JP2000105907A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法Info
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁極幅を縮小化した場合においても、磁極幅
の正確な制御を可能にすると共に、十分なオーバーライ
ト特性が得られる薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を
提供する。 【解決手段】 上部磁極１７における、中間部１７ｂと
トラック幅を規定する先端部１７ｃとの連結部の位置
を、スロートハイトＴＨの基準となるスロートハイトゼ
ロ位置（ＴＨ０位置）に一致させ、ここにほぼ直角に変
化する幅方向の段差を設ける。この連結部における中間
部１７ｂの幅を、連結部における先端部１７ｃの幅より
も十分大きくする。先端部１７ｃを形成するためのフォ
トレジストのパターン幅の広がりを防止でき、書込トラ
ック幅の微小化が可能となる。大きい幅の中間部１７ｂ
の存在により、ヨーク部１７ａに発生した磁束が先端部
１７ｃに到達する前に飽和することを防止でき、十分な
オーバーライト特性が確保可能となる。
の正確な制御を可能にすると共に、十分なオーバーライ
ト特性が得られる薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を
提供する。 【解決手段】 上部磁極１７における、中間部１７ｂと
トラック幅を規定する先端部１７ｃとの連結部の位置
を、スロートハイトＴＨの基準となるスロートハイトゼ
ロ位置（ＴＨ０位置）に一致させ、ここにほぼ直角に変
化する幅方向の段差を設ける。この連結部における中間
部１７ｂの幅を、連結部における先端部１７ｃの幅より
も十分大きくする。先端部１７ｃを形成するためのフォ
トレジストのパターン幅の広がりを防止でき、書込トラ
ック幅の微小化が可能となる。大きい幅の中間部１７ｂ
の存在により、ヨーク部１７ａに発生した磁束が先端部
１７ｃに到達する前に飽和することを防止でき、十分な
オーバーライト特性が確保可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも書き込
み用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよ
びその製造方法に関する。
み用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよ
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗（以下、ＭＲ（Magneto Resistive ）と記す。）素子
を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気
ヘッドが広く用いられている。ＭＲ素子としては、異方
性磁気抵抗（以下、ＡＭＲ（Anisotropic Magneto Resi
stive ）と記す。）効果を用いたＡＭＲ素子と、巨大磁
気抵抗（以下、ＧＭＲ（Giant Magneto Resistive ）と
記す。）効果を用いたＧＭＲ素子とがある。ＡＭＲ素子
を用いた再生ヘッドはＡＭＲヘッドあるいは単にＭＲヘ
ッドと呼ばれ、ＧＭＲ素子を用いた再生ヘッドはＧＭＲ
ヘッドと呼ばれる。ＡＭＲヘッドは、面記録密度が１ギ
ガビット／（インチ）2 を超える再生ヘッドとして利用
され、ＧＭＲヘッドは、面記録密度が３ギガビット／
（インチ）2 を超える再生ヘッドとして利用されてい
る。
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗（以下、ＭＲ（Magneto Resistive ）と記す。）素子
を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気
ヘッドが広く用いられている。ＭＲ素子としては、異方
性磁気抵抗（以下、ＡＭＲ（Anisotropic Magneto Resi
stive ）と記す。）効果を用いたＡＭＲ素子と、巨大磁
気抵抗（以下、ＧＭＲ（Giant Magneto Resistive ）と
記す。）効果を用いたＧＭＲ素子とがある。ＡＭＲ素子
を用いた再生ヘッドはＡＭＲヘッドあるいは単にＭＲヘ
ッドと呼ばれ、ＧＭＲ素子を用いた再生ヘッドはＧＭＲ
ヘッドと呼ばれる。ＡＭＲヘッドは、面記録密度が１ギ
ガビット／（インチ）2 を超える再生ヘッドとして利用
され、ＧＭＲヘッドは、面記録密度が３ギガビット／
（インチ）2 を超える再生ヘッドとして利用されてい
る。
【０００３】ＡＭＲヘッドは、ＡＭＲ効果を有するＡＭ
Ｒ膜を備えている。ＧＭＲヘッドは、ＡＭＲ膜を、ＧＭ
Ｒ効果を有するＧＭＲ膜に置き換えたもので、構造上は
ＡＭＲヘッドと同様である。ただし、ＧＭＲ膜は、ＡＭ
Ｒ膜よりも、同じ外部磁界を加えたときに大きな抵抗変
化を示す。このため、ＧＭＲヘッドは、ＡＭＲヘッドよ
りも、再生出力を３〜５倍程度大きくすることができる
と言われている。
Ｒ膜を備えている。ＧＭＲヘッドは、ＡＭＲ膜を、ＧＭ
Ｒ効果を有するＧＭＲ膜に置き換えたもので、構造上は
ＡＭＲヘッドと同様である。ただし、ＧＭＲ膜は、ＡＭ
Ｒ膜よりも、同じ外部磁界を加えたときに大きな抵抗変
化を示す。このため、ＧＭＲヘッドは、ＡＭＲヘッドよ
りも、再生出力を３〜５倍程度大きくすることができる
と言われている。
【０００４】再生ヘッドの性能を向上させる方法として
は、ＭＲ膜をＡＭＲ膜からＧＭＲ膜等の磁気抵抗感度の
優れた材料に変える方法や、ＭＲ膜のパターン幅、特
に、ＭＲハイトを適切化する方法等がある。このＭＲハ
イトとは、ＭＲ素子のエアベアリング面側の端部から反
対側の端部までの長さ（高さ）をいい、エアベアリング
面の加工の際の研磨量によって制御されるものである。
なお、ここにいうエアベアリング面は、薄膜磁気ヘッド
の、磁気記録媒体と対向する面であり、トラック面とも
呼ばれる。
は、ＭＲ膜をＡＭＲ膜からＧＭＲ膜等の磁気抵抗感度の
優れた材料に変える方法や、ＭＲ膜のパターン幅、特
に、ＭＲハイトを適切化する方法等がある。このＭＲハ
イトとは、ＭＲ素子のエアベアリング面側の端部から反
対側の端部までの長さ（高さ）をいい、エアベアリング
面の加工の際の研磨量によって制御されるものである。
なお、ここにいうエアベアリング面は、薄膜磁気ヘッド
の、磁気記録媒体と対向する面であり、トラック面とも
呼ばれる。
【０００５】一方、再生ヘッドの性能向上に伴って、記
録ヘッドの性能向上も求められている。記録ヘッドの性
能を決定する要因としては、スロートハイト（Throat H
eight ：TH）がある。スロートハイトは、エアベアリン
グ面から、磁束発生用の薄膜コイルを電気的に分離する
絶縁層のエッジまでの磁極部分の長さ（高さ）をいう。
記録ヘッドの性能向上のためには、スロートハイトの縮
小化が望まれている。このスロートハイトも、エアベア
リング面の加工の際の研磨量によって制御される。
録ヘッドの性能向上も求められている。記録ヘッドの性
能を決定する要因としては、スロートハイト（Throat H
eight ：TH）がある。スロートハイトは、エアベアリン
グ面から、磁束発生用の薄膜コイルを電気的に分離する
絶縁層のエッジまでの磁極部分の長さ（高さ）をいう。
記録ヘッドの性能向上のためには、スロートハイトの縮
小化が望まれている。このスロートハイトも、エアベア
リング面の加工の際の研磨量によって制御される。
【０００６】記録ヘッドの性能のうち、記録密度を高め
るには、磁気記録媒体におけるトラック密度を上げる必
要がある。このためには、記録ギャップ（write gap)を
挟んでその上下に形成された下部磁極（ボトムポール）
および上部磁極（トップポール）のエアベアリング面で
の幅を数ミクロンからサブミクロンオーダーまで狭くし
た狭トラック構造の記録ヘッドを実現する必要があり、
これを達成するために半導体加工技術が利用されてい
る。
るには、磁気記録媒体におけるトラック密度を上げる必
要がある。このためには、記録ギャップ（write gap)を
挟んでその上下に形成された下部磁極（ボトムポール）
および上部磁極（トップポール）のエアベアリング面で
の幅を数ミクロンからサブミクロンオーダーまで狭くし
た狭トラック構造の記録ヘッドを実現する必要があり、
これを達成するために半導体加工技術が利用されてい
る。
【０００７】ここで、図３９ないし図４４を参照して、
従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例として、複合型
薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例について説明する。
従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例として、複合型
薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例について説明する。
【０００８】この製造方法では、まず、図３９に示した
ように、例えばアルティック（Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ）よ
りなる基板１０１上に、例えばアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）
よりなる絶縁層１０２を、約５〜１０μｍ程度の厚みで
堆積する。次に、絶縁層１０２上に、再生ヘッド用の下
部シールド層１０３を形成する。次に、下部シールド層
１０３上に、例えばアルミナを１００〜２００ｎｍの厚
みでスパッタ堆積し、シールドギャップ膜１０４を形成
する。次に、シールドギャップ膜１０４上に、再生用の
ＭＲ素子を構成するためのＭＲ膜１０５を、数十ｎｍの
厚みに形成し、高精度のフォトリソグラフィで所望の形
状にパターニングする。次に、ＭＲ膜１０５の両側に、
このＭＲ膜１０５と電気的に接続する引き出し電極層と
してのリード層（図示せず）を形成したのち、このリー
ド層、シールドギャップ膜１０４およびＭＲ膜１０５上
に、シールドギャップ膜１０６を形成し、ＭＲ膜１０５
をシールドギャップ膜１０４，１０６内に埋設する。次
に、シールドギャップ膜１０６上に、再生ヘッドと記録
ヘッドの双方に用いる磁気材料、例えばパーマロイ（Ｎ
ｉＦｅ）からなる上部シールド兼下部磁極（以下、下部
磁極と記す。）１０７を形成する。
ように、例えばアルティック（Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ）よ
りなる基板１０１上に、例えばアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）
よりなる絶縁層１０２を、約５〜１０μｍ程度の厚みで
堆積する。次に、絶縁層１０２上に、再生ヘッド用の下
部シールド層１０３を形成する。次に、下部シールド層
１０３上に、例えばアルミナを１００〜２００ｎｍの厚
みでスパッタ堆積し、シールドギャップ膜１０４を形成
する。次に、シールドギャップ膜１０４上に、再生用の
ＭＲ素子を構成するためのＭＲ膜１０５を、数十ｎｍの
厚みに形成し、高精度のフォトリソグラフィで所望の形
状にパターニングする。次に、ＭＲ膜１０５の両側に、
このＭＲ膜１０５と電気的に接続する引き出し電極層と
してのリード層（図示せず）を形成したのち、このリー
ド層、シールドギャップ膜１０４およびＭＲ膜１０５上
に、シールドギャップ膜１０６を形成し、ＭＲ膜１０５
をシールドギャップ膜１０４，１０６内に埋設する。次
に、シールドギャップ膜１０６上に、再生ヘッドと記録
ヘッドの双方に用いる磁気材料、例えばパーマロイ（Ｎ
ｉＦｅ）からなる上部シールド兼下部磁極（以下、下部
磁極と記す。）１０７を形成する。
【０００９】次に、図４０に示したように、下部磁極１
０７上に、絶縁膜、例えばアルミナ膜よりなる記録ギャ
ップ層１０８を形成し、この記録ギャップ層１０８上
に、フォトレジスト層１０９を、高精度のフォトリソグ
ラフィで所定のパターンに形成する。次に、フォトレジ
スト層１０９上に、例えばめっき法により、例えば銅
（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の第１層目の薄
膜コイル１１０を形成する。次に、フォトレジスト層１
０９およびコイル１１０を覆うようにして、フォトレジ
スト層１１１を、高精度のフォトリソグラフィで所定の
パターンに形成する。次に、コイル１１０の平坦化およ
びコイル１１０間の絶縁化のために、例えば２５０°Ｃ
の温度で熱処理する。次に、フォトレジスト層１１１上
に、例えばめっき法により、例えば銅よりなる第２層目
の薄膜コイル１１２を形成する。次に、フォトレジスト
層１１１およびコイル１１２の上に、フォトレジスト層
１１３を、高精度のフォトリソグラフィで所定のパター
ンに形成し、コイル１１２の平坦化およびコイル１１２
間の絶縁化のために、例えば２５０°Ｃの温度で熱処理
する。
０７上に、絶縁膜、例えばアルミナ膜よりなる記録ギャ
ップ層１０８を形成し、この記録ギャップ層１０８上
に、フォトレジスト層１０９を、高精度のフォトリソグ
ラフィで所定のパターンに形成する。次に、フォトレジ
スト層１０９上に、例えばめっき法により、例えば銅
（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の第１層目の薄
膜コイル１１０を形成する。次に、フォトレジスト層１
０９およびコイル１１０を覆うようにして、フォトレジ
スト層１１１を、高精度のフォトリソグラフィで所定の
パターンに形成する。次に、コイル１１０の平坦化およ
びコイル１１０間の絶縁化のために、例えば２５０°Ｃ
の温度で熱処理する。次に、フォトレジスト層１１１上
に、例えばめっき法により、例えば銅よりなる第２層目
の薄膜コイル１１２を形成する。次に、フォトレジスト
層１１１およびコイル１１２の上に、フォトレジスト層
１１３を、高精度のフォトリソグラフィで所定のパター
ンに形成し、コイル１１２の平坦化およびコイル１１２
間の絶縁化のために、例えば２５０°Ｃの温度で熱処理
する。
【００１０】次に、図４１に示したように、コイル１１
０，１１２よりも後方（図４１における右側）の位置に
おいて、磁路形成のために、記録ギャップ層１０８を部
分的にエッチングして開口部１０８ａを形成する。次
に、記録ギャップ層１０８およびフォトレジスト層１０
９，１１１，１１３上に、記録ヘッド用の磁気材料、例
えばパーマロイからなる上部ヨーク兼上部磁極（以下、
上部磁極と記す。）１１４を選択的に形成する。この上
部磁極１１４は、上記した開口部１０８ａにおいて下部
磁極１０７と接触し、磁気的に連結している。次に、上
部磁極１１４をマスクとして、イオンミリングによっ
て、記録ギャップ層１０８と下部磁極１０７を、約０．
５μｍ程度エッチングした後、上部磁極１１４上に、例
えばアルミナよりなるオーバーコート層１１５を形成す
る。最後に、スライダの機械加工を行って、記録ヘッド
および再生ヘッドのトラック面（エアベアリング面）１
２０を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。
０，１１２よりも後方（図４１における右側）の位置に
おいて、磁路形成のために、記録ギャップ層１０８を部
分的にエッチングして開口部１０８ａを形成する。次
に、記録ギャップ層１０８およびフォトレジスト層１０
９，１１１，１１３上に、記録ヘッド用の磁気材料、例
えばパーマロイからなる上部ヨーク兼上部磁極（以下、
上部磁極と記す。）１１４を選択的に形成する。この上
部磁極１１４は、上記した開口部１０８ａにおいて下部
磁極１０７と接触し、磁気的に連結している。次に、上
部磁極１１４をマスクとして、イオンミリングによっ
て、記録ギャップ層１０８と下部磁極１０７を、約０．
５μｍ程度エッチングした後、上部磁極１１４上に、例
えばアルミナよりなるオーバーコート層１１５を形成す
る。最後に、スライダの機械加工を行って、記録ヘッド
および再生ヘッドのトラック面（エアベアリング面）１
２０を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００１１】図４２〜図４４は、完成した状態の薄膜磁
気ヘッドの構造を表すものである。ここで、図４２はエ
アベアリング面１２０に垂直な薄膜磁気ヘッドの断面を
示し、図４３は磁極部分のエアベアリング面１２０に平
行な断面を拡大して示し、図４４は平面図を示す。な
お、図３９ないし図４２は、図４４におけるＡ−Ａ′線
に沿った矢視断面に対応する。また、図４２ないし図４
４では、オーバーコート層１１５の図示を省略してい
る。
気ヘッドの構造を表すものである。ここで、図４２はエ
アベアリング面１２０に垂直な薄膜磁気ヘッドの断面を
示し、図４３は磁極部分のエアベアリング面１２０に平
行な断面を拡大して示し、図４４は平面図を示す。な
お、図３９ないし図４２は、図４４におけるＡ−Ａ′線
に沿った矢視断面に対応する。また、図４２ないし図４
４では、オーバーコート層１１５の図示を省略してい
る。
【００１２】薄膜磁気ヘッドの性能を向上させるには、
図４２および図４３に示したスロートハイトＴＨ、エイ
ペックスアングルθ、磁極幅Ｐ２Ｗおよび磁極長Ｐ２Ｌ
を正確に形成することが重要である。ここで、エイペッ
クスアングル（Apex Angle）θは、フォトレジスト層１
０９，１１１，１１３のトラック面側の側面の角部を結
ぶ直線と上部磁極１１４の上面とのなす角度である。磁
極幅Ｐ２Ｗは、記録媒体上の記録トラック幅を規定する
ものである。磁極長Ｐ２Ｌは磁極の厚さを表している。
また、図４２および図４４において、‘ＴＨ０位置’と
あるのは、薄膜コイル１１０，１１２を電気的に分離す
る絶縁層であるフォトレジスト層１０９のトラック面側
のエッジであり、スロートハイトＴＨの基準位置０を示
している。
図４２および図４３に示したスロートハイトＴＨ、エイ
ペックスアングルθ、磁極幅Ｐ２Ｗおよび磁極長Ｐ２Ｌ
を正確に形成することが重要である。ここで、エイペッ
クスアングル（Apex Angle）θは、フォトレジスト層１
０９，１１１，１１３のトラック面側の側面の角部を結
ぶ直線と上部磁極１１４の上面とのなす角度である。磁
極幅Ｐ２Ｗは、記録媒体上の記録トラック幅を規定する
ものである。磁極長Ｐ２Ｌは磁極の厚さを表している。
また、図４２および図４４において、‘ＴＨ０位置’と
あるのは、薄膜コイル１１０，１１２を電気的に分離す
る絶縁層であるフォトレジスト層１０９のトラック面側
のエッジであり、スロートハイトＴＨの基準位置０を示
している。
【００１３】図４３に示したように、上部磁極１１４、
記録ギャップ層１０８および下部磁極１０７の一部の各
側壁が垂直に自己整合的に形成された構造は、トリム
（Trim）構造と呼ばれる。このトリム構造によれば、狭
トラックの書き込み時に発生する磁束の広がりによる実
効トラック幅の増加を防止することができる。なお、図
４３に示したように、ＭＲ膜１０５の両側には、このＭ
Ｒ膜１０５と電気的に接続する引き出し電極層としての
リード層１２１が設けられている。但し、図３９〜図４
２および図４４ではリード層１２１の図示を省略してい
る。
記録ギャップ層１０８および下部磁極１０７の一部の各
側壁が垂直に自己整合的に形成された構造は、トリム
（Trim）構造と呼ばれる。このトリム構造によれば、狭
トラックの書き込み時に発生する磁束の広がりによる実
効トラック幅の増加を防止することができる。なお、図
４３に示したように、ＭＲ膜１０５の両側には、このＭ
Ｒ膜１０５と電気的に接続する引き出し電極層としての
リード層１２１が設けられている。但し、図３９〜図４
２および図４４ではリード層１２１の図示を省略してい
る。
【００１４】図４５は、上部磁極１１４の平面構造を表
すものである。この図に示したように、上部磁極１１４
は、その大部分を占めるヨーク部１１４ａと、磁極幅Ｐ
２Ｗとしてほぼ一定の幅Ｗ１を有するポールチップ部１
１４ｂとを有している。ヨーク部１１４ａとポールチッ
プ部１１４ｂとの連結部分において、ヨーク部１１４ａ
の外縁はエアベアリング面１２０と平行な面に対して角
度αをなし、また、上記連結部分において、ポールチッ
プ部１１４ｂの外縁はエアベアリング面１２０と平行な
面に対して角度βをなしている。ここで、αは、例えば
４５度程度であり、βは９０度である。ポールチップ部
１１４ｂの幅は、記録媒体上の記録トラック幅を規定す
るものである。ポールチップ部１１４ｂは、ＴＨ０位置
よりも前方側（エアベアリング面１２０側）の部分Ｆ
と、ＴＨ０位置よりも後方側（ヨーク部１１４ａ側）の
部分Ｒとを含んでいる。図４２から判るように、部分Ｆ
は、平坦な記録ギャップ層１０８の上に延在し、部分Ｒ
およびヨーク部１１４ａは、フォトレジスト層１０９，
１１１，１１３で覆われて山状に盛り上がったコイル部
分（以下、エイペックス部と言う。）の上に延在してい
る。
すものである。この図に示したように、上部磁極１１４
は、その大部分を占めるヨーク部１１４ａと、磁極幅Ｐ
２Ｗとしてほぼ一定の幅Ｗ１を有するポールチップ部１
１４ｂとを有している。ヨーク部１１４ａとポールチッ
