JP2001052309A

JP2001052309A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

Info

Publication number: JP2001052309A
Application number: JP11223813A
Authority: JP
Inventors: Kiyoshi Sato; 清佐藤
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 1999-08-06
Filing date: 1999-08-06
Publication date: 2001-02-23
Also published as: US20020176206A1; US6927938B2; US6515825B1

Abstract

(57)【要約】【課題】従来における薄膜磁気ヘッドでは、狭トラッ
ク化を実現できても、磁路長を短くしてインダクタンス
のより適切な低減を図ることができなかった。【解決手段】第１層目となるコイル層１７を、トラッ
ク幅規制部１４の後方であって、前記トラック幅規制部
１４の接合面１４ａよりも下部コア層１０側に位置する
ように形成しているので、コイル層を２層構造にして、
コイル層１７の幅を小さくできると同時に、下部コア層
１０上から第２のコイル層２０を覆う絶縁層２１までの
高さを小さくでき、短磁路化を図り、インダクタンスを
低減させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば浮上式磁気
ヘッドなどに使用される記録用の薄膜磁気ヘッドに係
り、特にインダクタンスの低減を図り、高記録周波数化
に対応可能な薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】図１８は、従来における薄膜磁気ヘッド
（インダクティブヘッド）の構造を示す部分正面図、図
１９は、図１８に示す１９−１９線から切断された薄膜
磁気ヘッドを矢印方向から見た部分断面図である。

【０００３】図１８及び図１９に示す符号１は、パーマ
ロイなどの磁性材料で形成された下部コア層であり、こ
の下部コア層１の上に、絶縁層９が形成されている。

【０００４】前記絶縁層９には、記録媒体との対向面
（以下、ＡＢＳ面と呼ぶ）からハイト方向（図示Ｙ方
向）にかけて、内幅寸法がトラック幅Ｔｗで形成された
溝部９ａが形成されている。

【０００５】この溝部９ａ内には、下から順に、下部コ
ア層１に磁気的に接続する下部磁極層３、ギャップ層
４、及び上部コア層６に磁気的に接続する上部磁極層５
がメッキ形成されている。

【０００６】また図１９に示すように、絶縁層９に形成
された溝部９ａよりもハイト方向（図示Ｙ方向）におけ
る前記絶縁層９の上には、螺旋状にパターン形成された
コイル層７が設けられている。

【０００７】そして前記コイル層７は、レジストなどの
有機絶縁層８により覆われており、前記有機絶縁層８の
上に、上部コア層６が形成されている。前記上部コア層
６は、その先端部６ａにて上部磁極層５と、また基端部
６ｂにて下部コア層１と磁気的に接続された状態になっ
ている。

【０００８】図１８および図１９に示すインダクティブ
ヘッドでは、コイル層７に記録電流が与えられると、下
部コア層１及び上部コア層６に記録磁界が誘導され、下
部コア層１と磁気的に接続する下部磁極層３及び上部コ
ア層６と磁気的に接続する上部磁極層５間からの洩れ磁
界により、ハードディスクなどの記録媒体に磁気信号が
記録される。

【０００９】図１８および図１９に示すインダクティブ
ヘッドでは、ＡＢＳ面（記録媒体との対向面）付近に、
局部的にトラック幅Ｔｗで形成された下部磁極層３、ギ
ャップ層４、および上部磁極層５を形成しており、この
タイプのインダクティブヘッドは、狭トラック化に対応
可能となっている。

【００１０】図１８および図１９に示すインダクティブ
ヘッドの製造方法について説明すると、まず下部コア層
１上に絶縁層９を形成し、前記絶縁層９に、トラック幅
Ｔｗの溝部９ａをＡＢＳ面からハイト方向に所定の長さ
で形成する。

【００１１】次に前記溝部９ａ内に、下部磁極層３、ギ
ャップ層４および上部磁極層５を連続メッキして形成
し、その後、絶縁層９に形成された溝部９ａよりも後方
（ハイト方向）の絶縁層９上に、コイル層７をパターン
形成する。

【００１２】さらに前記コイル層７上を、有機絶縁層８
によって覆い、上部磁極層５上から前記有機絶縁層８上
にかけて上部コア層６を、フレームメッキ法で形成する
と、図１８および図１９に示すインダクティブヘッドが
完成する。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、今後の高記
録密度化・高記録周波数化に伴い、狭トラック化ととも
に、インダクティブヘッドのインダクタンスを低減させ
る必要性がある。

【００１４】インダクタンスの低減を図るためには、下
部コア層１から上部コア層６を経て形成される磁路長を
短くしなければならず、そのために、上部コア層６の先
端部６ａから基端部６ｂまでの間に形成されるコイル層
７の幅寸法Ｔ１を小さくする必要性がある。コイル層７
の幅寸法Ｔ１を小さくすれば、上部コア層６の長さを短
くでき、短磁路化を実現できる。

【００１５】前記コイル層７のターン数を変えずに、前
記コイル層７の幅寸法Ｔ１を小さくするには、前記コイ
ル層７を２層の積層構造にする方法が考えられる。

【００１６】しかしながら、図１８および図１９に示す
薄膜磁気ヘッドの構造では、コイル層７を単純に２層の
積層構造にしても、磁路長を今後の高記録周波数化に対
応できるほど、磁路長を短くできず、インダクタンスの
より適切な低減を図ることは難しい。

【００１７】その理由は、前記コイル層７が、膜厚の厚
い絶縁層９の上に形成されるからである。図１８に示す
ように、前記絶縁層９はその膜厚がＨ５で形成され、前
記膜厚Ｈ５は下部磁極層３、ギャップ層４および上部磁
極層５の総合膜厚であるＨ６よりも大きい。このため図
１９に示すように、前記絶縁層９上に形成されるコイル
層７は、上部磁極層５の表面を基準平面としたときに、
この基準平面よりも上部コア層６側に形成されることに
なる。

【００１８】従って単純にコイル層７を２層の積層構造
にすると、前記コイル層７の幅寸法Ｔ１を小さくできて
も、下部コア層１上からコイル層７を覆う絶縁層８上ま
での高さは実質的に大きくなるから、結局磁路長をそれ
ほど短くすることはできず、インダクタンスの適切な低
減を図ることはできない。

【００１９】また図１９に示す構造のインダクティブヘ
ッドにて、単純にコイル層７を２層の積層構造にしたの
では、前記コイル層７を覆う有機絶縁層８の厚さ寸法Ｈ
１は大きくなり、上部磁極層５の表面を基準平面とした
場合における前記有機絶縁層８の盛り上がりは非常に大
きくなってしまう。

【００２０】このため、前記上部磁極層５上から有機絶
縁層８上にかけて形成される上部コア層６をフレームメ
ッキ法でパターン形成しづらくなり、前記上部コア層６
の、特に先端部６ａ付近の形状を所定形状に形成できな
いといった問題が発生する。

【００２１】本発明は上記従来の課題を解決するための
ものであり、特に狭トラック化と共に、磁路長を短くし
てインダクタンスの低減を図ることが可能な薄膜磁気ヘ
ッド及びその製造方法を提供することを目的としてい
る。

