JP2002074611A

JP2002074611A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

Info

Publication number: JP2002074611A
Application number: JP2000262168A
Authority: JP
Inventors: Tetsuo Miyazaki; 哲夫宮崎; Noboru Yamanaka; 昇山中
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2000-08-31
Filing date: 2000-08-31
Publication date: 2002-03-15

Abstract

(57)【要約】【課題】局部的なエッチングを利用して、実効的な記
録トラック幅の増加を防止し、且つ磁極幅を精度よく制
御することを可能にすると共に、局部的なエッチング方
法を用いた磁極トリミングによって磁性層に形成される
エッジによる記録特性の劣化を防止する。【解決手段】集束イオンビームを用いて、上部磁極層
１５の磁極部分の側部、記録ギャップ層９および下部磁
極層８の少なくとも一部をエッチングする。このエッチ
ングにより、上部磁極層１５の磁極部分の両側におい
て、下部磁極層８に対して、記録ギャップ層９側で開口
する開口部を有する２つの溝部２１が形成される。ま
た、溝部２１によって、下部磁極層８における記録ギャ
ップ層９側の少なくとも一部の幅が上部磁極層１５の磁
極部分の幅に揃えられる。溝部２１の開口部の幅Ｗ₁は
１．５μｍ以上とし、奥行きは０．５μｍ以上とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも誘導型
電磁変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
電磁変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗効果素子（以下、ＭＲ（Magneto-resistive）素子と
も記す。）を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合
型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。

【０００３】記録ヘッドは、それぞれエアベアリング面
側において互いに対向する磁極部分を含む下部磁極層お
よび上部磁極層と、下部磁極層の磁極部分と上部磁極層
の磁極部分との間に設けられた記録ギャップ層と、少な
くとも一部が下部磁極層および上部磁極層に対して絶縁
された状態で設けられた薄膜コイルとを備えている。

【０００４】ところで、記録ヘッドの性能のうち、記録
密度を高めるには、磁気記録媒体におけるトラック密度
を上げる必要がある。このためには、下部磁極層の磁極
部分と上部磁極層の磁極部分のエアベアリング面での
幅、すなわち記録トラック幅を数ミクロンからサブミク
ロン寸法まで狭くした狭トラック構造の記録ヘッドを実
現する必要があり、これを達成するために半導体加工技
術が利用されている。

【０００５】また、下部磁極層の磁極部分と上部磁極層
の磁極部分との間における磁束の広がりによる実効的な
記録トラック幅の増加を防止するために、下部磁極層の
磁極部分の少なくとも一部の幅を上部磁極層の磁極部分
の幅に揃えた構造が多く採用されている。この構造は、
トリム（Trim）構造と呼ばれる。また、以下、このよう
なトリム構造を形成することを磁極トリミングと言う。

【０００６】磁極トリミングの方法としては、例えば、
上部磁極層の磁極部分をマスクにして、この磁極部分の
周辺領域における記録ギャップ層および下部磁極層の記
録ギャップ層側の一部を、ドライエッチングによってエ
ッチングするという方法がある。

【０００７】その他の磁極トリミングの方法としては、
例えば特開平１１−７６０８号公報、特開平１１−３５
３６１８号公報、特開２０００−１４９２２７号公報に
示されるように、集束イオンビーム（Focused Ion Bea
m；以下、ＦＩＢとも記す。）を用いて、上部磁極層の
磁極部分の側部、記録ギャップ層および下部磁極層の記
録ギャップ層側の一部をエッチングするという方法があ
る。ＦＩＢを用いた磁極トリミングでは、任意の微小領
域のみを選択的にエッチングできるため、トリミング後
の磁極幅は、トリミング前の磁極幅のばらつきの影響を
受けることが少ない。そのため、ＦＩＢを用いた磁極ト
リミングは、磁極幅の制御性に優れているという利点を
有する。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】図１８は、ＦＩＢを用
いた磁極トリミング後の磁極部分を示す説明図である。
なお、図１８には、薄膜磁気ヘッドの構成要素のうち、
上部磁極層１１５の磁極部分と下部磁極層１０８の磁極
部分のみを示している。図１８に示したように、ＦＩＢ
を用いた磁極トリミングでは、局部的なエッチングが行
われるため、トリミング後の下部磁極層１０８には、Ｆ
ＩＢが照射された部分に溝部（トレンチ）１２１が形成
される。その結果、トリミング後の下部磁極層１０８に
は、溝部１２１の開口部においてエッジ１２２が形成さ
れる。このエッジ１２２は先鋭形状になるため、エッジ
１２２に磁束が集中し、エッジ１２２が疑似的な磁極と
して作用する場合がある。その結果、記録媒体中のデー
タを記録すべきトラックＴ₁以外の領域、例えば隣接す
るトラックＴ₂においてもデータの書き込みや消去が行
われ、いわゆる記録滲みを生じる場合がある。

【０００９】このように、ＦＩＢを用いた磁極トリミン
グでは、溝部１２１の開口部に形成されるエッジ１２２
によって、記録特性の劣化を生じる場合があるという問
題点があった。

【００１０】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、局部的なエッチングを利用して、実
効的な記録トラック幅の増加を防止し、且つ磁極幅を精
度よく制御することを可能にすると共に、局部的なエッ
チングによって磁性層に形成されるエッジによる記録特
性の劣化を防止できるようにした薄膜磁気ヘッドおよび
その製造方法を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の薄膜磁気
ヘッドの製造方法は、記録媒体に対向する媒体対向面
と、互いに磁気的に連結され、媒体対向面側において互
いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つ
の層を含む第１および第２の磁性層と、第１の磁性層の
磁極部分と第２の磁性層の磁極部分との間に設けられた
ギャップ層と、少なくとも一部が第１および第２の磁性
層の間に、第１および第２の磁性層に対して絶縁された
状態で設けられた薄膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッド
を製造する方法であって、第１の磁性層を形成する工程
と、第１の磁性層の上にギャップ層を形成する工程と、
ギャップ層の上に第２の磁性層を形成する工程と、少な
くとも一部が第１および第２の磁性層の間に、この第１
および第２の磁性層に対して絶縁された状態で配置され
るように、薄膜コイルを形成する工程と、エッチングマ
スクを使用しない局部的なエッチング方法を用いて、第
２の磁性層の磁極部分の側部、ギャップ層および第１の
磁性層におけるギャップ層側の少なくとも一部をエッチ
ングすることによって、第２の磁性層の磁極部分の両側
において、第１の磁性層に対して、ギャップ層側で開口
する開口部を有する２つの溝部を形成すると共に、この
溝部によって、第１の磁性層におけるギャップ層側の少
なくとも一部の幅を第２の磁性層の磁極部分の幅に揃え
る工程とを備え、媒体対向面に平行な方向における開口
部の長さは１．５μｍ以上であり、且つ媒体対向面に垂
直な方向における開口部の長さは０．５μｍ以上である
ものである。