プ部１１４ｂとの連結部分において、ヨーク部１１４ａ
の外縁はエアベアリング面１２０と平行な面に対して角
度αをなし、また、上記連結部分において、ポールチッ
プ部１１４ｂの外縁はエアベアリング面１２０と平行な
面に対して角度βをなしている。ここで、αは、例えば
４５度程度であり、βは９０度である。ポールチップ部
１１４ｂの幅は、記録媒体上の記録トラック幅を規定す
るものである。ポールチップ部１１４ｂは、ＴＨ０位置
よりも前方側（エアベアリング面１２０側）の部分Ｆ
と、ＴＨ０位置よりも後方側（ヨーク部１１４ａ側）の
部分Ｒとを含んでいる。図４２から判るように、部分Ｆ
は、平坦な記録ギャップ層１０８の上に延在し、部分Ｒ
およびヨーク部１１４ａは、フォトレジスト層１０９，
１１１，１１３で覆われて山状に盛り上がったコイル部
分（以下、エイペックス部と言う。）の上に延在してい
る。
【００１５】なお、上部磁極の形状に関しては、例え
ば、特開平８−２４９６１４号公報に記載がある。
ば、特開平８−２４９６１４号公報に記載がある。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】磁極幅Ｐ２Ｗは、記録
ヘッドのトラック幅を決定するため、正確な形成が要求
される。特に、近年は、高面密度記録を可能とするた
め、すなわち、狭トラック構造の記録ヘッドを形成する
ために、上部磁極の磁極幅Ｐ２Ｗを１．０μｍ以下の寸
法にするという微細加工が要求される。
ヘッドのトラック幅を決定するため、正確な形成が要求
される。特に、近年は、高面密度記録を可能とするた
め、すなわち、狭トラック構造の記録ヘッドを形成する
ために、上部磁極の磁極幅Ｐ２Ｗを１．０μｍ以下の寸
法にするという微細加工が要求される。
【００１７】上部磁極を形成する方法としては、例え
ば、特開平７−２６２５１９号公報に示されるように、
フレームめっき法が用いられる。フレームめっき法を用
いて上部磁極１１４を形成する場合は、まず、エイペッ
クス部の上に全体的に、例えばパーマロイよりなる薄い
電極膜を、例えばスパッタリングによって形成する。次
に、その上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラ
フィ工程によりパターニングして、めっきのためのフレ
ーム（外枠）を形成する。そして、先に形成した電極膜
をシード層として、めっき法によって上部磁極１１４を
形成する。
ば、特開平７−２６２５１９号公報に示されるように、
フレームめっき法が用いられる。フレームめっき法を用
いて上部磁極１１４を形成する場合は、まず、エイペッ
クス部の上に全体的に、例えばパーマロイよりなる薄い
電極膜を、例えばスパッタリングによって形成する。次
に、その上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラ
フィ工程によりパターニングして、めっきのためのフレ
ーム（外枠）を形成する。そして、先に形成した電極膜
をシード層として、めっき法によって上部磁極１１４を
形成する。
【００１８】ところで、エイペックス部と他の部分とで
は、例えば７〜１０μｍ以上の高低差がある。このエイ
ペックス部上に、フォトレジストを３〜４μｍの厚みで
塗布する。エイペックス部上のフォトレジストの膜厚が
最低３μｍ以上必要であるとすると、流動性のあるフォ
トレジストは低い方に集まることから、エイペックス部
の下方では、例えば８〜１０μｍ以上の厚みのフォトレ
ジスト膜が形成される。
は、例えば７〜１０μｍ以上の高低差がある。このエイ
ペックス部上に、フォトレジストを３〜４μｍの厚みで
塗布する。エイペックス部上のフォトレジストの膜厚が
最低３μｍ以上必要であるとすると、流動性のあるフォ
トレジストは低い方に集まることから、エイペックス部
の下方では、例えば８〜１０μｍ以上の厚みのフォトレ
ジスト膜が形成される。
【００１９】前述のように狭トラックを形成するために
は、フォトレジスト膜によって１．０μｍ程度の幅のフ
レームパターンを形成する必要がある。すなわち、８〜
１０μｍ以上の厚みのあるフォトレジスト膜によって、
１．０μｍもしくはそれ以下の幅の微細なパターンを形
成しなければならない。ところが、このような厚い膜厚
のフォトレジストパターンを狭パターン幅で形成するこ
とは製造工程上極めて困難であった。
は、フォトレジスト膜によって１．０μｍ程度の幅のフ
レームパターンを形成する必要がある。すなわち、８〜
１０μｍ以上の厚みのあるフォトレジスト膜によって、
１．０μｍもしくはそれ以下の幅の微細なパターンを形
成しなければならない。ところが、このような厚い膜厚
のフォトレジストパターンを狭パターン幅で形成するこ
とは製造工程上極めて困難であった。
【００２０】しかも、フォトリソグラフィの露光時に、
露光用の光が、シード層としての下地電極膜で反射し、
この反射光によってもフォトレジストが感光して、フォ
トレジストパターンのくずれ等が生じ、シャープかつ正
確なフォトレジストパターンが得られなくなる。その結
果、上部磁極の側壁が丸みを帯びた形状になる等、上部
磁極を所望の形状に形成できなくなる。特に、図４６に
示したように、磁極幅Ｐ２Ｗをさらに微小化してＷ１′
としたときには、この所望の幅Ｗ１′を得ることがさら
に困難となる。これは、ポールチップ部１１４ｂのう
ち、エイペックス部上に延在している部分Ｒでは、下地
電極膜で反射して戻ってくる反射光には、垂直方向の反
射光のみならず、エイペックス部の斜面からの斜め方向
または横方向からの反射光も含まれており、これらの反
射光がフォトレジスト層の感光に影響を与える結果、磁
極幅Ｐ２Ｗを規定するフォトレジストパターン幅が所期
の値よりも大きくなり、その形状が図４６における破線
で示したような形になってしまうからである。ポールチ
ップ部１１４ｂの中でも、ＴＨ０位置より前方の部分Ｒ
の幅は、記録媒体上のトラック幅を規定する上で極めて
重要なファクタである。このため、部分Ｒの幅が上記し
た値Ｗ２よりも大きくなると、目標とする微小なトラッ
ク幅を得ることができない。
露光用の光が、シード層としての下地電極膜で反射し、
この反射光によってもフォトレジストが感光して、フォ
トレジストパターンのくずれ等が生じ、シャープかつ正
確なフォトレジストパターンが得られなくなる。その結
果、上部磁極の側壁が丸みを帯びた形状になる等、上部
磁極を所望の形状に形成できなくなる。特に、図４６に
示したように、磁極幅Ｐ２Ｗをさらに微小化してＷ１′
としたときには、この所望の幅Ｗ１′を得ることがさら
に困難となる。これは、ポールチップ部１１４ｂのう
ち、エイペックス部上に延在している部分Ｒでは、下地
電極膜で反射して戻ってくる反射光には、垂直方向の反
射光のみならず、エイペックス部の斜面からの斜め方向
または横方向からの反射光も含まれており、これらの反
射光がフォトレジスト層の感光に影響を与える結果、磁
極幅Ｐ２Ｗを規定するフォトレジストパターン幅が所期
の値よりも大きくなり、その形状が図４６における破線
で示したような形になってしまうからである。ポールチ
ップ部１１４ｂの中でも、ＴＨ０位置より前方の部分Ｒ
の幅は、記録媒体上のトラック幅を規定する上で極めて
重要なファクタである。このため、部分Ｒの幅が上記し
た値Ｗ２よりも大きくなると、目標とする微小なトラッ
ク幅を得ることができない。
【００２１】このような問題は、上記の特開平８−２４
９６１４号公報に記載された磁気ヘッドにおいても同様
に存在する。この公報に記載された磁気ヘッドでは、Ｔ
Ｈ０位置からヨーク部に向かって磁極幅がなだらかに変
化しているので、エイペックス部の斜面からの斜め方向
または横方向からの反射光がフォトレジスト層の感光に
与える影響により、ＴＨ０位置より前方の部分の幅を正
確に制御できないからである。
９６１４号公報に記載された磁気ヘッドにおいても同様
に存在する。この公報に記載された磁気ヘッドでは、Ｔ
Ｈ０位置からヨーク部に向かって磁極幅がなだらかに変
化しているので、エイペックス部の斜面からの斜め方向
または横方向からの反射光がフォトレジスト層の感光に
与える影響により、ＴＨ０位置より前方の部分の幅を正
確に制御できないからである。
【００２２】また、図４６に示したように、ポールチッ
プ部１１４ｂのうち、ＴＨ０位置からヨーク部１１４ａ
との連結部までの部分Ｒは、ＴＨ０位置の前方の部分Ｆ
とほぼ同じ幅となっていてその断面積が小さいため、ヨ
ーク部１１４ａからの磁束が部分Ｒで飽和してしまい、
トラック幅を規定する部分Ｆにまで十分到達することが
できない。このため、オーバーライト特性、すなわち、
記録媒体上に既に書き込んである上からさらにデータを
重ね書きする場合の特性が、例えば１０〜２０ｄＢ程度
と低い値となり、十分なオーバーライト特性を確保する
ことができないという問題があった。
プ部１１４ｂのうち、ＴＨ０位置からヨーク部１１４ａ
との連結部までの部分Ｒは、ＴＨ０位置の前方の部分Ｆ
とほぼ同じ幅となっていてその断面積が小さいため、ヨ
ーク部１１４ａからの磁束が部分Ｒで飽和してしまい、
トラック幅を規定する部分Ｆにまで十分到達することが
できない。このため、オーバーライト特性、すなわち、
記録媒体上に既に書き込んである上からさらにデータを
重ね書きする場合の特性が、例えば１０〜２０ｄＢ程度
と低い値となり、十分なオーバーライト特性を確保する
ことができないという問題があった。
【００２３】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、磁極幅を縮小化した場合において
も、磁極幅の正確な制御を可能にすると共に、十分なオ
ーバーライト特性を得ることができる薄膜磁気ヘッドお
よびその製造方法を提供することにある。
ので、その目的は、磁極幅を縮小化した場合において
も、磁極幅の正確な制御を可能にすると共に、十分なオ
ーバーライト特性を得ることができる薄膜磁気ヘッドお
よびその製造方法を提供することにある。
【００２４】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、磁気的に連結され、かつ記録媒体に対向する側の一
部がギャップ層を介して対向する２つの磁極を含む少な
くとも２つの磁性層と、これらの少なくとも２つの磁性
層の間に絶縁層を介して配設された薄膜コイル部とを有
する薄膜磁気ヘッドであって、２つの磁性層のうちの少
なくとも一方の磁性層が、記録媒体に対向する記録媒体
対向面から絶縁層における記録媒体に近い側の端縁部ま
たはその近傍にかけて延在し、記録媒体の記録トラック
の幅を規定する一定幅を有する第１の磁性層部分と、絶
縁層の上記の端縁部またはその近傍において第１の磁性
層部分と磁気的に連結する第２の磁性層部分とを含み、
第１の磁性層部分と第２の磁性層部分との連結部におけ
る第１の磁性層部分の幅がこの連結部における第２の磁
性層部分の幅よりも小さくなるように、連結部に幅方向
の段差を形成したものである。
は、磁気的に連結され、かつ記録媒体に対向する側の一
部がギャップ層を介して対向する２つの磁極を含む少な
くとも２つの磁性層と、これらの少なくとも２つの磁性
層の間に絶縁層を介して配設された薄膜コイル部とを有
する薄膜磁気ヘッドであって、２つの磁性層のうちの少
なくとも一方の磁性層が、記録媒体に対向する記録媒体
対向面から絶縁層における記録媒体に近い側の端縁部ま
たはその近傍にかけて延在し、記録媒体の記録トラック
の幅を規定する一定幅を有する第１の磁性層部分と、絶
縁層の上記の端縁部またはその近傍において第１の磁性
層部分と磁気的に連結する第２の磁性層部分とを含み、
第１の磁性層部分と第２の磁性層部分との連結部におけ
る第１の磁性層部分の幅がこの連結部における第２の磁
性層部分の幅よりも小さくなるように、連結部に幅方向
の段差を形成したものである。
【００２５】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、磁気的に連結され、かつ記録媒体に対向する側の一
部がギャップ層を介して対向する２つの磁極を含む少な
くとも２つの磁性層を形成する工程と、少なくとも２つ
の磁性層の間に絶縁層を介して配置されるように薄膜コ
イル部を形成する工程とを含み、上記の少なくとも２つ
の磁性層のうちの一の磁性層が、記録媒体に対向する記
録媒体対向面から絶縁層における記録媒体に近い側の端
縁部またはその近傍にかけて延在して記録媒体の記録ト
ラックの幅を規定する一定幅を有する第１の磁性層部分
と、絶縁層の上記の端縁部またはその近傍において第１
の磁性層部分と磁気的に連結する第２の磁性層部分とを
含むように形成し、第１の磁性層部分と第２の磁性層部
分との連結部における第１の磁性層部分の幅がこの連結
部における第２の磁性層部分の幅よりも小さくなるよう
に、連結部に幅方向の段差を形成したものである。
は、磁気的に連結され、かつ記録媒体に対向する側の一
部がギャップ層を介して対向する２つの磁極を含む少な
くとも２つの磁性層を形成する工程と、少なくとも２つ
の磁性層の間に絶縁層を介して配置されるように薄膜コ
イル部を形成する工程とを含み、上記の少なくとも２つ
の磁性層のうちの一の磁性層が、記録媒体に対向する記
録媒体対向面から絶縁層における記録媒体に近い側の端
縁部またはその近傍にかけて延在して記録媒体の記録ト
ラックの幅を規定する一定幅を有する第１の磁性層部分
と、絶縁層の上記の端縁部またはその近傍において第１
の磁性層部分と磁気的に連結する第２の磁性層部分とを
含むように形成し、第１の磁性層部分と第２の磁性層部
分との連結部における第１の磁性層部分の幅がこの連結
部における第２の磁性層部分の幅よりも小さくなるよう
に、連結部に幅方向の段差を形成したものである。
【００２６】本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方
法では、第１の磁性層部分の一定幅によって記録媒体の
記録トラックの幅が規定される。第１の磁性層部分は、
絶縁層における記録媒体に近い側の端縁部またはその近
傍において、第１の磁性層部分の幅よりも大きい幅の第
２の磁性層部分に磁気的に連結され、その連結部には幅
方向の段差が形成される。
法では、第１の磁性層部分の一定幅によって記録媒体の
記録トラックの幅が規定される。第１の磁性層部分は、
絶縁層における記録媒体に近い側の端縁部またはその近
傍において、第１の磁性層部分の幅よりも大きい幅の第
２の磁性層部分に磁気的に連結され、その連結部には幅
方向の段差が形成される。
【００２７】本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方
法では、連結部における第２の磁性層部分の段差面が第
１の磁性層部分の延在方向と実質的に垂直をなすように
してもよい。
法では、連結部における第２の磁性層部分の段差面が第
１の磁性層部分の延在方向と実質的に垂直をなすように
してもよい。
【００２８】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、第２の磁性層部分の段差面における幅方
向の端縁に面取りを施すようにしてもよい。
製造方法では、第２の磁性層部分の段差面における幅方
向の端縁に面取りを施すようにしてもよい。
【００２９】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、第２の磁性層部分の幅が位置によらずに
ほぼ一定であるようにしてもよい。
製造方法では、第２の磁性層部分の幅が位置によらずに
ほぼ一定であるようにしてもよい。
【００３０】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、第２の磁性層部分の幅が位置により異な
るようにしてもよい。
製造方法では、第２の磁性層部分の幅が位置により異な
るようにしてもよい。
【００３１】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、第２の磁性層部分の幅が上記の連結部か
ら遠ざかるに従って広くなるようにしてもよい。
製造方法では、第２の磁性層部分の幅が上記の連結部か
ら遠ざかるに従って広くなるようにしてもよい。
【００３２】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、一方の磁性層が、さらに、第２の磁性層
部分に磁気的に連結され、この第２の磁性層部分よりも
大きな幅および面積を有する第３の磁性層部分を含むよ
うにしてもよい。
製造方法では、一方の磁性層が、さらに、第２の磁性層
部分に磁気的に連結され、この第２の磁性層部分よりも
大きな幅および面積を有する第３の磁性層部分を含むよ
うにしてもよい。
【００３３】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、第１の磁性層部分および第２の磁性層部
分が同一工程により一体に形成されたものであるように
してもよい。
製造方法では、第１の磁性層部分および第２の磁性層部
分が同一工程により一体に形成されたものであるように
してもよい。
【００３４】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、第１の磁性層部分、第２の磁性層部分お
よび第３の磁性層部分が同一工程により一体に形成され
たものであるようにしてもよい。
製造方法では、第１の磁性層部分、第２の磁性層部分お
よび第３の磁性層部分が同一工程により一体に形成され
たものであるようにしてもよい。
【００３５】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、第１の磁性層部分および第２の磁性層部
分が、同一工程により一体に形成されたものであり、第
３の磁性層部分が、第１の磁性層部分および第２の磁性
層部分の形成工程と異なる工程により、これらの部分と
は別体として形成されたものであるようにしてもよい。
製造方法では、第１の磁性層部分および第２の磁性層部
分が、同一工程により一体に形成されたものであり、第
３の磁性層部分が、第１の磁性層部分および第２の磁性
層部分の形成工程と異なる工程により、これらの部分と
は別体として形成されたものであるようにしてもよい。
【００３６】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、第３の磁性層部分が、第２の磁性層部分
の少なくとも一部とオーバーラップして延在するように
してもよい。
製造方法では、第３の磁性層部分が、第２の磁性層部分
の少なくとも一部とオーバーラップして延在するように
してもよい。
【００３７】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、第３の磁性層部分が、連結部を越えて第
１の磁性層部分の一部ともオーバーラップするように延
在し、そのオーバーラップした部分における第３の磁性
層部分の、記録媒体に近い側の端縁面が、第１の磁性層
部分の延在方向と直交するようにしてもよい。この場合
には、第１の磁性層部分と第２の磁性層部分との連結部
が、第３の磁性層部分の上記端縁面から後退しているの
で、この連結部における幅方向の段差の角部に丸みがあ
ったとしても、記録媒体の記録トラック幅を規定するこ
ととなる第１の磁性層部分の幅は、上記の直交部分から
先端部までの全域にわたって正確に一定となる。ここ
で、さらに、第３の磁性層部分の上記端縁面の位置が、
絶縁層における記録媒体に近い側の端縁部の位置と一致
するようにしてもよい。この場合には、いわゆるスロー
トハイトと呼ばれる範囲の全域にわたって、記録媒体の
記録トラック幅を規定することとなる第１の磁性層部分
の幅が正確に一定となる。
製造方法では、第３の磁性層部分が、連結部を越えて第
１の磁性層部分の一部ともオーバーラップするように延
在し、そのオーバーラップした部分における第３の磁性
層部分の、記録媒体に近い側の端縁面が、第１の磁性層
部分の延在方向と直交するようにしてもよい。この場合
には、第１の磁性層部分と第２の磁性層部分との連結部
が、第３の磁性層部分の上記端縁面から後退しているの
で、この連結部における幅方向の段差の角部に丸みがあ
ったとしても、記録媒体の記録トラック幅を規定するこ
ととなる第１の磁性層部分の幅は、上記の直交部分から
先端部までの全域にわたって正確に一定となる。ここ
で、さらに、第３の磁性層部分の上記端縁面の位置が、
絶縁層における記録媒体に近い側の端縁部の位置と一致
するようにしてもよい。この場合には、いわゆるスロー
トハイトと呼ばれる範囲の全域にわたって、記録媒体の
記録トラック幅を規定することとなる第１の磁性層部分
の幅が正確に一定となる。
【００３８】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、第２の磁性層部分の少なくとも一部が、
絶縁層により形成される斜面上に配置されるようにして
もよい。この場合には、たとえ、第２の磁性層部分を上
記の斜面上に形成することに起因して、第１の磁性層部
分の形成のためのフォトリソグラフィ工程での露光状態
の悪影響が生じ、これにより上記の連結部における幅方
向の段差の角部に比較的大きな丸みが生じたとしても、
第１の磁性層部分の実質的な幅にばらつきが生ずるとい