【００２２】

【課題を解決するための手段】本発明における薄膜磁気
ヘッドは、下部コア層と、上部コア層と、記録媒体との
対向面で前記下部コア層と上部コア層との間に位置し且
つトラック幅方向の寸法が規制されたトラック幅規制部
とを有し、前記トラック幅規制部には、下部コア層に連
続する下部磁極層と上部コア層と連続する上部磁極層と
の少なくとも一方と、前記各磁極層の間またはいずれか
一方の前記コア層と前記いずれかの磁極層とを磁気的に
絶縁するギャップ層とを有し、前記トラック幅規制部と
上部コア層との接合面を基準平面としたときに、前記下
部コア層と前記上部コア層に記録磁界を誘導するコイル
層が、前記トラック幅規制部よりもハイト方向の後方に
位置し、且つコイル層の上面が前記基準平面よりも下部
コア層側に位置し、前記基準平面と前記下部コア層との
間に絶縁層が設けられ、前記コイル層が前記絶縁層の内
部に埋め込まれ、前記上部コア層が、トラック幅規制部
の上面から前記絶縁層上にかけて形成され、前記上部コ
ア層の基端部が下部コア層上に磁気的に接続されている
ことを特徴とするものである。

【００２３】本発明では、今後の高記録密度化・高記録
周波数化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造すべく、特
にコイル層の形成位置を従来と異ならしめ、短磁路化を
実現できインダクタンスの低減を図ることを本発明の目
的としている。

【００２４】上記のように本発明におけるコイル層は、
下部コア層および上部コア層間に形成されたトラック幅
規制部のハイト側後方であって、前記トラック幅規制部
と上部コア層との接合面の表面を基準平面としたとき
に、前記基準平面よりも下部コア層側に位置するように
形成されている。そして前記コイル層は、下部コア層と
前記基準平面との間に設けられた絶縁層の内部に埋めら
れている。

【００２５】このように本発明によれば、前記コイル層
は、トラック幅規制部の後方に形成される絶縁層の内部
に埋没して形成されるのであり、この点で、絶縁層９の
上にコイル層７が形成される図１８および図１９に示す
インダクティブヘッドの構造とは異なる。

【００２６】前記コイル層が、トラック幅規制部の後方
に形成される絶縁層の内部に埋没して形成されることに
より、下部コア層上から前記コイル層を覆う絶縁層上ま
での高さ寸法は従来よりも小さくなるから、従来に比べ
上部コア層の長さを小さくでき、よって短磁路化を実現
でき、インダクタンスの適切な低減を図ることが可能に
なっている。

【００２７】また本発明では、前記絶縁層が、無機絶縁
層であることが好ましい。あるいは前記絶縁層が、コイ
ル層を構成する各導体部のピッチ間に位置する有機絶縁
層と、前記ピッチ間以外の領域を埋める無機絶縁層とで
構成されていることが好ましい。

【００２８】また本発明では、前記コイル層の上を覆う
絶縁層が、前記基準平面と同一面とされていることが好
ましい。

【００２９】この場合、前記絶縁層の上に直接にまたは
他の層を介して、前記コイル層と電気的に接続された第
２のコイル層が形成され、この第２のコイル層を覆う絶
縁層の上に上部コア層が形成されることが好ましい。

【００３０】上記のようにコイル層が、２層の積層構造
で形成されれば、前記コイル層の幅を小さくできると同
時に本発明では、第１層目のコイル層を、トラック幅規
制部の後方に形成される絶縁層の内部に形成しているの
で、下部コア層上から第２のコイル層を覆う絶縁層上ま
での高さは、従来のインダクティブヘッドのコイル層を
２層の積層構造とした場合に比べて小さくなり、従って
より上部コア層から下部コア層を経て形成される磁路長
を短くできてインダクタンスの低減を図ることができ
る。

【００３１】特に本発明では、前記のように第１層目の
コイル層は、トラック幅規制部の後方に形成される絶縁
層の内部に埋没して形成されており、そして前記絶縁層
の表面は、トラック幅規制部の表面と同一面上で平坦化
されて形成されている。

【００３２】このため前記絶縁層の上に直接にあるいは
他の層を介して形成される第２層目のコイル層（第２の
コイル層）を、パターン精度良く形成することができ
る。

【００３３】さらに本発明では、第１層目のコイル層
を、トラック幅規制部の後方に形成される絶縁層の内部
に形成し、第２のコイル層を平坦化された前記絶縁層の
上に形成することで、トラック幅規制部の表面を基準平
面とした場合の、コイル層を覆う絶縁層の盛り上がり
は、第２のコイル層を覆う絶縁層の盛り上がり分だけと
なり、従って、トラック幅規制部上から第２のコイル層
を覆う絶縁層の上にかけて、上部コア層をパターン精度
良く形成することが可能である。

【００３４】さらに本発明では、前記ギャップ層は、メ
ッキ形成可能な非磁性金属材料で形成されていることが
好ましく、前記非磁性金属材料は、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、
ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃ
ｒのうち１種または２種以上から選択されたものである
ことが好ましい。

【００３５】また本発明における薄膜磁気ヘッドの製造
方法は、（ａ）下部コア層上に、下部磁極層と非磁性の
ギャップ層と上部磁極層から成るトラック幅規制部、ま
たは前記下部磁極層と非磁性のギャップ層から成るトラ
ック幅規制部、あるいは非磁性のギャップ層と上部磁極
層からなるトラック幅規制部を、所定の幅寸法で且つ記
録媒体との対向面からハイト方向へ向けて所定の長さに
形成する工程と、（ｂ）前記いずれかのトラック幅規制
部のハイト側後方で、前記下部コア層上に、絶縁下地層
を形成し、この絶縁下地層の上にコイル層を形成し、こ
のときの前記コイル層は、その上面が、前記トラック幅
規制部の上面よりも下部コア層側に位置するように形成
する工程と、（ｃ）前記トラック幅規制部および前記コ
イル層を覆うようにして絶縁層を形成する工程と、
（ｄ）前記絶縁層の上面を、トラック幅規制部の上面と
同一面となるように平坦化する工程と、（ｅ）前記トラ
ック幅規制部の上から前記絶縁層の上にかけて上部コア
層を形成する工程と、を有することを特徴とするもので
ある。

【００３６】このように本発明では、まず最初に下部コ
ア層上に、磁極層およびギャップ層から成るトラック幅
規制部を、記録媒体との対向面からハイト方向に所定の
長さ寸法にて形成しているので、前記トラック幅規制部
の後方には、図１８および図１９に示す絶縁層９は存在
せず、従って、コイル層を、前記トラック幅規制部の後
方の下部コア層上に、絶縁下地層を介して形成すること
ができる。

【００３７】その後本発明では、アルミナなどから成る
絶縁層を、トラック幅規制部上からコイル層上にかけて
形成し、ＣＭＰ技術などを用いて、前記絶縁層の表面
を、トラック幅規制部の表面と同一平面上まで削り、前
記絶縁層表面に、トラック幅規制部の表面と同一面上と
なる平坦化面を形成しているのである。

【００３８】そしてこの際、前記コイル層は、絶縁層の
内部に埋没した状態になっている。

【００３９】一方、図１８および図１９に示す薄膜磁気
ヘッドでは、製造工程上、コイル層７を、絶縁層９の内
部に形成することは不可能である。

【００４０】すなわち図１８および図１９に示す薄膜磁
気ヘッドの製造方法では、まず最初に下部コア層１の上
に、絶縁層９を形成するので、コイル層７を絶縁層９の
上に形成するしか形成方法は無いのである。

【００４１】以上のように本発明の製造方法によれば、
コイル層を、下部コア層および上部コア層間に形成され
たトラック幅規制部のハイト側後方であって、前記トラ
ック幅規制部と上部コア層との接合面を基準平面とした
ときに前記基準平面よりも下部コア層側に位置するよう
に形成することができる。

【００４２】また本発明では、前記（ｃ）の工程での絶
縁層として無機絶縁層を形成し、前記（ｄ）の工程で、
前記トラック幅規制部と前記無機絶縁層とが同一面とな
るように研磨することが好ましい。

