JPH10228607A

JPH10228607A - 磁気ヘッドとその製造方法及び磁気記憶装置

Info

Publication number: JPH10228607A
Application number: JP9030806A
Authority: JP
Inventors: Junko Imamura; 純子今村
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1997-02-14
Filing date: 1997-02-14
Publication date: 1998-08-25
Also published as: US5995343A

Abstract

(57)【要約】【課題】磁気ヘッドに関し、ポール先端から出る磁束密
度を高めること。【解決手段】下部磁極層２１と、前記下部磁極層２１上
に形成された絶縁層２３と、前記絶縁層２３に一部が埋
め込まれる導電性コイル２２と、前記絶縁層２３の上に
形成された上部磁極層２４と、前記上部磁極層２４の一
部から突出して形成されたポール２４ａと、前記ポール
２４ａの先端と該先端近傍において該先端が最も細く形
成されたテーパ部２４ｂと、前記テーパ部２４ｂと前記
下部磁極層２１との間隙に挟まれた非磁性ギャップ層２
５とを含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ヘッドとその
製造方法及び磁気記憶装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気ディスク装置の磁気記録密度は増加
の傾向にあり、面記録密度は１Ｇbits／inch²を越える
に至っている。その記録密度をさらに高めるためには、
磁気情報の記録又は再生に使用される誘導型磁気ヘッド
のさらなる改良が必要となっている。

【０００３】誘導型磁気ヘッドは、ブロック状の磁性コ
アに導線を巻いたものが従来使用されていたが、磁気デ
ィスク装置の小型化に伴って薄膜を使用した構造のもの
が多く使用されてきている。薄膜を使用した誘導型磁気
ヘッドは、例えば図１２(a) に示すように、渦巻き状の
誘導コイル101 を有していて、その誘導コイル101 の一
部は、下部コア層102 と上部コア層103 の間を通るよう
に形成されている。下部及び上部コア層102,103はNiFe
のような導電性磁性材によって形成されているので、そ
れらのコア層102,103 と誘導コイル101 は絶縁層104 に
よって電気的に絶縁されている。また、誘導型磁気ヘッ
ドのうち磁気ディスクとの対向面では、下部コア層102
と上部コア層103 の間に記録・再生ギャップｇが形成さ
れている。

【０００４】さらに、上部コア層103 のうちの磁気ディ
スクとの対向部には、図１２(b) に示すような細長いポ
ール（pole) 103aが形成され、ポール103 の先端で磁束
密度が高くなるようにしている。そのポール103aを形成
する方法としては、フォトレジストのマスクを使用して
上部コア層103 をエッチングするフォトリソグラフィー
法を採用することが一般的である。

【０００５】ところで、面記録密度を高くするために
は、ポール103aの幅Ｗを狭くする必要があり、図１２
(c) に示すように、ポール103aの先端を矩形状に細くし
てポールティップ（pole-tip) 103bを形成する方法があ
る。そのような構造は、例えば「James L. Su et al.,
IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, VOL. 26, NO.5, SEP
TMBER 1990」に記載されている。この論文では、ポール
103aの幅Ｗ₁とポールティップ103bの幅Ｗ₂の比Ｗ₂／
Ｗ₁が最大になるのは、Ｗ₁が２６μｍ、Ｗ₂が１２μ
ｍの場合であって、その値は０．４６となっている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、さらに記録
密度を増加しようとする場合には、ポールティップ103b
の幅Ｗ₂をさらに狭くする必要がある。しかし、上部コ
ア層103 の厚みは数μｍであり、そのような厚さの上部
コア層103 をフォトリソグラフィー法によって２．５μ
ｍ以下の幅に形成することは難しい。

【０００７】また、矩形状のポールティップ103bの幅を
２．５μｍ程度にすると、ポールティップ103bの根元部
分で磁束が飽和し易くなるので、ポールティップ103bの
先端まで磁束の変化が伝わりにくくなる。この結果、オ
ーバライト特性が劣化するという不都合がある。本発明
は、ポール先端から出る磁束密度を高める磁気ヘッドと
この磁気ヘッドを備えた磁気記憶装置を提供するととも
に、ポール先端を２．５μｍ以下の幅にすることができ
る磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】

