性材料層７はＣｕ、保護層９はＴａによって形成される。
【０００５】
多層膜Ｔの表面上にレジスト層Ｒ１を形成する。レジスト層Ｒ１のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法は、磁気検出素子のトラック幅と同程度で形成する。
【０００６】
そして図１７に示す工程では、レジスト層Ｒ１に覆われていない、下地層３から保護層９までの各層で構成される多層膜Ｔの両側領域を多層膜Ｔ表面の法線方向から角度θ傾いた方向からのイオンミリングなどで除去し、多層膜Ｔを台形状に加工する。角度θはおおよそ５°である。
【０００７】
さらに、図１８に示す工程では、多層膜Ｔの両側領域にアルミナからなる絶縁層１０及びＣｏＰｔからなるハードバイアス層１１及びアルミナからなる絶縁層１２がスパッタ成膜される。
【０００８】
絶縁層１２を成膜した後、レジスト層Ｒ１を除去し、Ｃｕからなる上部電極層１３及びＮｉＦｅからなる上部シールド層１４を積層すると、図１９に示される磁気検出素子が得られる。
【０００９】
図１９に示された磁気検出素子は、いわゆるスピンバルブ型磁気検出素子であり、固定磁性層の磁化方向が、適正に図示Ｙ方向に平行な方向に固定され、しかもフリー磁性層の磁化が適正に図示Ｘ方向に揃えられており、固定磁性層とフリー磁性層の磁化が直交関係にある。記録媒体からの洩れ磁界が磁気検出素子の図示Ｙ方向に侵入し、フリー磁性層の磁化が感度良く変動し、この磁化方向の変動と、固定磁性層の固定磁化方向との関係で電気抵抗が変化し、この電気抵抗値の変化に基づく電圧変化により、記録媒体からの洩れ磁界が検出される。
【００１０】
また、図１９に示される磁気検出素子は、多層膜Ｔを構成する各層の膜面に垂直な方向、例えば上部電極層１３から下部電極層２に向けてセンス電流を流すＣＰＰ型の磁気検出素子である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
図１９に示された従来の磁気検出素子では、絶縁層１２の上面が多層膜Ｔのトラック幅方向における側端面Ｔｓ付近で下方に湾曲し、絶縁層１２の上面と側端面Ｔｓの間に窪みＡができる。
【００１２】
これは、前述した図１８の工程において、多層膜Ｔの側端面Ｔｓ付近がレジスト層Ｒ１の影になるため、絶縁層１０、ハードバイアス層１１及び絶縁層１２の材料が積層されにくくなるためである。また、絶縁層１２にアルミナを用いた場合、上部電極層１３をパターン形成するときに、アルカリに接触することによって窪みＡはさらに広がってしまう。
【００１３】
図１８に示されるような窪みＡが多層膜Ｔの周囲に形成されると、上部電極層１３を形成するとき、上部電極層１３を形成する導電性材料、この場合はＣｕがこの窪みＡに入り込み、多層膜Ｔの側端面Ｔｓと上部電極層１３が電気的に短絡してしまう。
【００１４】
多層膜Ｔの側端面Ｔｓと上部電極層１３が電気的に短絡すると、多層膜Ｔと上部電極層１３の電気的な接合面積が変化し、磁気検出素子の磁界検出感度が変化してしまう。
【００１５】
特に、図１９に示されたようなフリー磁性層８が反強磁性層５の上層にある、いわゆるボトムスピンバルブ型の磁気検出素子の場合には、フリー磁性層８の側端面と上部電極層１３が電気的に短絡しやすくなり、出力の劣化が大きくなりやすい。
【００１６】
さらに、窪みＡの上面が点線Ｂの位置まで広がると、上部電極層１３がフリー磁性層８、非磁性材料層７及び固定磁性層６の全ての側端面と接触し、フリー磁性層８と固定磁性層６が短絡するので、磁気検出素子の磁界検出力が失われてしまう。
【００１７】
ここで、多層膜Ｔの側端面Ｔｓと上部電極層１３の短絡を防ぐために、図２０のように、絶縁層１２を厚く成膜すると、レジストＲ１の上面及び側面に堆積した絶縁層１０、ハードバイアス層１１及び絶縁層１２の材料からなる層Ｓと絶縁層１２がつながり、レジスト層Ｒ１を除去した後に、図２１に示されるように、絶縁層１２にバリＣが形成されてしまう。
【００１８】
バリＣが形成された絶縁層１２上に上部電極層１３を積層すると、上部電極層１３の形状を安定させることができなくなり、多層膜Ｔと上部電極層１３の接続抵抗が変化してしまう。
【００１９】
本発明は、上記従来の課題を解決するためのものであり、上部電極層を安定した形状で形成でき、また、多層膜の上面のみに上部電極層を接合させることにより、磁気検出素子の磁界検出感度の低下を防止できる磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的としている。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、下から順に、反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層及びフリー磁性層が積層されている多層膜、前記多層膜の各層の膜面と垂直方向に電流を供給する上部電極層及び下部電極層を有する磁気検出素子において、
前記多層膜のトラック幅方向における側端面の、前記多層膜の上面に対する傾斜角度は、前記固定磁性層のトラック幅方向における側端面内の所定の位置の上側より下側の方が大きいことを特徴とするものである。
または、本発明は、下から順に、反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層及びフリー磁性層が積層されている多層膜、前記多層膜の各層の膜面と垂直方向に電流を供給する上部電極層及び下部電極層を有する磁気検出素子において、
前記多層膜のトラック幅方向における側端面の、前記多層膜の上面に対する傾斜角度は、前記反強磁性層のトラック幅方向における側端面内の所定の位置の上側より下側の方が大きいことを特徴とする磁気検出素子。
【００２１】
また、本発明は、反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層及びフリー磁性層を有する多層膜、前記多層膜の各層の膜面と垂直方向に電流を供給する上部電極層及び下部電極層を有する磁気検出素子において、
前記多層膜のトラック幅方向における側端面の、前記多層膜の上面に対する傾斜角度は、前記フリー磁性層より下層の所定の位置の上側より下側の方が大きく、前記上部電極層と前記多層膜の側端面を電気的に絶縁する絶縁層が形成されており、前記絶縁層の上面が平坦面であることを特徴とするものである。
或いは、本発明は、反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層及びフリー磁性層を有する多層膜、前記多層膜の各層の膜面と垂直方向に電流を供給する上部電極層及び下部電極層を有する磁気検出素子において、
前記多層膜のトラック幅方向における側端面の、前記多層膜の上面に対する傾斜角度は、前記フリー磁性層より下層の所定の位置の上側より下側の方が大きく、前記フリー磁性層に重なる位置に反強磁性材料からなりフリー磁性層の磁化方向をトラック幅方向に揃えるエクスチェンジバイアス層が形成されていることを特徴とするものである。
または、本発明は、反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層及びフリー磁性層を有する多層膜、前記多層膜の各層の膜面と垂直方向に電流を供給する上部電極層及び下部電極層を有する磁気検出素子において、
前記多層膜のトラック幅方向における側端面の、前記多層膜の上面に対する傾斜角度は、前記フリー磁性層より下層の所定の位置の上側より下側の方が大きく、前記フリー磁性層の前記非磁性材料層が形成された面と反対側の面には、分離層を介して、強磁性材料からなり、フリー磁性層の磁化方向をトラック幅方向に揃えるインスタックバイアス層が形成されていることを特徴とするものである。
【００２２】
本発明では、前記多層膜の側端面の前記傾斜角度が、前記所定の位置の上側より下側の方が大きくなるように、前記多層膜が形成されている。
前記多層膜がこのような形状を有すると、前記多層膜の両側領域の前記下部電極層または前記下部シールド層上に、絶縁層などを積層するときに、前記多層膜の前記所定の位置よりも下側の側端面の傾斜角度が大きくなっている部分が持ち上げ層の役目を果たし、前記多層膜の両側領域に積層される層（前記絶縁層など）の上面と前記多層膜の側端面の間に窪みが形成されることを防ぐことができる。
【００２３】
従って、前記多層膜の側端面と上部電極層の電気的な短絡を防止できるので、前記多層膜と前記上部電極層の電気的な接合面積を一定に保つことができ、磁気検出素子の磁界検出感度を安定化できる。
【００２４】
また、前記多層膜の側端面と上部電極層を電気的に絶縁する絶縁層の厚さを前記絶縁層にバリが形成されない程度まで薄くすることができる。
【００２５】
なお、前記多層膜の前記所定の位置よりも下側に形成されている層は、上側に形成されている層よりも、トラック幅方向の幅寸法が著しく大きくなる。しかし、本発明では、前記多層膜の側端面の前記傾斜角度が変化する前記所定の位置が前記フリー磁性層より下層であるので、磁気検出素子のトラック幅を規定するフリー磁性層のトラック幅方向の幅寸法が、著しく大きくなることを避けることができる。
【００２６】
また、本発明は、反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層及びフリー磁性層を有する多層膜、前記多層膜の各層の膜面と垂直方向に電流を供給する上部電極層及び下部電極層を有する磁気検出素子において、
前記下部電極層の下側に下部シールド層が形成され、前記下部電極層と前記下部シールド層のうち少なくとも、前記下部電極層には前記多層膜のトラック幅方向における側端面と連続した平面部を有する側面部が形成され、前記側面部の前記多層膜の上面に対する傾斜角度は、前記側面部の所定の位置の上側より下側の方が大きいことを特徴とするものである。
【００２７】
本発明では、前記多層膜の下層の前記下部電極層または前記下部シールド層の側面部の前記傾斜角度が、前記所定の位置の上側より下側の方が大きくなるようにしている。
【００２８】
本発明では、前記多層膜の両側領域の、前記下部電極層または前記下部シールド層上に、前記絶縁層などを積層するときに、前記所定の位置よりも下側の側面部の傾斜角度が大きくなっている部分が持ち上げ層の役目を果たし、前記多層膜の両側領域に積層される層（前記絶縁層など）の上面と前記多層膜の側端面の間に窪みが形成されることを防ぐことができる。
【００２９】
従って、前記多層膜の側端面と上部電極層の電気的な短絡を防止できるので、前記多層膜と前記上部電極層の電気的な接合面積を一定に保つことができ、磁気検出素子の磁界検出感度を安定化できる。
【００３０】
また、前記多層膜の側端面と上部電極層を電気的に絶縁する絶縁層の厚さを前記絶縁層にバリが形成されない程度まで薄くすることができる。
【００３１】
特に、本発明では、前記多層膜の両側領域に積層される層（前記絶縁層など）の上面と前記多層膜の上面を同一平面として、この平面上に上部電極層を積層することもできる。
【００３２】
また、本発明では、前記上部電極層と前記多層膜の側端面を電気的に絶縁する絶縁層が形成されていることが好ましい。特に本発明では、前記絶縁層の上面を平坦面とすることができる。
【００３３】
つまり、前記多層膜の両側領域に積層される層（前記絶縁層など）の最上層を絶縁層としたとき、この絶縁層の上面を平坦面とすることができ、前記絶縁層の上面と前記多層膜の上面を同一平面として、この平面上に上部電極層を積層することができるので、上部電極層の形状を安定化できる。
【００３４】
なお、本発明では、前記下部電極層と前記多層膜の側端面を電気的に絶縁する絶縁層が前記多層膜の側端面上に形成されていることが好ましい。
【００３５】
本発明は、前記多層膜において、下から順に、前記反強磁性層、前記固定磁性層、前記非磁性材料層及び前記フリー磁性層が積層されているものとすることができる。
【００３６】
前記フリー磁性層が前記反強磁性層の上層にある、いわゆるボトムスピンバルブ型の磁気検出素子の場合には、前記フリー磁性層の側端面と前記上部電極層の電気的な短絡が発生しやすい。それゆえ、本発明の有効性が高くなる。
【００３７】
