JP2001256610A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来の薄膜磁気ヘッドでは、サイドフリンジ
ングの発生を適正に抑制できず、また再現性良く薄膜磁
気ヘッドを製造することができなかった。 【解決手段】 上部コア層２６の先端面２６ｃを、その
両側端部にかけてハイト方向に深くなる曲面形状で形成
し、また前記先端面２６ｃを、その下端から上端にかけ
てハイト方向に深くなる傾斜面または曲面で形成するこ
とで、サイドフリンジングの発生を適正に抑制できると
同時に、上部コア層からの磁束を、上部磁極層に効率良
く流すことができ、今後の高記録密度化に対応可能な薄
膜磁気ヘッドを製造することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば浮上式磁気
ヘッドなどに使用される記録用の薄膜磁気ヘッドに係
り、特にサイドフリンジングを適切に低減させることが
でき、また高い再現性で製造可能な薄膜磁気ヘッド及び
その製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図２４は、従来における薄膜磁気ヘッド
（インダクティブヘッド）の構造を示す部分正面図、図
２５は、図２４の薄膜磁気ヘッドの部分断面図である。

【０００３】図２４及び図２５に示す符号１は、パーマ
ロイなどの磁性材料で形成された下部コア層であり、こ
の下部コア層１の両側には絶縁層３が形成されている。

【０００４】図２４に示すように、前記下部コア層１上
には、ギャップ層４と前記磁極層５とがトラック幅Ｔｗ
で形成され、しかも記録媒体との対向面に露出形成され
ている。前記ギャップ層４は図２５に示すように、下部
コア層１上を後述する上部コア層１０の基端部１０ｂと
前記下部コア層１とが接触する位置まで長く延ばされて
形成され、一方前記上部磁極層５は、前記ギャップ層４
上に形成されたＧｄ決め絶縁層６上にまで延ばされて形
成されている。なお前記ギャップ層４は例えばＳｉＯ₂
等の非金属絶縁材料で形成されている。

【０００５】図２４及び図２５に示すように、前記上部
磁極層５のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側及びハ
イト側（図示Ｙ方向）には、絶縁層７が形成されてい
る。

【０００６】そして前記絶縁層７上にはコイル層１３が
螺旋状にパターン形成されており、前記コイル層１３上
は、有機絶縁材料で形成された絶縁層９によって埋めら
れている。

【０００７】前記絶縁層９上には、例えばフレームメッ
キ法で形成された上部コア層１０が形成されており、前
記上部コア層１０の先端部１０ａは、上部磁極層５と磁
気的に接続され、しかも記録媒体との対向面に露出形成
される。また前記上部コア層１０の基端部１０ｂは下部
コア層１上に磁気的に接続されている。

【０００８】図２４に示すように、前記上部コア層１０
の先端面１０ｃは、その全面が記録媒体との対向面に露
出形成される。

【０００９】次に図２４及び図２５に示す薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法について図２６ないし図３２を用いて以下
に説明する。

【００１０】図２６に示すように、下部コア層１上の全
面に例えばＳｉＯ₂等の絶縁材料で形成されたギャップ
層４を形成し、前記ギャップ層４上にトラック幅Ｔｗの
溝１１ａを有するレジスト層１１を形成する。前記溝１
１ａは記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方
向）に所定の長さ寸法で形成されている。そして前記溝
１１ａ内に例えばＮｉＦｅ系合金で形成された上部磁極
層５をメッキ形成し、前記レジスト層１１を除去する。

【００１１】図２７に示すように、前記上部磁極層５の
幅寸法、すなわちトラック幅Ｔｗは例えば０．４５μ
ｍ、高さ寸法ｈ１は３．５〜３．８μｍ程度で形成され
る。

【００１２】図２７では、前記上部磁極層５のトラック
幅方向（図示Ｘ方向）の両側を、イオンミリングにてエ
ッチングする（トリミング工程）。前記イオンミリング
により、図２８に示すように前記上部磁極層５の幅寸法
からトラック幅方向にはみ出すギャップ層４の部分は削
り取られ、さらに下部コア層１の両側上面が削られ、前
記下部コア層１の上面に突起部１ｂと傾斜面１ａが形成
される。

【００１３】図２９では、前記下部コア層１上であって
上部磁極層５の両側及び前記上部磁極層５上をＡｌ₂Ｏ₃
等の絶縁層７で埋め、さらに前記絶縁層７をＡ−Ａ線か
らＣＭＰ技術等を用いて研磨加工する。その状態を示し
たのが図３０である。

【００１４】次に前記絶縁層７上に、図２５に示すコイ
ル層１３及び絶縁層９を形成した後、図３１（部分平面
図）に示すように、前記絶縁層７，９、及び上部磁極層
５上にレジスト層１２を形成する。そして前記レジスト
層１２のパターン１２ａの部分を露光し、さらに現像し
て前記パターン１２ａの部分を除去する。

【００１５】そして前記パターン１２ａ内に磁性材料を
メッキし、前記レジスト層１２を除去すると上部コア層
１０が完成し、薄膜磁気ヘッドの先端付近の形状は図３
２に示す構造になる。

【００１６】なお上記したトリミング工程は、通常２回
行なわれ、一回目のトリミング工程では、下部コア層１
の膜面方向に対し、より垂直に近い傾きをもってイオン
照射が行なわれる。この工程により、上部磁極層５の下
面の両側に延びるギャップ層４が削られ、さらに、前記
ギャップ層４下の下部コア層１の一部も削られ、前記下
部コア層１に突起部１ｂが形成される。なおこの工程の
際、削られたギャップ層４及び下部コア層１の磁粉が上
部磁極層５の側面に再付着する不具合が発生するため、
二回目のトリミング工程では、一回目のトリミング工程
に比べてより斜め方向からイオン照射が行なわれ、前記
磁粉を取り除くと同時に、前記下部コア層１の両側上面
に傾斜面１ａ，１ａが形成されることになる。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら図２４及
び図２５に示す薄膜磁気ヘッドの構造では、トラック幅
Ｔｗよりも大きい幅寸法を有する上部コア層１０の先端
面１０ｃが記録媒体との対向面に露出形成されているの
で、前記上部コア層１０と上部磁極層５との間での磁気
漏れによりサイドフリンジングが発生し、前記サイドフ
リンジングが発生すると面記録密度が低下するといった
問題が生じる。

【００１８】従って今後の高記録密度化に対応可能な薄
膜磁気ヘッドを製造するには、トラック幅Ｔｗの狭小化
と同時にサイドフリンジングの発生を低減させる必要が
ある。

【００１９】また図２４及び図２５に示す薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法では、トリミング工程を行っているが、こ
のトリミング工程により、トラック幅Ｔｗや形状のバラ
ツキの発生、さらには上部磁極層５の高さの減少が激し
い等の問題が生じる。

【００２０】前記トリミング工程を行う理由は、図２７
に示す状態では、上部磁極層５の下面の両側にギャップ
層４及び下部コア層１が延びて形成されているので、前
記上部磁極層５と下部コア層１間でサイドフリンジング
が発生し易いからであり、図２８に示すように前記トリ
ミング工程により、前記上部磁極層５の下面の両側に広
がるギャップ層４を削り、さらに下部コア層１に、突起
部１ｂと傾斜面１ａを形成することにより、前記上部磁
極層５と下部コア層１間の距離を離すことができ、サイ
ドフリンジングの発生を適切に低減できるものと考えら
れていた。

【００２１】しかしながらトミリング工程を行なった場
合、上部磁極層５の両側に付着する磁粉量のバラツキや
前記磁粉除去の際のバラツキ、さらには上記したように
一回目のトリミング工程が下部コア層１の膜面方向に対
し、より垂直に近い方向からイオン照射が行なわれるこ
とにより、上部磁極層５の高さの著しい減少等が生じ、
この結果、トラック幅Ｔｗや上部磁極層５の形状にバラ
ツキが発生しやすく、さらに上部磁極層５の高さ寸法の
著しい減少や前記高さ寸法のバラツキが発生する。

【００２２】このためトリミング工程を行うと薄膜磁気
ヘッドの製造の際における再現性が悪化し、また上部磁
極層５の高さ寸法の減少により、前記上部磁極層５のボ
リュームが小さくなり、前記上部磁極層５が磁気飽和に
達し易く、記録特性の悪化を招く。

【００２３】本発明は、上記従来の問題を解決するため
のものであり、特にサイドフリンジングを適切に防止す
ることができると同時に、再現性良く製造可能な薄膜磁
気ヘッド及びその製造方法を提供することを目的として
いる。

【００２４】

【課題を解決するための手段】本発明における薄膜磁気
ヘッドは、下部コア層と、前記下部コア層上に下部磁極
層、ギャップ層、及び上部磁極層の順に積層され、ある
いはギャップ層及び上部磁極層の順に積層されて、記録
媒体との対向面に露出する記録コアと、前記記録コアの
前記上部磁極層の上に磁気的に接合される上部コア層
と、前記下部コア層、記録コア及び上部コア層に記録用
の磁界を誘導するコイルとが設けられ、前記上部コア層
の記録媒体との対向側に向く先端面が、トラック幅方向
の両側に向かうにしたがって、ハイト方向へ徐々に後退
する曲面形状であることを特徴とするものである。

【００２５】このように本発明では、前記上部コア層の
先端面が、トラック幅方向の両側に向かうしたがってハ
イト方向に後退する曲面形状で形成されることにより、
従来のように上部コア層の先端面の全面が露出形成され
ることはなく、従って本発明によれば、サイドフリンジ
ングの発生を適切に防止することができる。

【００２６】また前記上部コア層の先端面がトラック幅
方向にて曲面形状で形成されていることにより、前記上
部磁極層上に上部コア層をパターン形成する際に、前記
上部コア層の形成位置が前記上部磁極層に対し、所定位
置から多少ずれて形成されたとしてもサイドフリンジン
グの発生を従来に比べて低減させることが可能である。

【００２７】また本発明では、前記曲面形状のトラック
幅方向での終端部に接する接線を仮想線としたときに、
前記トラック幅方向に対する前記仮想線の傾きが、３０
°以上６０°以下であることが好ましい。

【００２８】また、前記上部コア層は、前記先端面の曲
面形状の終端部からハイト方向へ延び且つトラック幅方
向の幅寸法が一定の先端領域と、前記先端領域のハイト
側終端を起点としてハイト方向へ向けてトラック幅方向
の幅寸法が徐々に広がる後端領域とを有することが好ま
しい。

【００２９】なお前記上部コア層の前記先端面は、記録
媒体との対向面からハイト方向へ後退した位置にあって
もよい。この構成の場合、前記上部コア層の先端面は、
記録媒体との対向面に露出して形成されない。

【００３０】また上記のように、上部コア層の先端面
を、記録媒体との対向面からハイト方向に後退させて形
成することにより、サイドフリンジングの発生をさらに
適切に防止することが可能である。

【００３１】なお上記構成の場合、前記記録媒体との対
向面から前記上部コア層の先端面までの最短の後退距離
Ｌ３は、前記記録コアの前記対向面からハイト方向への
最長長さ寸法以下であることが好ましく、さらに前記後
退距離Ｌ３は、０μｍ＜Ｌ３≦０．８μｍであることが
好ましい。

【００３２】また本発明では、前記上部コア層の前記先
端面の少なくとも一部が、記録媒体との対向面に位置し
ていてもよい。なお本発明では、上記のように、前記先
端面は、トラック幅方向の両側に向かうにしたがってハ
イト方向に後退する曲面形状で形成されているので、従
来のように前記先端面の全面が記録媒体との対向面から
露出することはなく、本発明では、前記先端面の一部
が、記録媒体との対向面から露出することになる。

【００３３】また本発明では、上記構成の場合、前記上
部コア層の先端面は、下部コア層側から上部コア層側に
かけてハイト方向に徐々に深くなるように曲面あるいは
傾斜面で形成されていることが好ましい。

【００３４】このように、上部コア層の先端面が、下部
コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に深くな
る曲面あるいは傾斜面で形成されていると、サイドフリ
ンジングの発生をより低減させることができると同時
に、上部コア層から上部磁極層に磁束が流れ易くするこ
とができ、記録特性の向上を図ることが可能である。

