JP3619739B2 - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば浮上式磁気ヘッドなどに使用される記録用の薄膜磁気ヘッドに係り、特にサイドフリンジングを適切に低減させることができる薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１８は、従来における薄膜磁気ヘッド（インダクティブヘッド）の構造を示す部分斜視図である。
【０００３】
図１８に示す符号１は、パーマロイなどの磁性材料で形成された下部コア層である。
【０００４】
図１８に示すように、前記下部コア層１上には、ギャップ層４と上部磁極層５とがトラック幅Ｔｗで形成され、しかも記録媒体との対向面に露出形成されている。前記ギャップ層４及び上部磁極層５は、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）へ所定の長さ寸法Ｌ１で形成される。
【０００５】
なお図示されていないが、前記ギャップ層４及び上部磁極層５のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側及びハイト側（図示Ｙ方向）には、無機絶縁材料等で形成された絶縁層が形成されている。
【０００６】
また前記ハイト側に形成された絶縁層上には、コイル層１３が螺旋状にパターン形成されていおり、さらに前記コイル層１３は、有機絶縁材料で形成された絶縁層（図示しない）によって埋められている。
【０００７】
図１８に示すように、上部磁極層５上には、例えばフレームメッキ法で形成された上部コア層６が形成されている。前記上部コア層６は上部磁極層５と磁気的に接続されている。
【０００８】
また前記上部コア層６は、前記コイル層１３を覆う絶縁層（図示しない）上に延びて形成され、前記上部コア層６の基端部は下部コア層１に磁気的に接続され、下部コア層１−上部コア層６−上部磁極層５を経る閉磁路が形成される。
【０００９】
図１８に示すように、前記上部コア層６は、記録媒体との対向面に露出形成され、しかも前記上部コア層６のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の幅寸法Ｔ１は、上部磁極層５の幅寸法（＝トラック幅Ｔｗ）よりも大きくなっている。そして前記上部コア層６は、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）へ一定の幅寸法Ｔ１で形成された先端領域と、前記先端領域の基端からハイト方向へ徐々に幅寸法が広がる後端領域とで構成されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら図１８に示す従来の薄膜磁気ヘッドの構成では以下のような問題点があった。
【００１１】
すなわち上部コア層６の記録媒体との対向面に露出する先端面６ａの幅寸法Ｔ１は、上部磁極層５の幅寸法（＝トラック幅Ｔｗ）よりも大きいために、前記上部コア層６と上部磁極層５間でサイドフリンジングが発生しやすいといった問題があった。
【００１２】
サイドフリンジングが発生すると、面記録密度を低下させ、今後の高記録密度化に適正に対応することができない。
【００１３】
本発明は、上記従来の問題を解決するためのものであり、特にサイドフリンジングを適切に防止することができる薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを目的としている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明における薄膜磁気ヘッドは、下部コア層と、
前記下部コア層上に、下から下部磁極層、ギャップ層、及び上部磁極層の順に積層され、あるいは下からギャップ層及び上部磁極層の順に積層されて、記録媒体との対向面に露出する記録コアと、
前記記録コアのトラック幅方向の両側及びハイト側を覆う絶縁層と、
前記記録コアの前記上部磁極層の上に磁気的に接合される上部コア層と、
前記下部コア層、記録コア及び上部コア層に記録用の磁界を誘導するコイルとが設けられ、
前記上部コア層は、前記対向面よりもハイト方向奥側に位置する領域Ａでの前記対向面と平行な断面の面積が、前記領域Ａよりも前記対向面側に位置する領域での前記と同じ平行な断面の面積よりも小さいことを特徴とするものである。
【００１５】
このように本発明では、上部コア層に、前記領域Ａよりも前記対向面と平行な方向の断面積の小さい領域が、前記対向面側に形成されている。
【００１６】
すなわち本発明では、前記領域Ａよりも記録媒体との対向面側に位置する領域Ｃの方が、断面積は大きくなるために、断面積に反比例する磁束密度Ｂは、前記領域Ａよりも領域Ｃの方が小さくなる。
【００１７】
したがって上部コア層内をハイト側から記録媒体との対向面側に流れる記録磁界は、前記領域Ａを通過した後、前記領域Ｃ内において小さくなり、よって上部コア層の先端面から上部磁極層間に発生する漏れ磁界が減少し、サイドフリンジングの発生を適切に抑制することが可能である。
【００１８】
本発明では、前記上部コアは前記対向面側に先端面を有し、この先端面が前記対向面と平行な面である場合には、前記先端面の面積が前記領域Ａでの前記断面の面積よりも大きく、前記先端面が前記対向面と平行な面でない場合には、前記先端面を前記対向面と平行な面に投影したときの面積が、前記領域Ａでの前記断面の面積よりも大きいことが好ましい。
【００１９】
また本発明では、前記領域Ａでは、少なくとも前記上部コア層の下面においてトラック幅方向の幅寸法が他の部分よりも細く形成されていることが好ましい。
【００２０】
具体的には、前記領域Ａにおいて、前記上部コア層のトラック幅方向に対向する両側面に、上部コア層を上下に貫通する凹部が形成されていたり、あるいは前記領域Ａにおいて、前記上部コア層のトラック幅方向に対向する両側部に、前記上部コア層の下面から前記上部コア層の高さ方向の途中まで延びる凹部が形成されていることが好ましい。これにより前記領域Ａの断面積を、前記対向面側に位置する領域の断面積よりも小さくでき、サイドフリンジングの発生を適切に抑制することができる。
【００２１】
上記の場合、前記領域Ａでは、前記上部コア層の下面から上部コア層の高さ方向の途中まで盛り上がる曲面形状の表面を有する絶縁材料の盛り上げ層が形成されており、前記上部コア層は前記盛り上げ層の間から前記盛り上げ層の前記曲面上に渡って形成されていることが好ましい。
【００２２】
また前記盛り上げ層は、前記上部コア層をメッキ成長させるためのメッキ下地層の上に形成されていることが好ましい。
【００２３】
前記メッキ下地層は、上部コア層をメッキ成長させて形成するのに必要なものであるが、仮に前記盛り上げ層上にメッキ下地層が形成されると、上部コア層は、前記盛り上げ層上で良好なメッキ成長をし続け、前記盛り上げ層上での上部コア層の表面は、盛り上がってしまい、前記表面は平坦化されない。このため、前記上部コア層の領域Ａの断面積を、前記対向面側の領域での断面積よりも適切に小さくすることができず、サイドフリンジングの適切な抑制を行うことが困難になる。
【００２４】
そこで本発明では、上記したように、メッキ下地層の上に盛り上げ層を形成している。これにより、前記盛り上げ層上では、その周囲から成長するメッキにより上部コア層が形成されていき、これにより前記上部コア層の表面を平坦化することができ、前記上部コア層の領域Ａの断面積を、前記対向面側に位置する領域の断面積よりもより適切に小さくすることができるのである。
【００２５】
また本発明では、前記領域Ａにおいて狭められた上部コア層の幅寸法の範囲内から、または前記範囲を前記対向面側へ延長させた領域内から、前記記録コアが外れないように、前記記録コアと前記上部コア層とのトラック幅方向での相対位置が決められていることが好ましい。これにより上部コア層から上部磁極層へ適切に記録磁界を流すことができ、しかもサイドフリンジングの発生を適切に抑制することが可能である。
【００２６】
または本発明では、前記記録コアは、前記対向面からハイト方向奥側へ向けてトラック幅方向の幅寸法が一定である先端領域と、前記先端領域のハイト方向奥側を起点としてハイト方向奥側に向けてトラック幅方向の幅寸法が徐々に広がる後端領域とを有し、