ボトムスピンバルブ型の磁気検出素子の場合、前記多層膜の側端面の前記傾斜角度が変化する前記所定の位置を、例えば、前記固定磁性層又は前記反強磁性層のトラック幅方向における側端面内にすることができる。
【００３８】
ただし、本発明は、前記多層膜において、下から順に、前記フリー磁性層、前記非磁性材料層、前記固定磁性層、及び前記反強磁性層が積層されている、いわゆるトップスピンバルブ型の磁気検出素子であってもよい。
【００３９】
また、本発明は、例えば、前記多層膜の、少なくとも前記フリー磁性層のトラック幅方向における側端面に対向して、硬磁性材料からなり、フリー磁性層の磁化方向をトラック幅方向に揃えるハードバイアス層が形成されているものである。
【００４０】
または、前記フリー磁性層に重なる位置に、反強磁性材料からなり、フリー磁性層の磁化方向をトラック幅方向に揃えるエクスチェンジバイアス層が形成されているものでもよい。
【００４１】
或いは、前記フリー磁性層の前記非磁性材料層が形成された面と反対側の面には、分離層を介して、強磁性材料からなり、フリー磁性層の磁化方向をトラック幅方向に揃えるインスタックバイアス層が設けられているものでもよい。
【００４２】
なお、前記多層膜のトラック幅方向における側端面には、スペキュラー膜が設けられていることが好ましい。
【００４３】
なお本発明では、前記フリー磁性層のトラック幅方向の幅寸法で規定されるトラック幅は約１０ｎｍ以上で１００ｎｍ以下であることが好ましい。より好ましくは６０ｎｍ以下であることが好ましい。前記トラック幅が、上記数値範囲程度に狭小化されると、さらなる再生出力の向上を図ることができる。
【００４４】
また、本発明の磁気検出素子の製造方法は、以下の工程を有することを特徴とするものである。
（ａ）基板上に、下部シールド層、下部電極層、反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層、及びフリー磁性層を有する多層膜を形成する工程と、
（ｂ）前記多層膜上にレジスト層を形成し、前記多層膜上面の法線方向に対する第１の入射角度のミリングにより、前記レジスト層に覆われていない前記多層膜を、前記多層膜の前記フリー磁性層より下層の所定の位置まで、或いは、前記下部電極層または前記下部シールド層の所定の位置まで除去する工程と、
（ｃ）前記多層膜上面の法線方向に対し、第１の入射角度よりも大きな第２の入射角度のミリングにより、前記多層膜、或いは、前記下部電極層または前記下部シールド層の前記所定の位置より下層を除去する工程と、
（ｄ）前記レジスト層を除去する工程と、
（ｅ）前記多層膜の上面に電気的に接続される上部電極層を形成する工程。
【００４５】
本発明の磁気検出素子の製造方法では、前記（ｂ）と前記（ｃ）の工程で、ミリングの傾斜角度を変えることより、前記多層膜の側端面の、前記多層膜の上面に対する傾斜角度を、前記所定の位置の上側より下側の方を大きくすることができる。
【００４６】
前記多層膜がこのような形状を有すると、前記多層膜の両側領域の前記下部電極層または前記下部シールド層上に、絶縁層などを積層するときに、前記多層膜の前記所定の位置よりも下側の側端面の傾斜角度が大きくなっている部分が持ち上げ層の役目を果たし、前記多層膜の両側領域に積層される層（前記絶縁層など）の上面と前記多層膜の側端面の間に窪みが形成されることを防ぐことができる。
【００４７】
従って、前記多層膜の側端面と上部電極層の電気的な短絡を防止できるので、前記多層膜と前記上部電極層の電気的な接合面積を一定に保つことができ、磁気検出素子の磁界検出感度を安定化できる。
【００４８】
また、前記多層膜の側端面と上部電極層を電気的に絶縁する絶縁層の厚さを前記絶縁層にバリが形成されない程度まで薄くすることができる。
【００４９】
なお、前記（ｂ）の工程において、第１の入射角度を５°〜２０°に設定し、前記（ｃ）の工程において、第２の入射角度を４５°〜６０°に設定することが好ましい。
【００５０】
また、前記（ｃ）工程と前記（ｄ）工程の間に、
（ｆ）前記上部電極層と前記多層膜の側端面を電気的に絶縁する絶縁層を成膜する工程を有することが好ましく、特に、前記絶縁層の上面を平坦面とすることがより好ましい。
【００５１】
また、前記（ｃ）工程と前記（ｄ）工程の間に、
（ｇ） 前記下部電極層と前記多層膜のトラック幅方向の側端面を電気的に絶縁する絶縁層を前記多層膜の側端面上に形成する工程を有することが好ましい。
【００５２】
本発明では、前記（ａ）の工程において、下から順に、前記反強磁性層、前記固定磁性層、前記非磁性材料層及び前記フリー磁性層を積層してもよいし、下から順に、前記フリー磁性層、前記非磁性材料層、前記固定磁性層、及び前記反強磁性層を積層してもよい。
【００５３】
また、前記（ｃ）工程と前記（ｄ）工程の間に、
（ｈ）少なくとも前記フリー磁性層のトラック幅方向における側端面に対向して、硬磁性材料からなるハードバイアス層を形成する工程を有してもよい。
【００５４】
または、前記（ｃ）工程と前記（ｄ）工程の間に、
（ｉ）前記フリー磁性層に重なる位置に、反強磁性材料からなるエクスチェンジバイアス層を形成する工程を有してもよい。
【００５５】
或いは、前記（ａ）の工程において、前記フリー磁性層の前記非磁性材料層が形成された面と反対側の面に、分離層を介して、強磁性材料からなるインスタックバイアス層を形成してもよい。
【００５６】
また、本発明では、前記（ｃ）工程と前記（ｄ）工程の間に、
（ｊ）前記多層膜のトラック幅方向における側端面に、スペキュラー膜を成膜する工程を有することが好ましい。
【００５７】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明における第１の実施形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。
【００５８】
図１に示す磁気検出素子は、記録媒体に記録された外部信号を再生するためのＭＲヘッドである。記録媒体との対向面は、例えば磁気検出素子の構成する薄膜の膜面に垂直で且つ磁気検出素子のフリー磁性層の外部磁界が印加されていないときの磁化方向と平行な平面である。図１では、記録媒体との対向面はＸ−Ｚ平面に平行な平面である。
【００５９】
なお、磁気検出素子が浮上式の磁気ヘッドに用いられる場合、記録媒体との対向面とは、いわゆるＡＢＳ面のことである。
【００６０】
また磁気検出素子は、例えばアルミナ−チタンカーバイト（Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ）で形成されたスライダのトレーリング端面上に形成される。スライダは、記録媒体との対向面と逆面側で、ステンレス材などによる弾性変形可能な支持部材と接合され、磁気ヘッド装置が構成される。
【００６１】
なお、トラック幅方向とは、外部磁界によって磁化方向が変動する領域の幅方向のことであり、例えば、フリー磁性層の外部磁界が印加されていないときの磁化方向、すなわち図示Ｘ方向である。トラック幅方向のフリー磁性層の幅寸法が磁気検出素子のトラック幅Ｔｗを規定する。
【００６２】
なお、記録媒体は磁気検出素子の記録媒体との対向面に対向しており、図示Ｚ方向に移動する。この記録媒体からの洩れ磁界方向は図示Ｙ方向である。
【００６３】
図１では、下部シールド層２１上に下部電極層２２が積層されている。下部電極層２２上には、下地層２３、シード層２４、反強磁性層２５、第１固定磁性層２６ａ、非磁性中間層２６ｂ、第２固定磁性層２６ｃからなるシンセティックフェリピンド型の固定磁性層２６、非磁性材料層２７、第２フリー磁性層２８ａ、非磁性中間層２８ｂ、第１フリー磁性層２８ｃからなるシンセティックフェリフリー型のフリー磁性層２８、保護層２９が下から順に積層された多層膜Ｔ１が形成されている。
【００６４】
多層膜Ｔ１の上層には、上部電極層３４、上部シールド層３５が形成されている。
【００６５】
多層膜Ｔ１の両側領域の下部電極層２２上と、多層膜Ｔ１の側端面Ｔ１ｓ上には、絶縁層３０が積層されている。この絶縁層３０によって、多層膜Ｔ１のトラック幅方向における側端面Ｔ１ｓと下部電極層２２が電気的に絶縁されている。
【００６６】
絶縁層３０上には、バイアス下地層３１を介して、ハードバイアス層３２が、フリー磁性層２８に対向する位置に積層されている。ハードバイアス層３２上に絶縁層３３が積層されている。この絶縁層３３によって、上部電極層３４と、多層膜Ｔ１の側端面Ｔ１ｓ、ハードバイアス層３２及びバイアス下地層３１が絶縁されている。
【００６７】
なお、本実施の形態では、絶縁層３０が多層膜Ｔ１の側端面Ｔ１ｓ全面を絶縁している。ただし、フリー磁性層２８とハードバイアス層３２との間では、十分なバイアス磁界がかかるように絶縁層３０を薄く形成している。
【００６８】
図１に示される磁気検出素子は、いわゆるボトム型のスピンバルブ型磁気検出素子である。
【００６９】
図１に示された磁気検出素子は固定磁性層２６の磁化方向が、反強磁性層２５との間の交換異方性磁界によって、適正に図示Ｙ方向に平行な方向に固定され、しかもフリー磁性層２８の磁化が、ハードバイアス層からの静磁界によって適正に図示Ｘ方向に揃えられており、固定磁性層２６とフリー磁性層２８の磁化が交叉している。
【００７０】
記録媒体からの洩れ磁界が磁気検出素子の図示Ｙ方向に侵入し、フリー磁性層２８の磁化が感度良く変動し、この磁化方向の変動と、固定磁性層２６の固定磁化方向との関係で電気抵抗が変化し、この電気抵抗値の変化に基づく電圧変化により、記録媒体からの洩れ磁界が検出される。
【００７１】
ただし、電気抵抗値の変化（出力）に直接寄与するのは第２固定磁性層２６ｃの磁化方向と第２フリー磁性層２８ａの磁化方向の相対角であり、これらの相対角が検出電流が通電されている状態かつ信号磁界が印加されていない状態で直交していることが好ましい。
【００７２】
本発明の磁気検出素子は、多層膜Ｔ１を構成する各層の膜面に垂直な方向、例えば上部電極層３４から下部電極層２２に向けてセンス電流が流れる。センス電流が、多層膜Ｔ１内の各層を膜面と垂直方向に流れる磁気検出素子をＣＰＰ型の磁気検出素子という。
【００７３】
下部シールド層２１、下部電極層２２、下地層２３、シード層２４、反強磁性層２５、固定磁性層２６、非磁性材料層２７、フリー磁性層２８、保護層２９、絶縁層３０、バイアス下地層３１、ハードバイアス層３２、絶縁層３３、上部電極層３４、上部シールド層３５はスパッタ法や蒸着法などの薄膜形成プロセスによって形成される。
【００７４】
下部シールド層２１及び上部シールド層３５はＮｉＦｅなどの磁性材料を用いて形成される。なお、下部シールド層２１及び上部シールド層３５は磁化容易軸がトラック幅方向（図示Ｘ方向）を向いていることが好ましい。下部シールド層２１及び上部シールド層３５は、電解メッキ法によって形成されてもよい。
【００７５】
下地層２３は、Ｔａ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗのうち少なくとも１種以上で形成されることが好ましい。下地層２３は５０Å以下程度の膜厚で形成される。なおこの下地層２３は形成されていなくても良い。
【００７６】
シード層２４は、ＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｒやＣｒなどを用いて形成する。
なお本発明における磁気検出素子は各層の膜面と垂直方向にセンス電流が流れるＣＰＰ型であるため、シード層２４にも適切にセンス電流が流れる必要性がある。よってシード層２４は比抵抗の高い材質でないことが好ましい。すなわちＣＰＰ型ではシード層２４はＮｉＦｅ合金、Ｃｒなどの比抵抗の低い材質で形成されることが好ましい。なおシード層２４は形成されなくても良い。
【００７７】
反強磁性層２５は、ＰｔＭｎ合金、または、Ｘ―Ｍｎ（ただしＸは、Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｎｉ，Ｆｅのいずれか１種または２種以上の元素である）合金で、あるいはＰｔ―Ｍｎ―Ｘ′（ただしＸ′は、Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｏｓ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ａｒ，Ｎｅ，Ｘｅ，Ｋｒのいずれか１または２種以上の元素である）合金で形成する。
