JP3511371B2 - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/23—Gap features
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- Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、浮上型の薄膜磁気
ヘッドスライダに設けられる例えば記録用ヘッドと再生
用ヘッドとの複合型薄膜磁気ヘッドに係り、特にギャッ
プ層の記録媒体との対向面からの突き出し量を従来に比
べて抑制することが可能な薄膜磁気ヘッド及びその製造
方法に関する。
ヘッドスライダに設けられる例えば記録用ヘッドと再生
用ヘッドとの複合型薄膜磁気ヘッドに係り、特にギャッ
プ層の記録媒体との対向面からの突き出し量を従来に比
べて抑制することが可能な薄膜磁気ヘッド及びその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１１は、従来の薄膜磁気ヘッドの縦断
面図である。
面図である。
【０００３】この薄膜磁気ヘッドは、例えば浮上式ヘッ
ドを構成するスライダのトレーリング側端面に磁気抵抗
効果を利用した再生用ヘッド（ＭＲヘッド）ｈ1と、記
録用のインダクティブヘッドｈ2とが積層されている。
ドを構成するスライダのトレーリング側端面に磁気抵抗
効果を利用した再生用ヘッド（ＭＲヘッド）ｈ1と、記
録用のインダクティブヘッドｈ2とが積層されている。
【０００４】再生用ヘッドｈ1では、センダストやＮｉ
Ｆｅ合金（パーマロイ）などにより形成された下部シー
ルド層１上に、Ａｌ2Ｏ3（アルミナ）などの非磁性材料
による下部ギャップ層が形成され、その上に磁気抵抗効
果素子２が成膜されている。前記磁気抵抗効果素子２
は、例えばスピンバルブ型磁気抵抗効果素子に代表され
るＧＭＲ素子やあるいはＡＭＲ素子であり、記録媒体か
らの外部磁界の影響を受けて電気抵抗が変化し、これに
よって記録信号を再生できるようになっている。
Ｆｅ合金（パーマロイ）などにより形成された下部シー
ルド層１上に、Ａｌ2Ｏ3（アルミナ）などの非磁性材料
による下部ギャップ層が形成され、その上に磁気抵抗効
果素子２が成膜されている。前記磁気抵抗効果素子２
は、例えばスピンバルブ型磁気抵抗効果素子に代表され
るＧＭＲ素子やあるいはＡＭＲ素子であり、記録媒体か
らの外部磁界の影響を受けて電気抵抗が変化し、これに
よって記録信号を再生できるようになっている。
【０００５】前記磁気抵抗効果素子２の上には、アルミ
ナなどの非磁性材料による上部ギャップ層が形成され、
さらに前記上部ギャップ層の上に、磁性材料製の下部コ
ア層３がメッキ形成されている。
ナなどの非磁性材料による上部ギャップ層が形成され、
さらに前記上部ギャップ層の上に、磁性材料製の下部コ
ア層３がメッキ形成されている。
【０００６】前記下部コア層３の上には、Ｔａ2Ｏ5やＳ
ｉＯ2で形成されたギャップ層９が形成されており、前
記ギャップ層９の上に有機絶縁材料などで形成された絶
縁層５を介してコイル層６が螺旋状にパターン形成され
ている。前記コイル層６の上には、有機絶縁材料などで
形成された絶縁層７が形成され、前記絶縁層７の上に磁
性材料で形成された上部コア層８がパターン形成されて
いる。
ｉＯ2で形成されたギャップ層９が形成されており、前
記ギャップ層９の上に有機絶縁材料などで形成された絶
縁層５を介してコイル層６が螺旋状にパターン形成され
ている。前記コイル層６の上には、有機絶縁材料などで
形成された絶縁層７が形成され、前記絶縁層７の上に磁
性材料で形成された上部コア層８がパターン形成されて
いる。
【０００７】図１１に示すように前記上部コア層８の先
端部８ａは、記録媒体との対向面にて、下部コア層３上
にギャップ層９を介して対向し、基端部８ｂは下部コア
層３上に磁気的に接続されている。
端部８ａは、記録媒体との対向面にて、下部コア層３上
にギャップ層９を介して対向し、基端部８ｂは下部コア
層３上に磁気的に接続されている。
【０００８】図１１に示す薄膜磁気ヘッドの製造では、
Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ（アルミナ−チタンカーバイト）で形
成された薄膜磁気ヘッドスライダのトレーリング側端面
に、図１１に示す薄膜磁気ヘッドを成膜した後、記録媒
体との対向面をラップ加工するなどして前記薄膜磁気ヘ
ッドスライダの加工工程が行なわれる。
Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ（アルミナ−チタンカーバイト）で形
成された薄膜磁気ヘッドスライダのトレーリング側端面
に、図１１に示す薄膜磁気ヘッドを成膜した後、記録媒
体との対向面をラップ加工するなどして前記薄膜磁気ヘ
ッドスライダの加工工程が行なわれる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで上記したよう
に従来では、下部コア層３と上部コア層８間に介在する
ギャップ層９はＴａ2Ｏ5膜やＳｉＯ2膜で形成されてい
た。その理由は、図１１に示す上部コア層８を形成後、
インダクティブヘッドｈ２から記録媒体に記録信号が書
き込まれるときにサイドフリンジングが発生しないよ
う、前記上部コア層８及び下部コア層３に対しトリミン
グ工程が行なわれるが、このとき前記ギャップ層９をＳ
ｉＯ2膜で形成すると、反応性イオンエッチングにより
余分なギャップ層９を適切に除去でき、適切なトリミン
グを行うことが可能だからである。
に従来では、下部コア層３と上部コア層８間に介在する
ギャップ層９はＴａ2Ｏ5膜やＳｉＯ2膜で形成されてい
た。その理由は、図１１に示す上部コア層８を形成後、
インダクティブヘッドｈ２から記録媒体に記録信号が書
き込まれるときにサイドフリンジングが発生しないよ
う、前記上部コア層８及び下部コア層３に対しトリミン
グ工程が行なわれるが、このとき前記ギャップ層９をＳ
ｉＯ2膜で形成すると、反応性イオンエッチングにより
余分なギャップ層９を適切に除去でき、適切なトリミン
グを行うことが可能だからである。
【００１０】しかしながら前記ギャップ層９をＴａ2Ｏ5
膜やＳｉＯ2膜で形成すると以下のような問題が発生す
ることがわかった。
膜やＳｉＯ2膜で形成すると以下のような問題が発生す
ることがわかった。
【００１１】Ｔａ2Ｏ5膜やＳｉＯ2膜は、磁性材料で形
成された下部コア層３及び上部コア層８に比べて弾性率
が低いために、上記した薄膜磁気ヘッドスライダの加工
工程において、記録媒体との対向面をラップ加工してい
る最中、前記ギャップ層９は、前記対向面よりもハイト
方向（図示Ｙ方向）に押し込められた状態で、他の層
（コア層３，８等）の前記対向面が削られていく。
成された下部コア層３及び上部コア層８に比べて弾性率
が低いために、上記した薄膜磁気ヘッドスライダの加工
工程において、記録媒体との対向面をラップ加工してい
る最中、前記ギャップ層９は、前記対向面よりもハイト
方向（図示Ｙ方向）に押し込められた状態で、他の層
（コア層３，８等）の前記対向面が削られていく。
【００１２】したがって、前記ラップ工程を終了する
と、ハイト方向に押し込められていたギャップ層９は復
元力によって記録媒体との対向面よりも記録媒体側（図
示Ｙ方向と反対方向）に突き出してしまう。
と、ハイト方向に押し込められていたギャップ層９は復
元力によって記録媒体との対向面よりも記録媒体側（図
示Ｙ方向と反対方向）に突き出してしまう。
【００１３】前記突き出し量Ｔ１は、数ｎｍ〜十数ｎｍ
程度であるが、このようなギャップ層９の突き出しの問
題は、特に今後の高記録密度化において、益々薄膜磁気
ヘッドスライダと記録媒体間の浮上量が小さくなると、
前記ギャップ層９の突き出した部分が前記記録媒体に衝
突する可能性が高まってしまう。このため前記ギャップ
層９をできる限り記録媒体との対向面から突き出さない
ようにする必要性が生じる。
程度であるが、このようなギャップ層９の突き出しの問
題は、特に今後の高記録密度化において、益々薄膜磁気
ヘッドスライダと記録媒体間の浮上量が小さくなると、
前記ギャップ層９の突き出した部分が前記記録媒体に衝
突する可能性が高まってしまう。このため前記ギャップ
層９をできる限り記録媒体との対向面から突き出さない
ようにする必要性が生じる。
【００１４】本発明は上記問題点を解決するためのもの
であり、特にギャップ層の材質あるいはヤング率を適切
に調整することで、ギャップ層の突き出し量を従来に比
べて小さくすることができる薄膜磁気ヘッド及びその製
造方法を提供することを目的としている。
であり、特にギャップ層の材質あるいはヤング率を適切