【００３５】なお本発明では、前記上部コア層には、前
記先端面よりもハイト側に位置する背面が形成されてお
り、前記背面は、下部コア層側から上部コア層側に向け
て、ハイト方向へ徐々に深くなる曲面あるいは傾斜面で
あり、前記背面に形成されている前記傾斜面のハイト方
向に対する傾き角度、あるいは前記曲面の下部コア層側
の終端と上部コア層側の終端との中点における接線のハ
イト方向に対する傾き角度をθ１、前記上部コア層の前
記先端面に形成されている前記傾斜面のハイト方向に対
する傾き角度、あるいは前記曲面の下部コア層側の終端
と上部コア層側の終端との中点における接線のハイト方
向に対する傾き角度をθ２としたときに、前記θ２が前
記θ１よりも大きいことが好ましい。

【００３６】この構成により、上部コア層からの磁束を
効率良く上部磁極層に流すことができ、記録特性の向上
を図ることができる。

【００３７】なお前記傾き角度θ２は、６０°≦θ２＜
９０°であることが好ましい。また本発明では、前記上
部磁極層上に接合されている端部での前記上部コア層の
トラック幅方向の幅寸法が、前記上部磁極層のトラック
幅方向の幅寸法よりも大きいことが好ましい。この構成
により、上部コア層からの磁束を、上部磁極層に効率良
く流すことができ、記録特性の向上を図ることが可能で
ある。

【００３８】また本発明では、前記記録コアは、記録媒
体との対向面からハイト方向へ向けてトラック幅方向の
幅寸法が一定の先端領域と、前記先端領域のハイト側終
端を起点としてハイト方向へトラック幅方向の幅寸法が
徐々に広がる後端領域とを有していることが好ましい。
このようにトラック幅Ｔｗの広い後端領域が形成されて
いると、前記記録コアと上部コア層との接触面積を大き
くすることができる。

【００３９】なお前記上部コア層は、前記記録コアの少
なくとも後端領域に接合されていることが、上部コア層
からの磁束を効率良く、上部磁極層に流すことができて
好ましい。

【００４０】また本発明では、前記ギャップ層は、メッ
キ形成可能な非磁性金属材料で形成されていることが好
ましく、この場合、前記非磁性金属材料は、ＮｉＰ、Ｎ
ｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、
Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上から選択されたも
のであることが好ましい。

【００４１】また本発明における薄膜磁気ヘッドの製造
方法は、（ａ）下部コア層上の上に、下部磁極層、ギャ
ップ層及び上部磁極層の順に積層され且つ記録媒体との
対向面で前記下部磁極層と上部磁極層のトラック幅方向
の寸法を決めた記録コア、またはギャップ層及び上部磁
極層が順に積層され且つ記録媒体との対向面で前記上部
磁極層のトラック幅方向の幅寸法を決めた記録コアを形
成する工程と、（ｂ）前記（ａ）の工程の前にまたは前
記（ａ）の工程の後に、前記記録コアの周囲に絶縁層を
形成し、前記記録コアと前記絶縁層の上面を同一平面に
する工程と、（ｃ）前記記録コアと前記絶縁層の上にレ
ジスト層を形成する工程と、（ｄ）前記レジスト層に、
上部コア層を形成するための抜きパターンを形成し、こ
のとき前記パターンの記録媒体との対向側の先端面を、
トラック幅方向に向かうにしたがってハイト方向に徐々
に深くなる曲面形状とする工程と、（ｅ）前記パターン
内に、磁性材料をメッキ形成し、前記パターンにしたが
った曲面形状の先端面を有する上部コア層を形成する工
程と、を有することを特徴とするものである。

【００４２】本発明では、前記（ｄ）の工程で、前記レ
ジスト層の前記パターン以外の領域を露光し、その後に
現像することで、前記パターンの前記先端面を、下部コ
ア層側から上昇するにしたがってハイト方向へ後退する
傾斜面または曲面とし、且つ前記先端面の一部を記録媒
体との対向面の形成位置に一致させ、前記（ｅ）の工程
では、上部コア層の先端面の少なくとも一部が記録媒体
との対向面の形成位置に一致し、且つ上部コア層の前記
先端面を下部コア層側から上昇するにしたがってハイト
方向へ後退する傾斜面または曲面とすることが好まし
い。

【００４３】また本発明では、前記ギャップ層を、メッ
キ形成可能な非磁性金属材料で形成することが好まし
く、具体的には、前記非磁性金属材料を、ＮｉＰ、Ｎｉ
Ｐｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒ
ｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上から選択することが
好ましい。

【００４４】本発明における製造方法によれば、記録コ
アのトラック幅Ｔｗや高さ寸法のバラツキがなく再現性
良く薄膜磁気ヘッドを製造でき、しかもサイドフリンジ
ングの発生を抑制することが可能な薄膜磁気ヘッドを容
易に形成することができる。

【００４５】また、上部コア層のパターン形成の際に使
用するレジスト層を露光現像する際に、前記パターン以
外の領域のレジスト層に光を照射しその後現像すること
で、前記パターンの前記先端面を、下部コア層側から上
昇するにしたがってハイト方向へ後退する傾斜面または
曲面にでき、よって前記パターン内に形成される上部コ
ア層の先端面に、下部コア層側から上昇するにしたがっ
てハイト方向に深くなる傾斜面または曲面を形成するこ
とが可能である。

【００４６】

【発明の実施の形態】図１は、本発明における薄膜磁気
ヘッドの構造を示す部分正面図、図２は図１に示す薄膜
磁気ヘッドを２−２線から切断し矢印方向から見た部分
断面図、図３，４は、本発明における薄膜磁気ヘッドの
部分平面図の一例である。

【００４７】図１に示す薄膜磁気ヘッドは、記録用のイ
ンダクティブヘッドであるが、本発明では、このインダ
クティブヘッドの下に、磁気抵抗効果を利用した再生用
ヘッド（ＭＲヘッド）が積層されていてもよい。

【００４８】図１及び図２に示す符号２０は、例えばパ
ーマロイなどの磁性材料で形成された下部コア層であ
る。なお、前記下部コア層２０の下側に再生用ヘッドが
積層される場合、前記下部コア層２０とは別個に、磁気
抵抗効果素子をノイズから保護するシールド層を設けて
もよいし、あるいは、前記シールド層を設けず、前記下
部コア層２０を、前記再生用ヘッドの上部シールド層と
して機能させてもよい。

【００４９】図１に示すように前記下部コア層２０の両
側には、絶縁層２３が形成される。また図１に示すよう
に、後述する下部磁極層２１の基端から延びる下部コア
層２０の上面２０ａはトラック幅方向（図示Ｘ方向）と
平行な方向に延びて形成されていてもよく、あるいは、
前記上部コア層２６から離れる方向に傾斜する傾斜面２
０ｂ，２０ｂが形成されていてもよい。前記下部コア層
２０の上面に傾斜面２０ｂ，２０ｂが形成されること
で、サイドフリンジングの発生をより適切に低減させる
ことができる。

【００５０】図１、２に示すように、前記下部コア層２
０上には、記録コア２４が形成され、前記記録コア２４
は記録媒体との対向面に露出形成されている。この実施
例において前記記録コア２４はトラック幅Ｔｗで形成さ
れた、いわばトラック幅規制部である。前記トラック幅
Ｔｗは、０．７μｍ以下で形成されることが好ましく、
より好ましくは０．５μｍ以下である。

【００５１】図１および図２に示す実施例では、前記記
録コア２４は、下部磁極層２１、ギャップ層２２、およ
び上部磁極層３５の３層膜の積層構造で構成されてい
る。以下、前記磁極層２１、３５およびギャップ層２２
について説明する。

【００５２】図１および図２に示すように、前記下部コ
ア層２０上には、記録コア２４の最下層となる下部磁極
層２１がメッキ形成されている。前記下部磁極層２１
は、下部コア層２０と磁気的に接続されており、前記下
部磁極層２１は、前記下部コア層２０と同じ材質でも異
なる材質で形成されていてもどちらでもよい。また単層
膜でも多層膜で形成されていてもどちらでもよい。なお
前記下部磁極層２１の高さ寸法は、例えば０．３μｍ程
度で形成される。

【００５３】また図１及び図２に示すように、前記下部
磁極層２１上には、非磁性のギャップ層２２が積層され
ている。

【００５４】本発明では、前記ギャップ層２２は、非磁
性金属材料で形成されて、下部磁極層２１上にメッキ形
成されることが好ましい。なお本発明では、前記非磁性
金属材料として、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭ
ｏ、ＮｉＲｈ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒの
うち１種または２種以上を選択することが好ましく、前
記ギャップ層２２は、単層膜で形成されていても多層膜
で形成されていてもどちらであってもよい。なお前記ギ
ャップ層２２の高さ寸法は、例えば０．２μｍ程度で形
成される。

【００５５】次に前記ギャップ層２２上には、後述する
上部コア層２６と磁気的に接続する上部磁極層３５がメ
ッキ形成されている。なお前記上部磁極層３５は、上部
コア層２６と同じ材質で形成されていてもよいし、異な
る材質で形成されていてもよい。また単層膜でも多層膜
で形成されていてもどちらでもよい。なお前記上部磁極
層３５の高さ寸法は、例えば２．４μｍ〜２．７μｍ程
度で形成されている。

【００５６】上記したようにギャップ層２２が、非磁性
金属材料で形成されていれば、下部磁極層２１、ギャッ
プ層２２および上部磁極層３５を連続してメッキ形成す
ることが可能になる。

【００５７】なお本発明では前記記録コア２４は、上記
３層膜の積層構造に限らない。前記記録コア２４は、ギ
ャップ層２２と上部磁極層３５からなる２層膜で形成さ
れていてもよい。

【００５８】また上記したように、記録コア２４を構成
する下部磁極層２１および上部磁極層３５は、それぞれ
の磁極層が磁気的に接続されるコア層と同じ材質でも異
なる材質で形成されてもどちらでもよいが、記録密度を
向上させるためには、ギャップ層２２に対向する下部磁
極層２１および上部磁極層３５は、それぞれの磁極層が
磁気的に接続されるコア層の飽和磁束密度よりも高い飽
和磁束密度を有していることが好ましい。このように下
部磁極層２１および上部磁極層３５が高い飽和磁束密度
を有していることにより、ギャップ近傍に記録磁界を集
中させ、記録密度を向上させることが可能になる。

【００５９】なお図２に示すように、下部磁極層２１と
下部コア層２０間には、メッキ下地層２５が形成されて
いる。

【００６０】前記記録コア２４は、図２に示すように、
記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）からハイト方向（図示
Ｙ方向）にかけて長さ寸法Ｌ１で形成されている。

【００６１】図２に示すように、下部コア層２０上に
は、例えばレジスト等で形成されたＧｄ決め絶縁層２７
が形成されており、前記Ｇｄ決め絶縁層２７の表面は、
例えば曲面形状で形成されている。そして図２に示すよ
うに、前記曲面上に、上部磁極層３５が延びて形成され
ている。

【００６２】図２に示すように、前記Ｇｄ決め絶縁層２
７上における上部磁極層３５の高さ寸法ｈ２は、例えば
１．４μｍ〜１．７μｍ程度で形成される。従来にあっ
ては、前記高さ寸法ｈ２よりも小さく形成されてしま
い、前記上部磁極層のボリュームを稼ぐことができなか
ったが、本発明では、上部磁極層３５の高さ寸法ｈ２を
高く形成でき、前記上部磁極層３５のボリュームを大き
くすることができる。

【００６３】その理由は、本発明では、後述する製造方
法で説明するように、下部コア層２０の膜面に対して垂
直方向からのトリミング工程を不要としているからであ
る。

【００６４】またＧｄ決め絶縁層２７上に上部磁極層３
５を形成することで、前記上部磁極層３５の長さ寸法Ｌ
１を長く形成できるから、さらに前記上部磁極層３５の
ボリュームを稼ぐことができ、高記録密度化においても
前記上部磁極層３５の磁気飽和を低減でき、記録特性の
向上を図ることができる。