【００７８】
これらの合金は、成膜直後の状態では、不規則系の面心立方構造（ｆｃｃ）であるが、熱処理によってＣｕＡｕＩ型の規則型の面心正方構造（ｆｃｔ）に構造変態する。
【００７９】
反強磁性層２５の膜厚は、トラック幅方向の中心付近において８０〜３００Å、例えば２００Åである。
【００８０】
ここで、反強磁性層２５を形成するための、ＰｔＭｎ合金及びＸ−Ｍｎの式で示される合金において、ＰｔあるいはＸが３７〜６３ａｔ％の範囲であることが好ましい。また、ＰｔＭｎ合金及びＸ−Ｍｎの式で示される合金において、ＰｔあるいはＸが４７〜５７ａｔ％の範囲であることがより好ましい。特に規定しない限り、〜で示す数値範囲の上限と下限は以下、以上を意味する。
【００８１】
また、Ｐｔ−Ｍｎ−Ｘ’の式で示される合金において、Ｘ’＋Ｐｔが３７〜６３ａｔ％の範囲であることが好ましい。また、Ｐｔ−Ｍｎ−Ｘ’の式で示される合金において、Ｘ’＋Ｐｔが４７〜５７ａｔ％の範囲であることがより好ましい。さらに、Ｐｔ−Ｍｎ−Ｘ’の式で示される合金において、Ｘ’が０．２〜１０ａｔ％の範囲であることが好ましい。ただし、Ｘ’がＰｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｎｉ，Ｆｅのいずれか１種または２種以上の元素である場合には、Ｘ’は０．２〜４０ａｔ％の範囲であることが好ましい。
【００８２】
これらの合金を使用し、これを熱処理することにより、大きな交換結合磁界を発生する反強磁性層２５を得ることができる。特に、ＰｔＭｎ合金であれば、４８ｋＡ／ｍ以上、例えば６４ｋＡ／ｍを越える交換結合磁界を有し、交換結合磁界を失うブロッキング温度が３８０℃と極めて高い優れた反強磁性層２５を得ることができる。
【００８３】
第１固定磁性層２６ａ及び第２固定磁性層２６ｃは、強磁性材料により形成されるもので、例えばＮｉＦｅ合金、Ｃｏ、ＣｏＦｅＮｉ合金、ＣｏＦｅ合金、ＣｏＮｉ合金などにより形成されるものであり、特にＣｏＦｅ合金またはＣｏにより形成されることが好ましい。また、第１固定磁性層２６ａ及び第２固定磁性層２６ｃは同一の材料で形成されることが好ましい。
【００８４】
また、非磁性中間層２６ｂは、非磁性材料により形成されるもので、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｒｅ、Ｃｕのうち１種またはこれらの２種以上の合金で形成されている。特にＲｕによって形成されることが好ましい。
【００８５】
第１固定磁性層２６ａ及び第２固定磁性層２６ｃは、それぞれ１０〜７０Å程度で形成される。また非磁性中間層２６ｂの膜厚は３Å〜１０Å程度で形成で形成される。
【００８６】
なお固定磁性層２６は上記したいずれかの磁性材料を使用した１層構造あるいは上記したいずれかの磁性材料からなる層とＣｏ層などの拡散防止層の２層構造で形成されていても良い。
【００８７】
非磁性材料層２７は、固定磁性層２６とフリー磁性層２８との磁気的な結合を防止する層であり、Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｕ，Ａｇなど導電性を有する非磁性材料により形成されることが好ましい。特にＣｕによって形成されることが好ましい。非磁性材料層２７は例えば１８〜３０Å程度の膜厚で形成される。
【００８８】
また非磁性材料層２７は、Ａｌ₂Ｏ₃やＳｉＯ₂などの絶縁材料で形成されていてもよいが、本発明のようにＣＰＰ型の磁気検出素子の場合には、非磁性材料層２７内部にも、膜面と垂直方向にセンス電流が流れるようにしなければならないので、非磁性材料層２７が絶縁物であるときは、非磁性材料層２７の膜厚を５０Åに薄くして形成して絶縁耐圧を低下させる必要がある。また非磁性材料層２７をＡｌ₂Ｏ₃やＴａＯ₂などの鏡面反射効果を有する材質で形成したときは、非磁性材料層２７をスペキュラー膜や実効的な素子面積を低減させる電流制限層として機能させることもできる。
【００８９】
第１フリー磁性層２８ｃ及び第２フリー磁性層２８ａは、強磁性材料により形成されるもので、例えばＮｉＦｅ合金、Ｃｏ、ＣｏＦｅＮｉ合金、ＣｏＦｅ合金、ＣｏＮｉ合金などにより形成されるものであり、特にＮｉＦｅ合金またはＣｏＦｅ合金、ＣｏＦｅＮｉ合金により形成されることが好ましい。
【００９０】
また本実施の形態では、第１フリー磁性層２８ｃ及び第２フリー磁性層２８ａの少なくとも一方を、以下の組成を有する磁性材料で形成することが好ましい。
【００９１】
組成式がＣｏＦｅＮｉで示され、Ｆｅの組成比は９原子％以上で１７原子％以下で、Ｎｉの組成比は０．５原子％以上で１０原子％以下で、残りの組成はＣｏ。
【００９２】
これにより第１フリー磁性層２８ｃと第２フリー磁性層２８ａ間で発生するＲＫＫＹ相互作用における交換結合磁界を強くすることができる。具体的には、反平行状態が崩れるときの磁界、すなわちスピンフロップ磁界（Ｈｓｆ）を約２９３（ｋＡ／ｍ）にまで大きくすることができる。
【００９３】
よって、第１フリー磁性層２８ｃ及び第２フリー磁性層２８ａの磁化を適切に反平行状態にできる。
【００９４】
なお第１フリー磁性層２８ｃ及び第２フリー磁性層２８ａの双方を前記ＣｏＦｅＮｉ合金で形成することが好ましい。これにより、より安定して高いスピンフロップ磁界を得ることができ、第１フリー磁性層２８ｃと第２フリー磁性層２８ａとを適切に反平行状態に磁化できる。
【００９５】
また上記した組成範囲内であると、第１フリー磁性層２８ｃと第２フリー磁性層２８ａの磁歪を−３×１０^-6から３×１０^-6の範囲内に収めることができ、また保磁力を７９０（Ａ／ｍ）以下に小さくできる。
【００９６】
さらに、フリー磁性層２８の軟磁気特性の向上、フリー磁性層２８と非磁性材料層２７間でのＮｉの拡散による抵抗変化量（ΔＲ）や抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）の低減の抑制を適切に図ることが可能である。
【００９７】
なお、第２フリー磁性層２８ａと非磁性材料層２７間にＣｏなどからなる拡散防止層を設け、第１フリー磁性層２８ａ及び第２フリー磁性層２８ｃの少なくとも一方をＣｏＦｅＮｉ合金で形成するとき、前記ＣｏＦｅＮｉ合金のＦｅの組成比を７原子％以上で１５原子％以下、Ｎｉの組成比を５原子％以上で１５原子％以下、残りの組成比をＣｏにすることが好ましい。
【００９８】
非磁性中間層２８ｂは、非磁性材料により形成されるもので、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｒｅ、Ｃｕのうち１種またはこれらの２種以上の合金で形成されている。特にＲｕによって形成されることが好ましい。
【００９９】
第１フリー磁性層２８ｃ及び第２フリー磁性層２８ａは、それぞれ１０〜７０Å程度で形成される。また非磁性中間層２８ｂの膜厚は３Å〜１０Å程度で形成される。
【０１００】
なお、第２フリー磁性層２８ａが２層構造で形成され、非磁性材料層２７と対向する側にＣｏ膜が形成されていることが好ましい。これにより非磁性材料層２７との界面での金属元素等の拡散を防止でき、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を大きくすることができる。
【０１０１】
なおフリー磁性層２８は上記したいずれかの磁性材料を使用した１層構造で形成されていても良い。
【０１０２】
保護層２９は、Ｔａ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗのうち少なくとも１種以上で形成される。保護層２９の膜厚は３０Å程度である。
【０１０３】
また、図１では、磁気的膜厚（Ｍｓ×ｔ；飽和磁化と膜厚の積）が異なる第１固定磁性層２６ａと第２固定磁性層２６ｃが、非磁性中間層２６ｂを介して積層されたものが、一つの固定磁性層２６として機能する。
【０１０４】
第１固定磁性層２６ａは反強磁性層２５と接して形成され、磁場中アニールが施されることにより、第１固定磁性層２６ａと反強磁性層２５との界面にて交換結合による交換異方性磁界が生じ、第１固定磁性層２６ａの磁化方向が図示Ｙ方向に固定される。第１固定磁性層２６ａの磁化方向が図示Ｙ方向に固定されると、非磁性中間層２６ｂを介して対向する第２固定磁性層２６ｃの磁化方向が、第１固定磁性層２６ａの磁化方向と反平行の状態で固定される。
【０１０５】
このように、第１固定磁性層２６ａと第２固定磁性層２６ｃの磁化方向が、反平行となるフェリ磁性状態になっていると、第１固定磁性層２６ａと第２固定磁性層２６ｃとが互いに他方の磁化方向を固定しあうので、全体として固定磁性層の磁化方向を一定方向に強力に固定することができる。
【０１０６】
なお、第１固定磁性層２６ａの磁気的膜厚（Ｍｓ×ｔ）と第２固定磁性層２６ｃの磁気的膜厚（Ｍｓ×ｔ）を足し合わせた合成の磁気的膜厚（Ｍｓ×ｔ）の方向が固定磁性層２６の磁化方向となる。
【０１０７】
図１では、第１固定磁性層２６ａ及び第２固定磁性層２６ｃを同じ材料を用いて形成し、さらに、それぞれの膜厚を異ならせることにより、それぞれの磁気的膜厚（Ｍｓ×ｔ）を異ならせている。
【０１０８】
また、第１固定磁性層２６ａ及び第２固定磁性層２６ｃの固定磁化による反磁界（双極子磁界）を、第１固定磁性層２６ａ及び第２固定磁性層２６ｃの静磁界結合同士が相互に打ち消し合うことによりキャンセルできる。これにより、固定磁性層２６の固定磁化による反磁界（双極子磁界）からの、フリー磁性層２８の変動磁化への寄与を減少させることができる。
【０１０９】
従って、フリー磁性層２８の変動磁化の方向を所望の方向に補正することがより容易になり、アシンメトリーの小さい対称性の優れたスピンバルブ型薄膜磁気素子を得ることが可能になる。
【０１１０】
ここで、アシンメトリーとは、再生出力波形の非対称性の度合いを示すものであり、再生出力波形が与えられた場合、波形が対称であればアシンメトリーが小さくなる。従って、アシンメトリーが０に近づく程再生出力波形が対称性に優れていることになる。
【０１１１】
アシンメトリーは、フリー磁性層２８の磁化の方向と固定磁性層２６の固定磁化の方向とが直交しているときに０となる。アシンメトリーが大きくずれるとメディアからの情報の読み取りが正確にできなくなり、エラーの原因となる。このため、アシンメトリーが小さいものほど、再生信号処理の信頼性が向上することになり、スピンバルブ薄膜磁気素子として優れたものとなる。
【０１１２】
また、固定磁性層２６の固定磁化による反磁界（双極子磁界）Ｈｄは、フリー磁性層２８の素子高さ方向において、その端部で大きく中央部で小さいという不均一な分布を持ち、フリー磁性層２８内における単磁区化が妨げられる場合があるが、固定磁性層を上記の積層構造とすることにより双極子磁界Ｈｄを小さくすることができ、これによってフリー磁性層２８内に磁壁ができて磁化の不均一が発生しバルクハウゼンノイズなどが発生することを防止することができる。
【０１１３】
フリー磁性層２８は、磁気的膜厚（Ｍｓ×ｔ；飽和磁化と膜厚の積）の大きさが異なる第２フリー磁性層２８ａと第１フリー磁性層２８ｃが、非磁性中間層２８ｂを介して積層され、第２フリー磁性層２８ａと第１フリー磁性層２８ｃの磁化方向が反平行となるフェリ磁性状態である。このとき、磁気的膜厚（Ｍｓ×ｔ）が大きい方、例えば、第２フリー磁性層２８ａの磁化方向が、ハードバイアス層から発生する磁界の方向（図示Ｘ方向）に向き、第１フリー磁性層２８ｃの磁化方向が、１８０度反対方向（図示Ｘ方向と反平行方向）に向いた状態になる。
【０１１４】
第２フリー磁性層２８ａと第１フリー磁性層２８ｃの磁化方向が１８０度異なる反平行のフェリ磁性状態になると、フリー磁性層２８の膜厚を薄くすることと同等の効果が得られ、単位面積あたりの実効的な磁気モーメントが小さくなり、フリー磁性層２８の磁化が変動しやすくなって、磁気検出素子の磁界検出感度が向上する。
【０１１５】
第２フリー磁性層２８ａの磁気的膜厚（Ｍｓ×ｔ）と第１フリー磁性層２８ｃの磁気的膜厚（Ｍｓ×ｔ）を足し合わせた合成の磁気的膜厚（Ｍｓ×ｔ）の方向がフリー磁性層２８の磁化方向となる。