（手段） (1)上記した課題は、図１、図２に例示するように、下
部磁極層２１と、前記下部磁極層２１上に形成された絶
縁層２３と、前記絶縁層２３に一部が埋め込まれる導電
性コイル２２と、前記絶縁層２３の上に形成された上部
磁極層２４と、前記上部磁極層２４の一部から突出して
形成されたポール２４ａと、前記ポール２４ａの先端と
該先端近傍において該先端が最も細く形成されたテーパ
部２４ｂと、前記テーパ部２４ｂと前記下部磁極層２１
との間隙に挟まれた非磁性ギャップ層２５とを有するこ
とを特徴とする磁気ヘッドにより解決する。

【０００９】上記した磁気ヘッドにおいて、前記テーパ
部２４ｂは、前記先端の辺に対して４５°以上、９０°
未満の角度で傾く側部を有することを特徴とする。上記
した磁気ヘッドにおいて、前記テーパ部２４ｂの前記先
端の幅を前記テーパ部２４ｂの根元の幅で割った値が、
０．７５以上であって１．０未満であることを特徴とす
る。

【００１０】上記した磁気ヘッドにおいて、前記テーパ
部２４ｂの先端の幅は２．５μｍ以下であることを特徴
とする。上記した磁気ヘッドにおいて、前記テーパ部２
４ｂの側線は、直線状又は曲線状であることを特徴とす
る。上記した磁気ヘッドにおいて、前記テーパ部２４ｂ
は、前記ポール２４ａの下層部に形成されていることを
特徴とする。

【００１１】(2)上記した課題は、図１、図３に例示す
るように、下部磁極層２１と、前記下部磁極層２１上に
形成された絶縁層２３と、前記絶縁層２３に一部が埋め
込まれる導電性コイル２２と、前記絶縁層２３の上に形
成された上部磁極層２４と、前記上部磁極層２４の一部
から突出して形成され、且つ先端の幅が２．５μｍ以下
のポール２４ａと、前記ポール２４ａと前記下部磁極層
２１の間隙に挟まれた非磁性ギャップ層２５とを有する
ことを特徴とする磁気ヘッドによって解決する。

【００１２】(3)上記した課題は、図１、図３、図７に
例示するように、下部磁極層２１と、前記下部磁極層２
１上に形成された絶縁層２３と、前記絶縁層２３に一部
が埋め込まれる導電性コイル２２と、前記絶縁層２３の
上に形成された上部磁極層２４と、前記上部磁極層２４
の一部から突出して形成されたポール２４ａと、前記下
部磁極層のうち、前記ポール２４ａの先端部に対向する
領域の側方に形成された凹部２１ａと、前記テーパ部２
４ｂと前記下部磁極層２１との間隙に挟まれた非磁性ギ
ャップ層２５とを有することを特徴とする磁気ヘッドに
より解決する。

【００１３】請求項７又は８記載の磁気ヘッド。（4)上記した（1),(3)の磁気ヘッドにおいて、前記ポー
ル２４ａの少なくとも下層部の先端の幅は、前記ポール
２４ａの根元の幅よりも狭いことを特徴とする。 (5)上記した課題は、図６、図７に例示するように、下
部磁極層２１上に第一の絶縁層２３ａを形成する工程
と、前記第一の絶縁層２３ａ上に導電性コイル２２を形
成する工程と、前記導電性コイル２２を覆う第二の絶縁
層２３ｂを形成する工程と、前記第二の絶縁層２３ｂの
上に磁性材層３０を形成する工程と、前記磁性材層３０
をフォトリソグラフィー法によりパターニングすること
により、ポール２４ａを有する上部磁極層２４のパター
ンを形成する工程と、前記ポール２４ａの先端にイオン
ビームを照射することにより、側部がテーパ形状であっ
て先端の幅が２．５μｍ以下であるテーパ部２４ｂを形
成する工程とを有することを特徴とする磁気ヘッドの製
造方法によって解決する。