【００４３】あるいは本発明では、前記（ｃ）の工程で
は、前記コイル層の各導体部のピッチ間を有機絶縁層で
埋め、さらに前記有機絶縁層およびコイル層の上に無機
絶縁層を形成し、前記（ｄ）の工程で、前記トラック幅
規制部と前記無機絶縁層とが同一面となるように研磨す
ることが好ましい。また本発明では、前記（ｄ）の工程
の後に以下の（ｆ）の工程を含むことが好ましい。

【００４４】（ｆ）前記平坦化された絶縁層の上に直接
にまたは他の層を介して、前記コイル層と電気的に接続
される第２のコイル層を形成する工程、さらに本発明で
は、前記（ａ）の工程では、前記ギャップ層を磁極層と
共にメッキ形成することが好ましく、この場合、ギャッ
プ層を形成するメッキ形成可能な非磁性金属材料が、Ｎ
ｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒ
ｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上から選
択することが好ましい。

【００４５】

【発明の実施の形態】図１は、本発明における薄膜磁気
ヘッドの構造を示す部分正面図、図２は図１に示す２−
２線から切断した薄膜磁気ヘッドを矢印方向から見た部
分断面図である。

【００４６】図１に示す薄膜磁気ヘッドは、記録用のイ
ンダクティブヘッドであるが、本発明では、このインダ
クティブヘッドの下に、磁気抵抗効果を利用した再生用
ヘッド（ＭＲヘッド）が積層されていてもよい。

【００４７】図１及び図２に示す符号１０は、例えばパ
ーマロイなどの磁性材料で形成された下部コア層であ
る。なお、前記下部コア層１０の下側に再生用ヘッドが
積層される場合、前記下部コア層１０とは別個に、磁気
抵抗効果素子をノイズから保護するシールド層を設けて
もよいし、あるいは、前記シールド層を設けず、前記下
部コア層１０を、前記再生用ヘッドの上部シールド層と
して機能させてもよい。

【００４８】また図１に示すように、後述する下部磁極
層１１の基端から延びる下部コア層１０の上面１０ａ
は、トラック幅方向（図示Ｘ方向）と平行な方向に延び
て形成されていてもよいし、あるいは、前記上部コア層
１６から離れる方向に傾斜する傾斜面１０ｂ，１０ｂが
形成されていてもよい。前記下部コア層１０の上面に傾
斜面１０ｂ，１０ｂが形成されることで、よりいっそう
ライトフリンジングを適切に防止することができる。

【００４９】図１に示すように、下部コア層１０の上に
は、トラック幅Ｔｗで形成されたトラック幅規制部１４
が形成されている。前記トラック幅Ｔｗは、０．７μｍ
以下で形成されることが好ましく、より好ましくは０．
５μｍ以下である。これにより狭トラック化に対応可能
な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。

【００５０】図１および図２に示す実施例では、前記ト
ラック幅規制部１４は、下部磁極層１１、ギャップ層１
２、および上部磁極層１３の３層膜の積層構造で構成さ
れている。以下、前記磁極層１１、１３およびギャップ
層１２について説明する。

【００５１】図１および図２に示すように、前記下部コ
ア層１０上には、トラック幅規制部１４の最下層となる
下部磁極層１１がメッキ形成されている。前記下部磁極
層１１は、下部コア層１０と磁気的に接続されており、
前記下部磁極層１１は、前記下部コア層１０と同じ材質
でも異なる材質で形成されていてもどちらでもよい。ま
た単層膜でも多層膜で形成されていてもどちらでもよ
い。

【００５２】また図１及び図２に示すように、前記下部
磁極層１１上には、非磁性のギャップ層１２が積層され
ている。

【００５３】本発明では、前記ギャップ層１２は、非磁
性金属材料で形成されて、下部磁極層１１上にメッキ形
成されることが好ましい。なお本発明では、前記非磁性
金属材料として、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭ
ｏ、ＮｉＲｈ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒの
うち１種または２種以上を選択することが好ましく、前
記ギャップ層１２は、単層膜で形成されていても多層膜
で形成されていてもどちらであってもよい。

【００５４】次に前記ギャップ層１２上には、後述する
上部コア層１６と磁気的に接続する上部磁極層１３がメ
ッキ形成されている。なお前記上部磁極層１３は、上部
コア層１６と同じ材質で形成されていてもよいし、異な
る材質で形成されていてもよい。また単層膜でも多層膜
で形成されていてもどちらでもよい。

【００５５】上記したようにギャップ層１２が、非磁性
金属材料で形成されていれば、下部磁極層１１、ギャッ
プ層１２および上部磁極層１３を連続してメッキ形成す
ることが可能になる。

【００５６】なお本発明では、前記トラック幅規制部１
４は、上記３層膜の積層構造に限られない。すなわち、
前記トラック幅規制部１４は、下部コア層１０に連続す
る下部磁極層１１と上部コア層１６と連続する上部磁極
層１３との少なくとも一方と、前記各磁極層の間を磁気
的に絶縁しまたはいずれか一方の前記コア層と前記いず
れかの磁極層とを磁気的に絶縁するギャップ層１２とを
有していれば、どのような膜構成であってもかまわな
い。

【００５７】また上記したように、トラック幅規制部１
４を構成する下部磁極層１１および上部磁極層１３は、
それぞれの磁極層が磁気的に接続されるコア層と同じ材
質でも異なる材質で形成されてもどちらでもよいが、記
録密度を向上させるためには、ギャップ層１２に対向す
る下部磁極層１１および上部磁極層１３は、それぞれの
磁極層が磁気的に接続されるコア層の飽和磁束密度より
も高い飽和磁束密度を有していることが好ましい。この
ように下部磁極層１１および上部磁極層１３が高い飽和
磁束密度を有していることにより、ギャップ近傍に記録
磁界を集中させ、記録密度を向上させることが可能にな
る。

【００５８】また図１に示すように、前記トラック幅規
制部１４の厚さ寸法はＨ４で形成されている。例えば一
例として、下部磁極層１１の膜厚は０．４μｍ程度、ギ
ャップ層１２の膜厚は０．２μｍ程度、上部磁極層１３
の膜厚は２μｍ程度である。

【００５９】また前記トラック幅規制部１４は、図２に
示すように、記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）からハイ
ト方向（図示Ｙ方向）にかけて長さ寸法Ｌ１で形成され
ている。

【００６０】前記長さ寸法Ｌ１は、ギャップデプスＧｄ
として規制されており、前記ギャップデプスＧｄは、薄
膜磁気ヘッドの電気特性に多大な影響を与えることか
ら、予め所定の長さに設定される。なお図２に示す実施
例では、トラック幅規制部１４の長さ寸法Ｌ１でギャッ
プデプスＧｄが決められているが、ギャップデプスＧｄ
を定めるための他の方法として、Ｇｄ決め絶縁層（図示
しない）を用いる方法を提示することができる。

【００６１】Ｇｄ決め絶縁層を用いてギャップデプスＧ
ｄを定めるには、例えば下部コア層１０の上に前記Ｇｄ
決め絶縁層を形成し、前記Ｇｄ決め絶縁層の前端面から
ＡＢＳ面までの長さでギャップデプスＧｄを規定する。

【００６２】ところで本発明では、図１に示すように下
部コア層１０上であって、トラック幅規制部１４の両側
には、絶縁層１５が記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）に
露出している。

【００６３】ここで本発明における前記絶縁層１５は、
図１８に示す記録媒体との対向面に露出する絶縁層９
と、役割（機能）を異にすることに留意すべきである。

【００６４】すなわち図１８に示す絶縁層９は、狭トラ
ック化に対応するために用いられるものであり、前記絶
縁層９には、記録媒体との対向面に、内幅寸法をトラッ
ク幅Ｔｗとして規定する溝部９ａが形成されている。そ
して前記溝部９ａ内に、下部磁極層３、ギャップ層４お
よび上部磁極層５がメッキ形成されているのである。