【０１１６】
ただし、固定磁性層の磁化方向との関係で出力に寄与するのは第２フリー磁性層２８ａの磁化方向のみである。
【０１１７】
また、フリー磁性層２８の磁化方向は、外部磁界が印加されない状態で、記録媒体との対向面に対して平行方向を向いている。
【０１１８】
なお、ハードバイアス層３２は、フリー磁性層２８を構成する第２フリー磁性層２８ａと第１フリー磁性層２８ｃのうち、一方の磁化方向を揃えるだけでよい。例えば、第２フリー磁性層２８ａの磁化方向が一定方向に揃えられると、第１フリー磁性層２８ｃは磁化方向が反平行となるフェリ磁性状態となり、フリー磁性層２８全体の磁化方向が一定方向に揃えられる。
【０１１９】
ハードバイアス層３２は、Ｃｏ−Ｐｔ（コバルト−白金）合金やＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ（コバルト−クロム−白金）合金などで形成される。これら合金の結晶構造は一般的にはバルクにおいて、面心立方構造（ｆｃｃ）と稠密六方構造（ｈｃｐ）の混相となる組成付近の膜組成に設定されている。
【０１２０】
バイアス下地層３１は、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｗ，Ｍｏ，Ｖ，Ｍｎ，Ｎｂ，Ｔａのいずれか１種または２種以上の元素で形成されることが好ましい。例えば、ＣｒやＷ₅₀Ｍｏ₅₀によって形成される。バイアス下地層３１を結晶構造がｂｃｃ（体心立方格子）構造であるＣｒなどを用いて形成すると、ハードバイアス層３２の保磁力及び角形比が大きくなりバイアス磁界を大きくできる。
【０１２１】
ここで上記の金属膜で形成されたバイアス下地層３１とハードバイアス層３２を構成するＣｏＰｔ系合金のｈｃｐ構造の格子定数は近い値となるために、ＣｏＰｔ系合金はｆｃｃ構造を形成しづらくｈｃｐ構造で形成されやすくなる。このときｈｃｐ構造のｃ軸はＣｏＰｔ系合金とバイアス下地層３１の境界面内に優先配向される。ｈｃｐ構造はｆｃｃ構造に比べてｃ軸方向に大きな磁気異方性を生じるため、ハードバイアス層に磁界を与えたときの保磁力Ｈｃは大きくなるのである。さらにｈｃｐのｃ軸はＣｏＰｔ系合金とバイアス下地層との境界面内で優先配向となっているため、残留磁化が増大し、残留磁化／飽和磁化で求められる角形比Ｓは大きくなる。その結果、ハードバイアス層３２の特性を向上させることができ、ハードバイアス層３２から発生するバイアス磁界を増大させることができる。
【０１２２】
なお、上部電極層３４としてＴａを用いる場合には、上部電極層３４の下面に接してＣｒの中間層を設けることによってＣｒの上層に積層されるＴａの結晶構造を低抵抗の体心立方構造にしやすくなる。
【０１２３】
また、上部電極層３４としてＣｒを用いる場合には、上部電極層３４の下面に接してＴａの中間層を設けることにより、Ｃｒがエピタキシャルに成長して、抵抗値を低減できる。
【０１２４】
なお、下部電極層２２及び上部電極層３４はＷ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｒｕ，Ａｕなどを材料として用いて形成することができる。
【０１２５】
絶縁層３０及び絶縁層３３は、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）や酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）などによって形成される。
【０１２６】
絶縁層３３の膜厚は５０〜２００Å程度であることが好ましく、これにより上部電極層３４と多層膜Ｔの側端面Ｔｓ１との間の絶縁をとり、かつ上部電極層３４から流れるセンス電流がハードバイアス層３２に分流するのを抑制することが可能である。
【０１２７】
図１に示される磁気検出素子では、多層膜Ｔ１のトラック幅方向における側端面Ｔ１ｓの、多層膜Ｔ１の上面（保護層２９の上面）Ｔ１ａに対する傾斜角度は、フリー磁性層２８より下層の所定の位置である屈曲部Ｋ１の上側より下側の方が大きくなっている。
【０１２８】
すなわち、屈曲部Ｋ１より上側の側端面Ｔ１ｓｂと多層膜Ｔ１の上面Ｔ１ａとがなす角θ１より、屈曲部Ｋ１より下側の側端面Ｔ１ｓａと多層膜Ｔ１の上面Ｔ１ａとがなす角θ２の方が大きい。図１では、屈曲部Ｋ１は、第２固定磁性層２６ｃの側端面に形成されている。
【０１２９】
多層膜Ｔ１がこのような形状を有すると、多層膜Ｔ１の両側領域の下部電極層２２上に積層された絶縁層３０、バイアス下地層３１、ハードバイアス層３２、及び絶縁層３３を積層するときに、多層膜Ｔ１の屈曲部Ｋ１よりも下側の側端面Ｔ１ｓａの部分が持ち上げ層の役目を果たし、多層膜Ｔ１の両側領域に積層される絶縁層３０、バイアス下地層３１、ハードバイアス層３２、絶縁層３０及び絶縁層３３の上面と多層膜Ｔ１の側端面Ｔ１ｓの間に窪みが形成されることを防ぐことができる。
【０１３０】
従って、多層膜Ｔ１の側端面Ｔ１ｓと上部電極層３４の電気的な短絡を防止できるので、多層膜Ｔ１と上部電極層３４の電気的な接合面積を一定に保つことができ、磁気検出素子の磁界検出感度を安定化できる。
【０１３１】
また、多層膜Ｔ１の側端面Ｔ１ｓと上部電極層３４を電気的に絶縁する絶縁層３３の厚さを絶縁層３３にバリが形成されない程度まで薄くすることができる。
【０１３２】
なお、多層膜Ｔ１の屈曲部Ｋ１よりも下側に形成されている層（非磁性中間層２６ｂ、第１固定磁性層２６ａ、反強磁性層２５、シード層２４、下地層２３）は、上側に形成されている層（非磁性材料層２７、フリー磁性層２８、保護層２９）よりも、トラック幅方向の幅寸法が著しく大きくなる。しかし、本発明では、多層膜Ｔ１の側端面Ｔ１ｓの傾斜角度が変化する屈曲部Ｋ１がフリー磁性層２８より下層であるので、磁気検出素子のトラック幅を規定するフリー磁性層２８のトラック幅方向の幅寸法が、著しく大きくなることを避けることができる。
【０１３３】
特に、図１では、多層膜Ｔ１の両側領域の最上層である絶縁層３３の上面３３ａが平坦面であり、多層膜Ｔ１の上面Ｔ１ａと同一平面となっている。そして、この同一平面上に上部電極層３４が積層されているので、安定した形状の上部電極層３４を形成することができる。
【０１３４】
なお、図１の磁気検出素子では、後述する製造方法の説明において詳述するように、多層膜Ｔ１の両側領域に、絶縁層３０、バイアス下地層３１、ハードバイアス層３２、及び絶縁層３３をスバッタ成膜するだけで、絶縁層３３の上面３３ａと多層膜Ｔ１の上面Ｔ１ａを同一平面にできる。すなわち、絶縁層３３の上面３３ａと多層膜Ｔ１の上面Ｔ１ａを同一平面にするためにＣＭＰ工程などを必要としないので、多層膜Ｔ１の表面の面粗れを防ぐことができ、多層膜Ｔ１の表面と上部電極層３４の接続を確実に行うことができる。
【０１３５】
図１に示されるような、フリー磁性層２８が反強磁性層２５の上層にある、いわゆるボトムスピンバルブ型の磁気検出素子の場合には、フリー磁性層２８の側端面Ｔ１ｓと上部電極層３４の電気的な短絡が発生しやすい。それゆえ、本発明の有効性が高くなる。
【０１３６】
なお本発明では、フリー磁性層２８のトラック幅方向の幅寸法で規定されるトラック幅Ｔｗは約１０ｎｍ以上で１００ｎｍ以下であることが好ましい。より好ましくは６０ｎｍ以下であることが好ましい。トラック幅Ｔｗが、上記数値範囲程度に狭小化されると、さらなる再生出力の向上を図ることができる。
【０１３７】
図２は、本発明における第２の実施形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。
【０１３８】
図２に示された磁気検出素子は、多層膜Ｔ２の側端面Ｔ２ｓの傾斜角度が変化する所定の位置である屈曲部Ｋ２が反強磁性層２５のトラック幅方向における側端面に位置している点で、図１に示された磁気検出素子と異なっている。
【０１３９】
図２に示される磁気検出素子でも、多層膜Ｔ２のトラック幅方向における側端面Ｔ２ｓの、多層膜Ｔ２の上面（保護層２９の上面）Ｔ２ａに対する傾斜角度は、屈曲部Ｋ２の上側より下側の方が大きくなっている。
【０１４０】
すなわち、屈曲部Ｋ２より上側の側端面Ｔ２ｓｂと多層膜Ｔ２の上面Ｔ２ａとがなす角θ３より、屈曲部Ｋ２より下側の側端面Ｔ２ｓａと多層膜Ｔ２の上面Ｔ２ａとがなす角θ４の方が大きい。
【０１４１】
図２に示される磁気検出素子でも、多層膜Ｔ２の両側領域の最上層である絶縁層３３の上面３３ａと多層膜Ｔ２の上面Ｔ２ａが同一平面になっている。そして、この同一平面上に上部電極層３４が積層されているので、安定した形状の上部電極層３４を形成することができる。従って、多層膜Ｔ２の側端面Ｔ２ｓと上部電極層３４の電気的な短絡を防止できるので、多層膜Ｔ２と上部電極層３４の電気的な接合面積を一定に保つことができ、磁気検出素子の磁界検出感度を安定化できる。
【０１４２】
また、多層膜Ｔ２の側端面Ｔ２ｓと上部電極層３４を電気的に絶縁する絶縁層３３の厚さを絶縁層にバリが形成されない程度まで薄くすることができる。
【０１４３】
図２に示される磁気検出素子では、固定磁性層２６のトラック幅方向寸法がフリー磁性層２８のトラック幅方向の幅寸法とほぼ同じ程度に短くなっている。スピンバルブ型の磁気検出素子において、磁気的トラック幅を小さくするためには、図２のように、フリー磁性層２８と固定磁性層２６の両方のトラック幅方向の幅寸法を小さくすることが効果的である。
【０１４４】
なお、屈曲部Ｋ２はフリー磁性層２８より下層であればよく、非磁性材料層２７の側端面内にあってもよい。
【０１４５】
図３は、本発明における第３の実施形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。
【０１４６】
図３に示される磁気検出素子では、下部電極層２２と下部シールド層２１に、多層膜Ｔ３の側端面Ｔ３ｓと連続した平面部Ｐ１を有する側面部Ｐが形成されている。そして、側面部Ｐの、多層膜Ｔ３の上面Ｔ３ａに対する傾斜角度は、側面部Ｐの所定の位置（屈曲部）Ｋ３の上側より下側の方が大きい。
【０１４７】
すなわち、屈曲部Ｋ３より上側の側面部Ｐ１（平面部Ｐ１）と多層膜Ｔ３の上面Ｔ３ａとがなす角θ５より、屈曲部Ｋ３より下側の側面部Ｐ２と多層膜Ｔ３の上面Ｔ３ａとがなす角θ６の方が大きい。
【０１４８】
多層膜Ｔ３がこのような形状を有すると、多層膜Ｔ３の両側領域の下部シールド層２１上に積層された絶縁層３０、バイアス下地層３１、ハードバイアス層３２、及び絶縁層３３を積層するときに、屈曲部Ｋ３よりも下側の側面部Ｐの部分が持ち上げ層の役目を果たし、多層膜Ｔ３の両側領域に積層される絶縁層３０から絶縁層３３の上面と多層膜Ｔ３の側端面Ｔ３ｓの間に窪みが形成されることを防ぐことができる。
【０１４９】
特に、図３に示される磁気検出素子では、多層膜Ｔ３の両側領域の最上層である絶縁層３３の上面３３ａと多層膜Ｔ３の上面Ｔ３ａが同一平面になっている。そして、この同一平面上に上部電極層３４が積層されているので、安定した形状の上部電極層３４を形成することができる。
【０１５０】
従って、多層膜Ｔ３の側端面Ｔ３ｓと上部電極層３４の電気的な短絡を防止できるので、多層膜Ｔ３と上部電極層３４の電気的な接合面積を一定に保つことができ、磁気検出素子の磁界検出感度を安定化できる。
【０１５１】
また、絶縁層３３の厚さを絶縁層にバリが形成されない程度まで薄くすることができる。
【０１５２】
図３に示されるように、下部電極層２２の上面のトラック幅方向寸法は、多層膜Ｔ３の最下層の下地層２３とほぼ同じ寸法であり、多層膜Ｔ３の両側領域に電流が洩れにくくなっている。
【０１５３】
図４は、本発明における第４の実施形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。
【０１５４】
図４は、下から順に、フリー磁性層２８、非磁性材料層２７、固定磁性層２６、及び反強磁性層２５が積層されている、いわゆるトップスピンバルブ型の磁気検出素子である点で図１から図３に示された磁気検出素子と異なっている。
【０１５５】