に調整することで、ギャップ層の突き出し量を従来に比
べて小さくすることができる薄膜磁気ヘッド及びその製
造方法を提供することを目的としている。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は、磁性材料性の
コアとコアとの対向面に絶縁性のギャップ層が設けら
れ、前記コアに記録磁界を誘導するコイルが設けられた
記録用の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記ギャップ層が、
ＳｉＯＮ膜によって形成されており、前記ＳｉＯＮ膜の
Ｎの原子％は、１（ａｔ％）≦Ｎ原子％≦６（ａｔ％）
であることを特徴とするものである。
コアとコアとの対向面に絶縁性のギャップ層が設けら
れ、前記コアに記録磁界を誘導するコイルが設けられた
記録用の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記ギャップ層が、
ＳｉＯＮ膜によって形成されており、前記ＳｉＯＮ膜の
Ｎの原子％は、１（ａｔ％）≦Ｎ原子％≦６（ａｔ％）
であることを特徴とするものである。
【００１６】従来では記録用のインダクティブヘッドの
ギャップ層はＳｉＯ2膜により形成されていたが、本発
明では、ＳｉＯ2膜よりも弾性率の高いＳｉＮ膜の存在
に鑑み、前記ギャップ層をＳｉとＯとＮからなるＳｉＯ
Ｎ膜で形成した。なおＳｉＮ膜を一般的にギャップ層と
して使用しない（使用できない）理由は、通常のスパッ
タ法では基板昇温等の工夫が必要であり、作製が困難だ
からである。後述する実験結果からわかるように、前記
ＳｉＯＮ膜はＳｉＯ2膜に比べてヤング率が上昇し、前
記ＳｉＯＮ膜をギャップ層として使用すると、記録媒体
との対向面からのギャップ層の突き出し量を従来に比べ
て減少させることが可能となった。
ギャップ層はＳｉＯ2膜により形成されていたが、本発
明では、ＳｉＯ2膜よりも弾性率の高いＳｉＮ膜の存在
に鑑み、前記ギャップ層をＳｉとＯとＮからなるＳｉＯ
Ｎ膜で形成した。なおＳｉＮ膜を一般的にギャップ層と
して使用しない（使用できない）理由は、通常のスパッ
タ法では基板昇温等の工夫が必要であり、作製が困難だ
からである。後述する実験結果からわかるように、前記
ＳｉＯＮ膜はＳｉＯ2膜に比べてヤング率が上昇し、前
記ＳｉＯＮ膜をギャップ層として使用すると、記録媒体
との対向面からのギャップ層の突き出し量を従来に比べ
て減少させることが可能となった。
【００１７】これによって薄膜磁気ヘッドスライダと記
録媒体間の浮上量が小さくなっても、前記薄膜磁気ヘッ
ドスライダの記録媒体への衝突を適切に回避することが
可能となる。このとき、前記ＳｉＯＮ膜のＮの原子％
は、１（ａｔ％）≦Ｎ原子％≦６（ａｔ％）である。Ｎ
の原子％が上記範囲内であると、ギャップ層のヤング率
を、１２７．４（ＧＰａ）以上にすることができる。
録媒体間の浮上量が小さくなっても、前記薄膜磁気ヘッ
ドスライダの記録媒体への衝突を適切に回避することが
可能となる。このとき、前記ＳｉＯＮ膜のＮの原子％
は、１（ａｔ％）≦Ｎ原子％≦６（ａｔ％）である。Ｎ
の原子％が上記範囲内であると、ギャップ層のヤング率
を、１２７．４（ＧＰａ）以上にすることができる。
【００１８】また本発明は、外部磁界の影響で電気抵抗
が変化することにより記録信号を検出することが可能な
磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の上下にギ
ャップ層を介して形成されたシールド層とを有する再生
用の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記ギャップ層のうち少
なくとも一層は、ＳｉＯＮ膜によって形成されており、
前記ＳｉＯＮ膜のＮの原子％は、１（ａｔ％）≦Ｎ原子
％≦６（ａｔ％）であることを特徴とするものである。
が変化することにより記録信号を検出することが可能な
磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の上下にギ
ャップ層を介して形成されたシールド層とを有する再生
用の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記ギャップ層のうち少
なくとも一層は、ＳｉＯＮ膜によって形成されており、
前記ＳｉＯＮ膜のＮの原子％は、１（ａｔ％）≦Ｎ原子
％≦６（ａｔ％）であることを特徴とするものである。
【００１９】これによって、再生用ヘッド側におけるギ
ャップ層の前記対向面からの突き出しを抑制することが
可能になる。このとき、前記ＳｉＯＮ膜のＮの原子％
は、１（ａｔ％）≦Ｎ原子％≦６（ａｔ％）である。Ｎ
の原子％が上記範囲内であると、ギャップ層のヤング率
を、１２７．４（ＧＰａ）以上にすることができる。
ャップ層の前記対向面からの突き出しを抑制することが
可能になる。このとき、前記ＳｉＯＮ膜のＮの原子％
は、１（ａｔ％）≦Ｎ原子％≦６（ａｔ％）である。Ｎ
の原子％が上記範囲内であると、ギャップ層のヤング率
を、１２７．４（ＧＰａ）以上にすることができる。
【００２０】また本発明では、前記ギャップ層のヤング
率Ｅは、Ｅ＞１２３．２（ＧＰａ）であることが好まし
い。これによって従来よりもギャップ層の記録媒体との
対向面からの突き出し量を小さくすることができ、具体
的には前記突き出し量を３．５ｎｍよりも小さく抑える
ことができる。
率Ｅは、Ｅ＞１２３．２（ＧＰａ）であることが好まし
い。これによって従来よりもギャップ層の記録媒体との
対向面からの突き出し量を小さくすることができ、具体
的には前記突き出し量を３．５ｎｍよりも小さく抑える
ことができる。
【００２１】
【００２２】また本発明では、前記ギャップ層のヤング
率Ｅは、Ｅ≧１２７．４（ＧＰａ）であることがより好
ましい。これによって従来よりもギャップ層の記録媒体
との対向面からの突き出し量をさらに小さくすることが
でき、具体的には前記突き出し量を３．０ｎｍ以下に抑
えることができる。
率Ｅは、Ｅ≧１２７．４（ＧＰａ）であることがより好
ましい。これによって従来よりもギャップ層の記録媒体
との対向面からの突き出し量をさらに小さくすることが
でき、具体的には前記突き出し量を３．０ｎｍ以下に抑
えることができる。
【００２３】
【００２４】
【００２５】
【００２６】
【００２７】
【００２８】
【００２９】
【００３０】
【００３１】また本発明は、成膜装置内に、ターゲット
と、前記ターゲットと対向する基板を配置し、前記基板
上に請求項１ないし請求項４のいずれかに記載された薄
膜磁気ヘッドを成膜する製造方法において、前記薄膜磁
気ヘッドのギャップ層を形成するときに、ＳｉＯ2から
成る前記ターゲットを用意し、スパッタガスの一つとし
てＮ2ガスを５％≦Ｎ 2 ガス流量比≦３０％の流量比で前
記装置内に流入させながら前記ターゲットをスパッタす
ることで、前記ギャップ層をＳｉＯＮ膜で形成すること
を特徴とするものである。
と、前記ターゲットと対向する基板を配置し、前記基板
上に請求項１ないし請求項４のいずれかに記載された薄
膜磁気ヘッドを成膜する製造方法において、前記薄膜磁
気ヘッドのギャップ層を形成するときに、ＳｉＯ2から
成る前記ターゲットを用意し、スパッタガスの一つとし
てＮ2ガスを５％≦Ｎ 2 ガス流量比≦３０％の流量比で前
記装置内に流入させながら前記ターゲットをスパッタす
ることで、前記ギャップ層をＳｉＯＮ膜で形成すること
を特徴とするものである。
【００３２】このように本発明では、従来から使用れて
いるＳｉＯ2ターゲットを用いることができ、スパッタ
ガスの一つとしてＮ2ガスを用いるだけで、ギャップ層
をＳｉＯＮ膜により形成することができ、製造工程が非
常に容易でしかも再現性に優れている。また本発明で
は、前記Ｎ 2 ガスの流量比は、５％≦Ｎ 2 ガス流量比≦３
０％である。これによって前記ギャップ層のヤング率Ｅ
を、１２７．４（ＧＰａ）以上にすることができる。
いるＳｉＯ2ターゲットを用いることができ、スパッタ
ガスの一つとしてＮ2ガスを用いるだけで、ギャップ層
をＳｉＯＮ膜により形成することができ、製造工程が非
常に容易でしかも再現性に優れている。また本発明で
は、前記Ｎ 2 ガスの流量比は、５％≦Ｎ 2 ガス流量比≦３
０％である。これによって前記ギャップ層のヤング率Ｅ
を、１２７．４（ＧＰａ）以上にすることができる。
【００３３】
【００３４】
【００３５】また本発明では、前記ギャップ層の形成の
とき、前記基板側にバイアス電力を供給することが好ま
しい。バイアス電力の供給により、ＳｉＯＮ膜のヤング
率を向上させることができることが後述する実験により
確認されている。
とき、前記基板側にバイアス電力を供給することが好ま
しい。バイアス電力の供給により、ＳｉＯＮ膜のヤング