【００１２】なお、本発明の第１の薄膜磁気ヘッドの製
造方法において、「第１の磁性層におけるギャップ層側
の少なくとも一部の幅を第２の磁性層の磁極部分の幅に
揃える」というのは、第１の磁性層におけるギャップ層
側の少なくとも一部の幅を第２の磁性層の磁極部分の幅
に一致させる場合だけではなく、第２の磁性層の磁極部
分の側部がテーパー状をなす場合に、第１の磁性層にお
けるギャップ層側の少なくとも一部の側部が、第２の磁
性層の磁極部分の側部の延長上に配置されるようにする
場合も含む。

【００１３】本発明の第１の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、エッチングマスクを使用しない局部的なエッチン
グ方法を用いて、第２の磁性層の磁極部分の側部、ギャ
ップ層および第１の磁性層におけるギャップ層側の少な
くとも一部がエッチングされて、第２の磁性層の磁極部
分の両側において、第１の磁性層に対して、ギャップ層
側で開口する開口部を有する２つの溝部が形成されると
共に、この溝部によって、第１の磁性層におけるギャッ
プ層側の少なくとも一部の幅が第２の磁性層の磁極部分
の幅に揃えられる。媒体対向面に平行な方向における開
口部の長さは１．５μｍ以上とされ、媒体対向面に垂直
な方向における開口部の長さは０．５μｍ以上とされ
る。

【００１４】本発明の第１の薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、局部的なエッチング方法は、集束イオンビー
ムを用いたエッチング方法であってもよい。

【００１５】本発明の第１の薄膜磁気ヘッドは、記録媒
体に対向する媒体対向面と、互いに磁気的に連結され、
媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含み、
それぞれ少なくとも１つの層を含む第１および第２の磁
性層と、第１の磁性層の磁極部分と第２の磁性層の磁極
部分との間に設けられたギャップ層と、少なくとも一部
が第１および第２の磁性層の間に、第１および第２の磁
性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルと
を備え、第２の磁性層の磁極部分の両側において、第１
の磁性層には、局部的なエッチングによってギャップ層
側で開口する２つの開口部を有する溝部が形成されてお
り、この溝部によって、第１の磁性層におけるギャップ
層側の少なくとも一部の幅が第２の磁性層の磁極部分の
幅に揃えられ、媒体対向面に平行な方向における開口部
の長さは１．５μｍ以上であり、且つ媒体対向面に垂直
な方向における開口部の長さは０．５μｍ以上であるも
のである。

【００１６】なお、本発明の第１の薄膜磁気ヘッドにお
いて、「第１の磁性層におけるギャップ層側の少なくと
も一部の幅が第２の磁性層の磁極部分の幅に揃えられて
いる」というのは、第１の磁性層におけるギャップ層側
の少なくとも一部の幅が第２の磁性層の磁極部分の幅に
一致している場合だけではなく、第２の磁性層の磁極部
分の側部がテーパー状をなす場合に、第１の磁性層にお
けるギャップ層側の少なくとも一部の側部が、第２の磁
性層の磁極部分の側部の延長上に配置されている場合も
含む。

【００１７】本発明の第１の薄膜磁気ヘッドでは、第２
の磁性層の磁極部分の両側において、第１の磁性層に対
して、ギャップ層側で開口する開口部を有する２つの溝
部が形成され、この溝部によって、第１の磁性層におけ
るギャップ層側の少なくとも一部の幅が第２の磁性層の
磁極部分の幅に揃えられている。媒体対向面に平行な方
向における開口部の長さは１．５μｍ以上で、媒体対向
面に垂直な方向における開口部の長さは０．５μｍ以上
となっている。

【００１８】本発明の第２の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、記録媒体に対向する媒体対向面と、互いに磁気的に
連結され、媒体対向面側において互いに対向する磁極部
分を含み、それぞれ少なくとも１つの層を含む第１およ
び第２の磁性層と、第１の磁性層の磁極部分と第２の磁
性層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、少な
くとも一部が第１および第２の磁性層の間に、第１およ
び第２の磁性層に対して絶縁された状態で設けられた薄
膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドを製造する方法であ
って、第１の磁性層を形成する工程と、第１の磁性層の
上にギャップ層を形成する工程と、ギャップ層の上に第
２の磁性層を形成する工程と、少なくとも一部が第１お
よび第２の磁性層の間に、この第１および第２の磁性層
に対して絶縁された状態で配置されるように、薄膜コイ
ルを形成する工程と、第２の磁性層の磁極部分の周辺領
域において、第２の磁性層の磁極部分をマスクとして、
ギャップ層をエッチングすると共に第１の磁性層におけ
るギャップ層側の一部を所定の深さまでエッチングする
第１のエッチング工程と、第１のエッチング工程の後
に、エッチングマスクを使用しない局部的なエッチング
方法を用いて、第２の磁性層の磁極部分の側部、ギャッ
プ層および第１の磁性層におけるギャップ層側の少なく
とも一部をエッチングすることによって、第２の磁性層
の磁極部分の両側において、第１の磁性層に対して、ギ
ャップ層側で開口する開口部を有する２つの溝部を形成
すると共に、この溝部によって、第１の磁性層における
ギャップ層側の少なくとも一部の幅を第２の磁性層の磁
極部分の幅に揃える第２のエッチング工程とを備えたも
のである。

【００１９】なお、本発明の第２の薄膜磁気ヘッドの製
造方法において、「第１の磁性層におけるギャップ層側
の少なくとも一部の幅を第２の磁性層の磁極部分の幅に
揃える」というのは、第１の磁性層におけるギャップ層
側の少なくとも一部の幅を第２の磁性層の磁極部分の幅
に一致させる場合だけではなく、第２の磁性層の磁極部
分の側部がテーパー状をなす場合に、第１の磁性層にお
けるギャップ層側の少なくとも一部の側部が、第２の磁
性層の磁極部分の側部の延長上に配置されるようにする
場合も含む。

