JP3356689B2 - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、凸状の磁極先端部
を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気記録の高密度化が進み、ＶＴ
Ｒでは500Mb/inch² 、ＨＤＤでは 200Mb/inch² という
記録密度のシステムが実用化されており、またさらなる
高密度化が要求されている。このような高記録密度化に
伴って、狭トラック化は必須の課題とされている。例え
ば、200Mb/inch² のＨＤＤの場合、トラック幅は 7μm
程度であるが、さらに線記録密度の高密度化を図るため
には、より一層狭トラック化する必要がある。例えば、
10Gb/inch² 程度の高記録密度化に向けて、幅 1μm 以
下程度の狭トラック化が要求されている。

【０００３】ところで、従来の上部磁極のみでトラック
幅を規定した薄膜磁気へッド構造において、上述したよ
うな狭トラック化および線記録密度の高密度化を達成し
ようとした場合、記録トラックのサイドからの漏洩磁界
によって、記録ビット線のエッジでの曲りや再生ライテ
ィングが問題となる。そこで、下部磁極の磁気ギャップ
と対向する面の幅を、上部磁極のそれと同一とする必要
性が生じている。

【０００４】この問題を解決する方法として、下部磁極
の上部を予め凸部形状に加工し、この凸部上に位置整合
させた凹部を配置した非磁性絶縁材料層を形成し、その
凹部に磁性材料を埋め込み、これを上部磁極とするヘッ
ド構造が提案されている。

【０００５】上部磁極を凹部内に埋め込み形成する方法
としては、メッキやコリメーションスパッタなどの方法
が考えられる。これらのうち、プロセスコストが安く、
実績のある方法としてはメッキ法が挙げられる。しかし
ながら、スパッタ法と異なり、メッキ法で凹部内に上部
磁極を形成する場合には、凹部内にメッキ電極層を配置
する必要がある。

【０００６】凹部内へのメッキ電極層の配置形状はいく
つか提案されている。その例を図７に示す。図７におい
て、１は下部磁極、１ａは下部磁極先端部、２は磁気ギ
ャップ膜、３は非磁性絶縁材料層、４は凹部、５は上部
磁極となる磁性材料層（メッキ膜）、５ａは上部磁極先
端部、６はメッキ電極層である。図７（ａ）に示す構造
は、次のようにして形成する。

【０００７】図７（ａ）のようなメッキ電極層６を凹部
４の底面と側壁に配置する場合には、メッキ膜５は等方
的に成長していくため、凹部４内に粒子の密度分布なし
に均一に成長させることは極めて困難であり、また高ア
スペクト比の凹部４を埋め込むことになる狭トラックヘ
ッド構造には向かない。これを解決する方法として、図
７（ｂ）に示すようなメッキ電極層６を凹部４底面のみ
に形成し、基板面と垂直方向のみにメッキ膜５の膜厚を
増加させる方法がある。

【０００８】一方、磁界強度の向上や線方向の磁界傾斜
の向上などを図るために、上部磁極先端部自体を大きな
飽和磁化を持つ磁性材料と相対的に飽和磁化が小さい磁
性材料との積層膜で構成することが検討されている。こ
のような積層構造の上部磁極を形成するためには、図７
（ｂ）に示したように、メッキ電極層６を凹部４の底面
だけに配置した構造をとることになる。

【０００９】このように、図７（ｂ）に示したようなメ
ッキ電極層６の形状は、今後の高記録密度ヘッドに優位
であることが明らかであるが、凸部最上層の導電膜をメ
ッキ電極層として使用する方法を採用する際に、記録磁
気ギャップに絶縁材料を使用するならば、導電膜に何ら
かの配線を接続しなければならない。記録磁気ギャップ
に金属膜を使用すれば、配線は必要なくなるが、渦電流
損失を考慮すると導電性を有する磁気ギャップの使用は
好ましくない。