う事態は回避される。
製造方法では、第２の磁性層部分の少なくとも一部が、
絶縁層により形成される斜面上に配置されるようにして
もよい。この場合には、たとえ、第２の磁性層部分を上
記の斜面上に形成することに起因して、第１の磁性層部
分の形成のためのフォトリソグラフィ工程での露光状態
の悪影響が生じ、これにより上記の連結部における幅方
向の段差の角部に比較的大きな丸みが生じたとしても、
第１の磁性層部分の実質的な幅にばらつきが生ずるとい
う事態は回避される。
【００３９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。
【００４０】〔第１の実施の形態〕まず、図１ないし図
８を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁
気ヘッドの製造方法としての複合型薄膜磁気ヘッドの製
造方法について説明する。なお、本実施の形態に係る薄
膜磁気ヘッドは、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの
製造方法によって具現化されるので、以下併せて説明す
る。図１ないし図７において、（ａ）はエアベアリング
面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリ
ング面に平行な断面を示している。また、図８は、複合
型薄膜磁気ヘッドの平面構成を示している。
８を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁
気ヘッドの製造方法としての複合型薄膜磁気ヘッドの製
造方法について説明する。なお、本実施の形態に係る薄
膜磁気ヘッドは、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの
製造方法によって具現化されるので、以下併せて説明す
る。図１ないし図７において、（ａ）はエアベアリング
面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリ
ング面に平行な断面を示している。また、図８は、複合
型薄膜磁気ヘッドの平面構成を示している。
【００４１】本実施の形態に係る製造方法では、まず、
図１に示したように、例えばアルティック（Ａｌ2 Ｏ3
・ＴｉＣ）からなる基板１上に、例えばアルミナ（Ａｌ
2 Ｏ3 ）よりなる絶縁層２を、約３〜５μｍ程度の厚み
で堆積する。次に、絶縁層２上に、フォトレジスト膜を
マスクとして、めっき法にて、パーマロイ（ＮｉＦｅ）
を約３μｍの厚みで選択的に形成して、再生ヘッド用の
下部シールド層３を形成する。
図１に示したように、例えばアルティック（Ａｌ2 Ｏ3
・ＴｉＣ）からなる基板１上に、例えばアルミナ（Ａｌ
2 Ｏ3 ）よりなる絶縁層２を、約３〜５μｍ程度の厚み
で堆積する。次に、絶縁層２上に、フォトレジスト膜を
マスクとして、めっき法にて、パーマロイ（ＮｉＦｅ）
を約３μｍの厚みで選択的に形成して、再生ヘッド用の
下部シールド層３を形成する。
【００４２】次に、下部シールド層３上に、例えばアル
ミナを１００〜２００ｎｍの厚みでスパッタ堆積し、シ
ールドギャップ膜４を形成する。次に、シールドギャッ
プ膜４上に、再生用のＭＲ素子を構成するためのＭＲ膜
５を数１０ｎｍ以下の厚みに形成し、高精度のフォトリ
ソグラフィで所望の形状とする。次に、ＭＲ膜５の両側
に、このＭＲ膜５と電気的に接続する引き出し電極層と
してのリード層（図示せず）を形成したのち、このリー
ド層、シールドギャップ膜４およびＭＲ膜５上に、シー
ルドギャップ膜６を形成して、ＭＲ膜５をシールドギャ
ップ膜４，６内に埋設する。
ミナを１００〜２００ｎｍの厚みでスパッタ堆積し、シ
ールドギャップ膜４を形成する。次に、シールドギャッ
プ膜４上に、再生用のＭＲ素子を構成するためのＭＲ膜
５を数１０ｎｍ以下の厚みに形成し、高精度のフォトリ
ソグラフィで所望の形状とする。次に、ＭＲ膜５の両側
に、このＭＲ膜５と電気的に接続する引き出し電極層と
してのリード層（図示せず）を形成したのち、このリー
ド層、シールドギャップ膜４およびＭＲ膜５上に、シー
ルドギャップ膜６を形成して、ＭＲ膜５をシールドギャ
ップ膜４，６内に埋設する。
【００４３】次に、図２に示したように、シールドギャ
ップ膜６上に、例えばパーマロイよりなる上部シールド
兼下部磁極（以下、下部磁極と記す。）７を、約３〜４
μｍの厚みで選択的に形成する。ここで、下部磁極７が
本発明における「少なくとも２つの磁性層」のうちの１
つに対応する。
ップ膜６上に、例えばパーマロイよりなる上部シールド
兼下部磁極（以下、下部磁極と記す。）７を、約３〜４
μｍの厚みで選択的に形成する。ここで、下部磁極７が
本発明における「少なくとも２つの磁性層」のうちの１
つに対応する。
【００４４】次に、下部磁極７上に、無機系絶縁膜、例
えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ2 ）を約１〜２μｍの厚み
で形成した後、テーパエッチングを施して、選択的にパ
ターニングして、エイペックスアングルとスロートハイ
トを規定するための絶縁層８を形成する。なお、絶縁層
８としては、シリコン酸化膜に限らず、アルミナ膜や、
シリコンチッ化膜（ＳｉＮ）等の他の無機系絶縁膜を用
いてもよい。また、上記膜はスパッタまたはＣＶＤ（Ch
emical Vapor Deposition ）法にて形成してもよい。次
に、下部磁極７および絶縁層８上に、絶縁膜、例えばア
ルミナ膜よりなる記録ギャップ層９を形成する。
えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ2 ）を約１〜２μｍの厚み
で形成した後、テーパエッチングを施して、選択的にパ
ターニングして、エイペックスアングルとスロートハイ
トを規定するための絶縁層８を形成する。なお、絶縁層
８としては、シリコン酸化膜に限らず、アルミナ膜や、
シリコンチッ化膜（ＳｉＮ）等の他の無機系絶縁膜を用
いてもよい。また、上記膜はスパッタまたはＣＶＤ（Ch
emical Vapor Deposition ）法にて形成してもよい。次
に、下部磁極７および絶縁層８上に、絶縁膜、例えばア
ルミナ膜よりなる記録ギャップ層９を形成する。
【００４５】次に、図３に示したように、記録ギャップ
層９上に、例えば電解めっき法により、例えば銅（Ｃ
ｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の第１層目の薄膜コ
イル１０を２〜３μｍの厚みで形成する。
層９上に、例えば電解めっき法により、例えば銅（Ｃ
ｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の第１層目の薄膜コ
イル１０を２〜３μｍの厚みで形成する。
【００４６】次に、図４に示したように、記録ギャップ
層９およびコイル１０上に、フォトレジスト層１１を、
高精度のフォトリソグラフィで所定のパターンに形成す
る。次に、コイル１０の平坦化およびコイル１０間の絶
縁化のために、例えば２５０°Ｃの温度で熱処理する。
層９およびコイル１０上に、フォトレジスト層１１を、
高精度のフォトリソグラフィで所定のパターンに形成す
る。次に、コイル１０の平坦化およびコイル１０間の絶
縁化のために、例えば２５０°Ｃの温度で熱処理する。
【００４７】次に、フォトレジスト層１１上に、例えば
電解めっき法により、例えば銅よりなる第２層目の薄膜
コイル１２を２〜３μｍの厚みで形成する。次に、フォ
トレジスト層１１およびコイル１２上に、フォトレジス
ト層１３を、高精度のフォトリソグラフィで所定のパタ
ーンに形成し、コイル１２の平坦化およびコイル１２間
の絶縁化のために、例えば２５０°Ｃの温度で熱処理す
る。
電解めっき法により、例えば銅よりなる第２層目の薄膜
コイル１２を２〜３μｍの厚みで形成する。次に、フォ
トレジスト層１１およびコイル１２上に、フォトレジス
ト層１３を、高精度のフォトリソグラフィで所定のパタ
ーンに形成し、コイル１２の平坦化およびコイル１２間
の絶縁化のために、例えば２５０°Ｃの温度で熱処理す
る。
【００４８】次に、図５に示したように、コイル１０，
１２よりも後方（図５（ａ）における右側）の位置にお
いて、磁路形成のために、記録ギャップ層９を部分的に
エッチングして開口部９ａを形成する。次に、上部磁極
を形成する前に、高飽和磁束密度材のＮｉＦｅ系合金
を、例えばスパッタリングにより、約７０ｎｍの厚みで
形成して、電解めっき法におけるシード層となる電極膜
（図示せず）を形成する。次に、上記の電極膜上に、フ
ォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィによりパタ
ーニングして、フレームめっき法によって上部磁極を形
成するためのフレーム（外枠）となるフォトレジストパ
ターン（図示せず）を形成する。次に、このフォトレジ
ストパターンをマスクとし、先に形成した電極膜をシー
ド層として、電解めっき法によって、上部ヨーク兼上部
磁極（以下、上部磁極と記す。）１７を、約３〜５μｍ
の厚みに形成し、その後、フォトレジストパターンを除
去する。この上部磁極１７は、例えば図９に示したよう
な平面形状を有し、上記の開口部９ａにおいて下部磁極
７と接触して磁気的に連結される。上部磁極１７として
は、例えば、高飽和磁性材料であるパーマロイ（ＮｉＦ
ｅ）や窒化鉄（Ｆｅｎ）等が用いられる。この上部磁極
１７の形状については後述する。ここで、上部磁極１７
が本発明における「２つの磁性層のうちの少なくとも一
方の磁性層」に対応する。
１２よりも後方（図５（ａ）における右側）の位置にお
いて、磁路形成のために、記録ギャップ層９を部分的に
エッチングして開口部９ａを形成する。次に、上部磁極
を形成する前に、高飽和磁束密度材のＮｉＦｅ系合金
を、例えばスパッタリングにより、約７０ｎｍの厚みで
形成して、電解めっき法におけるシード層となる電極膜
（図示せず）を形成する。次に、上記の電極膜上に、フ
ォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィによりパタ
ーニングして、フレームめっき法によって上部磁極を形
成するためのフレーム（外枠）となるフォトレジストパ
ターン（図示せず）を形成する。次に、このフォトレジ
ストパターンをマスクとし、先に形成した電極膜をシー
ド層として、電解めっき法によって、上部ヨーク兼上部
磁極（以下、上部磁極と記す。）１７を、約３〜５μｍ
の厚みに形成し、その後、フォトレジストパターンを除
去する。この上部磁極１７は、例えば図９に示したよう
な平面形状を有し、上記の開口部９ａにおいて下部磁極
７と接触して磁気的に連結される。上部磁極１７として
は、例えば、高飽和磁性材料であるパーマロイ（ＮｉＦ
ｅ）や窒化鉄（Ｆｅｎ）等が用いられる。この上部磁極
１７の形状については後述する。ここで、上部磁極１７
が本発明における「２つの磁性層のうちの少なくとも一
方の磁性層」に対応する。
【００４９】次に、図６に示したように、上部磁極１７
をマスクとして、例えばイオンミリングによって、記録
ギャップ層９と下部磁極７を、約０．５μｍ程度エッチ
ングして、トリム構造を形成する。
をマスクとして、例えばイオンミリングによって、記録
ギャップ層９と下部磁極７を、約０．５μｍ程度エッチ
ングして、トリム構造を形成する。
【００５０】次に、図７に示したように、全面を覆うよ
うにして、例えばアルミナよりなるオーバーコート層１
８を形成する。最後に、スライダの機械加工を行って、
記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面（トラ
ック面）を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。
うにして、例えばアルミナよりなるオーバーコート層１
８を形成する。最後に、スライダの機械加工を行って、
記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面（トラ
ック面）を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００５１】図８は、本実施の形態に係る製造方法によ
って製造される薄膜磁気ヘッドの平面図である。なお、
この図では、オーバーコート層１８を省略している。こ
の図に示したように、スロートハイトＴＨは、絶縁層８
の磁極部分側の端縁（ＴＨ０位置）からエアベアリング
面２０までの長さである。なお、図１ないし図７は、図
８におけるＡ−Ａ′線に沿った矢視断面に相当する。
って製造される薄膜磁気ヘッドの平面図である。なお、
この図では、オーバーコート層１８を省略している。こ
の図に示したように、スロートハイトＴＨは、絶縁層８
の磁極部分側の端縁（ＴＨ０位置）からエアベアリング
面２０までの長さである。なお、図１ないし図７は、図
８におけるＡ−Ａ′線に沿った矢視断面に相当する。
【００５２】図９は、上部磁極１７の平面構造を表すも
のである。この図に示したように、上部磁極１７は、幅
Ｗ３を有し上部磁極１７の大部分を占めるヨーク部１７
ａと、ほぼ一定の幅Ｗ１を有する中間部１７ｂと、Ｗ１
よりも小さいほぼ一定の幅Ｗ２を有する先端部１７ｃと
を有している。ヨーク部１７ａ、中間部１７ｂおよび先
端部１７ｃの各幅方向の中心は互いに一致している。ヨ
ーク部１７ａと中間部１７ｂとの連結部分において、ヨ
ーク部１７ａの外縁はエアベアリング面２０と平行な面
に対して角度αをなし、また、上記連結部分において、
中間部１７ｂの側縁面はエアベアリング面２０と平行な
面に対して角度βをなしている。中間部１７ｂの幅は位
置によらずにほぼ一定であり、先端部１７ｃの幅もま
た、位置によらずにほぼ一定である。本実施の形態にお
いて、αは、例えば４５度程度であり、βはほぼ９０度
である。
のである。この図に示したように、上部磁極１７は、幅
Ｗ３を有し上部磁極１７の大部分を占めるヨーク部１７
ａと、ほぼ一定の幅Ｗ１を有する中間部１７ｂと、Ｗ１
よりも小さいほぼ一定の幅Ｗ２を有する先端部１７ｃと
を有している。ヨーク部１７ａ、中間部１７ｂおよび先
端部１７ｃの各幅方向の中心は互いに一致している。ヨ
ーク部１７ａと中間部１７ｂとの連結部分において、ヨ
ーク部１７ａの外縁はエアベアリング面２０と平行な面
に対して角度αをなし、また、上記連結部分において、
中間部１７ｂの側縁面はエアベアリング面２０と平行な
面に対して角度βをなしている。中間部１７ｂの幅は位
置によらずにほぼ一定であり、先端部１７ｃの幅もま
た、位置によらずにほぼ一定である。本実施の形態にお
いて、αは、例えば４５度程度であり、βはほぼ９０度
である。
【００５３】上部磁極１７の中間部１７ｂと先端部１７
ｃとの連結部は、ＴＨ０位置またはその近傍に位置して
いる。ここで、「その近傍」とは、ＴＨ０位置に対して
例えばプラス／マイナス０．５μｍの範囲内をいう。上
記連結部における中間部１７ｂの幅はＷ１であり、一
方、上記連結部における先端部１７ｃの幅はＷ１よりも
小さいＷ２である。すなわち、ＴＨ０位置またはその近
傍において、中間部１７ｂと先端部１７ｃとの間には幅
方向の段差が存在している。この段差部における中間部
１７ｂ側の端面（以下、段差面という。）２１は、中間
部１７ｂの側縁面と角度γをなし、先端部１７ｃの側縁
面の方向（すなわち、先端部１７ｃの延在方向）と角度
δをなしている。本実施の形態では、角度γおよびδは
共にほぼ９０度である。すなわち、先端部１７ｃと中間
部１７ｂとの間の段差面２１は、先端部１７ｃの側縁面
と実質的に垂直をなしている。ここで、「実質的に垂
直」とは、先端部１７ｃの側縁面の主たる部分と段差面
２１の主たる部分とのなす角度δがほぼ９０度であるこ
とを意味すると共に、先端部１７ｃの側縁面と段差面２
１とが交差する角部がシャープなエッジになっている場
合のみならず丸みを帯びている場合をも含む意である。
なお、上記の角度δは、例えば７５〜１２０度の範囲に
あるのが好適である。上記角部の丸み形状は、フォトレ
ジストパターンを形成するためのマスクにおける上記角
部に対応する部分がたとえシャープなエッジになってい
たとしても生じ得るものである。また、フォトレジスト
パターンを形成するためのマスクにおける上記角部に対
応する部分の角度を正確に９０度にしたとしても、フォ
トリソグラフィ工程における露光量を増加させると、こ
れにより形成される上部磁極１７の角度δが１１０〜１
２０度まで広がる場合もある。ここで、上部磁極１７の
先端部１７ｃが本発明における「第１の磁性層部分」に
対応し、中間部１７ｂが本発明における「第２の磁性層
部分」に対応し、ヨーク部１７ａが本発明における「第
３の磁性層部分」に対応する。
ｃとの連結部は、ＴＨ０位置またはその近傍に位置して
いる。ここで、「その近傍」とは、ＴＨ０位置に対して
例えばプラス／マイナス０．５μｍの範囲内をいう。上
記連結部における中間部１７ｂの幅はＷ１であり、一
方、上記連結部における先端部１７ｃの幅はＷ１よりも
小さいＷ２である。すなわち、ＴＨ０位置またはその近
傍において、中間部１７ｂと先端部１７ｃとの間には幅
方向の段差が存在している。この段差部における中間部
１７ｂ側の端面（以下、段差面という。）２１は、中間
部１７ｂの側縁面と角度γをなし、先端部１７ｃの側縁
面の方向（すなわち、先端部１７ｃの延在方向）と角度
δをなしている。本実施の形態では、角度γおよびδは
共にほぼ９０度である。すなわち、先端部１７ｃと中間
部１７ｂとの間の段差面２１は、先端部１７ｃの側縁面
と実質的に垂直をなしている。ここで、「実質的に垂
直」とは、先端部１７ｃの側縁面の主たる部分と段差面
２１の主たる部分とのなす角度δがほぼ９０度であるこ
とを意味すると共に、先端部１７ｃの側縁面と段差面２
１とが交差する角部がシャープなエッジになっている場
合のみならず丸みを帯びている場合をも含む意である。
なお、上記の角度δは、例えば７５〜１２０度の範囲に
あるのが好適である。上記角部の丸み形状は、フォトレ
ジストパターンを形成するためのマスクにおける上記角
部に対応する部分がたとえシャープなエッジになってい
たとしても生じ得るものである。また、フォトレジスト
パターンを形成するためのマスクにおける上記角部に対
応する部分の角度を正確に９０度にしたとしても、フォ
トリソグラフィ工程における露光量を増加させると、こ
れにより形成される上部磁極１７の角度δが１１０〜１
２０度まで広がる場合もある。ここで、上部磁極１７の
先端部１７ｃが本発明における「第１の磁性層部分」に
対応し、中間部１７ｂが本発明における「第２の磁性層
部分」に対応し、ヨーク部１７ａが本発明における「第
３の磁性層部分」に対応する。
【００５４】図７から判るように、先端部１７ｃは、平
坦な記録ギャップ層９の上に延在し、中間部１７ｂおよ
びヨーク部１７ａは、フォトレジスト層１１，１３等か
らなる丘陵状に盛り上がったエイペックス部の上に延在
している。先端部１７ｃの幅Ｗ２は、磁極幅Ｐ２Ｗに相
当し、記録媒体上のトラック幅を規定するものである。
坦な記録ギャップ層９の上に延在し、中間部１７ｂおよ
びヨーク部１７ａは、フォトレジスト層１１，１３等か
らなる丘陵状に盛り上がったエイペックス部の上に延在
している。先端部１７ｃの幅Ｗ２は、磁極幅Ｐ２Ｗに相
当し、記録媒体上のトラック幅を規定するものである。
【００５５】なお、図９に示した各部の寸法としては、
例えば次のような値が好適である。 ヨーク部１７ａの長さＬ１＝１０〜４０μｍ 中間部１７ｂの長さＬ２＝３．０〜５．０μｍ 先端部１７ｃの長さＬ３（＝スロートハイトＴＨ）＝
０．５〜１．０μｍ 中間部１７ｂの幅Ｗ１＝２．０〜４．０μｍ 先端部１７ｃの幅Ｗ２＝０．６〜１．２μｍ ヨーク部１７ａの幅Ｗ３＝２０〜４０μｍ
例えば次のような値が好適である。 ヨーク部１７ａの長さＬ１＝１０〜４０μｍ 中間部１７ｂの長さＬ２＝３．０〜５．０μｍ 先端部１７ｃの長さＬ３（＝スロートハイトＴＨ）＝
０．５〜１．０μｍ 中間部１７ｂの幅Ｗ１＝２．０〜４．０μｍ 先端部１７ｃの幅Ｗ２＝０．６〜１．２μｍ ヨーク部１７ａの幅Ｗ３＝２０〜４０μｍ
【００５６】このような形状を有する上部磁極１７をも
つ薄膜磁気ヘッドは、オーバーライト特性において高い
性能を発揮する。すなわち、この上部磁極１７は、図９
に示したように、ＴＨ０位置において先端部１７ｃと連
結している中間部１７ｂの幅は、記録媒体上のトラック
幅を規定する先端部１７ｃの幅Ｗ２よりもかなり大きい
幅Ｗ１を有し、中間部１７ｂのボリュームは、従来の場
合（図４５）の部分Ｒのそれに比べて大きい。このた
め、薄膜コイル１０，１２によってヨーク部１７ａに発
生した磁束は、中間部１７ｂで飽和せず、先端部１７ｃ
にまで十分に到達する。したがって、先端部１７ｃが例
えばサブミクロンという狭トラック幅に対応したもので
あっても、オーバーライト用の磁束として十分な大きさ
が得られる。すなわち、狭トラック化を実現しつつ、十
分なオーバーライト特性を確保することが可能である。
つ薄膜磁気ヘッドは、オーバーライト特性において高い
性能を発揮する。すなわち、この上部磁極１７は、図９
に示したように、ＴＨ０位置において先端部１７ｃと連