前記領域Ａにおいて狭められた上部コア層の幅寸法の範囲内から、または前記範囲を前記対向面側へ延長させた領域内から、前記後端領域が外れないように、前記記録コアと前記上部コア層とのトラック幅方向での相対位置が決められていることが好ましい。これにより上部コア層と上部磁極層との接触面積を大きくすることができ、また前記領域Ａが、後端領域上に形成されると、前記領域Ａの部分から後端領域に効率良く、記録磁界を流すことができ記録特性を向上させることができる。
【００２７】
また本発明では、前記上部コア層の前記先端面は、トラック幅方向の両側に向かうにしたがって、ハイト方向へ徐々に後退する曲面形状であることが好ましい。これによりより適切にサイドフリンジングの発生を抑制することができる。
【００２８】
また本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法は、
（ａ）下部コア層の上に、下から下部磁極層、ギャップ層及び上部磁極層の順に積層し、または下からギャップ層及び上部磁極層の順に積層して、記録媒体との対向面でトラック幅方向の幅寸法が決められる記録コアを形成する工程と、
（ｂ）前記（ａ）の工程の前または後に、前記記録コアの周囲に絶縁層を形成し、さらに前記記録コアと前記絶縁層の上面を同一平面にする工程と、
（ｃ）前記記録コアと前記絶縁層の上にレジスト層を形成する工程と、
（ｄ）前記レジスト層に、上部コア層を形成するための抜きパターンを形成し、このとき、前記対向面からハイト方向奥側において前記パターンのトラック幅方向に対向する両側面に互いにパターン内に突き出る突出部を形成し、この突出部で狭められた幅寸法範囲内に前記記録コアを位置させ、または前記幅寸法範囲を前記対向面側へ延長させた領域内に前記記録コアを位置させる工程と、
（ｅ）前記パターン内に磁性材料をメッキ形成し、前記レジスト層を除去することにより、前記突出部によってトラック幅方向の幅寸法が狭められた領域Ａを有する上部コア層を形成する工程と、
を有することを特徴とするものである。
【００２９】
上記の製造方法により、前記上部コア層のトラック幅方向に対向する両側面に、上部コア層を上下に貫通する凹部を形成することができ、この部分が前記領域Ａとなっている。前記領域Ａでは、前記領域Ａよりも前記対向面側に位置する領域の断面績よりも小さい断面積を有し、適切にサイドフリンジングの発生を抑制できる薄膜磁気ヘッドを再現性良く製造することができる。
【００３０】
また上記の製造方法によれば、記録コア層を領域Ａのトラック幅方向への幅寸法内から外れないように形成することができるので、上部コア層からの記録磁界を適切に上部磁極層へ流すことができ、しかもサイドフリンジングの発生を適正に抑制可能な薄膜磁気ヘッドの製造することが可能である。
【００３１】
または本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法は、
（ｆ）下部コア層の上に、下から下部磁極層、ギャップ層及び上部磁極層の順に積層し、または下からギャップ層及び上部磁極層の順に積層して、記録媒体との対向面でトラック幅方向の幅寸法が決められる記録コアを形成する工程と、
（ｇ）前記（ｆ）の工程の前または後に、前記記録コアの周囲に絶縁層を形成し、さらに前記記録コアと前記絶縁層の上面を同一平面にする工程と、
（ｈ）前記対向面からハイト方向奥側において、前記絶縁層上にトラック幅方向に対向する突出部を形成し、このとき前記突出部が対向する部分の幅寸法範囲内に前記記録コアを位置させ、または前記幅寸法範囲を前記対向面側へ延長させた領域内に前記記録コアを位置させる工程と、
（ｉ）前記記録コアと前記絶縁層の上に、レジスト層を形成する工程と、
（ｊ）前記レジスト層に、上部コア層を形成するための抜きパターンを形成し、このとき、前記対向面からハイト方向奥側において前記パターンのトラック幅方向に対向する両側面から前記突出部をパターン内に突き出させる工程と、
（ｋ）前記パターン内に磁性材料をメッキ形成し、前記レジスト層を除去することにより、前記突出部によってトラック幅方向の幅寸法が狭められた領域Ａを有する上部コア層を形成する工程と、
を有することを特徴とするものである。
【００３２】
上記した製造方法によれば、前記上部コア層のトラック幅方向に対向する両側面に、上部コア層を上下に貫通する凹部を形成することができ、あるいは前記上部コア層のトラック幅方向に対向する両側面に、前記上部コア層の下面から前記上部コア層の高さ方向の途中まで延びる凹部を形成でき、この部分が前記領域Ａとなっている。前記領域Ａでは、前記領域Ａよりも前記対向面側に位置する領域の断面績よりも小さい断面積を有し、適切にサイドフリンジングの発生を抑制できる薄膜磁気ヘッドを再現性良く製造することができる。
【００３３】
また上記の製造方法によれば、記録コア層を領域Ａのトラック幅方向への幅寸法内から外れないように形成することができるので、上部コア層からの記録磁界を適切に上部磁極層へ流すことができ、しかもサイドフリンジングの発生を適正に抑制可能な薄膜磁気ヘッドの製造することが可能である。
【００３４】
また本発明では、前記（ｇ）の工程の後に、前記絶縁層の上にメッキ下地層を形成し、前記（ｈ）の工程では、前記突出部を前記メッキ下地層の上に形成し、前記（ｋ）の工程では、前記レジスト層のパターン内で前記突出部以外の領域に現れる前記メッキ下地層の上にメッキを成長させることが好ましい。
【００３５】
上記した製造方法によれば、前記絶縁層上にメッキ下地層を形成した後、前記メッキ下地層上に突起部を形成するので、前記突起部上では、その周囲からのメッキ成長により上部コア層が形成されていき、したがって前記突起部上の上部コア層表面が他の部分の上部コア層表面に比べて盛り上がる形状にはならず、前記上部コア層表面を適切に平坦化することができる。
【００３６】
これにより、上部コア層の下面に凹部が形成された領域Ａの断面積を、先端面の断面積よりも小さくすることができ、サイドフリンジングの発生を適切に防止できる薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。
【００３７】
また本発明では、前記（ｈ）の工程で形成される突出部を、後に形成される上部コア層の高さ寸法の途中までの高さを有する曲面状の表面を有する絶縁材料の盛り上げ層とし、前記（ｋ）の工程では、前記曲面状の前記表面の上にメッキを成長させて、下面から高さ方向の途中まで延びる凹部を有する領域Ａが設けられた上部コア層を形成することが好ましい。
【００３８】
上記の製造方法によれば、前記上部コア層のトラック幅方向に対向する両側面に、前記上部コア層の下面から前記上部コア層の高さ方向の途中まで延びる凹部を形成できる。これによって適切にサイドフリンジングの発生を抑制可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００３９】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明における薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分斜視図、図２は図１に示す薄膜磁気ヘッドの正面図、図３は図２に示す３−３線から切断し矢印方向から見た部分断面図、図４，５は、本発明における薄膜磁気ヘッドの部分平面図の一例である。
【００４０】
図１に示す薄膜磁気ヘッドは、記録用のインダクティブヘッドであるが、本発明では、このインダクティブヘッドの下に、磁気抵抗効果を利用した再生用ヘッド（ＭＲヘッド）が積層されていてもよい。
【００４１】
図１及び図２に示す符号２０は、例えばパーマロイなどの磁性材料で形成された下部コア層である。なお、前記下部コア層２０の下側に再生用ヘッドが積層される場合、前記下部コア層２０とは別個に、磁気抵抗効果素子をノイズから保護するシールド層を設けてもよいし、あるいは、前記シールド層を設けず、前記下部コア層２０を、前記再生用ヘッドの上部シールド層として機能させてもよい。
【００４２】
