JPH1055516A - 磁気ヘッドおよびそれを用いた録再一体型磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁気ヘッドにおいて、例えば 10Gb/inch² 程
度まで対応可能な狭トラックを実現する上で、磁極先端
部によるスロートハイト、トラック幅、さらには磁極後
部との接合面積等を容易に制御することを可能にする。 【解決手段】 下部磁極１８上に磁気ギャップ層２１が
形成され、この磁気ギャップ層２１上に、トレンチ
（溝）２４内に埋め込まれた磁極先端部半体２３ａと、
媒体対向面Ｓから後退した位置に配置され、磁極先端部
半体２３ａと一部が積層された磁極後部半体２３ｂとを
有する上部磁極２３が設けられている。磁極先端部半体
２３ａの形成部位となるトレンチ２４内には、コイル２
５を絶縁するためのコイル絶縁層２６の端部が存在して
おり、コイル絶縁層２６の端部で媒体対向面Ｓからの長
さが規定されている。あるいは、連続して形成される上
部磁極の先端部の形成部位となるトレンチ内に、コイル
絶縁層の端部を存在させ、このコイル絶縁層の端部で媒
体対向面からの長さを規定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ヘッドおよび
それを用いた記録・再生一体型磁気ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気記録の高密度化が進み、ＶＴ
Ｒでは500Mb/inch² 、ＨＤＤでは 200Mb/inch² という
高記録密度のシステムが実用化されており、またさらな
る高密度化が要求されている。このような高記録密度化
に伴って、狭トラック化は必須の課題である。例えば、
200Mb/inch² のＨＤＤの場合、トラック幅は 7μm 、ト
ラック間距離は 2μm 程度であり、トラック幅公差はト
ラック間距離(2μm)程度とすれば要求に応えることがで
きた。しかし、さらなる高記録密度化に対応するために
は、トラック幅は 5〜 6μm 以下にする必要があり、公
差も 0.5μm 以下が要求される。さらに、 10Gb/inch²
程度の高記録密度化に向けては、トラック幅 1μm 以
下、公差 0.1μm 程度が要求されることが予測される。
これらに応えるためには、磁気ヘッドの大幅な改善が必
要となる。

【０００３】ところで、従来の薄膜磁気ヘッドにおいて
は、トラック幅加工はパーマロイ等の選択メッキにより
行っており、トラック幅精度は選択メッキ前のＰＥＰ工
程（フォト・エングレイブメント・プロセス）における
レジストのパターニング精度で決定される。この場合、
上部磁極の形成前の下地段差は10μm 程度あり、この段
差を十分被覆するためには下地段差と同程度のレジスト
厚さが必要で、塗布方法を工夫しても 5μm 程度のレジ
スト厚が最低必要となる。このため、コンタクト露光で
のフレネル回折に基くボケの大きさが 3.5μm 程度とな
り、遠い将来のトラック幅精度はもとより、200Mb/inch
² （トラック間距離（ガードバンド）〜2μm 程度）に
も対応できない。

【０００４】そこで、上部磁極を略扇形状をなす先端部
半体と、後部ギャップ部まで延在する後部半体とで構成
し、先端部半体を下地段差が比較的小さい製造初期の段
階でイオンビームミリング法で形成して、加工公差を小
さくしようとする方法が提案されている。しかし、上部
磁極の先端部半体をイオンビームミリング法で作製する
限り、レジストマスク寸法と最終の磁極の寸法の差が大
きくなり、 10Gb/inch² までは到底対応することができ
ない。また、イオンビームミリング法で作製する限り、
そのレ−トが数10nm/minと遅く、生産性の向上を図るこ
とができない。また、略扇形状をなす先端部半体を、選
択メッキプロセスで形成する方法もあるが、選択メッキ
を用いる限りレジストマスク寸法と段差を無視すること
はできず、少なくとも下部磁極と上部磁極との合計厚さ
（約 6μm ）程度の厚膜レジストをパターニングする必
要があるため、厚膜レジスト自体のパターニング公差が
大きくなってしまう。またさらに、微細部への選択メッ
キは極度に困難である。一方、このような課題に対し
て、例えば 10Gb/inch² まで対応可能な狭トラックの寸
法交差と量産性を共に満足させるために、例えば図８に
示すように、上部磁極１の先端部半体１ａを、予め絶縁
層２で形成したトレンチ３内に磁性体をコリメーション
スパッタ等で埋め込んで形成した薄膜磁気ヘッドが提案
されている（特開平7-141621号公報参照）。なお、図８
において、１ｂは上部磁極１の先端部半体１ａに一部積
層された後部半体、４は磁気ギャップ、５は下部磁極、
６は図示を省略したコイルが埋め込まれたコイル絶縁層
である。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た上部磁極１の先端部半体１ａをトレンチ３内に埋め込
み形成する薄膜磁気ヘッドにおいては、トレンチ３の形
状に由来して磁極先端部半体１ａの形状精度を確保する
ことが難しいという問題が生じる。