率を向上させることができることが後述する実験により
確認されている。
【００３６】このようにバイアス電流を供給することで
ヤング率Ｅが向上するのは、ＳｉＯＮ膜の原子配列が最
密化方向に向かうためであると考えられる。
ヤング率Ｅが向上するのは、ＳｉＯＮ膜の原子配列が最
密化方向に向かうためであると考えられる。
【００３７】
【００３８】
【００３９】
【００４０】
【００４１】
【発明の実施の形態】図１は本発明の薄膜磁気ヘッドス
ライダの斜視図、図２はスライダバーの斜視図である。
ライダの斜視図、図２はスライダバーの斜視図である。
【００４２】図１に示した基板２０は、アルミナ・チタ
ンカーバイト、またはＳｉ（シリコン）などのセラミッ
ク材料により形成されており、記録媒体であるハードデ
ィスクとの対向部にエアーグルーブ２１が形成され、そ
の両側にレール部２２，２２が形成されている。
ンカーバイト、またはＳｉ（シリコン）などのセラミッ
ク材料により形成されており、記録媒体であるハードデ
ィスクとの対向部にエアーグルーブ２１が形成され、そ
の両側にレール部２２，２２が形成されている。
【００４３】図１に示すように、前記レール部２２，２
２は所定のクラウン形状で形成されており、前記レール
部２２，２２の表面は、記録媒体との対向面（ＡＢＳ
面；浮上面）２３，２３となっている。また、前記レー
ル部２２，２２のリーディング側端面Ｃには傾斜部２
４，２４が形成されている。
２は所定のクラウン形状で形成されており、前記レール
部２２，２２の表面は、記録媒体との対向面（ＡＢＳ
面；浮上面）２３，２３となっている。また、前記レー
ル部２２，２２のリーディング側端面Ｃには傾斜部２
４，２４が形成されている。
【００４４】基板２０のトレーリング側端面Ｄには、薄
膜磁気ヘッド２５が設けられている。前記薄膜磁気ヘッ
ド２５は、ＡＭＲ素子やスピンバルブ型薄膜素子などの
磁気抵抗効果素子を有する再生用のＭＲヘッドと、磁性
材料のコアとコイルとで形成される記録用のインダクテ
ィブヘッドとが積層されたものである。
膜磁気ヘッド２５が設けられている。前記薄膜磁気ヘッ
ド２５は、ＡＭＲ素子やスピンバルブ型薄膜素子などの
磁気抵抗効果素子を有する再生用のＭＲヘッドと、磁性
材料のコアとコイルとで形成される記録用のインダクテ
ィブヘッドとが積層されたものである。
【００４５】前記磁気抵抗効果素子は、ＡＭＲ（anisot
ropic magnetoresistive）素子やスピンバルブ膜に代表
されるＧＭＲ（giant magnetoresistive）素子から成
り、記録媒体からの外部磁界を電気抵抗変化としてとら
え、電圧変化として記録信号を検出する。
ropic magnetoresistive）素子やスピンバルブ膜に代表
されるＧＭＲ（giant magnetoresistive）素子から成
り、記録媒体からの外部磁界を電気抵抗変化としてとら
え、電圧変化として記録信号を検出する。
【００４６】また図１に示すように、基板２０のトレー
リング側端面Ｄには、薄膜磁気ヘッド２５から引き出さ
れた薄膜による電極端子部２６が形成されている。
リング側端面Ｄには、薄膜磁気ヘッド２５から引き出さ
れた薄膜による電極端子部２６が形成されている。
【００４７】図１に示す薄膜磁気ヘッドスライダ３６
は、その下面側、すなわち記録媒体との対向面２３の逆
面側に、板ばね材料で形成されたフレキシャやロードビ
ームによる支持部材が取付けられ、前記支持部材の基端
（マウント部）がハードディスク装置の所定箇所に取付
けられる。
は、その下面側、すなわち記録媒体との対向面２３の逆
面側に、板ばね材料で形成されたフレキシャやロードビ
ームによる支持部材が取付けられ、前記支持部材の基端
（マウント部）がハードディスク装置の所定箇所に取付
けられる。
【００４８】図１に示す薄膜磁気ヘッドスライダ３６を
搭載した薄膜磁気ヘッド装置は、ＣＳＳ方式などによっ
て作動するものであり、前記薄膜磁気ヘッドスライダ３
６が記録媒体から一定量浮上した状態で、薄膜磁気ヘッ
ド２５による記録・再生が行われる。前記浮上量は１０
ｎｍ程度、あるいは今後の高記録密度化にともない、さ
らに前記浮上量は小さくなるものと考えられる。
搭載した薄膜磁気ヘッド装置は、ＣＳＳ方式などによっ
て作動するものであり、前記薄膜磁気ヘッドスライダ３
６が記録媒体から一定量浮上した状態で、薄膜磁気ヘッ
ド２５による記録・再生が行われる。前記浮上量は１０
ｎｍ程度、あるいは今後の高記録密度化にともない、さ
らに前記浮上量は小さくなるものと考えられる。
【００４９】図１に示す薄膜磁気ヘッドスライダ３６
は、図２に示す薄膜磁気ヘッド２５が一列に複数個パタ
ーン形成されたスライダバー３７から形成される。
は、図２に示す薄膜磁気ヘッド２５が一列に複数個パタ
ーン形成されたスライダバー３７から形成される。
【００５０】前記スライダバー３７を形成した後、前記
スライダバー３７の記録媒体との対向面２７をラップ加
工し、その後、各薄膜磁気ヘッド２５間からスライダバ
ー３７を切断して図１に示す薄膜磁気ヘッドスライダ３
６を製造する。
スライダバー３７の記録媒体との対向面２７をラップ加
工し、その後、各薄膜磁気ヘッド２５間からスライダバ
ー３７を切断して図１に示す薄膜磁気ヘッドスライダ３
６を製造する。
【００５１】次に前記薄膜磁気ヘッド２５の構成につい
て以下に説明する。図３は本発明における薄膜磁気ヘッ
ドの構造を記録媒体との対向面側から見た部分正面図、
図４は、図３に示す４−４線から薄膜磁気ヘッドを切断
した部分断面図である。
て以下に説明する。図３は本発明における薄膜磁気ヘッ
ドの構造を記録媒体との対向面側から見た部分正面図、
図４は、図３に示す４−４線から薄膜磁気ヘッドを切断
した部分断面図である。
【００５２】図３及び図４に示す薄膜磁気ヘッドは、再
生用ヘッド（ＭＲヘッド）ｈ1と、記録用のインダクテ
ィブヘッドｈ2とが積層された、いわば複合型の薄膜磁
気ヘッドである。
生用ヘッド（ＭＲヘッド）ｈ1と、記録用のインダクテ
ィブヘッドｈ2とが積層された、いわば複合型の薄膜磁
気ヘッドである。
【００５３】再生用ヘッドｈ１は、磁気抵抗効果を利用
してハードディスクなどの記録媒体からの洩れ磁界を検
出し、記録信号を読み取るものである。符号１０は、磁
性材料で形成された下部シールド層１０である。
してハードディスクなどの記録媒体からの洩れ磁界を検
出し、記録信号を読み取るものである。符号１０は、磁
性材料で形成された下部シールド層１０である。
【００５４】前記下部シールド層１０の上には、非磁性
材料により形成された下部ギャップ層１２が形成されて
いる。さらに前記下部ギャップ層１２の上には、記録媒
体からの外部磁界の影響を受け、電気抵抗が変化するこ
とによって記録信号を検出する磁気抵抗効果素子１３が
形成されている。符号１４はハードバイアス層であり、
符号１５は前記磁気抵抗効果素子１３にセンス電流を供
給するための電極層である。
材料により形成された下部ギャップ層１２が形成されて
いる。さらに前記下部ギャップ層１２の上には、記録媒
体からの外部磁界の影響を受け、電気抵抗が変化するこ
とによって記録信号を検出する磁気抵抗効果素子１３が
形成されている。符号１４はハードバイアス層であり、
符号１５は前記磁気抵抗効果素子１３にセンス電流を供
給するための電極層である。
【００５５】図３に示すように、前記磁気抵抗効果素子
１３の上には、非磁性材料により形成された上部ギャッ
プ層１６が形成され、さらに前記上部ギャップ層１６の
上にはパーマロイなどの磁性材料で形成された下部コア
層１７が形成されている。
１３の上には、非磁性材料により形成された上部ギャッ
プ層１６が形成され、さらに前記上部ギャップ層１６の
上にはパーマロイなどの磁性材料で形成された下部コア
層１７が形成されている。
【００５６】この実施例では前記下部コア層１７が、Ｍ
Ｒヘッドｈ１の上部シールド層としての機能と、インダ
クティブヘッドｈ２のコア層としての機能の双方を兼ね
備える。ただし前記上部シールド層とコア層とが別々に
形成されていてもかまわない。
Ｒヘッドｈ１の上部シールド層としての機能と、インダ
クティブヘッドｈ２のコア層としての機能の双方を兼ね
備える。ただし前記上部シールド層とコア層とが別々に
形成されていてもかまわない。
【００５７】図４に示すように、前記下部コア層１７の
上には、非磁性材料のギャップ層１８が形成されてい
る。さらに前記ギャップ層１８の上にはレジストやポリ
イミド等の有機絶縁材料によって形成された絶縁層１９
を介して螺旋状にパターン形成されたコイル層４０が形
成されている。前記コイル層４０の上には、レジストや
ポリイミドなどの有機絶縁材料により形成された絶縁層