【００６５】また図２に示すように、前記Ｇｄ決め絶縁
層２７の前面から記録媒体との対向面までの長さ寸法Ｌ
２は、ギャップデプスＧｄとして規制されており、前記
ギャップデプスＧｄは、薄膜磁気ヘッドの電気特性に多
大な影響を与えることから、予め所定の長さに設定され
る。

【００６６】図２の実施例では、前記ギャップデプスＧ
ｄは、下部コア層２０上に形成されたＧｄ決め絶縁層２
７の形成位置によって規制されることになる。

【００６７】図２に示すように、前記記録コア２４のハ
イト方向（図示Ｙ方向）の後方であって下部コア層２０
上には絶縁下地層２８を介してコイル層２９が螺旋状に
巻回形成されている。前記絶縁下地層２８は、例えば、
ＡｌＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、ＴｉＯ、Ａｌ
Ｎ、ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＮｉＯ、
ＷＯ、ＷＯ₃、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくと
も１種からなる絶縁材料で形成されていることが好まし
い。

【００６８】さらに前記コイル層２９の各導体部のピッ
チ間は、絶縁層３０によって埋められている。前記絶縁
層３０は、ＡｌＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、Ｔ
ｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ
₃Ｎ₄、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ₃、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮ
のうち少なくとも１種から選択されることが好ましい。

【００６９】前記絶縁層３０は、図１に示すように、前
記記録コア２４のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側
に形成され、前記絶縁層３０は記録媒体との対向面に露
出形成されている。

【００７０】図２に示すように、前記絶縁層３０上に
は、レジストやポリイミド等の有機絶縁料で形成された
絶縁層３１が形成され、前記絶縁層３１上には、第２の
コイル層３３が螺旋状に巻回形成されている。

【００７１】図２に示すように、前記第２のコイル層３
３は、レジストやポリイミド等の有機材料で形成された
絶縁層３２によって覆われ、前記絶縁層３２上には、Ｎ
ｉＦｅ合金等で形成された上部コア層２６が例えばフレ
ームメッキ法等によりパターン形成されている。

【００７２】図２に示すように、前記上部コア層２６の
先端部２６ａは、前記上部磁極層３５上に磁気的に接続
されて形成され、前記上部コア層２６の基端部２６ｂ
は、下部コア層２０上にＮｉＦｅ合金等の磁性材料で形
成された持上げ層３６上に磁気的に接続されて形成され
ている。なお前記持上げ層３６は形成されていなくても
良く、この場合、前記上部コア層２６の基端部２６ｂ
は、下部コア層２０上に直接接続されることになる。

【００７３】なお図２に示す薄膜磁気ヘッドでは、コイ
ル層が２層積層されているが、１層で形成されていても
よい。この場合、例えば前記下部コア層２０上であっ
て、記録コア２４のハイト方向後方は絶縁層３０によっ
て埋められ、前記絶縁層３０上にコイル層が形成される
ことになる。あるいは図２に示す第２のコイル層３３が
形成されず、絶縁層３１上に沿って上部コア層２６が形
成されることになる。

【００７４】ところで本発明では図１及び２に示すよう
に、上部コア層２６の先端面２６ｃが、記録媒体との対
向面に露出形成されておらず、前記記録媒体との対向面
からハイト方向（図示Ｙ方向）に後退して形成されてい
る。

【００７５】このように本発明では、前記上部コア層２
６の先端面２６ｃが前記記録媒体との対向面からハイト
方向に後退して形成されることにより、サイドフリンジ
ングの発生を適正に低減することが可能となっている。

【００７６】図１に示すように前記上部コア層２６の先
端面２６ｃのトラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅
寸法はＴ１であり、この幅寸法Ｔ１はトラック幅Ｔｗよ
りも大きく形成される。このため前記上部コア層２６の
先端面２６ｃが記録媒体との対向面に露出形成される
と、前記上部コア層２６と上部磁極層３５間での漏れ磁
束によりサイドフリンジングが発生しやすく、今後の高
記録密度化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造すること
ができない。

【００７７】そこで本発明では、上記したように前記上
部コア層２６の先端面２６ｃを記録媒体との対向面から
ハイト方向に後退させて、前記記録媒体との対向面に前
記先端面２６ｃが露出しないようにしている。

【００７８】これにより記録媒体との対向面に露出する
上部磁極層３５と、前記上部コア層２６との間で、サイ
ドフリンジングの発生を適切に防止でき、今後の高記録
密度化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することがで
きる。

【００７９】なお図２、３に示すように、記録媒体との
対向面から上部コア層２６の先端面２６ｃまでの最短の
後退距離Ｌ３は、前記記録コアの前記対向面からハイト
方向への最長長さ寸法（＝Ｌ１）以下であり、さらに０
μｍ＜Ｌ３≦０．８μｍであることが好ましい。

【００８０】前記後退距離Ｌ３を、０．８μｍ以下にす
ることにより、上部コア層２６の磁束を比較的損失なく
して、上部磁極層３５に流入させることができる。

【００８１】また図２に示すように、前記上部コア層２
６の先端面２６ｃは、その下部コア層側から上部コア層
側（図示Ｚ方向）にかけて、ハイト方向（図示Ｙ方向）
に徐々に深くなる傾斜面で形成されている。あるいは前
記先端面２６ｃは、その下部コア層側から上部コア層側
にかけて、ハイト方向に徐々に深くなる曲面で形成され
ていてもよい。

【００８２】すなわち前記先端面２６ｃのハイト方向
（図示Ｙ方向）に対する傾き角度θ２、あるいは前記先
端面２６ｃが曲面で形成されている場合には、前記曲面
の下部コア層側の終端と上部コア層側の終端との中点に
おける接線のハイト方向に対する傾き角度θ２が、少な
くとも９０°より小さく形成されているのである。

【００８３】このように前記傾き角度θ２を９０°より
も小さくする利点は、以下の通りである。すなわち図２
に示すように前記上部コア層２６上は、例えばＡｌ₂Ｏ₃
等の絶縁材料で形成された保護層３４によって覆われる
が、前記傾き角度θ２を９０°よりも小さくすること
で、前記上部コア層２６の先端部２６ａと記録媒体との
対向面間Ｂを、空洞が形成されることなく前記保護層３
４によって完全に埋めることができるからである。

【００８４】このように上部コア層２６の先端面２６ｃ
の傾き角度θ２は９０°より小さいことが好ましいが、
どれだけ小さく形成されてもよいというわけではなく、
本発明では、前記上部コア層２６は、前記先端面２６ｃ
に対する背面２６ｄが、下部コア層側から上部コア層側
にかけてハイト方向に深くなる曲面あるいは傾斜面で形
成され、ハイト方向に対する前記傾斜面の傾き角度、あ
るいは前記曲面の下部コア層側の終端と上部コア層側の
終端との中点における接線のハイト方向に対する傾き角
度をθ１としたとき、前記傾き角度θ２は、前記傾き角
度θ１よりも大きいことが好ましいとしている。

【００８５】このように、前記先端面２６ｃの傾き角度
θ２を、背面２６ｄの傾き角度θ１よりも大きくするこ
とで、前記上部コア層２６の先端部２６ａ形状の先細り
を防止でき、上部コア層２６からの磁束を、上部磁極層
３５に効率良く流すことが可能になり、記録特性の向上
を図ることができる。

【００８６】さらに本発明では、前記先端面２６ｃの傾
き角度θ２は、６０°≦θ２＜９０°の範囲内であるこ
とが好ましい。前記先端面２６ｃの傾き角度θ２が、６
０°よりも小さく形成されると、上記した前記上部コア
層２６の先端部２６ａ形状の先細りが顕著になり、前記
先端部２６ａのボリュームが小さくなり、前記上部コア
層２６から上部磁極層３５へ流れる磁束伝達効率が悪化
しやすいからである。

【００８７】なお前記先端面２６ｃが、下部コア層側か
ら上部コア層側にかけてハイト方向に徐々に深くなる曲
面で形成される場合、前記曲面は凸形状で形成されても
よいし、あるいは凹形状で形成されていてもよい。

【００８８】次に図３に示すように、前記上部コア層２
６の先端面２６ｃは、トラック幅方向に向かうにしたが
って、ハイト方向に徐々に後退する曲面形状で形成され
ている。

【００８９】このように前記上部コア層２６の先端面２
６ｃはトラック幅方向に、従来のように平面形状で形成
されず、曲面形状で形成されることで、前記先端面２６
ｃと側面間に角が無くなり、前記上部コア層２６と上部
磁極層３５間での磁束漏れをさらに低減させることがで
き、サイドフリンジングの発生をより低減させることが
可能である。

【００９０】また前記上部コア層２６の先端面２６ｃを
トラック幅方向に曲面形状にすることで、上部磁極層３
５に対する前記上部コア層２６の形成位置が、多少トラ
ック幅方向（図示Ｘ方向）にずれても、前記先端面２６
ｃがトラック幅方向に平面形状で形成されている場合に
比べてサイドフリンジングの影響を少なくすることがで
きる。よって上部コア層２６の上部磁極層３５に対する
アライメント精度が、多少低下してもサイドフリンジン
グの発生を適切に低減させることができる薄膜磁気ヘッ
ドを製造することが可能である。

【００９１】なお本発明では、前記曲面形状のトラック
幅方向での終端部２６ｅに接する接線を仮想線Ｅとした
ときに、前記トラック幅方向（図示Ｘ方向）に対する前
記仮想線Ｅの傾きθ４が、３０°以上６０°以下となっ
ていることが好ましい。

【００９２】前記傾きθ４を３０°以上６０°以下とす
ることで、上部コア層２６から上部磁極層３５へ流れる
磁束伝達効率を落とすことなく、また上部コア層２６の
先端面２６ｃが記録媒体との対向面とほぼ一致しても、
前記先端面２６ｃからのサイドフリンジングをほぼゼロ
に抑えることができる。

【００９３】また図３に示すように前記上部コア層２６
は、前記先端面２６ｃの曲面形状の終端部２６ｅ，２６
ｅからハイト方向へ延び、且つトラック幅方向の幅寸法
が一定の先端領域Ｆと、前記先端領域Ｆのハイト側終端
を起点としてハイト方向（図示Ｙ方向）へ向けてトラッ
ク幅方向の幅寸法が徐々に広がる後端領域Ｇとで構成さ
れるが、この形状に限られない。

【００９４】例えば前記先端領域Ｆが、上記した仮想線
Ｅによって幅寸法がハイト方向にかけて広がるように形
成されていてもよい。

【００９５】以上のように、図１及び２に示す薄膜磁気
ヘッドでは、上部コア層２６の先端部２６ａが記録媒体
との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に後退して形
成され、さらに、前記上部コア層２６の先端面２６ｃは
下部コア層側から上部コア層側（図示Ｚ方向）にかけて
ハイト方向に徐々に深くなる傾斜面あるいは曲面で形成
され、しかも前記先端面２６ｃは、トラック幅方向の両
側に向かうにしたがってハイト方向に徐々に後退する曲
面形状で形成されている。

【００９６】次に図３に示すように、前記上部磁極層３
５上に接合されている端部での上部コア層２６の幅寸法
は、前記上部磁極層３５のトラック幅方向の幅寸法より
も大きくなっていることがわかる。これにより、前記上
部コア層２６からの磁束を、効率よく前記上部磁極層３
５に流すことができ、記録特性の向上を図ることができ
る。

【００９７】本発明では、上部コア層２６と記録コア２
４とが重なる部分において、前記上部コア層２６のトラ
ック幅方向における幅寸法は、前記記録コア２４のトラ
ック幅方向における幅寸法の２倍〜２．５倍程度である
ことが好ましい。この範囲内であれば、上部コア層２６
を記録コア２４上に形成する際、前記記録コア２４の上
面を、上部コア層２６の幅寸法内にて確実に重ねやす
く、また上部コア層２６からの磁束を上部磁極層３５に
効率良く流すことができる。