【０００６】すなわち、トラック幅を規定するトレンチ
３は、例えばＳｉＯ₂ 等からなる絶縁層２上にレジスト
マスクを形成した後、ＲＩＥ（リアクティブイオンエッ
チング）等のエッチングを施して作製するため、例えば
図９の平面図に示すように、レジストマスクの形状を反
映して、トレンチ３の端部がＲ形状となってしまう。こ
れは、レジストは矩形パターンで露光現像しても、ポス
トベーク後に最小表面積を保って安定になろうとするた
め、レジストマスクを用いる限り、端部のＲ形状は回避
することができないためである。

【０００７】例えば、 10Gb/inch² まで対応可能な狭ト
ラックの薄膜磁気ヘッドを作製する場合、上述したよう
な端部にＲ形状を有するトレンチ３では、記録磁界を規
定する記録ヘッドのスロートハイトｈを正確に制御する
ことは困難であり、また磁極先端部半体１ａと磁極後部
半体１ｂとの接合面積を一定に保つことが難しい。これ
らはいずれも発生磁界の強度等に影響を及ぼすことか
ら、薄膜磁気ヘッドの歩留りや信頼性を低下させること
になる。なお、スロートハイトｈは、下部磁極５と最短
距離で対向する上部磁極１の部分領域について、媒体対
向面から奥への距離とするものである。

【０００８】さらに、図９に示したように、トレンチ３
の端部でスロートハイトｈを規定する構造では、スロー
トハイトｈを短くするためにはトレンチ３の端部を媒体
対向面Ｓに近付けるしかない。この構造では、スロート
ハイトｈがトレンチ３端部のＲ形状におけるｄ₂ より短
くなると、媒体対向面Ｓでのトレンチ３の幅が仕様値(2
ｄ₁ ）より小さくなり、トラック幅の制御が困難になる
という問題が生じる。本発明は、このような課題に対処
するためになされたもので、例えば 10Gb/inch² 程度ま
で対応可能な狭トラックを実現する上で、磁極先端部に
よるスロートハイト、トラック幅、さらには磁極後部と
の接合面積等を容易に制御することを可能にした磁気ヘ
ッドを提供することを目的としており、さらにそのよう
な磁気ヘッドを用いた録再一体型磁気ヘッドを提供する
ことを目的としている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の磁気ヘッ
ドは、下部磁極と、前記下部磁極上に形成された磁気ギ
ャップ層と、媒体対向面側に溝が備えられ、前記磁気ギ
ャップ層上に形成された第１の絶縁層と、前記溝内部の
前記媒体対向面より奥の部分領域に形成された第２の絶
縁層と、前記第１の絶縁層上に形成されたコイルと、前
記コイルを覆うコイル絶縁層と、前記溝内部の他の部分
領域、前記第２の絶縁層上および前記コイル絶縁層上に
形成された上部磁極とを具備することを特徴としてい
る。

【００１０】請求項２記載の磁気ヘッドは、上記した請
求項１記載の磁気ヘッドにおいて、第２の絶縁層と前記
コイル絶縁層とは同一層であることを特徴としている。

【００１１】請求項３記載の磁気ヘッドは、上記した請
求項１記載の磁気ヘッドにおいて、前記上部磁極は、前
記溝内部の部分領域に形成された磁極先端部半体と、こ
の磁極先端部半体上、前記第２の絶縁層上および前記コ
イル絶縁層上に形成された磁極後部半体とからなること
を特徴としている。