【００１０】また、導電膜を最上層とした凸部を個々の
ヘッドからウェハ周囲まで引き出し、その引き出し線に
電流を流すことにより、凹部内にメッキ膜を成長させる
方法も考えられる。ただし、この方法では個々のヘッド
から引き回された電極線がウェハ内を横断し、 1枚のウ
ェハから取得できるヘッドの個数を減らし、生産性を低
下させるおそれがある。さらに、ウェハの周囲と中央で
は引き出し線の抵抗が異なり、メッキ膜の膜厚や組成に
分布が発生するなどの問題がある。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、プロ
セスコストの安価なメッキ法で、下部磁極先端部上に位
置整合された凹部内に上部磁極先端部を埋め込み形成す
る際に、より狭トラック化および線記録密度の高密度化
を達成する、凹部底面のみにメッキ電極層を配置したヘ
ッドを作製しようとした場合、 1ウェハ内から取得でき
るヘッド数が減じてしまったり、メッキで形成した上部
磁極の膜厚や組成に分布が発生するなどの問題が生じて
いた。また、記録ギャップに金属膜を用いた場合には、
渦電流損失が大きくなるなどの問題が生じていた。

【００１２】本発明はこのような課題に対処するために
なされたもので、凸状の磁極先端部を有するへッドを、
プロセスコストの安価なメッキ法で良好な特性を持つヘ
ッドとして形成することを可能にすると共に、 1ウェハ
内から取得できるヘッドの個数を減らさない生産性のよ
い薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とし
ている。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
の製造方法は、媒体対向面側に形成された凸状の下部磁
極先端部を有する下部磁極と、前記下部磁極先端部上に
形成された磁気ギャップと、前記磁気ギャップを介して
前記下部磁極先端部と対向配置された上部磁極先端部を
有する上部磁極と、前記媒体対向面より後方側で前記下
部磁極と前記上部磁極との間に配置されたコイルとを具
備する薄膜磁気ヘッドを製造するにあたり、前記下部磁
極先端部、前記磁気ギャップおよび第１のメッキ電極層
を含む凸部を、前記媒体対向面と垂直方向に磁気ヘッド
形成領域外まで延在するように形成する工程と、前記凸
部上に非磁性材料層を形成し、前記非磁性材料層の前記
上部磁極先端部の形成位置に前記第１のメッキ電極層の
表面を底とする第１の凹部を形成する工程と、前記非磁
性材料層の前記磁気ヘッド形成領域外に前記第１のメッ
キ電極層の表面を底とする第２の凹部を形成する工程
と、前記第１のメッキ電極層に前記第２の凹部を介して
第２のメッキ電極層を接続形成する工程と、前記第１お
よび第２のメッキ電極層を用いて前記第１の凹部内に前
記上部磁極先端部となるメッキ膜を成長させる工程とを
有することを特徴としている。

【００１４】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法におい
ては、凸状の下部磁極先端部上に磁気ギャップを介して
予めメッキ電極層を形成している。すなわち、凸部上に
形成された非磁性材料層の凹部には、その底部のみにメ
ッキ電極層が設けられている。従って、このようなメッ
キ電極層を用いて、凹部内に上部磁極先端部をメッキ法
で埋め込み形成することによって、埋め込み形状や磁気
特性に優れる上部磁極先端部を再現性よく得ることが可
能となる。特に、大きな飽和磁化をもつ磁性材料と相対
的に飽和磁化が小さい磁性材料との積層膜で上部磁極先
端部を構成する際に、凹部内に記録磁気ギャップと略平
行に膜を積層させる構造を、メッキ法で再現性よく形成
することができる。

【００１５】さらに、磁気ギャップ上に形成した第１の
メッキ電極層に対して、磁気ヘッド形成領域外に設けた
第２の凹部を介して第２のメッキ電極層を接続形成して
いるので、第２のメッキ電極層は凹部形成用の非磁性材
料層上に形成することができる。すなわち、メッキ引き
出し線となる第２のメッキ電極層は、ヘッド形成領域上
であっても形成することができる。従って、 1枚の基板
内のヘッドの形成個数の削減などを防止することがで
き、またメッキ膜の膜厚や組成の分布などの発生を抑制
することが可能となる。