【００９８】また図３に示すように、下部磁極層２１、
ギャップ層２２及び上部磁極層３５の３層膜で形成され
た記録コア２４、あるいはギャップ層２２と上部磁極層
３５の２層膜で形成された記録コア２４は、記録媒体と
の対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）へトラック幅Ｔ
ｗで形成された先端領域Ｃと、前記先端領域Ｃのハイト
側終端を起点としてハイト方向へトラック幅方向の幅寸
法が徐々に広がる後端領域Ｄとで構成されている。

【００９９】このように前記記録コア２４が、トラック
幅Ｔｗよりも広い幅寸法で形成された後端領域Ｄを有す
ることで、上部コア層２６との接触面積を大きくするこ
とができ、前記上部コア層２６からの磁束を、上部磁極
層３５へ効率よく流すことが可能になっている。

【０１００】このため記録コア２４上に形成される上部
コア層２６は、前記記録コア２４の少なくとも後端領域
Ｄに接合されていることが、上部コア層２６と記録コア
２４との接触面積を大きくすることができて好ましい。

【０１０１】なお本発明では、トラック幅Ｔｗで形成さ
れた先端領域Ｃの長さ寸法Ｌ４は、０．２μｍ＜Ｌ４≦
３．０μｍの範囲内で形成されることが好ましい。

【０１０２】上記範囲内よりも小さく形成されると、前
記記録コア２４の先端領域Ｃの長さ寸法があまりにも短
くなりすぎ、記録媒体との対向面から露出する記録コア
２４の幅寸法を、所定のトラック幅Ｔｗで規制すること
が困難となる。

【０１０３】一方、上記範囲内よりも長く形成される
と、前記上部コア層２６が、上部磁極層３５の後端領域
Ｄ上で重なりにくく、前記上部磁極層３５の先端領域Ｃ
での重なりが多くなることにより、上部コア層２６と上
部磁極層３５との接触面積を大きくするといった利点を
生かすことができなくなる。

【０１０４】図４は、前記記録コア２４の別の形状を示
す本発明の薄膜磁気ヘッドの部分平面図である。

【０１０５】図４に示すように、前記記録コア２４は、
トラック幅Ｔｗで記録媒体との対向面からハイト方向
（図示Ｙ方向）へ所定の長さ寸法Ｌ５で形成されてい
る。すなわち図４に示す実施例では、図３に示す実施例
のように、前記記録コア２４にトラック幅Ｔｗよりも幅
寸法の大きい後端領域Ｄは形成されていない。

【０１０６】図４に示す記録コア２４の形状では、図３
に示す記録コア２４の形状に比べて、上部コア層２６と
の接触面積が小さくなるものの、適切にトラック幅Ｔｗ
を規制できるといった利点がある。

【０１０７】なお前記記録コア２４の長さ寸法Ｌ５は、
０．８μｍ≦Ｌ５≦６．０μｍの範囲内で形成されるこ
とが好ましい。前記長さ寸法Ｌ５が０．８μｍ以上であ
ると、上部コア層２６と上部磁極層３５との接触面積を
十分に取れるために、前記上部コア層２６から上部磁極
層３５へ流れる磁束伝達効率を落とすことがない。また
前記長さ寸法Ｌ５が６．０μｍより大きいと、記録コア
２４をメッキで成長させて形成する際に、均一に各層を
形成できず、内側の端部で膜厚が先細り、あるいは曲面
となり、磁気ギャップ、ギャップデプスＧｄのバラツキ
が大きくなり好ましくない。

【０１０８】図４に示す実施例においても図３に示す実
施例と同様に、上部磁極層３５上に接合される端部での
上部コア層２６のトラック幅方向の幅寸法は、前記上部
磁極層３５のトラック幅方向の幅寸法よりも大きくなっ
ており、これにより、前記上部コア層２６からの磁束
を、効率良く前記上部磁極層３５に流すことができる。

【０１０９】また図４に示す上部コア層２６と記録コア
２４との重なりの部分の大小比や、前記上部コア層２６
の形状等については、図３で説明したのと同じである。

【０１１０】図５及び図６は、他の実施形態の薄膜磁気
ヘッドの部分平面図である。図５に示す実施例では、図
３と同様に、上部コア層２６は、記録媒体との対向面か
らハイト方向（図示Ｙ方向）に後退して形成され、前記
上部コア層２６の先端面２６ｃは、記録媒体との対向面
から露出形成されておらず、前記記録媒体との対向面か
ら前記上部コア層２６の先端面２６ｃ間には、図２に示
す保護層３４が埋められている。

【０１１１】また図５に示す薄膜磁気ヘッドでは、図２
に示す薄膜磁気ヘッドと同様に、前記上部コア層２６の
先端面２６ｃが下部コア層側から上部コア層側にかけ
て、ハイト方向（図示Ｙ方向）に徐々に深くなる傾斜面
あるいは曲面で形成されている。

【０１１２】このように、上部コア層２６を記録媒体と
の対向面からハイト方向に後退させて形成し、しかも前
記先端面２６ｃを、下部コア層側から上部コア層側にか
けてハイト方向に徐々に深くなる傾斜面あるいは曲面で
形成することにより、前記上部コア層２６と上部磁極層
３５間でサイドフリンジングの発生を適切に低減するこ
とができ、また上部コア層２６からの磁束を、上部磁極
層３５に効率良く流すことができ、さらに前記上部コア
層２６の先端面２６ｃと記録媒体との対向面間を、空洞
が形成されることなく保護層３４によって完全に埋める
ことができる。

【０１１３】なお図５に示す実施例では、図３、４に示
す実施例のように、前記上部コア層２６の先端面２６ｃ
が、トラック幅方向の両側に向かうにしたがって、ハイ
ト方向に深くなる曲面形状で形成されておらず、前記先
端面２６ｃは、トラック幅方向（図示Ｘ方向）と平行な
方向に延びる平面形状で形成されている。

【０１１４】このように図５に示す実施例では、前記上
部コア層２６の先端面２６ｃが、トラック幅方向におい
て平面形状で形成されているが、前記先端面２６ｃが、
記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に後
退して形成されることで、前記先端面２６ｃが記録媒体
との対向面から露出形成されないため、サイドフリンジ
ングの発生を抑制するには、効果的な構造となってい
る。

【０１１５】なお図５に示す実施例では、前記上部コア
層２６の下側に形成される記録コア２４の形状は、図３
に示す記録コア２４の形状と同じになっている。

【０１１６】すなわち前記記録コア２４は、記録媒体と
の対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）にかけてトラッ
ク幅Ｔｗで形成された先端領域Ｃと、前記先端領域Ｃの
ハイト側終端を起点としてハイト方向へトラック幅方向
の幅寸法が徐々に広がる後端領域Ｄとで構成される。こ
のように幅寸法がトラック幅Ｔｗよりも広がる後端領域
Ｄが形成されることにより、前記上部磁極層３５と上部
コア層２６との接触面積を大きくすることが可能にな
る。

【０１１７】そして図５に示すように、前記上部磁極層
３５上に接合されている端部での前記上部コア層のトラ
ック幅方向の幅寸法が、前記上部磁極層３５のトラック
幅方向の幅寸法よりも大きくなっており、前記上部コア
層２６からの磁束を、効率良く前記上部磁極層３５に流
すことができ、記録特性の向上を図ることが可能にな
る。

【０１１８】図６は、別の実施形態の薄膜磁気ヘッドの
構造を示す部分平面図である。図６に示す実施例では、
図５に示す実施例と同様に、上部コア層２６が記録媒体
との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に後退して形
成され、しかも前記上部コア層２６の先端面２６ｃは、
前記上部コア層２６の下部コア層側から上部コア層側
（図示Ｚ方向）にかけてハイト方向に徐々に深くなる傾
斜面あるいは曲面で形成されている。

【０１１９】従ってサイドフリンジングの発生を従来に
比べて低減させることができると同時に、記録媒体との
対向面から前記上部コア層２６の先端面２６ｃ間を保護
層３４によって適切に埋めることができ、さらに前記上
部コア層２６からの磁束を、効率良く前記上部磁極層３
５に流すことが可能である。

【０１２０】またこの実施例においても図５に示す実施
例と同様に、前記上部コア層２６の先端面２６ｃは、ト
ラック幅方向（図示Ｘ方向）と平行な方向に平面的に形
成されているが、このような形状であっても前記上部コ
ア層２６が記録媒体との対向面からハイト方向に後退し
て形成されることで、サイドフリンジングの発生を従来
に比べて低減させることが可能である。

【０１２１】図６に示す実施例では、記録コア２４が、
トラック幅で記録媒体との対向面からハイト方向へ所定
の長さ寸法Ｌ５で形成されている。このように前記記録
コア２４の幅寸法がトラック幅Ｔｗでのみ形成される場
合には、トラック幅Ｔｗを所定寸法内に規制しやすい。

【０１２２】なおこの実施例においても、図６に示すよ
うに、前記上部磁極層３５上に接合されている端部での
前記上部コア層のトラック幅方向の幅寸法が、前記上部
磁極層３５のトラック幅方向における幅寸法よりも大き
くなっており、前記上部コア層２６からの磁束を、効率
良く前記上部磁極層３５に流すことができ、記録特性の
向上を図ることが可能になる。

【０１２３】また図５及び図６に示すように、上部コア
層２６は、一定の幅寸法を有する先端領域Ｆと、前記先
端領域Ｆのハイト側終端を起点としてハイト方向に向け
てトラック幅方向の幅寸法が漸次的に広がる後端領域Ｇ
とで構成されているが、これ以外の形状であってもかま
わない。例えば、前記先端領域Ｆは、ハイト方向に向け
て幅寸法が徐々に広がるように形成されていてもよい。

【０１２４】図７は、本発明の別の実施形態の薄膜磁気
ヘッドの構造を示す部分正面図、図８は、図７に示す８
−８線からの断面を矢印方向から見た部分断面図、図
９、１０は、薄膜磁気ヘッドの部分平面図である。

【０１２５】図７ないし図１０における薄膜磁気ヘッド
は、図１ないし図６に示す薄膜磁気ヘッドと上部コア層
２６の形状が異なるものの、それ以外の部分においては
同じである。

【０１２６】すなわち図８に示すように、下部コア層２
０上には、記録媒体との対向面からハイト方向に所定長
さ寸法Ｌ１で形成された記録コア２４が形成されてお
り、前記記録コア２４は、下から下部磁極層２１、ギャ
ップ層２２、及び上部磁極層３５の３層膜、あるいはギ
ャップ層２２、及び上部磁極層３５の２層膜で構成され
ている。また前記下部コア層２０と記録コア２４との間
には、Ｇｄ決め絶縁層２７が形成され、記録媒体との対
向面から前記Ｇｄ決め絶縁層２７の前面までの長さ寸法
Ｌ２がギャップデプス（Ｇｄ）として規制される。

【０１２７】図８に示すように、下部コア層２０上であ
って、記録コア２４のハイト方向後方には、絶縁下地層
２８を介してコイル層２９が螺旋状に巻回形成されてい
る。さらに前記コイル層２９の各導体部のピッチ間は無
機絶縁材料等で形成された絶縁層３０によって覆われ、
前記絶縁層３０は図１に示すように、記録媒体との対向
面に露出形成されている。

【０１２８】また前記コイル層２９上には、有機絶縁材
料等で形成された絶縁層３１が形成され、前記絶縁層３
１の上には第２のコイル層３３が螺旋状に巻回形成され
ている。

【０１２９】前記第２のコイル層３３上は、有機絶縁材
料等で形成された絶縁層３２に覆われ、さらに前記絶縁
層３２上には上部コア層２６が、例えばフレームメッキ
法等によりパターン形成されている。前記上部コア層２
６の先端部２６ａは、上部磁極層３５上に重ねられて形
成され、前記上部コア層２６と上部磁極層３５とが磁気
的に接続された状態にされる。また前記上部コア層２６
の基端部２６ｂは、下部コア層２０上に形成された磁性
材料製の持上げ層３６上に磁気的に接続された状態にさ
れている。