図１及び図２に示すように、後述する下部磁極層２１の基端から延びる下部コア層２０の上面２０ａはトラック幅方向（図示Ｘ方向）と平行な方向に延びて形成されていてもよく、あるいは、前記上部コア層２６から離れる方向に傾斜する傾斜面２０ｂ，２０ｂが形成されていてもよい。前記下部コア層１０の上面に傾斜面２０ｂ，２０ｂが形成されることで、サイドフリンジングの発生をより適切に低減させることができる。
【００４３】
図１ないし３に示すように、前記下部コア層２０上には、記録コア２４が形成され、前記記録コア２４は記録媒体との対向面に露出形成されている。この実施例において前記記録コア２４はトラック幅Ｔｗで形成された、いわばトラック幅規制部である。前記トラック幅Ｔｗは、０．７μｍ以下で形成されることが好ましく、より好ましくは０．５μｍ以下である。
【００４４】
図１ないし図３に示す実施例では、前記記録コア２４は、下部磁極層２１、ギャップ層２２、および上部磁極層２３の３層膜の積層構造で構成されている。以下、前記磁極層２１、２３およびギャップ層２２について説明する。
【００４５】
図１ないし図３に示すように、前記下部コア層２０上には、記録コア２４の最下層となる下部磁極層２１がメッキ形成されている。前記下部磁極層２１は、下部コア層２０と磁気的に接続されており、前記下部磁極層２１は、前記下部コア層２０と同じ材質でも異なる材質で形成されていてもどちらでもよい。また単層膜でも多層膜で形成されていてもどちらでもよい。なお前記下部磁極層２１の高さ寸法は、例えば０．３μｍ程度で形成される。
【００４６】
また図１ないし図３に示すように、前記下部磁極層２１上には、非磁性のギャップ層２２が積層されている。
【００４７】
本発明では、前記ギャップ層２２は、非磁性金属材料で形成されて、下部磁極層２１上にメッキ形成されることが好ましい。なお本発明では、前記非磁性金属材料として、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、ＮｉＲｈ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上を選択することが好ましく、前記ギャップ層２２は、単層膜で形成されていても多層膜で形成されていてもどちらであってもよい。なお前記ギャップ層２２の高さ寸法は、例えば０．２μｍ程度で形成される。
【００４８】
次に前記ギャップ層２２上には、後述する上部コア層２６と磁気的に接続する上部磁極層２３がメッキ形成されている。なお前記上部磁極層２３は、上部コア層２６と同じ材質で形成されていてもよいし、異なる材質で形成されていてもよい。また単層膜でも多層膜で形成されていてもどちらでもよい。なお前記上部磁極層２３の高さ寸法は、例えば２．４μｍ〜２．７μｍ程度で形成されている。
【００４９】
上記したようにギャップ層２２が、非磁性金属材料で形成されていれば、下部磁極層２１、ギャップ層２２および上部磁極層２３を連続してメッキ形成することが可能になる。
【００５０】
なお本発明では前記記録コア２４は、上記３層膜の積層構造に限らない。前記記録コア２４は、ギャップ層２２と上部磁極層２３からなる２層膜で形成されていてもよい。
【００５１】
また上記したように、記録コア２４を構成する下部磁極層２１および上部磁極層２３は、それぞれの磁極層が磁気的に接続されるコア層と同じ材質でも異なる材質で形成されてもどちらでもよいが、記録密度を向上させるためには、ギャップ層２２に対向する下部磁極層２１および上部磁極層２３は、それぞれの磁極層が磁気的に接続されるコア層の飽和磁束密度よりも高い飽和磁束密度を有していることが好ましい。このように下部磁極層２１および上部磁極層２３が高い飽和磁束密度を有していることにより、ギャップ近傍に記録磁界を集中させ、記録密度を向上させることが可能になる。
【００５２】
なお図３に示すように、下部磁極層２１と下部コア層２０間には、メッキ下地層４６が形成されている。
【００５３】
前記記録コア２４は、図１及び図３に示すように、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）にかけて長さ寸法Ｌ１で形成されている。
【００５４】
図１及び図３に示すように、下部コア層２０上には、例えばレジスト等で形成されたＧｄ決め絶縁層２７が形成されており、前記Ｇｄ決め絶縁層２７の表面は、例えば曲面形状で形成されている。そして図３に示すように、前記曲面上に、上部磁極層２３が延びて形成されている。
【００５５】
前記Ｇｄ決め絶縁層２７上に上部磁極層２３を形成することで、前記上部磁極層２３のハイト方向への長さ寸法Ｌ１を長く形成できるため、前記上部磁極層２３のボリュームを稼ぐことができ、高記録密度化においても前記上部磁極層２３の磁気飽和を低減でき、記録特性の向上を図ることができる。
【００５６】
また図１及び図３に示すように、前記Ｇｄ決め絶縁層２７の前面から記録媒体との対向面までの長さ寸法Ｌ２は、ギャップデプスＧｄとして規制されており、前記ギャップデプスＧｄは、薄膜磁気ヘッドの電気特性に多大な影響を与えることから、予め所定の長さに設定される。
【００５７】
図１ないし３に示す実施例では、前記ギャップデプスＧｄは、下部コア層２０上に形成されたＧｄ決め絶縁層２７の形成位置によって規制されることになる。
【００５８】
図３に示すように、前記記録コア２４のハイト方向（図示Ｙ方向）の後方であって下部コア層２０上には絶縁下地層２８を介してコイル層２９が螺旋状に巻回形成されている。前記絶縁下地層２８は、例えば、ＡｌＯ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ_３、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種からなる絶縁材料で形成されていることが好ましい。
【００５９】
さらに前記コイル層２９の各導体部のピッチ間は、絶縁層３０によって埋められている。前記絶縁層３０は、ＡｌＯ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ_３、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種から選択されることが好ましい。
【００６０】
前記絶縁層３０は、図２に示すように、前記記録コア２４のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側に形成され、前記絶縁層３０は記録媒体との対向面に露出形成されている。
【００６１】
図３に示すように、前記絶縁層３０上には、レジストやポリイミド等の有機絶縁料で形成された絶縁層３１が形成され、前記絶縁層３１上には、第２のコイル層３３が螺旋状に巻回形成されている。
【００６２】
図３に示すように、前記第２のコイル層３３は、レジストやポリイミド等の有機材料で形成された絶縁層３２によって覆われ、前記絶縁層３２上には、ＮｉＦｅ合金等で形成された上部コア層２６が例えばフレームメッキ法等によりパターン形成されている。
【００６３】
図１ないし図３に示すように、前記上部コア層２６の先端部２６ａは、前記上部磁極層２３上に磁気的に接続されて形成され、前記上部コア層２６の基端部２６ｂは、下部コア層２０上にＮｉＦｅ合金等の磁性材料で形成された盛り上げ層３６上に磁気的に接続されて形成されている。なお前記盛り上げ層３６は形成されていなくても良く、この場合、前記上部コア層２６の基端部２６ｂは、下部コア層２０上に直接接続されることになる。
【００６４】
図１及び図３に示すように、前記上部コア層２６の記録媒体との対向面側の先端面２６ｆは、その幅寸法がＴ３であり、前記幅寸法Ｔ３はトラック幅Ｔｗよりも大きくなっている。
【００６５】
なお図３に示す薄膜磁気ヘッドでは、コイル層が２層積層されているが、１層で形成されていてもよい。この場合、例えば前記下部コア層２０上であって、記録コア２４のハイト方向後方は絶縁層３０によって埋められ、前記絶縁層３０上にコイル層が形成されることになる。あるいは図２に示す第２のコイル層３３が形成されず、絶縁層３１上に沿って上部コア層２６が形成されることになる。
【００６６】
次に本発明における上部コア層２６の形状について詳述する。
本発明では、図１に示すように、上部コア層２６のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側端面２６ｃ，２６ｃに、その下面２６ｄから上面２６ｅにかけて貫通する凹部３７，３７が形成されている。