【００１４】その磁気ヘッドの製造方法において、前記
テーパ部２４ｂの側線を直線状又は曲線状に形成するこ
とを特徴とする。その磁気ヘッドの製造方法において、
前記イオンビームは、前記下部磁極層２１にも同時に照
射されて、前記下部磁極層２１の上層部に凹部２１ａが
形成されることを特徴とする。

【００１５】その磁気ヘッドの製造方法において、図９
に例示するように、前記イオンビームは、前記ポール２
４ａの先端の下層部に照射されることを特徴とする。（作用）次に、本発明の作用について説明する。本発明
によれば、磁気ヘッドの上部磁極層のポールの先端及び
その近傍を、階段状ではなく、テーパ形状にしたので、
ポールの根元での磁束の飽和が生じにくくなり、そのテ
ーパ形状の先端から出る磁束密度が変化し易くなり、し
かもそのテーパ形状の先端から出る磁束密度が高くな
る。

【００１６】また、そのテーパ形状のテーパ角を、テー
パの先端の辺に対して４５°以上、９０未満とすると、
図３に示すような実験結果からオーバライト特性の劣化
が抑制される。さらに、そのテーパ形状の先端の幅を根
元の幅で割った値を０．７５以上、１．０未満にする
と、図４に示すような実験結果からオーバライト特性の
劣化が抑制される。

【００１７】他の本発明によれば、ポールのテーパ形状
を形成するためにイオンビームを照射する方法を採用し
ているので、テーパ部の先端の幅を２．５μｍ以下にす
ることが容易となり、これにより磁気記録媒体のトラッ
ク幅を小さくすることができる。また、下部磁極層のう
ちポールに対向する領域の側方に凹部を設けたので、上
部磁極のポールから出た磁界が広がりにくくなる。即
ち、ポールと下部磁極の間のギャップから洩れる書込み
磁界は、ポール先端の幅に対して広がりにくくなって誘
導型磁気ヘッドによる書込み広がりが小さくなる。

【００１８】

【発明の実施の形態】そこで、以下に本発明の実施形態
を図面に基づいて説明する。図１は、本発明の磁気ヘッ
ドの一例を示す斜視断面図である。図１において、ヘッ
ド基板１上には、再生専用の磁気抵抗効果（ＭＲ）ヘッ
ド１０と、記録、再生が可能な誘導型磁気ヘッド２０が
順に形成されている。

【００１９】ＭＲヘッド１０は、第一の磁気シールド層
１１、第一の非磁性絶縁層１２、磁気抵抗効果素子１
３、第二の非磁性絶縁層１４から構成されている。ま
た、磁気抵抗効果素子１３の両端には一対のリード１３
ａが接続されている。磁気抵抗効果素子１３には、磁化
方向と電流方向のなす角度に依存する電気抵抗の変化を
検出する異方性磁気抵抗効果型や、２つの磁性層の各磁
化方向の相対角度に依存する電気抵抗の変化を検出する
スピンバルブ磁気抵抗効果型などがある。

【００２０】一方、誘導型磁気ヘッド２０は、NiFeより
なる下部磁極（下部コア）層２１、電磁変換用の渦巻コ
イル２２、NiFeよりなる上部磁極（上部コア）層２４を
有している。下部磁極層２１は、ＭＲヘッド１０の第二
の磁気シールド層としての機能を兼ね備えている。ま
た、下部磁極層２１上には、膜厚約０．２μｍのAl₂O₃
よりなるギャップ層２５が形成されている。

【００２１】また、下部磁極層２１と上部磁極層２４の
間には絶縁層２３が挟まれており、その絶縁層２３内に
は渦巻コイル２２の一部が貫通されている。下部磁極層
２１と上部磁極層２４は、渦巻コイル２２の中央近傍で
互いに接合し、かつ、渦巻コイル２２の外側で離れてい
る構造を有し、これにより下部磁極層２１と上部磁極層
２３を合わせた磁極の断面が略「Ｃ字」形となる。