【０１３０】この実施例においては、図１ないし６に示
す実施例のように、前記上部コア層２６は、記録媒体と
の対向面からハイト方向に後退して形成されていない。
前記上部コア層２６の先端面２６ｃは記録媒体との対向
面まで延ばされて形成され、その一部が前記記録媒体と
の対向面に位置している。

【０１３１】図８に示すように、前記上部コア層２６の
先端面２６ｃは、前記上部コア層２６の下部コア層側か
ら上部コア層側（図示Ｚ方向）にかけてハイト方向（図
示Ｙ方向）に徐々に深くなる傾斜面あるいは曲面で形成
されている。

【０１３２】また図８に示すように、前記先端面２６ｃ
よりもハイト側に位置する背面２６ｄが、下部コア層側
から上部コア層側にかけてハイト方向（図示Ｙ方向）に
徐々に深くなる傾斜面あるいは曲面で形成されるが、前
記背面２６ｄのハイト方向に対する傾きをθ１（前記背
面２６ｄが曲面で形成されている場合には、前記曲面の
下部コア層側の終端と上部コア層側の終端との中点にお
ける接線のハイト方向に対する傾き角度θ１）とし、前
記先端面２６ｃのハイト方向に対する傾きをθ２とした
ときに、前記傾き角度θ２は、前記傾き角度θ１よりも
大きいことが好ましい。

【０１３３】このように、前記先端面２６ｃの傾き角度
θ２を、背面２６ｄの傾き角度θ１よりも大きくするこ
とで、前記上部コア層２６の先端部２６ａ形状の先細り
を防止でき、前記先端部２６ａのボリュームを有効に大
きくでき、上部コア層２６からの磁束を、上部磁極層３
５に効率良く流すことが可能になり、記録特性の向上を
図ることができる。

【０１３４】また本発明では、上記条件に加えて、前記
先端面２６ｃの傾き角度θ２は、６０°≦θ２＜９０°
の範囲内であることが好ましい。前記先端面２６ｃの傾
き角度θ２が、６０°よりも小さく形成されると、上記
した前記上部コア層２６の先端部２６ａ形状が先細って
形成されやすくなり、よって前記先端部２６ａのボリュ
ームが小さくなり、前記上部コア層２６から上部磁極層
３５へ流れる磁束の効率が悪化しやすいからである。

【０１３５】また前記上部コア層２６の先端面２６ｃを
下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向（図
示Ｙ方向）に深くなる傾斜面あるいは曲面で形成するこ
とにより、次に説明する前記先端面２６ｃのトラック幅
方向（図示Ｘ方向）における曲面形状と相俟って、サイ
ドフリンジングの発生を適切に抑制できるものとなって
いる。

【０１３６】本発明では、図９に示すように、前記上部
コア層２６の先端面２６ｃは、トラック幅方向の両側に
向かうにしたがって、ハイト方向（図示Ｙ方向）に徐々
に後退する曲面形状で形成されている。

【０１３７】このように前記上部コア層２６の先端面２
６ｃがトラック幅方向（図示Ｘ方向）にて、ハイト方向
に後退する曲面形状で形成されることで、記録媒体との
対向面に露出する上部コア層２６の先端面２６ｃは、図
７に示すように符号２６ｈの部分だけであり、わずかに
上部コア層２６の先端面２６ｃが記録媒体との対向面に
露出する構成となる。

【０１３８】すなわち本発明では前記上部コア層２６の
先端面２６ｃをトラック幅方向の両側に向かうに従って
ハイト方向に後退する曲面形状で形成し、しかも前記先
端面２６ｃを、その下部コア層側から上部コア層側にか
けてハイト方向に深くなる傾斜面あるいは曲面で形成す
ることで、上部コア層２６の先端面２６ｃは記録媒体と
の対向面にわずかに露出するだけとなり、前記上部コア
層２６と上部磁極層３５間での磁束漏れを低減させるこ
とができ、サイドフリンジングの発生をより低減させる
ことが可能である。

【０１３９】なお記録媒体との対向面に露出する上部コ
ア層２６の先端面２６ｃの符号２６ｈの部分は、その幅
寸法がトラック幅Ｔｗよりも小さいことが好ましい。こ
れにより、サイドフリンジングの発生をより適切に防止
することが可能である。

【０１４０】また前記上部コア層２６の先端面２６ｃを
トラック幅方向（図示Ｘ方向）にて曲面形状にすること
で、上部磁極層３５に対する前記上部コア層２６の形成
位置が、多少トラック幅方向（図示Ｘ方向）にずれて
も、前記先端面２６ｃがトラック幅方向にて平面形状で
形成されている場合に比べてサイドフリンジングの影響
を少なくすることができる。よって上部コア層２６の上
部磁極層３５に対するアライメント精度が、多少低下し
てもサイドフリンジングの発生を適切に低減させること
ができる薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。

【０１４１】なお本発明では、前記先端面２６ｃのトラ
ック幅方向での終端部２６ｅ，２６ｅに接する接線を仮
想線Ｅとしたときに、前記トラック幅方向（図示Ｘ方
向）に対する前記仮想線Ｅの傾きθ４が、３０°以上６
０°以下となっていることが好ましい。

【０１４２】前記傾きθ４を３０°以上６０°以下とす
ることで、上部コア層２６から上部磁極層３５へ流れる
磁束伝達効率の維持と、上部コア層２６の先端面２６ｃ
が記録媒体との対向面とほぼ同じ位置に形成されていて
もサイドフリンジングの発生を適切に抑制することがで
きる。

【０１４３】図１０に示す実施例においても、図９に示
す実施例と同様に、上部コア層２６の先端面２６ｃは、
下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向（図
示Ｙ方向）に深くなる傾斜面あるいは曲面で形成され、
しかも前記先端面２６ｃは、トラック幅方向の両側に両
側に向かうにしたがってハイト方向（図示Ｙ方向）に深
くなる曲面形状で形成されている。

【０１４４】図９と図１０の相違点は、前記上部コア層
２６の下側に形成される記録コア２４の形状にあり、図
９では前記記録コア２４は、記録媒体との対向面からハ
イト方向にトラック幅Ｔｗで形成された先端領域Ｃと、
前記先端領域Ｃのハイト側終端を起点としてハイト方向
にかけてトラック幅方向の幅寸法が徐々に広がる後端領
域Ｄとで構成されているのに対し、図１０では前記記録
コア２４は、トラック幅Ｔｗで記録媒体との対向面から
ハイト方向に所定長さＬ５で形成され、後端領域Ｄは形
成されていない。

【０１４５】図９に示す記録コア２４の形状では、トラ
ック幅Ｔｗで形成された先端領域Ｃの長さ寸法Ｌ４が短
すぎると、薄膜磁気ヘッドの製造時における記録媒体と
の対向面への加工等によって、前記トラック幅Ｔｗが所
定寸法よりも広がってしまう可能性があるものの、後端
領域Ｄの存在により、上部コア層２６との接触面積を大
きくできるという利点があり、一方、図１０に示す記録
コア２４の形状では、上部コア層２６との接触面積は、
図９に示す実施例に比べて小さくなるものの、トラック
幅Ｔｗを所定寸法内に規制しやすいといった利点があ
る。

【０１４６】なお図９における記録コア２４の先端領域
Ｃの長さ寸法Ｌ４は、０μｍ＜Ｌ４≦３．０μｍの範囲
内であることが好ましく、図１０に示す記録コア２４の
長さ寸法Ｌ５は、０．８μｍ≦Ｌ５≦６．０μｍの範囲
内であることが好ましい。理由は上述した通りである。

【０１４７】また図９及び図１０に示すように、上部磁
極層３５上に接合されている端部での前記上部コア層２
６のトラック幅方向の幅寸法が、前記上部磁極層３５の
トラック幅方向の幅寸法よりも大きくなっており、従っ
て前記上部コア層２６からの磁束を効率良く前記上部磁
極層３５に流すことが可能になっている。なお、重ねら
れる部分の記録コア２４のトラック幅方向の幅寸法に対
する上部コア層２６のトラック幅方向の幅寸法は、２倍
〜２．５倍程度であることが好ましい。理由は上述した
通りである。

【０１４８】また図９及び図１０に示すように、上部コ
ア層２６は、記録媒体との対向面からハイト方向（図示
Ｙ方向）に一定の幅寸法で形成された先端領域Ｆと、前
記先端領域Ｆのハイト側終端を起点としてハイト方向に
漸次的にトラック幅方向の幅寸法が広がる後端領域Ｇと
で構成されているが、本発明では、この形状に限られ
ず、他の形状で形成されていてもかまわない。例えば図
９に示す仮想線Ｅに沿って、前記上部コア層２６の先端
領域Ｆの幅寸法が徐々に広がるように形成されていても
かまわない。

【０１４９】図１１は、本発明の薄膜磁気ヘッドの別の
実施形態を示す部分正面図、図１２は、図１１に示す１
２−１２線から切断した薄膜磁気ヘッドを矢印方向から
見た部分断面図、図１３，１４は薄膜磁気ヘッドの部分
平面図である。

【０１５０】図１１ないし図１４における薄膜磁気ヘッ
ドは、図１ないし図６に示す薄膜磁気ヘッドと上部コア
層２６の形状が異なるものの、それ以外の部分において
は同じである。

【０１５１】すなわち図１２に示すように、下部コア層
２０上には、記録媒体との対向面からハイト方向（図示
Ｙ方向）に所定長さ寸法Ｌ１で形成された記録コア２４
が形成されており、前記記録コア２４は、下から下部磁
極層２１、ギャップ層２２、及び上部磁極層３５の３層
膜、あるいはギャップ層２２、及び上部磁極層３５の２
層膜で構成されている。また前記下部コア層２０と記録
コア２４との間には、Ｇｄ決め絶縁層２７が形成され、
記録媒体との対向面から前記Ｇｄ決め絶縁層２７の前面
までの長さ寸法Ｌ２がギャップデプス（Ｇｄ）として規
制される。

【０１５２】図１２に示すように、下部コア層２０上で
あって、記録コア２４のハイト方向後方には、絶縁下地
層２８を介してコイル層２９が螺旋状に巻回形成されて
いる。さらに前記コイル層２９の各導体部のピッチ間は
無機絶縁材料等で形成された絶縁層３０によって覆わ
れ、前記絶縁層３０は図１に示すように、記録媒体との
対向面に露出形成されている。なお図１に示すように前
記下部コア層２０の上面には傾斜面２０ｂ，２０ｂが形
成されていてもよい。これによりサイドフリンジングの
発生をより適正に防止することができる。

【０１５３】また前記コイル層２９上には、有機絶縁材
料等で形成された絶縁層３１が形成され、前記絶縁層３
１の上には第２のコイル層３３が螺旋状に巻回形成され
ている。

【０１５４】前記第２のコイル層３３上は、有機絶縁材
料等で形成された絶縁層３２に覆われ、さらに前記絶縁
層３２上には上部コア層２６が、例えばフレームメッキ
法等によりパターン形成されている。前記上部コア層２
６の先端部２６ａは、上部磁極層３５上に重ねられて形
成され、前記上部コア層２６と上部磁極層３５とが磁気
的に接続された状態にされる。また前記上部コア層２６
の基端部２６ｂは、下部コア層２０上に形成された磁性
材料製の持上げ層３６上に磁気的に接続された状態にさ
れている。

【０１５５】この実施例においては、図１ないし６に示
す実施例のように、前記上部コア層２６は、記録媒体と
の対向面からハイト方向に後退して形成されていない。
前記上部コア層２６の先端面２６ｃは記録媒体との対向
面まで延ばされて形成され、その一部が前記記録媒体と
の対向面に位置している。

【０１５６】本発明では、図１３に示すように、前記上
部コア層２６の先端面２６ｃが、両側端部に向かうにし
たがって、ハイト方向（図示Ｙ方向）に後退する曲面形
状で形成されている。

【０１５７】なおこの実施例においては、図１ないし６
に示す実施例、及び図７ないし１０に示す実施例によう
に、上部コア層２６の先端面２６ｃは、下部コア層側か
ら上部コア層側にかけてハイト方向に徐々に深くなる傾
斜面あるいは曲面で形成されておらず、前記先端面２６
ｃは、記録媒体との対向面に沿って形成されている。