【００６５】一方本発明における絶縁層１５は、図２に
示すコイル層（第１のコイル層）１７を覆うために用い
られるコイル絶縁層であり、図１８に示す絶縁層９のよ
うに、内幅寸法をトラック幅Ｔｗとして規定する溝が形
成されているわけではない。

【００６６】このように、本発明における絶縁層１５
が、図１８に示す絶縁層９と異なる役割を有するように
できるのは、後述する製造方法に起因しており、そして
本発明の製造方法によれば、コイル層１７を下部コア層
１０上に、前記絶縁層１５を介すことなく形成すること
が可能になっている。

【００６７】本発明では、図２に示すように前記コイル
層１７は、トラック幅規制部１４のハイト側後方（図示
Ｙ方向）であって、前記トラック幅規制部１４と上部コ
ア層１６との接合面１４ａを基準平面としたときに、前
記基準平面よりも下部コア層１０側に位置するように形
成されている。

【００６８】図２に示すように、前記下部コア層１０と
コイル層１７との間には、下部コア・コイル層間の絶縁
確保のための絶縁下地層１８が形成されており、この絶
縁下地層１８は、例えば、ＡｌＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｓｉ
Ｏ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、Ｔｉ
Ｎ、ＳｉＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ₃、ＢＮ、
ＣｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種からなる絶縁材
料で形成されていることが好ましい。

【００６９】そして図２に示すように、前記下地絶縁層
１８上には、巻き中心部１７ａを中心として螺旋状にパ
ターン形成された、例えばＣｕなどのコイル層１７が形
成されている。また図２に示すように前記コイル層１７
は、絶縁層１５によって覆われ、この絶縁層１５は、前
述したように記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）にまで露
出して形成されている（図１参照）。

【００７０】また図１および図２に示す実施例の前記絶
縁層１５は、無機材料で形成された無機絶縁層であり、
前記無機材料には、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＮ、ＳｉＯ₂から１
種または２種以上が選択されることが好ましい。

【００７１】また本発明では、図２に示すように、コイ
ル層１７の上には、無機絶縁層１５を介して第２のコイ
ル層２０が螺旋状にパターン形成されている。このよう
にコイルを２層の積層構造にするには、第１層目となる
コイル層１７の巻き中心部１７ａの上面を覆う無機絶縁
層１５に穴部（コンタクト部）１５ｂを形成し、第２の
コイル層２０の巻き中心部２０ａとコイル層１７の巻き
中心部１７ａとをコンタクト部１５ｂを介して電気的に
接続させる必要がある。

【００７２】また第２のコイル層２０を形成する場合に
は、図２に示すように、前記コイル層１７を覆う無機絶
縁層１５の表面１５ａを、トラック幅規制部１４の接合
面１４ａと同一面上で平坦化して形成することが好まし
い。

【００７３】このように無機絶縁層１５の表面が平坦化
されて形成されていると、第２のコイル層２０を前記無
機絶縁層１５上にパターン精度良く形成することができ
る。このため前記第２のコイル層２０を構成する各導体
部間のピッチを小さく形成することができ、前記第２の
コイル層２０自体の大きさを小さくすることが可能にな
る。なお前記無機絶縁層１５上に絶縁性の他の層を介し
て第２のコイル層２０をパターン形成してもかまわな
い。

【００７４】そして図２に示すように、前記第２のコイ
ル層２０は、レジストやポリイミドなどの有機材料によ
る絶縁層２１に覆われ、前記絶縁層２１上には、上部コ
ア層１６がパターン形成されている。

【００７５】前記上部コア層１６は、その先端部１６ａ
が、トラック幅規制部１４上に接して形成されており、
また基端部１６ｂは、下部コア層１０上に形成された磁
性材料製の持ち上げ層２２上に磁気的に接続された状態
となっている。なお前記持ち上げ層２２は形成されてい
なくてもよく、この場合、前記上部コア層１６の基端部
１６ｂが、下部コア層１０上にまで延びて、下部コア層
１０上に直接磁気的に接続された状態となる。なお図１
に示すように前記上部コア層１６の幅寸法Ｔ２はトラッ
ク幅Ｔｗよりも大きく形成されている。

【００７６】図１および図２に示すインダクティブヘッ
ドでは、コイル層１７および第２のコイル層２０に記録
電流が与えられると、下部コア層１０及び上部コア層１
６に記録磁界が誘導され、トラック幅規制部１４におい
て、ギャップ層１２を介して対向する下部磁極層１１及
び上部磁極層１３間に漏れ磁界が発生し、この漏れ磁界
により、ハードディスクなどの記録媒体に磁気信号が記
録される。

【００７７】ところで本発明におけるインダクティブヘ
ッドでは、コイルが２層の積層構造となっているが、コ
イルを２層の積層構造とした理由は、コイル層１７の幅
寸法Ｔ３を小さくして、下部コア層１０から上部コア層
１６を経て形成される磁路長を短くし、インダクタンス
の低減を図り、今後のさらなる高記録周波数化に対応可
能な薄膜磁気ヘッドを製造することにある。ちなみに図
２に示すように第１層目のコイル層１７を５ターンで形
成し、第２のコイル層２０を４ターンで形成した場合に
は、前記コイル層１７の幅寸法Ｔ３を２０μｍ程度に小
さくできることが確認されている。

【００７８】そして本発明では図２に示すように、第１
層目となるコイル層１７が、トラック幅規制部１４のハ
イト側後方であって、前記トラック幅規制部１４と上部
コア層１６との接合面１４ａを基準平面としたときに前
記基準平面よりも下部コア層１０側に位置するように形
成しているので、下部コア層１０上から第２のコイル層
２０を覆う絶縁層２１上までの高さを、従来の薄膜磁気
ヘッド（図１９参照）のコイル層を２層の積層構造にし
た場合に比べて小さくすることができる。

【００７９】従って本発明では、より適切に短磁路化を
実現でき、インダクタンスは低減され、今後の高記録周
波数化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することがで
きる。

【００８０】しかも本発明における薄膜磁気ヘッドは、
狭トラック化に対応することもできる。トラック幅規制
部１４のトラック幅Ｔｗの調整方法については、後の製
造方法で詳述することとするが、本発明では、前述した
ように前記トラック幅規制部１４のトラック幅Ｔｗを
０．７μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以下に形成する
ことができ、この寸法は、レジストを露光現像した際の
分解能の限界以下の数値である。

【００８１】また本発明では、コイル層１７が、トラッ
ク幅規制部１４と上部コア層１６との接合面１４ａを基
準平面としたときに前記基準平面よりも下部コア層１０
側に形成されることで、前記コイル層１７を覆う無機絶
縁層１５は、トラック幅規制部１４の接合面１４ａから
突出して形成されることがなく、仮に突出して形成され
たとしてもその高さはわずかである。

【００８２】特に図２に示す実施例では、コイル層１７
を覆う絶縁層１５は、その表面１５ａが、トラック幅規
制部１４の接合面１４ａと同一面上で平坦化されて形成
されているので、前記絶縁層１５上に形成される第２の
コイル層２０をパターン形成しやすくできると同時に、
前記トラック幅規制部１４の接合面１４ａから盛り上が
るコイルを覆う絶縁層の高さは、前記第２のコイル層２
０を覆う絶縁層２１の高さ分Ｈ２しかない。

【００８３】従って本発明における薄膜磁気ヘッドによ
れば、磁路長を短くして、インダクタンスの低減を図る
ことができると同時に、トラック幅規制部１４上から絶
縁層２１上にかけて形成される上部コア層１６を、パタ
ーン精度良く形成することが可能である。