【００１２】請求項４記載の録再一体型磁気ヘッドは、
磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の下側に形成さ
れた下側磁気シールド層と、前記下側磁気シールド層と
共に再生用磁気ギャップ層を介して前記磁気抵抗効果膜
を挟持しかつ下部磁極を構成する上側磁気シールド層
と、前記上側磁気シールド層上に形成された記録用磁気
ギャップ層と、媒体対向面側に溝が備えられ、前記記録
用磁気ギャップ層上に形成された第１の絶縁層と、前記
溝内部の前記媒体対向面より奥の部分領域に形成された
第２の絶縁層と、前記第１の絶縁層上に形成されたコイ
ルと、前記コイルを覆うコイル絶縁層と、前記溝内部の
他の部分領域、前記第２の絶縁層上および前記コイル絶
縁層上に形成された上部磁極とを具備することを特徴と
している。請求項１記載の磁気ヘッドにおいては、上部
磁極の先端部の形成部位となる第１の絶縁層に設けた溝
の媒体対向面より奥の部分領域に、第２の絶縁層例えば
請求項２記載の磁気ヘッドのようにコイル絶縁層の端部
を存在させているため、上部磁極の先端部がレジストに
起因するＲ形状となることを防止することができる。そ
して、第２の絶縁層の端部で媒体対向面からの長さを規
定しているため、上部磁極のスローハイトを正確に制御
することが可能となる。さらに、スローハイトを例えば
溝の幅より短く設定する場合においても、媒体対向面か
ら溝端部を十分に離し、かつ第２の絶縁層の端部を媒体
対向面に近付けることによって、溝端部のＲ形状を媒体
対向面に露出させない構造とすることができる。よっ
て、トラック幅を精度よく制御することができる。

【００１３】また、請求項３記載の磁気ヘッドにおいて
は、上部磁極を磁極先端部半体と磁極後部半体に分割し
て作製しており、この場合磁極先端部半体と磁極後部半
体との接合面積を一定に保ちやすくなり、プロセス再現
性がさらに向上する。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明を実施するための形
態について説明する。

【００１５】図１および図２は、本発明の磁気ヘッドを
録再一体型磁気ヘッドに適用した一実施形態を説明する
ための図面であり、図１は録再一体型磁気ヘッドの断面
図、図２は要部を一部断面で示す斜視図である。

【００１６】これらの図において、１１はＡｌ₂ Ｏ₃ 付
きＡｌ₂ Ｏ₃ ・ＴｉＣ等からなる基板であり、この基板
１１上にはアモルファスＣｏＺｒＮｂ合金等のアモルフ
ァス軟磁性体やＮｉＦｅ合金、ＦｅＳｉＡｌ合金等の結
晶質軟磁性体からなる下側磁気シールド層１２が形成さ
れている。下側磁気シールド層１２上には、Ａｌ₂ Ｏ₃
等の非磁性絶縁膜からなる下側再生磁気ギャップ層１３
を介して、磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜）１４が形成されて
いる。

【００１７】上記ＭＲ膜１４としては、例えば電流の方
向と磁性層の磁化モーメントの成す角度に依存して電気
抵抗が変化するＮｉ₈₀Ｆｅ₂₀等からなる異方性磁気抵抗
効果膜や、強磁性膜と非磁性膜との積層膜構造を有し、
各強磁性層の磁化の成す角度に依存して電気抵抗が変化
する、いわゆるスピンバルブ効果を示すＣｏ₉₀Ｆｅ₁₀／
Ｃｕ／Ｃｏ₉₀Ｆｅ₁₀積層膜等からなるスピンバルブ膜、
あるいは巨大磁気抵抗効果を示す人工格子膜が例示され
る。また、ＭＲ膜１４の両端には、Ｃｕ等からなる一対
のリード１５（図１はその一方を示す）が電気的に接続
されており、これらＭＲ膜１４およびリード１５により
ＭＲ素子１６が構成されている。