【００１６】また、第２のメッキ電極層を、第１のメッ
キ電極層が形成されている凹部の周囲約10μm 外側から
形成し、第１および第２のメッキ層上に同時にメッキ膜
を成長させる方法をとることにより、フレームメッキ法
と類似の効果が得られる。すなわち、第２のメッキ電極
層を形成することにより、上部磁極先端部となる第１の
凹部のメッキ中の電流分布を小さくすることができるた
め、膜厚や組成の分布がさらに小さくなり、安定化が図
れるようになる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明を実施するための形
態について説明する。

【００１８】図１は、本発明の一実施形態による製造方
法を適用して作製した録再一体型磁気ヘッドの構成を媒
体対向面（ＡＢＳ）から見た断面図である。ここで、本
発明で言う録再一体型磁気ヘッドとは、例えば磁気抵抗
効果素子部を有する再生ヘッドと、誘導型磁気ヘッドか
らなる記録ヘッドとを上下に一体的に配置形成した磁気
ヘッドである。

【００１９】同図において、１１は図示を省略したＡｌ
₂ Ｏ₃ 付きＡｌ₂ Ｏ₃ ・ＴｉＣ基板などの上に形成され
た下側磁気シールド層である。下側磁気シールド層１１
は、例えばＮｉＦｅ合金やＦｅＡｌＳｉ合金などの結晶
質軟磁性材料、ＣｏＺｒＮｂ合金などのアモルファス軟
磁性材料からなる。

【００２０】下側磁気シールド層１１上には、ＡｌＯ_x
（例えばＡｌ₂ Ｏ₃ ）などの非磁性絶縁材料からなる下
側再生磁気ギャップ１２を介して、磁気抵抗効果膜（Ｍ
Ｒ膜）１３が形成されている。ＭＲ膜１３としては、Ｎ
ｉ₈₀Ｆｅ₂₀などの異方性磁気抵抗効果膜や、Ｃｏ₉₀Ｆｅ
₁₀／Ｃｕ／Ｃｏ₉₀Ｆｅ₁₀／ＩｒＭｎ積層膜などからなる
スピンバルブ膜、人工格子膜などの巨大磁気抵抗効果膜
が用いられる。

【００２１】ＭＲ膜１３は所定形状にパターニングされ
ている。ＭＲ膜１３の両端にはＣｕなどからなる一対の
再生電極１４、１４が接続形成されている。これらによ
って、ＭＲ素子部１５が構成されている。ＭＲ素子部１
５は必要に応じて、ＭＲ膜１３にバイアス磁界を印加す
る硬磁性バイアス膜や反強磁性バイアス膜などを有す
る。この実施形態のＭＲ素子部１５では、一対の再生電
極１４、１４の間隔で再生トラック幅が規定されてい
る。

【００２２】ＭＲ素子部１５上にはＡｌＯ_x などの非磁
性絶縁材料からなる上側再生磁気ギャップ１６が形成さ
れており、さらにその上には下側磁気シールド層１１と
同様な軟磁性材料からなる上側磁気シールド層１７が形
成されている。これらによって、再生ヘッドとして機能
するシールド型ＭＲヘッド１８が構成されている。

【００２３】シールド型ＭＲヘッド１８からなる再生ヘ
ッド上には、誘導型薄膜磁気ヘッド１９からなる記録ヘ
ッドが形成されている。これらによって、録再一体型磁
気ヘッド２０が構成されている。薄膜磁気ヘッド１９の
下部磁極は、シールド型ＭＲヘッド１８の上側磁気シー
ルド層１７を構成する軟磁性層からなる。すなわち、上
側磁気シールド層１７は記録ヘッドの下部磁極を兼ねて
いる。

【００２４】上側磁気シールド層を兼ねる下部磁極（以
下、下部磁極と略記する）１７は、下部磁極先端部（ギ
ャップ対向部）２１として凸部を有している。この凸状
の下部磁極先端部２１上には、ＡｌＯ_x 、Ｓｉ、ＳｉＯ
_x 、ＳｉＮ_x などの非磁性材料からなる記録磁気ギャッ
プ２２が形成されている。これらのうち、特にＡｌ
Ｏ_x 、ＳｉＯ_x 、ＳｉＮ_x などの非磁性絶縁材料を記録
磁気ギャップ２２に適用することが好ましい。また、下
部磁極先端部２１は、記録磁気ギャップ２２と接する上
面の幅が記録トラック幅に相当する幅となっている。