【０１５８】このため図１１に示すように、前記上部コ
ア層２６の先端面２６ｃは、記録媒体との対向面におい
て、その下部コア層側から上部コア層側にかけて一定の
幅寸法を有する符号２６ｉの部分が露出する。

【０１５９】以上のように、上部コア層２６の先端面２
６ｃは、トラック幅方向の両側に向かうにしたがってハ
イト方向に後退する曲面形状で形成されているから、前
記先端面２６ｃが記録媒体との対向面に位置しても、前
記記録媒体との対向面からの露出部分は、図１１に示す
符号２６ｉの部分だけであり、わずかに上部コア層２６
の先端面２６ｃが記録媒体との対向面に露出する構成と
なる。

【０１６０】したがって、前記上部コア層２６と上部磁
極層３５間での磁束漏れを低減させることができ、サイ
ドフリンジングの発生をより低減させることが可能であ
る。

【０１６１】なお記録媒体との対向面に露出する上部コ
ア層２６の先端面２６ｃの符号２６ｉの部分は、その幅
寸法がトラック幅Ｔｗよりも小さいことが好ましい。こ
れにより、サイドフリンジングの発生をより適切に防止
することが可能である。

【０１６２】また前記上部コア層２６の先端面２６ｃを
トラック幅方向に曲面形状にすることで、上部磁極層３
５に対する前記上部コア層２６の形成位置が、多少トラ
ック幅方向（図示Ｘ方向）にずれても、前記先端面２６
ｃがトラック幅方向に平面形状で形成されている場合に
比べてサイドフリンジングの影響を少なくすることがで
きる。よって上部コア層２６の上部磁極層３５に対する
アライメント精度が、多少低下してもサイドフリンジン
グの発生を適切に低減させることができる薄膜磁気ヘッ
ドを製造することが可能である。

【０１６３】なお本発明では、前記先端面２６ｃの終端
部２６ｅに接する接線を仮想線Ｅとしたときに、前記ト
ラック幅方向（図示Ｘ方向）に対する前記仮想線Ｅの傾
きθ４が、３０°以上６０°以下となっていることが好
ましい。

【０１６４】前記傾きθ４を３０°以上６０°以下とす
ることで、上部コア層２６から上部磁極層３５へ流れる
磁束伝達効率の維持と、上部コア層２６の先端面２６ｃ
が記録媒体との対向面とほぼ同じ位置に形成されていて
もサイドフリンジングの発生を適切に抑制することがで
きる。

【０１６５】図１４に示す実施例においても、図１３に
示す実施例と同様に、上部コア層２６の先端面２６ｃ
は、トラック幅方向の両側に向かうにしたがってハイト
方向（図示Ｙ方向）に後退する曲面形状で形成されてい
るが、図１ないし図６に示す実施例、及び図７ないし図
１０に示す実施例のように、前記先端面２６ｃには、そ
の下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に
深くなる傾斜面あるいは曲面は形成されていない。

【０１６６】図１３と図１４の相違点は、前記上部コア
層２６の下側に形成される記録コア２４の形状にあり、
図１３では前記記録コア２４は、記録媒体との対向面か
らハイト方向にトラック幅Ｔｗで形成された先端領域Ｃ
と、前記先端領域Ｃのハイト側終端からハイト方向にか
けてトラック幅方向の幅寸法が徐々に広がる後端領域Ｄ
とで構成されているのに対し、図１４では前記記録コア
２４は、トラック幅Ｔｗで記録媒体との対向面からハイ
ト方向に所定長さＬ５で形成され、後端領域Ｄは形成さ
れていない。

【０１６７】図１３に示す記録コア２４の形状では、ト
ラック幅Ｔｗで形成された先端領域Ｃの長さ寸法Ｌ４が
短すぎると、薄膜磁気ヘッドの製造時における記録媒体
との対向面への加工等によって、前記トラック幅Ｔｗが
所定寸法よりも広がってしまう可能性があるものの、後
端領域Ｄの存在により、上部コア層２６との接触面積を
大きくできるという利点があり、一方、図１４に示す記
録コア２４の形状では、上部コア層２６との接触面積
は、図９に示す実施例に比べて小さくなるものの、トラ
ック幅Ｔｗを所定寸法内に規制しやすいといった利点が
ある。

【０１６８】なお図１３に示す記録コア２４の先端領域
Ｃの長さ寸法Ｌ４は、０．２μｍ＜Ｌ４≦３．０μｍの
範囲内であることが好ましく、また図１４に示す記録コ
ア２４の長さ寸法Ｌ５は、０．８μｍ≦Ｌ５≦６．０μ
ｍの範囲内であることが好ましい。理由は上記した通り
である。

【０１６９】また図１３及び図１４に示すように、上部
磁極層３５上に接合される端部での上部コア層２６のト
ラック幅方向の幅寸法は、前記上部磁極層３５のトラッ
ク幅方向の幅寸法よりも大きくなっており、従って前記
上部コア層２６からの磁束を効率良く前記上部磁極層３
５に流すことが可能になっている。前記重ねられる部分
の記録コア２４のトラック幅方向の幅寸法に対する上部
コア層２６のトラック幅方向の幅寸法は、２倍〜２．５
倍程度であることが好ましい。理由は上記した通りであ
る。

【０１７０】また図１３及び図１４に示すように、上部
コア層２６は、記録媒体との対向面からハイト方向に一
定の幅寸法で形成された先端領域Ｆと、前記先端領域Ｆ
のハイト側終端からハイト方向に漸次的にトラック幅方
向の幅寸法が広がる後端領域Ｇとで構成されているが、
本発明では、この形状に限られず、他の形状で形成され
ていてもかまわない。

【０１７１】例えば図１３に示す仮想線Ｅに沿って、前
記上部コア層２６の先端領域Ｆの幅寸法が徐々に広がる
ように形成されていてもかまわない。

【０１７２】以上のように本発明における薄膜磁気ヘッ
ドによれば、上部コア層２６を、記録媒体との対向面か
らハイト方向に後退させ、しかも前記上部コア層２６の
先端面２６ｃを、その下部コア層側から上部コア層側に
かけてハイト方向に深くなる傾斜面あるいは曲面で形成
し、さらに前記先端面２６ｃをトラック幅方向の両側に
向かうにしたがってハイト方向に後退する曲面形状で形
成することで、あるいは、前記上部コア層２６を、記録
媒体との対向面からハイト方向に後退させ、しかも前記
上部コア層２６の先端面２６ｃを、その下部コア層側か
ら上部コア層側にかけてハイト方向に深くなる傾斜面あ
るいは曲面で形成することで、または前記上部コア層２
６の先端面２６ｃを、その下部コア層側から上部コア層
側にかけてハイト方向に深くなる傾斜面あるいは曲面で
形成し、しかも前記先端面２６ｃをトラック幅方向の両
側に向かうにしたがってハイト方向に後退する曲面形状
で形成することで、または前記上部コア層２６の先端面
２６ｃを、トラック幅方向の両側に向かうにしたがって
ハイト方向に後退する曲面形状で形成することで、従来
に比べてサイドフリンジングの発生を抑制することがで
き、さらに上部コア層２６からの磁束を、上部磁極層３
５に効率良く流すことができ、今後の高記録密度化に対
応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。

【０１７３】次に本発明における薄膜磁気ヘッドの製造
方法について図面を参照しながら説明する。

【０１７４】図１５ないし図２１に示す図は、図１ない
し図４に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す工程図で
ある。図１５ないし図１８では、左側に薄膜磁気ヘッド
の部分正面図が、右側にその部分断面図が示されてい
る。

【０１７５】図１５では、右図に示されているように下
部コア層２０上にＧｄ決め絶縁層２７を形成した後、前
記下部コア層２０上に高さ寸法ｈ３を有するレジスト層
４０を形成する。前記高さ寸法ｈ３は、例えば４．０μ
ｍ程度で形成される。

【０１７６】次に前記レジスト層４０に露光現像によっ
て、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）
に所定長さ寸法Ｌ６を有する溝部４０ａを形成する。前
記溝部４０ａの幅寸法ｔ２は、例えば０．４５μｍ程度
で形成される。なお前記幅寸法ｔ２は、トラック幅Ｔｗ
として規制される幅であるので、できる限り小さく形成
されることが好ましく、例えば前記幅寸法は露光の際に
使用されるｉ線の限界値で形成されることが好ましい。

【０１７７】次に図１５の左図に示すように、前記溝部
４０ａ内に、下から下部磁極層２１、ギャップ層２２、
及び上部磁極層３５を連続メッキして積層する。このよ
うに連続メッキするには、前記ギャップ層２２を、メッ
キ形成可能な非磁性金属材料で形成する必要がある。具
体的には、前記非磁性金属材料を、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、
ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃ
ｒのうち１種または２種以上から選択することが好まし
い。

【０１７８】そして前記溝部４０ａ内に形成された３層
膜により、記録コア２４が構成される。なお前記記録コ
ア２４は３層膜に限られない。例えば前記記録コア２４
はギャップ層２２と上部磁極層３５とで構成されていて
もかまわない。

【０１７９】そして前記レジスト層４０を除去する。そ
の状態を示したのが図１６である。下部コア層２０に形
成された記録コア２４の幅寸法はトラック幅Ｔｗとして
規制され、前記トラック幅Ｔｗは０．７μｍ以下である
ことが好ましく、より好ましくは０．５μｍ以下であ
る。

【０１８０】また前記記録コア２４の高さ寸法ｈ４は、
１μｍ≦ｈ４≦４μｍの範囲内であることが好ましい。
例えば下部磁極層２１の高さ寸法は、０．３μｍ程度で
形成され、ギャップ層２２の高さ寸法は、０．２μｍ程
度で形成され、また上部磁極層３５の高さ寸法は、３．
０μｍ〜３．３μｍ程度で形成される。

【０１８１】次に図１７に示すように、下部コア層２０
上、さらには記録コア２４上を絶縁層３０によって埋め
る。前記絶縁層３０を形成する絶縁材料としては、無機
絶縁材料であることが好ましい。具体的には、ＡｌＯ、
Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ ₅、ＴｉＯ、ＡｌＮ、Ａｌ
ＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＮｉＯ、ＷＯ、Ｗ
Ｏ₃、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種か
ら選択されることが好ましい。

【０１８２】このように前記絶縁層３０を無機絶縁材料
で形成する理由は、次に行なわれるＣＭＰ技術によって
前記絶縁層３０の表面を研磨加工し易くするためであ
る。

【０１８３】図１７に示すように前記絶縁層３０をＨ−
Ｈ線から、ＣＭＰ技術を用いて研磨加工する。これによ
って前記絶縁層３０の表面は平坦化され、また前記絶縁
層３０の表面からは上部磁極層３５の表面が露出する。
その状態を示したのが図１８である。

【０１８４】図１７工程で、ＣＭＰ技術によって記録コ
ア２４の表面が削られたことにより、図１８に示すよう
に、記録コア２４の高さ寸法は、ｈ５になり、前記高さ
寸法ｈ５は、例えば２．４μｍ〜２．７μｍ程度にな
る。また図１８の右図に示すように、Ｇｄ決め絶縁層２
７上での上部磁極層３５の高さ寸法はｈ６であり、前記
高さ寸法ｈ６は、１．４μｍ〜１．７μｍ程度である。

【０１８５】ところで本発明の製造方法によれば、記録
コア２４の高さ寸法ｈ５、及びＧｄ決め絶縁層２７上で
の上部磁極層３５の高さ寸法ｈ６を所定寸法内に形成し
やすく、再現性の高い薄膜磁気ヘッドの製造が可能にな
っている。

【０１８６】その理由は、従来のように下部コア層２０
の膜面に対し垂直に近い方向からのトリミング工程を行
っていないからである。従来では、サイドフリンジング
の発生を抑制するために前記トリミング工程は欠かせな
い工程となっており、しかしながら前記トリミング工程
によって、上部磁極層３５の高さ寸法の著しい減少や、
トラック幅Ｔｗのバラツキ等が発生し、製造時における
再現性は非常に低いものとなっていた。