図４に示される磁気検出素子では、下部電極層２２と下部シールド層２１に、多層膜Ｔ４の側端面Ｔ４ｓと連続した平面部Ｐ４を有する側面部Ｐ３が形成されている。そして、側面部Ｐ３の、多層膜Ｔ４の上面Ｔ４ａに対する傾斜角度は、側面部Ｐ３の所定の位置（屈曲部）Ｋ４の上側より下側の方が大きい。
【０１５６】
すなわち、屈曲部Ｋ４より上側の側面部Ｐ４（平面部Ｐ４）と多層膜Ｔ４の上面Ｔ４ａとがなす角θ７より、屈曲部Ｋ４より下側の側面部Ｐ５と多層膜Ｔ４の上面Ｔ４ａとがなす角θ８の方が大きい。
【０１５７】
多層膜Ｔ４がこのような形状を有すると、多層膜Ｔ４の両側領域の下部シールド層２１上に積層された絶縁層３０、バイアス下地層３１、ハードバイアス層３２、及び絶縁層３３を積層するときに、屈曲部Ｋ４よりも下側の側面部Ｐ５の部分が持ち上げ層の役目を果たし、多層膜Ｔ４の両側領域に積層される絶縁層３０から絶縁層３３の上面と多層膜Ｔ４の側端面Ｔ４ｓの間に窪みが形成されることを防ぐことができる。
【０１５８】
特に、図４に示される磁気検出素子では、多層膜Ｔ４の両側領域の最上層である絶縁層３３の上面３３ａと多層膜Ｔ４の上面Ｔ４ａが同一平面になっている。そして、この同一平面上に上部電極層３４が積層されているので、安定した形状の上部電極層３４を形成することができる。
【０１５９】
従って、多層膜Ｔ４の側端面Ｔ４ｓと上部電極層３４の電気的な短絡を防止できるので、多層膜Ｔ４と上部電極層３４の電気的な接合面積を一定に保つことができ、磁気検出素子の磁界検出感度を安定化できる。
【０１６０】
なお、図４では、ハードバイアス層３２は、フリー磁性層２８を構成する第２フリー磁性層２８ａと第１フリー磁性層２８ｃのうち、第２フリー磁性層２８ａの磁化方向のみをそろえている。第２フリー磁性層２８ａの磁化方向が一定方向に揃えられると、第１フリー磁性層２８ｃは磁化方向が反平行となるフェリ磁性状態となり、フリー磁性層２８全体の磁化方向が一定方向に揃えられる。
【０１６１】
図１から図４に示した磁気検出素子は、フリー磁性層２８の磁化方向をトラック幅方向に揃えるために、ハードバイアス層３２をフリー磁性層２８の側端面に対向するように形成するものである。
【０１６２】
図１から図４に示した磁気検出素子では、屈曲部よりも下側の側端面または側面部の部分が持ち上げ層の役目を果たすので、絶縁層３０、バイアス下地層３１、ハードバイアス層３２の上面が、多層膜の側端面付近で下方に湾曲することを抑えることができる。
【０１６３】
従って、ハードバイアス層３２を平坦な層として形成できるので、フリー磁性層２８に、膜面に平行方向である安定した大きさのバイアス磁界を供給することができる。
【０１６４】
図５の磁気検出素子は、多層膜Ｔ５の両側領域の電極層２２上がアルミナや酸化ケイ素からなる絶縁層４０によって埋められており、絶縁層４０と多層膜Ｔ５の上面Ｔ５ａの両側部のフリー磁性層２８に重なる位置にエクスチェンジバイアス層４１が形成されている点で図１から図４の磁気検出素子と異なっている。なお、上部電極層３４は、エクスチェンジバイアス層４１間に形成されている。
【０１６５】
エクスチェンジバイアス層４１は、反強磁性層２５と同じく、ＰｔＭｎ合金、または、Ｘ―Ｍｎ（ただしＸは、Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｎｉ，Ｆｅのいずれか１種または２種以上の元素である）合金で、あるいはＰｔ―Ｍｎ―Ｘ′（ただしＸ′は、Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｏｓ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ａｒ，Ｎｅ，Ｘｅ，Ｋｒのいずれか１または２種以上の元素である）合金で形成することができる。
【０１６６】
第１フリー磁性層２８ｃは、エクスチェンジバイアス層４１との交換異方性磁界によって、磁化方向がトラック幅方向（図示Ｘ方向）に揃えられ、第２フリー磁性層２８ａは、第１フリー磁性層２８ｃとのＲＫＫＹ相互作用によって、図示Ｘ方向と反平行方向の磁化方向となる。
【０１６７】
エクスチェンジバイアス層４１によって、フリー磁性層２８を単磁区化すると、エクスチェンジバイアス層４１間距離で規定される光学的トラック幅と、フリー磁性層２８の磁化が変動する領域のトラック幅方向寸法で規定される磁気的トラック幅が一致する。
【０１６８】
すなわち、ハードバイアス層によってバイアス磁界を与える構成と異なり、光学的トラック幅の領域内にいわゆる不感領域が形成されないという利点を有する。
【０１６９】
図５に示される磁気検出素子でも、屈曲部Ｋ５より上側の側端面Ｔ５ｓｂと多層膜Ｔ５の上面Ｔ５ａとがなす角θ９より、屈曲部Ｋ５より下側の側端面Ｔ５ｓａと多層膜Ｔ５の上面Ｔ５ａとがなす角θ１０の方が大きい。
【０１７０】
従って、多層膜Ｔ５の両側領域の絶縁層４０の上面４０ａと多層膜Ｔ５の上面Ｔ５ａを同一平面にすることができる。そして、この同一平面上にエクスチェンジバイアス層４１が積層されているので、安定した形状のエクスチェンジバイアス層４１を形成することができ、エクスチェンジバイアス層４１と第１フリー磁性層２８ｃ間の交換異方性磁界を安定化できる。
【０１７１】
なお、エクスチェンジバイアス層４１とフリー磁性層２８の間に、強磁性材料からなる強磁性層や非磁性材料からなる層を形成してもよい。
【０１７２】
図６は、本発明における第６の実施形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。
【０１７３】
図６の磁気検出素子は、フリー磁性層２８の上に非磁性材料からなる分離層４２が積層され、分離層４２上に強磁性材料からなるインスタックバイアス層４３が積層されている多層膜Ｔ６を有し、多層膜Ｔ６の側端面に対向するハードバイアス層が形成されていない点で図１から図４に示された磁気検出素子と異なっている。
【０１７４】
分離層４２より下層の、下地層２３、シード層２４、反強磁性層２５、第１固定磁性層２６ａ、非磁性中間層２６ｂ、第２固定磁性層２６ｃからなるシンセティックフェリピンド型の固定磁性層２６、非磁性材料層２７、第２フリー磁性層２８ａ、非磁性中間層２８ｂ、第１フリー磁性層２８ｃからなるシンセティックフェリフリー型のフリー磁性層２８の構成は、図１から図４に示された磁気検出素子と同じである。
【０１７５】
図６に示される磁気検出素子では、インスタックバイアス層４３の端部とフリー磁性層２８の端部間に静磁的な結合Ｍ，Ｍが発生し、フリー磁性層２８の磁化方向が一方向にそろえられる。図６では、フリー磁性層２８のうちインスタックバイアス層４３に近い側の第１フリー磁性層２８ｃとインスタックバイアス層４３間に静磁的な結合Ｍ，Ｍが発生し、第１フリー磁性層２８ｃの磁化が図示Ｘ方向に単磁区化され、第２フリー磁性層２８ａの磁化が図示Ｘ方向と１８０°異なる方向を向く。
【０１７６】
第２フリー磁性層２８ａの磁気的膜厚（Ｍｓ×ｔ）と第１フリー磁性層２８ｃの磁気的膜厚（Ｍｓ×ｔ）を足し合わせた合成の磁気的膜厚（Ｍｓ×ｔ）の方向がフリー磁性層２８の磁化方向となる。
【０１７７】
本発明では、このようにフリー磁性層２８の非磁性材料層２７が形成された面と反対側の面に分離層４２を介してインスタックバイアス層４３を設けることで、図１から図４に示された磁気検出素子のように多層膜のトラック幅方向の側端面にハードバイアス層を対向させることでフリー磁性層内に反磁界が生じるバックリング現象や、フリー磁性層２８の磁化が側端面付近で強固に固定され磁化反転が悪化する不感領域の発生問題を解消できる。
【０１７８】
従って、フリー磁性層２８の単磁区化を適切に促進でき、またフリー磁性層２８の外部磁界に対する磁化反転を良好にでき、再生感度が良く再生波形の安定性に優れた磁気検出素子を製造することが可能である。
【０１７９】
また図６に示す磁気検出素子では、フリー磁性層２８のトラック幅方向における両側端面と連続面として分離層４２及びインスタックバイアス層４３の両側端面が形成される。これによってインスタックバイアス層４３とフリー磁性層２８間の静磁的な結合を良好にでき、フリー磁性層２８の単磁区化を促進させることが可能である。
【０１８０】
なおインスタックバイアス層４３の膜厚は５０〜３００Åであることが好ましい。
【０１８１】
図６に示される磁気検出素子でも、屈曲部Ｋ６より上側の側端面Ｔ６ｓｂと多層膜Ｔ６の上面Ｔ６ａとがなす角θ１１より、屈曲部Ｋ６より下側の側端面Ｔ６ｓａと多層膜６の上面Ｔ６ａとがなす角θ１２の方が大きい。
【０１８２】
従って、多層膜Ｔ６の両側領域の絶縁層４０の上面４０ａと多層膜Ｔ６の上面Ｔ６ａを同一平面にすることができる。そして、この同一平面上に上部電極層３４が積層されているので、安定した形状の上部電極層３４を形成することができる。
【０１８３】
従って、多層膜Ｔ６の側端面Ｔ６ｓと上部電極層３４の電気的な短絡を防止できるので、多層膜Ｔ６と上部電極層３４の電気的な接合面積を一定に保つことができ、磁気検出素子の磁界検出感度を安定化できる。
【０１８４】
図７は、本発明における第７の実施形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。
【０１８５】
図７の磁気検出素子は、多層膜Ｔ７の側端面Ｔ７ｓ上に、多層膜Ｔ７内を流れる伝導電子のスピン状態（エネルギー、量子状態など）を保持したまま鏡面反射するスペキュラー膜（鏡面反射膜）４４が成膜されている点で図１から図４に示された磁気検出素子と異なっている。
【０１８６】
ここでスペキュラー膜（鏡面反射膜）４４を用いることによる鏡面反射効果について図８を参照しながら説明する。図８は本発明における磁気検出素子の構造の一部を模式図的に示したものである。
【０１８７】
アップスピン電子（図８では上向き矢印で示している）は、固定磁性層の磁化とフリー磁性層の磁化が平行となる状態では、固定磁性層、非磁性材料層を通りぬけて、フリー磁性層の内部を移動できる。
【０１８８】
ここでトラック幅Ｔｗの狭小化が進み特に素子面積が６０ｎｍ角以下になると、アップスピン電子の一部は、フリー磁性層の内部を通過する前に、多層膜の両側端面に衝突しやすくなるが、図８のように、多層膜の両側端面にスペキュラー膜を設けたことで、多層膜の両側端面に到達したアップスピン電子は、そこでスピン状態（エネルギー、量子状態など）を保持したまま鏡面反射する。そして鏡面反射したアップスピン電子の伝導電子は、移動向きを変えてフリー磁性層内を通り抜けることが可能になる。
【０１８９】
このため、素子面積を狭小化してもアップスピン電子を持つ伝導電子の平均自由行程λ⁺を伸ばすことが可能になり、よってアップスピン電子を持つ伝導電子の平均自由行程λ⁺と、ダウンスピン電子を持つ伝導電子の平均自由行程λ^-との差を大きくすることができ、従って再生出力の向上とともに、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）の向上を図ることが可能になる。
【０１９０】
なお、スペキュラー膜の形成により伝導電子が鏡面反射する理由は、多層膜の両側端面とスペキュラー膜との界面付近にポテンシャル障壁が形成されるためであると考えられる。
【０１９１】
図７に示される磁気検出素子では、第２フリー磁性層２８ａの磁化と第２固定磁性層２６ｃの磁化とが平行関係になるとき、例えばアップスピン電子を持つ伝導電子は第２フリー磁性層２８ａ内を通り抜けることができる。
【０１９２】
フリー磁性層２８の上面の幅寸法で決定されるトラック幅が狭くなることで、伝導電子は多層膜Ｔ７の側端面Ｔ７ｓに衝突しやすくなるが、スペキュラー膜４４が形成されていることによって、多層膜Ｔ７の側端面Ｔ７ｓに到達した伝導電子が鏡面反射して、第２フリー磁性層２８ａの内部を通り抜けることが可能になっている。
【０１９３】
従って、素子面積の狭小化においてもアップスピン電子を持つ伝導電子の平均自由行程λ⁺を伸ばすことができ、再生出力の向上とともに抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）の向上を図ることが可能になる。
【０１９４】
なおスペキュラー膜４４は、図７に示すように多層膜Ｔ７の側端面Ｔ７ｓ全体に形成されていなくても良く、少なくとも固定磁性層２６からフリー磁性層２８までの各層のトラック幅方向における側端面に形成されていれば上記の効果を得ることが可能である。