結している中間部１７ｂの幅は、記録媒体上のトラック
幅を規定する先端部１７ｃの幅Ｗ２よりもかなり大きい
幅Ｗ１を有し、中間部１７ｂのボリュームは、従来の場
合（図４５）の部分Ｒのそれに比べて大きい。このた
め、薄膜コイル１０，１２によってヨーク部１７ａに発
生した磁束は、中間部１７ｂで飽和せず、先端部１７ｃ
にまで十分に到達する。したがって、先端部１７ｃが例
えばサブミクロンという狭トラック幅に対応したもので
あっても、オーバーライト用の磁束として十分な大きさ
が得られる。すなわち、狭トラック化を実現しつつ、十
分なオーバーライト特性を確保することが可能である。
【００５７】図１２は、従来の薄膜磁気ヘッドのオーバ
ーライト特性と本実施の形態の薄膜磁気ヘッドのオーバ
ーライト特性とを比較して表すものである。この図の
（Ａ）は、図３５に示したような形状の上部磁極１１４
を有する従来の薄膜磁気ヘッドのオーバーライト特性を
表し、（Ｂ）は図９に示したような形状の上部磁極１７
を有する本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドのオーバー
ライト特性を表す。この図に示したように、従来の薄膜
磁気ヘッドでは、２６．０ｄＢという値であったのに対
し、本実施の形態の薄膜磁気ヘッドでは、３５．５ｄＢ
という高い値が得られており、オーバーライト特性が改
善されている。
ーライト特性と本実施の形態の薄膜磁気ヘッドのオーバ
ーライト特性とを比較して表すものである。この図の
（Ａ）は、図３５に示したような形状の上部磁極１１４
を有する従来の薄膜磁気ヘッドのオーバーライト特性を
表し、（Ｂ）は図９に示したような形状の上部磁極１７
を有する本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドのオーバー
ライト特性を表す。この図に示したように、従来の薄膜
磁気ヘッドでは、２６．０ｄＢという値であったのに対
し、本実施の形態の薄膜磁気ヘッドでは、３５．５ｄＢ
という高い値が得られており、オーバーライト特性が改
善されている。
【００５８】また、上記のような形状を有する上部磁極
１７をもつ薄膜磁気ヘッドは、製造工程上においても、
次のような利点を有する。すなわち、図１０に示したよ
うに、本実施の形態の薄膜磁気ヘッドにおける上部磁極
１７では、ほぼＴＨ０位置における、先端部１７ｃと中
間部１７ｂとの段差面２１が先端部１７ｃの側縁面とな
す角度δはほぼ９０度である。このため、フォトリソグ
ラフィ工程でマスクを用いてフォトレジストを選択的に
露光してパターニングする場合に生ずる、エイペックス
部からの斜め方向および横方向の反射光は、ＴＨ０位置
またはその近傍における段差面２１と先端部１７ｃの側
縁面とがなすほぼ９０度の角部において大部分が遮断さ
れ、先端部１７ｃを形成するためのフォトレジスト領域
にまで到達しにくくなる。このため、先端部１７ｃを形
成するためのフォトレジスト領域のパターン幅が広がる
のを抑制することができる。具体的には、図１０に示し
たように、先端部１７ｃの長手方向の長さのうち、先端
部１７ｃにおける所期の目標幅Ｗ２よりも広がる部分
（図中の破線）の長さｄ１を極めて小さくすることが可
能である。
１７をもつ薄膜磁気ヘッドは、製造工程上においても、
次のような利点を有する。すなわち、図１０に示したよ
うに、本実施の形態の薄膜磁気ヘッドにおける上部磁極
１７では、ほぼＴＨ０位置における、先端部１７ｃと中
間部１７ｂとの段差面２１が先端部１７ｃの側縁面とな
す角度δはほぼ９０度である。このため、フォトリソグ
ラフィ工程でマスクを用いてフォトレジストを選択的に
露光してパターニングする場合に生ずる、エイペックス
部からの斜め方向および横方向の反射光は、ＴＨ０位置
またはその近傍における段差面２１と先端部１７ｃの側
縁面とがなすほぼ９０度の角部において大部分が遮断さ
れ、先端部１７ｃを形成するためのフォトレジスト領域
にまで到達しにくくなる。このため、先端部１７ｃを形
成するためのフォトレジスト領域のパターン幅が広がる
のを抑制することができる。具体的には、図１０に示し
たように、先端部１７ｃの長手方向の長さのうち、先端
部１７ｃにおける所期の目標幅Ｗ２よりも広がる部分
（図中の破線）の長さｄ１を極めて小さくすることが可
能である。
【００５９】これに対して、例えば図１１に示したよう
に、ＴＨ０位置における段差面２１が先端部１７ｃの側
縁面となす角度γが９０度よりもはるかに大きい場合
（例えば１３０度以上）には、上記した角部における反
射光の遮蔽効果が小さくなり、先端部１７ｃにおける所
期の目標幅Ｗ２よりも広がる部分（図中の破線）の長さ
ｄ２は、より大きくなる。
に、ＴＨ０位置における段差面２１が先端部１７ｃの側
縁面となす角度γが９０度よりもはるかに大きい場合
（例えば１３０度以上）には、上記した角部における反
射光の遮蔽効果が小さくなり、先端部１７ｃにおける所
期の目標幅Ｗ２よりも広がる部分（図中の破線）の長さ
ｄ２は、より大きくなる。
【００６０】このように、本実施の形態の薄膜磁気ヘッ
ドによれば、上部磁極１７の先端部１７ｃを形成するた
めのフォトレジスト領域のパターン幅の広がりを防止す
ることができるので、記録媒体上の書込トラック幅を規
定する先端部１７ｃの幅をほぼ目標の値Ｗ２とすること
ができ、書込トラック幅の狭小化が可能である。
ドによれば、上部磁極１７の先端部１７ｃを形成するた
めのフォトレジスト領域のパターン幅の広がりを防止す
ることができるので、記録媒体上の書込トラック幅を規
定する先端部１７ｃの幅をほぼ目標の値Ｗ２とすること
ができ、書込トラック幅の狭小化が可能である。
【００６１】以上のように、本実施の形態の薄膜磁気ヘ
ッドによれば、ＴＨ０位置またはその近傍において上部
磁極１７の先端部１７ｃと中間部１７ｂとの間に、実質
的に直角に変化する幅方向の段差を設けると共に、中間
部１７ｂの幅をトラック幅を規定する先端部１７ｃの幅
よりも十分大きくしたので、先端部１７ｃを形成するた
めのフォトレジストのパターン幅の広がりを防止して書
込トラック幅を微小化することができると共に、ヨーク
部１７ａに発生した磁束が先端部１７ｃに到達する前に
飽和するのを防止して、十分なオーバーライト特性を確
保することができる。
ッドによれば、ＴＨ０位置またはその近傍において上部
磁極１７の先端部１７ｃと中間部１７ｂとの間に、実質
的に直角に変化する幅方向の段差を設けると共に、中間
部１７ｂの幅をトラック幅を規定する先端部１７ｃの幅
よりも十分大きくしたので、先端部１７ｃを形成するた
めのフォトレジストのパターン幅の広がりを防止して書
込トラック幅を微小化することができると共に、ヨーク
部１７ａに発生した磁束が先端部１７ｃに到達する前に
飽和するのを防止して、十分なオーバーライト特性を確
保することができる。
【００６２】また、本実施の形態では、スロートハイト
ＴＨを規定する絶縁層８を、無機系絶縁膜で形成したの
で、コイル１０，１２を形成する際の２５０°Ｃ程度の
温度による熱処理によって、絶縁層８の端縁の位置変動
（パターンシフト）およびプロファイル悪化が生じるこ
とがない。そのため、スロートハイトの正確な制御が可
能になる。更に、ＭＲハイトの正確な制御や、エイペッ
クスアングルθの正確な制御も可能となる。
ＴＨを規定する絶縁層８を、無機系絶縁膜で形成したの
で、コイル１０，１２を形成する際の２５０°Ｃ程度の
温度による熱処理によって、絶縁層８の端縁の位置変動
（パターンシフト）およびプロファイル悪化が生じるこ
とがない。そのため、スロートハイトの正確な制御が可
能になる。更に、ＭＲハイトの正確な制御や、エイペッ
クスアングルθの正確な制御も可能となる。
【００６３】また、本実施の形態では、スロートハイト
を規定する絶縁層８を、無機系絶縁膜で形成したので、
トリム構造を形成するために記録ギャップ層９と下部磁
極７をエッチングする際における絶縁層８の位置変動が
なく、これによっても、スロートハイトの正確な制御が
可能となる。
を規定する絶縁層８を、無機系絶縁膜で形成したので、
トリム構造を形成するために記録ギャップ層９と下部磁
極７をエッチングする際における絶縁層８の位置変動が
なく、これによっても、スロートハイトの正確な制御が
可能となる。
【００６４】また、本実施の形態によれば、下部磁極
（上部シールド）７と薄膜コイル１０，１２の間に、薄
い記録ギャップ層９の他に、厚い絶縁層８を形成するよ
うにしたので、下部磁極（上部シールド）７と薄膜コイ
ル１０，１２との間に、大きな絶縁耐圧を得ることがで
きると共に、薄膜コイル１０，１２からの磁束を漏れを
低減することができる。
（上部シールド）７と薄膜コイル１０，１２の間に、薄
い記録ギャップ層９の他に、厚い絶縁層８を形成するよ
うにしたので、下部磁極（上部シールド）７と薄膜コイ
ル１０，１２との間に、大きな絶縁耐圧を得ることがで
きると共に、薄膜コイル１０，１２からの磁束を漏れを
低減することができる。
【００６５】なお、本実施の形態において、上部磁極１
７として、例えばＮｉＦｅやチッ化鉄（ＦｅＮ）を用い
るようにしたが、このほか、例えばＦｅ−Ｃｏ−Ｚｒの
アモルファス等の高飽和磁束密度材を用いてもよいし、
これらの材料を２種類以上重ねて使用してもよい。ま
た、下部磁極７としても、ＮｉＦｅと上記の高飽和磁束
密度材を重ねた磁性材料を用いてもよい。
７として、例えばＮｉＦｅやチッ化鉄（ＦｅＮ）を用い
るようにしたが、このほか、例えばＦｅ−Ｃｏ−Ｚｒの
アモルファス等の高飽和磁束密度材を用いてもよいし、
これらの材料を２種類以上重ねて使用してもよい。ま
た、下部磁極７としても、ＮｉＦｅと上記の高飽和磁束
密度材を重ねた磁性材料を用いてもよい。
【００６６】また、上部磁極１７は、図９に示した形状
に限定されず、例えば以下の図１３〜図１５に示したよ
うな形状にしてもよい。
に限定されず、例えば以下の図１３〜図１５に示したよ
うな形状にしてもよい。
【００６７】図１３は、ＴＨ０位置における中間部１７
ｂの段差面２１の両外側角部をわずかに面取りした場合
の上部磁極１７の平面図である。面取り部以外の部分の
構造は図９の場合と同様である。この場合には、面取り
後の段差面２１の幅がＷ１となるようにする。
ｂの段差面２１の両外側角部をわずかに面取りした場合
の上部磁極１７の平面図である。面取り部以外の部分の
構造は図９の場合と同様である。この場合には、面取り
後の段差面２１の幅がＷ１となるようにする。
【００６８】図１４は、ＴＨ０位置における段差面２１
が先端部１７ｃの側縁面となす角度δを９０度より大き
くした場合の上部磁極１７の平面図である。角度δは、
例えば９０〜１５０度とするが、より好適には９０〜１
２０度の範囲とする。
が先端部１７ｃの側縁面となす角度δを９０度より大き
くした場合の上部磁極１７の平面図である。角度δは、
例えば９０〜１５０度とするが、より好適には９０〜１
２０度の範囲とする。
【００６９】図１５は、中間部１７ｂの側縁面がエアベ
アリング面２０と平行な面となす角度γを９０度より小
さくした場合の上部磁極１７の平面図である。角度γ
は、例えば７０〜８０度の範囲とするのが好適である。
アリング面２０と平行な面となす角度γを９０度より小
さくした場合の上部磁極１７の平面図である。角度γ
は、例えば７０〜８０度の範囲とするのが好適である。
【００７０】なお、図１３〜図１５において、先端部１
７ｃと中間部１７ｂとの連結位置はＴＨ０位置と厳密に
一致しなければならないものではなく、ＴＨ０位置に対
して例えばプラス／マイナス０．５μｍ程度の範囲でず
れていてもよい。
７ｃと中間部１７ｂとの連結位置はＴＨ０位置と厳密に
一致しなければならないものではなく、ＴＨ０位置に対
して例えばプラス／マイナス０．５μｍ程度の範囲でず
れていてもよい。
【００７１】これらの図１３〜図１５に示した上部磁極
１７を有する薄膜磁気ヘッドにおいても、上記の図９に
示した上部磁極１７を有する薄膜磁気ヘッドの場合と同
様の効果を得ることができる。
１７を有する薄膜磁気ヘッドにおいても、上記の図９に
示した上部磁極１７を有する薄膜磁気ヘッドの場合と同
様の効果を得ることができる。
【００７２】〔第２の実施の形態〕次に、本発明の第２
の実施の形態を説明する。
の実施の形態を説明する。
【００７３】まず、図１６ないし図１９を参照して、本
発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方
法としての複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法について説
明する。なお、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によって
具現化されるので、以下併せて説明する。図１６ないし
図１９において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断
面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行
な断面を示している。これらの図で、上記各実施の形態
における要素と同一部分には同一の符号を付すものとす
る。
発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方
法としての複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法について説
明する。なお、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によって
具現化されるので、以下併せて説明する。図１６ないし
図１９において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断
面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行
な断面を示している。これらの図で、上記各実施の形態
における要素と同一部分には同一の符号を付すものとす
る。
【００７４】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法において、図１６に示した下部磁極７を形成すると
ころまでの工程は、上記第１の実施の形態における図３
の途中までの工程と同様であるので、説明を省略する。
方法において、図１６に示した下部磁極７を形成すると
ころまでの工程は、上記第１の実施の形態における図３
の途中までの工程と同様であるので、説明を省略する。
【００７５】本実施の形態では、図１６に示したように
下部磁極７の形成が終了すると、次に、図１７に示した
ように、記録ギャップ層９を形成し、その上に、スロー
トハイトＴＨを規定するための絶縁膜パターン２５を形
成する。次に、後工程で薄膜コイル２９を形成する領域
よりも後方（図１７（ａ）における右側）の位置におい
て、磁路形成のために、記録ギャップ層９を部分的にエ
ッチングして開口部９ａを形成する。次に、絶縁膜パタ
ーン２５からトラック対向面（エアベアリング面）とな
る側にかけての領域に、例えば電解めっき法により、上
部磁極の一部を構成することとなる上部ポールチップ２
７ａを選択的に形成する。このとき、同時に、開口部９
ａにも磁路形成パターン２７ｂを形成する。上部ポール
チップ２７ａおよび磁路形成パターン２７ｂとしては、
例えば、高飽和磁束密度材であるパーマロイ（ＮｉＦ
ｅ）系の合金や窒化鉄（Ｆｅｎ）系の合金等が用いられ
る。
下部磁極７の形成が終了すると、次に、図１７に示した
ように、記録ギャップ層９を形成し、その上に、スロー
トハイトＴＨを規定するための絶縁膜パターン２５を形
成する。次に、後工程で薄膜コイル２９を形成する領域
よりも後方（図１７（ａ）における右側）の位置におい
て、磁路形成のために、記録ギャップ層９を部分的にエ
ッチングして開口部９ａを形成する。次に、絶縁膜パタ
ーン２５からトラック対向面（エアベアリング面）とな
る側にかけての領域に、例えば電解めっき法により、上
部磁極の一部を構成することとなる上部ポールチップ２
７ａを選択的に形成する。このとき、同時に、開口部９
ａにも磁路形成パターン２７ｂを形成する。上部ポール
チップ２７ａおよび磁路形成パターン２７ｂとしては、
例えば、高飽和磁束密度材であるパーマロイ（ＮｉＦ
ｅ）系の合金や窒化鉄（Ｆｅｎ）系の合金等が用いられ
る。
【００７６】上部ポールチップ２７ａおよび磁路形成パ
ターン２７ｂの形成は、例えば、次のようにして行う。
すなわち、まず、高飽和磁束密度材であるＮｉＦｅ系合
金を、例えばスパッタリングにより、約７０ｎｍの厚み
で形成して、電解めっき法におけるシード層となる電極
膜（図示せず）を形成する。次に、上記の電極膜上に、
フォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィによりパ
ターニングして、フレームめっき法によってフォトレジ
ストパターン（図示せず）を形成する。次に、このフォ
トレジストパターンをマスクとし、先に形成した電極膜
をシード層として、電解めっき法によって、上部ポール
チップ２７ａおよび磁路形成パターン２７ｂを、約３〜
５μｍの厚みに形成し、その後、フォトレジストパター
ンを除去する。この上部ポールチップ２７ａは、例えば
図２０および図２１に示したような形状とする。この上
部ポールチップ２７ａの形状については後述する。
ターン２７ｂの形成は、例えば、次のようにして行う。
すなわち、まず、高飽和磁束密度材であるＮｉＦｅ系合
金を、例えばスパッタリングにより、約７０ｎｍの厚み
で形成して、電解めっき法におけるシード層となる電極
膜（図示せず）を形成する。次に、上記の電極膜上に、
フォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィによりパ
ターニングして、フレームめっき法によってフォトレジ
ストパターン（図示せず）を形成する。次に、このフォ
トレジストパターンをマスクとし、先に形成した電極膜
をシード層として、電解めっき法によって、上部ポール
チップ２７ａおよび磁路形成パターン２７ｂを、約３〜
５μｍの厚みに形成し、その後、フォトレジストパター
ンを除去する。この上部ポールチップ２７ａは、例えば
図２０および図２１に示したような形状とする。この上
部ポールチップ２７ａの形状については後述する。
【００７７】次に、上部ポールチップ２７ａをマスクと
して、例えばイオンミリングによって、記録ギャップ層
９と下部磁極７とを、約０．３〜０．５μｍ程度エッチ
ングして、書き込み時における実効トラック幅の広がり
を抑制するためのトリム構造を形成する。
して、例えばイオンミリングによって、記録ギャップ層
９と下部磁極７とを、約０．３〜０．５μｍ程度エッチ
ングして、書き込み時における実効トラック幅の広がり
を抑制するためのトリム構造を形成する。
【００７８】次に、全体に、例えばアルミナ膜等の絶縁
膜２８を０．５〜１．５μｍ程度の膜厚に形成したの
ち、例えば電解めっき法により、例えば銅（Ｃｕ）より
なる誘導型の記録ヘッド用の薄膜コイル２９を２〜３μ
ｍの厚みで形成する。次に、全体に、例えばアルミナ膜
等の絶縁膜３０を３〜４μｍ程度の膜厚に形成したの
ち、例えばＣＭＰ（化学機械研磨）法により全体を研磨
して平坦化し、上部ポールチップ２７ａおよび磁路形成
パターン２７ｂの表面を露出させる。
膜２８を０．５〜１．５μｍ程度の膜厚に形成したの
ち、例えば電解めっき法により、例えば銅（Ｃｕ）より
なる誘導型の記録ヘッド用の薄膜コイル２９を２〜３μ
ｍの厚みで形成する。次に、全体に、例えばアルミナ膜
等の絶縁膜３０を３〜４μｍ程度の膜厚に形成したの
ち、例えばＣＭＰ（化学機械研磨）法により全体を研磨
して平坦化し、上部ポールチップ２７ａおよび磁路形成
パターン２７ｂの表面を露出させる。
【００７９】次に、図１８に示したように、上部ポール
チップ２７ａおよび磁路形成パターン２７ｂの場合と同
様の工程の電解めっき法によって、上部ヨーク兼上部磁
極（以下、上部磁極という。）２７ｃを、約３〜５μｍ
の厚みに形成する。この上部磁極２７ｃは、例えば図２
０に示したような形状を有し、上記の開口部９ａにおい
て下部磁極７と接触して磁気的に連結されると共に、上
部ポールチップ２７ａとも接触して磁気的に連結され
る。上部磁極１７としては、例えば、高飽和磁性材料で
あるパーマロイ（ＮｉＦｅ）や窒化鉄（Ｆｅｎ）等が用
いられる。ここで、上部磁極２７ｃが本発明における
「第３の磁性層部分」に対応する。
チップ２７ａおよび磁路形成パターン２７ｂの場合と同
様の工程の電解めっき法によって、上部ヨーク兼上部磁
極（以下、上部磁極という。）２７ｃを、約３〜５μｍ
の厚みに形成する。この上部磁極２７ｃは、例えば図２
０に示したような形状を有し、上記の開口部９ａにおい
て下部磁極７と接触して磁気的に連結されると共に、上
部ポールチップ２７ａとも接触して磁気的に連結され
る。上部磁極１７としては、例えば、高飽和磁性材料で
あるパーマロイ（ＮｉＦｅ）や窒化鉄（Ｆｅｎ）等が用
いられる。ここで、上部磁極２７ｃが本発明における
「第３の磁性層部分」に対応する。
【００８０】次に、全体を覆うようにして、例えばアル
ミナよりなるオーバーコート層３８を形成する。最後