【００１８】ＭＲ素子１６上には、Ａｌ₂ Ｏ₃ 等の非磁
性絶縁膜からなる上側再生磁気ギャップ層１７が形成さ
れており、さらにその上には下側磁気シールド層１２と
同様な軟磁性材料からなる上側磁気シールド層１８が形
成されている。これらによって、再生ヘッド（再生部）
として機能するシールド型ＭＲヘッド１９が構成されて
いる。

【００１９】上述したシールド型ＭＲヘッド１９からな
る再生ヘッド上には、誘導型の薄膜磁気ヘッド２０から
なる記録ヘッド（記録部）が形成されている。シールド
型ＭＲヘッド１９の上側磁気シールド層１８は、誘導型
薄膜磁気ヘッド２０の下側磁極を兼ねるものであり、こ
の上側磁気シールド層を兼ねる下側磁極１８上には、Ａ
ｌ₂ Ｏ₃ 等の非磁性絶縁材料からなる記録磁気ギャップ
層２１が形成されている。

【００２０】記録磁気ギャップ層２１上には、第１の絶
縁層としてＳｉＯ₂ 等からなるトレンチ形成用絶縁層２
２が設けられており、このトレンチ形成用絶縁層２２に
上部磁極２３の磁極先端部半体２３ａの形成位置となる
トレンチ（溝）２４が設けられている。このトレンチ２
４の形状については後に詳述する。トレンチ形成用絶縁
層２２上には、Ｃｕ等からなるコイル２５が形成されて
おり、このコイル２５はレジスト等のコイル絶縁層２６
で覆われている。

【００２１】トレンチ２４の媒体対向面Ｓとは反対側の
端部内には、コイル２５を絶縁するコイル絶縁層２６の
端部が存在しており、このコイル絶縁層２６の端部で媒
体対向面Ｓからの距離を規定している。すなわち、トレ
ンチ２４内部の媒体対向面Ｓより奥の部分領域に形成さ
れる第２の絶縁層は、コイル絶縁層２６と同一層とされ
ている。

【００２２】このコイル絶縁層２６の端部で媒体対向面
Ｓからの距離が規定されたトレンチ２４内、すなわちト
レンチ２４内部の他の部分領域には、アモルファスＣｏ
ＺｒＮｂ合金等のアモルファス軟磁性体やＮｉＦｅ合
金、ＦｅＳｉＡｌ合金等の結晶質軟磁性体が埋め込まれ
ており、この軟磁性体が磁極先端部半体２３ａを構成し
ている。磁極先端部半体２３ａの後方には、上部磁極２
３の磁極後部半体２３ｂが、磁極先端部半体２３ａと一
部積層するように形成されている。すなわち、磁極後部
半体２３ｂは、磁極先端部半体２３ａ上、第２の絶縁層
を兼ねるコイル絶縁層２６上に形成されている。この磁
極後部半体２３ｂの先端は、媒体対向面Ｓから後退した
位置に存在している。

【００２３】磁極先端部半体２３ａと磁極後部半体２３
ｂ上には、Ａｌ₂ Ｏ₃ 等からなる保護層２７が形成され
て、誘導型薄膜磁気ヘッド２０の電磁変換部の主要部が
構成されている。そして、前述したシールド型ＭＲヘッ
ド１９からなる再生ヘッド（再生部）と、この誘導型薄
膜磁気ヘッド２０からなる記録ヘッド（記録部）とによ
って、記録・再生一体型磁気ヘッド２８が構成されてい
る。

【００２４】次に、上記実施形態の録再一体型磁気ヘッ
ド２８の製造工程について述べる。まず、基板１１上に
下側磁気シールド層１２、下側再生磁気ギャップ層１３
を順に形成し、この下側再生磁気ギャップ層１３上にＭ
Ｒ膜１４を形成する。このＭＲ膜１４を所定形状にパタ
ーニングした後、ＭＲ膜１４の両端に一対のリード１５
を形成してＭＲ素子１６とする。このＭＲ素子１６上に
上側再生磁気ギャップ層１７、上側磁気シールド層１８
を順に形成して、シールド型ＭＲヘッド１９を作製す
る。