【００２２】ところで、上部磁極は、図２(a) に示すよ
うに、略五角形の平面形状を有しており、その１つの角
からはコイルの外側に向けて長さＬが５μｍ、幅Ｗ_aが
約２．５μｍの細長いポール（pole）２４ａが突出して
いる。そのポール２４ａは、ギャップ層２５によって下
部磁極層２１から隔てられ、ポール２４ａと下部磁極層
２１の間隙は記録、再生用ギャップＧとなっている。こ
の場合の記録、再生用ギャップＧの大きさは、ギャップ
層２５の厚さに相当する。

【００２３】そして、ポール２４ａの先端と下部磁極層
２１の一端は、磁気記憶装置内ではそれぞれ磁気ディス
ク（磁気記録媒体）の面に対向して配置される。ポール
２４ａの先端及びその近傍には、図２(b) 又は図２(c)
に示すように、その先端に近づくほど幅が狭くなるテー
パ部２４ｂが形成されている。テーパ部２４ｂの側線
は、図２(b) に示すように直線状であってもよいし、図
２(c) に示すように曲線であってもよい。そのポール２
４ａの幅Ｗ_aは、テーパ部２４ｂを除いて約２．５μｍ
と一定となっている。また、テーパ部２４ｂのうちの先
端の幅Ｗ_bは、１．８７μｍ以上であって２．５μｍ以
下になされている。

【００２４】このようにポール２４ａの先端及びその近
傍にテーパ部２４ｂを設けたのは次のような理由によ
る。図１に示すように、コイル２２に電流を流すことに
より生じた磁界Ｈ_Wは、下部磁極層２１及び上部磁極層
２４内に沿ってループ状の磁路を通り、また、ポール２
４ａの先端のギャップＧから磁気ディスク２に記録信号
として出力される。そして、下部磁極層２１と上部磁極
層２４を通る磁界Ｈ_Wの磁束密度は、ポール２４ａの先
端で最も高くなるのが好ましい。

【００２５】しかし、図１１(c) のように、ポール103a
の先端とその近傍に幅の狭い矩形状のポールティプ103b
を形成すると、ポール103aの先端の幅が階段状に急峻に
狭くなるので、ポールティップ103bの根元で磁束が飽和
して、ポールティップ103bの先端での磁束密度の上昇が
抑えられ、この結果、ギャップＧからの高い信号磁界が
出力されにくくなる。

【００２６】これに対して、本実施形態では、根元から
先端にかけて徐々に幅が狭くなるテーパ部２４ａがポー
ル２４に形成されているので、テーパ部２４ａの根元で
は磁束が飽和せずに、先端に磁束が集中してその先端面
で最も磁束密度が高くなる。この結果、ギャップＧから
高い信号磁界を出力できることになる。次に、ポール２
４ａの先端とその近傍にテーパ部２４ｂを設けることに
よってオーバライト特性がどの様な影響を受けるかを説
明する。

【００２７】まず、テーパ部２４ｂの側線の始点と終点
とを結ぶ線Ｘとテーパ部２４ｂの先端の辺Ｙとのなす角
度（テーパ角）をθとする。そして、そのテーパ角θの
変化とオーバライトの関係を実験により調査したとこ
ろ、図３に示すような結果が得られた。図３において、
テーパ角θが９０°よりも小さくなるとオーバライト特
性も徐々に小さくなってゆくが、テーパ角θが３０°の
場合にはオーバライト特性の絶対値が約３０ｄＢからさ
らに小さくなってしまうので、好ましくない。しかし、
テーパ角θが４５°の場合には、９０°の場合に比べて
約１．５ｄＢ程度のオーバライト特性の低下に止まる。

【００２８】図３の測定結果から、テーパ角θは４５°
以上に選択されることが好ましいことがわかる。一方、
テーパ角θが９０°というのはポール２４ａにテーパ部
２４ｂが存在しない構造なので、本実施形態からは除外
されることになる。従って、テーパ角θは次の関係にあ
ればよい。４５°≦θ＜９０° ただし、オーバーライトを３０ｄＢ以上に保つには、θ
を６０°以上にするのがより好ましい。