【００８４】なお図２に示す実施例では、コイルを２層
構造で形成しているが前記コイルを１層構造で形成して
もよい。すなわち図２では、第１層目となるコイル層１
７のターン数と第２層目となる第２のコイル層２０のタ
ーン数を合わせたターン数は９であるが、このターン数
をコイル層１７の１層で形成してもよい。

【００８５】なお１層のコイル層１７のみとする場合に
は、前記コイル層１７を覆う無機絶縁層１５の上に上部
コア層１６がパターン形成されることになる。

【００８６】１層のコイル層１７のみが形成される場
合、上部コア層１６の先端部１６ａから基端部１６ｂ間
に形成されるコイル層１７の幅寸法Ｔ３は長くなってし
まい、コイルを２層の積層構造にした場合に比べて、イ
ンダクタンスの低減を図ることはできないが、図１９に
示すコイル層が１層で形成されたインダクティブヘッド
の場合に比べれば、インダクタンスは低減される。

【００８７】すなわち本発明では前述したように、コイ
ル層１７がトラック幅規制部１４と上部コア層１６との
接合面１４ａを基準平面としたときに前記基準平面より
も下部コア層１０側に形成されているのに対し、図１９
に示すインダクティブヘッドの場合では、コイル層７
が、絶縁層９の上に形成され、上部磁極層５と上部コア
層６との接合面を基準平面としたときに前記基準平面よ
りも前記コイル層７は上部コア層６側に形成されてい
る。

【００８８】従って本発明の方が、図１９に示すインダ
クティブヘッドの場合よりも下部コア層１０上からコイ
ル層１７を覆う絶縁層１５上までの高さを小さくでき、
よって短磁路化を実現でき、インダクタンスをより適切
に低減させることが可能である。

【００８９】なお１層のコイル層１７のみを形成する場
合には、前記コイル層１７を覆う無機絶縁層１５の表面
は、トラック幅規制部１４の接合面１４ａと同一面上の
平坦化面にされていなくても良く、前記トラック幅規制
部１４の接合面１４ａから、前記絶縁層１５が多少盛り
上がって形成されていてもかまわない。

【００９０】次に図３に示す薄膜磁気ヘッドは他の実施
形態を示す部分断面図であり、図３に示す薄膜磁気ヘッ
ドは、コイル層１７を覆う絶縁層の構成が、図１に示す
薄膜磁気ヘッドの場合と異なるだけで、その他の構成
は、図１に示す薄膜磁気ヘッドの構成と同じである。

【００９１】図３に示す薄膜磁気ヘッドにおいても、下
部コア層１０上の記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）から
ハイト方向（図示Ｙ方向）に所定の長さ寸法にて、トラ
ック幅Ｔｗで形成されたトラック幅規制部１４が形成さ
れている。

【００９２】図３に示すように、前記トラック幅規制部
１４のハイト側後方であって、トラック幅規制部１４の
接合面１４ａよりも下部コア層１０側には、螺旋状にパ
ターン形成されたコイル層１７が形成されている。

【００９３】前記コイル層１７は、下部コア層１０上
に、下部コア層・コイル層間の絶縁確保のための絶縁下
地層１８を介して形成されており、前記コイル層１７
は、少なくともその表面まで有機材料で形成された有機
絶縁層２３によって覆われている。前記有機材料には、
レジストやポリイミドなどの既存の材料が使用される。

【００９４】このように、有機材料製の絶縁層２３を使
用する理由は、コイル層１７の各導体部のピッチ間を、
確実に埋めることができるからである。

【００９５】図２に示す実施例のように、コイル層１７
を覆う絶縁層１５として絶縁性の無機材料を使用する
と、無機絶縁層１５をスパッタ形成する場合に、シャド
ー効果等により、前記コイル層１７の各導体部のピッチ
間Ａに、適切に無機絶縁層１５が埋められず、前記ピッ
チ間Ａに、前記無機絶縁層１５によって埋められない空
洞部が形成されやすい。

【００９６】このような空洞部が形成されると、磁気ヘ
ッドの駆動の際における発熱により、前記空洞部に溜ま
ったガスが膨張するなどして、薄膜磁気ヘッド内部の膜
形状に変形をもたらすなどの危険性がある。

【００９７】このようになるべく、コイル層１７の各導
体部のピッチ間Ａに空洞が形成されないようにすること
が好ましく、このため本発明では、まずレジストなどの
有機絶縁層２３によって、コイル層１７の各導体部のピ
ッチ間Ａを埋めているのである。

【００９８】ただし、有機絶縁層２３を、トラック幅規
制部１４の接合面１４ａと同位置にまで形成してはなら
ない。その理由については、後述することとする。

【００９９】そして本発明では図３に示すように、前記
コイル層１７および有機絶縁層２３の上には無機材料で
形成された無機絶縁層１５が形成され、この無機絶縁層
１５は、少なくともトラック幅規制部１４の接合面１４
ａと同一平面上にまで形成されている。

【０１００】なお絶縁層１５として使用される無機材料
には、前述したように、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＮ、ＳｉＯ₂か
ら１種または２種以上が選択される。

【０１０１】図３に示す実施例においても前記無機絶縁
層１５上に、第２のコイル層２０が螺旋状にパターン形
成されている。なお前記無機絶縁層１５の表面１５ａ
は、トラック幅規制部１４の接合面１４ａと同一面上で
平坦化されて形成されている方が、前記第２のコイル層
２０をパターン精度良く形成できる点で好ましい。

【０１０２】図３に示すように前記第２のコイル層２０
は、レジストやポリイミドなどの有機材料製の絶縁層２
１で覆われ、前記絶縁層２１上には、上部コア層１６が
パターン形成されている。前記上部コア層１６の先端部
１６ａは、トラック幅規制部１４上に接して形成され、
さらに基端部１６ｂは、下部コア層１０上に形成されれ
た磁性材料製の持ち上げ層２２上に接して形成されてい
る。

【０１０３】この実施例においても、コイルが２層の積
層構造で形成され、しかも前記２層のうち第１層目とな
るコイル層１７が、トラック幅規制部１４のハイト側後
方であって、前記トラック幅規制部１４と上部コア層１
６との接合面１４ａを基準平面としたときに前記基準平
面よりも下部コア層１０側に位置するように形成されて
いるから、前記コイル層１７の幅を小さくできると同時
に、下部コア層１０上から第２のコイル層２０を覆う絶
縁層２１上までの高さを小さくでき、従って、磁路長を
短くしてインダクタンスの低減を図ることができる。

【０１０４】またこの実施例においても図２に示す薄膜
磁気ヘッドと同様に狭トラック化に対応可能なものとな
っている。

【０１０５】さらに、トラック幅規制部１４と上部コア
層１６との接合面１４ａを基準平面としたときに、前記
基準平面から突出するコイル層を覆う絶縁層はそれほど
大きくないから、上部コア層１６をパターン精度良く形
成することができる。

【０１０６】図４から図１０は、図２に示す本発明にお
ける薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す一連の製造工程図
である。

【０１０７】まず図４では、下部コア層１０上に、レジ
スト層２４を塗布形成している。前記レジスト層２４の
厚さ寸法Ｈ３は、少なくとも図１に示す完成した薄膜磁
気ヘッドにおけるトラック幅規制部１４の厚さ寸法Ｈ４
よりも厚く形成されていなければならない。

【０１０８】次に前記レジスト層２４に、露光現像によ
って、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方
向）に所定の長さ寸法であって、且つトラック幅方向
（図示Ｘ方向）に所定の幅寸法で形成される溝２４ａを
形成し、前記溝２４ａ内に、トラック幅規制部１４を形
成する。