４１が形成され、前記絶縁層４１の上にはパーマロイ等
の磁性材料により形成された上部コア層４２がパターン
形成されている。前記上部コア層４２の上にはＡｌ2Ｏ3
等で形成された保護層４３が形成されている。
上には、非磁性材料のギャップ層１８が形成されてい
る。さらに前記ギャップ層１８の上にはレジストやポリ
イミド等の有機絶縁材料によって形成された絶縁層１９
を介して螺旋状にパターン形成されたコイル層４０が形
成されている。前記コイル層４０の上には、レジストや
ポリイミドなどの有機絶縁材料により形成された絶縁層
４１が形成され、前記絶縁層４１の上にはパーマロイ等
の磁性材料により形成された上部コア層４２がパターン
形成されている。前記上部コア層４２の上にはＡｌ2Ｏ3
等で形成された保護層４３が形成されている。
【００５８】前記上部コア層４２は図４に示すように、
その先端部４２ａが記録媒体との対向面５にて下部コア
層１７上にギャップ層１８を介して対向している。また
前記上部コア層４２の基端部４２ｂは、下部コア層１７
上に磁気的に接続されている。
その先端部４２ａが記録媒体との対向面５にて下部コア
層１７上にギャップ層１８を介して対向している。また
前記上部コア層４２の基端部４２ｂは、下部コア層１７
上に磁気的に接続されている。
【００５９】また図３に示すように、上部コア層４２の
トラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法はトラッ
ク幅Ｔｗで形成され、ギャップ層１８のトラック幅方向
における幅寸法も同様にトラック幅Ｔｗで形成されてい
る。
トラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法はトラッ
ク幅Ｔｗで形成され、ギャップ層１８のトラック幅方向
における幅寸法も同様にトラック幅Ｔｗで形成されてい
る。
【００６０】また図３に示すように、下部コア層１７に
は、上部コア層４２とギャップ層１８を介して対向する
位置に突出部１７ｂが形成され、前記突出部１７の基端
からは、前記上部コア層４２から離れる方向に傾斜する
傾斜面１７ａ，１７ａが形成されている。
は、上部コア層４２とギャップ層１８を介して対向する
位置に突出部１７ｂが形成され、前記突出部１７の基端
からは、前記上部コア層４２から離れる方向に傾斜する
傾斜面１７ａ，１７ａが形成されている。
【００６１】図３に示すように、ギャップ層１８をトラ
ック幅Ｔｗで形成し、さらに下部コア層１７に突出部１
７ｂ及び傾斜面１７ａを形成するには、トリミング工程
を施す必要がある。このトリミング工程を施すことによ
って形成された図３に示す薄膜磁気ヘッドを使用すれ
ば、記録媒体への記録時にサイドフリンジングが発生し
にくく好ましい。
ック幅Ｔｗで形成し、さらに下部コア層１７に突出部１
７ｂ及び傾斜面１７ａを形成するには、トリミング工程
を施す必要がある。このトリミング工程を施すことによ
って形成された図３に示す薄膜磁気ヘッドを使用すれ
ば、記録媒体への記録時にサイドフリンジングが発生し
にくく好ましい。
【００６２】ところで本発明では、ギャップ層１８をＳ
ｉＯＮ膜によって形成している。ＳｉＯＮ膜を使用する
ことによって、上記したトリミング工程を適切に行うこ
とができる。
ｉＯＮ膜によって形成している。ＳｉＯＮ膜を使用する
ことによって、上記したトリミング工程を適切に行うこ
とができる。
【００６３】そして本発明では、図２に示すスライダバ
ー３７の記録媒体との対向面２７をラップ加工しても、
その際に前記ギャップ層１８が前記記録媒体との対向面
２７から突き出しにくくなり、図１に示す薄膜磁気ヘッ
ドスライダ３６を記録媒体上に浮上させているときに、
前記薄膜磁気ヘッドスライダ３６が記録媒体上に衝突す
るのを極力防止できる。
ー３７の記録媒体との対向面２７をラップ加工しても、
その際に前記ギャップ層１８が前記記録媒体との対向面
２７から突き出しにくくなり、図１に示す薄膜磁気ヘッ
ドスライダ３６を記録媒体上に浮上させているときに、
前記薄膜磁気ヘッドスライダ３６が記録媒体上に衝突す
るのを極力防止できる。
【００６４】ギャップ層１８として使用したＳｉＯＮ膜
は、ＳｉＯ2膜に比べて弾性率が高いために図２に示す
スライダバー３７の記録媒体との対向面２７をラップ加
工している最中、前記ギャップ層１８が、前記対向面か
らハイト方向（図示Ｙ方向）に押し込まれ難くなり、よ
って前記ギャップ層１８の前記対向面も適切に削られ
る。そして前記ラップ加工を終了すると、前記ギャップ
層の復元力は従来に比べて小さいために、前記ギャップ
層１８の前記対向面からの突き出し量を従来に比べて小
さくすることができる。
は、ＳｉＯ2膜に比べて弾性率が高いために図２に示す
スライダバー３７の記録媒体との対向面２７をラップ加
工している最中、前記ギャップ層１８が、前記対向面か
らハイト方向（図示Ｙ方向）に押し込まれ難くなり、よ
って前記ギャップ層１８の前記対向面も適切に削られ
る。そして前記ラップ加工を終了すると、前記ギャップ
層の復元力は従来に比べて小さいために、前記ギャップ
層１８の前記対向面からの突き出し量を従来に比べて小
さくすることができる。
【００６５】従来のようにギャップ層として、Ｔａ2Ｏ5
膜を使用した場合には前記対向面からの突き出し量は６
ｎｍ程度、ＳｉＯ2膜を使用した場合には、前記対向面
からの突き出し量は３．５ｎｍ程度、あるいはそれより
も大きかったが、本発明によれば前記突き出し量を３．
５ｎｍよりも小さくでき、好ましくは３．０ｎｍ以下に
抑えることが可能である。
膜を使用した場合には前記対向面からの突き出し量は６
ｎｍ程度、ＳｉＯ2膜を使用した場合には、前記対向面
からの突き出し量は３．５ｎｍ程度、あるいはそれより
も大きかったが、本発明によれば前記突き出し量を３．
５ｎｍよりも小さくでき、好ましくは３．０ｎｍ以下に
抑えることが可能である。
【００６６】なお本発明では、上記した突き出し量を従
来に比べて小さくするために、前記ギャップ層１８のヤ
ング率Ｅの値を調整している。本発明では、前記ギャッ
プ層１８のヤング率Ｅは、１２３．２（ＧＰａ）よりも
大きい（Ｅ＞１２３．２（ＧＰａ））ことが好ましい。
前記ヤング率Ｅが１２３．２（ＧＰａ）よりも大きい
と、前記ギャップ層１８の記録媒体との対向面からの突
き出し量を３．５ｎｍよりも小さく抑えることができ
る。
来に比べて小さくするために、前記ギャップ層１８のヤ
ング率Ｅの値を調整している。本発明では、前記ギャッ
プ層１８のヤング率Ｅは、１２３．２（ＧＰａ）よりも
大きい（Ｅ＞１２３．２（ＧＰａ））ことが好ましい。
前記ヤング率Ｅが１２３．２（ＧＰａ）よりも大きい
と、前記ギャップ層１８の記録媒体との対向面からの突
き出し量を３．５ｎｍよりも小さく抑えることができ
る。
【００６７】なお上記ヤング率Ｅを得るには、記ＳｉＯ
Ｎ膜のＮの原子％は、０（ａｔ％）＜Ｎ原子％≦６（ａ
ｔ％）であることが好ましい。
Ｎ膜のＮの原子％は、０（ａｔ％）＜Ｎ原子％≦６（ａ
ｔ％）であることが好ましい。
【００６８】また本発明では、前記ギャップ層１８のヤ
ング率Ｅは、Ｅ≧１２７．４（ＧＰａ）であることがよ
り好ましい。前記ヤング率Ｅが１２７．４（ＧＰａ）以
上であると、前記ギャップ層１８の記録媒体との対向面
からの突き出し量を３．０ｎｍ以下に抑えることができ
る。なお上記ヤング率Ｅを得るには、前記ＳｉＯＮ膜の
Ｎの原子％は、１（ａｔ％）≦Ｎ原子％≦６（ａｔ％）
であることが好ましい。
ング率Ｅは、Ｅ≧１２７．４（ＧＰａ）であることがよ
り好ましい。前記ヤング率Ｅが１２７．４（ＧＰａ）以
上であると、前記ギャップ層１８の記録媒体との対向面
からの突き出し量を３．０ｎｍ以下に抑えることができ
る。なお上記ヤング率Ｅを得るには、前記ＳｉＯＮ膜の
Ｎの原子％は、１（ａｔ％）≦Ｎ原子％≦６（ａｔ％）
であることが好ましい。
【００６９】また前記ＳｉＯＮ膜は、従来からギャップ
層１８として使用されているＳｉＯ 2膜に比べてそれほ
ど絶縁耐圧は低下せず、十分にギャップ層１８として使
用可能である。
層１８として使用されているＳｉＯ 2膜に比べてそれほ
ど絶縁耐圧は低下せず、十分にギャップ層１８として使
用可能である。
【００７０】次に本発明では、前記ギャップ層１８を従
来と同様にＳｉＯ2膜で形成することも可能である。た
だしこの場合には、前記ギャップ層１８のヤング率Ｅ
を、１２３．２（ＧＰａ）よりも大きくする（Ｅ＞１２
３．２（ＧＰａ））という条件が付される。
来と同様にＳｉＯ2膜で形成することも可能である。た
だしこの場合には、前記ギャップ層１８のヤング率Ｅ
を、１２３．２（ＧＰａ）よりも大きくする（Ｅ＞１２
３．２（ＧＰａ））という条件が付される。
【００７１】従来では、前記ギャップ層１８を、Ｔａ2