【００２９】次に、図２(b) 又は図２(c) に示すよう
に、ポール２４ａの幅Ｗ_aとテーパ部２４ｂの先端の幅
Ｗ_bとの比α（α＝Ｗ_b／Ｗ_a）が、オーバライト特性
に対してどの程度の影響を及ぼすかを実験したところ、
図４に示すような結果が得られた。図３は、αとオーバ
ライト特性との関係を示すものであり、αが１．０から
０．７５の範囲ではオーバライト特性が殆ど変わらずに
−３０．０〜−３０．５ｄＢの範囲にあるが、比αが
０．７５よりも小さくなるとオーバライト特性が急激に
低下する。従って、比αは０．７５以上に選択されるこ
とが好ましいことがわかる。また、比αが１．０という
のはポール２４ａにテーパ部２４ｂを形成しない構造で
あることを意味するので、本実施形態からは除外され
る。従って、比αは次の関係にあるのが好ましい。

【００３０】１＞Ｗ_b／Ｗ_a ≧ ０．７５図１に示す誘導型磁気ヘッド２０の上部磁極層２４のテ
ーパ部２４ｂの先端の光学コア幅を２．０μｍとした場
合に、磁気ディスク２に書き込まれた磁化反転パターン
の磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）像を示すと図５のようにな
り、その実効コア幅は２．０μｍとなり、書き広がりは
零になった。

【００３１】なお、「実効ライトコア幅」は、磁気記録
媒体（磁気ディスク）上に書かれたビットの幅を示す。
「光学コア幅」は、光学写真から読んだライト磁極のポ
ール先端の幅である。「書き広がり」は、実効ライトコ
ア幅から光学コア幅を引いた値である。なお、図１中符
号１６は、ヘッド基板１と第一の磁気シールド層１１の
間に形成されたAl₂O₃よりなる基板保護膜を示してい
る。

【００３２】次に、上記したテーパ部のパターニングに
ついて、図６(a) 〜(c) 、図７(a)〜(c) 及び図８(a),
(b) に基づいて説明する。図６(a) 〜(c) は、磁気ヘッ
ドのうち上部磁極層が最終的に残される部分の断面図、
図７(a) 〜(c) は、磁気ディスクに対向する磁気ヘッド
の端面の図、図８は、誘導型磁気ヘッドの斜視図を示し
ている。

【００３３】まず、図６(a) に示す断面形状となるまで
の工程を説明する。ヘッド基板１上に、基板保護膜１
６、第一の磁気シールド１１、第一の非磁性絶縁層１
２、磁気抵抗効果素子１３、第二の非磁性絶縁層１４及
び下部磁極層２１を形成する。続いて、Al₂O₃よりなる
膜厚０．５μｍのギャップ層２５を形成した後に、渦巻
コイル２２を形成する領域に第一の絶縁層２３ａを形成
する。

【００３４】続いて、第一の絶縁層２３ａの上に銅製の
渦巻コイル２２を形成した後に、渦巻コイル２２を覆う
第二の絶縁層２３ｂを第一の絶縁層２３ａの上に重ね
る。第一及び第二の絶縁層２３ａ，２３ｂは、図１で示
した絶縁層２３となる。渦巻コイル２２は、銅膜をフォ
トリソグラフィーによりパターニングして形成される。
また、第一の絶縁層２３ａと第二の絶縁層２３ｂは、例
えば、ポリイミド、ノボラック系レジストなどの感光性
有機膜から形成されたものであり、膜厚２μｍ程度の感
光性有機膜を塗布した後に、その感光性有機膜を露光、
現像してパターニングしたものである。第一及び第二の
絶縁層２３ａ，２３ｂは、渦巻コイル２２の中央に開口
部２３ｃを有するとともに、磁気抵抗効果素子１３の上
方では除去されている。また、第一及び第二の絶縁層２
３ａ，２３ｂは加熱によって固められている。