【００２５】凸状の下部磁極先端部２１上に形成された
記録磁気ギャップ２２上には、さらにメッキ電極層２３
が形成されている。メッキ電極層２３には、導電性を有
する磁性材料、例えばＮｉＦｅ合金やＦｅＡｌＳｉ合金
などを使用することが好ましい。これら下部磁極先端部
２１、記録磁気ギャップ２２およびメッキ電極層２３
は、凸部２４を構成している。

【００２６】下部磁極１７上には、下部磁極先端部２
１、記録磁気ギャップ２２およびメッキ電極層２３を含
む凸部２４をトラック幅方向から挟むように、記録磁気
ギャップ２２とは異なる材料からなる非磁性材料層２５
が形成されている。例えば、記録磁気ギャップ２２をＡ
ｌＯ_x で形成した場合、非磁性材料層２５にはＳｉＯ_x
などが適用される。

【００２７】非磁性材料層２５は、凸部２４に対して位
置整合された凹部２６を有している。この凹部２６は下
部磁極先端部２１、記録磁気ギャップ２２およびメッキ
電極層２３を含む凸部２４に対応させて形成されてお
り、メッキ電極層２３の表面を底としている。すなわ
ち、メッキ電極層２３は後述の製造工程で示すように、
予め記録磁気ギャップ２２上に形成しておくことによっ
て、凹部２６の底部のみに形成されている。

【００２８】凹部２６は通常のＰＥＰ（Photo Engravem
ent Process)技術を適用して形成してもよいが、特に後
述する平坦化層（例えば平坦化樹脂）を用いた自己整合
工程に基いて形成することが好ましい。凹部２６の形状
は、媒体対向面の幅が記録磁気ギャップ２２に向かって
収束するテーパー形状となっている。

【００２９】凸状の上部磁極先端部２１に対して位置整
合された凹部２６内には、上部磁極先端部（ギャップ対
向部）２７を構成する磁性材料がメッキ法により埋め込
み形成されている。上部磁極先端部２７上には補助磁極
２８が形成されており、これらによって上部磁極２９が
構成されている。これら上部磁極先端部２７および補助
磁極２９の構成材料としては、下部磁極１７と同様な軟
磁性材料が用いられる。下部磁極先端部２１と上部磁極
先端部２７とは、記録磁気ギャップ２２を挟んで凸部同
士を突き合わせた構造を有しており、またこれら磁極先
端部２１、２７の記録磁気ギャップ２２と接する面の幅
はほぼ同一となっている。

【００３０】凹部２６内に埋め込み形成された上部磁極
先端部２７を含む上部磁極２９の後方側には、媒体対向
面に直角方向の断面図である図２に示すように、非磁性
材料層２５上にポリイミドなどの絶縁層３０内に埋め込
まれた、例えばＣｕからなるコイル３１が形成されてい
る。これら各構成要素によって、録再一体型磁気ヘッド
２０が構成されている。

【００３１】図１および図２では上部磁極２９の補助磁
極２８を媒体対向面（ＡＢＳ）まで延在させた状態を示
しているが、補助磁極２８は媒体対向面（ＡＢＳ）から
後退させてもよい。

【００３２】次に、上述した録再一体型磁気ヘッド１０
の製造工程について説明する。

【００３３】まず、図示を省略したＡｌ₂ Ｏ₃ 付きＡｌ
₂ Ｏ₃ ・ＴｉＣ基板などの上に、シールド型ＭＲヘッド
１８を作製する。このシールド型ＭＲヘッド１８は、一
般的なシールド型ＭＲヘッドの製造工程に基いて作製さ
れる。

【００３４】次に、シールド型ＭＲヘッド１８からなる
再生ヘッド上に、薄膜磁気ヘッド１９からなる記録ヘッ
ドを作製する。この薄膜磁気ヘッド１９の製造工程を図
３および図４を参照して説明する。なお、図３および図
４は図２と同方向からの断面図である。