【０１９５】
次にスペキュラー膜４４の材質について以下に説明する。
スペキュラー膜４４は、Ｆｅ−Ｏ、Ｎｉ−Ｏ、Ｃｏ−Ｏ、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｏ、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉ−Ｏ、Ａｌ−Ｏ、Ａｌ−Ｑ−Ｏ（ここでＱはＢ、Ｓｉ、Ｎ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選択される１種以上）、Ｒ−Ｏ（ここでＲはＣｕ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗから選択される１種以上）の酸化物で形成されることが好ましい。
【０１９６】
なお例えばＦｅ−Ｏの中でもα−Ｆｅ₂Ｏ₃、Ｎｉ−Ｏの中でもＮｉＯ、Ａｌ−Ｑ−Ｏの中でもＡｌＱＯ、Ｒ−Ｏの中でもＲＯとなる組成式を満たすことが好ましい。
【０１９７】
これら酸化物の形成は、例えば酸素以外の構成元素のターゲットを用意し、多層膜Ｔ７の側端面Ｔ７ｓに酸素以外の構成元素の膜をスパッタ成膜した後、自然酸化、プラズマ酸化、あるいはラジカル酸化などによって、酸素以外の構成元素からなる膜を酸化させる。なお酸素以外の構成元素の膜すべてを酸化させないと適切に鏡面反射効果を有するスペキュラー膜４４を形成することはできない。
【０１９８】
また上記の酸化方法によって形成されたスペキュラー膜４４は、化学量論的な組成を有していた方が良いが有していなくても鏡面反射効果を発揮させることができる。
【０１９９】
上記のように化学量論的な組成を有さなくても十分な絶縁性を有するスペキュラー膜４４では、フリー磁性層２８との界面付近に適切にポテンシャル障壁が形成され、鏡面反射効果を発揮することが可能になる。
【０２００】
例えばスペキュラー膜４４をＡｌ−Ｏで形成するとき、Ａｌ₂Ｏ₃で形成されたターゲットでスペキュラー膜４４をスパッタ成膜すると、化学量論的な組成を有するスペキュラー膜４４を形成することができないが、極端に酸素が少なくなければスペキュラー膜４４とフリー磁性層２８との界面付近に適切なポテンシャル障壁を形成でき、鏡面反射効果を有効に発揮させることができるのである。
【０２０１】
あるいは本発明では、スペキュラー膜４４は、Ａｌ−Ｎ、Ａｌ−Ｑ−Ｎ（ここでＱはＢ、Ｓｉ、Ｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選択される１種以上）、Ｒ−Ｎ（ここでＲはＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗから選択される１種以上）の窒化物で形成されてもよい。
【０２０２】
なおＡｌ−Ｎの中でもＡｌＮ、Ａｌ−Ｑ−Ｎの中でもＡｌＱＮ、Ｒ−Ｎの中でもＲＮとなる組成式を満たすことが好ましい。
【０２０３】
これら窒化物の形成は、例えば窒素以外の構成元素のターゲットを用意し、多層膜Ｔ７の側端面Ｔ７ｓに窒素以外の構成元素の膜をスパッタ成膜した後、窒素以外の構成元素からなる膜を窒化させる。
【０２０４】
また、スペキュラー膜は半金属ホイッスラー合金で形成されてもよい。半金属ホイッスラー金属には、ＮｉＭｎＳｂ、ＰｔＭｎＳｂなどを選択できる。
【０２０５】
図７に示される磁気検出素子でも、屈曲部Ｋ７より上側の側端面Ｔ７ｓｂと多層膜Ｔ７の上面Ｔ７ａとがなす角θ１３より、屈曲部Ｋ７より下側の側端面Ｔ７ｓａと多層膜７の上面Ｔ７ａとがなす角θ１４の方が大きい。
【０２０６】
従って、多層膜Ｔ７の両側領域の絶縁層３３の上面３３ａと多層膜Ｔ７の上面Ｔ７ａを同一平面とすることができる。そして、この同一平面上に上部電極層３４が積層されているので、安定した形状の上部電極層３４を形成することができる。
【０２０７】
従って、多層膜Ｔ７の側端面Ｔ７ｓと上部電極層３４の電気的な短絡を防止できるので、多層膜Ｔ７と上部電極層３４の電気的な接合面積を一定に保つことができ、磁気検出素子の磁界検出感度を安定化できる。
【０２０８】
さらに、図７の磁気検出素子は、屈曲部Ｋ７より下方の側端面Ｔ７ｓａの傾斜角度が緩やかになるため、スペキュラー膜４４を側端面Ｔ７ｓａに均一に成膜できるという利点を有する。
【０２０９】
なお、図１から図７に示された磁気検出素子では、下部シールド層２１、上部シールド層３５と下部電極層２２、上部電極層３４を異なる材料で形成しているが、下部シールド層２１を形成するための軟磁性材料で下部電極層２２を形成してもよいし、上部シールド層３５を形成するための軟磁性材料で上部電極層３４を形成してもよい。
【０２１０】
図１に示された磁気検出素子の製造方法を説明する。
まず、図９に示されるように、図示しない基板上に、アルミナなどの下地層（図示せず）を介して、下部シールド層２１、下部電極層２２、下地層２３、シード層２４、反強磁性層２５、第１固定磁性層２６ａ、非磁性中間層２６ｂ、第２固定磁性層２６ｃ、非磁性材料層２７、第２フリー磁性層２８ａ、非磁性中間層２８ｂ、第１フリー磁性層２８ｃ、及び保護層２９を成膜して多層膜Ｔ１とする。各層の材料は、図１に示された磁気検出素子と同じなので説明を省略する。
【０２１１】
各層の形成は例えばスパッタ成膜である。スパッタ成膜では、例えばＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法、イオンビームスパッタ法、ロングスロースパッタ法、コリメーションスパッタ法のいずれか、またはそれらを組み合せたスパッタ法などを使用できる。
【０２１２】
さらに、保護層２９の上にレジスト層Ｒ２を形成する。レジスト層Ｒ２のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法Ｗ１を、フリー磁性層２８の上面の幅寸法で決定されるトラック幅Ｔｗと同程度で形成することが好ましい。
【０２１３】
そして図１０に示す工程では、多層膜Ｔ１上面の法線方向に対して、第１の入射角度θ１５のイオンミリングによって、レジスト層Ｒ２に覆われていない領域を、保護層２９から第２固定磁性層２６ｃの途中まで削って除去する。
【０２１４】
なお、本発明では、レジスト層Ｒ２に覆われていない多層膜Ｔ１を、必ずしも第２固定磁性層２６ｃの途中まで削らなければならないものではなく、フリー磁性層２８より下層の所定の位置まで、例えば、非磁性材料層２７の途中まで、又は反強磁性層２４の途中まで削ってもよい。或いは、下部電極層２２または下部シールド層２１の途中まで除去してもよい。
【０２１５】
図１０に示される工程によって、多層膜Ｔ１の屈曲点Ｋ１より上側の側端面Ｔ１ｓｂが削り出される。
【０２１６】
次に、図１１に示されるように、多層膜Ｔ１の上面Ｔ１ａの法線方向に対し、第１の入射角度θ１５よりも大きな第２の入射角度θ１６のミリングにより、第２固定磁性層２６ｃの途中から下地層２３まで削って除去する。
【０２１７】
なお、本発明では、反強磁性層２５、シード層２４、または下地層２３の途中まで削るだけでもよい。あるいは、図１１の工程において、下部電極層２２または下部シールド層２１の途中まで除去してもよい。
【０２１８】
図１１に示される工程によって、多層膜Ｔ１の屈曲点Ｋ１より下側の側端面Ｔ１ｓａが削り出される。
【０２１９】
第１の入射角度θ１５は、例えば５°〜２０°、第２の入射角度θ１６は、例えば４５°〜６０°である。
【０２２０】
なお、第２の入射角度θ１６のミリング時に、多層膜Ｔ１の側端面Ｔ１ｓに付着した再付着物を除去することもできる。
【０２２１】
次に、図１２に示すように、等方的あるいは異方的なスパッタ成膜法によって、多層膜Ｔ１の両側領域の電極層２２上に、絶縁層３０、バイアス下地層３１、ハードバイアス層３２、及び絶縁層３３を順次成膜する。絶縁層３０、バイアス下地層３１、ハードバイアス層３２、及び絶縁層３３をスパッタ成膜するときには、ロングスロースパッタやイオンビームスパッタなどの異方性スパッタが好ましい。これは、レジスト層Ｒ２の下部へのスパッタ材料を回り込みを少なくし、レジストリフトオフ時のバリの発生を防ぐためである。
【０２２２】
なお、絶縁層３０を成膜するとき、絶縁層３０が多層膜Ｔ１の側端面Ｔ１ｓの全面を覆うように、すなわち保護層２９の側端面から下地層２３の側端面まで覆って多層膜Ｔ１の側端面Ｔ１ｓの全面の電気的絶縁をとるようにすることが好ましい。
【０２２３】
図１２に示されるスパッタ成膜工程によって、レジスト層Ｒ２の上面及び側面には、絶縁層３０、バイアス下地層３１、ハードバイアス層３２、及び絶縁層３３と同じ材料からなる層Ｓ２が積層される。
【０２２４】
なお上記した絶縁層３３の成膜の際におけるスパッタ条件は、例えば磁気検出素子を形成する基板の温度を０〜１００℃とし、前記基板とターゲット間の距離を１００〜３００ｍｍとし、Ａｒガス圧を１０^-5〜１０^-3Ｔｏｒｒ（１．３×１０^-3〜０．１３Ｐａ）とする。
【０２２５】
次に、レジスト層Ｒ２を除去し、図１３に示されるように、多層膜Ｔ１の上面Ｔ１ａに電気的に接続される上部電極層３４及び上部シールド層３５をスパッタ成膜またはメッキ形成する。
【０２２６】
絶縁層３０、バイアス下地層３１、ハードバイアス層３２、及び絶縁層３３、上部電極層３４及び上部シールド層３５の材料は、図１の磁気検出素子と同じなので説明を省略する。
【０２２７】
なお、多層膜Ｔ１の側端面Ｔ１ｓと下部電極層２２間の電気的絶縁は絶縁層３０によって、多層膜Ｔ１の側端面Ｔ１ｓと上部電極層３４間の電気的絶縁は絶縁層３０及び絶縁層３３によってとられる。
【０２２８】
本発明では、多層膜Ｔ１の側端面Ｔ１ｓを削り出すイオンミリングの角度を、多層膜Ｔ１のフリー磁性層２８より下層の所定の位置より上側と下側とで異ならせることにより、屈曲部Ｋ１より上側の側端面Ｔ１ｓｂと多層膜Ｔ１の上面Ｔ１ａとがなす角θ１より、屈曲部Ｋ１より下側の側端面Ｔ１ｓａと多層膜Ｔ１の上面Ｔ１ａとがなす角θ２の方を大きくしている。
【０２２９】
多層膜Ｔ１をこのような形状に形成すると、多層膜Ｔ１の両側領域の下部電極層２２上に積層された絶縁層３０、バイアス下地層３１、ハードバイアス層３２、及び絶縁層３３を積層するときに、多層膜Ｔ１の屈曲部Ｋ１よりも下側の側端面Ｔ１ｓａの部分が持ち上げ層の役目を果たし、多層膜Ｔ１の両側領域に積層される絶縁層３０、バイアス下地層３１、ハードバイアス層３２、絶縁層３０及び絶縁層３３の上面と多層膜Ｔ１の側端面Ｔ１ｓの間に窪みが形成されることを防ぐことができる。
【０２３０】
従って、多層膜Ｔ１の側端面Ｔ１ｓと上部電極層３４の電気的な短絡を防止できるので、多層膜Ｔ１と上部電極層３４の電気的な接合面積を一定に保つことができ、磁気検出素子の磁界検出感度を安定化できる。
【０２３１】
特に、本発明では、図１２に示されるように、上部電極層３４と多層膜Ｔ１の側端面Ｔ１ｓを電気的に絶縁し、上面が平坦面である絶縁層３３を形成することによって絶縁層３３の上面３３ａと多層膜Ｔ１の上面Ｔ１ａを同一平面にできる。そして、この同一平面上に上部電極層３４が積層されているので、安定した形状の上部電極層３４を形成することができる。
【０２３２】
しかも、多層膜Ｔ１の両側領域に、絶縁層３０、バイアス下地層３１、ハードバイアス層３２、及び絶縁層３３をスバッタ成膜するだけで、絶縁層３３の上面３３ａと多層膜Ｔ１の上面Ｔ１ａを同一平面とできる。すなわち、絶縁層３３の上面３３ａと多層膜Ｔ１の上面Ｔ１ａを同一平面とするためにＣＭＰ工程などを必要としないので、多層膜Ｔ１の表面の面粗れを防ぐことができ、多層膜Ｔ１の表面と上部電極層３４の接続を確実に行うことができる。
【０２３３】
また、多層膜Ｔ１の側端面Ｔ１ｓと上部電極層３４を電気的に絶縁する絶縁層３３の厚さを絶縁層にバリが形成されない程度まで薄くすることができる。
【０２３４】
なお、多層膜Ｔ１の屈曲部Ｋ１よりも下側に形成されている層（非磁性中間層２６ｂ、第１固定磁性層２６ａ、反強磁性層２５、シード層２４、下地層２３）は、上側に形成されている層（非磁性材料層２７、フリー磁性層２８、保護層２９）よりも、トラック幅方向の幅寸法が著しく大きくなる。しかし、本発明では、多層膜Ｔ１の側端面Ｔ１ｓの傾斜角度が変化する屈曲部Ｋ１がフリー磁性層２８より下層であるので、磁気検出素子のトラック幅を規定するフリー磁性層２８のトラック幅方向の幅寸法が、著しく大きくなることを避けることができる。