【００２５】次に、上記したシールド型ＭＲヘッド１９
の上側磁気シールド層を兼ねる下側磁極１８上に、記録
磁気ギャップ層２１を形成し、その上にＳｉＯ₂ 等から
なるトレンチ形成用絶縁層２２を形成する。そして、こ
のトレンチ形成用絶縁層２２上にレジストマスクを形成
した後、ＣＦ₄ 等のガスによりトレンチ形成用絶縁層２
２をＲＩＥ等の手段によりエッチングして、図３に示す
ように、トレンチ形成用絶縁層２２にトレンチ２４を形
成する。

【００２６】このトレンチ２４の媒体対向面Ｓとは反対
側の端部２４ａは、レジストマスクの形状を反映してＲ
形状となるが、このＲ形状の端部２４ａがスローハイト
や記録トラック幅等に影響を及ぼさないように、媒体対
向面Ｓから十分に離れた位置となるようトレンチ２４の
長さを設定する。

【００２７】次いで、トレンチ形成用絶縁層２２の後方
上にコイル２５を形成した後、このコイル２５をレジス
ト等からなるコイル絶縁層２６で覆う。この際、その端
部がトレンチ２４内に入るようにコイル絶縁層２６を形
成し、このレジスト等からなるコイル絶縁層２６を所定
の形状に現像、露光する際、図４に示すように、コイル
絶縁層２６の端部が媒体対向面Ｓから所定の距離ｈとな
るようにパターニングする。

【００２８】すなわち、このコイル絶縁層２６の端部で
媒体対向面Ｓからの距離ｈを規定している。ここで、コ
イル絶縁層２６の端部位置は、コイル絶縁層２６として
レジストを用いる場合、レジストの種類やそのベーク温
度等を制御することにより正確に規定することができ
る。

【００２９】そして、このコイル絶縁層２６の端部で媒
体対向面Ｓからの距離ｈを規定したトレンチ２４内に、
前述したような軟磁性体を例えばコリメーションスパッ
タで埋め込み、その後ポリッシングやエッチバック等で
不要部分を取り除くことによって、図５に示すようにト
レンチ２４内に磁極先端部半体２３ａを形成する。この
後、図２に示したように、トレンチ２４内の磁極先端部
半体２３ａと一部が積層するように、磁極後部半体２３
ｂを形成する。

【００３０】このように、トレンチ２４の媒体対向面Ｓ
とは反対側の端部２４ａを媒体対向面Ｓから十分に離れ
た位置とし、この端部２４ａ側にコイル絶縁層２６の一
部を存在させることによって、レジストマスクの形状を
反映したトレンチ端部２４ａのＲ形状をコイル絶縁層２
６で埋めることができる。よって、このトレンチ２４内
に埋め込み形成した磁極先端部半体２３ａは、その媒体
対向面Ｓとは反対側の端部がＲ形状となることはない。

【００３１】また、図６に示すように、トレンチ２４は
コイル絶縁層２６の端部で媒体対向面Ｓからの距離ｈが
規定されているため、磁極先端部半体２３ａの媒体対向
面Ｓからの距離、すなわちスローハイトを正確に制御す
ることができる。さらに、磁極先端部半体２３ａと磁極
後部半体２３ｂとの接合面積を一定に保つことができ
る。加えて、トレンチ端部２４ａにトレンチ幅が狭くな
るＲ形状が存在していないため、軟磁性体のコリメーシ
ョンスパッタ等による埋め込み形成を均一に実施するこ
とができる。すなわち、磁極先端部半体２３ａとなる軟
磁性体が均一に成長しやすくなり、磁極先端部半体２３
ａの磁気特性の向上を図ることができる。さらに、媒体
対向面Ｓからの距離ｈをコイル絶縁層２６の端部で規定
したトレンチ２４内に磁極先端部半体２３ａを形成して
いるため、スローハイトをトラック幅より短く設定する
場合においても、図６に示すようにトレンチ端部２４ａ
のＲ形状を媒体対向面Ｓに露出させない構造とすること
ができる。従って、磁極先端部半体２３ａによりトラッ
ク幅を正確に規定することが可能となる。