【００２０】本発明の第２の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、第１のエッチング工程によって、第２の磁性層の
磁極部分の周辺領域において、第１の磁性層におけるギ
ャップ層側の一部が所定の深さまでエッチングされる。
第１のエッチング工程の後の第２のエッチング工程で
は、エッチングマスクを使用しない局部的なエッチング
方法を用いて、第２の磁性層の磁極部分の側部、ギャッ
プ層および第１の磁性層におけるギャップ層側の少なく
とも一部がエッチングされて、第２の磁性層の磁極部分
の両側において、第１の磁性層に対して２つの溝部が形
成されると共に、この溝部によって、第１の磁性層にお
けるギャップ層側の少なくとも一部の幅が第２の磁性層
の磁極部分の幅に揃えられる。

【００２１】本発明の第２の薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、所定の深さは０．２μｍ以上であり、媒体対
向面に平行な方向における開口部の長さは０．２μｍ以
上であり、且つ媒体対向面に垂直な方向における開口部
の長さは０．５μｍ以上であってもよい。なお、媒体対
向面に平行な方向における開口部の長さと、媒体対向面
に垂直な方向における開口部の長さは、いずれも、ギャ
ップ層と第１の磁性層との境界面を含む仮想的な面に投
影された開口部の像における値とする。

【００２２】また、本発明の第２の薄膜磁気ヘッドの製
造方法において、局部的なエッチング方法は、集束イオ
ンビームを用いたエッチング方法であってもよい。

【００２３】本発明の第２の薄膜磁気ヘッドは、記録媒
体に対向する媒体対向面と、互いに磁気的に連結され、
媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含み、
それぞれ少なくとも１つの層を含む第１および第２の磁
性層と、第１の磁性層の磁極部分と第２の磁性層の磁極
部分との間に設けられたギャップ層と、少なくとも一部
が第１および第２の磁性層の間に、第１および第２の磁
性層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルと
を備え、第２の磁性層の磁極部分の周辺領域において、
ギャップ層が除去されていると共に、第１の磁性層にお
けるギャップ層側の一部は所定の深さまでエッチングさ
れており、第２の磁性層の磁極部分の両側において、第
１の磁性層には、局部的なエッチングによってギャップ
層側で開口する開口部を有する２つの溝部が形成されて
おり、この溝部によって、第１の磁性層におけるギャッ
プ層側の少なくとも一部の幅が第２の磁性層の磁極部分
の幅に揃えられているものである。

【００２４】なお、本発明の第２の薄膜磁気ヘッドにお
いて、「第１の磁性層におけるギャップ層側の少なくと
も一部の幅が第２の磁性層の磁極部分の幅に揃えられて
いる」というのは、第１の磁性層におけるギャップ層側
の少なくとも一部の幅が第２の磁性層の磁極部分の幅に
一致している場合だけではなく、第２の磁性層の磁極部
分の側部がテーパー状をなす場合に、第１の磁性層にお
けるギャップ層側の少なくとも一部の側部が、第２の磁
性層の磁極部分の側部の延長上に配置されている場合も
含む。

【００２５】本発明の第２の薄膜磁気ヘッドでは、第２
の磁性層の磁極部分の周辺領域において、第１の磁性層
におけるギャップ層側の一部は所定の深さまでエッチン
グされている。また、第２の磁性層の磁極部分の両側に
おいて、第１の磁性層には２つの溝部が形成されてお
り、この溝部によって、第１の磁性層におけるギャップ
層側の少なくとも一部の幅は第２の磁性層の磁極部分の
幅に揃えられている。

【００２６】本発明の第２の薄膜磁気ヘッドにおいて、
所定の深さは０．２μｍ以上であり、媒体対向面に平行
な方向における開口部の長さは０．２μｍ以上であり、
且つ媒体対向面に垂直な方向における開口部の長さは
０．５μｍ以上であってもよい。なお、媒体対向面に平
行な方向における開口部の長さと、媒体対向面に垂直な
方向における開口部の長さは、いずれも、ギャップ層と
第１の磁性層との境界面を含む仮想的な面に投影された
開口部の像における値とする。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。［第１の実施の形態］

【００２８】始めに、図３ないし図６を参照して、本発
明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドおよびその
製造方法の概略について説明する。なお、図３ないし図
６において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を
示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断
面を示している。

【００２９】本実施の形態における薄膜磁気ヘッドの製
造方法では、まず、図３に示したように、アルティック
（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）等のセラミック材料よりなる基板
１の上に、スパッタ法等によって、アルミナ（Ａｌ
₂Ｏ₃）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）等の絶縁材料よりな
る絶縁層２を、例えば１〜２０μｍの厚さに形成する。
次に、絶縁層２の上に、磁性材料よりなる再生ヘッド用
の下部シールド層３を、例えば０．１〜５μｍの厚さに
形成する。下部シールド層３に用いる磁性材料は、Ｆｅ
ＡｉＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、Ｆｅ
Ｎ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒ
Ｔａ等である。下部シールド層３は、スパッタ法または
めっき法等によって形成される。

【００３０】次に、下部シールド層３の上に、スパッタ
法等によって、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂等の絶縁材料よりな
る下部シールドギャップ膜４を、例えば１０〜２００ｎ
ｍの厚さに形成する。次に、下部シールドギャップ膜４
の上に、スパッタ法等によって、再生用のＭＲ素子（磁
気抵抗効果素子）５を、例えば数十ｎｍの厚さに形成す
る。ＭＲ素子５には、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素
子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子あるいはＴＭＲ
（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す
感磁膜を用いた素子を用いることができる。次に、下部
シールドギャップ膜４およびバイアス磁界印加層の上
に、スパッタ法等によって、ＭＲ素子５に電気的に接続
される一対の電極層６を、数十ｎｍの厚さに形成する。
次に、下部シールドギャップ膜４およびＭＲ素子５の上
に、スパッタ法等によって、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂等の絶
縁材料よりなる上部シールドギャップ膜７を、例えば１
０〜２００ｎｍの厚さに形成する。

【００３１】なお、上記の再生ヘッドを構成する各層
は、レジストパターンを用いた一般的なエッチング方法
やリフトオフ法やこれらを併用した方法によってパター
ニングされる。

【００３２】次に、上部シールドギャップ膜７の上に、
磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用
いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、下部磁極
層と記す。）８を、例えば０．５〜４．０μｍの厚さに
形成する。なお、下部磁極層８に用いる磁性材料は、Ｎ
ｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＦｅＮ等の軟磁性材
料である。下部磁極層８は、スパッタ法またはめっき法
等によって形成される。