【０２３５】
なお、図４に示されるトップスピン型の磁気検出素子を形成するときには、図９における多層膜の積層工程において、下から順に、フリー磁性層２８、非磁性材料層２７、固定磁性層２６、及び反強磁性層２５を積層すればよい。
【０２３６】
また、図５に示される磁気検出素子を形成するときには、図１１に示される工程の後、多層膜Ｔ１の両側領域を全て絶縁層４０で埋めて、多層膜Ｔ１の上面Ｔ１ａと絶縁層４０の表面４０ａを同一平坦面とする。そして、フリー磁性層２８に重なる位置に、反強磁性材料からなるエクスチェンジバイアス層４１を形成すればよい。
【０２３７】
なお、図５に示される磁気検出素子では、反強磁性層２５と第１固定磁性層２６ａ間に発生する交換異方性磁界の向きと、第１フリー磁性層２８ｃとエクスチェンジバイアス層４１間に発生する交換異方性磁界の向きを交叉させる必要がある。
【０２３８】
交換異方性磁界の向きを交叉させる方法として、エクスチェンジバイアス層４１の積層後、トラック幅方向と直交する方向である第１の磁界を印加しつつ、第１の熱処理温度で熱処理し、前記第１の反強磁性層および第２の反強磁性層に交換結合磁界を発生させて、前記固定磁性層および前記フリー磁性層の磁化を前記直交する方向に固定すると共に、前記第１の反強磁性層の交換結合磁界を前記第２の反強磁性層の交換結合磁界よりも大とし、次に、トラック幅方向に前記工程での第２の反強磁性層の交換結合磁界よりも大きく、且つ前記第１の反強磁性層の交換結合磁界よりも小さい第２の磁界を印加しつつ、前記第１の熱処理温度よりも高い第２の熱処理温度で熱処理し、前記フリー磁性層に前記固定磁性層の磁化方向と交叉する方向の縦バイアス磁界を付与するという方法がある。
【０２３９】
また、図６に示される磁気検出素子を形成するときには、図９に示される多層膜の積層工程において、フリー磁性層２８の非磁性材料層２７が形成された面と反対側の面に、非磁性材料からなる分離層４２を介して、強磁性材料からなるインスタックバイアス層４３を積層すればよい。
【０２４０】
また、図７に示される磁気検出素子を形成するときには、図１１に示される工程の後に、多層膜のトラック幅方向における側端面に、スペキュラー膜４４を成膜する。
【０２４１】
スペキュラー膜４４を成膜する際のスパッタ粒子照射角度を、多層膜の膜面法線方向に対して２０°〜７０°とすることが好ましい。これにより多層膜Ｔ１の側端面Ｔ１ｓにスペキュラー膜４４を容易にしかも適切に形成することができる。
【０２４２】
なお上記したスペキュラー膜４４の成膜の際におけるスパッタ条件は、例えば磁気検出素子を形成する基板の温度を２０℃〜１００℃とし、前記基板とターゲット間の距離を１００〜３００ｍｍとし、Ａｒガス圧を１０^-5〜１０^-3Ｔｏｒｒ（１．３×１０^-3〜０．１３Ｐａ）とする。
【０２４３】
スペキュラー膜４４は、以下に示す酸化膜で形成することが好ましい。
Ｆｅ−Ｏ、Ｎｉ−Ｏ、Ｃｏ−Ｏ、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｏ、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉ−Ｏ、Ａｌ−Ｏ、Ａｌ−Ｑ−Ｏ（ここでＱはＢ、Ｓｉ、Ｎ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選択される１種以上）、Ｒ−Ｏ（ここでＲはＣｕ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗから選択される１種以上）の酸化物で形成することが好ましい。
【０２４４】
なお例えばＦｅ−Ｏの中でもα−Ｆｅ₂Ｏ₃、Ｎｉ−Ｏの中でもＮｉＯ、Ａｌ−Ｑ−Ｏの中でもＡｌＱＯ、Ｒ−Ｏの中でもＲＯとなる組成式を満たすことが好ましい。
【０２４５】
本発明では上記した酸化膜を形成する際、酸化物ターゲットを用いて直接酸化膜を堆積させてもよいが、まず上記各化合物の酸素を除いた元素からなるターゲットを用意し、このターゲットを用いて下部電極層２２上から多層膜Ｔ１の側端面Ｔ１ｓにかけて、各化合物の酸素を除いた元素からなる膜を成膜する。具体的に言えば、例えばスペキュラー膜４４をＴａＯで形成する場合、まずＴａ膜を下部電極層２２上から多層膜Ｔ１の側端面Ｔ１ｓにかけて成膜する。
【０２４６】
次に、Ｔａ膜を酸化する。酸化には自然酸化、プラズマ酸化、ラジカル酸化のうちいずれか１種以上の酸化方法を用いることが好ましい。またこれ以外の酸化方法であっても良い。Ｔａ膜を酸化することでＴａＯからなるスペキュラー膜４４を形成することが可能である。
【０２４７】
なお上記した酸化工程で酸素を除いた元素から成る膜をすべて酸化し、これによって形成されたスペキュラー膜４４は化学量論的な組成に近く、隣接する多層膜Ｔ１との間に、十分なポテンシャル障壁を形成することが可能となる。この結果、十分な鏡面反射効果を得ることが可能になる。
【０２４８】
また本発明では上記した酸化膜以外にスペキュラー膜４４を、Ａｌ−Ｎ、Ａｌ−Ｑ−Ｎ（ここでＱはＢ、Ｓｉ、Ｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選択される１種以上）、Ｒ−Ｎ（ここでＲはＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗから選択される１種以上）の窒化物で形成してもよい。
【０２４９】
なおＡｌ−Ｎの中でもＡｌＮ、Ａｌ−Ｑ−Ｎの中でもＡｌＱＮ、Ｒ−Ｎの中でもＲＮとなる組成式を満たすことが好ましい。
【０２５０】
かかる場合、上記の窒化物の窒素を除いた元素から成る膜を、スパッタ成膜した後、膜を窒化させることで窒化物から成るスペキュラー膜４４を形成することができる。
【０２５１】
あるいは本発明では、スペキュラー膜４４を半金属ホイッスラー合金で形成してもよい。は金属ホイッスラー合金には、ＮｉＭｎＳｂ、ＰｔＭｎＳｂなどを選択できる。これら半金属ホイッスラー合金を、スパッタ成膜することが好ましい。
【０２５２】
なお、レジスト層Ｒ２を除去するときに、レジスト層Ｒ２の上面や側面には、絶縁層３３の材料などの層が付着しているからレジスト層Ｒ２を溶剤に浸して除去することが難しいことがある。
【０２５３】
このため、スクラブ洗浄によって、レジスト層Ｒ２の上面などに付着した絶縁層３３の材料などを一部除去してレジスト層Ｒ２の一部の表面を露出させた後、レジスト層Ｒ２を溶剤に浸しレジスト層Ｒ２を溶かして除去する。
【０２５４】
なおスクラブ洗浄には、例えばドライアイスの粒子を、レジスト層Ｒ２の表面に付着した絶縁層３３の材料などに衝突させて除去する方法などがある。
【０２５５】
図１４及び図１５は、本発明の磁気検出素子を備えた磁気ヘッドを示した図である。なお図１４はスライダを記録媒体との対向面側から見た斜視図、図１５は図１４に示すＤ−Ｄ線から切断し矢印方向から見た縦断面図である。
【０２５６】
図１４及び図１５に示すように、磁気検出素子を具備してなるＧＭＲヘッドｈ１は、インダクティブヘッドｈ２と共にスライダのトレーリング側端部５０ａに設けられて磁気検出素子を構成し、ハードディスク等の磁気記録媒体の記録磁界を検出及び記録することが可能になっている。
【０２５７】
図１４に示すように、スライダ５０の記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）５２には、レール５２ａ、５２ａ，５２ａが形成され、各レール同士間は、エアーグルーブ５２ｂ、５２ｂを構成している。
【０２５８】
図１５に示すように、ＧＭＲヘッドｈ１は、スライダ５０の端面５０ａ上に形成された磁性合金からなる下部シールド層５３と、下部シールド層５３に積層された下部電極層５４と、記録媒体との対向面５２から露出する本発明の磁気検出素子５５と、上部電極層５６と、上部シールド層５７とから構成されている。
【０２５９】
上部シールド層５７は、インダクティブヘッドｈ２の下部コア層と兼用とされている。
【０２６０】
インダクティブヘッドｈ２は、下部コア層（上部シールド層）５７と、下部コア層５７に積層されたギャップ層５８と、コイル５９と、記録媒体との対向面でギャップ層５８上に接合され、かつ基端部６０ａにて下部コア層５７に接合される上部コア層６０とから構成されている。
【０２６１】
また、上部コア層６０上には、アルミナなどからなる保護層６１が積層されている。
【０２６２】
なお、図１４及び図１５において、図示Ｘ方向がトラック幅方向、図示Ｙ方向が記録媒体からの洩れ磁界方向（ハイト方向）、図示Ｚ方向が記録媒体の移動方向である。
【０２６３】
また本発明では、多層膜Ｔ１からＴ７をトンネル型磁気抵抗効果型素子と呼ばれる磁気検出素子とすることもできる。トンネル型磁気抵抗効果型素子では、非磁性材料層２７がＡｌ₂Ｏ₃などの絶縁材料で形成される。
【０２６４】
なお本発明における磁気検出素子は、ハードディスク装置に搭載される磁気検出素子にのみ使用可能なものではなく、テープ用磁気ヘッドや磁気センサなどにも使用可能なものである。
【０２６５】
以上本発明をその好ましい実施例に関して述べたが、本発明の範囲から逸脱しない範囲で様々な変更を加えることができる。
【０２６６】
なお、上述した実施例はあくまでも例示であり、本発明の特許請求の範囲を限定するものではない。
【０２６７】
【発明の効果】
以上、詳細に説明した本発明では、磁気検出素子の前記多層膜のトラック幅方向における側端面の、前記多層膜の上面に対する傾斜角度が、前記フリー磁性層より下層の所定の位置の上側より下側の方が大きくなっている。
【０２６８】
前記多層膜がこのような形状を有すると、前記多層膜の両側領域の前記下部電極層または前記下部シールド層上に、絶縁層などを積層するときに、前記多層膜の前記所定の位置よりも下側の側端面の傾斜角度が大きくなっている部分が持ち上げ層の役目を果たし、前記多層膜の両側領域に積層される層（前記絶縁層など）の上面と前記多層膜の側端面の間に窪みが形成されることを防ぐことができる。
【０２６９】
従って、前記多層膜の側端面と上部電極層の電気的な短絡を防止できるので、前記多層膜と前記上部電極層の電気的な接合面積を一定に保つことができ、磁気検出素子の磁界検出感度を安定化できる。
【０２７０】
また、前記多層膜の側端面と上部電極層を電気的に絶縁する絶縁層の厚さを前記絶縁層にバリが形成されない程度まで薄くすることができる。
【０２７１】
本発明では、前記多層膜の側端面の前記傾斜角度が変化する前記所定の位置が前記フリー磁性層より下層であるので、磁気検出素子のトラック幅を規定するフリー磁性層のトラック幅方向の幅寸法が、著しく大きくなることを避けることができる。
【０２７２】
また、本発明では、前記下部電極層と前記下部シールド層のうち少なくとも、前記下部電極層には前記多層膜の前記側端面と連続した平面部を有する側面部が形成され、前記側面部の、前記多層膜の上面に対する傾斜角度を、前記側面部の所定の位置の上側より下側の方が大きくなるようにできる。
【０２７３】
本発明では、前記多層膜の両側領域の、前記下部電極層または前記下部シールド層上に、前記絶縁層などを積層するときに、前記所定の位置よりも下側の側面部の傾斜角度が大きくなっている部分が持ち上げ層の役目を果たし、前記多層膜の両側領域に積層される層（前記絶縁層など）の上面と前記多層膜の側端面の間に窪みが形成されることを防ぐことができ、前記多層膜の側端面と上部電極層の電気的な短絡を防止できる
特に、本発明では、前記多層膜の両側領域に積層される層（前記絶縁層など）の上面と前記多層膜の上面を同一平面として、この平面上に上部電極層を積層することもできる。
【０２７４】
また、本発明では、前記多層膜の両側領域に積層される層（前記絶縁層など）の最上層を絶縁層としたとき、この絶縁層の上面を平坦面とすることができる。従って、前記絶縁層の上面と前記多層膜の上面を同一平面として、この平面上に上部電極層を積層することもできるので、上部電極層の形状を安定化できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の磁気検出素子の断面図、