【００３５】まず、シールド型ＭＲヘッド１８の上側磁
気シールド層を兼ねる下部磁極１７の上面を、例えばエ
ッチバックやポリッシングなどにより平坦化する。次い
で、この平坦化された下部磁極１７に、記録磁気ギャッ
プ２２となる例えば厚さ 0.2μm のＡｌＯ_x 膜、および
第１のメッキ電極層２３となる例えば厚さ 0.1μm のＮ
ｉＦｅ膜を順に成膜する。

【００３６】上記した積層膜に対してレジストなどのマ
スク材を用いたイオンミリングなどを施して、図３
（ａ）に示すように、下部磁極先端部２１、記録磁気ギ
ャップ２２および第１のメッキ電極層２３を含む凸部２
４を形成する。ここで、凸部２４のトラック幅方向（紙
面垂直方向）の幅は記録トラックに対応する幅とする。
また、媒体対向面（ＡＢＳ）と垂直方向には、上部磁極
先端部２７の形成位置から実際の磁気ヘッドの形成領域
外まで延在するように凸部２４を形成する。

【００３７】次に、図３（ｂ）に示すように、凸部２４
上を含めて下部磁極１７上に、凸部２４の形状に沿って
ＳｉＯ_x 層などからなる非磁性材料層２５を形成する。
次いで、図３（ｃ）に示すように、非磁性材料層２５の
上部磁極先端部２７の形成位置に、反応性イオンエッチ
ングなどの方法で第１のメッキ電極層２３に達する深さ
で第１の凹部２６を形成する。すなわち、第１の凹部２
６は第１のメッキ電極層２３の表面を底とするように凸
部２４上に形成されており、そのトラック幅方向（紙面
垂直方向）の幅は記録トラックに対応する幅とされてい
る。

【００３８】さらに、図３（ｄ）に示すように、非磁性
材料層２５の磁気ヘッド形成領域外に、反応性イオンエ
ッチングなどの方法で第１のメッキ電極層２３に達する
深さで第２の凹部３２を形成する。すなわち、第２の凹
部３２は第１のメッキ電極層２３の表面を底とし、媒体
対向面（ＡＢＳ）に対して垂直方向に第１の凹部２６の
前方の凸部２４上に形成されている。第２の凹部３２は
高温ベークしたレジストマスクを使用するなどして、側
壁にテーパを付与することが好ましい。

【００３９】次に、図４（ａ）に示すように、第１の凹
部２６内部を図示せぬレジストで覆った後、例えばリフ
トオフ法で第２のメッキ電極層３３を形成する。この第
２のメッキ電極層３３は、第２の凹部３２を介して第１
のメッキ電極層２３と電気的に接続されていると共に、
ウェハの周囲まで広がっており、メッキ装置のプローブ
と電気的に接触させることが可能となっている。

【００４０】すなわち、上部磁極先端部２７の形成位置
に対応する第１の凹部２６の底部に存在する第１のメッ
キ電極層２３は、それから連続して凸部２４上に形成さ
れた第１のメッキ電極層２３と、この第１のメッキ電極
層２３に第２の凹部３２を介して電気的に接続された第
２のメッキ電極層３３とを通して、メッキ装置のプロー
ブと電気的に接続される。

【００４１】また、この第２のメッキ電極層３３はなる
べく広面積に形成し、第１の凹部２６の周囲約10μm の
範囲まで広げる。これにより、フレームメッキ法と同様
な効果が得られ、磁極先端部が形成される凹部内の場所
による電流分布の変動を小さくすることができ、組成お
よび膜厚の安定化を図ることができる。

【００４２】次いで、図４（ｂ）に示すように、レジス
トフレーム３４を第２の凹部３２に形成した後、第１の
メッキ電極層２３および第２のメッキ電極層３３を使用
して、上部電極形成のためのメッキを実施する。第１の
凹部２６内には、その底部に存在する第１のメッキ電極
層２３に沿ってメッキ膜３５が成長する。この際、第２
のメッキ電極層３３上にもメッキ膜３５′が成長する。