【００３５】続いて、図６(b) に示すように、全体にNi
Fe膜３０を３．５μｍの厚さに形成すると、そのNiFe膜
３０は、渦巻コイル２２のほぼ中央で開口部２１ａを通
して第二の磁気シールド層（下部磁極層）２１に接続す
るとともに、磁気抵抗効果素子の上方でギャップ層２５
を覆う。この後に、レジストマスクとイオンミリングを
用いてFeNi膜３０をパターニングし、図２(a) に示すよ
うに略五角形の平面形状の上部磁極層２４にするととも
に、その一つの角からポール２４ａを突出させる。この
ようなフォトリソグラフィーを用いたパターニングによ
れば、ポール２４ａの幅は、２．５μｍ程度が限界であ
る。

【００３６】この段階では、ポール２４ａの先端及びそ
の近傍にはテーパ部２４ｂが形成されていない。そのテ
ーパ部２４ｂは、次のような工程で形成される。まず、
図６(c) 、図７(a) に示すように、Al₂O₃よりなるヘッ
ド保護膜３１を誘導型磁気ヘッド２０の上に形成する。
続いて、ヘッド基板１を図８(a) に示すようなヘッドス
ライダ３２の形状に加工する。その加工されたヘッドス
ライダ３２は、磁気ディスク２に対向する面にレール面
（空気軸受け面）３３を突出して形成するとともに、レ
ール面３３の後端には、上記した誘導型磁気ヘッド２０
とＭＲ磁気ヘッド１０が形成され、その後端には、渦巻
コイル２２の両端とＭＲ素子の一対の端子１３ａが引き
出されて第１〜第４のパッド４１〜４４に接続されてい
る。

【００３７】このようなレール面３３は、磁気ディスク
に対向する面となる。そして、誘導型磁気ヘッド２０の
下部磁性層２１の一端と上部磁性層２４のポール２４ａ
の先端とがレール面３３の端部から露出している。この
ような状態で、ＳＥＭで観察しながら図７(b) 及び図８
(b) に示すようにポール２４ａの先端の両側部を焦点イ
オンビーム（ＦＩＢ(Focused Ion Beam))の照射により
トリミングする。このトリミングによれば、ポール２４
ａの先端の幅が２．５μｍ以下になり、しかもその先端
と先端近傍の平面形状は図２(b),(c) に示すようなテー
パ形状になる。

【００３８】そのＦＩＢ照射によって形成されるテーパ
部２４ｂは、図７(c) に示すようにポール２４ｂの両側
部の全てに形成された状態であってもよいし、または、
図９(a) (b) に示すようにトリミングされてポール２４
ａの下部にだけに存在してもよい。それらいずれの場合
にも、テーパ部２４ｂに対向する下部磁極層２１の上部
の２か所がトリミングされて凹部２１ａが形成されるこ
とは同じである。

【００３９】このようなＦＩＢによるトリミングを終え
た後に、誘導型磁気ヘッドを覆うダイアモンドライクカ
ーボン（不図示）層をスパッタによって成長する。この
ように形成された誘導型磁気ヘッドを使用した場合の、
磁気ディスクでの書き広がりとオーバライト特性の関係
を実験したところ、図１０のような結果が得られた。

【００４０】図１０において、ダイヤ形のプロットは、
トリミングされないポールの書き広がりを示し、正方形
と三角形のプロットは、それぞれトリミングされたポー
ルの書き広がりを示す。なお、正方形のプロットが示す
トリミング量は、三角形のプロットが示すトリミング量
よりも多くしたものである。トリミングが施されたポー
ル２４ａの先端の幅はトリミング量が多いほどポールの
幅がより狭くなる。

【００４１】図１０において、トリミングされたポール
２４、即ちテーパ部２４ｂによる書き広がりは、トリミ
ングされないポールによる書き広がりよりも小さい傾向
にあることがわかる。そして、実際に使用可能なオーバ
ライトは−３０ｄＢ以下であり、この場合にはテーパ部
２４ｂを形成することによる書き広がりはトリミングな
しの場合に比べて３割以上小さくなって磁気記憶装置の
高記録密度化に適しているといえる。