【０１０９】図４に示すように前記トラック幅規制部１
４は、下から下部磁極層１１、ギャップ層１２、および
上部磁極層１３で構成され、これら各層は、連続してメ
ッキ形成されている。

【０１１０】なお前記溝２４ａ内に形成されるトラック
幅規制部１４の膜構成は、上記３層の構成に限られな
い。すなわち、前記トラック幅規制部１４は、下部コア
層１０と連続する下部磁極層１１及び／または上部コア
層と連続する上部磁極層１３、ならびに前記一方のコア
層とこれに対向する前記一方の磁極層または両磁極層の
間に位置するギャップ層１２で構成されれば、どのよう
な膜構成であってもかまわない。

【０１１１】また前述のように、前記ギャップ層１２を
磁極層と共にメッキ形成することが好ましく、この場
合、ギャップ層１２を形成するメッキ形成可能な非磁性
金属材料が、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａ
ｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または２
種以上から選択することが好ましい。

【０１１２】これにより、下部磁極層１１、ギャップ層
１２および上部磁極層１３を連続メッキして形成するこ
とができる。

【０１１３】また前記レジスト層２４のハイト方向（図
示Ｙ方向）後端には、露光現像によって穴部２４ｂを形
成し、この穴部２４ｂ内に、磁性材料製の持ち上げ層２
２をメッキ形成する。

【０１１４】図５に示す工程では前記レジスト層２４を
除去した状態を示しており、前記下部コア層１０上に
は、ＡＢＳ面付近にトラック幅規制部１４が形成され、
前記トラック幅規制部１４からハイト方向に離れた位置
に持ち上げ層２２が形成されている。

【０１１５】なお図５に示すトラック幅規制部１４の両
側面（図示Ｘ方向における側面）を、トラック幅方向
（図示Ｘ方向）からイオンミリングで削り、前記トラッ
ク幅規制部１４の幅寸法を小さくすることもできる。こ
のイオンミリングによって削られたトラック幅規制部１
４の幅寸法がトラック幅Ｔｗとして規定される。

【０１１６】なお前記イオンミリングによって、下部磁
極層１１の基端から延びるトラック幅方向（図示Ｘ方
向）の下部コア層１０の上面も削れていき、図１に示す
ような傾斜面１０ｂ，１０ｂが前記下部コア層１０上面
に形成される。

【０１１７】次に図６に示す工程では、トラック幅規制
部１４上から下部コア層１０上、さらには持ち上げ層２
２上からハイト方向にかけて、絶縁材料で形成された絶
縁下地層１８をスパッタ形成する。

【０１１８】そして図６に示すように、持ち上げ層２２
よりも後端側に形成された絶縁下地層１８上に、コイル
の巻き中心部１７ａを形成し、前記巻き中心部１７ａを
中心として、コイル層１７を螺旋状にパターン形成す
る。

【０１１９】なお本発明では、前記コイル層１７形成の
際、前記コイル層１７をトラック幅規制部１４の接合面
１４ａよりも下部コア層１０側に位置するように形成し
ている。

【０１２０】次に図７に示す工程では、コイル層１７上
を絶縁層１５により覆う。なおこの際、トラック幅規制
部１４上および持ち上げ層２２上も前記絶縁層１５によ
って覆われる。

【０１２１】なお本発明では前記絶縁層１５を無機材料
によってスパッタ形成する。前記無機材料には、Ａｌ₂
Ｏ₃、ＳｉＮ、ＳｉＯ₂のうちから１種または２種以上を
選択することが好ましい。

【０１２２】そして図７に示すように、前記無機絶縁層
１５の表面をＣＭＰ技術などを利用して、トラック幅規
制部１４の表面を露出させて、コイル層１７が露出しな
いＢ−Ｂ線上まで削っていく。その状態を示すのが、図
８である。

【０１２３】図８に示すように、下部コア層１０上に、
絶縁下地層１８を介して形成されたコイル層１７は、無
機絶縁層１５によって完全に覆われた状態になってい
る。

【０１２４】また上記のＣＭＰ法によって、前記無機絶
縁層１５の表面１５ａは、トラック幅規制部１４の接合
面１４ａと同一平面上で平坦化されて形成されている。

【０１２５】なお図８に示す工程では、コイル層１７の
巻き中心部１７ａ上を覆う絶縁層１５に、穴部（コンタ
クト部）１５ｂを形成している。

【０１２６】次に図９に示す工程では、前記無機絶縁層
１５上に第２のコイル層２０を螺旋状にパターン形成す
る。前述したように第１層目のコイル層１７には、その
巻き中心部１７ａ上にコンタクト部１５ｂが形成されて
いるので、第２のコイル層２０の巻き中心部２０ａを、
前記コンタクト部１５ｂを介してコイル層１７の巻き中
心部１７ａ上に、電気的に接続させる。

【０１２７】また前述したように、コイル層１７を覆う
無機絶縁層１５の表面１５ａは、平坦化されて形成され
ているので、前記無機絶縁層１５上に第２のコイル層２
０をパターン精度良く形成することが可能である。

【０１２８】そして図９に示すように前記第２のコイル
層２０を、レジストやポリイミドなどの有機絶縁材料で
形成された絶縁層２１によって覆い、さらに図１０に示
す工程では、前記絶縁層２１上に上部コア層１６を、フ
レームメッキ法などの既存の方法でパターン形成する。
図１０に示すように前記上部コア層１６は、その先端部
１６ａにてトラック幅規制部１４上に接して形成され、
また基端部１６ｂにて下部コア層２２上に形成された持
ち上げ層２２上に磁気的に接して形成される。

【０１２９】次に図１１ないし図１７に示す一連の工程
図を用いて、図３に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法につ
いて以下に説明する。

【０１３０】まず図１１では、下部コア層１０上に、レ
ジスト層２４を塗布形成している。前記レジスト層２４
の厚さ寸法Ｈ３は、図１に示す完成した薄膜磁気ヘッド
におけるトラック幅規制部１４の厚さ寸法Ｈ４よりも厚
く形成されていなければならない。

【０１３１】次に前記レジスト層２４に、露光現像によ
って、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方
向）に所定の長さ寸法であって、且つトラック幅方向
（図示Ｘ方向）に所定の幅寸法で形成される溝２４ａを
形成し、前記溝２４ａ内に、トラック幅規制部１４を形
成する。

【０１３２】前記トラック幅規制部１４は、下から下部
磁極層１１、ギャップ層１２、および上部磁極層１３で
構成され、これら各層は、連続してメッキ形成されてい
る。

【０１３３】なお前記溝２４ａ内に形成されるトラック
幅規制部１４の膜構成は、上記３層の構成に限られな
い。すなわち、前記トラック幅規制部１４は、下部コア
層１０と連続する下部磁極層１１及び／または上部コア
層と連続する上部磁極層１３、ならびに前記一方のコア
層とこれに対向する前記一方の磁極層または両磁極層の
間に位置するギャップ層１２で構成されれば、どのよう
な膜構成であってもかまわない。

【０１３４】また前記ギャップ層１２を磁極層と共にメ
ッキ形成することが好ましく、この場合、ギャップ層１
２を形成するメッキ形成可能な非磁性金属材料が、Ｎｉ
Ｐ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、
Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上から選択す
ることが好ましい。

【０１３５】これにより、下部磁極層１１、ギャップ層
１２および上部磁極層１３を連続メッキして形成するこ
とができる。

【０１３６】また前記レジスト層２４の後端部には、露
光現像によって穴部２４ｂを形成し、この穴部２４ｂ内
に、磁性材料製の持ち上げ層２２をメッキ形成する。

【０１３７】図１２に示す工程では前記レジスト層２４
を除去した状態を示しており、前記下部コア層１０上に
は、ＡＢＳ面付近にトラック幅規制部１４が形成され、
前記トラック幅規制部１４からハイト方向に離れた位置
に持ち上げ層２２が形成されている。