【００４３】メッキ膜３５′は、図４（ｃ）に示すよう
に、レジストフレーム３４を除去した後、イオンミリン
グやケミカルエッチングによって、第２のメッキ電極層
３３と共に除去する。

【００４４】このようにして、第１の凹部２６内には、
その底部に存在する第１のメッキ電極層２３のみからメ
ッキ膜３５を成長させることができ、第１の凹部２６内
に良好な形状で埋め込まれたメッキ膜３５が得られる。
従って、このような埋め込み形状、さらには磁気特性に
優れるメッキ膜３５を上部磁極先端部２７として使用す
ることが可能となる。

【００４５】この後、図２に示したように、上部磁極先
端部２７の後方側の非磁性材料層２５上に、コイル３１
が埋め込まれた絶縁層３０、および上部磁極２９の補助
磁極２８、さらに図示を省略したＡｌＯ_x などからなる
保護層を形成し、図２に示したように、第１の凹部２６
内に埋め込まれた上部磁極先端部２７としてのメッキ膜
３５（２７）が媒体対向面（ＡＢＳ）となるように研磨
することによって、録再一体型磁気ヘッド２０の主要部
が完成する。

【００４６】この実施形態の録再一体型磁気ヘッド２０
の製造工程、特に誘導型薄膜磁気ヘッド１９の製造工程
では、予め凸状の下部磁極先端部２１上に磁気ギャップ
２２を介してメッキ電極層２３を形成し、さらにこのメ
ッキ電極層２３が底となるように、上部磁極先端部２７
の形成位置となる第１の凹部２６を形成しているため、
この第１の凹部２６の底に存在する第１のメッキ電極層
２３のみから上部磁極先端部２７となるメッキ膜３５を
成長させることができる。従って、第１の凹部２６内に
上部磁極先端部２７となるメッキ膜３５を良好な形状で
埋め込むことができ、このような埋め込み形状および磁
気特性に優れる上部磁極先端部２７を得ることが可能と
なる。

【００４７】上述した実施形態においては、第１のメッ
キ電極層２３をウェハ周囲に引き伸ばすために第２のメ
ッキ電極層３３を利用しているが、第１のメッキ電極層
２３を直接ウェハ周囲まで引き回すことも可能である。
ただし、この方法では個々のへッドから引き回された電
極線がウェハ内を横断し、 1枚のウェハから取得できる
へッドの個数を減らし、生産性を低下させるおそれがあ
る。また、ウェハの周囲と中央では引出し線の抵抗が異
なり、メッキ膜の膜厚や組成に分布が発生する可能性が
ある。

【００４８】これに対して、上述した実施形態で示した
ように、第１のメッキ電極層２３の表面を底とすると共
に、第１の凹部２６の前方の凸部２４上に第２の凹部３
２を形成し、この第２の凹部３２を介して第１のメッキ
電極層２３と電気的に接続された第２のメッキ電極層３
３を形成することによって、第２のメッキ電極層３３を
非磁性材料層２５上に形成することができる。すなわ
ち、メッキ引出し線となる第２のメッキ電極層３３は、
ヘッド形成領域上であっても形成することができるた
め、1枚のウェハ内のヘッド形成個数の減少などを防止
することができる。なお、第２のメッキ電極層３３は前
記したように容易に除去することができる。また、第２
のメッキ電極層３３は大面積化できるため、メッキ膜の
膜厚や組成の分布などの発生を抑制することが可能とな
る。

【００４９】ところで、上述した薄膜磁気ヘッド１９の
製造工程で、下部磁極先端部２１、記録磁気ギャップ２
２および第１のメッキ電極層２３を含む凸部２４上の非
磁性材料層２５に凹部２６、３２（特に第１の凹部２
６）を形成するにあたって、平坦化層を使用した自己整
合工程を適用することによって、凸部２４に対して高精
度に位置合せされた第１の凹部２６を容易に得ることが
できる。