【００３２】言い換えると、コイル絶縁層２６の端部を
トレンチ２４内に存在させ、かつこのコイル絶縁層２６
の端部でスロートハイトｈを規定しているため、トレン
チ形成用絶縁層２２に形成する当初のトレンチ２４は、
その端部２４ａが媒体対向面Ｓから十分に離れた位置と
することができる。従って、トレンチ２４をトレンチ形
成用絶縁層２２にＲＩＥ等で作製する際に、レジストマ
スクの形状を反映してトレンチ端部２４ａがＲ形状とな
っても、このトレンチ端部２４ａのＲ形状がスロートハ
イト、トラック幅、磁極後部半体との接合面積等に影響
を及ぼすことはない。

【００３３】これらによって、幅 1μm 以下というよう
な狭トラックを実現する場合においても、上部磁極２３
の形状精度を再現性よく確保することができる。すなわ
ち、10Gb/inch² 程度まで対応可能な狭トラックの薄膜
磁気ヘッド２０を再現性よく作製することが可能とな
る。また、このような誘導型の薄膜磁気ヘッド２０とシ
ールド型ＭＲヘッド１９とを組合せて録再一体型磁気ヘ
ッド２８を構成することによって、高記録密度化への対
応を図った記録再生特性に優れた磁気ヘッドを提供する
ことができる。

【００３４】次に、本発明の他の実施形態について、図
７を参照して説明する。図７に示す録再一体型磁気ヘッ
ド２９は、前述した実施形態と同一構成のシールド型Ｍ
Ｒ１９を有している。このシールド型ＭＲヘッド１９か
らなる再生ヘッド（再生部）上には、誘導型の薄膜磁気
ヘッド３０からなる記録ヘッド（記録部）が形成されて
いる。シールド型ＭＲヘッド１９の上側磁気シールド層
１８は、誘導型薄膜磁気ヘッド３０の下側磁極を兼ねる
ものであり、この上側磁気シールド層を兼ねる下側磁極
１８上には、Ａｌ₂ Ｏ₃ 等の非磁性絶縁材料からなる記
録磁気ギャップ層２１が形成されている。

【００３５】記録磁気ギャップ層２１上には、第１の絶
縁層としてＳｉＯ₂ 等からなるトレンチ形成用絶縁層２
２が設けられており、このトレンチ形成用絶縁層２２に
上部磁極３０の先端部３０ａの形成位置となるトレンチ
（溝）２４が設けられている。トレンチ形成用絶縁層２
２上には、Ｃｕ等からなるコイル２５が形成されてお
り、このコイル２５はレジスト等のコイル絶縁層２６で
覆われている。

【００３６】トレンチ２４の媒体対向面Ｓとは反対側の
端部内には、コイル絶縁層２６の端部が存在しており、
このコイル絶縁層２６の端部で媒体対向面Ｓからの距離
ｈを規定している。すなわち、コイル絶縁層２６はトレ
ンチ２４内部の媒体対向面Ｓより奥の部分領域に形成さ
れる第２の絶縁層を兼ねている。

【００３７】上部磁極３１を構成するアモルファスＣｏ
ＺｒＮｂ合金等のアモルファス軟磁性体やＮｉＦｅ合
金、ＦｅＳｉＡｌ合金等の結晶質軟磁性体は、その一部
がコイル絶縁層２６の端部で媒体対向面Ｓからの距離が
規定されたトレンチ２４内、すなわちトレンチ２４内部
の他の部分領域に埋め込まれ、かつこの埋め込み部から
後方に連続するように形成されている。すなわち、上部
磁極３１はトレンチ２４内に埋め込まれた先端部３１ａ
と、この先端部３１ａから連続して後方に向けて、第２
の絶縁層を兼ねるコイル絶縁層２６上に成膜された後方
部３１ｂとにより構成されている。