【００３３】次に、下部磁極層８の上に、スパッタ法等
によって、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂等の絶縁材料よりなる記
録ギャップ層９を、例えば１０〜５００ｎｍの厚さに形
成する。次に、磁路形成のために、後述する薄膜コイル
の中心部分において、記録ギャップ層９を部分的にエッ
チングしてコンタクトホール９ａを形成する。

【００３４】次に、記録ギャップ層９の上において、薄
膜コイルを形成する部分に、例えば熱硬化させたフォト
レジストよりなる絶縁層１０を形成する。次に、絶縁層
１０の上に、フレームめっき法等によって、Ｃｕ等の導
電性材料よりなる薄膜コイルの第１層部分１１を形成す
る。次に、絶縁層１０および薄膜コイルの第１層部分１
１を覆うように、例えば熱硬化させたフォトレジストよ
りなる絶縁層１２を形成する。次に、絶縁層１２の上
に、フレームめっき法等によって、Ｃｕ等の導電性材料
よりなる薄膜コイルの第２層部分１３を形成する。次
に、絶縁層１２および薄膜コイルの第２層部分１３を覆
うように、例えば熱硬化させたフォトレジストよりなる
絶縁層１４を形成する。薄膜コイルの第１層部分１１と
第２層部分１３は、互いに接続され、コンタクトホール
９ａの回りに巻回される。第１層部分１１と第２層部分
１３を合わせた部分の厚さは例えば２〜５μｍとし、絶
縁層１０，１２，１４を合わせた部分の厚さは例えば３
〜２０μｍとする。

【００３５】次に、図４に示したように、エアベアリン
グ面（媒体対向面）３０から絶縁層１２，１４の上を経
て、コンタクトホール９ａにかけて、磁性材料からなる
記録ヘッド用の上部磁極層１５を、例えば３〜５μｍの
厚さに形成する。なお、上部磁極層１５に用いる磁性材
料は、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＦｅＮ等の
軟磁性材料である。ここで、絶縁層１２のエアベアリン
グ面３０側の端部は、エアベアリング面３０から所定の
位置に配置され、スロートハイトを規定する。

【００３６】下部磁極層８および上部磁極層１５のう
ち、エアベアリング面３０側において記録ギャップ層９
を介して互いに対向する部分が、それぞれ下部磁極層８
の磁極部分および上部磁極層１５の磁極部分である。本
実施の形態では、上部磁極層１５の磁極部分は、記録ト
ラック幅に等しい幅を有し、記録トラック幅を規定して
いる。また、下部磁極層８と上部磁極層１５は、コンタ
クトホール９ａを介して互いに磁気的に連結されてい
る。

【００３７】次に、図５に示したように、磁極トリミン
グを行い、図５（ｂ）に示したようなトリム構造とす
る。本実施の形態における磁極トリミングでは、エッチ
ングマスクを使用しない局部的なエッチング方法とし
て、ＦＩＢ（集束イオンビーム）を用いたエッチング方
法を用いて、上部磁極層１５の磁極部分の側部、記録ギ
ャップ層９および下部磁極層８における記録ギャップ層
９側の少なくとも一部をエッチングする。このエッチン
グによって、上部磁極層１５の磁極部分の両側におい
て、下部磁極層８に対して、記録ギャップ層９側で開口
する開口部を有する２つの溝部が形成される。また、こ
のエッチングによって、溝部によって規定される下部磁
極層８における記録ギャップ層９側の少なくとも一部の
幅が、上部磁極層１５の磁極部分の幅に揃えられる。図
５（ｂ）に示したようなトリム構造によれば、狭トラッ
クの書き込み時に発生する磁束の広がりによる実効的な
トラック幅の増加を防止することができる。

【００３８】次に、図６に示したように、スパッタ法等
によって、全体に、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂等の絶縁材料よ
りなる保護層１６を、例えば５〜５０μｍの厚さに形成
し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない電極
用パッドを形成する。最後に、上記各層を含むスライダ
の研磨加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエ
アベアリング面３０を形成して本実施の形態に係る薄膜
磁気ヘッドが完成する。

【００３９】このようにして製造される本実施の形態に
係る薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面
（エアベアリング面３０）と再生ヘッドと記録ヘッドと
を備えている。再生ヘッドは、ＭＲ素子５と、エアベア
リング面３０側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するよ
うに配置された、ＭＲ素子５をシールドするための下部
シールド層３および上部シールド層（下部磁極層８）と
を有している。

【００４０】記録ヘッドは、互いに磁気的に連結され、
エアベアリング面３０側において互いに対向する磁極部
分を含み、それぞれ少なくとも１つの層を含む下部磁極
層８および上部磁極層１５と、この下部磁極層８の磁極
部分と上部磁極層１５の磁極部分との間に設けられた記
録ギャップ層９と、少なくとも一部が下部磁極層８およ
び上部磁極層１５の間に、これらに対して絶縁された状
態で配設された薄膜コイル１１，１３とを有している。
上部磁極層１５の磁極部分は記録トラック幅を規定して
いる。

【００４１】本実施の形態では、下部磁極層８が本発明
における第１の磁性層に対応し、上部磁極層１５が本発
明における第２の磁性層に対応する。

【００４２】次に、図７および図８を参照して、本実施
の形態における磁極トリミングについて詳しく説明す
る。図７は磁極トリミング前の磁極部分のエアベアリン
グ面に平行な断面を示す断面図、図８は磁極トリミング
後の磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示す断
面図である。

【００４３】本実施の形態では、上部磁極層１５を形成
する際には、まず図７に示したように、上部磁極層１５
の磁極部分の幅が所望の記録トラック幅よりも大きくな
るように、上部磁極層１５を形成する。

【００４４】次に、図８に示したように、ＦＩＢ５０を
用いて、上部磁極層１５の磁極部分の側部、記録ギャッ
プ層９および下部磁極層８における記録ギャップ層９側
の少なくとも一部をエッチングする。このエッチングに
よって、上部磁極層１５の磁極部分の両側において、下
部磁極層８に対して、記録ギャップ層９側で開口する開
口部を有する２つの溝部（トレンチ）２１が形成され
る。また、このエッチングによって、上部磁極層１５の
磁極部分の幅が所望の記録トラック幅に等しくなるよう
に制御されると共に、溝部２１によって、下部磁極層８
における記録ギャップ層９側の少なくとも一部の幅が上
部磁極層１５の磁極部分の幅に揃えられる。なお、下部
磁極層８における記録ギャップ層９側の少なくとも一部
の幅が上部磁極層１５の磁極部分の幅に揃えられるとい
うのは、下部磁極層８における記録ギャップ層９側の少
なくとも一部の幅が上部磁極層１５の磁極部分の幅に一
致させられる場合だけではなく、上部磁極層１５の磁極
部分の側部がテーパー状をなす場合に、下部磁極層８に
おける記録ギャップ層９側の少なくとも一部の側部が、
上部磁極層１５の磁極部分の側部の延長上に配置される
場合も含む。