に、スライダの機械加工を行って、記録ヘッドおよび再
生ヘッドのエアベアリング面（トラック面）を形成し
て、薄膜磁気ヘッドが完成する。
ミナよりなるオーバーコート層３８を形成する。最後
に、スライダの機械加工を行って、記録ヘッドおよび再
生ヘッドのエアベアリング面（トラック面）を形成し
て、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００８１】なお、ここでは、１層の薄膜コイル２９の
みを形成するようにしたが、図１９に示したように、薄
膜コイル２９を覆う絶縁層３０の上に第２層の薄膜コイ
ル３５を形成し、これをフォトレジスト層３６で覆った
後、その上に上部磁極３７を選択的に形成するようにし
てもよい。
みを形成するようにしたが、図１９に示したように、薄
膜コイル２９を覆う絶縁層３０の上に第２層の薄膜コイ
ル３５を形成し、これをフォトレジスト層３６で覆った
後、その上に上部磁極３７を選択的に形成するようにし
てもよい。
【００８２】図２０は、上部磁極２７ｃおよび上部ポー
ルチップ２７ａの平面構造を表し、図２１は上部ポール
チップ２７ａの平面構造を表すものである。図２０に示
したように、上部磁極２７ｃは、幅Ｗ３を有し上部磁極
２７ｃの大部分を占めるヨーク部２７ｃ(1) と、上部ポ
ールチップ２７ａと一部オーバーラップして接続される
接続部２７ｃ(2) とを有している。ヨーク部２７ｃ(1)
の形状は、上記第１の実施の形態における上部磁極１７
のヨーク部１７ａと同様である。接続部２７ｃ(2) の幅
は、上記第１の実施の形態における上部磁極１７の中間
部１７ｂの幅よりも広くなっている。ヨーク部１７ａお
よび接続部２７ｃ(2) の各幅方向の中心は互いに一致し
ている。
ルチップ２７ａの平面構造を表し、図２１は上部ポール
チップ２７ａの平面構造を表すものである。図２０に示
したように、上部磁極２７ｃは、幅Ｗ３を有し上部磁極
２７ｃの大部分を占めるヨーク部２７ｃ(1) と、上部ポ
ールチップ２７ａと一部オーバーラップして接続される
接続部２７ｃ(2) とを有している。ヨーク部２７ｃ(1)
の形状は、上記第１の実施の形態における上部磁極１７
のヨーク部１７ａと同様である。接続部２７ｃ(2) の幅
は、上記第１の実施の形態における上部磁極１７の中間
部１７ｂの幅よりも広くなっている。ヨーク部１７ａお
よび接続部２７ｃ(2) の各幅方向の中心は互いに一致し
ている。
【００８３】図２１に示したように、上部ポールチップ
２７ａは、記録媒体上の書込トラック幅を規定する先端
部２７ａ(1) と、上部磁極２７ｃの接続部２７ｃ(2) と
接続される中間部２７ａ(2) とを有している。中間部２
７ａ(2) は、上記第１の実施の形態における上部磁極１
７の中間部１７ｂと同じ幅Ｗ１を有し、長さはＬ４であ
る。先端部２７ａ(1) は、上記第１の実施の形態におけ
る先端部１７ｃと同じ幅Ｗ２を有する。先端部２７ａ
(1) と中間部２７ａ(2) との連結部は、ＴＨ０位置とほ
ぼ一致し、同時に、上部磁極２７ｃの接続部２７ｃ(2)
における前側（エアベアリング面側）の端縁面とも一致
している。この連結部（すなわち、ほぼＴＨ０位置）に
おいて、中間部２７ａ(2) の幅はＷ１であり、先端部２
７ａ(1) の幅は、Ｗ１よりも小さいＷ２である。すなわ
ち、ＴＨ０位置またはその近傍において、中間部２７ａ
(2) と先端部２７ａ(1) との間には幅方向の段差が存在
している。この段差部における中間部２７ａ(2) 側の段
差面２１は、中間部２７ａ(2) の側面と角度γ１をな
し、先端部２７ａ(1) の側縁面と角度δをなしている。
本実施の形態では、角度γ１およびδは共にほぼ９０度
である。すなわち、すなわち、中間部２７ａ(2) および
先端部２７ａ(1) は共に矩形をなしており、段差面２１
は先端部２７ａ(1) の側縁面と実質的に垂直をなしてい
る。ここで、先端部２７ａ(1) が本発明における「第１
の磁性層部分」に対応し、中間部２７ａ(2) が本発明に
おける「第２の磁性層部分」に対応する。
２７ａは、記録媒体上の書込トラック幅を規定する先端
部２７ａ(1) と、上部磁極２７ｃの接続部２７ｃ(2) と
接続される中間部２７ａ(2) とを有している。中間部２
７ａ(2) は、上記第１の実施の形態における上部磁極１
７の中間部１７ｂと同じ幅Ｗ１を有し、長さはＬ４であ
る。先端部２７ａ(1) は、上記第１の実施の形態におけ
る先端部１７ｃと同じ幅Ｗ２を有する。先端部２７ａ
(1) と中間部２７ａ(2) との連結部は、ＴＨ０位置とほ
ぼ一致し、同時に、上部磁極２７ｃの接続部２７ｃ(2)
における前側（エアベアリング面側）の端縁面とも一致
している。この連結部（すなわち、ほぼＴＨ０位置）に
おいて、中間部２７ａ(2) の幅はＷ１であり、先端部２
７ａ(1) の幅は、Ｗ１よりも小さいＷ２である。すなわ
ち、ＴＨ０位置またはその近傍において、中間部２７ａ
(2) と先端部２７ａ(1) との間には幅方向の段差が存在
している。この段差部における中間部２７ａ(2) 側の段
差面２１は、中間部２７ａ(2) の側面と角度γ１をな
し、先端部２７ａ(1) の側縁面と角度δをなしている。
本実施の形態では、角度γ１およびδは共にほぼ９０度
である。すなわち、すなわち、中間部２７ａ(2) および
先端部２７ａ(1) は共に矩形をなしており、段差面２１
は先端部２７ａ(1) の側縁面と実質的に垂直をなしてい
る。ここで、先端部２７ａ(1) が本発明における「第１
の磁性層部分」に対応し、中間部２７ａ(2) が本発明に
おける「第２の磁性層部分」に対応する。
【００８４】図１８および図２０から明らかなように、
先端部２７ａ(1) は、平坦な記録ギャップ層９の上に延
在し、中間部２７ａ(2) は、絶縁パターン２５の上に位
置している。
先端部２７ａ(1) は、平坦な記録ギャップ層９の上に延
在し、中間部２７ａ(2) は、絶縁パターン２５の上に位
置している。
【００８５】なお、図２０に示した各部の寸法として
は、例えば次のような値が好適である。 中間部２７ａ(2) の幅Ｗ１＝２．０〜５．０μｍ 中間部２７ａ(2) の長さＬ４＝１．０〜５．０μｍ 先端部２７ａ(1) の幅Ｗ２＝０．４〜１．２μｍ ヨーク部１７ａの幅Ｗ３＝３０〜４０μｍ 接続部２７ｃ(2) の長さ＝３．０〜５．０μｍ
は、例えば次のような値が好適である。 中間部２７ａ(2) の幅Ｗ１＝２．０〜５．０μｍ 中間部２７ａ(2) の長さＬ４＝１．０〜５．０μｍ 先端部２７ａ(1) の幅Ｗ２＝０．４〜１．２μｍ ヨーク部１７ａの幅Ｗ３＝３０〜４０μｍ 接続部２７ｃ(2) の長さ＝３．０〜５．０μｍ
【００８６】このような形状を有する上部磁極１７をも
つ薄膜磁気ヘッドは、上記第１の実施の形態の場合と同
様の理由から、オーバーライト特性において高い性能を
発揮する。また、このような形状の上部磁極２７ｃおよ
び上部ポールチップ２７ａを有する薄膜磁気ヘッドは、
製造工程上においても、上記第１の実施の形態の場合と
同様の利点を有する。
つ薄膜磁気ヘッドは、上記第１の実施の形態の場合と同
様の理由から、オーバーライト特性において高い性能を
発揮する。また、このような形状の上部磁極２７ｃおよ
び上部ポールチップ２７ａを有する薄膜磁気ヘッドは、
製造工程上においても、上記第１の実施の形態の場合と
同様の利点を有する。
【００８７】すなわち、本実施の形態の薄膜磁気ヘッド
によれば、上部ポールチップ２７ａの先端部２７ａ(1)
を形成するためのフォトレジストのパターン幅の広がり
を防止して書込トラック幅を微小化することができると
共に、ヨーク部２７ｃ(1) に発生した磁束が上部ポール
チップ２７ａの先端部２７ａ(1) に到達する前に飽和す
るのを防止して、十分なオーバーライト特性を確保する
ことができる。
によれば、上部ポールチップ２７ａの先端部２７ａ(1)
を形成するためのフォトレジストのパターン幅の広がり
を防止して書込トラック幅を微小化することができると
共に、ヨーク部２７ｃ(1) に発生した磁束が上部ポール
チップ２７ａの先端部２７ａ(1) に到達する前に飽和す
るのを防止して、十分なオーバーライト特性を確保する
ことができる。
【００８８】また、本実施の形態では、上部磁極２７ｃ
をＣＭＰ研磨後の平坦部上に形成できるため、フォトリ
ソグラフィによるフォトレジストパターンの形成を高精
度に行うことができる。
をＣＭＰ研磨後の平坦部上に形成できるため、フォトリ
ソグラフィによるフォトレジストパターンの形成を高精
度に行うことができる。
【００８９】また、本実施の形態では、記録ギャップ層
９と薄膜コイル１０との間に、アルミナ等からなる厚い
絶縁膜２８が形成されているため、薄膜コイル１０と下
部磁極７との間の絶縁耐圧を高めることができると共
に、薄膜コイル１０からの磁束の洩れを低減することが
できる。
９と薄膜コイル１０との間に、アルミナ等からなる厚い
絶縁膜２８が形成されているため、薄膜コイル１０と下
部磁極７との間の絶縁耐圧を高めることができると共
に、薄膜コイル１０からの磁束の洩れを低減することが
できる。
【００９０】なお、上部磁極２７ｃおよび上部ポールチ
ップ２７ａは、図２０，図２１に示した形状に限定され
ず、例えば以下の図２２〜図２４に示したような形状に
してもよい。
ップ２７ａは、図２０，図２１に示した形状に限定され
ず、例えば以下の図２２〜図２４に示したような形状に
してもよい。
【００９１】図２２は、中間部２７ａ(2) の段差面２１
の両外側角部を面取りした場合の上部ポールチップ２７
ａの平面図である。面取り部以外の部分の構造は図２１
の場合と同様である。面取り角ηは、段差面２１に対し
て例えば３０〜６０度とするのが好適である。
の両外側角部を面取りした場合の上部ポールチップ２７
ａの平面図である。面取り部以外の部分の構造は図２１
の場合と同様である。面取り角ηは、段差面２１に対し
て例えば３０〜６０度とするのが好適である。
【００９２】図２３は、上部磁極２７ｃの接続部２７ｃ
(2) および上部ポールチップ２７ａの中間部２７ａ(2)
がテーパを有する場合の平面構成を表し、図２４は、上
部ポールチップ２７ａの平面構成を表すものである。こ
れらの図で、上部磁極２７ｃの接続部２７ｃ(2) のテー
パ角γは、接続部２７ｃ(2) の端縁面２２に対して例え
ば４５〜６０度の範囲とし、上部ポールチップ２７ａの
中間部２７ａ(2) のテーパ角γ１は、段差面２１に対し
て例えば６０〜８０度の範囲とするのが好適である。
(2) および上部ポールチップ２７ａの中間部２７ａ(2)
がテーパを有する場合の平面構成を表し、図２４は、上
部ポールチップ２７ａの平面構成を表すものである。こ
れらの図で、上部磁極２７ｃの接続部２７ｃ(2) のテー
パ角γは、接続部２７ｃ(2) の端縁面２２に対して例え
ば４５〜６０度の範囲とし、上部ポールチップ２７ａの
中間部２７ａ(2) のテーパ角γ１は、段差面２１に対し
て例えば６０〜８０度の範囲とするのが好適である。
【００９３】これらの図２２〜図２４に示した上部磁極
２７ｃおよび上部ポールチップ２７ａを有する薄膜磁気
ヘッドにおいても、上記の図２０に示した上部磁極２７
ｃおよび上部ポールチップ２７ａを有する薄膜磁気ヘッ
ドの場合と同様の効果を得ることができる。
２７ｃおよび上部ポールチップ２７ａを有する薄膜磁気
ヘッドにおいても、上記の図２０に示した上部磁極２７
ｃおよび上部ポールチップ２７ａを有する薄膜磁気ヘッ
ドの場合と同様の効果を得ることができる。
【００９４】なお、上部磁極２７ｃの接続部２７ｃ(2)
における前側（エアベアリング面側）の端縁面２２の位
置は、ＴＨ０位置と一致している上部ポールチップ２７
ａの段差面２１の位置と正確に一致しなければならない
ものではなく、例えば図２５に示したように、接続部２
７ｃ(2) の端縁面２２の位置が段差面２１の位置よりも
後方（エアベアリング面と反対の側）にずれるようにし
てもよい。
における前側（エアベアリング面側）の端縁面２２の位
置は、ＴＨ０位置と一致している上部ポールチップ２７
ａの段差面２１の位置と正確に一致しなければならない
ものではなく、例えば図２５に示したように、接続部２
７ｃ(2) の端縁面２２の位置が段差面２１の位置よりも
後方（エアベアリング面と反対の側）にずれるようにし
てもよい。
【００９５】また、上記第２の実施の形態（図２０）に
おける上部磁極２７ｃの接続部２７ｃ(2) は、必須のも
のではなく、例えば図２６に示したように、上部磁極２
７ｃをヨーク部２７ｃ(1) のみで構成し、上部ポールチ
ップ２７ａの中間部２７ａ(2) の上にヨーク部２７ｃ
(1) の一部をオーバーラップさせるようにしてもよい。
この場合も、ヨーク部２７ｃ(1) の前側の端縁面２２の
位置は、ＴＨ０位置と一致している上部ポールチップ２
７ａの段差面２１の位置と正確に一致しなければならな
いものではなく、例えば図２７に示したように、ヨーク
部２７ｃ(1) の前側の端縁面２２の位置が上部ポールチ
ップ２７ａの段差面２１の位置よりも後方（エアベアリ
ング面と反対の側）にずれるようにしてもよい。
おける上部磁極２７ｃの接続部２７ｃ(2) は、必須のも
のではなく、例えば図２６に示したように、上部磁極２
７ｃをヨーク部２７ｃ(1) のみで構成し、上部ポールチ
ップ２７ａの中間部２７ａ(2) の上にヨーク部２７ｃ
(1) の一部をオーバーラップさせるようにしてもよい。
この場合も、ヨーク部２７ｃ(1) の前側の端縁面２２の
位置は、ＴＨ０位置と一致している上部ポールチップ２
７ａの段差面２１の位置と正確に一致しなければならな
いものではなく、例えば図２７に示したように、ヨーク
部２７ｃ(1) の前側の端縁面２２の位置が上部ポールチ
ップ２７ａの段差面２１の位置よりも後方（エアベアリ
ング面と反対の側）にずれるようにしてもよい。
【００９６】［第３の実施の形態］次に、本発明の第３
の実施の形態を説明する。
の実施の形態を説明する。
【００９７】図２８は本発明の第３の実施の形態に係る
薄膜磁気ヘッドの上部磁極２７ｃおよび上部ポールチッ
プ２７ａの平面構成を表し、図２９は図２８における要
部を拡大して表すものである。なお、これらの図で、上
記第２の実施の形態における図２０で示した構成要素と
同一の構成要素には同一の符号を付し、適宜説明を省略
する。
薄膜磁気ヘッドの上部磁極２７ｃおよび上部ポールチッ
プ２７ａの平面構成を表し、図２９は図２８における要
部を拡大して表すものである。なお、これらの図で、上
記第２の実施の形態における図２０で示した構成要素と
同一の構成要素には同一の符号を付し、適宜説明を省略
する。
【００９８】図２８および図２９に示したように、本実
施の形態では、上部磁極２７ｃの接続部２７ｃ(2) は、
その前側（エアベアリング面側）の端縁面２２の位置が
上部ポールチップ２７ａの段差面２１の位置を越えて先
端部２７ａ(1) の一部ともオーバーラップすることとな
るように延在している。このオーバーラップした部分に
おける接続部２７ｃ(2) の端縁面２２は、先端部２７ａ
(1) の延在方向、すなわち先端部２７ａ(1) の側縁面２
３の方向と直交している。また、本実施の形態では、Ｔ
Ｈ０の位置と一致するのは、上部ポールチップ２７ａの
段差面２１の位置ではなく、接続部２７ｃ(2) の端縁面
２２の位置である。その他の構成および製造方法は、上
記第２の実施の形態の場合と同様であり、例えば、先端
部２７ａ(1) を通りエアベアリング面２１と垂直な面に
沿った断面構造は、図１８または図１９に示したものと
同様である。
施の形態では、上部磁極２７ｃの接続部２７ｃ(2) は、
その前側（エアベアリング面側）の端縁面２２の位置が
上部ポールチップ２７ａの段差面２１の位置を越えて先
端部２７ａ(1) の一部ともオーバーラップすることとな
るように延在している。このオーバーラップした部分に
おける接続部２７ｃ(2) の端縁面２２は、先端部２７ａ
(1) の延在方向、すなわち先端部２７ａ(1) の側縁面２
３の方向と直交している。また、本実施の形態では、Ｔ
Ｈ０の位置と一致するのは、上部ポールチップ２７ａの
段差面２１の位置ではなく、接続部２７ｃ(2) の端縁面
２２の位置である。その他の構成および製造方法は、上
記第２の実施の形態の場合と同様であり、例えば、先端
部２７ａ(1) を通りエアベアリング面２１と垂直な面に
沿った断面構造は、図１８または図１９に示したものと
同様である。
【００９９】ところで、図１８において説明したよう
に、上部ポールチップ２７ａを形成するためのフォトリ
ソグラフィ工程と、上部磁極２７ｃを形成するためのフ
ォトリソグラフィ工程とは、全く別個に行われる。この
ため、たとえ、上部ポールチップ２７ａの形成用のフォ
トリソグラフィ工程における露光状態の悪さによってフ
ォトレジストの角部が丸まってしまい、例えば図２９に
示したように、上部ポールチップ２７ａの段差面２１と
先端部２７ａ(1) の側縁面２３との交差部２４がシャー
プな直角にならずに丸みが生じたとしても、先端部２７
ａ(1) の側縁面２３と上部磁極２７ｃの接続部２７ｃ
(2) とは、必ず、シャープな直角をなすこととなる。す
なわち、記録媒体のトラック幅を規定する先端部２７ａ
(1) の幅が、ＴＨ０の位置からエアベアリング面２０ま
での全域（スロートハイトＴＨの全域）にわたって正確
にＷ１となるようにすることができる。したがって、ト
ラック幅の縮小に伴って、先端部２７ａ(1) の幅Ｗ１を
１μｍ以下、さらには０．５μｍ以下にする場合におい
ても、ＴＨ０位置の近傍で先端部２７ａ(1) の幅Ｗ１が
広がることがない。特に、より高性能の薄膜磁気ヘッド
を得るためにスロートハイトＴＨを従来の１μｍ程度か
ら０．５〜０．２μｍという値に縮小した場合において
も、スロートハイトＴＨの全域にわたって正確な設計値
幅Ｗ１を保証することが可能となる。これにより、記録
媒体上の記録トラック幅を正確にコントロールすること
ができ、あるトラックに書き込まれるべきデータが隣の
トラックにも書き込まれてしまうというサイドライト現
象の発生を効果的に防止することができる。
に、上部ポールチップ２７ａを形成するためのフォトリ
ソグラフィ工程と、上部磁極２７ｃを形成するためのフ
ォトリソグラフィ工程とは、全く別個に行われる。この
ため、たとえ、上部ポールチップ２７ａの形成用のフォ
トリソグラフィ工程における露光状態の悪さによってフ
ォトレジストの角部が丸まってしまい、例えば図２９に
示したように、上部ポールチップ２７ａの段差面２１と
先端部２７ａ(1) の側縁面２３との交差部２４がシャー
プな直角にならずに丸みが生じたとしても、先端部２７
ａ(1) の側縁面２３と上部磁極２７ｃの接続部２７ｃ
(2) とは、必ず、シャープな直角をなすこととなる。す
なわち、記録媒体のトラック幅を規定する先端部２７ａ
(1) の幅が、ＴＨ０の位置からエアベアリング面２０ま
での全域（スロートハイトＴＨの全域）にわたって正確
にＷ１となるようにすることができる。したがって、ト
ラック幅の縮小に伴って、先端部２７ａ(1) の幅Ｗ１を
１μｍ以下、さらには０．５μｍ以下にする場合におい
ても、ＴＨ０位置の近傍で先端部２７ａ(1) の幅Ｗ１が
広がることがない。特に、より高性能の薄膜磁気ヘッド
を得るためにスロートハイトＴＨを従来の１μｍ程度か
ら０．５〜０．２μｍという値に縮小した場合において
も、スロートハイトＴＨの全域にわたって正確な設計値
幅Ｗ１を保証することが可能となる。これにより、記録
媒体上の記録トラック幅を正確にコントロールすること
ができ、あるトラックに書き込まれるべきデータが隣の
トラックにも書き込まれてしまうというサイドライト現
象の発生を効果的に防止することができる。
【０１００】また、本実施の形態では、先端部２７ａ
(1) のＴＨ０位置の直ぐ後方に、直角に広がる接続部２
７ｃ(2) が存在すると共に、段差面２１の直ぐ後方に中
間部２７ａ(2) が存在しているので、これらによって十
分な磁気ボリュームが確保されている。このため、ヨー
ク部２７ｃ(1) に発生した磁束が上部ポールチップ２７
ａの先端部２７ａ(1) に到達する前に飽和するのを効果
的に防止することができ、十分なオーバーライト特性を
確保することが可能である。
(1) のＴＨ０位置の直ぐ後方に、直角に広がる接続部２
７ｃ(2) が存在すると共に、段差面２１の直ぐ後方に中
間部２７ａ(2) が存在しているので、これらによって十
分な磁気ボリュームが確保されている。このため、ヨー
ク部２７ｃ(1) に発生した磁束が上部ポールチップ２７
ａの先端部２７ａ(1) に到達する前に飽和するのを効果
的に防止することができ、十分なオーバーライト特性を
確保することが可能である。
【０１０１】なお、本実施の形態のように、上部磁極２
７ｃの接続部２７ｃ(2) の端縁面２２を上部ポールチッ
プ２７ａの段差面２１を越えたところに位置させるよう
にする場合において、上部ポールチップ２７ａおよび上
部磁極２７ｃの形状は、図２８に示したものには限定さ
れない。例えば図３０に示したように、上部磁極２７ｃ
の接続部２７ｃ(2) および上部ポールチップ２７ａの中
間部２７ａ(2) が、それぞれ、テーパをもつような形状
にしてもよい。上部磁極２７ｃの接続部２７ｃ(2) のテ
ーパ角および上部ポールチップ２７ａの中間部２７ａ