【０１３８】なお図１２に示すトラック幅規制部１４の
両側面（図示Ｘ方向における側面）を、トラック幅方向
（図示Ｘ方向）からイオンミリングで削り、前記トラッ
ク幅規制部１４の幅寸法を小さくすることもできる。こ
のイオンミリングによって削られたトラック幅規制部１
４の幅寸法がトラック幅Ｔｗとして規定される。

【０１３９】なお前記イオンミリングによって、下部磁
極層１１の基端から延びるトラック幅方向（図示Ｘ方
向）の下部コア層１０の上面も削れていき、図１に示す
ような傾斜面１０ｂ，１０ｂが前記下部コア層１０上面
に形成される。

【０１４０】次に図１３に示す工程では、トラック幅規
制部１４上から下部コア層１０上、さらには持ち上げ層
２２上からハイト方向にかけて、絶縁材料で形成された
絶縁下地層１８をスパッタ形成する。

【０１４１】そして図１３に示すように、コイルの巻き
中心部１７ａを形成し、前記巻き中心部１７ａを中心と
して、コイル層１７を螺旋状にパターン形成する。

【０１４２】なお本発明では、前記コイル層１７形成の
際、前記コイル層１７をトラック幅規制部１４の接合面
１４ａよりも下部コア層１０側に位置するように形成し
ている。

【０１４３】そして本発明では、前記コイル層１７の各
導体部のピッチ間Ａを、レジストやポリイミドなどの有
機材料で形成された有機絶縁層２３によって埋める。

【０１４４】図２に示す薄膜磁気ヘッドでは、図７の工
程図に示すように、有機絶縁層２３を使用せず、無機絶
縁層１５のみでコイル層１７を覆っているが、このよう
に無機絶縁層１５では、コイル層１７の各導体部のピッ
チ間Ａが前記無機絶縁層１５によって適切に埋められ
ず、前記ピッチ間Ａに空洞部が形成される危険性があ
る。このように空洞部が形成される理由は、前記無機絶
縁層１５はスパッタ法で成膜されるからであり、このよ
うな空洞部の形成を無くすために図１３に示す工程で
は、まず前記コイル層１７の各導体部のピッチ間Ａにレ
ジストなどの有機材料を塗布して、完全にピッチ間Ａを
前記有機絶縁層２３により塞いでいる。

【０１４５】前記有機絶縁層２３をピッチ間Ａに充填し
た後、前記有機絶縁層２３をポストベーク（熱処理）し
て固める。

【０１４６】そして図１４の工程で示すように、前記コ
イル層１７上を無機絶縁層１５によって覆う。なおこの
際、トラック幅規制部１４上および持ち上げ層２２上も
前記無機絶縁層１５によって覆われる。

【０１４７】ところで、前述したように有機絶縁層２３
は、コイル層１７の各導体部のピッチ間Ａを埋めるため
に用いられるものであり、無機絶縁層１５に代えて、有
機絶縁層２３を、無機絶縁層１５形成位置まで形成して
はならない。

【０１４８】その理由は、次に行なわれるＣＭＰ法によ
って絶縁層を削る際に、前記絶縁層が有機絶縁層２３で
あると、研磨加工の際に、有機材料が持つ独特のねばり
などにより、適切に研磨加工を施すことができないから
であり、従って本発明では、有機絶縁層２３を、コイル
層１７の各導体部のピッチ間Ａを埋めるためだけに用
い、ＣＭＰ法によって研磨される部分には、無機絶縁層
１５を形成しておくのである。

【０１４９】そして図１４に示すように、前記無機絶縁
層１５の表面をＣＭＰ技術などを利用してＢ−Ｂ線上ま
で削っていき、トラック幅規制部１４の表面を露出させ
る。その状態を示すのが、図１５である。

【０１５０】図１５に示すように、下部コア層１０上に
形成されたコイル層１７および前記コイル層１７の各導
体部のピッチ間Ａを埋める有機材料製の絶縁層２３は、
無機材料製の絶縁層１５によって完全に覆われた状態に
なっている。

【０１５１】また上記のＣＭＰ法によって、前記無機絶
縁層１５の表面１５ａは、トラック幅規制部１４の接合
面１４ａと同一平面上で平坦化されて形成されている。

【０１５２】なお図１５に示す工程では、コイル層１７
の巻き中心部１７ａ上を覆う無機絶縁層１５に、穴部
（コンタクト部）１５ｂを形成している。

【０１５３】次に図１６に示す工程では、前記無機絶縁
層１５上に第２のコイル層２０を螺旋状にパターン形成
する。前述したように前記コイル層（第１のコイル層）
１７には、その巻き中心部１７ａ上にコンタクト部１５
ｂが形成されているので、第２のコイル層２０の巻き中
心部２０ａを、前記コンタクト部１５ｂを介してコイル
層１７の巻き中心部１７ａ上に、電気的に接続させる。

【０１５４】また前述したように、コイル層１７を覆う
無機絶縁層１５の表面１５ａは、平坦化された形成され
ているので、前記無機絶縁層１５上に第２のコイル層２
０をパターン精度良く形成することが可能である。

【０１５５】そして図１６に示すように前記第２のコイ
ル層２０を、レジストやポリイミドなどの有機絶縁材料
で形成された絶縁層２１によって覆い、さらに図１７に
示す工程では、前記絶縁層２１上に上部コア層１６を、
フレームメッキ法などの既存の方法でパターン形成す
る。図１７に示すように前記上部コア層１６は、その先
端部１６ａにてトラック幅規制部１４上に接して形成さ
れ、また基端部１６ｂにて下部コア層２２上に形成され
た持ち上げ層２２上に磁気的に接して形成される。

【０１５６】以上、図２および図３に示す本発明の薄膜
磁気ヘッドの製造方法について説明したが、本発明で
は、上記のようにまず下部コア層１０上にレジスト層２
４を用いてトラック幅規制部１４を形成しているので、
後の工程でコイル層１７を形成する際に、前記コイル層
１７を形成すべき下部コア層１０上には何も形成されて
いない状態になっている。

【０１５７】このため本発明では、前記コイル層１７を
下部コア層１０上に、薄い膜厚の絶縁下地層１８を介し
て形成することができ、前記コイル層１７を、トラック
幅規制部１４よりもハイト側後方であって、前記トラッ
ク幅規制部１４の接合面１４ａを基準平面としたときに
前記基準平面よりも下部コア層１０側に位置せしめるこ
とができる。

【０１５８】従って本発明のようにコイルを２層の積層
構造で形成すれば、前記コイル層の幅寸法を小さくでき
ると同時に、下部コア層１０上から第２のコイル層２０
を覆う絶縁層２１上までの高さを小さくでき、適切に短
磁路化を図ることができる。

【０１５９】またトラック幅規制部１４の接合面１４ａ
を基準平面としたときの、前記コイル層の盛り上がりは
それほど大きくは成らず、従って本発明では、磁路長を
短くしてインダクタンスの低減を図ると同時に、上部コ
ア層１６をパターン精度良く形成することができる。

【０１６０】なお本発明では、コイルを１層構造で形成
してもよい。この場合、コイル層１７を所定のターン数
で形成した後、図８および図１９に示す工程の次に、上
部コア層１６を形成すれば、薄膜磁気ヘッドが完成す
る。