【００４５】次に、図１および図２を参照して、本実施
の形態における磁極トリミングによって下部磁極層８に
形成される溝部の形状について詳しく説明する。図１は
磁極トリミング後の磁極部分のエアベアリング面に平行
な断面を示す断面図、図２は磁極トリミング後の磁極部
分の近傍を示す平面図である。

【００４６】溝部２１は、記録ギャップ層９側で開口す
る開口部を有している。この開口部の形状は、例えば図
２に示したように矩形になっている。また、この開口部
によって、下部磁極層８には、磁極部分の両側において
エッジ２２が形成される。ここで、エアベアリング面３
０に平行な方向における開口部の長さをトレンチ幅と呼
び、符号Ｗ₁で表す。また、エアベアリング面３０に垂
直な方向における開口部の長さをトレンチ奥行きと呼
び、符号Ｌ₁で表す。本実施の形態では、トレンチ幅Ｗ₁
を１．５μｍ以上とし、トレンチ奥行きＬ₁を０．５μ
ｍ以上とする。

【００４７】次に、図９ないし図１２を参照して、上述
のようにトレンチ幅Ｗ₁を１．５μｍ以上とし、トレン
チ奥行きＬ₁を０．５μｍ以上とする理由について説明
する。

【００４８】図９は、トレンチ幅Ｗ₁を１．３μｍと
し、トレンチ奥行きＬ₁を０．５μｍとしたときのトラ
ックピッチと相対的ヘッド出力との関係を示す特性図、
図１０は、トレンチ幅Ｗ₁を１．５μｍとし、トレンチ
奥行きＬ₁を０．５μｍとしたときのトラックピッチと
相対的ヘッド出力との関係を示す特性図である。なお、
相対的ヘッド出力とは、記録ヘッドによってデータを記
録した後、再生ヘッドによってデータを再生したときの
実際の出力を、本来得られるべき出力で除算した値を百
分率で表したものである。

【００４９】図９に示したように、トレンチ幅Ｗ₁が
１．３μｍの場合には、トラックピッチが約１．３〜
１．５μｍの範囲において相対的ヘッド出力が大きく低
下している。これは、溝部２１の開口部によって磁極部
分の両側において下部磁極層８に形成されるエッジ２２
が疑似的な磁極として作用して、データを記録すべきト
ラック以外の領域においてもデータの書き込みや消去が
行われることによって記録特性が劣化するためであると
考えられる。

【００５０】これに対し、図１０に示したように、トレ
ンチ幅Ｗ₁が１．５μｍの場合には、相対的ヘッド出力
の大きな低下は解消されている。これは、エッジ２２が
上部磁極層１５の磁極部分から十分離れているためであ
ると考えられる。

【００５１】図１１は、トレンチ奥行きＬ₁を０．５μ
ｍとしたときのトレンチ幅Ｗ₁と相対的ヘッド出力との
関係を示す特性図である。なお、図１１における相対的
ヘッド出力は、トラックピッチが２μｍ以下の範囲内に
おける相対的ヘッド出力の最低値を示している。図１１
から、トレンチ幅Ｗ₁が１．５μｍよりも小さくなる
と、相対的ヘッド出力が大きく低下することが分かる。

【００５２】図１２は、トレンチ幅Ｗ₁を１．５μｍと
したときのトレンチ奥行きＬ₁と相対的ヘッド出力との
関係を示す特性図である。なお、図１２における相対的
ヘッド出力は、トラックピッチが２μｍ以下の範囲内に
おける相対的ヘッド出力の最低値を示している。図１２
から、トレンチ奥行きＬ₁が０．５μｍよりも小さくな
ると、相対的ヘッド出力が大きく低下することが分か
る。これは、トレンチ奥行きＬ₁が０．５μｍよりも小
さくなると、溝部２１の開口部によってエアベアリング
面３０よりも奥側において下部磁極層８に形成されるエ
ッジが疑似的な磁極として作用するようになるためであ
ると考えられる。

【００５３】以上のことから、相対的ヘッド出力の低下
を防止するには、トレンチ幅Ｗ₁を１．５μｍ以上と
し、且つトレンチ奥行きＬ₁を０．５μｍ以上とするこ
とが好ましい。

【００５４】以上説明したように、本実施の形態では、
エッチングマスクを使用しない局部的なエッチング方法
であるＦＩＢを用いたエッチングによって磁極トリミン
グを行って、下部磁極層８に対して、記録ギャップ層９
側で開口する開口部を有する２つの溝部２１を形成する
と共に、この溝部２１によって、下部磁極層８における
記録ギャップ層９側の少なくとも一部の幅を上部磁極層
１５の磁極部分の幅に揃えている。これにより、実効的
な記録トラック幅の増加を防止し、且つ磁極幅を精度よ
く制御することが可能になる。

【００５５】ところで、ＦＩＢを用いたエッチングによ
る磁極トリミングでは、下部磁極層８に、溝部２１の開
口部によってエッジが形成される。このエッジは、疑似
的な磁極として作用して記録特性を劣化させる可能性が
ある。しかしながら、本実施の形態によれば、溝部２１
の開口部におけるトレンチ幅Ｗ₁を１．５μｍ以上と
し、トレンチ奥行きＬ₁を０．５μｍ以上としたので、
溝部２１の開口部によって形成されるエッジによる記録
特性の劣化を防止することができる。

【００５６】［第２の実施の形態］次に、本発明の第２
の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
について説明する。本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の構成は、磁極部分の構造以外については第１の実施の
形態と同様である。また、本実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドの製造方法は、磁極トリミングの工程以外につい
ては第１の実施の形態と同様である。