(2) のテーパ角は、上記した図２３の場合と同様とする
のが好適である。
７ｃの接続部２７ｃ(2) の端縁面２２を上部ポールチッ
プ２７ａの段差面２１を越えたところに位置させるよう
にする場合において、上部ポールチップ２７ａおよび上
部磁極２７ｃの形状は、図２８に示したものには限定さ
れない。例えば図３０に示したように、上部磁極２７ｃ
の接続部２７ｃ(2) および上部ポールチップ２７ａの中
間部２７ａ(2) が、それぞれ、テーパをもつような形状
にしてもよい。上部磁極２７ｃの接続部２７ｃ(2) のテ
ーパ角および上部ポールチップ２７ａの中間部２７ａ
(2) のテーパ角は、上記した図２３の場合と同様とする
のが好適である。
【０１０２】また、図３１に示したように、上部磁極２
７ｃから接続部２７ｃ(2) を除いて上部磁極２７ｃをヨ
ーク部２７ｃ(1) のみで構成し、ヨーク部２７ｃ(1) の
端縁面２２が上部ポールチップ２７ａの段差面２１を越
えて先端部２７ａ(1) の上に位置するようにヨーク部２
７ｃ(1) をオーバーラップさせてもよい。
７ｃから接続部２７ｃ(2) を除いて上部磁極２７ｃをヨ
ーク部２７ｃ(1) のみで構成し、ヨーク部２７ｃ(1) の
端縁面２２が上部ポールチップ２７ａの段差面２１を越
えて先端部２７ａ(1) の上に位置するようにヨーク部２
７ｃ(1) をオーバーラップさせてもよい。
【０１０３】また、例えば図３２に示したように、上部
ポールチップ２７ａの段差面２１が先端部２７ａ(1) の
側縁面２３と９０度以上の角度をなすようにしてもよ
い。但し、段差面２１が側縁面２３と９０度をなすよう
にするのが好適である。
ポールチップ２７ａの段差面２１が先端部２７ａ(1) の
側縁面２３と９０度以上の角度をなすようにしてもよ
い。但し、段差面２１が側縁面２３と９０度をなすよう
にするのが好適である。
【０１０４】なお、上記第２および第３の実施の形態で
は、薄膜磁気ヘッドの上部磁極部が上部磁極２７ｃおよ
び上部ポールチップ２７ａの２つの部分に分割されて形
成されると共に薄膜磁気ヘッド全体が図１９に示したよ
うな断面構造を有するものである場合について説明した
が、本発明はこれに限定されず、以下の第４および第５
の実施の形態に示すような構造を有するものであっても
よい。
は、薄膜磁気ヘッドの上部磁極部が上部磁極２７ｃおよ
び上部ポールチップ２７ａの２つの部分に分割されて形
成されると共に薄膜磁気ヘッド全体が図１９に示したよ
うな断面構造を有するものである場合について説明した
が、本発明はこれに限定されず、以下の第４および第５
の実施の形態に示すような構造を有するものであっても
よい。
【０１０５】［第４の実施の形態］次に、図３３〜図３
５を参照して、本発明の第４の実施の形態に係る薄膜磁
気ヘッドの製造方法としての複合型薄膜磁気ヘッドの製
造方法を説明する。なお、本実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドは、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方
法によって具現化されるので、以下併せて説明する。図
３３ないし図３５において、（ａ）はエアベアリング面
に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリン
グ面に平行な断面を示している。これらの図で、上記各
実施の形態における要素と同一部分には同一の符号を付
すものとする。
５を参照して、本発明の第４の実施の形態に係る薄膜磁
気ヘッドの製造方法としての複合型薄膜磁気ヘッドの製
造方法を説明する。なお、本実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドは、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方
法によって具現化されるので、以下併せて説明する。図
３３ないし図３５において、（ａ）はエアベアリング面
に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリン
グ面に平行な断面を示している。これらの図で、上記各
実施の形態における要素と同一部分には同一の符号を付
すものとする。
【０１０６】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法において、図３３における下部磁極７を形成すると
ころまでの工程は、上記第１の実施の形態における図１
から図３の途中までの工程と同様であるので、説明を省
略する。
方法において、図３３における下部磁極７を形成すると
ころまでの工程は、上記第１の実施の形態における図１
から図３の途中までの工程と同様であるので、説明を省
略する。
【０１０７】本実施の形態では、図３３に示したように
下部磁極７の形成が終了すると、次に、下部磁極７上
に、下部ポールチップ４１ａおよび下部接続部４１ｂを
約２．０〜２．５μｍの厚みで形成する。ここで、下部
ポールチップ４１ａは、そのエアベアリング面側の先端
部がＭＲ（ＧＭＲ）ハイト零の位置の近辺になるように
成形し、同時に、エアベアリング面の反対側がスロート
ハイト零の位置となるようにする。なお、この下部ポー
ルチップ４１ａおよび下部接続部４１ｂは、ＮｉＦｅ等
のめっき膜により形成してもよく、ＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ
Ｐ，ＣｏＦｅＮなどのスパッタ膜により形成してもよ
い。
下部磁極７の形成が終了すると、次に、下部磁極７上
に、下部ポールチップ４１ａおよび下部接続部４１ｂを
約２．０〜２．５μｍの厚みで形成する。ここで、下部
ポールチップ４１ａは、そのエアベアリング面側の先端
部がＭＲ（ＧＭＲ）ハイト零の位置の近辺になるように
成形し、同時に、エアベアリング面の反対側がスロート
ハイト零の位置となるようにする。なお、この下部ポー
ルチップ４１ａおよび下部接続部４１ｂは、ＮｉＦｅ等
のめっき膜により形成してもよく、ＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ
Ｐ，ＣｏＦｅＮなどのスパッタ膜により形成してもよ
い。
【０１０８】続いて、全面に、例えばスパッタ法または
ＣＶＤ法により、例えばアルミナ等の絶縁材料よりなる
膜厚０．３〜０．６μｍの絶縁膜４２を形成する。
ＣＶＤ法により、例えばアルミナ等の絶縁材料よりなる
膜厚０．３〜０．６μｍの絶縁膜４２を形成する。
【０１０９】次に、下部ポールチップ４１ａと下部接続
部４１ｂとの間に形成された凹部領域に、例えば電解め
っき法により、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録
ヘッド用の１層目の薄膜コイル４３を１．５〜２．５μ
ｍの厚みで形成する。このとき同時に、下部接続部４１
ｂの後方領域（図の右側領域）に、薄膜コイル４３を後
述する第２層の薄膜コイルと接続するためのコイル接続
部４３Ｃを形成する。
部４１ｂとの間に形成された凹部領域に、例えば電解め
っき法により、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録
ヘッド用の１層目の薄膜コイル４３を１．５〜２．５μ
ｍの厚みで形成する。このとき同時に、下部接続部４１
ｂの後方領域（図の右側領域）に、薄膜コイル４３を後
述する第２層の薄膜コイルと接続するためのコイル接続
部４３Ｃを形成する。
【０１１０】次に、全面に、スパッタ法により絶縁材
料、例えばアルミナよりなる膜厚３．０〜４．０μｍの
絶縁層４４を形成した後、例えばＣＭＰ法により表面を
平坦化し、下部ポールチップ４１ａおよび下部接続部４
１ｂの表面を露出させる。
料、例えばアルミナよりなる膜厚３．０〜４．０μｍの
絶縁層４４を形成した後、例えばＣＭＰ法により表面を
平坦化し、下部ポールチップ４１ａおよび下部接続部４
１ｂの表面を露出させる。
【０１１１】次に、図３４に示したように、スパッタ法
により、例えばアルミナ絶縁材料よりなる膜厚０．２〜
０．３μｍの記録ギャップ層９を形成する。記録ギャッ
プ層９は、アルミナの他、窒化アルミニウム（Ａｌ
Ｎ）、シリコン酸化物系、シリコン窒化物系の材料など
により形成するようにしてもよい。続いて、この記録ギ
ャップ層９をフォトリソグラフィーによりパターニング
し、上部磁極と下部磁極との接続用の開口９ａを形成す
ると共に、記録ギャップ層９および絶縁層４４をパター
ニングして、コイル接続部４３Ｃに達する開口９ｂを形
成する。
により、例えばアルミナ絶縁材料よりなる膜厚０．２〜
０．３μｍの記録ギャップ層９を形成する。記録ギャッ
プ層９は、アルミナの他、窒化アルミニウム（Ａｌ
Ｎ）、シリコン酸化物系、シリコン窒化物系の材料など
により形成するようにしてもよい。続いて、この記録ギ
ャップ層９をフォトリソグラフィーによりパターニング
し、上部磁極と下部磁極との接続用の開口９ａを形成す
ると共に、記録ギャップ層９および絶縁層４４をパター
ニングして、コイル接続部４３Ｃに達する開口９ｂを形
成する。
【０１１２】続いて、記録ギャップ層９上に、上部ポー
ルチップ４５ａ、および、上部磁極と下部磁極とを磁気
的に接続させるための上部接続部４５ｂを形成する。こ
のとき、上部接続部４５ｂは、下部接続部４１ｂとオー
バーラップして接触するように形成する。一方、上部ポ
ールチップ４５ａは、エアベアリング面から後方に向か
って下部ポールチップ４１ａよりも長く延在するように
形成する。また、上部ポールチップ４５ａは、上記第３
の実施の形態（図２８等）の場合と同様に、磁気ボリュ
ームの確保のための中間部２７ａ(2) と、トラック幅を
規定するための先端部２７ａ(1) と、これらの連結部に
おける段差面２１とを有するように形成する。上部ポー
ルチップ４５ａの平面形状は、図２８、図３０、図３１
または図３２に示したような形状とする。さらに、上部
ポールチップ４５ａは、その段差面２１が、下部ポール
チップ４１ａの後側の端縁面の位置（すなわち、ＴＨ０
位置）よりも僅かに後方に位置するようにする。
ルチップ４５ａ、および、上部磁極と下部磁極とを磁気
的に接続させるための上部接続部４５ｂを形成する。こ
のとき、上部接続部４５ｂは、下部接続部４１ｂとオー
バーラップして接触するように形成する。一方、上部ポ
ールチップ４５ａは、エアベアリング面から後方に向か
って下部ポールチップ４１ａよりも長く延在するように
形成する。また、上部ポールチップ４５ａは、上記第３
の実施の形態（図２８等）の場合と同様に、磁気ボリュ
ームの確保のための中間部２７ａ(2) と、トラック幅を
規定するための先端部２７ａ(1) と、これらの連結部に
おける段差面２１とを有するように形成する。上部ポー
ルチップ４５ａの平面形状は、図２８、図３０、図３１
または図３２に示したような形状とする。さらに、上部
ポールチップ４５ａは、その段差面２１が、下部ポール
チップ４１ａの後側の端縁面の位置（すなわち、ＴＨ０
位置）よりも僅かに後方に位置するようにする。
【０１１３】続いて、上部ポールチップ４５ａをマスク
として、その周辺の記録ギャップ層９および下部ポール
チップ４１ａを自己整合的にエッチングする。すなわ
ち、上部ポールチップ４５ａをマスクとした塩素系ガス
（Ｃｌ2 ，ＣＦ4 ，ＢＣｌ2 ，ＳＦ6 等）によるＲＩＥ
により、記録ギャップ層９を選択的に除去した後、露出
した下部ポールチップ４１ａを、再び、例えばＡｒのイ
オンミリングによって約０．３〜０．６μｍ程度エッチ
ングして、トリム構造を形成する。
として、その周辺の記録ギャップ層９および下部ポール
チップ４１ａを自己整合的にエッチングする。すなわ
ち、上部ポールチップ４５ａをマスクとした塩素系ガス
（Ｃｌ2 ，ＣＦ4 ，ＢＣｌ2 ，ＳＦ6 等）によるＲＩＥ
により、記録ギャップ層９を選択的に除去した後、露出
した下部ポールチップ４１ａを、再び、例えばＡｒのイ
オンミリングによって約０．３〜０．６μｍ程度エッチ
ングして、トリム構造を形成する。
【０１１４】続いて、全面に、例えばスパッタ法または
ＣＶＤ法により、膜厚約０．３〜０．６μｍの例えばア
ルミナからなる絶縁層４６を形成する。続いて、上部ポ
ールチップ４５ａおよび上部接続部４５ｂにより形成さ
れた凹部内の絶縁膜４６上に、例えば電解めっき法によ
り、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の
２層目の薄膜コイル４７を１．５〜２．５μｍの厚みで
形成する。このとき、同時に、開口９ｂを介してコイル
接続部４３Ｃと接触するコイル接続部４７Ｃを形成す
る。
ＣＶＤ法により、膜厚約０．３〜０．６μｍの例えばア
ルミナからなる絶縁層４６を形成する。続いて、上部ポ
ールチップ４５ａおよび上部接続部４５ｂにより形成さ
れた凹部内の絶縁膜４６上に、例えば電解めっき法によ
り、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の
２層目の薄膜コイル４７を１．５〜２．５μｍの厚みで
形成する。このとき、同時に、開口９ｂを介してコイル
接続部４３Ｃと接触するコイル接続部４７Ｃを形成す
る。
【０１１５】続いて、全面に、例えばスパッタ法または
ＣＶＤ法により、膜厚約３〜４μｍの例えばアルミナか
らなる絶縁層４８を形成する。なお、この絶縁層４８や
絶縁膜４６は、アルミナに限らず、二酸化珪素（ＳｉＯ
2 ）や、窒化珪素（ＳｉＮ）等の他の絶縁材料により形
成してもよい。
ＣＶＤ法により、膜厚約３〜４μｍの例えばアルミナか
らなる絶縁層４８を形成する。なお、この絶縁層４８や
絶縁膜４６は、アルミナに限らず、二酸化珪素（ＳｉＯ
2 ）や、窒化珪素（ＳｉＮ）等の他の絶縁材料により形
成してもよい。
【０１１６】続いて、例えばＣＭＰ法により、上部ポー
ルチップ４５ａおよび上部接続部４５ｂの表面が露出す
るように、絶縁層４８および絶縁膜４６を研磨し、これ
らの絶縁層４８および絶縁膜４６の表面と上部ポールチ
ップ４５ａおよび上部接続部４５ｂの各表面とが同一面
を構成するように平坦化する。
ルチップ４５ａおよび上部接続部４５ｂの表面が露出す
るように、絶縁層４８および絶縁膜４６を研磨し、これ
らの絶縁層４８および絶縁膜４６の表面と上部ポールチ
ップ４５ａおよび上部接続部４５ｂの各表面とが同一面
を構成するように平坦化する。
【０１１７】次に、図３５に示したように、例えば上部
ポールチップ４５ａと同じ材料を用いて、例えば電解め
っき法やスパッタ法などの方法により、上部磁極４９を
約３〜４μｍの厚みに選択的に形成する。その際、上部
磁極４９の一部が上部ポールチップ４５ａの一部とオー
バーラップし、かつ、上部磁極４９の前側（エアベアリ
ング面側）の端縁面２２の位置が下部ポールチップ４１
ａの後側の端縁の位置（すなわち、ＴＨ０位置）と一致
することとなるようにする。また、上部磁極４９の後側
の端部が上部接続部４５ｂ上に差し掛かるようにする。
これにより、上部磁極４９は、上部ポールチップ４５ａ
と磁気的に連結されると共に、上部接続部４５ｂおよび
下部接続部４１ｂを介して下部磁極７と磁気的に連結さ
れる。
ポールチップ４５ａと同じ材料を用いて、例えば電解め
っき法やスパッタ法などの方法により、上部磁極４９を
約３〜４μｍの厚みに選択的に形成する。その際、上部
磁極４９の一部が上部ポールチップ４５ａの一部とオー
バーラップし、かつ、上部磁極４９の前側（エアベアリ
ング面側）の端縁面２２の位置が下部ポールチップ４１
ａの後側の端縁の位置（すなわち、ＴＨ０位置）と一致
することとなるようにする。また、上部磁極４９の後側
の端部が上部接続部４５ｂ上に差し掛かるようにする。
これにより、上部磁極４９は、上部ポールチップ４５ａ
と磁気的に連結されると共に、上部接続部４５ｂおよび
下部接続部４１ｂを介して下部磁極７と磁気的に連結さ
れる。
【０１１８】最後に、全面を覆うように、例えばスパッ
タ法によりアルミナよりなる膜厚約３０μｍのオーバー
コート層５０を形成する。その後、スライダの機械加工
を行い、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング
面（ＡＢＳ）を形成することにより、薄膜磁気ヘッドが
完成する。
タ法によりアルミナよりなる膜厚約３０μｍのオーバー
コート層５０を形成する。その後、スライダの機械加工
を行い、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング
面（ＡＢＳ）を形成することにより、薄膜磁気ヘッドが
完成する。
【０１１９】本実施の形態において、上部磁極４９は、
その前側の端縁面２２の位置は、ＴＨ０位置と一致する
と共に、上部ポールチップ４５ａの段差面２１の位置よ
りも前方にあるように形成されている。このため、上記
第３の実施の形態における図２９の場合と同様に、上部
ポールチップ４５ａの段差面２１と先端部２７ａ(1)の
側縁面２３との交差部２４がシャープな直角にならずに
丸みが生じたとしても、先端部２７ａ(1) の側縁面２３
と上部磁極４９の接続部２７ｃ(2) の端縁面２２とは、
必ず、シャープな直角をなし、ＴＨ０位置の近傍で先端
部２７ａ(1) の幅Ｗ１が広がることがない。したがっ
て、上記第３の実施の形態の場合と同様に、スロートハ
イトＴＨの全域にわたって正確な設計値幅Ｗ１を保証す
ることが可能となるので、記録媒体上の記録トラック幅
を正確にコントロールすることができ、サイドライト現
象の発生を効果的に防止することができる。なお、ここ
での説明では、図２９において上部磁極２７ｃを上部磁
極４９と読み替え、上部ポールチップ２７ａを上部ポー
ルチップ４５ａと読み替えている。
その前側の端縁面２２の位置は、ＴＨ０位置と一致する
と共に、上部ポールチップ４５ａの段差面２１の位置よ
りも前方にあるように形成されている。このため、上記
第３の実施の形態における図２９の場合と同様に、上部
ポールチップ４５ａの段差面２１と先端部２７ａ(1)の
側縁面２３との交差部２４がシャープな直角にならずに
丸みが生じたとしても、先端部２７ａ(1) の側縁面２３
と上部磁極４９の接続部２７ｃ(2) の端縁面２２とは、
必ず、シャープな直角をなし、ＴＨ０位置の近傍で先端
部２７ａ(1) の幅Ｗ１が広がることがない。したがっ
て、上記第３の実施の形態の場合と同様に、スロートハ
イトＴＨの全域にわたって正確な設計値幅Ｗ１を保証す
ることが可能となるので、記録媒体上の記録トラック幅
を正確にコントロールすることができ、サイドライト現
象の発生を効果的に防止することができる。なお、ここ
での説明では、図２９において上部磁極２７ｃを上部磁
極４９と読み替え、上部ポールチップ２７ａを上部ポー
ルチップ４５ａと読み替えている。
【０１２０】また、本実施の形態において、上部ポール
チップ４５ａの先端部２７ａ(1) のＴＨ０位置の直ぐ後
方に、直角に広がる接続部２７ｃ(2) が存在すると共
に、段差面２１の直ぐ後方に中間部２７ａ(2) が存在し
ているので、これらによって十分な磁気ボリュームが確
保されている。このため、上記第３の実施の形態の場合
と同様に、ヨーク部２７ｃ(1) に発生した磁束が上部ポ
ールチップ２７ａの先端部２７ａ(1) に到達する前に飽
和するのを効果的に防止することができ、十分なオーバ
ーライト特性を確保することが可能である。
チップ４５ａの先端部２７ａ(1) のＴＨ０位置の直ぐ後
方に、直角に広がる接続部２７ｃ(2) が存在すると共
に、段差面２１の直ぐ後方に中間部２７ａ(2) が存在し
ているので、これらによって十分な磁気ボリュームが確
保されている。このため、上記第３の実施の形態の場合
と同様に、ヨーク部２７ｃ(1) に発生した磁束が上部ポ
ールチップ２７ａの先端部２７ａ(1) に到達する前に飽
和するのを効果的に防止することができ、十分なオーバ
ーライト特性を確保することが可能である。
【０１２１】また、本実施の形態では、上部ポールチッ
プ４５ａを平坦部上に形成することができるため、フォ
トリソグラフィによるフォトレジストパターンの形成を
高精度に行うことができ、上部ポールチップ４５ａの先
端部２７ａ(1) の幅を０．５〜０．２５μｍの精度で微
細化することも可能となる。また、上部磁極４９もま
た、ＣＭＰ研磨後の平坦部上に形成できるため、同様の
理由から高精度のパターニングが可能である。
プ４５ａを平坦部上に形成することができるため、フォ
トリソグラフィによるフォトレジストパターンの形成を
高精度に行うことができ、上部ポールチップ４５ａの先
端部２７ａ(1) の幅を０．５〜０．２５μｍの精度で微
細化することも可能となる。また、上部磁極４９もま
た、ＣＭＰ研磨後の平坦部上に形成できるため、同様の
理由から高精度のパターニングが可能である。
【０１２２】また、本実施の形態では、下部磁極７と薄
膜コイル４３との間にアルミナ等からなる厚い絶縁膜４
２が形成されると共に、記録ギャップ層７と薄膜コイル
４７との間にアルミナ等からなる厚い絶縁膜４６が形成
されているため、薄膜コイル４３と下部磁極７との間の
絶縁耐圧、および薄膜コイル４３，４７間の絶縁耐圧を
高めることができると共に、薄膜コイル４３，４７から
の磁束の洩れを低減することができる。
膜コイル４３との間にアルミナ等からなる厚い絶縁膜４