【００５０】すなわち、非磁性材料層２５上に低分子量
の樹脂などをコートし、これを高温（〜 200℃）処理し
て平坦化する。この平坦化層をＣＦ₄ などを用いた反応
性イオンエッチング（ＲＩＥ）などの方法で全面的にエ
ッチバックすると、凸部２４上の非磁性材料層２５が選
択的にエッチングされる。このような工程を適用するこ
とによって、下部磁極先端部２１を含む凸部２４に自己
整合された凹部２６、ひいては上部磁極先端部２７が得
られる。

【００５１】次に、本発明の他の実施形態による録再一
体型磁気ヘッドについて、図５を参照して説明する。図
５はこの実施形態の録再一体型磁気ヘッドの構成を媒体
対向面（ＡＢＳ）から見た断面図である。

【００５２】図５に示す録再一体型磁気ヘッド（特に薄
膜磁気ヘッド１９）においては、非磁性材料層２５に形
成された凹部２６内に、ＦｅＮなどの大きな飽和磁化を
もつ磁性材料層（高Ｂｓ層）２７ａと、ＮｉＦｅ合金や
アモルファスＣｏＺｒＮｂ合金などの相対的に飽和磁化
が小さい磁性材料層（低Ｂｓ層）２７ｂとの積層膜から
なる上部磁極先端部２７が埋め込み形成されている。

【００５３】すなわち、記録磁気ギャップ２２側には高
Ｂｓ層２７ａが配置されており、補助磁極２８側には低
Ｂｓ層２７ｂが配置されている。このような積層構造の
上部磁極先端部２７によれば、磁界強度の向上や線方向
の磁界傾度の向上などを図ることができるため、ＮＬＴ
Ｓ（ノンリニアトランジションシフト）が小さい書き込
みを実現することができる。なお、上部磁極先端部２７
以外の構成は図１と同一となっている。

【００５４】上述した高Ｂｓ層２７ａおよび低Ｂｓ層２
７ｂはいずれもメッキ膜であり、上部磁極先端部２７は
このようなメッキ積層膜により構成されている。このよ
うなメッキ積層膜からなる上部磁極先端部２７は、前述
した実施形態と同様に、底部のみにメッキ電極層２３が
配置された凹部２６内に、高Ｂｓ層２７ａおよび低Ｂｓ
層２７ｂを順にメッキすることにより得ることができ
る。メッキ積層膜からなる上部磁極先端部２７であって
も、各メッキ膜２７ａ、２７ｂは凹部２６の底に配置さ
れたメッキ電極層２３のみから成長するため、良好な形
状でメッキ積層膜を凹部２６内に埋め込むことができ
る。

【００５５】このように、本発明によれば上部磁極先端
部２７を高Ｂｓ層２７ａと低Ｂｓ層２７ｂとのメッキ積
層膜で構成する場合においても、そのような上部磁極先
端部２７をメッキ法で再現性よく形成することができ、
埋め込み形状および磁気特性に優れるメッキ積層膜から
なる上部磁極先端部２７を再現性よく得ることが可能と
なる。

【００５６】なお、図５では上部磁極先端部２７のみを
高Ｂｓ層２７ａと低Ｂｓ層２７ｂとの積層膜で構成する
場合について説明したが、下部磁極先端部２１を同様な
積層膜で構成することも可能である。また、下部磁極先
端部２１および上部磁極先端部２７を高Ｂｓ層とし、下
部磁極１７の本体および上部磁極２９の補助磁極２８を
低Ｂｓ層とすることも可能である。

【００５７】上述した各実施形態による録再一体型磁気
ヘッドは、例えば図６に示す磁気ディスク装置などの磁
気記録装置に搭載される。図６はロータリーアクチュエ
ータを用いた磁気ディスク装置４０の概略構造を示して
いる。

【００５８】磁気ディスク４１はスピンドル４２に装着
され、駆動装置制御源（図示せず）からの制御信号に応
答するモータ（図示せず）により回転する。ヘッドスラ
イダ４３は薄膜状のサスペンション４４の先端に取り付
けられている。磁気ディスク４１が回転すると、ヘッド
スライダ４３の媒体対向面（ＡＢＳ）は磁気ディスク４
１の表面から所定の浮上量（例えば 0nm以上 100nm以
下）をもって保持される。ヘッドスライダ４３には、本
発明の録再一体型磁気ヘッド（図６では図示せず）が搭
載されている。ヘッドスライダ４３は、磁気ディスク４
１上に浮上した状態で情報の記録再生を行う。