【００５７】まず、図１５および図１６を参照して、本
実施の形態における磁極トリミングの工程について詳し
く説明する。本実施の形態では、磁極トリミングの工程
は、第１のエッチング工程と第２のエッチング工程とを
含んでいる。図１５は第１のエッチング工程終了後の磁
極部分におけるエアベアリング面に平行な断面を示す断
面図、図１６は第２のエッチング工程終了後、すなわち
磁極トリミング後の磁極部分におけるエアベアリング面
に平行な断面を示す断面図である。

【００５８】本実施の形態では、上部磁極層１５を形成
する際には、まず、第１の実施の形態と同様に、図７に
示したように、上部磁極層１５の磁極部分の幅が所望の
記録トラック幅よりも大きくなるように、上部磁極層１
５を形成する。

【００５９】次に、図１５に示したように、上部磁極層
１５の磁極部分の周辺領域において、上部磁極層１５の
磁極部分をマスクとして、記録ギャップ層９をエッチン
グすると共に、下部磁極層８における記録ギャップ層９
側の一部を所定の深さまでエッチングする。記録ギャッ
プ層９および下部磁極層８のエッチングには、イオンミ
リングや反応性イオンエッチングが用いられる。この工
程を、第１のエッチング工程と呼ぶ。なお、上記周辺領
域は、少なくとも第１の実施の形態における溝部２１が
形成される領域を含む範囲とする。

【００６０】次に、図１６に示したように、エッチング
マスクを使用しない局部的なエッチング方法として、Ｆ
ＩＢ（集束イオンビーム）を用いたエッチング方法を用
いて、上部磁極層１５の磁極部分の側部、記録ギャップ
層９および下部磁極層８における記録ギャップ層９側の
少なくとも一部をエッチングする。この工程を、第２の
エッチング工程と呼ぶ。この第２のエッチング工程によ
って、上部磁極層１５の磁極部分の両側において、下部
磁極層８に対して、記録ギャップ層９側で開口する開口
部を有する２つの溝部（トレンチ）４１が形成される。
また、第２のエッチング工程によって、上部磁極層１５
の磁極部分の幅が所望の記録トラック幅に等しくなるよ
うに制御されると共に、溝部４１によって、下部磁極層
８における記録ギャップ層９側の少なくとも一部の幅が
上部磁極層１５の磁極部分の幅に揃えられる。なお、下
部磁極層８における記録ギャップ層９側の少なくとも一
部の幅が上部磁極層１５の磁極部分の幅に揃えられると
いうのは、下部磁極層８における記録ギャップ層９側の
少なくとも一部の幅が上部磁極層１５の磁極部分の幅に
一致させられる場合だけではなく、上部磁極層１５の磁
極部分の側部がテーパー状をなす場合に、下部磁極層８
における記録ギャップ層９側の少なくとも一部の側部
が、上部磁極層１５の磁極部分の側部の延長上に配置さ
れる場合も含む。

【００６１】次に、図１３および図１４を参照して、本
実施の形態における磁極トリミング後の下部磁極層８の
形状について詳しく説明する。図１３は磁極トリミング
後の磁極部分におけるエアベアリング面に平行な断面を
示す断面図、図１４は磁極トリミング後の磁極部分の近
傍を示す平面図である。

【００６２】本実施の形態では、前述の第１のエッチン
グ工程によって、上部磁極層１５の磁極部分の周辺領域
において、記録ギャップ層９が除去されていると共に、
下部磁極層８における記録ギャップ層９側の一部は所定
の深さＤまでエッチングされている。深さＤは０．２μ
ｍ以上とする。

【００６３】また、前述の第２のエッチング工程によっ
て、上部磁極層１５の磁極部分の両側において、下部磁
極層８には、記録ギャップ層９側で開口する開口部を有
する２つの溝部４１が形成されている。この溝部４１に
よって、下部磁極層８における記録ギャップ層９側の少
なくとも一部の幅が上部磁極層１５の磁極部分の幅に揃
えられている。

【００６４】溝部４１は、記録ギャップ層９側で開口す
る開口部を有している。この開口部の形状は、例えば図
１４に示したように矩形になっている。また、この開口
部によって、下部磁極層８には、磁極部分の両側におい
てエッジ４２が形成される。ここで、エアベアリング面
３０に平行な方向における開口部の長さをトレンチ幅と
呼び、符号Ｗ₂で表す。また、エアベアリング面３０に
垂直な方向における開口部の長さをトレンチ奥行きと呼
び、符号Ｌ₂で表す。本実施の形態では、トレンチ幅Ｗ₂
を０．２μｍ以上とし、トレンチ奥行きＬ₂を０．５μ
ｍ以上とする。なお、トレンチ幅Ｗ₂とトレンチ奥行き
Ｌ₂は、いずれも、記録ギャップ層９と下部磁極層８と
の境界面を含む仮想的な面に投影された開口部の像にお
ける値とする。

【００６５】次に、図１７を参照して、本実施の形態に
おいて、下部磁極層８のエッチング深さＤを０．２μｍ
以上とする理由について説明する。図１７は、下部磁極
層８のエッチング深さＤと、磁極の磁気的幅−光学的幅
との関係を示す特性図である。図１７から分かるよう
に、深さＤが０．２μｍ以上の場合には、磁極の磁気的
幅−光学的幅の値はほぼ０．１０μｍという小さい値に
なるが、深さＤが０．２μｍよりも小さい場合には、深
さＤが小さくなるほど磁気的幅−光学的幅が増加する。
従って、磁極の磁気的幅の広がりを防止するためには、
深さＤは０．２μｍ以上とすることが好ましい。また、
第１の実施の形態と同様に、相対的ヘッド出力を測定し
たところ、深さＤを０．２μｍ以上とすることにより、
溝部４１の開口部によって形成されるエッジによる記録
特性の劣化を防止することができることが確認できた。

【００６６】次に、本実施の形態において、トレンチ幅
Ｗ₂を０．２μｍ以上、トレンチ奥行きＬ₂を０．５μｍ
以上とする理由について説明する。本実施の形態では、
ＦＩＢを用いた第２のエッチング工程は、磁極幅の制御
を主目的として行われる。トレンチ幅Ｗ₂としては、Ｆ
ＩＢによる加工位置のずれを考慮した上で、ＦＩＢによ
る加工の切りしろとして必要な幅以上が必要である。そ
のため、ＦＩＢによる加工位置のずれとして±０．１μ
ｍ程度を見込むと、トレンチ幅Ｗ₂としては０．２μｍ
以上必要になる。トレンチ奥行きＬ₂を０．５μｍ以上
とする理由は、第１の実施の形態においてトレンチ奥行
きＬ₁を０．５μｍ以上とする理由と同様である。