【０１６１】また本発明では、図５および図１２に示す
工程で、下部コア層１０上に形成されたトラック幅規制
部１４のトラック幅方向の両側端面を、イオンミリング
法によって削ることも可能であり、従って本発明では、
前記トラック幅規制部１４の幅寸法（＝トラック幅Ｔ
ｗ）を小さく形成して、狭トラック化に対応可能な薄膜
磁気ヘッドを製造することができる。なお前記トラック
幅規制部１４のトラック幅Ｔｗを、具体的には０．７μ
ｍ以下で形成することが好ましく、より好ましくは０．
５μｍ以下である。

【０１６２】

【発明の効果】以上詳述した本発明によれば、コイル層
を、トラック幅規制部よりもハイト方向後方であって、
前記トラック幅規制部と上部コア層との接合面を基準平
面としたときに、前記基準平面よりも下部コア層側に位
置するように形成しているので、下部コア層上から前記
コイル層を覆う絶縁層上までの高さ寸法を小さくでき、
磁路長を短くしてインダクタンスの低減を図ると同時
に、上部コア層をパターン精度良く形成することが可能
になる。

【０１６３】特に本発明では、前記コイル層を２層の積
層構造とすることが好ましく、２層の積層構造とするこ
とで、コイル層の幅寸法を小さくでき、より磁路長を短
くできてインダクタンスを低減させることができる。ま
た２層の積層構造にした場合であっても、１層目のコイ
ル層は、前記のように前記トラック幅規制部と上部コア
層との接合面を基準平面としたときに、前記基準平面よ
りも下部コア層側に位置するように形成されているの
で、下部コア層上からコイル層（第２層目のコイル層）
を覆う絶縁層上までの高さ寸法を小さくでき、より磁路
長を短くできると同時に、前記基準平面からコイル層を
覆う絶縁層の盛り上がりはそれほど大きくはなく、上部
コア層をパターン精度良く形成することができる。

【０１６４】さらに本発明における薄膜磁気ヘッドで
は、トラック幅規制部のトラック幅Ｔｗを狭トラック化
に対応可能に形成でき、このように本発明では、高記録
密度化と同時に、インダクタンスの低減によって高記録
周波数化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明における薄膜磁気ヘッドの構造を示す部
分正面図、

【図２】図１に示す２−２線から切断した薄膜磁気ヘッ
ドの部分断面図、

【図３】本発明における他の薄膜磁気ヘッドの構造を示
す部分断面図、

【図４】本発明の図２に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法
を示す一工程図、

【図５】図４に示す工程の次に行なわれる一工程図、

【図６】図５に示す工程の次に行なわれる一工程図、

【図７】図６に示す工程の次に行なわれる一工程図、

【図８】図７に示す工程の次に行なわれる一工程図、

【図９】図８に示す工程の次に行なわれる一工程図、

【図１０】図９に示す工程の次に行なわれる一工程図、

【図１１】本発明の図３に示す薄膜磁気ヘッドの製造方
法を示す一工程図、

【図１２】図１１に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図１３】図１２に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図１４】図１３に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図１５】図１４に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図１６】図１５に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図１７】図１６に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図１８】従来における薄膜磁気ヘッドの構造を示す部
分正面図、

【図１９】図１８に示す１９−１９線から切断した薄膜
磁気ヘッドの部分断面図、

【符号の説明】

１０下部コア層１１下部磁極層１２ギャップ層１３上部磁極層１４トラック幅規制部１５絶縁層（無機絶縁層）１６上部コア層１７コイル層１８絶縁下地層２０第２のコイル層２１絶縁層２３絶縁層（有機絶縁層）２４レジスト層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下部コア層と、上部コア層と、記録媒体
との対向面で前記下部コア層と上部コア層との間に位置
し且つトラック幅方向の寸法が規制されたトラック幅規
制部とを有し、前記トラック幅規制部には、下部コア層に連続する下部
磁極層と上部コア層と連続する上部磁極層との少なくと
も一方と、前記各磁極層の間またはいずれか一方の前記
コア層と前記いずれかの磁極層とを磁気的に絶縁するギ
ャップ層とを有し、前記トラック幅規制部と上部コア層との接合面を基準平
面としたときに、前記下部コア層と前記上部コア層に記録磁界を誘導する
コイル層が、前記トラック幅規制部よりもハイト方向の
後方に位置し、且つコイル層の上面が前記基準平面より
も下部コア層側に位置し、前記基準平面と前記下部コア
層との間に絶縁層が設けられ、前記コイル層が前記絶縁
層の内部に埋め込まれ、前記上部コア層が、トラック幅規制部の上面から前記絶
縁層上にかけて形成され、前記上部コア層の基端部が下
部コア層上に磁気的に接続されていることを特徴とする
薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】前記絶縁層が、無機絶縁層である請求項
１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】前記絶縁層が、コイル層を構成する各導
体部のピッチ間に位置する有機絶縁層と、前記ピッチ間
以外の領域を埋める無機絶縁層とで構成されている請求
項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】前記コイル層の上を覆う絶縁層が、前記
基準平面と同一面とされている請求項１ないし３のいず
れかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】前記絶縁層の上に直接にまたは他の層を
介して、前記コイル層と電気的に接続された第２のコイ
ル層が形成され、この第２のコイル層を覆う絶縁層の上
に上部コア層が形成される請求項４記載の薄膜磁気ヘッ
ド。
【請求項６】前記ギャップ層は、メッキ形成可能な非
磁性金属材料で形成されている請求項１ないし５のいず
れかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】前記非磁性金属材料は、ＮｉＰ、ＮｉＰ
ｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒ
ｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上から選択されたもの
である請求項６記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】（ａ）下部コア層上に、下部磁極層と非
磁性のギャップ層と上部磁極層から成るトラック幅規制
部、または前記下部磁極層と非磁性のギャップ層から成
るトラック幅規制部、あるいは非磁性のギャップ層と上
部磁極層からなるトラック幅規制部を、所定の幅寸法で
且つ記録媒体との対向面からハイト方向へ向けて所定の
長さに形成する工程と、（ｂ）前記いずれかのトラック幅規制部のハイト側後方
で、前記下部コア層上に、絶縁下地層を形成し、この絶
縁下地層の上にコイル層を形成し、このときの前記コイ
ル層は、その上面が、前記トラック幅規制部の上面より
も下部コア層側に位置するように形成する工程と、（ｃ）前記トラック幅規制部および前記コイル層を覆う
ようにして絶縁層を形成する工程と、（ｄ）前記絶縁層の上面を、トラック幅規制部の上面と
同一面となるように平坦化する工程と、（ｅ）前記トラック幅規制部の上から前記絶縁層の上に
かけて上部コア層を形成する工程と、を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項９】前記（ｃ）の工程での絶縁層として無機
絶縁層を形成し、前記（ｄ）の工程で、前記トラック幅
規制部と前記無機絶縁層とが同一面となるように研磨す
る請求項８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】前記（ｃ）の工程では、前記コイル層
の各導体部のピッチ間を有機絶縁層で埋め、さらに前記
有機絶縁層およびコイル層の上に無機絶縁層を形成し、
前記（ｄ）の工程で、前記トラック幅規制部と前記無機
絶縁層とが同一面となるように研磨する請求項８記載の
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１１】前記（ｄ）の工程の後に以下の（ｆ）
の工程を含む請求項８ないし１０のいずれかに記載の薄
膜磁気ヘッドの製造方法。（ｆ）前記平坦化された絶縁
層の上に直接にまたは他の層を介して、前記コイル層と
電気的に接続される第２のコイル層を形成する工程、
【請求項１２】前記（ａ）の工程では、前記ギャップ
層を磁極層と共にメッキ形成する請求項８ないし１１の
いずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１３】ギャップ層を形成するメッキ形成可能
な非磁性金属材料が、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、Ｎｉ
Ｍｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種
または２種以上から選択する請求項８ないし１２のいず
れかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。