Ｏ5膜で形成した場合、そのヤング率Ｅは１１３．９
（ＧＰａ）程度、ＳｉＯ2膜で形成した際、前記ギャッ
プ層１８のヤング率Ｅは、１２３．２（ＧＰａ）以下で
あったが、本発明では後述する製造方法を用いること
で、ギャップ層１８にＳｉＯ2膜を使用しても前記ギャ
ップ層１８のヤング率Ｅを、１２３．２（ＧＰａ）より
も大きくすることが可能になるのである。
Ｏ5膜で形成した場合、そのヤング率Ｅは１１３．９
（ＧＰａ）程度、ＳｉＯ2膜で形成した際、前記ギャッ
プ層１８のヤング率Ｅは、１２３．２（ＧＰａ）以下で
あったが、本発明では後述する製造方法を用いること
で、ギャップ層１８にＳｉＯ2膜を使用しても前記ギャ
ップ層１８のヤング率Ｅを、１２３．２（ＧＰａ）より
も大きくすることが可能になるのである。
【００７２】なお前記ギャップ層１８のヤング率Ｅを、
１２３．２（ＧＰａ）よりも大きくすることで、前記ギ
ャップ層１８の記録媒体との対向面からの突き出し量を
３．５ｎｍよりも小さくすることが可能である。
１２３．２（ＧＰａ）よりも大きくすることで、前記ギ
ャップ層１８の記録媒体との対向面からの突き出し量を
３．５ｎｍよりも小さくすることが可能である。
【００７３】また本発明では、前記ギャップ層１８のヤ
ング率Ｅは、Ｅ≧１２７．４（ＧＰａ）であることが好
ましい。これによって前記ギャップ層１８の前記対向面
からの突き出し量を３．０ｎｍ以下に抑えることが可能
である。
ング率Ｅは、Ｅ≧１２７．４（ＧＰａ）であることが好
ましい。これによって前記ギャップ層１８の前記対向面
からの突き出し量を３．０ｎｍ以下に抑えることが可能
である。
【００７４】以上のように本発明では、ギャップ層１８
にＳｉＯＮ膜を使用することで、あるいは１２３．２
（ＧＰａ）よりも大きいヤング率Ｅを有するＳｉＯ2膜
を使用することで、前記ギャップ層１８の記録媒体との
対向面からの突き出し量を従来に比べて小さくすること
が可能である。
にＳｉＯＮ膜を使用することで、あるいは１２３．２
（ＧＰａ）よりも大きいヤング率Ｅを有するＳｉＯ2膜
を使用することで、前記ギャップ層１８の記録媒体との
対向面からの突き出し量を従来に比べて小さくすること
が可能である。
【００７５】したがって今後の高記録密度化において、
薄膜磁気ヘッドスライダ３６と記録媒体間の浮上量が小
さくなっても、前記ギャップ層１８の突き出しによって
前記スライダ３６が記録媒体に衝突し難くなり、前記薄
膜磁気ヘッドスライダ３６及び記録媒体への損傷を防止
することが可能である。よって本発明では安全性・信頼
性の高い薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
薄膜磁気ヘッドスライダ３６と記録媒体間の浮上量が小
さくなっても、前記ギャップ層１８の突き出しによって
前記スライダ３６が記録媒体に衝突し難くなり、前記薄
膜磁気ヘッドスライダ３６及び記録媒体への損傷を防止
することが可能である。よって本発明では安全性・信頼
性の高い薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
【００７６】なお上記では、インダクティブヘッドｈ２
のギャップ層１８を中心として説明したが、本発明は、
ＭＲヘッドｈ１に形成される下部ギャップ層１２及び／
または上部ギャップ層１６にも適用可能である。
のギャップ層１８を中心として説明したが、本発明は、
ＭＲヘッドｈ１に形成される下部ギャップ層１２及び／
または上部ギャップ層１６にも適用可能である。
【００７７】またギャップ層以外の層で、従来からＳｉ
Ｏ2膜を使用し、前記層が記録媒体との対向面に露出形
成されている場合には、前記層に対して本発明を適用す
ることが、前記層の記録媒体との対向面からの突き出し
を抑制できて好ましい。
Ｏ2膜を使用し、前記層が記録媒体との対向面に露出形
成されている場合には、前記層に対して本発明を適用す
ることが、前記層の記録媒体との対向面からの突き出し
を抑制できて好ましい。
【００７８】また本発明では、スライダが記録媒体上で
浮上して、記録・再生を行う薄膜磁気ヘッド装置に、本
発明を適用することが特に好ましく、本発明の適用によ
って、前記スライダの記録媒体への衝突を回避すること
が可能になる。このため浮上型の薄膜磁気ヘッド装置で
あれば、ハードディスク装置内に搭載される前記薄膜磁
気ヘッド装置に限らず、光薄膜磁気ヘッド装置等への適
用が可能である。
浮上して、記録・再生を行う薄膜磁気ヘッド装置に、本
発明を適用することが特に好ましく、本発明の適用によ
って、前記スライダの記録媒体への衝突を回避すること
が可能になる。このため浮上型の薄膜磁気ヘッド装置で
あれば、ハードディスク装置内に搭載される前記薄膜磁
気ヘッド装置に限らず、光薄膜磁気ヘッド装置等への適
用が可能である。
【００７９】次に本発明における薄膜磁気ヘッドの製造
方法について以下に説明する。図５は本発明における薄
膜磁気ヘッドを製造するために使用されるスパッタ装置
の内部構造である。
方法について以下に説明する。図５は本発明における薄
膜磁気ヘッドを製造するために使用されるスパッタ装置
の内部構造である。
【００８０】図５に示すように、スパッタ装置５０のチ
ャンバー５１内には、ターゲット５２を取り付けるため
の電極部５３と、前記ターゲット５２と対向する位置
に、基板保持部５３とが設けられている。なお前記基板
保持部５３上には、基板５４が設けられている。
ャンバー５１内には、ターゲット５２を取り付けるため
の電極部５３と、前記ターゲット５２と対向する位置
に、基板保持部５３とが設けられている。なお前記基板
保持部５３上には、基板５４が設けられている。
【００８１】なお本発明では、図５に示す電極部５３内
に、磁石が設けられて成るマグネトロンスパッタ装置で
あってもよい。
に、磁石が設けられて成るマグネトロンスパッタ装置で
あってもよい。
【００８２】図５に示すように、前記チャンバー５１内
には、ガス導入口５５，５６と、ガス排気口５７とが設
けられており、前記ガス導入口５５，５６からＮ2、Ａ
ｒが導入される。なお符号５８はシャッターである。
には、ガス導入口５５，５６と、ガス排気口５７とが設
けられており、前記ガス導入口５５，５６からＮ2、Ａ
ｒが導入される。なお符号５８はシャッターである。
【００８３】前記電極部５３に、高周波電源（ＲＦ電
源）５９から高周波が印加されることにより、電場と磁
場の相互作用により、マグネトロン放電が発生し、前記
ターゲット５２がスパッタされ、前記ターゲット５２と
対向する位置に配置された基板５４上に、薄膜が成膜さ
れていく。
源）５９から高周波が印加されることにより、電場と磁
場の相互作用により、マグネトロン放電が発生し、前記
ターゲット５２がスパッタされ、前記ターゲット５２と
対向する位置に配置された基板５４上に、薄膜が成膜さ
れていく。
【００８４】本発明では、図３及び図４に示すギャップ
層１８を図５に示すスパッタ装置で成膜する際、前記タ
ーゲット５２にＳｉＯ2からなるターゲットを使用す
る。さらに上記したように、前記ガス導入口５５，５６
からは、スパッタガスとしてＮ 2，Ａｒを導入する。
層１８を図５に示すスパッタ装置で成膜する際、前記タ
ーゲット５２にＳｉＯ2からなるターゲットを使用す
る。さらに上記したように、前記ガス導入口５５，５６
からは、スパッタガスとしてＮ 2，Ａｒを導入する。
【００８５】本発明ではＳｉＯ2ターゲットを使用し、
スパッタガスの一つとしてＮ2ガスを導入することで、
前記ギャップ層１８をＳｉＯＮ膜により形成することが
できる。
スパッタガスの一つとしてＮ2ガスを導入することで、
前記ギャップ層１８をＳｉＯＮ膜により形成することが
できる。
【００８６】なお本発明では、前記スパッタガス（Ｎ2
＋Ａｒ）に占める前記Ｎ2ガスの流量比は、０％＜Ｎ2ガ
ス流量比≦３０％であることが好ましい。これによって
ＳｉＯＮ膜のＮの原子％を０（ａｔ％）より大きくする
ことができ、このとき前記ギャップ層１８のヤング率Ｅ
は、１２３．２（ＧＰａ）より大きくなる。また好まし
くは、ＳｉＯＮ膜のＮの原子％を１（ａｔ％）以上にす
ることができ、このとき前記ギャップ層１８のヤング率
Ｅは、１２７．４（ＧＰａ）以上となる。これは、前記
スパッタガス中に占める前記Ｎ2ガスの流量比を５％以
上にすることで達成することができる。
＋Ａｒ）に占める前記Ｎ2ガスの流量比は、０％＜Ｎ2ガ
ス流量比≦３０％であることが好ましい。これによって
ＳｉＯＮ膜のＮの原子％を０（ａｔ％）より大きくする
ことができ、このとき前記ギャップ層１８のヤング率Ｅ
は、１２３．２（ＧＰａ）より大きくなる。また好まし
くは、ＳｉＯＮ膜のＮの原子％を１（ａｔ％）以上にす
ることができ、このとき前記ギャップ層１８のヤング率
Ｅは、１２７．４（ＧＰａ）以上となる。これは、前記