【００６７】以上説明したように、本実施の形態におけ
る磁極トリミングでは、上部磁極層１５の磁極部分をマ
スクとした広域的なエッチングにより、下部磁極層８に
おける記録ギャップ層９側の一部を所定の深さＤまでエ
ッチングする。深さＤは、０．２μｍ以上とする。その
後、更に、エッチングマスクを使用しない局部的なエッ
チング方法であるＦＩＢを用いたエッチングによって、
上部磁極層１５の磁極部分の側部、記録ギャップ層９お
よび下部磁極層８における記録ギャップ層９側の少なく
とも一部をエッチングする。これにより、下部磁極層８
に対して、記録ギャップ層９側で開口する開口部を有す
る２つの溝部４１が形成されると共に、この溝部４１に
よって、下部磁極層８における記録ギャップ層９側の少
なくとも一部の幅が上部磁極層１５の磁極部分の幅に揃
えられる。

【００６８】本実施の形態では、上述のような２段階の
エッチングを行うことにより、実効的な記録トラック幅
の増加を防止し、且つ磁極幅を精度よく制御することが
可能になる。また、本実施の形態では、溝部４１の開口
部は、記録ギャップ層９から離れた位置に配置されるの
で、溝部４１の開口部によって形成されるエッジによる
記録特性の劣化を防止することができる。本実施の形態
では、特に、下部磁極層８のエッチング深さＤを０．２
μｍ以上とし、トレンチ幅Ｗ₂を０．２μｍ以上とし、
且つトレンチ奥行きＬ₂を０．５μｍ以上とすること
で、上記の各効果が顕著にすることができる。

【００６９】また、本実施の形態によれば、ＦＩＢを用
いたエッチングのみによって磁極トリミングを行う場合
に比べて、ＦＩＢを用いたエッチングの時間を短縮する
ことができ、その結果、ＦＩＢを用いたエッチングの工
程の処理能力（単位時間当たりの処理個数）を例えば
１．５倍以上に向上させることができる。

【００７０】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。

【００７１】本発明は、上記各実施の形態に限定され
ず、種々の変更が可能である。例えば上記各実施の形態
では、基体側に読み取り用のＭＲ素子を形成し、その上
に、書き込み用の誘導型電磁変換素子を積層した構造の
薄膜磁気ヘッドについて説明したが、この積層順序を逆
にしてもよい。

【００７２】つまり、基体側に書き込み用の誘導型電磁
変換素子を形成し、その上に、読み取り用のＭＲ素子を
形成してもよい。このような構造は、例えば、上記実施
の形態に示した上部磁極層の機能を有する磁性膜を下部
磁極層として基体側に形成し、記録ギャップ膜を介し
て、それに対向するように上記実施の形態に示した下部
磁極層の機能を有する磁性膜を上部磁極層として形成す
ることにより実現できる。

【００７３】また、本発明は、誘導型電磁変換素子のみ
を備えた記録専用の薄膜磁気ヘッドや、誘導型電磁変換
素子によって記録と再生を行う薄膜磁気ヘッドにも適用
することができる。

【００７４】

【発明の効果】以上説明したように請求項１または２記
載の薄膜磁気ヘッドの製造方法もしくは請求項３記載の
薄膜磁気ヘッドでは、局部的なエッチングによって、第
２の磁性層の磁極部分の両側において、第１の磁性層に
対して、ギャップ層側で開口する開口部を有する２つの
溝部を形成し、この溝部によって、第１の磁性層におけ
るギャップ層側の少なくとも一部の幅を第２の磁性層の
磁極部分の幅に揃えると共に、媒体対向面に平行な方向
における開口部の長さを１．５μｍ以上とし、媒体対向
面に垂直な方向における開口部の長さを０．５μｍ以上
としている。従って、本発明によれば、局部的なエッチ
ングを利用して、実効的な記録トラック幅の増加を防止
し、且つ磁極幅を精度よく制御することが可能になると
共に、局部的なエッチングによって磁性層に形成される
エッジによる記録特性の劣化を防止することができると
いう効果を奏する。

【００７５】また、請求項４ないし６のいずれかに記載
の薄膜磁気ヘッドの製造方法もしくは請求項７または８
記載の薄膜磁気ヘッドでは、第２の磁性層の磁極部分の
周辺領域において、第１の磁性層におけるギャップ層側
の一部を所定の深さまでエッチングし、更に、局部的な
エッチングによって、第２の磁性層の磁極部分の両側に
おいて、第１の磁性層に対して、ギャップ層側で開口す
る開口部を有する２つの溝部を形成し、この溝部によっ
て、第１の磁性層におけるギャップ層側の少なくとも一
部の幅を第２の磁性層の磁極部分の幅に揃えるようにし
ている。従って、本発明によれば、局部的なエッチング
を利用して、実効的な記録トラック幅の増加を防止し、
且つ磁極幅を精度よく制御することが可能になると共
に、局部的なエッチングによって磁性層に形成されるエ
ッジによる記録特性の劣化を防止することができるとい
う効果を奏する。

【００７６】また、請求項５記載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法または請求項８記載の薄膜磁気ヘッドによれば、
所定の深さを０．２μｍ以上とし、媒体対向面に平行な
方向における開口部の長さを０．２μｍ以上とし、且つ
媒体対向面に垂直な方向における開口部の長さを０．５
μｍ以上としたので、上記の各効果を顕著にすることが
できるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態における磁極トリミ
ング後の磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示
す断面図である。

【図２】図１に示した磁極部分の近傍を示す平面図であ
る。

【図３】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。

【図４】図３に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図５】図４に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図６】図５に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図７】本発明の第１の実施の形態における磁極トリミ
ング前の磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示
す断面図である。

【図８】本発明の第１の実施の形態における磁極トリミ
ング後の磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示
す断面図である。

【図９】トラックピッチと相対的ヘッド出力との関係を
示す特性図である。

【図１０】トラックピッチと相対的ヘッド出力との関係
を示す特性図である。

【図１１】トレンチ幅と相対的ヘッド出力との関係を示
す特性図である。

【図１２】トレンチ奥行きと相対的ヘッド出力との関係
を示す特性図である。

【図１３】本発明の第２の実施の形態における磁極トリ
ミング後の磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を
示す断面図である。

【図１４】図１３に示した磁極部分の近傍を示す平面図
である。

【図１５】本発明の第２の実施の形態における第１のエ
ッチング工程終了後の磁極部分のエアベアリング面に平
行な断面を示す断面図である。

【図１６】本発明の第２の実施の形態における磁極トリ
ミング後の磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を
示す断面図である。