【００６７】
このため図１に示すように、前記凹部３７，３７の形成された領域Ａを、記録媒体との対向面と平行な方向から切断した任意の断面積Ｓ１は、前記領域Ａよりも前記対向面側に位置する領域Ｃでの前記と同じ平行な断面の面積よりも小さくなっている。
【００６８】
また図１に示すように本発明における上部コア層２６は、記録媒体との対向面側に先端面２６ｆを有している。この先端面２６ｆが、前記対向面と平行な面である場合には、前記先端面２６ｆの面積が前記領域Ａでの前記断面の面積よりも大きくなっていることが好ましい。
【００６９】
また前記先端面２６ｆが、前記対向面と平行な面でない場合、例えば前記先端面２６ｆが、下面から上面に向けて徐々にハイト方向（図示Ｙ方向）に傾く傾斜面あるいは曲面で形成されている場合には、前記先端面２６ｆを前記対向面と平行な面に投影したときの面積が、前記領域Ａでの前記断面の面積よりも大きいことが好ましい。
【００７０】
なお前記凹部３７は、上部コア層２６のトラック幅方向における両側側面２６ｃ，２６ｃに形成されているが、片方の側面２６ｃにのみ形成されていてもよい。
【００７１】
また前記凹部３７の形状は如何なる形状であってもよい。図４及び図５に示すように、前記凹部３７は上から見ると半円形状で形成されているが、例えば上から見た場合に方形状等で形成されていてもかまわない。
【００７２】
ただし図１に示すように、前記凹部３７が前記上部コア層２６の両側側面２６ｃ，２６ｃに形成される場合、前記一対の凹部３７，３７は、トラック幅方向（図示Ｘ方向）にて左右対称な形状で形成されることが、上部コア層２６から記録磁界を効率良く上部磁極層２３に流すことができて好ましい。
【００７３】
ところで前記領域Ａにおいて狭められた上部コア層２６の幅寸法の範囲内から、または前記範囲を前記対向面側へ延長させた領域内から、前記記録コア２４が外れないように、前記記録コア２４と前記上部コア層２６とのトラック幅方向での相対位置が決められていることが好ましい。
【００７４】
図４に示す実施例では、前記記録コア２４は記録媒体との対向面からハイト方向へ長さ寸法Ｌ３で形成され、しかも一定の幅寸法（＝トラック幅Ｔｗ）で形成されている。このように記録コア２４が記録媒体との対向面から基端までトラック幅Ｔｗで形成されることにより、前記トラック幅Ｔｗを所定の寸法値内で形成しやすい。
【００７５】
一方、図５に示す実施例では、前記記録コア２４は、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）にトラック幅Ｔｗで形成された先端領域Ｄと前記先端領域のハイト方向奥側を起点としてハイト方向奥側に向けてトラック幅方向の幅寸法が徐々に広がる後端領域Ｅとで構成されている。この実施例では、トラック幅Ｔｗよりも幅寸法が広い後端領域Ｅが形成されていることで、上部コア層２６が前記後端領域Ｅ上で接合されることにより、前記上部コア層２６と記録コア２４との接触面積をより大きくすることができ、上部コア層２６からの記録磁界を効率良く上部磁極層２３に流すことができる。
【００７６】
ところで図５に示すように、記録コア２４に幅寸法の広い後端領域Ｅが形成されている場合には、前記領域Ａにおいて狭められた上部コア層の幅寸法の範囲内から、または前記範囲を前記対向面側へ延長させた領域内から、前記後端領域Ｅが外れないように、前記記録コア２４と前記上部コア層２６とのトラック幅方向での相対位置が決められていることが好ましい。
【００７７】
すなわち本発明では図４及び図５に示すように、前記記録コア２４と接合する上部コア層２６の領域Ａの下面の面積（斜線で示されている）は、前記領域Ａと接合する部分の記録コア２４の上面の面積よりも大きいことが好ましい。これにより上部コア層２６からの記録磁界を効率良く上部磁極層２３に流すことができる。
【００７８】
また前記記録コア２４は、前記領域Ａのトラック幅方向（図示Ｘ方向）範囲内においてその中央に形成されることが好ましい。これにより前記上部コア層２６からの記録磁界を効率良く上部磁極層２３に流すことができ、サイドフリンジングの発生をより適切に防止することが可能である。
【００７９】
このように本発明では、上部コア層２６は、記録媒体との対向面よりもハイト方向奥側に位置する領域Ａでの前記対向面と平行な断面積が、前記領域Ａよりも前記対向面側に位置する領域Ｃでの前記と同じ平行な断面績よりも小さくなっている。これによって、サイドフリンジングの発生をより適正に防止することが可能である。
【００８０】
次にサイドフリンジングの発生を適正に抑制できるその原理について説明する。磁束密度Ｂは、磁束φが一定であるならば、断面積に反比例する。すなわち前記磁束密度Ｂは、断面積が小さいほど大きくなり、前記断面積が大きいほど小さくなる。
【００８１】
ここで本発明における上部コア層２６内での磁束密度Ｂについて考察してみると、対向面側に位置する領域Ｃの断面積よりも小さい断面積を有する領域Ａでは、磁束密度Ｂが大きくなり、一方、前記領域Ｃでは、前記磁束密度Ｂが低下する。
【００８２】
すなわち記録磁界の領域Ａから領域Ｃに流れる量は減少し、一方、前記上部コア層２６の前記領域Ａから上部磁極層２３に前記記録磁界が流れ易くなる（図３の矢印参照）。
【００８３】
このため記録媒体との対向面において、上部コア層２６の先端面２６ｆと上部磁極層２３間での漏れ磁界が減り、サイドフリンジングの発生を適切に抑制することが可能になるのである。また前記領域Ａから上部磁極層２３に記録磁界が流れ易くなることにより、上記したように領域Ａにおいて狭められた上部コア層２６の幅寸法内から、前記記録コア２４が外れないように、前記記録コア２４と前記上部コア層２６とのトラック幅方向での相対位置が決められる方が、記録特性を向上できて好ましい。
【００８４】
なお本発明では、図１の点線で示すように、前記上部コア層２６の先端面２６ｆは、トラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側に向かうにしたがって、ハイト方向（図示Ｙ方向）へ徐々に後退する曲面形状で形成されていてもよい。これにより前記先端面２６ｆは、記録媒体との対向面から一部のみが露出することになり、サイドフリンジングの発生をより適切に抑制することが可能である。
【００８５】
また図３に示すように、前記上部コア層２６の先端面２６ｆが、記録媒体との対向面から点線Ｆの位置まで後退して形成され、前記先端面２６ｆが前記対向面から完全に露出しない形状としてもよい。これによりさらにサイドフリンジングの発生を抑制することが可能である。
【００８６】
図６は本発明における第２実施形態の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分斜視図、図７は図６に示す薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図である。
【００８７】
図６及び図７に示す薄膜磁気ヘッドの構造は、図１ないし図５に示す薄膜磁気ヘッドの構造と比較すると、上部コア層２６の先端形状が異なるだけで他の層構造（形状）は全く同じである。
【００８８】
すなわち、図７に示すように、下部コア層２０上には、記録媒体との対向面からハイト方向に所定長さ寸法Ｌ１で形成された記録コア２４が形成されており、前記記録コア２４は、下から下部磁極層２１、ギャップ層２２、及び上部磁極層２３の３層膜、あるいはギャップ層２２、及び上部磁極層２３の２層膜で構成されている。また前記下部コア層２０と記録コア２４との間には、Ｇｄ決め絶縁層２７が形成され、記録媒体との対向面から前記Ｇｄ決め絶縁層２７の前面までの長さ寸法Ｌ２がギャップデプス（Ｇｄ）として規制される。
【００８９】
図７に示すように、下部コア層２０上であって、記録コア２４のハイト方向後方には、絶縁下地層２８を介してコイル層２９が螺旋状に巻回形成されている。さらに前記コイル層２９の各導体部のピッチ間は無機絶縁材料等で形成された絶縁層３０によって覆われ、前記絶縁層３０は記録媒体との対向面に露出形成されている。
【００９０】
また前記コイル層２９上には、有機絶縁材料等で形成された絶縁層３１が形成され、前記絶縁層３１の上には第２のコイル層３３が螺旋状に巻回形成されている。