【００４２】このようにＦＩＢによりトリミングされて
先端が２．５μｍ以下となったポール２４ａを使用する
と、実効ライトコア幅が狭くなるだけでなく、書き広が
りが小さくなるのは、次のような理由によると考えられ
る。即ち、図７(c) 、図９(b) において、上部磁極のポ
ールをＦＩＢによってトリミングしてテーパ部２４ｂを
形成する際に、下部磁極２１の上部も同時にトリミング
されて凹部２１ａが形成される。

【００４３】したがって、テーパ２４ｂの下方から出た
磁界Ｈ₁はその周囲に広がらずに、凹部２１ａに挟まれ
た領域の下部磁極２１にほぼ収束することになる。この
結果、磁気ディスク２への書込み広がりが小さくなる。
ところで、上記した誘導型磁気ヘッド２０、ＭＲヘッド
２１を有するスライダ３２は、例えば図１１に示すよう
な磁気ディスク装置に取付けられる。図１１において、
スライダ３２はアーム３５の先端部に取付けられる。そ
のアーム３５は、アクチュエータ３４に取り付けられて
おり、アクチェエータ３４の駆動によって磁気ディスク
２上を移動するようになっている。

【００４４】なお、上記した誘導型磁気ヘッド２０は、
磁気ディスク装置の適用に限るものではなく、磁気テー
プ装置での読出用又は書込用の磁気ヘッドとして適用し
てもよい。

【００４５】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、磁気
ヘッドの上部磁極層のポールの先端をテーパ形状にした
ので、ポールの根元での磁束の飽和が生じにくくなり、
そのテーパ形状の先端から出る磁束密度が変化し易くな
り、しかもそのテーパ形状の先端から出る磁束密度の低
下を防止できる。

【００４６】また、そのテーパ形状のテーパ角を、テー
パの先端の辺に対して４５°以上、９０未満とすると、
オーバライト特性の劣化を抑制できる。さらに、そのテ
ーパ形状の先端の幅を根元の幅で割った値を０．７５以
上、１．０未満にすると、オーバライト特性の劣化を抑
制できる。他の本発明によれば、ポールのテーパ形状を
形成するためにイオンビームを照射する方法を採用して
いるので、テーパ部の先端の幅を２．５μｍ以下にする
ことができ、これにより磁気記録媒体のトラック幅を小
さくすることができる。

【００４７】また、下部磁極層のうちポールに対向する
領域の側方に凹部を設けたので、ポールと下部磁極の間
のギャップから洩れる書込み磁界の広がりを防止し、誘
導型磁気ヘッドによる書込み広がりを小さくできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気ヘッドの一実施形態を示す斜視断
面図である。

【図２】図２(a) は、図１に示す磁気ヘッドの一部を構
成する誘導型磁気ヘッドの上部磁極層を示す平面図、図
２(b),(c) は、上部磁極層のポールの先端及びその近傍
の部分を示す平面図である。

【図３】図３は、図２(b) 又は図２(c) に示す上部磁極
層のポールのテーパ部のテーパ角θとオーバライト特性
の関係を示す図である。

【図４】図４は、図２(b) 又は図２(c) に示す上部磁極
層のポールの幅Ｗa とテーパ部の先端の幅Ｗb の比に対
するオーバライト特性の変化を示す図である。

【図５】図５は、本発明の一実施形態の誘導型磁気ヘッ
ドによって得られた磁化反転パターンのＭＦＭ像であ
る。

【図６】図６(a) 〜(c) は、本発明の一実施形態の磁気
ヘッドの製造工程の一例を示す側部断面図である。

【図７】図７(a) 〜(c) は、本発明の一実施形態の磁気
ヘッドの上部磁極層のトリミングの第１例を示す図であ
る。

【図８】図８(a) は、本発明の一実施形態の磁気ヘッド
が取付けられたスライダを示す斜視図、図８(b) は図８
(a) の部分拡大図である。

【図９】図９(a),(b) は、本発明の一実施形態の磁気ヘ
ッドの上部磁極層のトリミングの第２例を示す図であ
る。

【図１０】図１０は、本発明の一実施形態の磁気ヘッド
と従来の磁気ヘッドによるオーバーライト（ＯＶＷ）特
性と書き広がりの関係を示す図である。

【図１１】図１１は、本発明の一実施形態の磁気ヘッド
が使用される磁気記憶装置の一例を示す平面図である。

【図１２】図１２(a) は、従来の磁気ヘッドの一例を示
す側部断面図、図１２(b) は、その磁気ヘッドの上部磁
極層を示す平面図、図１２(c) は、図１２(b) の部分拡
大図である。