【００３８】上述した上部磁極３１上には、Ａｌ₂ Ｏ₃
等からなる保護層２７が形成されており、これらによっ
て誘導型薄膜磁気ヘッド３０の電磁変換部の主要部が構
成されている。そして、前述したシールド型ＭＲヘッド
１９からなる再生ヘッド（再生部）と、この誘導型薄膜
磁気ヘッド３０からなる記録ヘッド（記録部）とによっ
て、録再一体型磁気ヘッド２９が構成されている。

【００３９】この実施形態の録再一体型磁気ヘッド２９
においても、トレンチ２４の媒体対向面Ｓとは反対側の
端部を媒体対向面Ｓから十分に離れた位置とし、この端
部側にコイル絶縁層２６の一部を存在させているため、
レジストマスクの形状を反映したトレンチ端部のＲ形状
をコイル絶縁層２６で埋めることができ、よって上部磁
極３１の先端部３１ａの媒体対向面Ｓとは反対側の端部
がＲ形状となることはない。

【００４０】また、トレンチ２４はコイル絶縁層２６の
端部で媒体対向面Ｓからの距離が規定されているため、
上部磁極３１の先端部３１ａの媒体対向面Ｓからの距
離、すなわちスローハイトを正確に制御することができ
る。さらに、トレンチ端部にトレンチ幅が狭くなるＲ形
状が存在していないため、軟磁性体のコリメーションス
パッタ等による埋め込み形成を均一に実施することがで
きる。すなわち、上部磁極３１を構成する軟磁性体が均
一に成長しやすくなり、上部磁極３１の磁気特性の向上
を図ることができる。

【００４１】さらに、媒体対向面Ｓからの距離をコイル
絶縁層２６の端部で規定したトレンチ２４内に上部磁極
３１の先端部３１ａを埋め込み形成しているため、スロ
ーハイトをトラック幅より短く設定する場合において
も、トレンチ端部のＲ形状を媒体対向面Ｓに露出させな
い構造とすることができる。従って、上部磁極３１の先
端部３１ａによりトラック幅を正確に規定することが可
能となる。

【００４２】このように、レジストマスクの形状を反映
してトレンチ端部がＲ形状となっても、このトレンチ端
部のＲ形状がスロートハイト、トラック幅等に影響を及
ぼすことはないため、幅 1μm 以下というような狭トラ
ックを実現する場合においても、上部磁極３１の形状精
度を再現性よく確保することができる。すなわち、10Gb
/inch² 程度まで対応可能な狭トラックの薄膜磁気ヘッ
ド３０を再現性よく作製することが可能となる。また、
この実施形態における薄膜磁気ヘッド３０では、上部磁
極３１を先端部３１ａから後方部３１ｂまで連続して形
成しているため、製造工数の削減等を図ることができ
る。

【００４３】ただし、上部磁極先端部の媒体対向面Ｓに
露出する形状の制御性については、上部磁極の後方部す
なわち磁極後部半体２３ｂの位置を正確に制御できるこ
とから、前述した第１の実施形態の方が有利である。

【００４４】そして、上述したような誘導型薄膜磁気ヘ
ッド３０とシールド型ＭＲヘッド１９とを組合せて録再
一体型磁気ヘッド２９を構成することによって、高記録
密度化への対応を図った記録再生特性に優れた磁気ヘッ
ドを提供することができる。なお、上述した各実施形態
では、上部磁極の先端部のみをトレンチ内に埋め込み形
成する場合について説明したが、下部磁極についても上
側再生磁気ギャップ層１７上に、前述したトレンチ形成
用絶縁層２２と同様な他のトレンチ形成用絶縁層を形成
し、この他のトレンチ形成用絶縁層に形成したトレンチ
内に一部を埋め込むことによって、上部磁極の先端部の
形状制御性を高めることができる。

【００４５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気ヘッ
ドによれば、磁極先端部によるスロートハイト、トラッ
ク幅、さらには磁極後部との接合面積等を容易に制御す
ることができる。従って、例えば 10Gb/inch² 程度まで
対応可能な狭トラックの磁気ヘッドを再現性よく提供す
ることが可能となる。また、本発明の録再一体型磁気ヘ
ッドによれば、高記録密度化への対応を図った上で、優
れた記録再生特性を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の磁気ヘッドを録再一体型磁気ヘッド
に適用した一実施形態の概略構成を示す断面図である。