スパッタガス中に占める前記Ｎ2ガスの流量比を５％以
上にすることで達成することができる。
【００８７】また本発明では図５に示すように、基板保
持部５３には、高周波電源（ＲＦ電源）６０が接続され
ており、この高周波電源６０から前記基板保持部５３に
高周波が印加される。
持部５３には、高周波電源（ＲＦ電源）６０が接続され
ており、この高周波電源６０から前記基板保持部５３に
高周波が印加される。
【００８８】このように本発明では、前記ギャップ層１
８の形成のとき、前記基板側にバイアス（Ｒｆバイア
ス）電力を供給することが好ましく、これによってＳｉ
ＯＮ膜のヤング率Ｅを向上させることが可能である。
８の形成のとき、前記基板側にバイアス（Ｒｆバイア
ス）電力を供給することが好ましく、これによってＳｉ
ＯＮ膜のヤング率Ｅを向上させることが可能である。
【００８９】バイアス電力を供給しながらギャップ層１
８を形成することでヤング率Ｅを向上させることができ
るのは、ＳｉＯＮ膜の原子配列が最密化方向に向かうた
めであると考えられる。最密化方向、すなわち各原子間
の距離が縮められることにより、ＳｉＯＮ膜は弾性率を
増し、ヤング率Ｅが向上する。
８を形成することでヤング率Ｅを向上させることができ
るのは、ＳｉＯＮ膜の原子配列が最密化方向に向かうた
めであると考えられる。最密化方向、すなわち各原子間
の距離が縮められることにより、ＳｉＯＮ膜は弾性率を
増し、ヤング率Ｅが向上する。
【００９０】なお本発明では、前記バイアス電力は０Ｗ
（ワット）より大きくすればよい。すなわち本発明によ
れば前記バイアス電力を自由に設定ができる。
（ワット）より大きくすればよい。すなわち本発明によ
れば前記バイアス電力を自由に設定ができる。
【００９１】また本発明では、ギャップ層１８をＳｉＯ
2膜によって形成することができるが、ただしこのとき
前記ギャップ層１８のヤング率Ｅを、１２３．２（ＧＰ
ａ）より大きくする必要があることを既に述べた。本発
明では、前記ギャップ層１８のヤング率Ｅを１２３．２
（ＧＰａ）より大きくするには、前記ギャップ層１８の
形成の際、前記基板側にバイアス電力を供給する必要が
ある。
2膜によって形成することができるが、ただしこのとき
前記ギャップ層１８のヤング率Ｅを、１２３．２（ＧＰ
ａ）より大きくする必要があることを既に述べた。本発
明では、前記ギャップ層１８のヤング率Ｅを１２３．２
（ＧＰａ）より大きくするには、前記ギャップ層１８の
形成の際、前記基板側にバイアス電力を供給する必要が
ある。
【００９２】このように基板側にバイアス電力を供給し
ながらＳｉＯ2膜を成膜すると、前記バイアス電力を供
給せずに成膜した場合に比べて、ヤング率Ｅを向上させ
ることが可能であり、具体的には前記ヤング率を１２
３．２（ＧＰａ）より大きくすることが可能である。な
おその理由については上述した通りである。
ながらＳｉＯ2膜を成膜すると、前記バイアス電力を供
給せずに成膜した場合に比べて、ヤング率Ｅを向上させ
ることが可能であり、具体的には前記ヤング率を１２
３．２（ＧＰａ）より大きくすることが可能である。な
おその理由については上述した通りである。
【００９３】なお本発明では、前記バイアス電力は０Ｗ
より大きければよい。これによって前記ＳｉＯ2膜のヤ
ング率Ｅを、１２３．２（ＧＰａ）より大きくすること
が可能である。
より大きければよい。これによって前記ＳｉＯ2膜のヤ
ング率Ｅを、１２３．２（ＧＰａ）より大きくすること
が可能である。
【００９４】また本発明では、前記バイアス電力は１０
Ｗ以上であることがより好ましい。これによって前記Ｓ
ｉＯ2膜のヤング率Ｅを、１２７．４（ＧＰａ）以上に
することが可能である。
Ｗ以上であることがより好ましい。これによって前記Ｓ
ｉＯ2膜のヤング率Ｅを、１２７．４（ＧＰａ）以上に
することが可能である。
【００９５】以上のように本発明では、ギャップ層１８
をＳｉＯＮ膜で形成するときに、従来、ＳｉＯ2膜を成
膜する際に用いていたＳｉＯ2ターゲットをそのまま使
用でき、そしてスパッタガスとしてＮ2ガスを混合させ
るだけで、上記ＳｉＯＮ膜を成膜することが可能であ
る。
をＳｉＯＮ膜で形成するときに、従来、ＳｉＯ2膜を成
膜する際に用いていたＳｉＯ2ターゲットをそのまま使
用でき、そしてスパッタガスとしてＮ2ガスを混合させ
るだけで、上記ＳｉＯＮ膜を成膜することが可能であ
る。
【００９６】よって本発明では、従来に比べて製造方法
が煩雑化することなく容易にＳｉＯＮ膜を成膜でき、ま
た再現性も良好である。
が煩雑化することなく容易にＳｉＯＮ膜を成膜でき、ま
た再現性も良好である。
【００９７】またＮ2ガスの流量比、及びバイアス電力
を自由に設定できるために、ガス圧・電力の制御等が行
いやすい。
を自由に設定できるために、ガス圧・電力の制御等が行
いやすい。
【００９８】また本発明では、ギャップ層１８をＳｉＯ
2膜で形成することができ、ただこの場合、前記ＳｉＯ2
膜のヤング率Ｅを１２３．２（ＧＰａ）より大きくする
必要があるが、前記ヤング率Ｅの調整を、基板側にバイ
アス電力を供給するだけで行うことができ、容易にしか
も再現性良く上記ヤング率Ｅを有するＳｉＯ2膜を成膜
できる。
2膜で形成することができ、ただこの場合、前記ＳｉＯ2
膜のヤング率Ｅを１２３．２（ＧＰａ）より大きくする
必要があるが、前記ヤング率Ｅの調整を、基板側にバイ
アス電力を供給するだけで行うことができ、容易にしか
も再現性良く上記ヤング率Ｅを有するＳｉＯ2膜を成膜
できる。
【００９９】
【実施例】図６は、ＳｉＯＮ膜中に占めるＮの原子％と
前記ＳｉＯＮ膜のヤング率Ｅとの関係を示すグラフであ
る。なおヤング率Ｅはマイクロビッカス法によって測定
した。以下に説明する他の実験においても同じである。
前記ＳｉＯＮ膜のヤング率Ｅとの関係を示すグラフであ
る。なおヤング率Ｅはマイクロビッカス法によって測定
した。以下に説明する他の実験においても同じである。
【０１００】図６に示すように、ＳｉＯＮ膜中のＮ量
（原子％）が増えるにしたがってヤング率Ｅは上昇して
いくことがわかる。なおＮが全く含有されていない、す
なわちＳｉＯ2膜のヤング率Ｅは、１２３．２（ＧＰ
ａ）であった。
（原子％）が増えるにしたがってヤング率Ｅは上昇して
いくことがわかる。なおＮが全く含有されていない、す
なわちＳｉＯ2膜のヤング率Ｅは、１２３．２（ＧＰ
ａ）であった。
【０１０１】次に実際に上記の実験で使用したＳｉＯＮ
膜をインダクティブヘッドのギャップ層として使用し、
前記インダクティブヘッドの記録媒体との対向面にラッ
プ加工を施した後、前記ギャップ層（ＳｉＯＮ膜）のヤ
ング率Ｅと、前記対向面から突き出すギャップ層の突き
出し量との関係について調べた。
膜をインダクティブヘッドのギャップ層として使用し、
前記インダクティブヘッドの記録媒体との対向面にラッ
プ加工を施した後、前記ギャップ層（ＳｉＯＮ膜）のヤ
ング率Ｅと、前記対向面から突き出すギャップ層の突き
出し量との関係について調べた。
【０１０２】なお実験で使用したＳｉＯＮ膜は、Ｎ原子
％が１（ａｔ％）、２（ａｔ％）及び４（ａｔ％）であ
り、また成膜の際にはバイアス電力を与えていない。ま
た比較例としてＴａ2Ｏ5膜及びＳｉＯ2膜についても実
験を試みた。いずれにおいても成膜の際、バイアス電力
を与えていない。その実験結果を図７に示す。
％が１（ａｔ％）、２（ａｔ％）及び４（ａｔ％）であ
り、また成膜の際にはバイアス電力を与えていない。ま
た比較例としてＴａ2Ｏ5膜及びＳｉＯ2膜についても実
験を試みた。いずれにおいても成膜の際、バイアス電力
を与えていない。その実験結果を図７に示す。
【０１０３】図７に示すように、ヤング率Ｅが上昇して
いくと、前記突き出し量は低下していくことがわかる。
ここで、Ｔａ2Ｏ5膜のヤング率Ｅは約１１３．９（ＧＰ
ａ）で、その突き出し量は６．０ｎｍ程度である。また
ＳｉＯ2膜のヤング率Ｅは上記したように、１２３．２
（ＧＰａ）であり、このときの突き出し量を測定する
と、前記突き出し量は３．５ｎｍである。
いくと、前記突き出し量は低下していくことがわかる。
ここで、Ｔａ2Ｏ5膜のヤング率Ｅは約１１３．９（ＧＰ
ａ）で、その突き出し量は６．０ｎｍ程度である。また
ＳｉＯ2膜のヤング率Ｅは上記したように、１２３．２
（ＧＰａ）であり、このときの突き出し量を測定する
と、前記突き出し量は３．５ｎｍである。
【０１０４】この実験結果により本発明では前記突き出
し量が３．５ｎｍよりも小さいことが好ましいとし、こ
のときのヤング率Ｅは、１２３．２（ＧＰａ）よりも大
きい値である。
し量が３．５ｎｍよりも小さいことが好ましいとし、こ
のときのヤング率Ｅは、１２３．２（ＧＰａ）よりも大
きい値である。
【０１０５】前記した図６を参照すると、ＳｉＯＮ膜で