【００５９】サスペンション４４は、図示しない駆動コ
イルを保持するボビン部などを有するアクチュエータア
ーム４５の一端に接続されている。アクチュエータアー
ム４５の他端には、リニアモータの 1種であるボイスコ
イルモータ４６が設けられている。ボイスコイルモータ
４６は、アクチュエータアーム４５のボビン部に巻き上
げられた図示しない駆動コイルと、それを挟み込むよう
に対向して配置された永久磁石および対向ヨークからな
る磁気回路とから構成される。アクチュエータアーム４
５は、固定軸４７の上下 2カ所に設けられた図示しない
ボールベアリングによって保持され、ボイスコイルモー
タ４６により回転摺動が自在にできるようになってい
る。

【００６０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の薄膜磁気
ヘッドの製造方法によれば、埋め込み形状や磁気特性に
優れる上部磁極先端部を、プロセスコストの安価なメッ
キ法で良好にかつ再現性よく形成することが可能とな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施形態により作製した録再一体
型磁気ヘッドの構造を媒体対向面から見た断面図であ
る。

【図２】 図１に示す録再一体型磁気ヘッドの媒体対向
面に直角方向の縦断面図である。

【図３】 本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の第１の
実施形態による要部製造工程を示す図である。

【図４】 図３に続く薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す
断面図である。

【図５】 本発明の他の実施形態による録再一体型磁気
ヘッドの構造を媒体対向面から見た断面図である。

【図６】 本発明の薄膜磁気ヘッドが搭載される磁気デ
ィスク装置の一構成例を示す斜視図である。

【図７】 従来の凹部埋め込み方式を適用した薄膜磁気
ヘッドの媒体対向面から見た断面図である。

【符号の説明】

１７……上側磁気シールド層を兼ねる下部磁極 １９……薄膜磁気ヘッド ２１……下部磁極先端部 ２２……記録磁気ギャップ ２３……メッキ電極層（第１のメッキ電極層） ２４……凸部 ２５……非磁性材料層 ２６……凹部（第１の凹部） ２７……上部磁極先端部 ２９……上部磁極 ３２……第２の凹部 ３３……第２のメッキ電極層 ３５……メッキ膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 永田 友彦 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株式会社東芝 研究開発センター内 (72)発明者 與田 博明 神奈川県川崎市幸区堀川町72 株式会社 東芝 川崎事業所内 (72)発明者 佐橋 政司 神奈川県川崎市幸区堀川町72 株式会社 東芝 川崎事業所内 (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 5/31

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 媒体対向面側に形成された凸状の下部磁
   極先端部を有する下部磁極と、前記下部磁極先端部上に
   形成された磁気ギャップと、前記磁気ギャップを介して
   前記下部磁極先端部と対向配置された上部磁極先端部を
   有する上部磁極と、前記媒体対向面より後方側で前記下
   部磁極と前記上部磁極との間に配置されたコイルとを具
   備する薄膜磁気ヘッドを製造するにあたり、 前記下部磁極先端部、前記磁気ギャップおよび第１のメ
   ッキ電極層を含む凸部を、前記媒体対向面と垂直方向に
   磁気ヘッド形成領域外まで延在するように形成する工程
   と、 前記凸部上に非磁性材料層を形成し、前記非磁性材料層
   の前記上部磁極先端部の形成位置に前記第１のメッキ電
   極層の表面を底とする第１の凹部を形成する工程と、 前記非磁性材料層の前記磁気ヘッド形成領域外に前記第
   １のメッキ電極層の表面を底とする第２の凹部を形成す
   る工程と、 前記第１のメッキ電極層に前記第２の凹部を介して第２
   のメッキ電極層を接続形成する工程と、 前記第１および第２のメッキ電極層を用いて前記第１の
   凹部内に前記上部磁極先端部となるメッキ膜を成長させ
   る工程とを有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製
   造方法。