２が形成されると共に、記録ギャップ層７と薄膜コイル
４７との間にアルミナ等からなる厚い絶縁膜４６が形成
されているため、薄膜コイル４３と下部磁極７との間の
絶縁耐圧、および薄膜コイル４３，４７間の絶縁耐圧を
高めることができると共に、薄膜コイル４３，４７から
の磁束の洩れを低減することができる。
【０１２３】［第５の実施の形態］次に、図３６〜図３
８を参照して、本発明の第５の実施の形態に係る薄膜磁
気ヘッドの製造方法としての複合型薄膜磁気ヘッドの製
造方法を説明する。なお、本実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドは、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方
法によって具現化されるので、以下併せて説明する。図
３６ないし図３８において、（ａ）はエアベアリング面
に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリン
グ面に平行な断面を示している。これらの図で、上記各
実施の形態における要素と同一部分には同一の符号を付
すものとする。
８を参照して、本発明の第５の実施の形態に係る薄膜磁
気ヘッドの製造方法としての複合型薄膜磁気ヘッドの製
造方法を説明する。なお、本実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドは、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方
法によって具現化されるので、以下併せて説明する。図
３６ないし図３８において、（ａ）はエアベアリング面
に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリン
グ面に平行な断面を示している。これらの図で、上記各
実施の形態における要素と同一部分には同一の符号を付
すものとする。
【０１２４】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法において、図３６における下部磁極７を形成すると
ころまでの工程は、上記第１の実施の形態における図１
から図３の途中までの工程と同様であるので説明を省略
する。
方法において、図３６における下部磁極７を形成すると
ころまでの工程は、上記第１の実施の形態における図１
から図３の途中までの工程と同様であるので説明を省略
する。
【０１２５】本実施の形態では、図３６に示したように
下部磁極７の形成が終了すると、次に、下部磁極７上
に、下部ポールチップ６１ａおよび下部接続部６１ｂを
形成する。ここで、下部ポールチップ４１ａは、そのエ
アベアリング面側の先端部がＭＲ（ＧＭＲ）ハイト零の
位置の近辺になるように成形し、同時に、エアベアリン
グ面の反対側がスロートハイト零の位置となるようにす
る。
下部磁極７の形成が終了すると、次に、下部磁極７上
に、下部ポールチップ６１ａおよび下部接続部６１ｂを
形成する。ここで、下部ポールチップ４１ａは、そのエ
アベアリング面側の先端部がＭＲ（ＧＭＲ）ハイト零の
位置の近辺になるように成形し、同時に、エアベアリン
グ面の反対側がスロートハイト零の位置となるようにす
る。
【０１２６】次に、全面に、スパッタ法により絶縁材
料、例えばアルミナよりなる膜厚３．０〜４．０μｍの
絶縁層６２を形成した後、例えばＣＭＰ法により表面を
平坦化し、下部ポールチップ６１ａおよび下部接続部６
１ｂの表面を露出させる。
料、例えばアルミナよりなる膜厚３．０〜４．０μｍの
絶縁層６２を形成した後、例えばＣＭＰ法により表面を
平坦化し、下部ポールチップ６１ａおよび下部接続部６
１ｂの表面を露出させる。
【０１２７】次に、図３７に示したように、スパッタ法
により、例えばアルミナ等の絶縁材料よりなる膜厚０．
２〜０．３μｍの記録ギャップ層９を形成する。続い
て、この記録ギャップ層９をフォトリソグラフィーによ
りパターニングし、上部磁極と下部磁極との接続用の開
口９ａを形成する
により、例えばアルミナ等の絶縁材料よりなる膜厚０．
２〜０．３μｍの記録ギャップ層９を形成する。続い
て、この記録ギャップ層９をフォトリソグラフィーによ
りパターニングし、上部磁極と下部磁極との接続用の開
口９ａを形成する
【０１２８】次に、記録ギャップ層９上に、上部ポール
チップ６３ａ、および、上部磁極と下部磁極とを磁気的
に接続させるための上部接続部６３ｂを形成する。この
とき、上部接続部６３ｂは、下部接続部６１ｂとオーバ
ーラップして接触するように形成する。一方、上部ポー
ルチップ６３ａは、エアベアリング面から後方に向かっ
て下部ポールチップ６１ａよりも長く延在するように形
成する。また、上部ポールチップ６３ａは、上記第３の
実施の形態（図２８等）の場合と同様に、磁気ボリュー
ムの確保のための中間部２７ａ(2) と、トラック幅を規
定するための先端部２７ａ(1) と、これらの連結部にお
ける段差面２１とを有するように形成する。上部ポール
チップ６３ａの平面形状は、図２８、図３０、図３１ま
たは図３２に示したような形状とする。さらに、上部ポ
ールチップ６３ａは、その段差面２１が、下部ポールチ
ップ６１ａの後側の端縁面の位置（すなわち、ＴＨ０位
置）よりも僅かに後方に位置するようにする。
チップ６３ａ、および、上部磁極と下部磁極とを磁気的
に接続させるための上部接続部６３ｂを形成する。この
とき、上部接続部６３ｂは、下部接続部６１ｂとオーバ
ーラップして接触するように形成する。一方、上部ポー
ルチップ６３ａは、エアベアリング面から後方に向かっ
て下部ポールチップ６１ａよりも長く延在するように形
成する。また、上部ポールチップ６３ａは、上記第３の
実施の形態（図２８等）の場合と同様に、磁気ボリュー
ムの確保のための中間部２７ａ(2) と、トラック幅を規
定するための先端部２７ａ(1) と、これらの連結部にお
ける段差面２１とを有するように形成する。上部ポール
チップ６３ａの平面形状は、図２８、図３０、図３１ま
たは図３２に示したような形状とする。さらに、上部ポ
ールチップ６３ａは、その段差面２１が、下部ポールチ
ップ６１ａの後側の端縁面の位置（すなわち、ＴＨ０位
置）よりも僅かに後方に位置するようにする。
【０１２９】続いて、上部ポールチップ６３ａをマスク
として、その周辺の記録ギャップ層９および下部ポール
チップ６１ａを自己整合的にエッチングして、トリム構
造を形成する。
として、その周辺の記録ギャップ層９および下部ポール
チップ６１ａを自己整合的にエッチングして、トリム構
造を形成する。
【０１３０】次に、上部ポールチップ６３ａと上部接続
部６３ｂとの間に形成された凹部領域の記録ギャップ層
９上に、例えば電解めっき法により、例えば銅（Ｃｕ）
よりなる誘導型の記録ヘッド用の１層目の薄膜コイル６
４を１．５〜２．５μｍの厚みで形成する。このとき同
時に、上部接続部６３ｂの後方領域（図の右側領域）
に、薄膜コイル６４を後述する第２層の薄膜コイルと接
続するためのコイル接続部６４Ｃを形成する。
部６３ｂとの間に形成された凹部領域の記録ギャップ層
９上に、例えば電解めっき法により、例えば銅（Ｃｕ）
よりなる誘導型の記録ヘッド用の１層目の薄膜コイル６
４を１．５〜２．５μｍの厚みで形成する。このとき同
時に、上部接続部６３ｂの後方領域（図の右側領域）
に、薄膜コイル６４を後述する第２層の薄膜コイルと接
続するためのコイル接続部６４Ｃを形成する。
【０１３１】次に、図３８に示したように、全面に、ス
パッタ法により、例えばアルミナ等の絶縁材料よりなる
膜厚３．０〜４．０μｍの絶縁層６５を形成した後、例
えばＣＭＰ法により表面を平坦化し、上部ポールチップ
６３ａおよび上部接続部６３ｂの表面を露出させる。
パッタ法により、例えばアルミナ等の絶縁材料よりなる
膜厚３．０〜４．０μｍの絶縁層６５を形成した後、例
えばＣＭＰ法により表面を平坦化し、上部ポールチップ
６３ａおよび上部接続部６３ｂの表面を露出させる。
【０１３２】続いて、絶縁層６５を選択的にエッチング
して、コイル接続部６４Ｃに達する開口６５ａを形成す
る。
して、コイル接続部６４Ｃに達する開口６５ａを形成す
る。
【０１３３】次に、絶縁層６５上に、例えば電解めっき
法により、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッ
ド用の２層目の薄膜コイル６６を１．５〜２．５μｍの
厚みで形成する。このとき、同時に、開口６５ａを介し
てコイル接続部６４Ｃと接触するコイル接続部６６Ｃを
形成する。
法により、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッ
ド用の２層目の薄膜コイル６６を１．５〜２．５μｍの
厚みで形成する。このとき、同時に、開口６５ａを介し
てコイル接続部６４Ｃと接触するコイル接続部６６Ｃを
形成する。
【０１３４】次に、高精度のフォトリソグラフィによ
り、薄膜コイル６６およびコイル接続部６４Ｃを覆うよ
うにしてフォトレジスト層６７を形成したのち、このフ
ォトレジスト層６７の表面の平坦化および薄膜コイル６
６間の絶縁化のために、例えば２５０°Ｃの温度で熱処
理する。
り、薄膜コイル６６およびコイル接続部６４Ｃを覆うよ
うにしてフォトレジスト層６７を形成したのち、このフ
ォトレジスト層６７の表面の平坦化および薄膜コイル６
６間の絶縁化のために、例えば２５０°Ｃの温度で熱処
理する。
【０１３５】次に、例えば上部ポールチップ４５ａと同
じ材料を用いて、例えば電解めっき法などの方法によ
り、上部磁極６８を約３〜４μｍの厚みに選択的に形成
する。その際、上部磁極６８の一部が上部ポールチップ
６３ａの一部とオーバーラップし、かつ、上部磁極６８
の前側（エアベアリング面側）の端縁面２２の位置が下
部ポールチップ６１ａの後側の端縁の位置（すなわち、
ＴＨ０位置）と一致することとなるようにする。また、
上部磁極６８の後側の端部が上部接続部６３ｂ上に差し
掛かるようにする。これにより、上部磁極６８は、上部
ポールチップ６３ａと磁気的に連結されると共に、上部
接続部６３ｂおよび下部接続部６１ｂを介して下部磁極
７と磁気的に連結される。
じ材料を用いて、例えば電解めっき法などの方法によ
り、上部磁極６８を約３〜４μｍの厚みに選択的に形成
する。その際、上部磁極６８の一部が上部ポールチップ
６３ａの一部とオーバーラップし、かつ、上部磁極６８
の前側（エアベアリング面側）の端縁面２２の位置が下
部ポールチップ６１ａの後側の端縁の位置（すなわち、
ＴＨ０位置）と一致することとなるようにする。また、
上部磁極６８の後側の端部が上部接続部６３ｂ上に差し
掛かるようにする。これにより、上部磁極６８は、上部
ポールチップ６３ａと磁気的に連結されると共に、上部
接続部６３ｂおよび下部接続部６１ｂを介して下部磁極
７と磁気的に連結される。
【０１３６】最後に、全面を覆うように、例えばスパッ
タ法によりアルミナよりなる膜厚約３０μｍのオーバー
コート層６９を形成する。その後、スライダの機械加工
を行い、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング
面（ＡＢＳ）を形成することにより、薄膜磁気ヘッドが
完成する。
タ法によりアルミナよりなる膜厚約３０μｍのオーバー
コート層６９を形成する。その後、スライダの機械加工
を行い、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング
面（ＡＢＳ）を形成することにより、薄膜磁気ヘッドが
完成する。
【０１３７】本実施の形態においても、上記第３および
第４の実施の形態の場合と同様の作用、効果を奏する。
すなわち、記録媒体上の記録トラック幅を正確にコント
ロールしてサイドライト現象の発生を効果的に防止でき
ると共に、十分なオーバーライト特性を確保することが
可能である。
第４の実施の形態の場合と同様の作用、効果を奏する。
すなわち、記録媒体上の記録トラック幅を正確にコント
ロールしてサイドライト現象の発生を効果的に防止でき
ると共に、十分なオーバーライト特性を確保することが
可能である。
【０１３８】また、本実施の形態では、上部ポールチッ
プ６３ａを平坦部上に形成することができるため、フォ
トリソグラフィによるフォトレジストパターンの形成を
高精度に行うことができ、上部ポールチップ６３ａの先
端部２７ａ(1) の幅を０．５〜０．２５μｍの精度で微
細化することも可能である。
プ６３ａを平坦部上に形成することができるため、フォ
トリソグラフィによるフォトレジストパターンの形成を
高精度に行うことができ、上部ポールチップ６３ａの先
端部２７ａ(1) の幅を０．５〜０．２５μｍの精度で微
細化することも可能である。
【０１３９】以上、いくつかの実施の形態を挙げて本発
明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定さ
れず、種々の変形が可能である。例えば、上記の各実施
の形態およびその変形例では、複合型薄膜磁気ヘッドの
製造方法について説明したが、本発明は、書き込み用の
誘導型磁気変換素子を有する記録専用の薄膜磁気ヘッド
や記録・再生兼用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁
気ヘッドにも適用することができる。また、本発明は、
書き込み用の素子と読み出し用の素子の積層順序を逆転
させた構造の薄膜磁気ヘッドにも適用することができ
る。
明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定さ
れず、種々の変形が可能である。例えば、上記の各実施
の形態およびその変形例では、複合型薄膜磁気ヘッドの
製造方法について説明したが、本発明は、書き込み用の
誘導型磁気変換素子を有する記録専用の薄膜磁気ヘッド
や記録・再生兼用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁
気ヘッドにも適用することができる。また、本発明は、
書き込み用の素子と読み出し用の素子の積層順序を逆転
させた構造の薄膜磁気ヘッドにも適用することができ
る。
【０１４０】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１ないし請
求項１４のいずれか１に記載の薄膜磁気ヘッド、または
請求項１５ないし請求項２８のいずれか１に記載の薄膜
磁気ヘッドの製造方法によれば、２つの磁性層のうちの
少なくとも一方の磁性層が、記録媒体に対向する記録媒
体対向面から絶縁層における記録媒体に近い側の端縁部
またはその近傍にかけて延在し、記録トラックの幅を規
定する一定幅を有する第１の磁性層部分と、絶縁層にお
ける上記の端縁部またはその近傍において第１の磁性層
部分と磁気的に連結する第２の磁性層部分とを含むよう
にし、連結部における第１の磁性層部分の幅が連結部に
おける第２の磁性層部分の幅よりも小さくなるように、
連結部に幅方向の段差を形成することとしたので、第１
の磁性層部分を形成する際のフォトリソグラフィ工程に
おける下地層からの無用な反射光の影響を抑制して第１
の磁性層部分の幅を精度よく形成することができると共
に、薄膜コイルによって発生した磁束が第１の磁性層部
分に流れ込む前に第２の磁性層部分で飽和してしまうの
を抑制することができる。したがって、第１の磁性層部
分の幅を例えばサブミクロン領域にまで微細化しつつ、
十分なオーバーライト特性を担保することができるとい
う効果を奏する。
求項１４のいずれか１に記載の薄膜磁気ヘッド、または
請求項１５ないし請求項２８のいずれか１に記載の薄膜
磁気ヘッドの製造方法によれば、２つの磁性層のうちの
少なくとも一方の磁性層が、記録媒体に対向する記録媒
体対向面から絶縁層における記録媒体に近い側の端縁部
またはその近傍にかけて延在し、記録トラックの幅を規
定する一定幅を有する第１の磁性層部分と、絶縁層にお
ける上記の端縁部またはその近傍において第１の磁性層
部分と磁気的に連結する第２の磁性層部分とを含むよう
にし、連結部における第１の磁性層部分の幅が連結部に
おける第２の磁性層部分の幅よりも小さくなるように、
連結部に幅方向の段差を形成することとしたので、第１
の磁性層部分を形成する際のフォトリソグラフィ工程に
おける下地層からの無用な反射光の影響を抑制して第１
の磁性層部分の幅を精度よく形成することができると共
に、薄膜コイルによって発生した磁束が第１の磁性層部
分に流れ込む前に第２の磁性層部分で飽和してしまうの
を抑制することができる。したがって、第１の磁性層部
分の幅を例えばサブミクロン領域にまで微細化しつつ、
十分なオーバーライト特性を担保することができるとい
う効果を奏する。
【０１４１】特に、請求項２記載の薄膜磁気ヘッドまた
は請求項１６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、連結部における第２の磁性層部分の段差面が第１の
磁性層部分の延在方向と実質的に垂直をなすようにした
ので、第１の磁性層部分を形成する際のフォトリソグラ
フィ工程における下地層からの無用な反射光の影響を抑
制する作用が十分となり、第１の磁性層部分の幅をさら
に精度よく形成することができるという効果を奏する。
は請求項１６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、連結部における第２の磁性層部分の段差面が第１の
磁性層部分の延在方向と実質的に垂直をなすようにした
ので、第１の磁性層部分を形成する際のフォトリソグラ
フィ工程における下地層からの無用な反射光の影響を抑
制する作用が十分となり、第１の磁性層部分の幅をさら
に精度よく形成することができるという効果を奏する。
【０１４２】また、請求項１２記載の薄膜磁気ヘッドま
たは請求項２６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、第３の磁性層部分が連結部を越えて第１の磁性層部
分の一部ともオーバーラップするように延在し、そのオ
ーバーラップした部分における第３の磁性層部分の、記
録媒体に近い側の端縁面が第１の磁性層部分の延在方向
と直交するようにしたので、この連結部における幅方向
の段差の角部に丸みがあったとしても、記録媒体の記録
トラック幅を規定することとなる第１の磁性層部分の幅
は、その影響を受けず上記の直交部分から先端部にわた
って正確に一定となる。したがって、本実施の形態によ
れば、記録媒体の記録トラック幅を正確にコントロール
することができるという効果を奏する。
たは請求項２６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、第３の磁性層部分が連結部を越えて第１の磁性層部
分の一部ともオーバーラップするように延在し、そのオ
ーバーラップした部分における第３の磁性層部分の、記
録媒体に近い側の端縁面が第１の磁性層部分の延在方向
と直交するようにしたので、この連結部における幅方向
の段差の角部に丸みがあったとしても、記録媒体の記録
トラック幅を規定することとなる第１の磁性層部分の幅
は、その影響を受けず上記の直交部分から先端部にわた
って正確に一定となる。したがって、本実施の形態によ
れば、記録媒体の記録トラック幅を正確にコントロール
することができるという効果を奏する。
【０１４３】また、請求項１３記載の薄膜磁気ヘッドま
たは請求項２７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、さらに、第３の磁性層部分の上記端縁面の位置が、
絶縁層における記録媒体に近い側の端縁部の位置と一致
するようにしたので、いわゆるスロートハイトと呼ばれ
る範囲の全域にわたって、第１の磁性層部分の幅が正確
に一定となり、記録媒体の記録トラック幅をより正確に
コントロールすることができるという効果を奏する。
たは請求項２７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、さらに、第３の磁性層部分の上記端縁面の位置が、
絶縁層における記録媒体に近い側の端縁部の位置と一致
するようにしたので、いわゆるスロートハイトと呼ばれ
る範囲の全域にわたって、第１の磁性層部分の幅が正確
に一定となり、記録媒体の記録トラック幅をより正確に
コントロールすることができるという効果を奏する。
【０１４４】また、請求項１４記載の薄膜磁気ヘッドま
たは請求項２８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、たとえ、第２の磁性層部分を上記の斜面上に形成す
ることに起因して、第１の磁性層部分の形成のためのフ
ォトリソグラフィ工程での露光状態の悪影響が生じ、こ
れにより上記の連結部における幅方向の段差の角部に比
較的大きな丸みが生じたとしても、第１の磁性層部分の
実質的な幅にばらつきが生ずるという事態は回避され
る。すなわち、従来困難であった、斜面に差しかかるよ
うに形成される記録用磁極の幅の安定化が可能であると
いう効果を奏する。
たは請求項２８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、たとえ、第２の磁性層部分を上記の斜面上に形成す