【００９１】
前記第２のコイル層３３上は、有機絶縁材料等で形成された絶縁層３２に覆われ、さらに前記絶縁層３２上には上部コア層２６が、例えばフレームメッキ法等によりパターン形成されている。前記上部コア層２６の先端部２６ａは、上部磁極層２３上に重ねられて形成され、前記上部コア層２６と上部磁極層２３とが磁気的に接続された状態にされる。また前記上部コア層２６の基端部２６は、下部コア層２０上に形成された磁性材料製の盛り上げ層３６上に磁気的に接続された状態にされている。
【００９２】
図６及び７に示す実施例においても、図１ないし図５に示す実施例と同様に、上部コア層２６は、記録媒体との対向面よりもハイト方向（図示Ｙ方向）奥側に位置する領域Ａでの前記対向面と平行な断面の面積が、前記領域Ａよりも前記対向面側に位置する領域Ｃでの前記と同じ平行な断面の面積よりも小さくなっている。
【００９３】
ただし前記領域Ａの形成手段が図１に示す薄膜磁気ヘッドとでは異なっている。
【００９４】
図６に示す実施例では、前記領域Ａでは、前記上部コア層２６の下面から上部コア層２６の高さ方向（図示Ｚ方向）の途中まで盛り上がる曲面形状の表面を有する絶縁材料の盛り上げ層４０，４０が形成されている。
【００９５】
この盛り上げ層４０は、トラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側に形成された絶縁層３０上に形成されている。
【００９６】
そして前記上部コア層２６の領域Ａでは、前記盛り上げ層４０，４０間から前記盛り上げ層４０の前記曲面上に渡って形成されている。
【００９７】
このように、前記上部コア層２６下には盛り上げ層４０，４０が形成されることにより、前記領域Ａでは、前記上部コア層２６の下面から上部コア層２６のトラック幅方向に対向する両端部に、前記上部コア層２６の下面から前記上部コア層２６の高さ方向（図示Ｚ方向）の途中まで延びる凹部４１，４１が形成される。
【００９８】
したがって前記凹部４１が形成されている箇所を記録媒体との対向面と平行に切断すると、その断面積は、前記領域Ａよりも対向面側に位置する領域Ｃでの前記と同じ平行な断面積よりも小さくなっている。
【００９９】
なお前記盛り上げ層４１は、例えばＡｌＯ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ_３、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮ等の無機絶縁材料や、レジストやポリイミド等の有機絶縁材料で形成される。
【０１００】
また図６に示す実施例では、前記盛り上げ層４１は、２つ形成されているが一つでもかまわない。さらに図６に示すように盛り上げ層４１が２つ形成される場合には、トラック幅方向（図示Ｘ方向）に左右対称な形状で形成されていることが好ましい。これにより、上部コア層２６に形成される２つの凹部４１，４１もまた同一形状で形成でき、上部コア層２６からの記録磁界を効率良く上部磁極層２３に流すことができ、記録効率を高めることが可能である。
【０１０１】
また前記盛り上げ層４１は図６に示すように表面が曲面形状となっているが、例えば矩形状で形成されていてもよい。
【０１０２】
また前記上部コア層２６は、盛り上げ層４１上の少なくとも一部分に重ねて形成されることが必要であるが、前記上部コア層２６は、前記盛り上げ層４１上に完全に重ねて形成されていてもかまわない。
【０１０３】
また本発明では、前記領域Ａにおいて狭められた上部コア層２６の幅寸法の範囲内から、または前記範囲を前記対向面側へ延長させた領域内から、前記記録コア２４が外れないように、前記記録コア２４と上部コア層２６とのトラック幅方向での相対位置が決められていることが好ましい。
【０１０４】
本発明では、前記盛り上げ層４１は、前記記録コア層２４のトラック幅方向の両側に形成される絶縁層３０上に形成される。これによって、前記記録コア２４を上部コア層２６の幅寸法の範囲内から、または前記範囲を前記対向面側へ延長させた領域内から、前記記録コア２４が外れないように形成することができる。
【０１０５】
これにより前記上部コア層２６からの記録磁界を効率良く上部磁極層２３に流すことが可能である。
【０１０６】
また図５に示すように前記記録コア２４が、記録媒体との対向面からハイト方向へトラック幅Ｔｗで延びる先端領域Ｄと、前記先端領域Ｄのハイト方向（図示Ｙ方向）奥側を起点としてハイト方向奥側に向けてトラック幅方向の幅寸法が徐々に広がる後端領域Ｅとで構成される場合、前記上部コア層２６の領域Ａにおいて狭められた上部コア層２６の幅寸法の範囲内から、または前記範囲を前記対向面側へ延長させた領域内から、前記後端領域Ｅが外れないように、前記記録コア２４と前記上部コア層２６とのトラック幅方向での相対位置が決められていることが好ましい。
【０１０７】
この構成を達成するには、前記記録コア２４の後端領域Ｅのトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側に広がる絶縁層３０上に盛り上げ層４１が形成されると、前記領域Ａを記録コア２４の後端領域Ｅ上に、前記後端領域Ｅが外れないように重ねて形成することが可能である。
【０１０８】
また前記記録コア２４は、上部コア層２６の領域Ａのトラック幅方向（図示Ｘ方向）の中央に形成されることが、上部コア層２６からの記録磁界を効率良く上部磁極層２３に流すことができて好ましい。
【０１０９】
また図６及び７に示す実施例のように、前記盛り上げ層３１上に上部コア層２６を重ねて形成する場合には、図７に示すように盛り上げ層４０の下側に上部コア層２６の形成に必要なメッキ下地層４４を敷くことが好ましい。
【０１１０】
図７に示すように前記メッキ下地層４４は、記録コア２４上及び前記記録コア２４の両側に形成されている絶縁層３０上から前記第２のコイル層３３上を覆う絶縁層３２上にかけて形成されており、前記メッキ下地層４４上に盛り上げ層４０が形成されているのである。
【０１１１】
そして上部コア層２６は、前記メッキ下地層４４上からメッキ成長して形成されるが、上記したように盛り上げ層４０上にはメッキ下地層４４が形成されていないために、前記盛り上げ層４０上では、その周囲からのメッキ成長により上部コア層２６が形成されていき、したがって完成後の上部コア層２６の上面２６ｅは、平坦化されて形成される。
【０１１２】
一方、前記盛り上げ層４０上にメッキ下地層４４が形成された場合には、前記盛り上げ層４０上においてもメッキ成長が活発化し、完成後の前記上部コア層２６の上面２６ｅは、盛り上げ層４０が形成されている部分が盛り上がってしまい、実質的に領域Ａの記録媒体との対向面と平行な方向への断面積を、先端面２６ｆの面積より小さくすることができなくなる。
【０１１３】
よって本発明では、上記のようにメッキ下地層４４を盛り上げ層４０の下側に敷くこととしている。
【０１１４】
またこの実施例においても、図１ないし図５に示す実施例と同様に、前記上部コア層２６の先端面２６ｆが、トラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側に向かうにしたがって、ハイト方向（図示Ｙ方向）へ徐々に後退する曲面形状で形成されていてもよい。また図７に示すように先端面２６ｆが、記録媒体との対向面から点線Ｆの位置まで後退して形成され、前記先端面２６ｆが前記対向面から完全に露出しない形状としてもよい。
【０１１５】
図６、７に示す実施例では、磁束密度Ｂは、前記領域Ａよりも領域Ｃの方が小さくなるため、記録磁界は、領域Ａから領域Ｃに流れると低下し、前記先端面２６ｆと上部磁極層２３間での漏れ磁界は減少し、サイドフリンジングの発生を適切に抑制することが可能である。一方、磁束密度Ｂが高まった前記領域Ａが、記録コア２４上で接合されていると、前記領域Ａから記録磁界が有効に上部磁極層２３側に流れ（図７の矢印参照）、磁束効率を上げることができ、今後の高記録密度化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。
【０１１６】
なお図１及び図６に示す実施例では、上部コア層２６の先端面２６ｆよりも断面積の小さくなる領域Ａが一個所だけ形成されているが、前記領域Ａが複数形成されていてもかまわない。