あれば、Ｎの原子％が０よりも大きければ、１２３．２
（ＧＰａ）よりも大きいヤング率Ｅを得られることか
ら、ＳｉＯＮ膜中に占めるＮの原子％を０（ａｔ％）よ
りも大きいとした。
あれば、Ｎの原子％が０よりも大きければ、１２３．２
（ＧＰａ）よりも大きいヤング率Ｅを得られることか
ら、ＳｉＯＮ膜中に占めるＮの原子％を０（ａｔ％）よ
りも大きいとした。
【０１０６】またＮ原子％の上限であるが、本発明では
前記Ｎの原子％の上限を６（ａｔ％）とした。これは６
（ａｔ％）を越えるとヤング率Ｅが低下し、１２７．４
（ＧＰａ）を下回るからである。
前記Ｎの原子％の上限を６（ａｔ％）とした。これは６
（ａｔ％）を越えるとヤング率Ｅが低下し、１２７．４
（ＧＰａ）を下回るからである。
【０１０７】また図７に示すように、ヤング率Ｅを１２
７．４（ＧＰａ）以上にすれば、確実に前記ギャップ層
の突き出し量を３．０ｎｍ以下に抑えることができる。
よって本発明では前記ヤング率Ｅの好ましい範囲とし
て、１２７．４（ＧＰａ）以上であると規定した。
７．４（ＧＰａ）以上にすれば、確実に前記ギャップ層
の突き出し量を３．０ｎｍ以下に抑えることができる。
よって本発明では前記ヤング率Ｅの好ましい範囲とし
て、１２７．４（ＧＰａ）以上であると規定した。
【０１０８】なおヤング率Ｅが１２７．４（ＧＰａ）以
上である場合、図６に示すようにＳｉＯＮ膜中に占める
Ｎ元素の原子％は１．０（ａｔ％）以上であることがわ
かる。
上である場合、図６に示すようにＳｉＯＮ膜中に占める
Ｎ元素の原子％は１．０（ａｔ％）以上であることがわ
かる。
【０１０９】次にＳｉＯＮ膜を成膜する際に、スパッタ
装置内に導入するスパッタガス（ＡｒとＮ2）中に占め
るＮ2ガスの流量比と、その流量比によって形成された
ＳｉＯＮ膜のヤング率Ｅとの関係について調べた。その
実験結果を図８に示す。
装置内に導入するスパッタガス（ＡｒとＮ2）中に占め
るＮ2ガスの流量比と、その流量比によって形成された
ＳｉＯＮ膜のヤング率Ｅとの関係について調べた。その
実験結果を図８に示す。
【０１１０】図８に示すように、Ｎ2ガスの流量比を０
％よりも大きくすれば、ＳｉＯＮ膜のヤング率Ｅを１２
３．２（ＧＰａ）よりも大きくできることがわかる。し
たがって本発明ではスパッタガス中に占めるＮ2ガスの
流量比を０％よりも大きいとした。なお前記Ｎ2ガスの
流量比の最大値を３０％とした。これは図８に示すよう
に少なくとも前記Ｎ2ガスの流量比を３０％以下にすれ
ば、より好ましいヤング率Ｅの値である、１２７．４
（ＧＰａ）以上のヤング率Ｅを得られるからである。
％よりも大きくすれば、ＳｉＯＮ膜のヤング率Ｅを１２
３．２（ＧＰａ）よりも大きくできることがわかる。し
たがって本発明ではスパッタガス中に占めるＮ2ガスの
流量比を０％よりも大きいとした。なお前記Ｎ2ガスの
流量比の最大値を３０％とした。これは図８に示すよう
に少なくとも前記Ｎ2ガスの流量比を３０％以下にすれ
ば、より好ましいヤング率Ｅの値である、１２７．４
（ＧＰａ）以上のヤング率Ｅを得られるからである。
【０１１１】また前記ギャップ層のヤング率Ｅを１２
７．４（ＧＰａ）以上にするには、スパッタガス中に占
めるＮ2ガスの流量比を５％以上にすればよいことがわ
かる。
７．４（ＧＰａ）以上にするには、スパッタガス中に占
めるＮ2ガスの流量比を５％以上にすればよいことがわ
かる。
【０１１２】次に、ＳｉＯＮ膜、及びＳｉＯ2膜を成膜
する際に、基板側にＲｆバイアス電力を供給しながら各
膜をスパッタ成膜した。なお実験に使用した各ＳｉＯＮ
膜に占めるＮ元素の原子％はほぼ１ａｔ％に統一されて
いる。実験結果を図９に示す。
する際に、基板側にＲｆバイアス電力を供給しながら各
膜をスパッタ成膜した。なお実験に使用した各ＳｉＯＮ
膜に占めるＮ元素の原子％はほぼ１ａｔ％に統一されて
いる。実験結果を図９に示す。
【０１１３】図９に示すように、ＳｉＯＮ膜の成膜の
際、基板側にＲｆバイアス電力を供給しながら行うこと
で、前記ＳｉＯＮ膜のヤング率Ｅを、バイアス電力を供
給しない場合（＝０Ｗ）に比べて上昇させることができ
るとわかる。
際、基板側にＲｆバイアス電力を供給しながら行うこと
で、前記ＳｉＯＮ膜のヤング率Ｅを、バイアス電力を供
給しない場合（＝０Ｗ）に比べて上昇させることができ
るとわかる。
【０１１４】またＳｉＯ2膜の成膜時に、基板側にバイ
アス電力を供給すると、ＳｉＯ2膜のヤング率Ｅを上昇
させることができるとわかった。すなわち今回の実験か
ら、従来から一般的にギャップ層として使用されていた
ＳｉＯ2膜を使用する場合でも、成膜時にバイアス電力
を供給すれば、前記ＳｉＯ2膜のヤング率Ｅを上昇させ
ることができ、具体的には１２３．２（ＧＰａ）より大
きいヤング率Ｅを得ることができ、このようなＳｉＯ2
膜をギャップ層として使用しても、前記ギャップ層の記
録媒体との対向面からの突き出し量を従来に比べて小さ
くでき、具体的には３．５ｎｍよりも小さく抑えること
が可能である。
アス電力を供給すると、ＳｉＯ2膜のヤング率Ｅを上昇
させることができるとわかった。すなわち今回の実験か
ら、従来から一般的にギャップ層として使用されていた
ＳｉＯ2膜を使用する場合でも、成膜時にバイアス電力
を供給すれば、前記ＳｉＯ2膜のヤング率Ｅを上昇させ
ることができ、具体的には１２３．２（ＧＰａ）より大
きいヤング率Ｅを得ることができ、このようなＳｉＯ2
膜をギャップ層として使用しても、前記ギャップ層の記
録媒体との対向面からの突き出し量を従来に比べて小さ
くでき、具体的には３．５ｎｍよりも小さく抑えること
が可能である。
【０１１５】また図９に示すように、Ｒｆバイアス電力
を、１０Ｗ以上にした場合には、ＳｉＯ2膜のヤング率
Ｅを少なくとも１２７．４（ＧＰａ）以上にでき、この
ときのＳｉＯ2膜をギャップ層として使用すれば、前記
ギャップ層の突き出し量を３．０ｎｍ以下に抑えること
ができる。
を、１０Ｗ以上にした場合には、ＳｉＯ2膜のヤング率
Ｅを少なくとも１２７．４（ＧＰａ）以上にでき、この
ときのＳｉＯ2膜をギャップ層として使用すれば、前記
ギャップ層の突き出し量を３．０ｎｍ以下に抑えること
ができる。
【０１１６】図１０は、Ｒｆバイアス電力と前記バイア
ス電力を供給しながら成膜されたＳｉＯＮ膜及びＳｉＯ
2膜の絶縁耐圧との関係を示すグラフである。
ス電力を供給しながら成膜されたＳｉＯＮ膜及びＳｉＯ
2膜の絶縁耐圧との関係を示すグラフである。
【０１１７】図１０に示すように、ＳｉＯＮ膜の場合、
ＳｉＯ2膜に比べて絶縁耐圧が減少するものの、ギャッ
プ層として使用する上で必要な絶縁耐圧を満たしてい
る。
ＳｉＯ2膜に比べて絶縁耐圧が減少するものの、ギャッ
プ層として使用する上で必要な絶縁耐圧を満たしてい
る。
【０１１８】またバイアス電力が１０Ｗのときは、Ｓｉ
ＯＮ膜とＳｉＯ2膜との絶縁耐圧はほとんど同じであ
り、双方の膜ともに良好な絶縁耐圧を維持していること
がわかる。
ＯＮ膜とＳｉＯ2膜との絶縁耐圧はほとんど同じであ
り、双方の膜ともに良好な絶縁耐圧を維持していること
がわかる。
【０１１９】
【発明の効果】以上詳述した本発明によれば、インダク
ティブヘッドにおけるギャップ層にＳｉＯＮ膜を使用す
ることで、前記ギャップ層の弾性率を高め、これによっ
て前記インダクティブヘッドの記録媒体との対向面をラ
ップ加工している最中、前記ギャップ層が前記対向面よ
りもハイト方向に押し込まれ難くなり、他の層と同様に
前記ギャップを適切に削ることができ、前記対向面から
の前記ギャップ層の突き出し量を従来に比べて小さくす
ることができる。
ティブヘッドにおけるギャップ層にＳｉＯＮ膜を使用す
ることで、前記ギャップ層の弾性率を高め、これによっ
て前記インダクティブヘッドの記録媒体との対向面をラ
ップ加工している最中、前記ギャップ層が前記対向面よ
りもハイト方向に押し込まれ難くなり、他の層と同様に
前記ギャップを適切に削ることができ、前記対向面から
の前記ギャップ層の突き出し量を従来に比べて小さくす
ることができる。
【０１２０】
【０１２１】このようにギャップ層の突き出し量の小さ
い薄膜磁気ヘッドを使用すれば、薄膜磁気ヘッドスライ
ダが記録媒体上で浮上しているとき、前記薄膜磁気ヘッ
ドスライダと記録媒体間の浮上量が小さくなっても、前
記薄膜磁気ヘッドスライダが記録媒体に衝突する危険性
は低くなり、安全性の高い薄膜磁気ヘッドを提供するこ
とができる。
い薄膜磁気ヘッドを使用すれば、薄膜磁気ヘッドスライ
ダが記録媒体上で浮上しているとき、前記薄膜磁気ヘッ
ドスライダと記録媒体間の浮上量が小さくなっても、前
記薄膜磁気ヘッドスライダが記録媒体に衝突する危険性
は低くなり、安全性の高い薄膜磁気ヘッドを提供するこ
とができる。