【図１７】本発明の第２の実施の形態における下部磁極
層のエッチング深さ磁極の磁気的幅−光学的幅との関係
を示す特性図である。

【図１８】ＦＩＢを用いた磁極トリミング後の磁極部分
を示す説明図である。

【符号の説明】

１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、５…ＭＲ
素子、８…下部磁極層、９…記録ギャップ層、１１，１
３…薄膜コイル、１５…上部磁極層、１６…保護層、２
１…溝部、２２…エッジ、３０…エアベアリング面。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】記録媒体に対向する媒体対向面と、互い
に磁気的に連結され、前記媒体対向面側において互いに
対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層
を含む第１および第２の磁性層と、前記第１の磁性層の
磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部分との間に設けら
れたギャップ層と、少なくとも一部が前記第１および第
２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対し
て絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えた薄
膜磁気ヘッドの製造方法であって、前記第１の磁性層を形成する工程と、前記第１の磁性層の上に前記ギャップ層を形成する工程
と、前記ギャップ層の上に前記第２の磁性層を形成する工程
と、少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、
この第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で
配置されるように、前記薄膜コイルを形成する工程と、エッチングマスクを使用しない局部的なエッチング方法
を用いて、前記第２の磁性層の磁極部分の側部、前記ギ
ャップ層および前記第１の磁性層におけるギャップ層側
の少なくとも一部をエッチングすることによって、前記
第２の磁性層の磁極部分の両側において、前記第１の磁
性層に対して、ギャップ層側で開口する開口部を有する
２つの溝部を形成すると共に、前記溝部によって、前記
第１の磁性層におけるギャップ層側の少なくとも一部の
幅を前記第２の磁性層の磁極部分の幅に揃える工程とを
備え、前記媒体対向面に平行な方向における前記開口部の長さ
は１．５μｍ以上であり、且つ前記媒体対向面に垂直な
方向における前記開口部の長さは０．５μｍ以上である
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】前記局部的なエッチング方法は、集束イ
オンビームを用いたエッチング方法であることを特徴と
する請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】記録媒体に対向する媒体対向面と、互い
に磁気的に連結され、前記媒体対向面側において互いに
対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層
を含む第１および第２の磁性層と、前記第１の磁性層の
磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部分との間に設けら
れたギャップ層と、少なくとも一部が前記第１および第
２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対し
て絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えた薄
膜磁気ヘッドであって、前記第２の磁性層の磁極部分の両側において、前記第１
の磁性層には、局部的なエッチングによってギャップ層
側で開口する２つの開口部を有する溝部が形成されてお
り、前記溝部によって、前記第１の磁性層におけるギャ
ップ層側の少なくとも一部の幅が前記第２の磁性層の磁
極部分の幅に揃えられ、前記媒体対向面に平行な方向における前記開口部の長さ
は１．５μｍ以上であり、且つ前記媒体対向面に垂直な
方向における前記開口部の長さは０．５μｍ以上である
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】記録媒体に対向する媒体対向面と、互い
に磁気的に連結され、前記媒体対向面側において互いに
対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層
を含む第１および第２の磁性層と、前記第１の磁性層の
磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部分との間に設けら
れたギャップ層と、少なくとも一部が前記第１および第
２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対し
て絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えた薄
膜磁気ヘッドの製造方法であって、前記第１の磁性層を形成する工程と、前記第１の磁性層の上に前記ギャップ層を形成する工程
と、前記ギャップ層の上に前記第２の磁性層を形成する工程
と、少なくとも一部が前記第１および第２の磁性層の間に、
この第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で
配置されるように、前記薄膜コイルを形成する工程と、前記第２の磁性層の磁極部分の周辺領域において、前記
第２の磁性層の磁極部分をマスクとして、前記ギャップ
層をエッチングすると共に前記第１の磁性層におけるギ
ャップ層側の一部を所定の深さまでエッチングする第１
のエッチング工程と、前記第１のエッチング工程の後に、エッチングマスクを
使用しない局部的なエッチング方法を用いて、前記第２
の磁性層の磁極部分の側部、前記ギャップ層および前記
第１の磁性層におけるギャップ層側の少なくとも一部を
エッチングすることによって、前記第２の磁性層の磁極
部分の両側において、前記第１の磁性層に対して、ギャ
ップ層側で開口する開口部を有する２つの溝部を形成す
ると共に、前記溝部によって、前記第１の磁性層におけ
るギャップ層側の少なくとも一部の幅を前記第２の磁性
層の磁極部分の幅に揃える第２のエッチング工程とを備
えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】前記所定の深さは０．２μｍ以上であ
り、前記媒体対向面に平行な方向における前記開口部の
長さは０．２μｍ以上であり、且つ前記媒体対向面に垂
直な方向における前記開口部の長さは０．５μｍ以上で
あることを特徴とする請求項４記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法。
【請求項６】前記局部的なエッチング方法は、集束イ
オンビームを用いたエッチング方法であることを特徴と
する請求項４または５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
【請求項７】記録媒体に対向する媒体対向面と、互い
に磁気的に連結され、前記媒体対向面側において互いに
対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層
を含む第１および第２の磁性層と、前記第１の磁性層の
磁極部分と前記第２の磁性層の磁極部分との間に設けら
れたギャップ層と、少なくとも一部が前記第１および第
２の磁性層の間に、前記第１および第２の磁性層に対し
て絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えた薄
膜磁気ヘッドであって、前記第２の磁性層の磁極部分の周辺領域において、前記
ギャップ層が除去されていると共に、前記第１の磁性層
におけるギャップ層側の一部は所定の深さまでエッチン
グされており、前記第２の磁性層の磁極部分の両側において、前記第１
の磁性層には、局部的なエッチングによってギャップ層
側で開口する開口部を有する２つの溝部が形成されてお
り、前記溝部によって、前記第１の磁性層におけるギャ
ップ層側の少なくとも一部の幅が前記第２の磁性層の磁
極部分の幅に揃えられていることを特徴とする薄膜磁気
ヘッド。
【請求項８】前記所定の深さは０．２μｍ以上であ
り、前記媒体対向面に平行な方向における前記開口部の
長さは０．２μｍ以上であり、且つ前記媒体対向面に垂
直な方向における前記開口部の長さは０．５μｍ以上で
あることを特徴とする請求項７記載の薄膜磁気ヘッド。