【図２】本発明の第２の実施の形態の磁気検出素子の断面図、
【図３】本発明の第３の実施の形態の磁気検出素子の断面図、
【図４】本発明の第４の実施の形態の磁気検出素子の断面図、
【図５】本発明の第５の実施の形態の磁気検出素子の断面図、
【図６】本発明の第６の実施の形態の磁気検出素子の断面図、
【図７】本発明の第７の実施の形態の磁気検出素子の断面図、
【図８】スペキュラー膜による鏡面反射効果を説明するための様式説明図、
【図９】本発明の磁気検出素子の製造方法の実施の形態を示す一工程図、
【図１０】本発明の磁気検出素子の製造方法の実施の形態を示す一工程図、
【図１１】本発明の磁気検出素子の製造方法の実施の形態を示す一工程図、
【図１２】本発明の磁気検出素子の製造方法の実施の形態を示す一工程図、
【図１３】本発明の磁気検出素子の製造方法の実施の形態を示す一工程図、
【図１４】本発明の磁気検出素子が取りつけられた磁気ヘッドの斜視図、
【図１５】図１４に示された磁気ヘッドの断面図、
【図１６】従来の磁気検出素子の製造方法を示す一工程図、
【図１７】従来の磁気検出素子の製造方法を示す一工程図、
【図１８】従来の磁気検出素子の製造方法を示す一工程図、
【図１９】従来の磁気検出素子を示す断面図、
【図２０】従来の磁気検出素子の製造方法を示す一工程図、
【図２１】従来の磁気検出素子の製造方法を示す一工程図、
【符号の説明】
２１ 下部シールド層
２２ 下部電極層
２３ 下地層
２４ シード層
２５ 反強磁性層
２６ 固定磁性層
２６ａ 第１固定磁性層
２６ｂ 非磁性中間層
２６ｃ 第２固定磁性層
２７ 非磁性材料層
２８ フリー磁性層
２８ａ 第２フリー磁性層
２８ｂ 非磁性中間層
２８ｃ 第１フリー磁性層
２９ 保護層
３０，３３，４０ 絶縁層
３１ バイアス下地層
３２ ハードバイアス層
３４ 上部電極層
３５ 上部シールド層
４１ エクスチェンジバイアス層
４２ 分離層
４３ インスタックバイアス層
４４ スペキュラー膜
Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４，Ｔ５，Ｔ６，Ｔ７ 多層膜
Ｔ１ｓ，Ｔ２ｓ，Ｔ３ｓ，Ｔ４ｓ，Ｔ５ｓ，Ｔ６ｓ，Ｔ７ｓ 側端面
Ｐ 側面部
Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３，Ｋ４，Ｋ５，Ｋ６，Ｋ７ 屈曲部
Ｒ２ レジスト層
Ｔｗ トラック幅

Claims (31)

1. 下から順に、反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層及びフリー磁性層が積層されている多層膜、前記多層膜の各層の膜面と垂直方向に電流を供給する上部電極層及び下部電極層を有する磁気検出素子において、
   前記多層膜のトラック幅方向における側端面の、前記多層膜の上面に対する傾斜角度は、前記固定磁性層のトラック幅方向における側端面内の所定の位置の上側より下側の方が大きいことを特徴とする磁気検出素子。
2. 下から順に、反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層及びフリー磁性層が積層されている多層膜、前記多層膜の各層の膜面と垂直方向に電流を供給する上部電極層及び下部電極層を有する磁気検出素子において、
   前記多層膜のトラック幅方向における側端面の、前記多層膜の上面に対する傾斜角度は、前記反強磁性層のトラック幅方向における側端面内の所定の位置の上側より下側の方が大きいことを特徴とする磁気検出素子。
3. 反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層及びフリー磁性層を有する多層膜、前記多層膜の各層の膜面と垂直方向に電流を供給する上部電極層及び下部電極層を有する磁気検出素子において、
   前記多層膜のトラック幅方向における側端面の、前記多層膜の上面に対する傾斜角度は、前記フリー磁性層より下層の所定の位置の上側より下側の方が大きく、前記上部電極層と前記多層膜の側端面を電気的に絶縁する絶縁層が形成されており、前記絶縁層の上面が平坦面であることを特徴とする磁気検出素子。
4. 反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層及びフリー磁性層を有する多層膜、前記多層膜の各層の膜面と垂直方向に電流を供給する上部電極層及び下部電極層を有する磁気検出素子において、
   前記多層膜のトラック幅方向における側端面の、前記多層膜の上面に対する傾斜角度は、前記フリー磁性層より下層の所定の位置の上側より下側の方が大きく、前記フリー磁性層に重なる位置に反強磁性材料からなりフリー磁性層の磁化方向をトラック幅方向に揃えるエクスチェンジバイアス層が形成されていることを特徴とする磁気検出素子。
5. 反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層及びフリー磁性層を有する多層膜、前記多層膜の各層の膜面と垂直方向に電流を供給する上部電極層及び下部電極層を有する磁気検出素子において、
   前記多層膜のトラック幅方向における側端面の、前記多層膜の上面に対する傾斜角度は、前記フリー磁性層より下層の所定の位置の上側より下側の方が大きく、前記フリー磁性層の前記非磁性材料層が形成された面と反対側の面には、分離層を介して、強磁性材料からなり、フリー磁性層の磁化方向をトラック幅方向に揃えるインスタックバイアス層が形成されていることを特徴とする磁気検出素子。
6. 前記多層膜において、下から順に、前記反強磁性層、前記固定磁性層、前記非磁性材料層及び前記フリー磁性層が積層されている請求項３ないし５のいずれかに記載の磁気検出素子。
7. 前記所定の位置が、前記固定磁性層のトラック幅方向における側端面内に位置している請求項６に記載の磁気検出素子。
8. 前記所定の位置が、前記反強磁性層のトラック幅方向における側端面内に位置している請求項６に記載の磁気検出素子。
9. 前記多層膜において、下から順に、前記フリー磁性層、前記非磁性材料層、前記固定磁性層、及び前記反強磁性層が積層されている請求項３ないし５のいずれかに記載の磁気検出素子。
10. 反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層及びフリー磁性層を有する多層膜、前記多層膜の各層の膜面と垂直方向に電流を供給する上部電極層及び下部電極層を有する磁気検出素子において、
    前記下部電極層の下側に下部シールド層が形成され、前記下部電極層と前記下部シールド層のうち少なくとも、前記下部電極層には前記多層膜のトラック幅方向における側端面と連続した平面部を有する側面部が形成され、前記側面部の前記多層膜の上面に対する傾斜角度は、前記側面部の所定の位置の上側より下側の方が大きいことを特徴とする磁気検出素子。
11. 前記多層膜において、下から順に、前記反強磁性層、前記固定磁性層、前記非磁性材料層及び前記フリー磁性層が積層されている請求項１０に記載の磁気検出素子。
12. 前記多層膜において、下から順に、前記フリー磁性層、前記非磁性材料層、前記固定磁性層、及び前記反強磁性層が積層されている請求項１０に記載の磁気検出素子。
13. 前記上部電極層と前記多層膜の側端面を電気的に絶縁する絶縁層が形成されている請求項１ないし１２のいずれかに記載の磁気検出素子。
14. 前記絶縁層の上面が平坦面である請求項１３に記載の磁気検出素子。
15. 前記下部電極層と前記多層膜の側端面を電気的に絶縁する絶縁層が前記多層膜の側端面上に形成されている請求項１ないし１４のいずれかに記載の磁気検出素子。
16. 前記多層膜の、少なくとも前記フリー磁性層のトラック幅方向における側端面に対向して、硬磁性材料からなり、フリー磁性層の磁化方向をトラック幅方向に揃えるハードバイアス層が形成されている請求項１ないし１５のいずれかに記載の磁気検出素子。
17. 前記フリー磁性層に重なる位置に、反強磁性材料からなり、フリー磁性層の磁化方向をトラック幅方向に揃えるエクスチェンジバイアス層が形成されている請求項１ないし１５のいずれかに記載の磁気検出素子。
18. 前記フリー磁性層の前記非磁性材料層が形成された面と反対側の面には、分離層を介して、強磁性材料からなり、フリー磁性層の磁化方向をトラック幅方向に揃えるインスタックバイアス層が形成されている請求項１ないし１５のいずれかに記載の磁気検出素子。
19. 前記多層膜のトラック幅方向における側端面には、スペキュラー膜が設けられている請求項１ないし１８のいずれかに記載の磁気検出素子。
20. 以下の工程を有することを特徴とする磁気検出素子の製造方法。
    （ａ）基板上に、下部シールド層、下部電極層、反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層、及びフリー磁性層を有する多層膜を形成する工程と、
    （ｂ）前記多層膜上にレジスト層を形成し、前記多層膜上面の法線方向に対する第１の入射角度のミリングにより、前記レジスト層に覆われていない前記多層膜を、前記多層膜の前記フリー磁性層より下層の所定の位置まで、或いは、前記下部電極層または前記下部シールド層の所定の位置まで除去する工程と、
    （ｃ）前記多層膜上面の法線方向に対し、第１の入射角度よりも大きな第２の入射角度のミリングにより、前記多層膜、或いは、前記下部電極層または前記下部シールド層の前記所定の位置より下層を除去する工程と、
    （ｄ）前記レジスト層を除去する工程と、
    （ｅ）前記多層膜の上面に電気的に接続される上部電極層を形成する工程。
21. 前記（ｂ）の工程において、第１の入射角度を５°〜２０°に設定する請求項２０に記載の磁気検出素子の製造方法。
22. 前記（ｃ）の工程において、第２の入射角度を４５°〜６０°に設定する請求項２０または２１に記載の磁気検出素子の製造方法。
23. 前記（ｃ）工程と前記（ｄ）工程の間に、
    （ｆ）前記上部電極層と前記多層膜の側端面を電気的に絶縁する絶縁層を成膜する工程、を有する請求項２０ないし２２のいずれかに記載の磁気検出素子の製造方法。
24. 前記絶縁層の上面を平坦面とする請求項２３に記載の磁気検出素子の製造方法。
25. 前記（ｃ）工程と前記（ｄ）工程の間に、
    （ｇ）前記下部電極層と前記多層膜のトラック幅方向の側端面を電気的に絶縁する絶縁層を前記多層膜の側端面上に形成する工程を有する請求項２０ないし２４のいずれかに記載の磁気検出素子の製造方法。
26. 前記（ａ）の工程において、下から順に、前記反強磁性層、前記固定磁性層、前記非磁性材料層及び前記フリー磁性層を積層する請求項２０ないし２５のいずれかに記載の磁気検出素子の製造方法。
27. 前記（ａ）の工程において、下から順に、前記フリー磁性層、前記非磁性材料層、前記固定磁性層、及び前記反強磁性層を積層する請求項２０ないし２５のいずれかに記載の磁気検出素子の製造方法。
28. 前記（ｃ）工程と前記（ｄ）工程の間に、
    （ｈ）少なくとも前記フリー磁性層のトラック幅方向における側端面に対向して、硬磁性材料からなるハードバイアス層を形成する工程を有する請求項２０ないし２７のいずれかに記載の磁気検出素子の製造方法。
29. 前記（ｃ）工程と前記（ｄ）工程の間に、
    （ｉ）前記フリー磁性層に重なる位置に、反強磁性材料からなるエクスチェンジバイアス層を形成する工程を有する請求項２０ないし２８のいずれかに記載の磁気検出素子の製造方法。
30. 前記（ａ）の工程において、前記フリー磁性層の前記非磁性材料層が形成された面と反対側の面に、分離層を介して、強磁性材料からなるインスタックバイアス層を形成する請求項２０ないし２７のいずれかに記載の磁気検出素子の製造方法。
31. 前記（ｃ）工程と前記（ｄ）工程の間に、
    （ｊ）前記多層膜のトラック幅方向における側端面に、スペキュラー膜を成膜する工程を有する請求項２０ないし３０のいずれかに記載の磁気検出素子の製造方法。

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