【０１１７】
また本発明では、前記領域Ａでは、少なくとも前記上部コア層２６の下面においてトラック幅方向の幅寸法が他の部分よりも細く形成されていれば良く、図１ないし図７に示す実施形態に限定されるものではない。
【０１１８】
また本発明では、前記領域Ａでは、高さ方向（図示Ｚ方向）の厚みが、前記領域Ａよりも対向面側に位置する領域Ｃの前記厚みよりも薄く形成されていても良く、これによってもサイドフリンジングの発生を適正に抑制することが可能になっている。
【０１１９】
図８及び図９は、図１に示す薄膜磁気ヘッド（実施例）と、図１８に示す薄膜磁気ヘッド（比較例）を用いて信号を記録媒体に記録した後、再生ヘッド（ＭＲヘッド）を用いて、前記信号を再生した際のトラック幅Ｔｗ中央からトラック幅方向（図示Ｘ方向）への位置と、その位置での再生出力（ＴＡＡ）との関係を示すグラフである。なお実験では、再生ヘッド（ＭＲヘッド）に同じ形状のものを使用している。またグラフに示す横軸の０点は、再生ヘッドにおけるトラック幅Ｔｗの中央位置を示している。
【０１２０】
図８に示すように、０点すなわちトラック幅Ｔｗの中央部分では再生出力が最も大きくなり、前記中央部分からトラック幅方向（図示Ｘ方向）へ離れるほど再生出力（μＶ）は低下していき、トラック幅Ｔｗ中央から±１μｍ程度離れた位置では、再生出力は０μＶとなる。
【０１２１】
図８に示すように、実施例の薄膜磁気ヘッドでは、サイドフリンジングの発生が無いことが理解できる。
【０１２２】
一方、図９に示す比較例の薄膜磁気ヘッドを用いた場合、図８と同様に、０点すなわちトラック幅Ｔｗの中央部分からトラック幅方向（図示Ｘ方向）に離れるにしたがって再生出力（μＶ）は低下していくものの、前記中央部分から約±１．１ないし１．３μｍ離れた位置で再び再生出力が向上することがわかる。すなわち図９に示すグラフでは、再生出力が盛り上がる山が３つ存在し、中央部分から約±１．１ないし１．３μｍ離れた位置で上昇する再生出力はサイドフリンジングとして出力される。このように図９に示すように、比較例の薄膜磁気ヘッドでは、サイドフリンジングが発生しやすいことがわかる。
【０１２３】
このように実施例の薄膜磁気ヘッドを使用した場合、サイドフリンジングが発生しにくいのは、上記したように、上部コア層２６は、記録媒体との対向面よりもハイト方向奥側に位置する領域Ａでの前記対向面と平行な断面の面積が、前記領域Ａよりも前記対向面側に位置する領域Ｃでの前記と同じ平行な断面の面積よりも小さくなっているからであり、前記領域Ａの存在により、前記領域Ａよりも対向面側に位置する領域Ｃに流れる記録磁界は低下し、サイドフリンジングの発生を適切に抑制することが可能になっている。
【０１２４】
次に本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法について以下に説明する。図１０ないし図１４に示す薄膜磁気ヘッドは図１に示す薄膜磁気ヘッドの製造工程図である。また図１０ないし１３までが薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図、図１４が部分平面図で示されている。
【０１２５】
図１０に示すようにまず下部コア層２０上に、Ｇｄ決めレジスト層２７を形成した後、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）へ所定の長さ寸法にて、記録コア２４を形成する。前記記録コア２４は、下から下部磁極層２１、ギャップ層２２、及び上部磁極層２３の順に積層される。なお前記記録コア２４はギャップ層２２と上部磁極層２３の２層で構成されていてもよい。
【０１２６】
なお前記ギャップ層２２を、メッキ形成可能な非磁性金属材料で形成することが好ましい。具体的には、前記非磁性金属材料を、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上から選択することが好ましい。これにより前記記録コア２４を連続メッキにより形成することが可能である。
【０１２７】
また前記記録コア２４のトラック幅方向（図示Ｘ方向）への幅寸法は、０．７μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以下である。前記記録コア２４のトラック幅方向への幅寸法はトラック幅Ｔｗとして規制されるので、できる限り小さく形成されることが好ましい。また下部磁極層２１の高さ寸法は、０．３μｍ程度で形成され、ギャップ層２２の高さ寸法は、０．２μｍ程度で形成され、また上部磁極層２３の高さ寸法は、３．０μｍ〜３．３μｍ程度で形成される。
【０１２８】
次に図１１に示すように、下部コア層２０上、さらには記録コア２４上を絶縁層３０によって埋める。前記絶縁層３０を形成する絶縁材料としては、無機絶縁材料であることが好ましい。具体的には、ＡｌＯ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ_３、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種から選択されることが好ましい。
【０１２９】
このように前記絶縁層３０を無機絶縁材料で形成する理由は、次に行なわれるＣＭＰ技術によって前記絶縁層３０の表面を研磨加工し易くするためである。
【０１３０】
図１１に示すように前記絶縁層３０をＨ−Ｈ線から、ＣＭＰ技術を用いて研磨加工する。これによって前記絶縁層３０の表面は平坦化され、また前記絶縁層３０の表面からは上部磁極層２３の表面が露出する。
【０１３１】
次に図１２工程では、前記記録コア２４よりもハイト側（図示Ｙ方向）に埋められた絶縁層３０上に、コイル層４５を螺旋状にパターン形成し、さらに前記コイル層４５上を有機絶縁材料からなる絶縁層３２によって覆う。
【０１３２】
次に図１３に示す工程では、前記記録コア２４上から前記絶縁層３２上にかけてＮｉＦｅ系合金等からなるメッキ下地層４４を形成する。
【０１３３】
次に図１４に示す工程では、前記メッキ下地層４４上にレジスト層４２を塗布した後、前記レジスト層４２に上部コア層２６の抜きパターン４２ａを露光現像によって形成する。
【０１３４】
前記パターン４２ａは図１４に示すように、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）にほぼ一定の幅寸法で形成された先端領域Ｆと前記先端領域Ｆのハイト方向奥側を起点としてハイト方向奥側に向けてトラック幅方向の幅寸法が広がる後端領域Ｇとで構成される。図１４に示すように前記先端領域Ｆの下側には、記録コア２４が形成されている。
【０１３５】
本発明では、前記パターン４２ａを形成するとき前記パターン４２ａの両側端面に前記パターン４２ａ内に突き出る突起部４２ｂ，４２ｂを形成する。前記突起部４２ｂ，４２ｂは、トラック幅方向（図示Ｘ方向）と平行な方向に形成され、さらに前記トラック幅方向に左右対称な形状で形成されることが好ましい。
【０１３６】
また前記突起部４２ｂ，４２ｂで狭められた幅寸法範囲内に前記記録コア２４を位置させ、または前記幅寸法範囲を記録媒体との対向面側へ延長させた領域内に前記記録コア２４を位置させる。
【０１３７】
また前記記録コア２４が記録媒体との対向面からハイト方向へトラック幅Ｔｗで延びる先端領域Ｄと、前記先端領域Ｄの両側終端からハイト方向（図示Ｙ方向）へ幅寸法が徐々に広がる後端領域Ｅで構成される場合、前記突起部４２ｂ，４２ｂで狭められた幅寸法範囲内に前記記録コア２４の後端領域Ｅを位置させ、または前記幅寸法範囲を記録媒体との対向面側へ延長させた領域内に前記記録コア２４の後端領域Ｅを位置させる。
【０１３８】
そして前記パターン４２ｂ内に、磁性材料をメッキ形成し、残された前記レジスト層４２を除去すると、図１に示す、前記突出部によってトラック幅方向の幅寸法が狭められた領域Ａを有する上部コア層２６を形成することができる。
【０１３９】