【符号の説明】

１基板２磁気ディスク（磁気記録媒体）１０ＭＲヘッド２０誘導型磁気ヘッド２１下部磁極層２１凹部２２コイル２３第三の絶縁層２４上部磁極層２４ａポール２４ｂテーパ部２５ギャップ層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下部磁極層と、前記下部磁極層上に形成された絶縁層と、前記絶縁層に一部が埋め込まれる導電性コイルと、前記絶縁層の上に形成された上部磁極層と、前記上部磁極層の一部から突出して形成されたポール
と、前記ポールの先端と該先端近傍において、該先端が最も
細く形成されたテーパ部と、前記テーパ部と前記下部磁極層との間隙に挟まれた非磁
性ギャップ層とを有することを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】前記テーパ部は、前記先端の辺に対して４
５°以上、９０°未満の角度で傾く側部を有することを
特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
【請求項３】前記テーパ部の前記先端の幅を前記テーパ
部の根元の幅で割った値が、０．７５以上であって１．
０未満であることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッ
ド。
【請求項４】前記テーパ部の先端の幅は２．５μｍ以下
であることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
【請求項５】前記テーパ部の側線は、直線状又は曲線状
であることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
【請求項６】前記テーパ部は、前記ポールの下層部に形
成されていることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッ
ド。
【請求項７】下部磁極層と、前記下部磁極層上に形成された絶縁層と、前記絶縁層に一部が埋め込まれる導電性コイルと、前記絶縁層の上に形成された上部磁極層と、前記上部磁極層の一部から突出して形成され、且つ先端
の幅が２．５μｍ以下のポールと、前記ポールと前記下部磁極層の間隙に挟まれた非磁性ギ
ャップ層とを有することを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項８】下部磁極層と、前記下部磁極層上に形成された絶縁層と、前記絶縁層に一部が埋め込まれる導電性コイルと、前記絶縁層の上に形成された上部磁極層と、前記上部磁極層の一部から突出して形成されたポール
と、前記下部磁極層のうち、前記ポールの先端部に対向する
領域の側方に形成された凹部と、前記テーパ部と前記下部磁極層との間隙に挟まれた非磁
性ギャップ層とを有することを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項９】前記ポールの少なくとも下層部の先端の幅
は、前記ポールの根元の幅よりも狭いことを特徴とする
請求項７又は８記載の磁気ヘッド。
【請求項１０】請求項１、７又は８記載の磁気ヘッド
と、前記磁気ヘッドに対向する前記磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体と前記磁気ヘッドとを相対的に移動す
る移動手段とを備えたことを特徴とする磁気記憶装置。
【請求項１１】下部磁極層上に第一の絶縁層を形成する
工程と、前記第一の絶縁層上に導電性コイルを形成する工程と、前記導電性コイルを覆う第二の絶縁層を形成する工程
と、前記第二の絶縁層の上に磁性材層を形成する工程と、前記磁性材層をフォトリソグラフィー法によりパターニ
ングすることにより、ポールを有する上部磁極層のパタ
ーンを形成する工程と、前記ポールの先端にイオンビームを照射することによ
り、側部がテーパ形状であって先端の幅が２．５μｍ以
下であるテーパ部を形成する工程とを有することを特徴
とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１２】前記テーパ部の側線を直線状又は曲線状
に形成することを特徴とする請求項１１記載の磁気ヘッ
ドの製造方法。
【請求項１３】前記イオンビームは、前記下部磁極層に
も同時に照射されて、前記下部磁極層の上層部に凹部が
形成されることを特徴とする請求項１１記載の磁気ヘッ
ドの製造方法。
【請求項１４】前記イオンビームは、前記ポールの先端
の下層部に照射されることを特徴とする請求項１１記載
の磁気ヘッドの製造方法。