【図２】 図１に示す録再一体型磁気ヘッドの要部を一
部断面で示す斜視図である。

【図３】 図１に示す録再一体型磁気ヘッドの要部製造
工程の一部を示す断面図である。

【図４】 図３以降の録再一体型磁気ヘッドの製造工程
を示す断面図である。

【図５】 図４以降の録再一体型磁気ヘッドの製造工程
を示す断面図である。

【図６】 図１に示す録再一体型磁気ヘッドのトレンチ
構造を示す平面図である。

【図７】 本発明の磁気ヘッドを録再一体型磁気ヘッド
に適用した他の実施形態の概略構成を示す断面図であ
る。

【図８】 従来の磁気ヘッドの一構成例を一部断面で示
す斜視図である。

【図９】 図８に示す磁気ヘッドのトレンチ構造を示す
平面図である。

【符号の説明】

１２……下側磁気シールド層 １４……磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜） １８……上側磁気シールド層を兼ねる下側磁極 １９……シールド型ＭＲヘッド ２０……誘導型薄膜磁気ヘッド ２１……記録磁気ギャップ層 ２２……トレンチ形成用絶縁層 ２３、３０……上部磁極 ２３ａ……磁極先端部半体 ２３ｂ……磁極後部半体 ２４……トレンチ ２５……コイル ２６……コイル絶縁層 ３０ａ……上部磁極の先端部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堀 昭男 神奈川県川崎市幸区堀川町72 株式会社東 芝川崎事業所内 (72)発明者 與田 博明 神奈川県川崎市幸区堀川町72 株式会社東 芝川崎事業所内 (72)発明者 小沢 則雄 神奈川県川崎市幸区堀川町72 株式会社東 芝川崎事業所内 (72)発明者 坂久保 武男 神奈川県川崎市幸区堀川町72 株式会社東 芝川崎事業所内 (72)発明者 小泉 隆 神奈川県川崎市幸区堀川町72 株式会社東 芝川崎事業所内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下部磁極と、 前記下部磁極上に形成された磁気ギャップ層と、 媒体対向面側に溝が備えられ、前記磁気ギャップ層上に
   形成された第１の絶縁層と、 前記溝内部の前記媒体対向面より奥の部分領域に形成さ
   れた第２の絶縁層と、 前記第１の絶縁層上に形成されたコイルと、 前記コイルを覆うコイル絶縁層と、 前記溝内部の他の部分領域、前記第２の絶縁層上および
   前記コイル絶縁層上に形成された上部磁極とを具備する
   ことを特徴とする磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 請求項１記載の磁気ヘッドにおいて、 前記第２の絶縁層と前記コイル絶縁層とは同一層である
   ことを特徴とする磁気ヘッド。
3. 【請求項３】 請求項１記載の磁気ヘッドにおいて、 前記上部磁極は、前記溝内部の部分領域に形成された磁
   極先端部半体と、この磁極先端部半体上、前記第２の絶
   縁層上および前記コイル絶縁層上に形成された磁極後部
   半体とからなることを特徴とする磁気ヘッド。
4. 【請求項４】 磁気抵抗効果膜と、 前記磁気抵抗効果膜の下側に形成された下側磁気シール
   ド層と、 前記下側磁気シールド層と共に再生用磁気ギャップ層を
   介して前記磁気抵抗効果膜を挟持し、かつ下部磁極を構
   成する上側磁気シールド層と、 前記上側磁気シールド層上に形成された記録用磁気ギャ
   ップ層と、 媒体対向面側に溝が備えられ、前記記録用磁気ギャップ
   層上に形成された第１の絶縁層と、 前記溝内部の前記媒体対向面より奥の部分領域に形成さ
   れた第２の絶縁層と、 前記第１の絶縁層上に形成されたコイルと、 前記コイルを覆うコイル絶縁層と、 前記溝内部の他の部分領域、前記第２の絶縁層上および
   前記コイル絶縁層上に形成された上部磁極とを具備する
   ことを特徴とする録再一体型磁気ヘッド。