すなわち上記した本発明における製造方法によれば、前記上部コア層２６の両側端面２６ｃ，２６ｃに凹部３７，３７を形成することができる。前記凹部３７，３７の形成された領域Ａでの前記対向面と平行な断面の面積は、前記領域Ａよりも前記対向面側に位置する領域Ｃでの前記と同じ平行な断面の面積よりも小さくなり、したがってサイドフリンジングの発生を適切に抑制可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【０１４０】
また上記した製造方法によれば、レジスト層４２を露光現像によってパターン形成するだけで、メッキ形成により完成した上部コア層２６の両側端面２６ｃ，２６ｃにサイドフリンジングの発生の抑制可能な凹部３７，３７を容易にしかも精度良く形成することが可能である。
【０１４１】
次に図１５ないし図１７に示す工程図を用いて、図６に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。なお図１５及び図１７は薄膜磁気ヘッドを部分縦断面図で、図１６は薄膜磁気ヘッドを部分平面図で示している。
【０１４２】
まず図１０ないし図１３に示す工程を終えた後、図１５及び図１６に示すように、メッキ下地層４４上に盛り上げ層４０，４０を形成する。前記盛り上げ層４０は、例えばＡｌＯ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ_３、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮ等の無機絶縁材料や、レジストやポリイミド等の有機絶縁材料で形成される。
【０１４３】
また前記盛り上げ層４０の形成される位置は、図１５に示す位置に限らないが、前記盛り上げ層４０，４０が対向する部分の幅寸法内に記録コア２４を位置させ、または前記幅寸法範囲を前記対向面側へ延長させた領域内に前記記録コア２４を位置させる必要がある。
【０１４４】
また前記盛り上げ層４０、４０は、図１６に示すように記録コア２４のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側に形成されている絶縁層３０上にメッキ下地層４４を介して形成され、また一対の盛り上げ層４０，４０はトラック幅方向に平行な方向で形成されていることが好ましい。さらに前記一対の盛り上げ層４０，４０は、同じ形状で形成され、しかも前記記録コア２４の中央からトラック幅方向へ同じ距離だけ離れた位置に形成されることが好ましい。
【０１４５】
そして図１６に示すように前記メッキ下地層４１及び盛り上げ層４０上にレジスト層４３を塗布し、前記レジスト層４３を露光現像して上部コア層２６の抜きパターン４３ａを形成する。
【０１４６】
前記パターン４３ａの形成の際、図１６に示すように、前記対向面からハイト方向奥側において前記パターン４３ａのトラック幅方向に対向する両側面から前記盛り上げ層４０を前記パターン４３ａ内に突き出させる。
【０１４７】
そして前記パターン４３ａ内に磁性材料をメッキ形成し、残されたレジスト層４３を除去すると、前記盛り上げ層４０によってトラック幅方向の幅寸法が狭められた領域Ａを有する上部コア層２６が完成する。
【０１４８】
前記上部コア層２６には、図６に示すように、その下面から高さ方向の途中まで延びる凹部４１，４１が形成され、この前記凹部４１が形成された部分が領域Ａとなっている。
【０１４９】
また上記した製造方法によれば、盛り上げ層４０の形成のみで、前記上部コア層２６の下面の両側端部にサイドフリンジングの発生の抑制可能な凹部４１，４１を容易にしかも精度良く形成することが可能である。
【０１５０】
また本発明の製造方法によれば図１５に示すように、上部コア層２６をメッキ成長で形成する際に必要なメッキ下地層４４を形成した後、その上に盛り上げ層４０を形成している。
【０１５１】
すなわち前記盛り上げ層４０上にはメッキ下地層４４が形成されていないから前記盛り上げ層４０上でメッキ成長はされず、前記メッキ下地層４４が形成されている部分からのメッキ成長により、徐々に盛り上げ層４０上もメッキされ、図１７に示すように、上部コア層２６の上面は平坦化されて形成される。
【０１５２】
一方、盛り上げ層４０上にメッキ下地層４４が形成されていると、前記盛り上げ層４０上でもメッキ成長していくために、上部コア層２６の上面には点線で示す盛り上がった部分が形成されてしまい、領域Ａの記録媒体との対向面と平行な方向からの断面積を、上部コア層２６の先端面２６ｆの面積よりも有効に小さくすることができず好ましくない。よって本発明では、まずメッキした地層４１を形成した後、前記メッキ下地層４４上に盛り上げ層４０を形成しているのである。
【０１５３】
なお本発明では上記した製造方法に限られない。例えば前記盛り上げ層４０に代えて図１に示す凹部３７と同様の形状を有する円柱状の突出部を絶縁層３０上に形成しておき、レジストによるパターン形成により、図１に示す形状の上部コア層２６（下面から上面へ貫通する凹部３７を有する）を形成することも可能である。なおこの場合、前記上部コア層２６をメッキ成長させるために必要なメッキ下地層４４を形成した後、前記メッキ下地層上に前記突出部の下側に形成する必要がある。
【０１５４】
また上記した製造方法では、上部コア層２０上に記録コア２４を形成した後、前記記録コア２４のトラック幅方向の両側及びハイト側を絶縁層３０によって埋めているが、まず先に下部コア層２０上に絶縁層３０を形成した後、前記絶縁層３０に記録コア２４形成のための溝を形成し、前記溝内に記録コアを連続メッキしてもよい。
【０１５５】
【発明の効果】
以上、詳細に説明した本発明によれば、上部コア層は、前記対向面よりもハイト方向奥側に位置する領域Ａでの前記対向面と平行な断面の面積が、前記領域Ａよりも前記対向面側に位置する領域での前記と同じ平行な断面の面積よりも小さくなっており、これによりサイドフリンジングの発生を適正に抑制することができる。
【０１５６】
本発明では、前記領域Ａの形成手段として、例えば上部コア層のトラック幅方向に対向する両端部に、前記上部コア層の下面から前記上部コア層の高さ方向の途中まで延びる凹部を形成したり、あるいは上部コア層の下面から上部コア層の高さ方向の途中まで延びる凹部を形成している。これらの形成は、レジスト層を使用したパターン形成や、絶縁材料製の盛り上げ層上に上部コア層を重ねて形成することで達成することができ、サイドフリンジングの発生の抑制可能な上部コア層の形状を容易にしかも再現性良く形成することができる。
【０１５７】
また本発明では前記領域Ａにおいて狭められた上部コア層の幅寸法の範囲内から、または前記範囲を前記対向面側へ延長させた領域内から、前記記録コアが外れないように、前記記録コアと前記上部コア層とのトラック幅方向での相対位置が決められていることが好ましく、これによりサイドフリンジングの発生を抑制できると同時に、前記領域Ａからの記録磁界を効率良く上部磁極層に流すことができ、今後の高記録密度化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における第１実施形態の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分斜視図、
【図２】図１に示す薄膜磁気ヘッドの部分正面図、
【図３】図２に示す薄膜磁気ヘッドを３−３線から切断した部分断面図、
【図４】本発明における薄膜磁気ヘッドの部分平面図、
【図５】他の形状を示す薄膜磁気ヘッドの部分平面図、
【図６】本発明における第２実施形態の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分斜視図、
【図７】図６に示す薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図、
【図８】実施例の薄膜磁気ヘッドを使用して信号を記録し、再生ヘッドで再生した際におけるトラック幅Ｔｗ中央からの位置と再生出力との関係を示すグラフ、
【図９】比較例の薄膜磁気ヘッドを使用して信号を記録し、再生ヘッドで再生した際におけるトラック幅Ｔｗ中央からの位置と再生出力との関係を示すグラフ、
【図１０】本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す部分断面図、
【図１１】図１０工程の次に行なわれる工程を示す部分断面図、
【図１２】図１１工程の次に行なわれる工程を示す部分断面図、
【図１３】図１２工程の次に行なわれる工程を示す部分断面図、