【０１８７】一方、本発明においては、記録コア２４を
構成するギャップ層２２をメッキ可能な非磁性金属材料
で形成することによって、図１５に示すレジスト層４０
の溝部４０ａ内に、下から順に下部磁極層２１、ギャッ
プ層２２、及び上部磁極層３５を連続してメッキ形成す
ることができる。

【０１８８】このため本発明では、下部コア層２０上か
らトラック幅Ｔｗで突出する下部磁極層２１と、さらに
その上にトラック幅Ｔｗのギャップ層２２を、下部コア
層２０の膜面に対し垂直に近い方向からのトリミング工
程を行わずとも形成できるので、上部磁極層３５と下部
コア層２０間でのサイドフリンジングが発生しにくい構
造の薄膜磁気ヘッドを、トリミング工程を行わず形成す
ることが可能になる。

【０１８９】ただし本発明において図１６に示す工程の
際に、トリミング工程を行っても良い。ただし前記トリ
ミング工程は、下部コア層２０の膜面に対し、斜め方向
からイオン照射が行なわれ、前記イオン照射角度は、前
記膜面の垂直方向に対し４５°〜７５°、より好ましく
は６０°〜７５°の範囲内であることが好ましい。

【０１９０】上記したイオン照射角度を有するトリミン
グ工程では、従来のように、イオン照射によって削られ
た磁粉が記録コア２４の両側に付着することがなく、ま
た本発明では、下部コア層２０の膜面に対してより垂直
方向に近いイオン照射角度を有するイオンミリングを行
わないため、本発明では、上記した下部コア層２０の膜
面に対し斜め方向からのトリミング工程を行っても、記
録コア２４の形状にばらつき等が発生しにくく、また記
録コア２４の高さ寸法が著しく減少するといった問題も
発生しない。

【０１９１】本発明では、前記トリミング工程により、
記録コア２４のトラック幅Ｔｗを、さらに小さくでき今
後の狭トラック化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造で
き、しかも前記記録コア２４の下面の両側から延びる下
部コア層２０の両側上面に、傾斜面２０ｂ，２０ｂ（図
１参照）を形成することができ、さらにサイドフリンジ
ングの発生を抑制可能な薄膜磁気ヘッドを製造すること
ができる。

【０１９２】次に、前記絶縁層３０上にコイル層や前記
コイル層を覆う絶縁層３２を形成する。そして前記上部
磁極層３５及び絶縁層３０、さらに前記絶縁層３２の表
面に図１９に示すレジスト層４１を形成する。なお図１
９は、薄膜磁気ヘッドの部分平面図である。

【０１９３】図１９に示すように前記レジスト層４１
に、上部コア層２６の抜きパターン４１ａを形成する。

【０１９４】図１９に示すように、前記パターン４１ａ
の先端面４１ｂは、記録媒体との対向面からハイト方向
（図示Ｙ方向）に後退して形成されており、しかも前記
先端面４１ｂは、トラック幅方向の両側端部４１ｃ，４
１ｃに向かうにしたがってハイト方向に後退する曲面形
状で形成されている。

【０１９５】上記パターン４１ａを形成するには、本発
明では、以下のような工夫がなされている。すなわち本
発明では、露光の際に光を照射する部分は、レジスト層
４１のうちパターン４１ａ以外の部分４１ｄであり、光
の照射されたレジスト層４１ｄの部分を現像し、前記レ
ジスト層４１ｄを残して、パターン４１ａのレジスト層
４１を除去する（イメージリバース）。

【０１９６】これは従来とは逆の露光現像のやり方であ
り、従来では、上部コア層２６のパターンとなる４１ａ
の部分に光を照射していた。

【０１９７】本発明において、パターン４１ａ以外のレ
ジスト層４１ｄに光を照射し現像して、光が照射されて
いないパターン４１ａの部分を除去する理由は、残され
るレジスト層４１ｄの形状に関係している。

【０１９８】図２０は、本発明における薄膜磁気ヘッド
の部分断面図である。なお図２０では、薄膜磁気ヘッド
の先端付近の形状のみが示されている。

【０１９９】図２０に示すように、絶縁層３０及び上部
磁極層３５上には、レジスト層４１ｄが残されている。
このうち、記録媒体との対向面からハイト方向に所定の
長さ寸法で残されるレジスト層４１ｄ１は、その背面４
１ｄ２が、下部コア層側から上部コア層側にかけて（図
示Ｚ方向）、ハイト方向（図示Ｙ方向）に傾く傾斜面あ
るいは曲面で残される。

【０２００】前記レジスト層４１ｄ１が、上記のような
形状で残される理由は、露光現像によって残されるレジ
スト層４１ｄに光りを当てているからであり、逆に、除
去されるパターン４１ａの部分に光りを当てて、前記レ
ジスト層４１ｄの部分に光りを当てないと、残されるレ
ジスト層４１ｄ１は、図２２に示すように、その背面４
１ｄ２が、下部コア層側から上部コア層側にかけてハイ
ト方向（図示Ｙ方向）と逆方向に傾く傾斜面あるいは曲
面として残されるのである。

【０２０１】図２０に示すように、記録媒体との対向面
からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定の長さ寸法で残さ
れるレジスト層４１ｄ１の背面４１ｄ２に、その下部コ
ア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に傾く傾斜
面あるいは曲面が形成されていると、前記パターン４１
ａ内に上部コア層２６の材質となる磁性材料をメッキ形
成することによって、図２１に示すように、前記上部コ
ア層２６の先端面２６ｃに、その下部コア層側から上部
コア層側にかけてハイト方向に深くなる傾斜面あるいは
曲面を形成することが可能になっている。

【０２０２】図２２に示すように、残されたレジスト層
４１ｄ１の背面４１ｄ２に、その下部コア層側から上部
コア層側にかけてハイト方向（図示Ｙ方向）と逆方向に
傾く傾斜面あるいは鏡面が形成されていると、パターン
４１ａ内に上部コア層２６の材質となる磁性材料をメッ
キしたとき、図２３に示すように、前記上部コア層２６
の先端面２６ｃには、その下部コア層側から上部コア層
側にかけてハイト方向とは逆方向の傾斜面あるいは曲面
が形成されることになる。

【０２０３】図２３に示す薄膜磁気ヘッドの場合では、
前記上部コア層２６の先端面２６ｃと記録媒体との対向
面間Ｂの部分に、Ａｌ₂Ｏ₃等の保護層３４を形成する
際、前記Ｂの部分を完全に前記保護層３４によって埋め
難く、前記Ｂの部分に空洞が形成されやくなる。

【０２０４】このため、本発明では前記上部コア層２６
の先端面２６ｃは、その下部コア層側から上部コア層側
にかけてハイト方向に深くなる傾斜面あるいは曲面が形
成されるのように、図１９に示す工程で、上部コア層２
６のパターン４１ａ以外の部分のレジスト層４１ｄに光
を照射しその後現像し、これによって除去されるパター
ン４１ａの先端面を、下部コア層側から上昇するにした
がってハイト方向へ後退する傾斜面または曲面としてい
るのである。

【０２０５】なお、図１５ないし図２１に示す工程図
は、上記したように、上部コア層２６が、記録媒体との
対向面からハイト方向に後退し、前記上部コア層２６の
先端面２６ｃは、その下部コア層側から上部コア層側に
かけてハイト方向に深くなる傾斜面あるいは曲面で形成
され、しかも前記先端面２６ｃは、トラック幅方向の両
側に向かうにしたがってハイト方向に後退する曲面形状
で形成される薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明し
たが、他の実施形態の薄膜磁気ヘッドの製造工程は以下
の通りである。

【０２０６】図５及び６に示す実施例では、上部コア層
２６は、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方
向）に後退して形成され、しかも上部コア層２６の先端
面２６ｃは、その下部コア層側から上部コア層側にかけ
てハイト方向に深くなる傾斜面あるいは曲面で形成され
るが、前記先端面２６ｃは、トラック幅方向（図示Ｘ方
向）にて曲面形状で形成されておらず前記先端面２６ｃ
は、トラック幅方向に平面形状で形成されている。

【０２０７】上記構成の場合、図１９に示す工程の際
に、図５あるいは６に示す上部コア層２６と同じ形状と
なるパターンをレジスト層４１に形成するために、前記
パターン以外の部分の領域に光を照射し、その後現像す
ることで、除去されるパターンの部分の先端面を下部コ
ア層側から上昇するにしたがてハイト方向へ後退する傾
斜面または曲面とし、このとき前記先端面を記録媒体と
の対向面の形成位置からハイト方向へ後退した位置に形
成する。そして前記パターン内に、上部コア層２６の材
質となる磁性材料をメッキすると、図５あるいは６に示
す形状の上部コア層２６を形成することができる。

【０２０８】次に図７ないし図１０に示す実施例では、
上部コア層２６の先端面２６ｃは、記録媒体との対向面
に位置し、しかも前記先端面２６ｃは、下部コア層側か
ら上部コア層側にかけてハイト方向に深くなる傾斜面あ
るいは曲面で形成され、さらに前記先端面２６ｃは、ト
ラック幅方向の両側に向かうにしたがってハイト方向に
後退する曲面形状で形成されている。

【０２０９】上記構成の場合、図１９に示す工程の際
に、図９または図１０に示す上部コア層２６と同じ形状
となるパターンをレジスト層４１に形成するために、前
記パターン以外の部分の領域に光を照射し、その後現像
することで、除去されるパターンの部分の先端面を下部
コア層側から上昇するにしたがてハイト方向へ後退する
傾斜面または曲面とし、このとき前記先端面を記録媒体
との対向面の形成位置と同じ位置に合わせる。そして前
記パターン内に、上部コア層２６の材質となる磁性材料
をメッキすると、図９あるいは１０に示す形状の上部コ
ア層２６を形成することができる。

【０２１０】次に図１１ないし図１４に示す実施例で
は、上部コア層２６の先端面２６ｃは、記録媒体との対
向面に位置し、しかも前記先端面２６ｃは、トラック幅
方向の両側に向かうにしたがってハイト方向に後退する
曲面形状で形成されているが、前記先端面２６ｃは、そ
の下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に
深くなる傾斜面または曲面で形成されておらず、記録媒
体との対向面に沿って形成されている。

【０２１１】上記構成の場合、図１９に示す工程の際
に、図１３または図１４に示す上部コア層２６と同じ形
状となるパターンを露光現像によってレジスト層４１に
形成する。

【０２１２】前記露光現像の際、前記パターンの部分に
光りを照射してもよいし、あるいは前記パターン以外の
部分に光を照射してもどちらでも良い。上記構成の場
合、先端面２６ｃは、その下部コア層側から上部コア層
側にかけてハイト方向に深くなる傾斜面または曲面で形
成されないから、露光現像の際における光の照射の箇所
は、上部コア層２６のパターンの部分でもよいし、前記
パターン以外の部分でもどちらでもよいのである。

【０２１３】そして露光現像によって上部コア層２６の
パターンを形成した後、前記パターン内に、上部コア層
２６の材質となる磁性材料をメッキすると、図１３ある
いは１４に示す形状の上部コア層２６を形成することが
できる。

【０２１４】以上のように本発明の製造方法によれば、
下部磁極層２１、ギャップ層２２、及び上部磁極層３５
の３層膜、あるいはギャップ層２２及び上部磁極層３５
の２層膜で構成されるトラック幅Ｔｗを規制する記録コ
ア２４を、連続メッキで形成することができ、よって従
来のように下部コア層２０の膜面に対して垂直方向に近
い方向からのイオン照射角度を有するトリミング工程の
必要性がなく、再現性が高い薄膜磁気ヘッドを製造する
ことができる。

【０２１５】また本発明における薄膜磁気ヘッドの製造
方法によれば、上部コア層２６をパターン形成する際に
使用するレジスト層を、上部コア層２６のパターンとな
る部分以外のレジスト層に光を照射しその後現像するこ
とによって、前記パターンの先端面を下部コア層側から
上昇するにしたがってハイト方向へ後退する傾斜面ある
いは曲面とすることができ、よって、上部コア層２６の
先端面２６ｃに、その下部コア層側から上部コア層側に
かけてハイト方向に深くなる傾斜面あるいは曲面を形成
することが可能である。