ることに起因して、第１の磁性層部分の形成のためのフ
ォトリソグラフィ工程での露光状態の悪影響が生じ、こ
れにより上記の連結部における幅方向の段差の角部に比
較的大きな丸みが生じたとしても、第１の磁性層部分の
実質的な幅にばらつきが生ずるという事態は回避され
る。すなわち、従来困難であった、斜面に差しかかるよ
うに形成される記録用磁極の幅の安定化が可能であると
いう効果を奏する。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。
【図２】図１に続く工程を説明するための断面図であ
る。
る。
【図３】図２に続く工程を説明するための断面図であ
る。
る。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図であ
る。
る。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図であ
る。
る。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図であ
る。
る。
【図７】図６に続く工程を説明するための断面図であ
る。
る。
【図８】完成した薄膜磁気ヘッドの平面構造を表す平面
図である。
図である。
【図９】図８に示した薄膜磁気ヘッドにおける上部磁極
の平面構造を表す平面図である。
の平面構造を表す平面図である。
【図１０】図８に示した薄膜磁気ヘッドにおける作用を
説明するための上部磁極の拡大平面図である。
説明するための上部磁極の拡大平面図である。
【図１１】図８に示した薄膜磁気ヘッドに対する比較例
における作用を説明するための上部磁極の拡大平面図で
ある。
における作用を説明するための上部磁極の拡大平面図で
ある。
【図１２】図８に示した薄膜磁気ヘッドと従来の薄膜磁
気ヘッドのオーバーライト特性を表す図である。
気ヘッドのオーバーライト特性を表す図である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの上部磁極の変形例を表す平面図である。
ッドの上部磁極の変形例を表す平面図である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの上部磁極の他の変形例を表す平面図である。
ッドの上部磁極の他の変形例を表す平面図である。
【図１５】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの上部磁極のさらに他の変形例を表す平面図であ
る。
ッドの上部磁極のさらに他の変形例を表す平面図であ
る。
【図１６】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。
【図１７】図１６に続く工程を説明するための断面図で
ある。
ある。
【図１８】図１７に続く工程を説明するための断面図で
ある。
ある。
【図１９】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの変形例を表す断面図である。
ッドの変形例を表す断面図である。
【図２０】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの上部磁極および上部ポールチップの平面構造を表
す平面図である。
ッドの上部磁極および上部ポールチップの平面構造を表
す平面図である。
【図２１】図２０に示した上部ポールチップの平面構造
を拡大して表す平面図である。
を拡大して表す平面図である。
【図２２】図２１に示した上部ポールチップの変形例を
表す平面図である
表す平面図である
【図２３】図２０に示した上部磁極および上部ポールチ
ップの変形例を表す平面図である。
ップの変形例を表す平面図である。
【図２４】図２３に示した上部ポールチップの平面構造
を拡大して表す平面図である。
を拡大して表す平面図である。
【図２５】図２０に示した上部磁極および上部ポールチ
ップの他の変形例を表す平面図である。
ップの他の変形例を表す平面図である。
【図２６】本発明の薄膜磁気ヘッドにおける上部磁極お
よび上部ポールチップの変形例を表す平面図である。
よび上部ポールチップの変形例を表す平面図である。
【図２７】本発明の薄膜磁気ヘッドにおける上部磁極お
よび上部ポールチップの他の変形例を表す平面図であ
る。
よび上部ポールチップの他の変形例を表す平面図であ
る。
【図２８】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの上部磁極および上部ポールチップの平面構造を表
す平面図である。
ッドの上部磁極および上部ポールチップの平面構造を表
す平面図である。
【図２９】図２８に示した上部磁極および上部ポールチ
ップの要部を拡大した平面図である。
ップの要部を拡大した平面図である。
【図３０】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの上部磁極および上部ポールチップにおける変形例
を表す平面図である。
ッドの上部磁極および上部ポールチップにおける変形例
を表す平面図である。
【図３１】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの上部磁極および上部ポールチップにおける他の変
形例を表す平面図である。
ッドの上部磁極および上部ポールチップにおける他の変
形例を表す平面図である。
【図３２】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの上部磁極および上部ポールチップにおけるさらに
他の変形例を表す平面図である。
ッドの上部磁極および上部ポールチップにおけるさらに
他の変形例を表す平面図である。
【図３３】本発明の第４の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。
【図３４】図３３に続く断面図である。
【図３５】図３４に続く断面図である。
【図３６】本発明の第５の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。
【図３７】図３６に続く断面図である。
【図３８】図３７に続く断面図である。
【図３９】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における一
工程を説明するための断面図である。
工程を説明するための断面図である。
【図４０】図３９に続く工程を説明するための断面図で
ある。
ある。
【図４１】図４０に続く工程を説明するための断面図で
ある。
ある。
【図４２】従来の薄膜磁気ヘッドの構造を表す断面図で
ある。
ある。
【図４３】従来の薄膜磁気ヘッドにおけるエアベアリン
グ面に平行な断面を示す断面図である。
グ面に平行な断面を示す断面図である。
【図４４】従来の薄膜磁気ヘッドの構造を示す平面図で
ある。
ある。
【図４５】従来の薄膜磁気ヘッドにおける上部磁極の構
造を示す平面図である。
造を示す平面図である。
【図４６】従来の薄膜磁気ヘッドにおける上部磁極を微
細化する場合の問題点を説明するための上部磁極の平面
図である。
細化する場合の問題点を説明するための上部磁極の平面
図である。
１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、４，６…
シールドギャップ膜、５…ＭＲ膜、７…下部磁極、８…
絶縁層、９…記録ギャップ層、１０，１２，２９，３
５，４３，４７，６４，６６…薄膜コイル、１１，１
３，３６，６７…フォトレジスト層、１７，２７ｃ，３
７，４９，６８，…上部磁極、１７ａ…ヨーク部、１７
ｂ…中間部、１７ｃ…先端部、１８，３１，３８，５
０，６９…オーバーコート層、２０…エアベアリング
面、２１…段差面、２２…端縁面、２３…側縁面、２５
…絶縁膜パターン、２７ａ，４５ａ，６３ａ…上部ポー
ルチップ、２７ｂ…磁路形成パターン、２７ａ(1) …先
端部、２７ａ(2) …中間部、２７ｃ(1) …ヨーク部、２
７ｃ(2) …接続部、２８，４２，４６…絶縁膜、３０，
４４，４８，６２，６５…絶縁層、４１ａ，６１ａ…下
部ポールチップ、４１ｂ，６１ｂ…下部接続部、４５
ｂ，６３ｂ…上部接続部、ＴＨ…スロートハイト。
シールドギャップ膜、５…ＭＲ膜、７…下部磁極、８…
絶縁層、９…記録ギャップ層、１０，１２，２９，３
５，４３，４７，６４，６６…薄膜コイル、１１，１
３，３６，６７…フォトレジスト層、１７，２７ｃ，３
７，４９，６８，…上部磁極、１７ａ…ヨーク部、１７
ｂ…中間部、１７ｃ…先端部、１８，３１，３８，５
０，６９…オーバーコート層、２０…エアベアリング
面、２１…段差面、２２…端縁面、２３…側縁面、２５
…絶縁膜パターン、２７ａ，４５ａ，６３ａ…上部ポー
ルチップ、２７ｂ…磁路形成パターン、２７ａ(1) …先
端部、２７ａ(2) …中間部、２７ｃ(1) …ヨーク部、２
７ｃ(2) …接続部、２８，４２，４６…絶縁膜、３０，
４４，４８，６２，６５…絶縁層、４１ａ，６１ａ…下
部ポールチップ、４１ｂ，６１ｂ…下部接続部、４５
ｂ，６３ｂ…上部接続部、ＴＨ…スロートハイト。
Claims (28)
- 【請求項１】 磁気的に連結され、かつ記録媒体に対
向する側の一部がギャップ層を介して対向する２つの磁
極を含む少なくとも２つの磁性層と、 これらの少なくとも２つの磁性層の間に絶縁層を介して
配設された薄膜コイル部とを有する薄膜磁気ヘッドであ
って、 前記２つの磁性層のうちの少なくとも一方の磁性層は、 記録媒体に対向する記録媒体対向面から前記絶縁層にお
ける記録媒体に近い側の端縁部またはその近傍にかけて
延在し、記録媒体の記録トラックの幅を規定する一定幅
を有する第１の磁性層部分と、 前記絶縁層の前記端縁部またはその近傍において前記第
１の磁性層部分と磁気的に連結する第２の磁性層部分と
を含み、 前記第１の磁性層部分と第２の磁性層部分との連結部に
おける第１の磁性層部分の幅が、この連結部における第
２の磁性層部分の幅よりも小さくなるように、前記連結
部に幅方向の段差が形成されていることを特徴とする薄
膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記連結部における第２の磁性層部分
の段差面は、前記第１の磁性層部分の延在方向と実質的
に垂直をなすことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気
ヘッド。 - 【請求項３】 前記第２の磁性層部分の段差面におけ
る幅方向の端縁には、面取りが施されていることを特徴
とする請求項１または請求項２に記載の薄膜磁気ヘッ
ド。 - 【請求項４】 前記第２の磁性層部分の幅は、位置に
よらずにほぼ一定であることを特徴とする請求項１ない
し請求項３のいずれか１に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項５】 前記第２の磁性層部分の幅は、位置に
より異なることを特徴とする請求項１ないし請求項３の
いずれか１に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項６】 前記第２の磁性層部分の幅は、前記連
結部から遠ざかるに従って広くなることを特徴とする請
求項５記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項７】 前記一方の磁性層は、さらに、 前記第２の磁性層部分に磁気的に連結され、この第２の
磁性層部分よりも大きな幅および面積を有する第３の磁
性層部分を含むことを特徴とする請求項１ないし請求項
６のいずれか１に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項８】 前記第１の磁性層部分および前記第２
の磁性層部分は、同一工程により一体に形成されたもの
であることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいず
れか１に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項９】 前記第１の磁性層部分、前記第２の磁
性層部分および前記第３の磁性層部分は、同一工程によ
り一体に形成されたものであることを特徴とする請求項
７記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１０】 前記第１の磁性層部分および前記第
２の磁性層部分は、同一工程により一体に形成されたも
のであり、 前記第３の磁性層部分は、前記第１の磁性層部分および
前記第２の磁性層部分の形成工程と異なる工程により、
これらの部分とは別体として形成されたものであること
を特徴とする請求項７記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１１】 前記第３の磁性層部分は、前記第２
の磁性層部分の少なくとも一部とオーバーラップするよ
うに延在していることを特徴とする請求項１０記載の薄
膜磁気ヘッド。 - 【請求項１２】 前記第３の磁性層部分は、前記連結
部を越えて前記第１の磁性層部分の一部ともオーバーラ
ップするように延在し、 そのオーバーラップした部分における前記第３の磁性層
部分の、記録媒体に近い側の端縁面が、前記第１の磁性
層部分の延在方向と直交していることを特徴とする請求
項１１記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１３】 前記第３の磁性層部分の前記端縁面
の位置は、前記絶縁層における記録媒体に近い側の端縁
部の位置と一致していることを特徴とする請求項１２記
載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１４】 前記第２の磁性層部分の少なくとも
一部は、前記絶縁層により形成される斜面上に配置され
ていることを特徴とする請求項１ないし請求項１３のい
ずれか１に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１５】 磁気的に連結され、かつ記録媒体に
対向する側の一部がギャップ層を介して対向する２つの
磁極を含む少なくとも２つの磁性層を形成する工程と、 前記少なくとも２つの磁性層の間に絶縁層を介して配置
されるように薄膜コイル部を形成する工程とを含み、 前記少なくとも２つの磁性層のうちの一の磁性層が、記
録媒体に対向する記録媒体対向面から前記絶縁層におけ
る記録媒体に近い側の端縁部またはその近傍にかけて延
在して記録媒体の記録トラックの幅を規定する一定幅を
有する第１の磁性層部分と、前記絶縁層の前記端縁部ま
たはその近傍において前記第１の磁性層部分と磁気的に
連結する第２の磁性層部分とを含むように形成すると共
に、 前記第１の磁性層部分と第２の磁性層部分との連結部に
おける第１の磁性層部分の幅が、この連結部における第
２の磁性層部分の幅よりも小さくなるように、前記連結
部に幅方向の段差を形成することを特徴とする薄膜磁気
ヘッドの製造方法。 - 【請求項１６】 前記連結部における第２の磁性層部
分の段差面が前記第１の磁性層部分の延在方向と実質的
に垂直をなすようにしたことを特徴とする請求項１５記
載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１７】 前記第２の磁性層部分の段差面にお
ける幅方向の端縁に面取りを施すようにしたことを特徴
とする請求項１５または請求項１６に記載の薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。 - 【請求項１８】 前記第２の磁性層部分の幅が位置に
よらずにほぼ一定であるようにしたことを特徴とする請
求項１５ないし請求項１７のいずれか１に記載の薄膜磁
気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１９】 前記第２の磁性層部分の幅が位置に
より異なるようにしたことを特徴とする請求項１５ない
し請求項１７のいずれか１に記載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法。 - 【請求項２０】 前記第２の磁性層部分の幅が前記連
結部から遠ざかるに従って広くなるようにしたことを特
徴とする請求項１９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２１】 前記一方の磁性層が、さらに、 前記第２の磁性層部分に磁気的に連結され、この第２の
磁性層部分よりも大きな幅および面積を有する第３の磁
性層部分を含むようにしたことを特徴とする請求項１５
ないし請求項２０のいずれか１に記載の薄膜磁気ヘッド
の製造方法。 - 【請求項２２】 前記第１の磁性層部分および前記第
２の磁性層部分を、同一工程により一体に形成するよう
にしたことを特徴とする請求項１５ないし請求項２１の
いずれか１に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２３】 前記第１の磁性層部分、前記第２の
磁性層部分および前記第３の磁性層部分を、同一工程に
より一体に形成するようにしたことを特徴とする請求項
２１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２４】 前記第１の磁性層部分および前記第
２の磁性層部分を、同一工程により一体に形成し、 前記第３の磁性層部分を、前記第１の磁性層部分および
前記第２の磁性層部分の形成工程と異なる工程により、
これらの部分とは別体として形成するようにしたことを
特徴とする請求項２１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法。 - 【請求項２５】 前記第３の磁性層部分が前記第２の
磁性層部分の少なくとも一部とオーバーラップして延在
することとなるように、前記第３の磁性層部分を形成す
ることを特徴とする請求項２４記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法。 - 【請求項２６】 前記第３の磁性層部分が前記連結部
を越えて前記第１の磁性層部分の一部ともオーバーラッ
プして延在すると共に、 そのオーバーラップした部分における第３の磁性層部分
の、記録媒体に近い側の端縁面が、前記第１の磁性層部
分の延在方向と直交することとなるように、前記第３の
磁性層部分を形成することを特徴とする請求項２５記載
の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２７】 前記第３の磁性層部分の前記端縁面
の位置が前記絶縁層における記録媒体に近い側の端縁部
の位置と一致することとなるように、前記第３の磁性層
部分を形成することを特徴とする請求項２６記載の薄膜
磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２８】 前記第２の磁性層部分の少なくとも
一部が前記絶縁層により形成される斜面上に配置される
こととなるように、前記第２の磁性層部分を形成するこ
とを特徴とする請求項１５ないし請求項２７のいずれか
１に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP10320963A JP2000105907A (ja) | 1998-07-30 | 1998-11-11 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| US09/192,284 US6330127B1 (en) | 1998-07-30 | 1998-11-16 | Thin film magnetic head and method of manufacturing same |
| US09/887,263 US6441995B1 (en) | 1998-07-30 | 2001-06-25 | Thin film magnetic head and method of manufacturing same |
| US10/023,814 US6430003B1 (en) | 1998-07-30 | 2001-12-21 | Thin film magnetic head and method of manufacturing same |
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|---|---|---|---|
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| JP21617798 | 1998-07-30 | ||
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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ID=26521282
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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