【図１４】図１３工程の次に行なわれる工程を示す部分平面図、
【図１５】本発明の別の製造方法を示す薄膜磁気ヘッドの部分断面図、
【図１６】図１５工程の次に行なわれる工程を示す部分平面図、
【図１７】図１６工程の次に行なわれる工程を示す部分断面図、
【図１８】従来における薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分斜視図、
【符号の説明】
２０ 下部コア層
２１ 下部磁極層
２２ ギャップ層
２３ 上部磁極層
２４ 記録コア
２６ 上部コア層
２６ｆ 先端面
３０ 絶縁層
３７ 凹部
４０ 盛り上げ層
４１ 凹部
４２、４３ レジスト層
４４ メッキ下地層
Ａ、Ｃ 領域

Claims (14)

1. 下部コア層と、
   前記下部コア層上に、下から下部磁極層、ギャップ層、及び上部磁極層の順に積層され、あるいは下からギャップ層及び上部磁極層の順に積層されて、記録媒体との対向面に露出する記録コアと、
   前記記録コアのトラック幅方向の両側及びハイト側を覆う絶縁層と、
   前記記録コアの前記上部磁極層の上に磁気的に接合される上部コア層と、
   前記下部コア層、記録コア及び上部コア層に記録用の磁界を誘導するコイルとが設けられ、
   前記上部コア層は、前記対向面よりもハイト方向奥側に位置する領域Ａでの前記対向面と平行な断面の面積が、前記領域Ａよりも前記対向面側に位置する領域での前記と同じ平行な断面の面積よりも小さいことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
2. 前記上部コアは前記対向面側に先端面を有し、この先端面が前記対向面と平行な面である場合には、前記先端面の面積が前記領域Ａでの前記断面の面積よりも大きく、前記先端面が前記対向面と平行な面でない場合には、前記先端面を前記対向面と平行な面に投影したときの面積が、前記領域Ａでの前記断面の面積よりも大きい請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
3. 前記領域Ａでは、少なくとも前記上部コア層の下面においてトラック幅方向の幅寸法が他の部分よりも細く形成されている請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッド。
4. 前記領域Ａにおいて、前記上部コア層のトラック幅方向に対向する両側面に、上部コア層を上下に貫通する凹部が形成されている請求項３記載の薄膜磁気ヘッド。
5. 前記領域Ａにおいて、前記上部コア層のトラック幅方向に対向する両側部に、前記上部コア層の下面から前記上部コア層の高さ方向の途中まで延びる凹部が形成されている請求項３記載の薄膜磁気ヘッド。
6. 前記領域Ａでは、前記上部コア層の下面から上部コア層の高さ方向の途中まで盛り上がる曲面形状の表面を有する絶縁材料の盛り上げ層が形成されており、前記上部コア層は前記盛り上げ層の間から前記盛り上げ層の前記曲面上に渡って形成されている請求項５記載の薄膜磁気ヘッド。
7. 前記盛り上げ層は、前記上部コア層をメッキ成長させるためのメッキ下地層の上に形成されている請求項６記載の薄膜磁気ヘッド。
8. 前記領域Ａにおいて狭められた上部コア層の幅寸法の範囲内から、または前記範囲を前記対向面側へ延長させた領域内から、前記記録コアが外れないように、前記記録コアと前記上部コア層とのトラック幅方向での相対位置が決められている請求項３ないし７のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
9. 前記記録コアは、前記対向面からハイト方向奥側へ向けてトラック幅方向の幅寸法が一定である先端領域と、前記先端領域のハイト方向奥側を起点としてハイト方向奥側に向けてトラック幅方向の幅寸法が徐々に広がる後端領域とを有し、
   前記領域Ａにおいて狭められた上部コア層の幅寸法の範囲内から、または前記範囲を前記対向面側へ延長させた領域内から、前記後端領域が外れないように、前記記録コアと前記上部コア層とのトラック幅方向での相対位置が決められている請求項３ないし７のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
10. 前記上部コア層の前記先端面は、トラック幅方向の両側に向かうにしたがって、ハイト方向へ徐々に後退する曲面形状である請求項１ないし９のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
11. （ａ）下部コア層の上に、下から下部磁極層、ギャップ層及び上部磁極層の順に積層し、または下からギャップ層及び上部磁極層の順に積層して、記録媒体との対向面でトラック幅方向の幅寸法が決められる記録コアを形成する工程と、
    （ｂ）前記（ａ）の工程の前または後に、前記記録コアの周囲に絶縁層を形成し、さらに前記記録コアと前記絶縁層の上面を同一平面にする工程と、
    （ｃ）前記記録コアと前記絶縁層の上にレジスト層を形成する工程と、
    （ｄ）前記レジスト層に、上部コア層を形成するための抜きパターンを形成し、このとき、前記対向面からハイト方向奥側において前記パターンのトラック幅方向に対向する両側面に互いにパターン内に突き出る突出部を形成し、この突出部で狭められた幅寸法範囲内に前記記録コアを位置させ、または前記幅寸法範囲を前記対向面側へ延長させた領域内に前記記録コアを位置させる工程と、
    （ｅ）前記パターン内に磁性材料をメッキ形成し、前記レジスト層を除去することにより、前記突出部によってトラック幅方向の幅寸法が狭められた領域Ａを有する上部コア層を形成する工程と、
    を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
12. （ｆ）下部コア層の上に、下から下部磁極層、ギャップ層及び上部磁極層の順に積層し、または下からギャップ層及び上部磁極層の順に積層して、記録媒体との対向面でトラック幅方向の幅寸法が決められる記録コアを形成する工程と、
    （ｇ）前記（ｆ）の工程の前または後に、前記記録コアの周囲に絶縁層を形成し、さらに前記記録コアと前記絶縁層の上面を同一平面にする工程と、
    （ｈ）前記対向面からハイト方向奥側において、前記絶縁層上にトラック幅方向に対向する突出部を形成し、このとき前記突出部が対向する部分の幅寸法範囲内に前記記録コアを位置させ、または前記幅寸法範囲を前記対向面側へ延長させた領域内に前記記録コアを位置させる工程と、
    （ｉ）前記記録コアと前記絶縁層の上に、レジスト層を形成する工程と、
    （ｊ）前記レジスト層に、上部コア層を形成するための抜きパターンを形成し、このとき、前記対向面からハイト方向奥側において前記パターンのトラック幅方向に対向する両側面から前記突出部をパターン内に突き出させる工程と、
    （ｋ）前記パターン内に磁性材料をメッキ形成し、前記レジスト層を除去することにより、前記突出部によってトラック幅方向の幅寸法が狭められた領域Ａを有する上部コア層を形成する工程と、
    を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
13. 前記（ｇ）の工程の後に、前記絶縁層の上にメッキ下地層を形成し、前記（ｈ）の工程では、前記突出部を前記メッキ下地層の上に形成し、前記（ｋ）の工程では、前記レジスト層のパターン内で前記突出部以外の領域に現れる前記メッキ下地層の上にメッキを成長させる請求項１２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
14. 前記（ｈ）の工程で形成される突出部を、後に形成される上部コア層の高さ寸法の途中までの高さを有する曲面状の表面を有する絶縁材料の盛り上げ層とし、前記（ｋ）の工程では、前記曲面状の前記表面の上にメッキを成長させて、下面から高さ方向の途中まで延びる凹部を有する領域Ａが設けられた上部コア層を形成する請求項１２または１３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。

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