【０２１６】なお本発明では、図１５ないし図１８に示
すように、下部コア層２０上にまず記録コア２４を形成
し、その後、前記記録コア２４の周囲を絶縁層３０によ
って埋めているが、この方法に限るものではない。

【０２１７】例えば下部コア層２０上にまず絶縁層３０
を形成し、前記絶縁層３０に溝を形成した後、前記溝内
に記録コア２４を形成する方法であってもよい。

【０２１８】

【発明の効果】以上、詳細に説明した本発明によれば、
上部コア層の先端面を、トラック幅方向の両側に向かっ
てハイト方向に後退する曲面形状で形成することによ
り、サイドフリンジングの発生を抑制することができ
る。

【０２１９】また前記上部コア層の先端面は、記録媒体
との対向面に位置していてもよいし、あるいはハイト方
向に後退して形成されていてもよい。

【０２２０】本発明では、前記先端面を、記録媒体との
対向面にまで延ばして形成する場合、前記先端面を、下
部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に深く
なる傾斜面または曲面で形成することが好ましい。これ
によりサイドフリンジングの発生をさらに抑制すること
ができ、しかも上部コア層からの磁束を上部磁極層に効
率良く流すことができ、今後の高記録密度化に対向可能
な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。

【０２２１】また本発明の製造方法によれば、下部コア
層の膜面方向に対して垂直方向に近い方向からのイオン
照射角度を有するトリミング工程を必要としなくても、
サイドフリンジングの発生の抑制に適した薄膜磁気ヘッ
ドを製造することができるので、再現性良く薄膜磁気ヘ
ッドを製造することができる。

【０２２２】また前記上部コア層を形成するために必要
なレジスト層に露光現像する際に、前記上部コア層のパ
ターンとなる部分以外のレジスト層に光を照射すること
により、パターン形成される上部コア層の先端面に、そ
の下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に
深くなる傾斜面または曲面を容易に形成することが可能
である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明における実施の形態の薄膜磁気ヘッドの
構造を示す部分正面図、

【図２】図１に示す２−２線から切断した薄膜磁気ヘッ
ドの部分断面図、

【図３】図１及び図２に示す薄膜磁気ヘッドの部分平面
図、

【図４】図１及び図２に示す薄膜磁気ヘッドの他の形状
を示す部分平面図、

【図５】図１及び図２に示す薄膜磁気ヘッドの他の形状
を示す部分平面図、

【図６】図１及び図２に示す薄膜磁気ヘッドの他の形状
を示す部分平面図、

【図７】本発明における他の実施の形態の薄膜磁気ヘッ
ドの構造を示す部分正面図、

【図８】図７に示す８−８線から切断した薄膜磁気ヘッ
ドの部分断面図、

【図９】図７及び図８に示す薄膜磁気ヘッドの部分平面
図、

【図１０】図７及び図８に示す薄膜磁気ヘッドの他の形
状を示す部分平面図、

【図１１】本発明における他の実施の形態の薄膜磁気ヘ
ッドの構造を示す部分正面図、

【図１２】図１１に示す１２−１２線から切断した薄膜
磁気ヘッドの部分断面図、

【図１３】図１１及び図１２に示す薄膜磁気ヘッドの部
分平面図、

【図１４】図１１及び図１２に示す薄膜磁気ヘッドの部
分平面図、

【図１５】本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法を
示す部分平面図と部分断面図、

【図１６】図１５工程の次に行なわれる工程を示す部分
正面図と部分断面図、

【図１７】図１６工程の次に行なわれる工程を示す部分
正面図と部分断面図、

【図１８】図１７工程の次に行なわれる工程を示す部分
正面図と部分断面図、

【図１９】図１８工程の次に行なわれる工程を示す部分
平面図、

【図２０】図１９工程の次に行なわれる工程を示す部分
断面図、

【図２１】図２０工程の次に行なわれる工程を示す部分
断面図、

【図２２】図１９工程の次に行なわれる他の形態を示す
部分断面図、

【図２３】図２２工程の次に行なわれる工程を示す部分
断面図、

【図２４】従来の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面
図、

【図２５】図２４に示す薄膜磁気ヘッドの部分断面図、

【図２６】従来における薄膜磁気ヘッドの製造方法を示
す部分正面図、

【図２７】図２６工程の次に行なわれる部分正面図、

【図２８】図２７工程の次に行なわれる部分正面図、

【図２９】図２８工程の次に行なわれる部分正面図、

【図３０】図２９工程の次に行なわれる部分正面図、

【図３１】図３０工程の次に行なわれる部分平面図、

【図３２】図３１工程の次に行なわれる部分断面図、

【符号の説明】

２０ 下部コア層 ２１ 下部磁極層 ２２ ギャップ層 ２４ 記録コア ２６ 上部コア層 ２６ａ 先端部 ２６ｂ 基端部 ２６ｃ 先端面 ２６ｄ 背面 ２６ｅ 終端部 ２７ Ｇｄ決め絶縁層 ３４ 保護層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池上 正克 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内 (72)発明者 牛膓 英紀 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内 (72)発明者 小林 潔 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内 (72)発明者 高橋 亨 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内 (72)発明者 矢澤 久幸 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内 Ｆターム(参考） 5D033 BA08 BA12 BA21 CA02 DA04 DA07

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下部コア層と、 前記下部コア層上に下部磁極層、ギャップ層、及び上部
   磁極層の順に積層され、あるいはギャップ層及び上部磁
   極層の順に積層されて、記録媒体との対向面に露出する
   記録コアと、 前記記録コアの前記上部磁極層の上に磁気的に接合され
   る上部コア層と、 前記下部コア層、記録コア及び上部コア層に記録用の磁
   界を誘導するコイルとが設けられ、 前記上部コア層の記録媒体との対向側に向く先端面が、
   トラック幅方向の両側に向かうにしたがって、ハイト方
   向へ徐々に後退する曲面形状であることを特徴とする薄
   膜磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 前記曲面形状のトラック幅方向での終端
   部に接する接線を仮想線としたときに、前記トラック幅
   方向に対する前記仮想線の傾きが、３０°以上６０°以
   下である請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
3. 【請求項３】 前記上部コア層は、前記先端面の曲面形
   状の終端部からハイト方向へ延び且つトラック幅方向の
   幅寸法が一定の先端領域と、前記先端領域のハイト側終
   端を起点としてハイト方向へ向けてトラック幅方向の幅
   寸法が徐々に広がる後端領域とを有する請求項１または
   ２に記載の薄膜磁気ヘッド。
4. 【請求項４】 前記上部コア層の前記先端面は、記録媒
   体との対向面からハイト方向へ後退した位置にある請求
   項１ないし３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
5. 【請求項５】 前記記録媒体との対向面から前記上部コ
   ア層の先端面までの最短の後退距離Ｌ３は、前記記録コ
   アの前記対向面からハイト方向への最長長さ寸法以下で
   ある請求項４記載の薄膜磁気ヘッド。
6. 【請求項６】 前記後退距離Ｌ３は、０μｍ＜Ｌ３≦
   ０．８μｍである請求項５記載の薄膜磁気ヘッド。
7. 【請求項７】 前記上部コア層の前記先端面の少なくと
   も一部が、記録媒体との対向面に位置している請求項１
   ないし３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
8. 【請求項８】 前記上部コア層の先端面は、下部コア層
   側から上部コア層側に向けて、ハイト方向へ徐々に深く
   なる傾斜面あるいは曲面である請求項７記載の薄膜磁気
   ヘッド。
9. 【請求項９】 前記上部コア層には、前記先端面よりも
   ハイト側に位置する背面が形成されており、前記背面
   は、下部コア層側から上部コア層側に向けて、ハイト方
   向へ徐々に深くなる曲面あるいは傾斜面であり、 前記背面に形成されている前記傾斜面のハイト方向に対
   する傾き角度、あるいは前記曲面の下部コア層側の終端
   と上部コア層側の終端との中点における接線のハイト方
   向に対する傾き角度をθ１、 前記上部コア層の前記先端面に形成されている前記傾斜
   面のハイト方向に対する傾き角度、あるいは前記曲面の
   下部コア層側の終端と上部コア層側の終端との中点にお
   ける接線のハイト方向に対する傾き角度をθ２としたと
   きに、 前記θ２が前記θ１よりも大きい請求項８記載の薄膜磁
   気ヘッド。
10. 【請求項１０】 前記傾き角度θ２は、６０°≦θ２＜
    ９０°である請求項９記載の薄膜磁気ヘッド。
11. 【請求項１１】 前記上部磁極層上に接合されている端
    部での前記上部コア層のトラック幅方向の幅寸法が、前
    記上部磁極層のトラック幅方向の幅寸法よりも大きい請
    求項１ないし１０のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
12. 【請求項１２】 前記記録コアは、記録媒体との対向面
    からハイト方向へ向けてトラック幅方向の幅寸法が一定
    の先端領域と、前記先端領域のハイト側終端を起点とし
    てハイト方向へトラック幅方向の幅寸法が徐々に広がる
    後端領域とを有している請求項１ないし１１のいずれか
    に記載の薄膜磁気ヘッド。
13. 【請求項１３】 前記上部コア層は、前記記録コアの少
    なくとも前記後端領域に接合されている請求項１２記載
    の薄膜磁気ヘッド。
14. 【請求項１４】 前記ギャップ層は、メッキ形成可能な
    非磁性金属材料で形成されている請求項１ないし１３の
    いずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
15. 【請求項１５】 前記非磁性金属材料は、ＮｉＰ、Ｎｉ
    Ｐｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒ
    ｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上から選択されたもの
    である請求項１４記載の薄膜磁気ヘッド。
16. 【請求項１６】 （ａ）下部コア層上の上に、下部磁極
    層、ギャップ層及び上部磁極層の順に積層され且つ記録
    媒体との対向面で前記下部磁極層と上部磁極層のトラッ
    ク幅方向の寸法を決めた記録コア、またはギャップ層及
    び上部磁極層が順に積層され且つ記録媒体との対向面で
    前記上部磁極層のトラック幅方向の幅寸法を決めた記録
    コアを形成する工程と、（ｂ）前記（ａ）の工程の前に
    または前記（ａ）の工程の後に、前記記録コアの周囲に
    絶縁層を形成し、前記記録コアと前記絶縁層の上面を同
    一平面にする工程と、（ｃ）前記記録コアと前記絶縁層
    の上にレジスト層を形成する工程と、（ｄ）前記レジス
    ト層に、上部コア層を形成するための抜きパターンを形
    成し、このとき前記パターンの記録媒体との対向側の先
    端面を、トラック幅方向に向かうにしたがってハイト方
    向に徐々に深くなる曲面形状とする工程と、（ｅ）前記
    パターン内に、磁性材料をメッキ形成し、前記パターン
    にしたがった曲面形状の先端面を有する上部コア層を形
    成する工程と、 を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
17. 【請求項１７】 前記（ｄ）の工程で、前記レジスト層
    の前記パターン以外の領域を露光し、その後に現像する
    ことで、前記パターンの前記先端面を、下部コア層側か
    ら上昇するにしたがってハイト方向へ後退する傾斜面ま
    たは曲面とし、且つ前記先端面の一部を記録媒体との対
    向面の形成位置に一致させ、 前記（ｅ）の工程では、上部コア層の先端面の少なくと
    も一部が記録媒体との対向面の形成位置に一致し、且つ
    上部コア層の前記先端面を下部コア層側から上昇するに
    したがってハイト方向へ後退する傾斜面または曲面とす
    る請求項１６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
18. 【請求項１８】 前記ギャップ層を、メッキ形成可能な
    非磁性金属材料で形成する請求項１６または１７に記載
    の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
19. 【請求項１９】 前記非磁性金属材料を、ＮｉＰ、Ｎｉ
    Ｐｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒ
    ｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上から選択する請求項
    １８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。