【０１２２】また本発明の製造方法によれば、従来から
ギャップ層の成膜時に使用されていたＳｉＯ2ターゲッ
トを使用し、スパッタガスとしてＮ2ガスを用いるのみ
で、ＳｉＯＮ膜を成膜できるので、従来に比べて製造工
程が煩雑化することはなく、容易に前記ギャップ層を成
膜でき、しかも再現性にも優れている。
ギャップ層の成膜時に使用されていたＳｉＯ2ターゲッ
トを使用し、スパッタガスとしてＮ2ガスを用いるのみ
で、ＳｉＯＮ膜を成膜できるので、従来に比べて製造工
程が煩雑化することはなく、容易に前記ギャップ層を成
膜でき、しかも再現性にも優れている。
【０１２３】
【０１２４】なお本発明では、再生用のＭＲヘッドに使
用されているギャップ層に本発明を適用することが可能
である。
用されているギャップ層に本発明を適用することが可能
である。
【図１】本発明における薄膜磁気ヘッドスライダの部分
斜視図、
斜視図、
【図２】本発明におけるスライダバーの部分斜視図、
【図３】本発明の実施形態の構造を示す薄膜磁気ヘッド
の拡大断面図、
の拡大断面図、
【図４】図３に示す４−４線から切断した薄膜磁気ヘッ
ドの部分縦断面図、
ドの部分縦断面図、
【図５】本発明におけるスパッタ装置の内部構造を示す
部分構造図、
部分構造図、
【図６】ＳｉＯＮ膜中に占めるＮ量（ａｔ％）とヤング
率Ｅとの関係を示すグラフ、
率Ｅとの関係を示すグラフ、
【図７】ＳｉＯＮ膜あるいはＳｉＯ膜のヤング率Ｅと、
前記各膜をギャップ層として使用し、記録媒体との対向
面をラップ加工した場合の、前記ギャップ層の突き出し
量との関係を示すグラフ、
前記各膜をギャップ層として使用し、記録媒体との対向
面をラップ加工した場合の、前記ギャップ層の突き出し
量との関係を示すグラフ、
【図８】スパッタガス中に占めるＮ2ガスの流量比
（％）と、ＳｉＯＮ膜のヤング率Ｅとの関係を示すグラ
フ、
（％）と、ＳｉＯＮ膜のヤング率Ｅとの関係を示すグラ
フ、
【図９】ＳｉＯＮ膜及びＳｉＯ2膜を成膜する際のＲｆ
バイアス電力と、前記各膜のヤング率Ｅとの関係を示す
グラフ、
バイアス電力と、前記各膜のヤング率Ｅとの関係を示す
グラフ、
【図１０】ＳｉＯＮ膜及びＳｉＯ2膜を成膜する際のＲ
ｆバイアス電力と、前記各膜の絶縁耐圧との関係を示す
グラフ、
ｆバイアス電力と、前記各膜の絶縁耐圧との関係を示す
グラフ、
【図１１】従来の薄膜磁気ヘッドの構造を示す拡大断面
図、
図、
１２ 下部ギャップ層
１３ 磁気抵抗効果素子
１６ 上部ギャップ層
１７ 下部コア層
１８ ギャップ層
４２ 上部コア層
５３ 基板保持部
５４ 基板
６０ 高周波電源（ＲＦ電源）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G11B 5/31
G11B 5/39
Claims (6)
- 【請求項１】 磁性材料性のコアとコアとの対向面に絶
縁性のギャップ層が設けられ、前記コアに記録磁界を誘
導するコイルが設けられた記録用の薄膜磁気ヘッドにお
いて、 前記ギャップ層が、ＳｉＯＮ膜によって形成されてお
り、前記ＳｉＯＮ膜のＮの原子％は、１（ａｔ％）≦Ｎ
原子％≦６（ａｔ％）であることを特徴とする薄膜磁気
ヘッド。 - 【請求項２】 外部磁界の影響で電気抵抗が変化するこ
とにより記録信号を検出することが可能な磁気抵抗効果
素子と、前記磁気抵抗効果素子の上下にギャップ層を介
して形成されたシールド層とを有する再生用の薄膜磁気
ヘッドにおいて、 前記ギャップ層のうち少なくとも一層は、ＳｉＯＮ膜に
よって形成されており、前記ＳｉＯＮ膜のＮの原子％
は、１（ａｔ％）≦Ｎ原子％≦６（ａｔ％）であること
を特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記ギャップ層のヤング率Ｅは、Ｅ＞１
２３．２（ＧＰａ）である請求項１または２記載の薄膜
磁気ヘッド。 - 【請求項４】 前記ギャップ層のヤング率Ｅが、Ｅ≧１
２７．４（ＧＰａ）である請求項３記載の薄膜磁気ヘッ
ド。 - 【請求項５】 成膜装置内に、ターゲットと、前記ター
ゲットと対向する基板を配置し、前記基板上に請求項１
ないし請求項４のいずれかに記載された薄膜磁気ヘッド
を成膜する製造方法において、 前記薄膜磁気ヘッドのギャップ層を形成するときに、Ｓ
ｉＯ2から成る前記ターゲットを用意し、スパッタガス
の一つとしてＮ2ガスを５％≦Ｎ 2 ガス流量比≦３０％の
流量比で前記装置内に流入させながら前記ターゲットを
スパッタすることで、前記ギャップ層をＳｉＯＮ膜で形
成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項６】 前記ギャップ層の形成のとき、前記基板
側にバイアス電力を供給する請求項５記載の薄膜薄膜磁
気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP2000111702A JP3511371B2 (ja) | 2000-04-13 | 2000-04-13 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000111702A JP3511371B2 (ja) | 2000-04-13 | 2000-04-13 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
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|---|---|
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| JP3511371B2 true JP3511371B2 (ja) | 2004-03-29 |
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ID=18623985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000111702A Expired - Fee Related JP3511371B2 (ja) | 2000-04-13 | 2000-04-13 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
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| JP (1) | JP3511371B2 (ja) |
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| US5001589A (en) * | 1989-05-31 | 1991-03-19 | Seagate Technology, Inc. | Tungsten and tantalum diffusion barriers for Metal-In-Gap magnetic heads |
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| JP4221114B2 (ja) * | 1999-05-18 | 2009-02-12 | 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ | 磁気抵抗効果型ヘッド |
| US6239948B1 (en) * | 1999-07-23 | 2001-05-29 | Headway Technologies, Inc. | Non-magnetic nickel containing conductor alloys for magnetic transducer element fabrication |
| JP2001052309A (ja) * | 1999-08-06 | 2001-02-23 | Alps Electric Co Ltd | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
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- 2000-04-13 JP JP2000111702A patent/JP3511371B2/ja not_active Expired - Fee Related
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- 2001-04-11 US US09/834,085 patent/US6885526B2/en not_active Expired - Fee Related
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